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Como una estructura micro granular puede ser obtenida al formarse gran
cantidad de ncleos de cristalizacin, si se calienta una aleacin por encima de
la temperatura de recristalizacin, esto es, al otro estado alotrpico, y luego se
enfra rpidamente, la posterior cristalizacin para volver a la temperatura y
estructura originales se produce con la formacin de grandes cantidades de
ncleos, y por tanto, finalmente se tendr un grano menor. Igualmente puede
suceder en el caso contrario, una pieza slida que tenga granos pequeos, si
se calienta hasta la recristalizacin y luego se enfra lentamente dar lugar a
una pieza con granos mayores.
IMPERFECCCIONES
Defectos puntuales
El defecto puntual ms simple es la vacante, hueco creado por la prdida de un
tomo que se encontraba en esa posicin. Las vacantes pueden producirse
durante la solidificacin como resultado de perturbaciones locales durante el
crecimiento de los cristales, o pueden ser debidas a reordenaciones atmicas
en un cristal ya formado como consecuencia de la movilidad de los tomos.
En metales, la concentracin de huecos en el equilibrio raramente excede de
un tomo en 10,000 tomos. Las vacantes en los metales son defectos en
equilibrio y su energa de formacin es del orden de 1 e V.
Las vacantes adicionales en los metales pueden ser producidas por
deformacin plstica del metal, por enfriamiento rpido de mayores a menores
temperaturas y por bombardeo de partculas energticas tales como
neutrones. Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse
formando clusters, formndose divacantes o trivacantes. Las vacantes pueden
trasladarse cambiando su posicin con las de sus vecinas. Este proceso es
importante en la migracin o la difusin de los tomos en el estado slido,
particularmente a elevadas temperaturas donde la movilidad de los tomos es
mayor.
Las impurezas atmicas de tipo sustitucional o intersticial son tambin
defectos puntuales y se pueden presentar en cristales metlicos o covalentes.
Por ejemplo, pequeas cantidades de impurezas sustitucionales en silicio puro
pueden afectar mucho su conductividad elctrica para uso en dispositivos
electrnicos. Las impurezas inicas son tambin defectos puntuales en
cristales inicos.
Defectos de lnea (dislocaciones)
Los defectos de lnea, o dislocaciones, en slidos cristalinos son defectos que
dan lugar a una distorsin de la red centrada en torno a una lnea. Las
dislocaciones se crean durante la solidificacin de los slidos cristalinos.
Tambin se pueden formar por deformacin plstica del slido cristalino, por
condensacin de vacantes y por emparejamiento atmicos incorrectos en
soluciones slidas.
Los dos principales tipos de dislocaciones son el tipo de cua y el tipo
helicoidal.
Lmites de grano (defectos interfaciales)
Los lmites de grano son defectos interfaciales en materiales policristalinos, son
lmites que separan granos o cristales de diferentes orientaciones.
En los metales los lmites de grano se crean durante la solidificacin cuando los
cristales se han formado a partir de diferentes ncleos que crecen
simultneamente juntndose unos a otros.
La forma de los lmites de grano viene determinada por las restricciones
impuestas por el crecimiento de los granos ms prximos..
El lmite de grano es una regin estrecha entre dos granos de unos dos a cinco
dimetros atmicos de anchura y es una regin de tomos con cierto
desalineacin entre granos adyacentes.
El empaquetamiento atmico en los lmites de grano es menor que dentro de
los granos debido a dicho desalineacin. Los lmites de grano tienen tambin
algunos granos en posiciones de tensin por lo que aumenta la energa en la
regin del lmite de grano.
Los lmites de grano en un material metlico o cermico pueden ser
identificados en una muestra preparada de material como lneas oscuras. Las
muestras metlicas y cermicas se pulen, en primer lugar, para obtener una
superficie lisa, y entonces son qumicamente tratadas con agua fuerte de
forma que los lmites de grano son atacados ms rpidamente, que los granos
producindose diminutas grietas a lo largo de los lmites.
Al examinarse con un microscopio ptico la luz incidente no ser tan
intensamente reflejada en los lmites de grano que aparecern como lneas
oscuras en el ocular del microscopio.
La mayor energa de los lmites de grano y su estructura ms abierta, hacen de
ellos una regin ms favorable para la nucleacin y crecimiento de
precipitados.
El menor empaquetamiento atmico de los lmites de grano permite una
difusin ms rpida de los granos en la regin del lmite de grano.
A temperaturas ordinarias los lmites de grano tambin limitan el flujo plstico
al presentar dificultades el movimiento de dislocaciones en la regin del lmite
de grano.
Tamao del grano
El tamao del grano de materiales policristalinos es importante porque la
cantidad de superficie del lmite de grano tiene un efecto significativo en
muchas propiedades de los metales, especficamente en la resistencia.
A temperaturas ms bajas (menos de aproximadamente la mitad de su
temperatura de fusin) los lmites de grano refuerzan a los metales por
restriccin del movimiento de las dislocaciones bajo tensin.
A elevadas temperaturas puede tener lugar un desplazamiento del lmite de
grano, y los lmites de grano pueden llegar a ser regiones de baja resistencia
en metales policristalinos.
Difusin en slidos en general
La difusin se puede definir como el mecanismo por el cual la materia es
transportada a travs de la materia. Los tomos en gases, lquidos y slidos
estn en constante movimiento y se desplazan tras un perodo de tiempo.
En los gases, el movimiento de los tomos es relativamente rpido como
podemos apreciar en el rpido avance de los olores desprendidos al cocinar o
del humo del tabaco.
Los movimientos atmicos en los lquidos son, en general, ms lentos que en
los gases como puede observarse al seguir el movimiento de un pigmento en
agua lquida. En los slidos el movimiento de los tomos est restringido
debido a su enlazamiento en posiciones de equilibrio.
Sin embargo, en los slidos tienen lugar vibraciones trmicas que permiten que
algunos tomos se muevan.
La difusin de los tomos en metales y aleaciones es particularmente
importante, ya que la mayor parte de las reacciones en estado slido
involucran movimientos atmicos.
Mecanismos de difusin
Hay dos principales mecanismos de difusin de los tomos en una red
cristalina: (1) difusin por vacantes o mecanismo sustitucional y (2) mecanismo
intersticial.
Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucional.
Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde unas posiciones
atmicas a otras si hay suficiente energa de activacin procedente de
vibraciones trmicas de los tomos y hay vacantes u otros defectos cristalinos
en la red para que los tomos puedan desplazarse a otras posiciones.
Las vacantes en los metales y aleaciones son defectos de equilibrio, algunas
siempre estn presentes posibilitando la difusin sustitucional de los tomos.
Segn va aumentando la temperatura del metal se producirn ms vacantes y
habr ms energa trmica disponible, por tanto, el grado de difusin es mayor
a temperaturas ms altas.
Mecanismos de difusin intersticial
La difusin intersticial de los tomos en las redes cristalinas tiene lugar cuando
los tomos van desde una posicin intersticial a otra vecina desocupada sin
desplazar permanentemente a ninguno de los tomos de la red cristalina
matriz.
Fuentes: Apuntes de la materia de ciencia de los materiales / unideg