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TESINA DE SEMINARIO
Previa a la obtencin del Ttulo de:
INGENIERO EN ELECTRICIDAD ESPECIALIZACIN POTENCIA
Presentada por
Guayaquil - Ecuador
2010
AGRADECIMIENTO
brindarnos
la
ayuda
necesaria
en
la
DEDICATORIA
TRIBUNAL DE SUSTENTACIN
______________________
ING. SIXIFO FALCONES
PROFESOR DEL SEMINARIO
DE GRADUACION
______________________
ING. JORGE CHIRIBOGA
PROFESOR DELEGADO
DEL DECANO
DECLARACIN EXPRESA
La responsabilidad del contenido de esta Tesina, nos corresponde exclusivamente;
y el patrimonio intelectual de la misma a la ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA
DEL LITORAL
__________________________________
DIANA GUISELLA CERVANTES MORN
_________________________________
OLGA PATRICIA MUOZ MAWYN
RESUMEN
Adems se tendr una unidad de SMES con su respectivo convertidor DC-DC, que
almacenar energa en horas del da para ser utilizada durante las horas de poca
energa solar, y as mejorar la eficiencia del sistema de generacin elctrica basada
en paneles fotovoltaicos.
NDICE GENERAL
AGRADECIMIENTO ................................................................................................. II
DEDICATORIA ........................................................................................................ III
TRIBUNAL DE SUSTENTACIN ............................................................................ IV
DECLARACIN EXPRESA ...................................................................................... V
RESUMEN............................................................................................................... VI
NDICE GENERAL ................................................................................................. VII
INDICE DE FIGURAS ............................................................................................... X
INDICE DE TABLAS .............................................................................................. XIII
ABREVIATURAS ................................................................................................... XIV
INTRODUCCIN .................................................................................................... XV
CAPITULO 1
PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA ....................................................................... 1
1.1.
1.2.
1.2.1.
1.2.2.
1.3.
1.4.
CAPITULO 2
HERRAMIENTAS DISPONIBLES ........................................................................... 13
2.1.
SIMPOWERSYSTEMS ............................................................................. 13
2.2.
2.3.
2.3.1.
2.3.2.
2.3.3.
SUPERCONDUCTOR ....................................................................... 44
2.4.2.
REFRIGERANTE .............................................................................. 45
2.4.3.
2.5.
2.5.1.
2.5.2.
2.5.3.
MONITOREO .................................................................................... 49
2.5.4.
2.5.5.
CAPITULO 3
DISEO DEL SISTEMA DE GENERACIN FOTOVOLTAICO .............................. 52
3.1
3.2
3.3
3.4
INVERSOR ............................................................................................... 62
3.5
3.5.1.
3.5.2.
3.5.3.
CAPITULO 4
FUNCIONAMIENTO DEL SISTEMA UNIFICADO .................................................. 93
4.1
4.2
4.3
4.3.1.
4.3.2.
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
ANEXOS
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
INDICE DE FIGURAS
Figura 1. 1 Energa Solar ...................................................................................................... 2
Figura 1. 2 Paneles Solares ................................................................................................ 3
Figura 1. 3 Produccin Mundial de Energa Solar Fotovoltaica ...................................... 4
Figura 1. 4 Panel Fotovoltaico instalado en una comunidad .......................................... 5
Figura 1. 5 Panel Fotovoltaico Residencial ........................................................................ 7
Figura 1. 6 Huerta Solar de Arguisuelas, Espaa ............................................................. 7
Figura 1. 7 PV conectado a red con almacenamiento ................................................... 12
INDICE DE TABLAS
Tabla 2. 1 Resistencias Serie y Paralelo del PV ............................................................. 17
Tabla 2. 2 Tabla de diferencias mximas al momento de sincronizar ......................... 47
ABREVIATURAS
AC
Corriente alterna
DC
Corriente Directa
VDC
Voltaje DC
MW
Megawatts
I(k)
Corriente k-sima
IEEE
MPPT
P&O
Perturbar y Observar
P(k)
Potencia k-sima
PCC
PV
Panel Fotovoltaico
PWM
SEP
SMES
V(k)
Voltaje k-simo
INTRODUCCIN
Debido al creciente desarrollo de tecnologas alternativas para la produccin de
energa elctrica, se ve la necesidad de dar a conocer un poco ms sobre la
utilizacin de estas fuentes de energa no contaminantes.
CAPTULO 1
La Energa Solar se la obtiene mediante el calor y los rayos de luz que emite
constantemente el sol. Se conoce que la radiacin emitida por el sol no es
constante durante todo el da teniendo un valor de irradiacin mximo de
aproximadamente 1000 W/m2. Los diferentes tipos de energa solar se
muestran en la Figura 1.1.
Cambios de
Presin
Condensacin
Vientos
Ciclo de agua
Energa
Elica
Energa
Hidroelctrica
Radiacin Solar
Fotosntesis
Energa
Biomasa
Efecto
Fotovoltaico
Energa
Fotovoltaica
Este tipo de energa permite convertir la energa del sol en electricidad, este
proceso de conversin se lo logra por medio de clulas fotoelctricas que
estn conectadas entre s formando un modulo solar fotovoltaico. La
agrupacin y potencia de estos mdulos depender de la aplicacin que se
la d al panel, ya que se pueden tener paneles para uso residencial o
paneles para redes de distribucin.
de
los
paneles
fotovoltaicos
ha
incrementado
considerablemente.
Mw
900
800
700
600
japon
500
europa
400
USA
300
200
total
100
0
1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003
Ao
Instalaciones residenciales
aproximadamente
MW
el
costo
inicial
de
inversin
seria
de
10
f.
d. Como depende del sol, existen factores climticos que van a impedir
una utilizacin optima de los paneles, por lo tanto se requiere de
alguna unidad de almacenamiento para disponer de esta energa
durante todo el da.
11
f.
no permite una
obtener
Convertidor
Esttico
Puerto AC
Paneles
Fotovoltacios
Puerto DC
12
RED
Almacenamiento
Inductivo
Puerto DC
Convertidor
Esttico
CAPTULO 2
HERRAMIENTAS DISPONIBLES
2.1. SIMPOWERSYSTEMS
14
Figura 2. 1 SimpowerSystems
15
Donde:
E es la energa del fotn
H es la constante de Planck, que es
f es la frecuencia
Donde:
c es la velocidad de la luz,
es el largo de la onda.
Entonces:
16
VRs
I
Id
Ip
Rs
Vd
Isc
Rp
Donde
Io es la corriente de saturacin reversa (A)
q es la carga del electrn, 1.6 x 10 -19 (C)
k es la constante de Boltzmann 1.381 x 10 -23 (J/K)
T es la temperatura de unin
17
Rs
0,00
0,00
0,00
0,03
0,05
Rp
5,00
2,50
0,50
5,00
5,00
Isc Io
q
K
T
4 1E-07 1,602E-19 1,381E-23 480
4,50
Corriente (A)
4,00
3,50
3,00
Rs 0 y Rp 5
2,50
Rs 0 y Rp 2.5
Rs 0 y Rp 0.5
2,00
Rs 0.03 y Rp 5
1,50
Rs 0.05 y Rp 5
1,00
0,50
0,00
0
0,2
0,4
0,6
0,8
Voltaje (V)
18
19
Clculo de Potencia
P(k)=V(k)I(k)
No
Si
P(k)>P(k-1)?
V(k)>V(k-1)?
no
Vref(k)=Vref(k-1)+C
V(k)>V(k-1)?
si
Vref(k)=Vref(k-1)-C
no
Vref(k)=Vref(k-1)-C
si
Vref(k)=Vref(k-1)+C
Volver
Este algoritmo mide las seales de voltaje y corriente para poder calcular la
potencia a cada instante, y dependiendo si la variacin del voltaje es
positiva o negativa toma una decisin acerca del nuevo ciclo de trabajo
ptimo para el caso en particular en que se encuentre.
20
1
S1
Vin
2
Va
21
Funcin moduladora
m(t)
+
Seal portadora
c(t)
Funcin de switcheo
h(t)
22
1
d
Ts
T
Ton
Toff
CICLO DE TRABAJO
23
constante
la
tensin
en
el
capacitor
de
salida,
24
25
26
La Figura 2.11 ilustra los bloques externos del convertidor Boost, con
su seal de entrada que es el ciclo de trabajo y su seal de salida que
se apreciar en un osciloscopio.
27
moduladora, portadora
Va
28
V a(V ), V o(V )
Va
Vo
Ic
29
L
HFT
S1
S3
Vin
Vout
S2
S4
1/n
Este Boost, tiene 2 estados, ON y OFF, para los cuales se utilizan los
conmutadores. Para el estado ON todos los conmutadores deben
estar cerrados. Para el estado OFF, S1-S4
S2-S3 cerrados para el ciclo positivo, mientras que S2-S3 deben estar
abiertos y S1-S4 cerrados para el ciclo negativo.
30
31
Vprim
VL
Vo
Ic
IL
Io
32
Inversor
Conmutador
Conmutador
a
b
Vdc
Conmutador
Conmutador
33
Va
VDC
V
mA DC Sin (t )
2
2
Vb
VDC
V
mA DC Sin (t )
2
2
34
m mA Sin(t )
1
d
Ts
Ton
Toff
35
2.3.3.1.
ndice de amplitud
b) INDICE DE AMPLITUD
36
2.3.3.2.
Monofsicos
Bifsicos
Trifsicos
CONVERTIDOR TRIFASICO
37
Vdc
Va Vb Vc
Donde
38
Vc
Vdc
Vb
b
c
n
Va
39
Para determinar la
+
+
40
Entonces,
41
42
Vab(V),Vgrid (V)
1000
500
0
-500
-1000
IL (A)
10
0
-10
-20
m
1
0.5
0
-0.5
-1
0.945
0.95
0.955
0.96
0.965
0.97
0.975
Time (sec)
43
2.4. ALMACENAMEINTO
DE
ENERGA
CON
SUPERCONDUCTOR
44
2.4.1. SUPERCONDUCTOR
El
superconductor
con
que
trabaja
el
SMES,
tiene
como
45
2.4.2. REFRIGERANTE
46
47
a la red de
DIFERENCIA MAXIMA
CAPACIDAD
FRECUENCIA
DEL PV (KVA)
(Hz)
MAGNITUD (%)
ANGULO DE FASE()
0-500
0.3
10
20
500-1500
0.2
15
1500-10000
0.1
10
VOLTAJE
48
2.5.2.1.
SINCRONIZACIN MANUAL
individuales,
tales
como
frecuencmetros,
mencionados, uno para el lado del SEP y otro para el lado del
PV,
2.5.2.2.
SINCRONIZACIN AUTOMTICA
49
2.5.3. MONITOREO
50
51
CAPTULO 3
DISEO
DEL
SISTEMA
DE
GENERACIN
FOTOVOLTAICO
En este captulo, se dimensionan cada uno de los elementos que utilizan los
diferentes convertidores y en el inversor trifsico, que se usan en este proyecto. Lo
primero que se tiene que fijar es la potencia del convertidor que para este caso se la
ha fijado en 10 KVA.
3.1
53
Y 7 de estos en paralelo:
3.2
54
55
0.02
0.04
0.06
Time (sec)
0.08
0.1
0.12
56
40.5
40
39.5
39
38.5
38
37.5
0.1184
0.1185
0.1185
0.1186
0.1186
Time (sec)
0.1187
0.1187
0.1188
57
58
600
500
400
300
200
100
0
-100
0.02
0.04
0.06
0.08
Time (sec)
0.1
0.12
59
248.4
248.2
248
247.8
Voltaje Promedio
247.6
247.4
0.2163
0.2163
0.2164
0.2164
Time (sec)
0.2165
0.2165
0.2166
0.2166
Corriente
40
30
20
10
0
Voltaje
500
400
300
200
100
0
0.1695
0.1695
0.1696
0.1697
0.1697
0.1697
Time (sec)
0.1698
0.1698
0.1699
0.1699
0.17
60
3.3
61
20
10
0 La
-20
-30
Va(V)en el SMES
IL(A) Corriente
40030
20
200
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
400
1
1.2
Va(V)
Time (sec)
1.4
1.6
1.8
2
-3
x 10
200
-200
-400
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Time (sec)
1.4
1.6
1.8
2
-3
x 10
62
Voltaje
1000
500
-500
Corriente
30
20
10
0
-10
-20
-30
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Time (sec)
1.4
1.6
1.8
2
-3
x 10
3.4
INVERSOR
Para el inversor, se sabe que la red esta a 408 Vrms linea a linea, por lo
que un valor recomendable para el enlace dc sera de 800 Vdc a la entrada
del inversor obteniendo una seal modulante entre 0.8 y 0.9.
63
Con estos datos se calcula el inductor del filtro tal que se obtenga el rizado
del 5% In. La manera de calcular la inductancia es de la misma manera que
se realizo con los otros dos convertidores anteriormente analizados.
64
9.5
8.5
1.232
1.2325
1.233
1.2335
Time (sec)
1.234
1.2345
1.235
65
3.5
Planta
Ref
error
Controlador
Sistema
Seal de Salida
66
Tipo de controlador
requerido
0
Tipo 1
< 90
Tipo 2
> 90
Tipo 3
Tipo 1
Tipo 2
Tipo 3
67
68
69
Bode Diagram
Magnitude (dB)
100
System: Gol
Frequency (rad/sec): 1.31e+004
Magnitude (dB): -0.348
50
-50
Phase (deg)
-100
-90
-120
System: Gol
Frequency (rad/sec): 1.32e+004
Phase (deg): -120
-150
-180
2
10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
1.5
Root Locus
x 10
0.96
0.92
0.86
0.76
0.58
0.35
1
0.984
0.996
Imaginary Axis
0.5
5e+004
0
-0.5
4e+004
3e+004
System: Gol
Gain: 1
Pole: -2.87e+004
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 2.87e+004
2e+004
1e+004
System: Gol
Gain: 1
Pole: -5.46e+003
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 5.46e+003
System: Gol
Gain: 1
Pole: -1.26e+004
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 1.26e+004
0.996
0.984
-1
-1.5
-5
0.92
0.96
-4
0.86
-3
0.76
-2
Real Axis
0.58
-1
0.35
0
1
4
x 10
70
IL(A)
200
100
0
Va(V)
600
400
200
0
-200
-400
Idc(A)
10
0
-10
0
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
0.016
0.018
0.02
T ime (sec)
71
72
Magnitude (dB)
Bode Diagram
System: Gol
Frequency (rad/sec): 6.34e+003
Magnitude (dB): -0.64
0
-50
-100
90
45
Phase (deg)
0
-45
-90
-135
System: Gol
Frequency (rad/sec): 6.34e+003
Phase (deg): -120
-180
-225
-270
2
10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
73
1.5
Root Locus
x 10
0.82
0.7
0.56
0.42
0.28
0.14
1
0.91
System: Gol
Gain: 1.02
Pole: -473 + 6.04e+003i
Damping: 0.0781
Overshoot (%): 78.2
Frequency (rad/sec): 6.06e+003
Imaginary Axis
System: Gol
Gain: 1.02
Pole: -3.53e+004
0.5 0.975
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 3.53e+004
2e+005
1.75e+0051.5e+005
1.25e+005 1e+0057.5e+004 5e+0042.5e+004
0
-0.5 0.975
0.91
System: Gol
Gain: 1.02
Pole: -4.81e+004
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 4.81e+004
System: Gol
Gain: 1.06
Pole: -490 - 6.05e+003i
Damping: 0.0807
Overshoot (%): 77.5
Frequency (rad/sec): 6.07e+003
-1
0.82
-1.5
-20
0.7
-15
0.56
0.42
-10
0.28
-5
Real Axis
0.14
0
5
4
x 10
Figura 3. 20 Trayectoria de las Races de Lazo cerrado del Controlador para el Boost
Aislado
74
Idc(A)
30
20
10
0
-10
IL(A)
60
40
20
0
-20
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
T ime (sec)
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
75
76
Vcn
Vd=Vmax
Vq=0
q
d
Van
Vbn
77
Vd(V), Vq(V)
1000
500
-500
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
Time (sec)
0.012
0.014
0.016
78
V=0
dV
dt
0-2
Figura 3. 24 Generacin del ngulo de fase mediante cruce por ceros (PLL)
79
Vconv
VL=Vconv q
Vgrid=Vconv d
IL=Igrid
80
va
vb
Vdc
vc
ia
ib
ic
R
R
R
L
L
L
Va
Vb
Vc
81
82
Vgrid(V)
400
200
0
-200
-400
Vconv(V)
400
200
0
-200
-400
Igrid(A)
20
0
-20
Idq(A)
20
10
0
-10
1.065
1.07
1.075
Time (sec)
1.08
1.085
83
ref
Gcv
Gci
Gpi
Gpv
salida
84
85
Por lo que
Y Reemplazando en la ecuacin
es igual a
86
Entonces
como
resultado
de
las
operaciones
realizadas
87
Pi
Po
VDC
E= C2 VDC2
88
89
Bode Diagram
200
Magnitude (dB)
150
100
System: Goli
Frequency (rad/sec): 1.23e+004
Magnitude (dB): 0.227
50
0
-50
Phase (deg)
-100
-90
System: Goli
Frequency (rad/sec): 1.23e+004
Phase (deg): -120
-135
-180
-1
10
10
10
10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
90
Bode Diagram
150
Magnitude (dB)
100
System: Golv
Frequency (rad/sec): 600
Magnitude (dB): 0.509
50
0
-50
Phase (deg)
-100
-120
System: Golv
Frequency (rad/sec): 600
Phase (deg): -120
-150
-180
0
10
10
10
10
10
10
Frequency (rad/sec)
1.5
Root Locus
x 10
0.96
0.92
0.86
0.76
0.58
0.35
1
0.984
System: Goli
Gain: 1
0.996Pole: -2.87e+004
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 2.87e+004
5e+004
4e+004
3e+004
0
Imaginary Axis
0.5
-0.5
2e+004
1e+004
System: Goli
Gain: 0.973
Pole: -5.71e+003
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 5.71e+003
System: Goli
Gain: 1
Pole: -1.27e+004
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 1.27e+004
0.996
0.984
-1
-1.5
-5
0.92
0.96
-4
0.86
-3
0.76
-2
Real Axis
0.58
-1
0.35
0
1
4
x 10
91
Root Locus
800
0.955
0.91
0.84
0.74
0.56
0.3
600
0.98
400
0.995
Imaginary Axis
200
2.5e+003
0
2e+003
System: Golv
Gain: 1
Pole: -631
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 631
1.5e+003
1e+003
System: Golv
Gain: 1
-200 Pole: -1.44e+003
0.995
Damping: 1
Overshoot (%): 0
-400 Frequency (rad/sec): 1.44e+003
500
System: Golv
Gain: 1
Pole: -273
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 273
System: Golv
Gain: 1
Pole: -637
Damping: 1
Overshoot (%): 0
Frequency (rad/sec): 637
0.98
-600
0.955
-800
-2500
0.91
-2000
0.84
-1500
0.74
-1000
0.56
-500
0.3
0
500
Real Axis
92
Vgrid(V)
400
200
0
-200
-400
Vconv(V)
500
0
-500
Igrid(A)
20
0
-20
Idq(A)
20
10
0
-10
850
800
750
700
Vdc(V)
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
Time (sec)
0.06
0.07
0.08
0.09
CAPTULO 4
Para efectos de unificar los controladores del proyecto y hacer un solo sistema, se
debe ir acoplando todo poco a poco, por lo que primero se simula el panel
fotovoltaico, el boost aislado, el inversor y la red. Luego se procede a simular el
sistema de almacenamiento SMES con su boost, el inversor y la red. Y por ltimo se
acoplan todos los elementos y se obtiene el sistema completo funcionando.
4.1
94
95
Ipv(A)
60
50
40
30
20
10
0.05
0.1
T ime (sec)
0.15
96
97
Vgrid(V)
400
200
0
-200
-400
Vconv(V)
500
0
-500
Igrid(A)
20
0
-20
Idq(A)
0
-10
-20
Vdc_link(V)
840
820
800
0
0.05
0.1
0.15
Time (sec)
4.2
98
99
IL(A)
300
200
100
0
Va(V)
300
200
100
0
Idc(A)
4
2
0
-2
-4
-6
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
T ime (sec)
0.07
0.08
0.09
0.1
0.11
100
Vgrid(V)
400
200
0
-200
-400
Vconv(V)
500
0
-500
Igrid(A)
5
0
-5
Idq(A)
10
0
-10
Vdc_link(V)
1000
500
0
0.02
0.04
0.06
Time (sec)
0.08
0.1
0.12
101
4.3
102
103
IL(A)
400
200
0
Va(V)
400
200
0
-200
-400
Idc(A)
5
-5
0.02
0.04
0.06
0.08
Time (sec)
0.1
0.12
0.14
0.16
104
Vgrid(V)
400
200
0
-200
-400
Vconv(V)
500
0
-500
Igrid(A)
20
0
-20
-40
Idq(A)
0
-10
-20
-30
Vdc_link(V)
860
840
820
800
780
0
0.05
0.1
0.15
Time (sec)
105
IL(A)
300
200
100
0
Va(V)
600
400
200
0
-200
-400
Idc(A)
10
0
-10
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
Time (sec)
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
106
35
30
25
20
15
10
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
T ime (sec)
Figura 4. 14 Corriente en el PV
En el tercer
107
Vgrid(V)
400
200
0
-200
-400
Vconv(V)
500
0
-500
Igrid(A)
10
0
-10
-20
Idq(A)
5
0
-5
-10
-15
Vdc_link(V)
850
800
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
Time (sec)
Figura 4. 15 Corrientes y Voltajes en el Inversor debido a cambios en el PV y
SMES
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Conclusiones:
Recomendaciones:
ANEXOS
ANEXO A
%%%% datos para el sistema de generacin con paneles %%%%
%%%% fotovoltaicos, conectado a la red y con %%%%%
%%%% almacenamiento SMES.mdl %%%%
clear all
clc
Ron=1e-3; % Switch ON resistance in ohm
Rsnubber=1e6; % Switch enubber resistance in ohm
Vdc=800;
f0=60; % Line frequency in Hz
w0=2*pi*f0; % Line frequency in rad/s
fs=20e3; % Switching freq in Hz
Ts=1/fs; % Switching period in s
Vgrid=408*sqrt(2/3); % Line-to-Neutral grid peak voltage in V
%% PV
% Vi=246; %voltaje del PV
Ii=39.27;
%% BOOST AISLADO
RL1=0.1; % Inductor resistance in ohm
L1=15e-4; % Inductance in H
C1=20e-6; % Capacitance in F
n=2;
wn1=1/sqrt(L1*C1);
Tau1=L1/RL1;
d_0=0.39;
Va_0=Vdc/n;
IL1_0=Ii;
Vi_0=IL1_0*RL1+Va_0*(1-d_0);
Gp1=tf(-(Vdc/n)*wn1^2,[1 1/Tau1 wn1^2]); % Plant Gain
PM1=60; % Phase Margin in degrees
BW1=1000; % Bandwidth in Hz
Gc1=-K_Factor(-Gp1,BW1,PM1) % Controller gain from K-Factor
technique
%% BOOST PARA SMES
L2=25e-4; % Inductance in H
Gp2=tf(-Vdc/L2,[1 0]);
m_0=0;
IL2_0=0;
Gc2=-K_Factor(-Gp2,2000,60);
%% INVERSOR
RL3=0.1; % Inductor resistance in ohm
L3=20e-3; % Inductance in H
C3=300e-6; % Capacitance in F
XL3=w0*L3; % Inductive reactance in ohm
Gpi=-tf(1,[L3 RL3]);
PMi=60; % Phase Margin in degrees
BWi=2000; % Bandwidth in Hz
Gci=-K_Factor(-Gpi,BWi,PMi); % Controller gain from K-Factor
technique
Gpv=tf(3/2*Vgrid,[1 0]);
PMv=60; % Phase Margin in degrees
BWv=100; % Bandwidth in Hz
Gcv=K_Factor(Gpv,BWv,PMv); % Controller gain from K-Factor technique
Iq_ref=0;
Vdc_ref=800;
ANEXO B
% PROGRAMA PARA ENCONTRAR EL CONTROLADOR DE UNA FUNCION DE
% TRANSFERENCIA MEDIANTE EL ANCHO DE BANDA Y EL MARGEN DE FASE
%REALIZADO POR XIAOLIN MAO EN EL 2007 %
function [Gc, PhaseBoost, kfactor] = K_Factor(sys,fc,pm_deg)
%K_FACTOR Designs a controller using the K-Factor approach.
%
GC = K_FACTOR(SYS,FC,PM_DEG) returns the controller for SYS with
a
%
open-loop bandwidth of FC herz and a phase margin of PM degrees.
%
Both GC and SYS are continuous-time transfer functions.
%
%
[GC, PHASEBOOST, KFACTOR] = K_FACTOR(...) also returns the phase
%
boosted and k-factor.
%
%
K-factor approach results in optimum zero, pole locations, for a
given
%
phase margin and cross over frequency. Controller can be
designed
%
accurately for a given phase margin and cross over frequency.
%
%
wc = 2*pi*fc;
[mag_sys, phase_sys] = bode(sys, wc);
PhaseBoost =
if PhaseBoost <= 0,
% Type I controller
Gc = tf(1,[1 0]);
elseif PhaseBoost < 90,
% Type II controller (Integrator and Lead-Lag compensator):
% Gc = K(1+s/wz)/s(1+s/wp)
kfactor
= tan(((PhaseBoost+90)*pi/180)/2);
wz
= wc/kfactor;
wp
= wc*kfactor;
Gc
= tf([1/wz 1], [1/wp 1 0]);
else
% Type III controller: Gc = K(1+s/wz)^2/s(1+s/wp)^2
kfactor
= tan(((PhaseBoost+180)*pi/180)/4);
wz
= wc/kfactor;
wp
= wc*kfactor;
Gc
= tf([1/wz^2 2/wz 1],[1/wp^2 2/wp 1 0]);
end
mag_wc
Gc
=
=
bode(sys*Gc, wc);
Gc/mag_wc;
ANEXO C
% PROGRAMA PARA PODER EDITAR Y COPIAR GRAFICAS DE MATLAB%
%REALIZADO POR XIAOLIN MAO EN EL 2007 %
function ForCopyFigure()
%this function is my modification of a function from matlab website
%show hidden handles so that we can manipulate the objs in the
figure
shh = get(0,'ShowHiddenHandles');
set(0,'ShowHiddenHandles','On')
%show menu bar
set(gcf,'menubar','figure')
%reverse the background and foreground (I found it is necessary to
run it
%twice, don't know why)
whitebg(gcf)
whitebg(gcf)
children=get(gcf,'Children');
set(gcf,'CloseRequestFcn','closereq')
%set(gcf,'DefaultLineClipping','Off')
set(gcf,'PaperPositionMode','auto')
%reset hidden handles
set(0,'ShowHiddenHandles',shh)
ANEXO D
REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
1. Peng, Fang.
Richard.,
IEEE
TRANSACTIONS
ON
POWER