Tema 1 Movimiento y recombinacin de electrones y huecos.

Ideas del captulo 2

Samuel Lpez Ruiz
1. Movimiento trmico.
En ausencia de energa elctrica, los electrones y huecos no estn en reposo.
Por ello existe una energa cintica, de la cual se obtiene la velocidad trmica
para electrones y huecos.
1000 veces ms lento que la velocidad de la luz y 100 veces ms rpido que el
sonido.
Adems no tiene mltiples direcciones debido a las colisiones y reflexiones.
Por tanto no se crea una corriente elctrica constante, sino que establece lo
que se denomina RUIDO TRMICO.
2. Arrastre.
Movimiento de portadores causado por un campo elctrico.
Velocidad de arrastre-> Depende de movilidad y campo elctrico.
Electrones (-) se arrastran en sentido contrario a los huecos (+).
Movilidad ->depende del tiempo de vida medio y de la masa efectiva (electron
o hueco) ->cm^2/(V*s)->Adems depende de T y densidad de portadores (se
reduce la movilidad).
Densidad de corriente ( J)-> Carga Por Segundo.
En tipo P :

Importante:

J p ,arrastre = q p p

(A/cm^2)

J n ,arrastre = q n n
J arrastre = q( n n + p p)
R=*

= q( n n + p p) =

(A/Vcm)

L
S

Hay que tener en cuenta: Densidad de portadores y Temperatura

3. Corriente de Difusin.
Importante en semiconductores.
Ej: Partculas que se mueven hacia zonas con menor densidad.
En SC, la concentracin no es uniforme, por lo que habr una corriente de
difusin. Proporcional al gradiente de la concentracin:

J n , difusin = qDn

dn
dx

Donde Dn es la constante de difusin.

Para saber los signos:

Los electrones se difunden hacia la izquierda, y como tienen carga negativa, el

flujo de corriente ser positivo
Los huecos se difunden hacia la izquierda, y como tienen carga positiva, el
flujo de corriente ser negativo.
Por tanto se tiene dos fuentes que contribuyen a la corriente->
Arrastre y Difusin.

J n = J n ,arrastre + J n , difusin = qn n + qDn

dn
dx

J p = J p ,arrastre + J p ,difusin = qp p qD p

dp
dx

J = J p + Jn

4. Relacin entre el diagrama de energa y V.

Una tensin positiva incrementa la energa potencial de una carga positiva
y disminuye la energa de una carga negativa.
Ec y Ev varan en direccin contraria a V.

E c ( x) = cons tan t qV ( x)

En x=0, V=0.7V, por tanto Ec y Ev son mnimas. Cuando se va avanzando en x, V

disminuye y Ec y Ev aumenta.
Electrones caen como piedras y huecos suben como burbujas.
La pendiente indica el campo Elctrico. Por tanto si existe esta pendiente existe
campo elctrico.

5. Relacin de Einstein

D=

kT

6. Recombinacin.
Concentracin de portadores en equilibrio: n0 y p0
Concentracin de portadores en exceso: n y p
Por la neutralidad de carga: n=p.
Cuando vuelve al equilibrio->Recombinacin.
El tiempo de vida de los portadores, tiempo de recombinacin.
Tiempos pequeos es malo (corriente de fuga) puede ser debido a trampas.
La otra recombinacin es la directa.
En el Silicio es ineficiente por salto indirecto.
7. Generacin
Contrario a recombinacin.
Np=ni^2->tasa de generacin igual a tasa de recombinacin(equilibrio).
Np>ni^2->recombinacin.
Np<ni^2->generacin.