ELEKTRONİK

NDEKLER
NDEKLER
SAYFA
BLM I
1
REZONANS DEVRELER .................................................................................................
I-1
1.1
GR................................................................................................................................... I1
1.1.1
PASF DEVRE
ELEMANLARI........................................................................................... I-1
1.1.2
DRENL AC
DEVRE....................................................................................................... I-1
1.1.3
BOBNL AC
DEVRE......................................................................................................... I-2
KONDANSATRL AC
1.1.4
DEVRE...................................................................................... I-3
1.2
SER (RLC) REZONANS
DEVRES................................................................................... I-5
1.2.1
REZONANS
DURUMU...................................................................................................... I-6
1.2.2
REZONANS ST
ALIMA................................................................................... ...... I-8
1.2.3
REZONANS ALTI
ALIMA............................................................................................ I-9
1.2.4
SER RLC DEVRES BAND
GENL........................................................................... I-11
1.2.5
SER (RLC) REZONANS DEVRES
ZELLKLER......................................................... I-16
1.3
PARALEL REZONANS
DEVRES..................................................................................... I-18
1.3.1
REZONANS
DURUMU...................................................................................................... I-19
1.3.2
REZONANS ST ALIMA
DURUMU........................................................................ I-20
1.3.3
REZONANS ALTI ALIMA
DURUMU.......................................................................... I-21
BLM II
file:///E|/depo/elektronik/elektronik/elektronikNDEKLER.htm (1 / 10) [ 15.01.2009 18:27:04 ]
NDEKLER
2
DALGA
EKLLENDRCLER......................................................................................... II-1
2.1
GR...................................................................................................................................
II-1
2.1.1
RC ZAMAN
SABTES....................................................................................................... II-2
2.1.2
KONDANSATRN ARJ OLMA
HIZI.......................................................................... II-4
2.1.3
RL DEVRES ZAMAN
SABTES ..................................................................................... II-8
2.1.4
ZAMAN SABTELERNN
SINIFLANDIRILMASI ......................................................... II-12
2.1.5
DALGA EKLLENDRME
LEM ................................................................................. II-13
TREV ALICI
2.1.6
DEVRELER ................................................................................................ II-14
2.1.7
NTEGRAL ALICI
DEVRELER ......................................................................................... II-15
BLM III
3
YARI LETKEN
ESASLARI............................................................................................... III-1
3.1
GR ..................................................................................................................................
III-1
3.1.1
LETKEN, YALITKAN VE
YARILETKENLER .............................................................. III-1
3.1.2
SLSYUMUN KRSTAL
YAPISI .............................................................................. ...... III-4
3.1.3
SAF SLSYUMUN LETKENLNN
ARTTIRILMASI ................................................ III-6
3.1.4
N TP YARILETKENN
OLUUMU .............................................................................. III-7
3.1.5
P TP YARILETKENN
OLUUMU ............................................................................... III-8
3.1.6
N TP YARILETKENDE AKIM YN VE ELEKTRON
HAREKET .......................... III-10
3.1.7
P TP YARILETKENDE AKIM YN VE OYUK
NDEKLER
HAREKET .................................... III-11

3.1.8
P-N YZEY BRLEMES VE KRSTAL DYODUN
OLUUMU ................................. III-12
3.1.9
KRSTAL DYODUN DZ KUTUPLANMASI ( DZ
POLARMA ) ............................... III-13
3.1.10 KRSTAL DYODUN TERS KUTUPLANMASI ( TERS
POLARMA ) ............................ III-14
3.2.1
KRSTAL DYODUN
KARAKTERSTKLER ................................................................ III-15
3.2.2
DYOD KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI N GEREKL
DEVRE . III-18
3.2.3
ZENER
DYOD .................................................................................................................. III-21
BLM IV
4
YARILETKEN G
KAYNAKLARI............................................................................... IV-1
4.1
GR ..................................................................................................................................
IV-1
4.1.1
YARILETKEN G KAYNAI
PRENSPLER ............................................................. IV-1
4.1.2
YARIM DALGA
DORULTMA ..................................................................................... IV-3
4.1.3
TAM DALGA
DORULTMA ......................................................................................... IV-7
4.1.4
KPR TP
DORULTMA........................................................................................... IV-10
4.2
FLTRE
DEVRELER ......................................................................................................... IV-11
4.2.1
L TP FLTRE
DEVRES ................................................................................................... IV-11
TP FLTRE
4.2.2
DEVRES ................................................................................................... IV-12
4.3
DYOD
DEVRELER .......................................................................................................... IV-13
4.3.1
GERLM LMTLEYC
DEVRELER .............................................................................. IV-13
4.4
GERLM OALTICI
DEVRELER ................................................................................ IV-15
NDEKLER
4.4.1
GERLM KLEYC
DEVRES ........................................................................................ IV-15
4.4.2
GERLM LEYC
DEVRES ........................................................................................ IV-16
4.4.3
KIRPICI VE KENETLEYC
DEVRELER ......................................................................... IV-17
4.4.3.1 BAST KIRPICI
DEVRELER ............................................................................................. IV-17
4.4.3.2 BAST KENETLEYC
DEVRELER .................................................................................. IV-18
4.5
ZENER DYODLA YAPILAN
REGLATRLER ............................................................ IV-18
BLM V
5
TRANSSTRLER..............................................................................................................
V-1
5.1
GR ..................................................................................................................................
V-1
5.1.1
PNP TP YZEY BRLEMEL
TRANSSTRLER ....................................................... V-1
5.1.2
NPN TP YZEY BRLEMEL
TRANSSTRLER ....................................................... V-5
6
NPN TP TRANSSTRDE BEYZ AKIMIYLA KOLLEKTR AKIMININ
KONTROL EDLMES ......................................................................................................
V-6
6.1
TRANSSTR
SEMBOLLER ........................................................................................... V-7
6.2
TRANSSTR
BAYASLAMALARI .................................................................................. V-7
6.2.1
PNP TP TRANSSTRN DZ
BAYASLANMASI ..................................................... V-8
6.2.2
PNP TP TRANSSTRN TERS
BAYASLANMASI .................................................... V-9
6.2.3
NPN TP TRANSSTRN DZ
BAYASLANMASI .................................................... V-10
6.2.4
NPN TP TRANSSTRN TERS
BAYASLANMASI ................................................... V-11
NDEKLER
BLM VI
TRANSSTRL
7
YKSELTELER................................................................................. VI-1
7.1
GR ..................................................................................................................................
VI-1
7.1.1
TRANSSTRL
YKSELTELER ................................................................................ VI-2
7.1.2
TRANSSTRN I.BLGE KARAKTERSTK ERSNN
IKARILMASI ............... VI-2
7.1.3
TRANSSTRN II.BLGE KARAKTERSTK ERSNN
IKARILMASI .............. VI-4
7.1.4
TRANSSTRN III.BLGE KARAKTERSTK ERSNN
IKARILMASI ............. VI-5
TRANSSTRN IV.BLGE KARAKTERSTK ERSNN
7.1.5
IKARILMASI ............ VI-6
7.2
I.BLGE KARAKTERSTK ERLER ZERNDEN TRANSSTRN
IKI EMPEDAMSI, AKIM KAZANCININ BULUNMASI VE YK
DORUSUNUN ZLMES ............................................................................................
VI-6
TRANSSTRN IKI EMPEDANSININ
7.2.1
BULUNMASI ............................................ VI-7
TRANSSTRN ( ) AKIM KAZANCININ
7.2.2
BULUNMASI ......................................... VI-8
7.2.3
YK DORUSUNUN
ZLMES ................................................................................... VI-9
6.3
TRANSSTRL YKSELTELERN ALIMA
SINIFLARI ...................................... VI-10
6.3.1
A SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN
NCELENMES ...................... VI-11
6.3.2
AB SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN
NCELENMES .................... VI-13
6.3.3
B SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN
NCELENMES ...................... VI-15
6.3.4
C SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN
NCELENMES ...................... VI-16
6.4
TRANSSTRL YKSELTELERN BALANTI
............. EKLLERNE GRE
ANALZ ....................................................................................... VI-18
NDEKLER
6.4.1
EMTER MTEREK DEVRE
ANALZ ......................................................................... VI-19
6.4.2
BEYZ MTEREK DEVRE
ANALZ ............................................................................. VI-25
6.5
G YKSELTELERNE
GR .................................................................................... VI-31
6.6
DENGEL G
YKSELTEC ......................................................................................... VI-31
6.7
FAZ
BLCLER ............................................................................................................. VI-33
6.8
TMLER SMETR G
YKSELTEC .......................................................................... VI-34
6.9
BEYZ ORTAK KARIIK BALI
YKSELTELER ...................................................... VI-35
AMPLFKATRLERDE KUPLAJ
6.10
METODLARI ............................................................ VI-37
6.10.1 TRANSFORMATR
KUPLAJI ......................................................................................... VI-37
6.10.2 RC
KUPLAJI ...................................................................................................................... VI-39
6.10.3 DREKT
KUPLAJ .............................................................................................................. VI-40
6.10.4 EMPEDANS
KUPLAJI ...................................................................................................... VI-41
BLM VII
7
ZEL YARI
LETKENLER................................................................................................. VII-1
7.1
GR ..................................................................................................................................
VII-1
7.1.1
ALAN ETKL
TRANSSTRLER ................................................................................................................ VII-1
7.1.2
JFETN
ALIMASI ........................................................................................................ VII-2
7.1.3
JFET
PARAMETRELER ................................................................................................... VII-4
7.1.4
MOSFETLER ....................................................................................................................
NDEKLER
VII-6
7.1.5
MOSFETN
ALIMASI ................................................................................................. VII-7
7.1.6
MOSFETN
KARAKTERSTKLER ............................................................................... VII-9
7.1.7
JFETLE YAPILAN YKSELTE
DEVRE ....................................................................... VII-11
7.1.8
MOSFETLE YAPILAN YKSELTE
DEVRE ................................................................ VII-12
7.1.9
UNI JUNKTION TRANSSTRN ALIMA
PRENSB ............................................. VII-12
7.1.10 UJT LE YAPILAN RELAKSASYON ( RELAXTION )
OSLATR ............................ VII-15
7.1.11 SLKON KONTROLL
DORULTMA ....................................................................... VII-15
7.1.12 TRANSSTRLE YAPILAN GERLM KONTROL
DEVRES ........................................ VII-17
7.1.13 TRYAK VE
UYGULAMALARI ....................................................................................... VII-18
BLM VIII
8
ZEL TP
YKSELTELER.............................................................................................. VIII-1
8.1
DAR BAND
YKSELTEC ............................................................................................... VIII-1
8.2
GEN BAND
YKSELTELER ..................................................................................... VIII-2
8.2.1
KARE DALGA
KARAKTERST .................................................................................. VIII-3
8.3
GEN BAND YKSELTECNN ALIMA
PRENSB ................................................ VIII-4
8.4
DFERANSYEL
YKSELTELER .................................................................................. VIII-5
8.5
LEMSEL YKSELTELERE
GR .............................................................................. VIII-6
8.6
LEMSEL
YKSELTELER ........................................................................................... VIII-6
8.7
OP-AMPIN KULLANILDII
YERLER ........................................................................... VIII-9
NDEKLER
8.7.1
OP-AMPIN FAZ EVREN YKSELTE OLARAK
KULLANILMASI ...................... VIII-9
8.7.2
OP-AMPIN FAZ EVRMEYEN YKSELTE OLARAK
KULLANILMASI .............. VIII-10
8.7.3
OP-AMPIN GERLM ZLEYC OLARAK
KULLANILMASI ...................................... VIII-12
8.7.4
OP-AMPIN TOPLAR YKSELTE OLARAK
KULLANILMASI ................................ VIII-13
8.7.5
OP-AMPIN FARK YKSELTEC OLARAK
KULLANILMASI ................................... VIII-15
8.7.6
OP-AMPIN KARILATIRICI OLARAK
KULLANILMASI ........................................ VIII-19
8.7.7
OP-AMPIN NTEGRAL ALICI DEVRE OLARAK
KULLANILMASI ........................... VIII-21
OP-AMPIN TREV ALICI DEVRE OLARAK
8.7.8
KULLANILMASI ................................. VIII-23
8.7.9
OPAMPIN LOGARTMK YKSELTE OLARAK
KULLANILMASI ......................... VIII-25
8.7.10 OP-AMPIN YARIM DALGA DORULTMA OLARAK
KULLANILMASI ............... VIII-27
8.7.11 OP-AMPIN TAM DALGA DORULTMA OLARAK
KULLANILMASI .................... VIII-29
8.7.12 OP-AMPIN GERLM KONTROLL OSLATR OLARAK
KULLANILMASI .......... VIII-30
8.7.13 OP-AMPIN ALAK GEREN FLTRE OLARAK
KULLANILMASI .......................... VIII-31
8.7.14 OP-AMPIN YKSEK GEREN FLTRE OLARAK
KULLANILMASI ....................... VIII-33
8.7.15 OP-AMPIN BAND GEREN FLTRE OLARAK
KULLANILMASI ............................ VIII-35
8.8
OP-AMP
PARAMETRELER ............................................................................................ VIII-37
BLM IX
9
DALGA MEYDANA GETRME
USULLER...................................................................... IX-1
9.1
DALGA MEYDANA GETRME USULLERNE
GR ..................................................... IX-1
9.2
DALGA RETELERNN
NDEKLER
SINIFLANDIRILMASI ......................................................... IX-1

9.3
OSLASYON N GEREKL
ARTLAR ......................................................................... IX-2
9.4
SNSODAL DALGA
RETELER .............................................................................. IX-3
9.5
KRSTALLER .....................................................................................................................
IX-4
9.5.1
KRSTALN YAPISI VE
ALIMASI .............................................................................. IX-4
9.6
KARE DALGA RETELER VE DEVRE
ETLER .................................................... IX-5
9.6.1
KARARSIZ ( ASTABLE )
MULTVBRATOR .................................................................. IX-5
TEK KARARLI ( MONOSTABLE )
9.6.2
MULTVBRATOR .................................................. IX-7
9.6.3
FT KARARLI ( BISTABLE )
MULTVBRATOR ......................................................... IX-8
BLM X
10
OSLATRLER...................................................................................................................
X-1
10.1
OSLATRE
GR ........................................................................................................... X-1
10.2
OSLATR
ETLER ..................................................................................................... X-4
10.2.1 TRANSSTRL FAZ KAYMALI R-C
OSLATR ................................................... X-4
10.2.2 OP-AMPLI FAZ KAYMALI R-C
OSLATR ............................................................ X-5
10.2.3 ARMSTRONG
OSLATR ............................................................................................... X-7
10.2.4 SER BESLEMEL HARTLEY
OSLATR .................................................................... X-8
10.2.5 PARALEL BESLEMEL HARTLEY
OSLATR ............................................................ X-9
10.2.6 TRANSSTRL COLPITS
OSLATR ....................................................................... X-10
NDEKLER
10.2.7 OP-AMPLI COLPITS

OSLATR ................................................................................ X-12
10.2.8 VOLTAJ KONTROLL
OSLATR ................................................................................ X-13
10.2.9 KRSTAL KONTROLL
OSLATRLER ....................................................................... X-14
10.2.10 TRANSSTRL TESTERE D
JENERATR ............................................................ X-16
BLM I
REZONANS DEVRELER
1.1 GR
Rezonans, bobin ve kondansatr kullanlan AC elektrik ve elektronik devrelerinde oluan zel bir
durumdur. Herhangi bir AC devrede bobinin Endktif Reaktans ile kondansatrn Kapasitif
Reaktans nn eit olmas halinde, devre rezonansa gelir. Bilindii gibi, bobin ve kondansatrn
alternatif akma gsterdii zorlua reaktans denir. Rezonans, ilerideki blmlerde geniletilerek
incelenecektir. Rezonans devreleri, seri ve paralel olmak zere iki blmden oluur.
Rezonans devreleri, radarlarn verici (Transmitter) ve alclarnn (Receiver) alma frekanslarn
kontrol etmede ve radyo alclarnda istenilen istasyon frekanslarnn ayarlanmasnda (Tuning)
kullanlr.
1.1.1
PASF DEVRE ELEMANLARI
Rezonans devrelerini incelemeden nce pasif devre elemanlarnn alternatif akma kar gsterdikleri tepkilerin tek tek incelenmesi, konunun daha iyi anlalabilmesi iin faydal olacaktr. Bilindii
gibi pasif devre elemanlar diren ( R ), bobin ( L ) ve kondansatrdr ( C ).
1.1.2 DRENL AC DEVRE
ekil 1.1de direnli AC devre grlmektedir. Devrede AC
kaynaa sadece diren balanmtr. Bilindii gibi direncin akm
veya gerilim depolama zellii yoktur. Diren, devreden geen
akma sadece omik bir zorluk gsterir. Bu nedenle diren zerinde
den gerilimle, kaynak gerilimi arasnda herhangi bir faz, frekans
ve gerilim fark olumaz. Ayn zamanda gerilimle akm arasnda da
ekil 1.1 Direnli AC Devresi
faz fark meydana gelmez. Buna gre devreden geen akm u

ekilde hesaplanr:
I=
EmSint
R
veya I =
E
R
E,UR
t
IR
E,UR
IR
ekil 1.3 Direnli AC devresi fazr

(vektr)diyagram
ekil 1.2de devreye ait sinyal grafii verilmitir.

Bu grafik incelendiinde; kaynak gerilimi ( E ) ile
ekil 1.2 Direnli AC devresi sinyal
grafii.
diren zerinde den gerilim ( UR ) ve direnten

geen akmn ( IR ) ayn fazda olduu grlr.
ekil 1.3teki fazr diyagramndan da bu durum
gzlenebilir. Sonu olarak diren, alternatif akma
kar deeri orannda omik bir zorluk gsterir. Gerilim veya akm depolama zellii olmadndan,
devrede herhangi bir faz fark olumaz.
1.1.3 BOBNL AC DEVRE
ekil 1.4te bobinli AC devre grlmektedir. Devrede
saf endktansl bir bobin AC kaynaa balanmtr. Saf
bobin, omik direnci 0 olan endktans anlamna gelir.
Gerekte her bobin, bir iletkenden yapld iin iletkenin
uzunluuyla deien bir dirence sahiptir. Devredeki bobin
ideal kabul edilmitir. Bobin, zerinden geen alternatif
akma
ekil 1.4 Bobinli AC Devresi
kar
zorluk
gsterme
zelliine
sahiptir.
Hatrlanaca gibi bobinin alternatif akma kar gsterdii

zorlua endktif reaktans ( XL ) demitik. Bobinden geen
alternatif akm, bobinde bir manyetik alan oluturur. Bu
alan kendini oluturan akma gre 180 zt ynde bir EMK indkler( Lens Kanunu ). Bu nedenle
bobin zerinde den gerilimle devreden geen akm arasnda belirli bir faz fark meydana gelir. Bobin
zerinden geen akm gerilimden 90 geri kalr. Baka bir deyile endktif devrede gerilim, akmdan
90 ileridedir.
2
Bu durum ekil 1.5 teki sinyal grafiinde ve ekil 1.6daki fazr diyagramnda gsterilmitir. ekiller
dikkatle incelendiinde bobine uygulanan gerilimle ( E ) bobin zerinde den gerilimin (UL) ayn
E,Ul
E,UL
90 180 270 360
IL
IL
ekil 1.6 Bobinli AC devresi vektrel

diyagram
90 180 270 360
ekil 1.5 Bobinli AC devresi sinyal grafikleri

fazda olduu, bobinden geen akmn ( IL ) gerilimden 90 geri olduu grlr.
Buna gre devreden geen akm;
I= ( Em Sin t ) / XL
ya da
I=UL / XL
formlleriyle hesaplanr. Burada dikkat edilmesi gereken husus; bobinin alternatif akma kar
gsterdii endktif reaktansn, bobin deeri ve uygulanan AC gerilimin frekans ile doru orantl
olarak deieceidir.
XL = L
XL= 2..f.L
ya da
formlleri analiz edildiinde endktif reaktans ( XL ) etkileyen faktrlerin endktans deeri ( L ) ile
AC kaynak geriliminin frekans olduu grlecektir. Bobinin endktans deeri ve / veya frekans
arttka XL artacak, aksi durumda ise XL azalacaktr.
1.1.4 KONDANSATRL AC DEVRE
ekil 1.7de kondansatrl AC devre grlmektedir.
Bilindii gibi kondansatr ierisinden doru akm gemez.
Doru akmn zamana gre yn deimediinden,
kondansatr tek ynl olarak DC gerilime arj olup DC
gerilimi depolar. Bu nedenle belirli bir sre ierisinde arj
olan kondansatrden DC akm geii engellenir.
ekil 1.7 Kondansatrl AC Devre
Buna karn, alternatif akm zamana gre yn deitirdiinden, kondansatr belirli bir ynde arj
olmaya alr. Ancak alternans deitiinde depolad gerilimi kaynak zerinden dearj etmek
zorunda kalr.
E,UC
IC
90 180 270 360
E,UC
IC
ekil 1.9 Kondansatrl AC devresi

vektrel diyagram
90 180 270 360
ekil 1.8 Kondansatrl AC devresi vektrel

sinyal grafikleri
Bu nedenle belirli bir ynde gerilim depolamas kaynak tarafndan nlenir, kondansatr zerinde
den gerilimle, geen akm arasnda faz fark oluur. Kapasitif bir devrede akm, gerilimden 90o
ileridedir.
Kondansatr, alternatif akma kar kapasitif reaktans orannda zorluk gsterir. Kapasitif reaktans
etkileyen faktrler; kondansatre uygulanan AC gerilimin frekans deeri ve kondansatrn deeridir.
Bu da doal olarak devreden geen akm etkileyecektir. Buna gre devreden geen akm;
I = (Em Sin t ) / XC
ya da
I=UC / XC
formlleriyle hesaplanr. Burada dikkat edilmesi gereken husus; kondansatrn alternatif akma kar
gsterdii kapasitif reaktansn, kondansatr deeri ve uygulanan AC gerilimin frekans ile ters orantl
olarak deieceidir.
XC=1 / ( C )
ya da
XC=1 / ( 2..f.C )
formlleri analiz edildiinde, kapasitif reaktans ( XC ) etkileyen faktrlerin kondansatr deeri ( C )

ile AC kaynak geriliminin frekans olduu grlecektir. Kondansatrn deeri ve/veya frekans arttka
XC azalacak, aksi durumda ise XC artacaktr. Yani kapasitif reaktans kondansatr deerine ve frekansa
gre deimektedir.
Buraya kadar incelenen blmde elektrik ve elektronikte pasif devre elemanlar olarak tanmlanan
diren, bobin ( endktans ) ve kondansatrn alternatif akmda ayr ayr nasl altklar
aklanmtr. Bundan sonraki blmlerde bahsi geen bu elemann bir arada bulunduu eitli
devre ekilleri incelenecektir. lk olarak seri ( RLC ) rezonans devresi ele alnacaktr.
4
1.2 SER ( RLC ) REZONANS DEVRES
UR
UL
UC
ekil 1.10 Seri RLC rezonans devresi
ekil 1.10da Seri RLC devresi grlmektedir. ekil 1.10daki devreye eer DC gerilim
verilseydi; belli bir zaman sabitesi sresinden sonra, kondansatr DC ye ak devre zellii
gstereceinden devreden akm gemeyecekti. UC=Kaynak Gerilimi olacakt. Ancak devreye AC
gerilim uygulandndan devreden geen akm; dirence, bobinin endktif reaktansna ve
kondansatrn kapasitif reaktansna gre deiecektir. Buradaki diren ve reaktanslarn vektrel
toplam devrenin empedans n verir. Hatrlanaca gibi empedans; bir AC devrede saf diren ve
reaktanslarn gsterdii toplam zorlua denir.
Devrenin AC analizi yaplrken devrede kullanlan elemanlarn bir nceki konuda anlatlan
zellikleri unutulmamaldr. Bilindii gibi kondansatr ve bobin kullanlan AC devrelerde, bu
elemanlarn gerilim / akm depolama zelliklerinden dolay akmla gerilim arasnda faz fark
olumaktadr. Bu husus dikkate alnarak, seri devredeki gerilim dmleri aadaki gibi yazlr:
r r
r
r
E = U L +UC +U R
Gerilim dmlerinin vektrel olarak toplanmasnn nedeni, bobin ve kondansatrde oluan akm ve
gerilim arasndaki faz farkdr. Yani UC ile UL ayn fazda deildir. Dolaysyla aritmetiksel toplama
yaplamaz. Aralarnda faz fark olduundan toplam devre, gerilimi vektrel olarak bulunur. Buna gre
gerilimler aadaki ekilde yazlr:
UR = I R
UL= I XL
UC= I XC
Seri RLC devresinin eit alma ekli vardr:

1. Rezonans durumu ( XL=XC )
2. Rezonans st alma durumu ( XL > XC )
3. Rezonans alt alma durumu ( XC > XL )
1.2.1 REZONANS DURUMU ( XL=XC )
imdi, yukardaki aklamalarn altnda devrenin rezonans durumunu inceleyelim. Bilindii
gibi rezonans annda, endktif reaktans ile kapasitif reaktans birbirine eit oluyordu. Yani baka bir
deyile devrenin rezonansa gelebilmesi iin XL = XC olmaldr. Bu art salandnda devre rezonansa
gelir. XL = XC olduunda bobin zerinde den gerilim ile kondansatr zerinde den gerilim birbirine
eit olur. Ancak UL ve UC arasnda 180o faz fark olduundan, bu iki gerilim birbirini yok eder. Bu
durumda devre direnci Rye, devre gerilimi URye eit olur. Yani devre rezistif alr. Ayn zamanda
devre empedans, minimum; devreden geen akm, maksimum olur. Seri devreden geen akmn en
yksek seviyeye ulamas, seri rezonans devresinin nemli zelliklerindendir. zetlenecek olursa; seri
rezonans devresinde empedans ve gerilim minimum, buna karn akm maksimumdur. Devre
rezistiftir.
Buraya kadar anlatlan blmde rezonans anndaki gerilim, akm ve empedans ilikisi incelenmitir.
Rezonans frekansnn bulunmas ise aadaki gibi yaplr:
Rezonans annda;
XL=XC
L=
1
olur.
C
2..F.L =
1
2..F.L 2..F.C =1
2..F .C
F 2 .4 2 .L.C = 1 olur. F ekilirse;

F 2=
1
4. 2 .L.C
Her iki tarafn karekk alndnda
F2 =
4. 2 .L.C
F=
1
2 L.C
sonucu elde edilir.
Bu forml, sadece rezonans annda geerlidir. Rezonans frekans FO eklinde gsterilir.
F0 =
1
2 L.C
6
ekil 1.11 deki fazr diyagram dikkatle incelendiinde seri devrede tek akmn dolamas ve XL
nin XC ye eit olmas nedeniyle UL ve UC nin birbirine 180o zt ynl ve eit genlikte olduu grlr.
Dolaysyla UL ile UC birbirini yok edecektir. Bu nedenle devre gerilimi UR ye eit olacaktr. Ayn
zamanda devrenin toplam empedans, devredeki dirence eit olur. ( Z = R ) Devreden geen akm ise
en yksek deere ular.
UL
XL
UR
R=Z
UC
XC
ekil 1.11 Seri rezonans devresi

fazr ( gerilim-akm ) diyagram
ekil 1.12 Seri rezonans devresi fazr

( empedans) diyagram
zet olarak;seri RLC devresinin rezonansa gelme durumunda aadaki sonulara varlr:
1. Devre rezistiftir,
2. XL = XC ve UL = UC dir,
3. Devrenin empedans Z = R dir,
4. Devreden geen akm maksimumdur. (I = U / R)
Buraya kadar ilenen blmde seri RLC devresinin rezonanstaki alma ekli incelenmitir. Ancak
bu durumun dnda devrenin iki alma ekli daha vardr. Rezonans frekans zerine kldnda ve
rezonans frekans altna inildiinde devrenin alma ekli deiir. lk olarak rezonans st alma
ekli incelenecektir.
1.2.2 REZONANS ST ALIMA ( XL > XC DURUMU )
Seri RLC devresine rezonans frekans zerinde bir frekans uygulandnda endktif reaktans ( XL )
frekansla doru orantl olarak artacak; frekansla ters orantl olarak kapasitif reaktans ( XC ) alacaktr.
UL
XL
UL-UC
XL-XC
UC
UR
ekil 1.13 Rezonans st alma

( gerilim-akm ) fazr diyagram
XL = 2.F.L
XC
ekil 1.14 Rezonans st alma
( empedans ) fazr diyagram
XC =
1
2..F .C
Yukardaki formller incelendiinde F arttka XL nin artaca,. XC nin ise azalaca

grlecektir. Rezonans st almada XL nin artmasndan dolay devre endktif etki kazanm
olacaktr. Baka bir deyile XL > XC durumunda devre endktif olur. Bu duruma ilikin vektrel
diyagramlar aada verilmitir.
ekil 1.13te seri RLC devresi gerilim-akm ilikileri, ekil 1.14te ise seri RLC devresi direnreaktans-empedans ilikileri verilmitir. Burada U, devrenin toplam vektrel gerilimini; Z ise devrenin
toplam empedansn gstermektedir. Fazr diyagramlar incelendiinde gerilim ve empedans
denklemleri aadaki gibi yazlr:
ekil 1.13teki gerilim genine Pisagor teoremi uygulandnda ;
U2 = UR2 + ( UL UC )2 olur. Buradan U =
U R + (U L U C ) 2 olur.
ekil 1.13 teki fazr diyagram incelendiinde U geriliminin yatay eksenle bir a yapt grlr.
Bu aya devrenin faz as denir ve ile gsterilir. Faz as aadaki ekilde ifade edilir. Bilindii
gibi Pisagor teoremine gre; bir dik gende kar dik kenarn komu dik kenara oran ann tangant
deerini verir. Buna gre faz as ;
Tg =
U L UC
formlyle bulunur.
UR
Ayn teoremi ekil 1.14teki empedans genine uygularsak;

seri devrede U = I.Z
UL = I.XL
ve UC = I.XC olduuna gre U2 = UR2 + ( UL2 UC2 ) formlnde
bu ifadeler yerine konup I sadeletirilirse;

Z2 = R2 + ( XL - XC )2 ifadesi elde edilir. Buradan;
2
Z=
R + ( X L X C ) 2 olur. Buna gre devrenin faz as;
Tg =
XL XC
olur.
R
zet olarak, seri RLC devresinin rezonans st almasnda aadaki sonulara varlr.
1. Devre endktiftir,
2. XL, XCden byktr,
3. UL, UCden byktr.
4. Devre akm Z ye bamldr. I = U / Z
1.2.3 REZONANS ALTI ALIMA ( XC > XL DURUMU )
Seri RLC devresine rezonans frekans altnda bir frekans uygulandnda frekansla doru orantl
olarak endktif reaktans ( XL ) azalacak; frekansla ters orantl olarak kapasitif reaktans ( XC )
artacaktr. Kapasitif ve endktif reaktans formlleri incelendiinde; F azaldka XL nin azalaca,
XCnin ise artaca grlecektir. Rezonans alt almada XC nin artmasndan dolay devre kapasitif
UC
XC
U
UC-UL
XC - XL
UR
UL
ekil 1.15 Rezonans alt alma
( gerilim-akm ) fazr diyagram
XL
ekil 1.16 Rezonans alt alma
( empedans ) fazr diyagram
etki kazanm olacaktr. Baka bir deyile XC > XL durumunda devre kapasitif olur. Rezonans alt
alma gerilim-akm fazr diyagram ekil 1.15te, empedans fazr diyagram ekil 1.16da
verilmitir.
Buna gre rezonans alt almada gerilim denklemi ve faz as aadaki gibi bulunur.
ekil 1.15teki gerilim genine Pisagor teoremi uygulandnda ;
U2 = UR2 + ( UC2 UL2 ) olur. Buradan U =
U R + (U C UL) 2 olur.
UC UL
eklinde olur.
UR
Ayn ekilde ekil 1.16 daki empedans genine Pisagor teoremi uygulandnda ;
Tg =
Z2 = R2 + ( XC XL )2 ifadesi elde edilir. Buradan Z =
Buna gre devrenin faz as; Tg =
R + ( X C X L ) 2 olur.
XC XL
olur.
R
zet olarak, seri RLC devresinin rezonans alt almasnda aadaki sonulara varlr.
1. Devre kapasitiftir,
2. XC XLden byktr,
3. UC ULden byktr,
4. Devre akm Z ye bamldr. ( I = U / Z )
imdiye kadar grdmz rezonans, rezonans st ve rezonans alt alma ekillerini bir arada
inceleyelim:
ekil 1.17 deki grafikte seri RLC devresinin frekans deiimine gre verdii reaktif ve rezistif
cevaplar grlmektedir.
Reaktans
XL,XC
XC
XL
Z=R
F0
( F ) Frekans
ekil 1.17 Seri RLC devresi frekans cevap grafii
ekil 1.17 incelendiinde, frekans arttka XCnin ssel olarak azald, XLnin ise dorusal olarak
art grlmektedir.
10
Rezonans frekans altna inildike XCnin byyp XLnin azald, yani devrenin kapasitif olduu;
rezonans frekans stne kldka XLnin byyp XCnin kld, yani devrenin endktif olduu
grlmektedir. Rezonans frekansnda ( F0 ) ise XL = XC olduu ve devre empedansnn Rye eit
olduu grlmektedir. Bu durumda devre rezistiftir. Devreden geen akm en yksek seviyeye ular.
1.2.4 SER RLC DEVRES BANT GENL
Imax
0.707
E
R
BW
F1
F0
F2
Frekans
ekil 1.18 Seri rezonans devresi band genilii
Buraya kadar anlatlan blmde seri RLC devresinden, rezonans annda geen akmn maksimum,
gerilim ile empedansn minimum olduunu renmitik. ekil 1.18de seri RLC devresinin akmgerilim-empedans ilikisini veren grafik grlmektedir. Bu grafikte akmn maksimum olduu nokta
esas alnarak akm erisinin 0.707sine karlk gelen noktalar bulunur.
Bu noktalara yarm g noktalar denir. Bu noktalardan frekans eksenine dikey olarak inildiinde
F1 ve F2 gibi iki frekans bulunur.
Rezonans frekans F0 bu noktalarn tam ortasnda kalr. F1 ile F2 arasnda kalan blge devrenin bant
geniliini ( BW ) verir. Yani seri RLC devresinden etkin olarak geen akmn geerli olduu frekans
band bulunur.
BW
ngilizcede Band Widthn ksaltmas olup bant genilii anlamna gelmektedir. Bant
genilii, bir seri veya paralel rezonans devresinin etkin olarak kullanlabilecei frekans snrn
belirlemekte kullanlr. Bant genilii matematiksel olarak
eitliin yars alndnda rezonans frekans bulunur.
F0 =
BW F2 F1
=
2
2
ya da BW =
F0
olur.
Q
11
BW = F2 F1 eklinde ifade edilir. Bu
Bant genilii snr devrede kullanlan bobin ve kondansatrn deeri ile orantl olarak deimektedir. Erinin sivri ya da daha yayvan olmas, bobinin i direncine baldr. Bilindii gibi her bobin bir
iletkenden sarlmak suretiyle retilir. Bir iletkenin i direnci ne kadar dk olursa, bobinin kalitesi o
kadar yksek olur. Bir bobinin kalite katsays Q ile gsterilir. Buna seicilik katsays da denir. Q
katsays bobinin sarld iletken cinsine , kalitesine ve sarm ekline gre deimektedir. Q
katsaysnn hesaplanmas sadece rezonans annda geerli olmaktadr. Bu nedenle BW ve Q
hesaplamalarnda yalnzca rezonans frekans kullanlmaldr. Matematiksel olarak Q katsays, bobinin

endktif reaktansnn ( ayn zamanda rezonans annda XL = XC olduundan kapasitif reaktans da
yazlabilir ), omik direncine oran eklinde ifade edilir.
Q=
XL
R
Buradan u sonucu karabiliriz: Herhangi bir rezonans devresinde kullanlan bobinin Q katsays
ne kadar yksek olursa rezonans erisi o oranda sivrilir. Buna bal olarak bant genilii azalr. Buna
karn seicilik ve kazan o oranda artar. Seicilik, allan frekans bandnn, en yksek deerde ve
etkin olarak kullanlabilmesi anlamna gelir. Yani seiciliin arttrlmas bant geniliinin dar olmasna
baldr. Bu da kullanlan bobinin Q katsaysnn yksek olmasn gerektirir. Dier bir deyile bobinin
endktif reaktansnn yksek; i direncinin dk olmas anlamna gelir. Eer kullanlan rezonans
devresinde bant geniliinin yksek olmas isteniyorsa, o zaman dk Q katsayl bobin
kullanlmaldr. Bu durumda seicilik ve kazan azalacak; ancak allan frekans snr
genileyecektir. Bobinin Q katsaysnn; sarm ekline, iletken cinsi ve kalitesine bal olduunu
sylemitik. Bu durum bobinin sarm aamasnda sk kuplaj, gevek kuplaj, normal kuplaj ekilleriyle
belirlenir. Sk kuplajda yksek Q, dk diren; gevek kuplajda alak Q, yksek diren; normal
kuplajda orta Q, orta diren oluur.
I ( Akm )
R1 Alak Diren
( Yksek Q )
BW1
R2 Orta Diren
( Orta Q )
BW2
R3 Yksek Diren
( Alak Q )
E / R2
BW3
E / R1
E / R3
F0 ( Rezonans frekans )
ekil 1.19 Rezonans devresi Band genilii Q katsays ilikisi
12
F ( Frekans )
Geni band veya dar band seimi, rezonans devrelerinin kullanm yerlerine gre yaplr. rnein;
bir radyo alcsnda kullanlan rezonans devresi geni bant , bir radyo vericisinde kullanlan frekans
belirleyici rezonans devresinde ise dar bant kullanlr. Bant geniliinin kullanlan bobinin Q
katsaysna gre deiim grafii ekil 1.19 da verilmitir.
e = Em Sin 314 t olan kaynaa, i direnci 5 olan 10 mH deerindeki bobinle 0.5 mF lk bir
kondansatr seri balanmtr. Devreden 3A akm gemektedir. Buna gre XL, XC, Z, UL, UR, UC, E,
ve Tg y bularak devrenin fazr diyagramn iziniz. Devrenin rezonans durumunu inceleyiniz.
ZM: zme balamadan nce devre eklinin izilmesi problemin zmnde kolaylk
salayacaktr.
UR
R=5
UL
UC
L=10 mH C=0.5mF
I=3A
e = Em Sin314 t
Devre elemanlarnn deerleri ve bilindiine gre ilk olarak reaktanslar bulunmaldr.

= 2..F = 314 buradan F = 50 Hz tir. XC =
1
1
=
= 6,36 bulunur.
.C 314 10 0.5 3
XL = .L = 314 10.10-3 = 3.14 bulunur.
Bu aamada dikkat edilirse, XC > XL durumu olumutur. Yani devre kapasitiftir ve rezonans frekans
altnda almaktadr. Reaktans ve diren deerleri bilindiine gre empedans bulunabilir.
Z=
R 2 + ( XC XL) 2 =
Devrenin faz as Tg =
5 2 + (6.36 3.14) 2 = 5,94
X C X L 6,36 3,14
=
= 0.644
R
5
Tg = 0.644 olduuna gre = 32,7o ( Bu a deeri trigonometrik cetvelden ya da
trigonometrik fonksiyonlu bir hesap makinesi yardmyla bulunabilir.)
13
Gerilim dmleri aadaki gibi bulunur.

UR = I R = 3 5 = 15 V.
UL = I XL = 3 3,14 = 9,42 V.
UC = I XC = 3 6,36 = 19,08 V.
XL =3.14
R = 5
UL= 9.42 V
=32.7o
XC-XL= 3.22
UR = 15V
=32.7o
UC - UL =9.66
Z = 6,25
XC= 6.36
U=17.82 V.
UC= 19.09 V
Devreye uygulanan gerilim U = I Z = 3 5,94 = 17,82 V. ya da

2
UR = U R + (U C U L ) 2 = UR = 15 2 + (19.08 9.42) 2 = 17,82 V.
Devrenin rezonans altnda alt rnek ierisinde belirtilmiti. Devrenin rezonansa gelebilmesi
iin XL = XC olmas gerekmektedir. Bu artn salanabilmesi iin devrenin rezonans frekans
bulunmas gerekmektedir. Rezonans frekans aadaki gibi bulunur.
F0 =
1
2 L.C
1
6.28 0.5 10 3.10 10 3
= 225.19 Hz.
Demek ki bu devrenin rezonansa gelebilmesi iin devreye 50 Hz yerine 225.19 Hz uygulamak

gerekmektedir. Yorumlanmas gereken dier bir konu da gerilim dmleridir. Gerilim dmlerine
dikkatle baklacak olursa aritmetik olarak toplandklar zaman kan deer 44,4 V. olacaktr.
Ancak gerek kaynak deeri 17,82 V olarak bulunmutu. Aradaki bu eliki gerilimler arasnda faz
fark olmasndan kaynaklanmaktadr. Toplam gerilimin vektrel olarak bulunmas gerekmektedir.
UR
UL
UC
R=1K L=5 mH C=10nF

I
e = 14.1 Sin t
14
Yanda emas verilen

devrenin bant
geniliini bulunuz.
ZM:
Devre elemanlarnn deerleri bilindiine gre ilk olarak rezonans frekans bulunmaldr.
F0 =
2 L.C
1
6.28 5 10 3.10 10 9
= 22522,5 Hz.
Daha sonraki admda reaktanslar bulunur.

XC =
1
1
=
= 707 bulunur.
.C 6.28 22522,5 10!0 9
XL = .L = 314 5.10-3 = 707 bulunur.
Bu aamada dikkat edilirse, XC = XL ; Z = R durumu olumutur. Yani devre rezonanstadr.

Devre gerilimi URye, maksimum devre akm da;
I= U / Z
veya
UR / Rden
I = 10 /10K = 1 mAe eit olur.
Devrenin faz as
Tg =
X C X L 707 707
=
= 0 dr
R
5
Tg = 0 olduuna gre = 0o dir.
Devrenin bant geniliini bulabilmek iin nce Q katsaysnn bulunmas gerekir.

Q=
XL
707
=
= 0.707
R 1000
BW =
F0 22522.5
=
31856 Hz bulunur.
0.707
Q
Buna gre;
F1 = F0 ( BW / 2 ) = 22522.5 ( 31856 / 2 ) = 6594.5 Hz.
F2 = F0 + ( BW / 2 ) = 22522.5 + ( 31856 / 2 ) = 38450.5 Hz.
15
rnekteki devrenin bant genilii erisi aadaki gibi olur.
I(mA )
Imax=1
0.707xImax
BW=31856 Hz
F1
6594.5
F0
22522.5
F2
38450.5
Frekans ( Hz )
Bant genilii erisi incelendiinde; devrenin 6594,5 Hz ile 38450,5 Hz arasndaki frekanslar
geirip, bu bandn dnda kalan frekanslar filtre ettii grlr.
1.2.5
SER ( RLC ) REZONANS DEVRES ZELLKLER
Bir RLC devresinde endktans ve kapasitans, devrenin rezonans frekansn belirler. Bunlardan
birinin deerinin deimesi rezonans frekansnn deimesine neden olur. Seri RLC devresinde frekans
deitiinde, devrenin endktif ve kapasitif reaktanslar dolayl olarak deiecektir. Bu durumda doal
olarak empedans da deiecektir. Bu deiimler devre akmn da etkileyecektir. Tablo 1 ve Tablo
2de seri RLC deresindeki deikenlerin fonksiyonlar incelenmitir.
16
REZONANS ALTI ALIMA

ETKLENEN DEKENLER
ARTTIRILAN
AKIM
EMPEDANS
FAZ AISI
FREKANS
ARTAR
AZALIR
AZALIR
REZSTANS ( DREN)
AZALIR
ARTAR
AZALIR
KAPASTANS
ARTAR
AZALIR
AZALIR
ENDKTANS
ARTAR
AZALIR
AZALIR
DEERLER
Tablo 1.1 Seri RLC devresi deikenlerine ilikin rezonans alt alma izelgesi
REZONANS ST ALIMA
ETKLENEN DEKENLER
ARTTIRILAN
AKIM
EMPEDANS
FAZ AISI
FREKANS
AZALIR
ARTAR
ARTAR
REZSTANS ( DREN)
AZALIR
ARTAR
AZALIR
KAPASTANS
AZALIR
ARTAR
ARTAR
ENDKTANS
AZALIR
ARTAR
ARTAR
DEERLER
Tablo 1.2 Seri RLC devresi deikenlerine ilikin rezonans st alma izelgesi
17
1.3 PARALEL REZONANS DEVRES
Buraya kadar ilenen blmde RLC devrelerinin seri balanmas ve seri rezonans ile ilgili zellikler
anlatlmtr. Bu blmde RLC devrelerinin paralel balants ve paralel rezonans devre zellikleri
incelenecektir. ekil 1.20 de paralel RLC devresi grlmektedir. Seri devrelerde anlatld bir RLC
devresinde rezonans art, endktif reaktans ile kapasitif reaktansn birbiriyle eit olmasdr. Bu art
salandnda herhangi bir RLC devresi rezonansa gelmektedir. Bilindii gibi seri devrede akmn
dolaabilecei tek bir kol bulunmaktadr. Bu nedenle akm sabit alnmaktadr. Buna karn devre
zerindeki gerilim dmleri farkl olup eleman
saysna bal olarak deimektedir. Paralel
devrede
Ih
ise
elemanlar
zerindeki
gerilim
dmleri ve kaynak gerilimi birbirine eit
IR
IL
IC
olmak zorundadr. Devre akm( Ih )ise kol

akmlarnn toplamna eittir. Kollardan geen
akmlar elemanlarn diren / reaktanslarna bal
olarak deiecektir. Paralel RLC devresinde
toplam devre akm faz farkndan dolay
ekil 1.20 Paralel RLC devresi
vektrel olarak bulunur.
Ih2= IR2 + ( IL-IC )2. ( Endktif devre )

Ih2= IR2 + ( IC-IL )2. ( Kapasitif devre )
Empedans ise paralel direnlerin balant prensibine gre aadaki gibi yazlabilir. Endktif ya da
kapasitif reaktanslarn matematiksel iareti rezonans alt ve st frekanslarda devrenin endktif veya
kapasitif olmasna gre deiir.
1
1
1
1 2
= 2 +(
)
2
Z
R
XL
XC
veya
Z=
1
1
1
1 2
)
= 2 +(
2
Z
R
XC
XL
veya
Z=
1
1
1
1 2
+(
)
2
XL XC
R
1
1
1
1 2
)
+(
2
XC XL
R
( Kapasitif devre)
( Endktif devre)
Rezonans annda bobinin endktif reaktans ile kondansatrn kapasitif reaktans birbirine eit
olacandan bu kollardan geen akmlar da birbirine eit olacaktr. Rezonans alt ve rezonans st
alma ekline gre geen akmlar da deiecektir. Paralel devrede rezonans frekansnn bulunmas
seri rezonans devresiyle ayndr.
Yani,
18
F0 =
1
2 LC
forml ile rezonans frekans bulunur.
Seri rezonans devresinde olduu gibi paralel rezonans devresinde de alma ekli vardr.
lk olarak rezonans frekansndaki alma durumu incelenecektir.
1.3.1 REZONANS DURUMU ( XL = XC )
Paralel RLC devresinin rezonansa gelebilmesi iin XL = XC artnn olumas gerekir. Bu durumda
bobin ve kondansatrden geen IL ve IC akmlar eit olacaktr. Bu akmlar arasnda 180 faz fark
bulunur. Bu yzden bu akmlar birbirini yok eder. Reaktif akmlarn birbirlerini ntrlemeleri sonucu
devreden geen akm rezistif ( IR ) olur. Bu durumda devre rezistif olurken, empedans devredeki
dirence eit olur. ( Z = R )
Devre akm ise aadaki gibi hesaplanr:
Ihat = Ih = E / R
Devre empedans ise;

Z = E / I olur.
Paralel RLC devresinin rezonans anndaki akm ve reaktans deikenleri ekil 1.21 ve 1.22deki
vektrel diyagramlarda verilmitir.
XC
IC
IR
R=Z
XL
IL
ekil 1.21 Paralel rezonans devresi
ekil 1.22 Paralel rezonans devresi empedans
akm fazr diyagram
fazr diyagram
Fazr diyagramlarndan da grlecei zere, paralel RLC devresinin rezonansa gelmesi durumunda
XL = XC durumu olumaktadr. Bu aamada aralarnda 180 faz fark olutuundan vektrel toplamlar
0 olacaktr. Devre empedans ise Z = R olacaktr. Devredeki kol akmlarndan IL ve IC birbirine eit
byklkte ve 180 zt ynl olup vektrel toplamlar yine 0 olacaktr. Ayn ekilde devreden geen
akm Ih = IR olacaktr.
19
Paralel RLC devresinde, rezonans annda devre akmnn minimum deere ulamas devre
empedansnn maksimum olmasna neden olmaktadr. Empedansn en yksek deere ulamas paralel
rezonans devresinin en nemli ve en kullanlr zelliidir. Bu zellik radyo alclarnn giri
devrelerinde kullanlmaktadr.
Seri rezonans devrelerinden de hatrlanaca zere, rezonans frekans deitiinde devre elemanlarnn tepkisi ve devre akmnda deiiklikler meydana gelecektir. Frekanstaki deimenin rezistif koldan
geen akma etkisi yoktur. Bu nedenle rezonans st ve rezonans alt frekanslardaki almalar
anlatlrken paralel RLC devresi yerine paralel LC devresi incelenecektir. Paralel LC devresi tank
devresi diye adlandrlr. Bu tanm ilerideki almalarda sk sk kullanlacaktr.
1.3.2 REZONANS ST ALIMA DURUMU ( XL > XC )
IC-IL
ALAK I
Ihat
YKSEK
I
YKSEK
FREKANS
tg
IR
ekil 1.23 Paralel LC devresi rezonans st alma devre emas ve vektrel gsterimi
ekil 1.23 te grld gibi paralel LC devresine uygulanan AC gerilimin frekans arttrldnda
bobinin endktif reaktans frekansla doru orantl olarak artar, kondansatrn kapasitif reaktans ise
Ih
IC
IL
F0
azalr.( XL
F ( FREKANS )
ekil 1.24 Paralel LC Rezonans st alma

grafii
1
= 2..F.L ; XC =
) Bundan dolay bobinden geen akm azalrken,
2..F .C
kondansatrden geen akm ise ykselecektir. Bu durumda IC > IL olacaktr. Bu nedenle devre
20
kapasitif olur. Dolaysyla hat akm ( Ih ) da rezonans anndaki deere oranla ykselir. Devrenin sahip
olduu faz as, tg olup;
tg =( IC IL )/ IR formlyle hesaplanr.
Rezonans st almada meydana gelen akm deiimleri, grafiksel olarak, ekil 1.24te verilmitir.
1.3.3 REZONANS ALTI ALIMA DURUMU (XC > XL )
YKSEK
I
ALAK
FREKANS
tg
ALAK I
IL-IC
IR
Ihat
ekil 1.25 Paralel LC devresi rezonans alt alma devre emas ve vektrel gsterimi.
ekil 1.25 te grld gibi paralel LC devresine uygulanan AC gerilimin frekans azaltldnda
bobinin endktif reaktans frekansla doru orantl olarak azalrken, kondansatrn kapasitif reaktans
artar.( XL = 2..F.L ; XC =
1
) Bundan dolay bobinden geen akm artarken, kondansatrden
2..F .C
geen akm decektir. Bu durumda IL > IC olacaktr. Bu nedenle devre endktif olur. Dolaysyla hat
akm ( Ih ), rezonans anndaki deerinden daha yksek bir deer alr. Devrenin sahip olduu faz as
tg olup;
tg =( IL IC )/ IR formlyle hesaplanr.
Paralel LC devresi rezonans alt almada devre akmlarnn grafiksel gsterimi ekil 1.26da
verilmitir. ekil 1.26 dikkatle incelendiinde paralel LC devresine uygulanan AC enerjinin frekans
azaltldnda ILnin ICden hat akmnn da rezonans anndaki akm deerinden daha yksek fazla
olduu grlecektir.
I
Ih
IC
IL
F0
F ( FREKANS )
ekil 1.26. Paralel LC Rezonans alt alma grafii

21
Buraya kadar anlatlan paralel RLC devre zelliklerini, iyice kavrayabilmek iin aadaki rnek
dikkatle incelenmelidir.
Ih
IL
IR
IC
ekildeki devrede E = 10 V, L = 765 mH, R = 1 K, C = 26.5 F olarak bilindiine gre;

a ) Devrenin rezonans frekansn,
b ) Rezonans frekansnn 4.64 Hz st ve 5.36 Hz altndaki tm akmlar ve empedanslar ayr ayr
bularak sonular yorumlaynz.

c ) Yukardaki klarda belirtilen almalara ait akmlar grafiini iziniz.
ZM :
a ) Devrenin rezonans frekans; F0 =
1
2 L.C
1
6,28 26,5.10 6.765.10 3
= 35.36 Hz.
Rezonans annda XL = XC olmaldr. Bu artn oluup olumadn kontrol edelim.

XL = 2..F.L = 6,28.35,36.765.10-3= 169.87
XC =
1
=
2..F .C
1
= 169.87
6,28.35,36.26,5.10 6
Grld gibi XL = XC durumu gereklemitir.

Bu durumda XL ve XC
birbirini ntrleyeceinden devre empedans devredeki R direncine eit
olacaktr.
Yani Z = R = 1000 olur.
Toplam devre akm ise IL = IC olmasndan ve vektrel toplamlarnn 0 olmasndan dolay;
Ih= E / R veya = E / Z ye eit olacaktr.
Bu durumda akmlar aadaki gibi hesaplanr:

22
IL = E / XL = 10 / 169.87 = 58.86 mA
IC = E / XC = 10 / 169.87 = 58.86 mA
IL - IC = 58.86 58.86 = 0. Buradan;
Ih= E / R = 10 / 1000 = 1 mA olur.
b ) imdi devrenin rezonans frekans stndeki almasn analiz edelim.
F0 = 35.36 +4.64 = 40 Hz iken devre rezonans st frekansta alr. Yani devre kapasitiftir. Bu
frekanstaki empedans ve akmlar aadaki ekilde bulunur:

Empedans bulunmadan nce endktif ve kapasitif reaktanslarn hesaplanmas gerekmektedir.
XL = 2..F.L = 6,28.40.765.10-3= 192.16
XC =
Z=
1
=
2..F .C
1
= 150.22
6,28.40.26,5.10 6
1
1
1
1 2
)
+(
2
XL XC
R
1
1
1
1
+(
)2
2
192.16 150.22
1000
= 567 olur.
Devreden geen toplam akm;

Ih = E / Z = 10 / 0.57 = 17.63 mA olarak bulunur.
imdi dier bir yoldan toplam akm bulalm.

IR = E / R = 10 / 1000 = 10 mA.
IL = E / XL = 10 / 192.16 = 52.03 mA.
IC = E / XC = 10 / 150.22 = 66.56 mA.
Rezonans frekans stne kldnda kondansatrden geen akmn, bobinden geen akmdan daha
byk olduu grlmektedir. ( IC > IL ) Rezistif akm ise her durumda sabit kalacaktr.
Toplam akm;
Ih2 = I R + ( I C I L ) 2 Ih =
2
I R + ( I C I L ) 2 = 10 2 + (66.56 52.03) 2 = 17.63 mA
Dikkat edilirse her iki zm yolundan da bulunan sonular eit kmtr.
23
imdi de devrenin, rezonans frekans altndaki alma eklinin analizini yapalm.

F0 = 35.36 5.36 = 30 Hz iken devre rezonans alt frekansta alr.
Yani devre endktiftir.

Bu frekanstaki empedans ve akmlar aadaki ekilde bulunur:
Empedans bulmadan nce yine endktif ve kapasitif reaktanslar bulmamz gerekir.
XL = 2..F .L = 6,28.30.765.10-3= 144,12

XC =
Z=
1
=
2..F .C
1
= 200,29
6,28.30.26,5.10 6
1
1
1
1 2
)
+(
2
XC XL
R
1
= 464 olur.
1
1
1 2
+(
)
10002
200,29 144,12
Devreden geen toplam akm;

Ih = E / Z = 10 / 464 = 21,54 mA olarak bulunur.
imdi dier bir yoldan toplam akm bulalm.

IR = E / R = 10 / 1000 = 10 mA.
IL = E / XL = 10 / 144,12 = 69 mA.
IC = E / XC = 10 / 200,29 = 49,92 mA.
Rezonans frekans altna inildiinde bobinden geen akmn, kondansatrden geen akmdan daha
byk olduu grlmektedir.( IL > IC ) Rezistif akm ise yine ayn kalacaktr.
Toplam akm; Ih2 = I R + ( I L I C ) 2

2
Ih =
I R + ( I L I C ) 2 = 10 2 + (69 49.92) 2 = 21,54 mA
Dikkat edilirse kapasitif devreye oranla toplam akmda bir artma olmutur.
24
c ) Buraya kadar yaplan ilemlerin grafiksel gsterimi aadaki gibidir:
I(mA)
Ih
IC
IL=IC=58,86
IL
Ih=1
F0= 35.36 Hz
F ( FREKANS )
Rezonans anndaki alma grafii
Ih
I(mA)
IC
IC=66,56
IL=52,03
Ih=17,63
IL
F2= 35 Hz
F ( FREKANS )
Rezonans stndeki alma grafii
Ih
I(mA)
IC
IL=69
IC=49,92
Ih=21,54
IL
F1= 30 Hz
F ( FREKANS )
Rezonans altndaki alma grafii
25
SER REZONANS DEVRES ALIMA SORULARI

1- Seri RLC devresinde R=0,753 , L= 0,4 m H , U= 5,32 V , Q= 7,5 V olduuna gre;
a) F0 , BW , C = ? b ) I - F seicilik erisini iziniz.
SONU: ( Fo= 2250 Hz , BW= 300 Hz; C= 12,5 F)
2 R= 5 , C= 20 f ve deiken L endktansndan meydana gelen seri devreye 10 volt, = 1000

Rad/Sn. li A.A. kayna uygulanyor.L endktansn ayarlayarak direncin ularndaki gerilim maksimum
yaplyor. Endktansn deerini, kaynaktan ekilen akm, devre elemanlarnn ularndaki gerilimleri
hesaplaynz?
SONU: ( L= 50 m H, I= 2 A. , UR = 10 volt , UL = 100 volt , Uc= 100 volt )
3- Kalite katsays (Q su) 100 olan 50 mHlik bir bobine 100 pF lk bir kondansatr seri baldr. Bu
devre hangi frekansta rezonansa gelir? Bant genilii ne kadardr?
SONU: ( Fo= 71,176 k Hz , f2-f1=711,76 Hz)
4- Endktans 20 m H, direnci 5 olan bobine bir kondansatr seri balanyor. Devrenin 1000 Hz .de
rezonansa gelebilmesi iin kondansatrn kapasitesi ka F olmaldr?
SONU: ( C=1,266 F )
PARALEL REZONANS DEVRES ALIMA SORULARI

1- Rezonans frekansnn altnda alan paralel RLC devrede UL = 100 V, XC = 1200 , Z = 50 ve
kaynak frekans 50 Hz.dir. Rezonans annda ise hat akm 0,5 A olmaktadr.
a ) R, L, C, Fr = ?
b ) L deerini sabit tutarak devreyi kaynak frekansnda rezonansa getiriniz.
c ) Bu durumda BW = ?
SONU : (a- R=200 , L=0,1577H.,C=2,65 f, Fr = 246 Hz. b- C = 64,3 f
c- BW = 12,37 Hz. )
2. Paralel RLC devresinde U= 100 V. 50 Hz., Ihat=0,05 A., R=2500 , XC = 357 , XL= 400 ,
olduuna gre;
a ) C=?, L=?
b ) Fr = ?
c ) Q = ?, BW = ?
d ) IR=?, IL=?, IC=?, IH =?
SONU : ( a C = 8900nF, L = 1,27 H. b- Fr = 47,39 Hz., c- BW = 7,16 Hz. d- IR=0,04 A.,
IL=0,25 A, IC=0.28 A, IH = 0,05 devre kapasitif )
3. Paralel RLC devresinde U = 50 V., C = 25 f, L = 10 mH, R = 10 dur. Devre rezonans

frekansnda altrldna gre;
a ) Fr = ?
b ) BW = ?
c ) XL = ? XC = ?
d ) IH = ?, IL = ?, IC = ?, IR = ?
e ) f1 = ?, f2 = ?
SONU : ( a Fr =318,4 Hz., b- BW = 636,8 Hz., c - XL = XC = 20 , d - IH = IR = 5 A
IC = IL = 2,5 A, e f1 = 0 , f2 = 636,8 Hz. )
26
BLM II
DALGA EKLLENDRCLER
2.1 GR
Elektronik cihazlarda kullanlan devrelerden birounun ilevi, kontrol ve zamanlamadr. Bu
ilevin yaplabilmesi iin dalga ekillendirici devrelere ihtiya duyulmaktadr. Dalga ekillendirici
devreler kare, testere dii, trapezoidal, dikdrtgen, ve sivriltilmi dalga gibi sinzoidal olmayan ( Non
Sinsoidal ) dalgalarn retilmesinde kullanlr. Bahsi geen bu dalga ekillerinin genlik ve devam
sreleri, zamana baldr.
ekil 2.1de sins fonksiyonu iermeE/I
yen dalga ekilleri grlmektedir. Bu dalga

ekilleri eitli elektronik devrelerinde zaKare dalga
E/I
manlama ve kontrol amal olarak kullan-
Frekans / Zaman
lr.
Bir devredeki voltaj veya akmn, karar-
Dikdrtgen dalga
E/I
l bir durumdan dier bir duruma veya
Frekans / Zaman
kararsz bir durumdan kararl duruma ani

olarak geiine ani deiim veya ani gei
( Transiyet ) denir. Bu ilem srasnda
E/I
Testere dii dalga
Frekans / Zaman
geen zamana ise ani deiim sresi

(Transient nterval ) denir.
Bahsi geen bu sinyallerin retil-
Frekans / Zaman
mesinde RC ve RL devreleri kullanlmak-
Sivriltilmi dalga( Trigger )
tadr.
E/I
Bu
blmde,
srasyla
dalga
ekillendirici devrelerin temelini oluturan

RC zaman sabitesi, RL zaman sabitesi
Trapezoidal dalga
Frekans / Zaman
konular analiz edilecektir. Yine RC ve RL

devreleriyle oluturulan trev ve integral
ekil 2.1 Sinsoidal olmayan dalga ekilleri
alc devreler de yine bu blmde incelenecektir.
27
2.1.1 RC ZAMAN SABTES

Bilindii gibi kondansatr, enerji depolamada kullanlan; iki iletken levha arasna bir yaltkan
konularak yaplm bir pasif devre elemandr. Kondansatrde arj ilemi; elektriksel potansiyel altnda
bulunan negatif ykl elektronlarn, plakalar zerinde farkl miktarlarda elektrik ykleri oluturacak
ekilde hareketleriyle oluur. Elektronlarn bu hareketleri ayn anda tamamlanamaz. Bu ilemlerin
oluabilmesi iin belirli bir srenin gemesi gerekmektedir. Bu yzden kondansatrlerin arj iin
gerekli olan zaman, devrede arj akm yolu zerinde bulunan diren deerine ve kondansatrn
kapasitif deerine bal olarak deiir. Kondansatrn zerindeki enerjinin arj sresi olduu gibi, bir
de dearj sresi vardr. Bu sre de dearj yolu zerindeki direncin deerine baldr.
Sonu olarak; kondansatrn arj veya dearj olabilmesi iin, bir arj akm yolu ve bir dearj akm
yolu bulunmas ve bu yollar zerindeki diren deerlerinin arj / dearj srelerini etkiledii ortaya
kmaktadr. Bu srelere Zaman Sabitesi ( Time Constant ) ad verilir.
Matematiksel olarak TC = R.C eklinde gsterilir. Bu forml, yukarda da anlatld gibi hem arj
sresi, hem de dearj sresinin hesaplanmasnda kullanlr. ekil 2.2de RC devresi grlmektedir.
Anahtar ak olduu durumda devreden akm gemeyeceinden kondansatr zerinde herhangi bir
voltaj grlmeyecektir. Anahtar kapatld an ( t0 an ) kondansatr zerinde herhangi bir arj
olmadndan devreden geen akm maksimum olur.
Bu deer Imax= E/Rdir. Bunun nedeni, t0 an diye
tanmlanan anahtarn kapand anda, kondansatrn
ksa devre zellii gstermesidir. Bu yzden t0
S
E
R
C
annda devreden maksimum akm geer. Anahtarn

kapanmasn
takip
eden
srede
kondansatrn
levhalar elektrik alan ile yklenmeye balar.

Devredeki direncin deerine gre devreden geen arj
ekil 2.2 Seri RC Devresi
akm, kondansatr arj etmeye balar. Bu akm, t0 annda maksimum olduu iin kondansatr gerilim
depoladka giderek azalmaya balar. Belli bir sre sonunda kondansatr kaynak gerilimine arj olunca
devreden hi akm gemez. Kondansatrn arj iin gereken srenin deeri, kondansatrn kapasitif
deerine bal olduu unutulmamaldr. Bir RC devresinde kondansatrn kaynak geriliminin tmne
arj olabilmesi iin geen sre = 5 TC dir. Bilindii gibi TC = R.C idi. Anahtarn kapal olma
sresi teorik olarak sonsuz deere ulatnda kondansatr, = 5 R.C sresinde kaynak gerilimine
arj olacaktr. Kondansatrn bo iken, 5 TC lik zaman sresince kaynak geriliminin hangi deerine
arj olduu aadaki tabloda gsterilmitir. Kondansatr dolu iken ( kaynak gerilimine arjl iken )
ise; dearjna kadar geen srede elde edilecek deerlerin bulunmas iin tablo okuma yn, tersten
uygulanmaldr.
28
FAKTR
GENLK
Tablo 2.1de kondansatrn arj esnasnda geen
0.2 Time Constant ( TC )
% 20
srenin kaynak voltajna paylamnn % oranlar veril-
% 40
mitir. Bu tablo kullanlarak kondansatrn hangi za-
% 50
man diliminde, kaynak geriliminin hangi % genlik de-
1 Time Constant ( TC )
% 63
erine ulaaca bulunabilir. Ayn zamanda, bu tablo
% 86
deerlerinden; arjl bir kondansatrn tamamen dearj
% 96
olmasna kadar geen srede hangi zaman sabitesinde
% 98
kondansatr zerindeki kaynak geriliminin % kann
% 99.3
kald hesaplanabilir. Bu hesaplama yaplrken tablo
Tablo 2.1. Zaman sabitesi faktr tablosu
tersten okunmaldr.
Yani 5 TC zaman arjl bir kondansatrn ilk TC zaman sabitesi olarak alnmaldr. Kondansatrn
arj ve dearj oranlarnn verildii tablo deerlerinin hesaplanmas aadaki gibi yaplr. Laboratuvar
almalar sonucu bir kondansatrn;
1 TC zamannda kaynak geriliminin % 63 ne arj olduu belirlenmitir.
Buna gre uygulama voltaj ile 1 TC zaman sonunda kondansatr zerindeki gerilim fark % olarak
100 - 63 = % 37 olarak bulunur. Bu fark voltajna, geerli olan voltaj ad verilir.
2 TC zamannda kondansatr bu fark voltajnn % 63 ne arj olacandan % ( 37 63 ) = % 23.3
bulunur. Bu deer ilk arj oran deerine eklendiinde 63 + 23.3 = % 86.3 oran bulunur.
3 TC zamannda % ( 100 86.3 ) = % 13.7 ( kalan oran ). Bu oran % 63 le arpldnda;
% ( 13.7 63 ) = % 8.6 bulunur. Bu deeri toplama eklediimizde 86.3 + 8.6 = % 94.9 bulunur.
4 TC zamannda % ( 100 94.9 ) = % 5.1 ( kalan oran ). Bu oran % 63 le arpldnda;
% ( 5.1 63 ) = % 3.2 bulunur. Bu deeri toplama eklediimizde 94.9 + 3.2 = % 98.1 bulunur
5.TC zamannda % ( 100 98.1 ) = % 1.9 ( kalan oran ). Bu oran yine % 63 le arpldnda;
% ( 1.9 63 ) = % 1.2 bulunur. Bu deeri toplama eklediimizde 98.1 + 1.2 = % 99.3 bulunur.
Teorik olarak bir kondansatr 5 TC sonunda hibir zaman kaynak geriliminin % 100 ne arj
olmaz. Bu oran Tablo 2.1 den ve yaplan hesaplamalardan da grld gibi % 99.3 tr. Ancak
aradaki dikkate alnmayacak kadar kk bir orandr.
29
Buraya kadar anlatlan blmde kondansatrn arj veya dearj konusu ele alnmtr. RC
devrelerde dier bir belirleyici zaman etkeni ise, kondansatrn arj ve dearj esnasnda geen
sredir. Bu sre, 1 periyoda karlk gelir. Dolaysyla periyodun belirlenmesi frekansn bulunmasna
yardmc olacaktr.
Yukardaki hesaplamalardan yola karak; arj sresi ve dearj sresi 5TC + 5TC olarak alndnda
toplam periyodun oluma sresi T = 10 TC olarak bulunur. Bu durum ekil 2.3 te gsterilmitir.
Uygulanan
sinyal
1.TC 2.TC 3.TC 4.TC 5.TC 1.TC 2.TC 3.TC 4.TC
= 5.TC arj Sresi
5.TC
= 5.TC Dearj Sresi
T = 1 Periyod
ekil 2.3. Kondansatrn arj ve dearj sre grafii

ekil 2.3 te grld gibi bir periyodun sresi T = 10. TC dir. Buna gre frekans aadaki gibi
hesaplanr.
F=
1
T
T = 10 TC
F=
1
10.TC
F=
1
olur.
10.RC
2.1.2 KONDANSATRN ARJ OLMA HIZI
Bir kondansatrn levhalarnda toplanan Q yk ile levha arasnda uygulanan kaynak gerilimi
arasndaki C =
Q
orannn kondansatrn kapasitesini belirlediini ve bir kondansatrden birim
E
zamanda geen akmn I =
Q
olduunu elektrik dersinde renmitik.
t
Buna gre her iki formldeki Q yklerini birbirine eitlediimizde; C.E = I.t olur.
30
Buradan,
C=
I.t
( Amper saniye / volt = Farat ) sonucuna varlr.
E
te yandan
E
oran kondansatrn birim zamanda olaca arj miktarn verir. Voltaja bal olarak
t
arj olma hz ( Rate of Chargevoltage roce );

roce =
E I
formlyle bulunur.
=
t C
# TC = t / TC oran ise zaman sabite miktarn verir.
Bir kondansatrn veya bobinin arj ve dearj erileri ekil 2.2 de grafiksel olarak verilmitir. RC
zaman sabitesi ve bir sonraki konuda incelenecek olan LR zaman sabitesi ile ilgili problemler bu grafik
0,5
yardmyla zlecektir.
1
100
A
90
80
ZAMAN SABTES
TC = R.C
TC = L / R
ZAMAN SABTE MKTARI: #TC = t / TC
70
RC DEVRE N ARJ DURUMU

A ERS : %VC
B ERS : %VR ; % I
60
RC DEVREDE DEARJ DURUMU

A ERS : KULLANILMAZ
B ERS : %VC ; %VR ; % I
50
RL DEVRE N ME DURUMU
A ERS : %VR ; % I
B ERS : %VL
40
30
RL DEVREDE KME DURUMU

A ERS : KULLANILMAZ
B ERS : %VL ; %VR ; % I
20
10
B
0,5
0
1
ekil 2.4 Kondansatr ve bobinin universal arj / dearj ve zaman sabite erileri
31
ekil 2.4 teki grafik incelendiinde, kondansatrn arj ve dearj esnasnda eitli srelerdeki voltaj
seviyesinin net biimde belirlenebilecei grlmektedir. Konu ile ilgili aadaki rnek dikkatle
incelenmelidir.
5 K luk bir diren ile 0.1 F lk bir kondansatr seri olarak 40 VDC deerindeki kaynaa seri
baldr. Devredeki anahtar kapatldktan 1200 sn sonra kondansatr zerindeki % gerilimi, diren
zerindeki gerilimi ve devreden geen akm bulunuz.
ZM :
zme balamadan nce devre eklinin izilmesi zm basitletirecektir.

Devredeki anahtarn kapatld t=0 annda; devreden
geen akm bilindii gibi maksimumdur. Daha sonraki
zamanlarda kondansatrn arj hzna bal olarak bu
akmda azalma; kondansatr zerindeki gerilimde ise
artma grlecektir. 5 TC sonunda kondansatr kaynak
geriliminin tamamna arj olmas gerekir.
Buna gre; ilk olarak TC yi bulmamz gerekir.

TC = R C = 5000 0,1.10-6
TC = 0.5 msn = 500 sn.
Toplam sre 1200 sn olduuna gre;

# TC = t / TC = 1200 / 500 = 2.4 olur.
Bu oran, kondansatrn hangi TC de kaynak voltajnn % olarak hangi seviyesine arj olduunu,
arj erisinden bulunmasn salar. Yani grafikteki arj erisinin ( A Erisi ) 2,4. TC sine
baklmaldr. ekil 2.4 te bu noktaya bakldnda kondansatrn, kaynak geriliminin % 91 ne arj
olduu grlr. Kaynak gerilimi 40 V olduuna gre,anahtar kapatldktan 1200 sn sonra
kondansatr zerindeki gerilim aadaki gibi bulunur.
32
% UC = ( 40 91 ) % = 36.4 V.
Buna gre 1200. sn de diren zerindeki gerilim kaynak gerilimi ile kondansatr zerindeki
gerilimin fark kalacaktr. Bu da;
UR = E - UC = 40 36.4 = 3.6 V. olur.
Bu anda devreden geen akm UR / R den bulunabilir.

I = UR / R = 3.6 / 5 = 0.72 mA.
ekildeki devrede kondansatr bo durumdadr. Anahtar

kapand andan itibaren, kondansatrn 30 Volt a arj
olabilmesi iin gerekli olan zaman sabite miktarn
hesaplaynz.
ZM :
Bu rnekte sorulan zaman sabite miktarn bulabilmek iini rnek:1 deki zm yolunun tersi
uygulanmaldr. Yani nce kondansatrn 30 Volt a arj olduu anda, kondansatr zerindeki
gerilimin kaynak voltajna % orannn bulunmas ve bu orann grafikte deerlendirilmesi gerekir.
UC / E = ( 30 / 50 ) 100 = % 60
Bulunan bu oran zaman sabite erisinde kondansatrn arj erisinin, dikey eksenin % 60 noktasyla
kesitirildiinde;
Zaman Sabite Miktar = 0.9 olarak bulunur.
ekildeki devrede; S1 anahtar, kondansatr kaynak

voltajna arj oluncaya kadar kapal tutulup sonra almaktadr. S2 anahtar ise S1 ald anda kapatlyor.
Anahtar pozisyonlar bu konumda iken; 130 sn sonra
kondansatrn dearj % sini, UC, UR gerilimlerini ve
devre akmn bulunuz.
33
ZM :
Devredeki S1 anahtar, kondansatr kaynak gerilimine arj oluncaya kadar kapal tutulup arj
bittikten sonra ald iin bu anda UC = E = 50 V., UR ise 0 Volt tur. Yine bu anda devreden geen
akm 0 Amperdir. Ancak ayn anda S2 anahtar kapatld iin kondansatr belli bir zaman sabitesine
gre dearj olmaya balayacaktr. Bu andan 130 sn sonraki zaman sabitesi aadaki gibi bulunur.
TC =
t
130.10 6
=
= 1.3
R.C 40.10 3 2.5.10 9
Bu zaman sabite miktarn zaman sabite erisindeki yatay ekseninde bulup kondansatrn dearj
erisiyle ( B Erisi ) aktrdmzda, kondansatr zerindeki gerilimin % 27.5 olduu dikey
eksenden bulunur. Bu deer gerilime evrildiinde kondansatr zerindeki gerilim bulunur.
UC = 50 0.275 = 13.75 Volt
Bu anda diren zerindeki gerilim kondansatr zerindeki gerilime eittir.

UR = 13.75 Volt ***( Bunun nedenini tartnz. )
Bu anda devreden geen akm ise direnten geen akma eittir.

I = UR / R = 13.75 / 40 = 344 A.
Kondansatrn dearj % si ise 1.3 zaman sabite miktar ile arj erisinin ( A Erisi ) kesitii nokta
olup %72.5 tir.
2.1.3 RL DEVRES ZAMAN SABTES
ekil 2.5 te seri RL devresi grlmektedir. Devredeki S

anahtar kapatld t0 annda bobinin DC ye kar reaksiyonu
dolaysyla devreden hi akm gemeyecektir. Yani t0 annda
bobin DC ye ak devre zellii gsterir. Bu anda bobin zerinekil 2.5 RL Devresi
deki gerilim kaynak voltajna eittir. Ancak t0 anndan sonraki
zamanlarda bobin zerine uygulanan gerilimden dolay bobin zerinde bir zt emk indklenir. Bu emk
devreden geen akm nedeniyle kmeye balar. Devreden geen akm ykselmeye baladka bobin
zerindeki gerilim azalr.
34
Bobin ideal olarak dnlrse, sonsuz zamanda UL = 0 Volt, devreden geen akm ise maksimum
olur. Ancak pratikte her bobinin bir omik dirence sahip olduu dnlrse; bu deerler teorik olarak
yaklak alnmaldr.
Bobin, yukarda anlatlan bu zelliinden dolay zerinden geen akm depolar. ekil 2.6da
anahtarn kapand t0 anndandan, sonsuz t zamanna kadar geen srede devre akmyla, bobin
zerinde indklenen gerilim erileri verilmitir.
G
E
N
L
AKIM
NDKLENEN EMK
t=0
ZAMAN
ekil 2.6 Bobinin DC ye gsterdii akm ve gerilim tepki erileri
ekil2.6da grld gibi t = 0 annda bobin zerindeki gerilim maksimum deerde iken, ( en
fazla kaynak gerilimi kadar olabilir ) akm sfrdr. Zaman belli bir seviyeye geldiinde gerilim ssel
olarak azalrken, akm ise yine ssel bir art gsterir. Akm ve gerilimin ssel fonksiyon gstermesi
bobinin saf endktif olmay, mutlaka bir omik i direnci olmasndan kaynaklanmaktadr. Ayn
zamanda bu deiim oransal ve rakamsal olarak ekil 2.4 teki grafikteki A ve B erisi zerinden
okunabilir.
Bobin zerinden belirli bir zamanda geen akmn getii zaman dilimine oranna deiim hz
( rate of change ) denir. Aadaki gibi ifade edilir.
I
t
Roc =
Doru akmn bobine uygulandktan sonra, bobinde oluan akm ve gerilim deiimleri
matematiksel olarak aadaki gibidir.
L=
e
I
t
e = L.
I
t
RocI =
I e
=
t L
RocI = Birim zamana gre bobin akmndaki deiim hz.

e
= Bobin zerinde indklenen voltaj ( zt emk ).
35
= Endktans deeri
Buraya kadar anlatlan blmde bobinin DC devrede gsterdii zelliklerden bahsedilmitir. imdi
DC devrede bobinin zaman sabitesine ilikin matematiksel ifadeler incelenecektir. Hatrlanaca gibi
RC devresinde zaman sabitesini TC = R.C olarak renmitik. RL devresinde ise zaman sabitesi
aadaki gibi ifade edilir.
TC =
L
R
Burada dikkat edilecek nokta, zaman sabitesinin devre direncine baml olmasdr. Devre direnci ne
kadar byk olursa zaman sabitesi miktar o oranda der. Dier bir deyimle zaman sabitesinin uzun
olabilmesi iin devre veya bobin direncinin dk olmas gerekmektedir. Bobin deeri ise kullanlan
devreye gre seilecei iin sabit tutulacaktr. Bobinin sarld iletkenin cinsinin ve izolasyonunun
bobinin omik direncine etki eden faktrler olduu daha evvelki konularda anlatlmt.
RC devrelerde olduu gibi, LR devrelerde de bobinin zerindeki manyetik alan olutuktan sonra
indklenen zt emkin k veya bobin zerinden geen akmn maksimum deere ulaabilmesi iin
5TC sresi gemesi gerekir. Bahsi geen TC zamanlar yine Tablo 2.1 kullanlarak bulunur. Bu
zamann bulunabilmesi iin aadaki forml kullanlr.

TC =
t
R.t
=
L
L
R
TC = Zaman sabite miktar

t
= Ykselme ve d iin izin verilen zaman
= Endktans deeri
= Devre direnci
Buraya kadar anlatlan blmn pekitirilebilmesi iin aadaki rnekler dikkatle incelenmelidir.
ekildeki devrede anahtar kapatldktan 2800 sn sonraki

zaman sabite miktarn, devre akmn ve maksimum akm,
diren ve bobin zerinde den gerilim dmlerini hesaplaynz.
36
ZM :
lk olarak izin verilen zaman ( 2800 sn ) iindeki zaman sabite miktarn bulalm:
TC =
)(
10.10 3 2800.10 6
R.t
=
= 2.8
10
L
2.8 olarak bulunan zaman sabite miktarnn ekil 2.4teki A erisini kestii noktadan sola gidilerek
dikey ekseni kestii deer bulunur. Bu deer % 94tr. Yani o andaki akm deerinin maksimum
akma orandr. Buradan elde edilen veriye dayanarak maksimum akm bulunabilir.
Imax = E / R = 50 / 10 = 5 mA.
Bu deer yardmyla devreden geen akm aadaki gibi bulunur:

I = 5 %94 = 4.7 mA.
Devreden geen akm bilindiine gre; anahtar kapatldktan 2800 sn sonra devre elemanlar
zerindeki gerilim dmleri aadaki gibi hesaplanr.
UR = I.R = 4.7 10 = 47 Volt
UL = E - UR = 50 47 = 3 Volt
Grld gibi LR devresine DC enerji uygulandktan belli bir sre sonucunda bobin zerindeki
gerilim miktar azalrken; diren zerindeki gerilim, kaynak gerilimine yakn bir deer almaktadr.
37
ekildeki devrede S anahtar A konumundan, B konumuna alnd andan 1200 sn sonra, akmdaki
azalma % sini hesaplaynz.
ZM :
zme balanmadan nce, devre dikkatle incelenip devre takibi yaplmaldr. S anahtar A
konumunda iken R-L seri devresi zerinden akm maksimum seviyeye ulam durumdadr. Bobin
zerinde indklenen zt emk minimum seviyededir. nk devre kararl durumdadr. Ancak S
anahtar, A konumundan B konumuna alnd anda bobin zerinde depolanan akm seviyesi dmeye
balayacaktr. 1200sn sonraki akmdaki bu deiim % si sorulduuna gre, ilk olarak izin verilen
zaman sabite miktarnn hesaplanmas gerekir.
TC =
R.t 10.10 3 1200.10 6

= 0.35
=
L
34
Bulunan bu oran ekil 2.4 teki grafikteki B erisinde yerine konulduunda dikey eksenden % 70
olarak okunur. Buradan u sonu kar:
Bobin zerindeki depolanan akmn ( % 100 - % 70 ) i diren zerinden aktlarak harcanmtr.
Yani akmdaki azalma miktar ise % 30 olarak belirlenir.
2.1.4 ZAMAN SABTELERNN SINIFLANDIRILMASI
Zaman sabitesi, RC devrelerde R ve C deerlerine veya LR devrelerde R ve L deerlerine baldr.

Fakat devredeki elemanlarn deerleri, hibir zaman, zaman sabitesinin uzun veya ksa olduunu
belirleyemez. Zaman sabitesinin uzunluu veya ksal, karlatrld referans zamana baldr.
rnein kare dalgalarda kyaslama olarak kullanlan referans zaman, bir alternansa ait 5TC sreli
deeridir. Bir alternansa ait zaman ile TC arasndaki iliki; ksa, orta ve uzun zaman sabitesini
belirleyin tek faktrdr. Eer zaman sabitesi ( TC ), bir alternansa ait zaman sresinden uzun ise;
zaman sabitesi uzundur denir. Eer bu sre, alternansn devam sresinden ksa ise zaman sabitesi
ksadr denir.
Bu konuya ilikin matematiksel ifadeler aada gsterilmitir.

/ TC 1 / 10 Uzun Zaman Sabitesi
/ 10 1 / 10 10. TC
/ TC 1 / 10 Ksa Zaman Sabitesi
/ 10 1 / 10 10. TC
38
Eer herhangi bir devreye ait zaman sabitesi yukardaki deerlerin arasnda ise buna orta zaman
sabitesi denir.
1 / 10 / TC 10
2.1.5 DALGA EKLLENDRME LEM
ekil 2.7 RC Dalga ekillendirici Devresi.
ekil 2.8 RL Dalga ekillendirici Devresi.
GR DALGASI
A A IKII
B B IKII
RC devrede ER k
RC devrede EC k
RL devrede EL k
RL devrede ER k
RNEK:1
UZUN ZAMAN SABTEL
/ RC veya R. / L 0.1
RNEK:2
ORTA ZAMAN SABTEL
0.1 (R.) / L veya / RC 10
RNEK:3
KISA ZAMAN SABTEL
/ RC veya ( R. ) / L 10
ekil 2.9 RC ve RL Dalga ekillendirici Devreleri k Dalga ekilleri
39
ekli 2.7deki RC ve 2.8deki RL devresi girilerine kare dalga uygulanarak, devre klarnda
eitli zaman sabitelerine gre elde edilen k sinyalleri ekil 2.9da tablo biiminde gsterilmitir.
ekildeki 1 nolu rnekte Uzun Zaman Sabiteli A-A k, RC devresinde; diren zerinden veya
RL devresinde; self ( bobin ) zerinden alnan klardr. Bu ktaki sinyal, giri sinyali ile genlik ve
ekil olarak benzemekte olup; nemli bir deime gzlenmemektedir. Ayn rnekte B-B k ise, RC
devresinde diren zerinden veya RL devresinde diren zerinden alnan klardr. Burada ise k
sinyali, girile genlik ve biim olarak hibir benzerlik gstermemektedir. Giriten kare dalga sinyali
uygulanmasna ramen ktan gen dalga formlu bir sinyal alnmtr.
2 nolu rnekte Orta Zaman Sabiteli A-A kndaki sinyal, giri sinyaline oranla genlik olarak
daha yksektir. ekil olarak da distorsiyona ( bozulma ) uramtr. Ayn rnekte B-B kndan
alnan sinyalle, giri sinyali arasnda genlik ve biim olarak hibir benzerlik gstermemektedir.
Giriten kare dalga sinyali uygulanmasna ramen ktan testere dii formuna yakn bir sinyal
alnmtr.
3 nolu rnekte ise Ksa Zaman Sabiteli A-A kndaki sinyal, giri sinyalinin genlik olarak iki
kat byklndedir. ekil olarak yine distorsiyona uramtr. Ayn rnekte B-B kndan alnan
sinyalle, giri sinyali arasnda genlik ve biim olarak bir benzerlik gzlenmektedir. Giriten uygulanan
kare dalga sinyali, kta yine kare formuna yakn bir zellik gstermekte olup; fazla bir distorsiyona
uramamtr.
Sonu olarak RC ve RL devrelerine uygulanan kare dalgann, eitli zaman sabitelerinde farkl
sinyallere dnebilecei grlmektedir. Ancak bu devrelerin alma mantn anlayabilmek iin
dalga ekillendirici devrelerin temelini oluturan trev ( differention ) ve integral ( integration ) alc
devrelerin incelenmesi gerekmektedir. lk olarak trev alc devreler incelenecektir.
2.1.6 TREV ALICI DEVRELER
Trev alc devreler, giri sinyalinin deiim sratine ( roc ) bal olarak, kta farkl bir sinyal
ekli oluturan devrelerdir. Trev alc devrelerinde ksa zaman sabitesi kullanlr. RC devrelerde k
diren zerinden; RL devrelerde ise k bobin zerinden alnr.
ekil 2.10 Trev Alc Devre emas ( Ksa Zaman Sabiteli Devre )
40
ekil 2.10da grld gibi trev alc devre giriine kare dalga uygulanmtr. Devre kndan
alnan sinyal ise genlik ve form olarak deiiklie uramtr.
Bu deiimin nedeni yle aklanabilir:
ekil 2.11de giri ve k sinyalleri grlen trev alc devre giriinde bulunan kondansatre kare
dalga uygulandnda;kondansatr bu gerilimin tepe deerine arj olur. t0 t1 annda giri sinyalinde
herhangi bir deiiklik meydana gelmediinden dolay k voltaj sfra dmektedir. k voltajnn
sfra d hz, devrenin zaman sabitesine baldr.
GR SNYAL
IKI SNYAL
t0
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
ekil 2.11 Trev alc devre giri k sinyalleri

t1 annda giri tekrar aniden, ters ynde deiiklie uramaktadr. Dolaysyla k voltaj da buna
paralel olarak maksimum deere ters ynde arj olur. Bu deiimler daha sonraki alternanslarda aynen
birbirini takip eder. Sinyaldeki form deiiklii ise kondansatrn arj ve dearj ile ilgilidir. Daha
nce de anlatld gibi ayn ilemler, RL devresi kullanlarak ta gerekletirilebilir. Ancak k
sinyalinin bobin zerinden alnmas gerekmektedir.
2.1.7 NTEGRAL ALICI DEVRELER
ekil 2.12 ntegral alc devre emas
41
ekil 2.12de ntegral alc devre emas grlmektedir. alma mant olarak trev alc
devresiyle ztlk gsterir. ntegral alc devrede uzun zaman sabitesi kullanlmaktadr. Hatrlanaca
gibi, trev alc devre giriine kare dalga uygulandnda. ktan sivriltilmi dalga elde ediliyordu.
ntegral alc devre giriine de kare dalga uygulanp, ktan gen dalga formunda bir sinyal elde
edilmektedir. Bu farkn nedenlerinden birincisi kondansatr ile direncin yerlerinin deimi olmas;
ikincisi de bu devrede uzun zaman sabiteli devre kullanlmasdr. Devrenin giri k sinyal
bantlar ekil 2.13te gsterilmitir.
GR SNYAL
IKI SNYAL
t0
t1
t2
t3
t4
t5
t6
t7
t8
ekil 2.13 ntegral alc devre giri k sinyalleri
Devre giriine uygulanan kare dalga sinyali, t0 annda sfr seviyesindedir. Bu anda kondansatr
zerindeki arj seviyesi de ayndr. t0 - t1 arasnda; kondansatr, uygulanan gerilime arj olurken; k
gerilimi de genlik olarak dorusal bir biimde art gsterir. t1 annda giri gerilimi ( + ) maksimum
deerden, ( - ) maksimum deere gelir. Bu andaki giri geriliminin azalmas kondansatrn dearj
olmasna neden olacaktr. Kondansatrn dearj erisi yine dorusal eimli olacaktr. t1 t2 zaman
aralnda ise giri gerilimi srekli ( - ) maksimum deerde olacandan, bu anda kondansatr
tamamen dearj olacaktr. t2 annda ise giri gerilimi periyodunu tamamlad iin tekrar balang
noktasna dneceinden ayn olaylar tekrar edecektir. Dikkat edilecek olursa ntegral Alc Devresi,
Trev Alc Devresiyle zt mantk olarak almaktadr.
Buraya kadar incelenen Trev ve ntegral Alc devreleri, daha nce de belirtildii gibi sadece RC
devreleriyle gerekletirilmez. Ayn ilevleri RL devreleriyle yapmak da mmkndr. Devre alma
mantklar RC devreleri ile ayn olacandan; RL devreleri tekrar anlatlmayacak olup zet bilgi
verilmesi yeterli olacaktr. RL devresinin zaman sabitesi ksa ve k bobin zerinden alnyor ise
buna Trev Alc Devre; zaman sabitesi uzun ve k diren zerinden alnyorsa buna da ntegral
Alc Devre ad verilir.
42
43
BLM III
YARILETKEN ESASLARI
3.1 GR
XIX. YYn sonlarnda balayp XX.YYn balarna kadar srdrlen bilimsel almalar
sonucu bulunan yar iletkenler;elektronik sanayisinin oluup hzla gelimesini salamtr.
1880li yllarda Curie kardelerin kristaller zerinde yaptklar almalar sonucu; belli bir basn
altnda kristaller zerinde bir gerilim olutuu saptanmtr. Bu almalarn altnda enerji
dnmleri konusunda nemli admlar atlmtr.
1900l yllarda bir selenyumun iletkenle birletii noktadan tek ynl akmn getii anlalmtr.
Daha sonraki yllarda bu bulular gelitirilerek; 1930 ylnda germanyum diyot, 1948 ylnda ise ilk
transistr retilmitir.
Transistr deyimi, transfer ve rezistr kelimelerinin birletirilmesinden meydana gelmitir.
Transistr, akm kontrol edebilen elektronik devre eleman olmas nedeniyle ok nemli bir
malzemedir. Bu blmde kristal diyotun ve transistrn oluumu konular incelenecektir. Bu konularn
daha iyi anlalabilmesi maksadyla Elektrik Dersinde grlen iletken, yaltkan ve yariletken
konularnn tekrarlanmas yararl olacaktr.
3.1.1 LETKEN, YALITKAN VE YARILETKENLER
Atomun d yrngesinde deiik sayda elektron bulunabilir. Bilindii gibi bu say sekizden
fazla olamaz. D yrngelerinde sekiz elektron bulunan yrngelere "doymu yrnge" ad verilir.
Doymu yrngeye sahip olan atomlar, elektronlarn kolay kolay brakmaz. Asal gaz olarak bilinen
Helyum (He), Neon (Ne), Argon (Ar) ve Kripton (Kr) gazlarn atomlar byledir.
D yrngelerindeki elektron saysna bal, olarak baz atomlar elektron vermeye, bazlar da
elektron almaya alrlar. Genel olarak d yrngelerinde drtten az elektronu bulunan ve serbest
elektron saylar ok fazla olan atomlar elektron vermeye, drtten fazla elektronu bulunan ve serbest
elektron saylar ok az olan atomlar ise elektron almaya yatkndr. L d yrngesinde 3 elektron
bulunan bor (B) atomu ekil 3.1' de verilmitir. Bu yrngenin doymas iin 5 elektrona ihtiya
duyaca dnldnde; 5 elektron almak yerine, kendi 3 elektronunu vermesinin daha kolay
olaca grlr.
Benzer ekilde ekil 3.1' de verilen oksijen (O) atomu, d yrngesini doymu hale getirmek iin L
d yrngesinde bulunan 6 elektronu vermek yerine dardan 2 elektron alacaktr.
ekil 3.1 Bor atomu
ekil 3.2 Oksijen atomu
Yukarda ksaca zetlenen bilgilerden de anlalaca zere; atomlarn son yrngesindeki elektron
says o elementin zelliklerini belirler. Konumuzu ilgilendiren atomlarn snflandrlmas aadaki
tanmlarda ak olarak verilmitir.
letken : D yrngelerinde 4' ten az elektron bulunan ve serbest elektron saylar ok fazla olan
maddelere denir (bakr, alminyum, demir vb.).
Yaltkan : D yrngelerinde 4' ten fazla elektron bulunan ve serbest elektron saylar yok denecek
kadar az olan maddelere denir (cam, kauuk, hava vb.).
Yariletken : Ne iyi bir iletken, ne de iyi bir yaltkan olan ve d yrngelerindeki elektron says 4
olan maddelere denir (karbon, germanyum, silisyum vb).
Uygulamada iletkenler, elektrik akmn bir yerden baka bir yere iletmekte; yaltkanlar, elektrik
akmndan korunmakta ve elektrik akmnn bulunmamas gereken yerleri yaltmakta; yariletkenler
ise, diyot, transistr gibi akmn kontroll iletimini salayan elemanlarn imalatnda kullanlmaktadr.
Bu blmde elektroniin balca konusu olan yar iletkenler incelenecektir. Tablo 3.1 de eitli
elementlerin cm3 bana, elektrik akmna kar gstermi olduklar direnler tablo halinde verilmitir.
Bu elementlerden direnleri ok dk olanlara iletken, ok yksek olanlara yaltkan; direnleri

iletken grubuna sokulamayacak kadar yksek, yaltkan grubuna sokulamayacak kadar dk olanlara
ise yariletken denir. Bu kapsamda elektronik endstrisinin balca malzemeleri olan, germanyum,
silisyum, bakr oksit, arsenik, indium, galyum gibi elementler, yariletken zellikleri gsterir.
CM3BAINA DEN
ELEMENT ADI
ELEKTRK DREN
( / cm3 )
GM
10-7
BAKIR
10-6
ALMNYUM
10-4
KARIIMLI GERMANYUM
TRANSSTR GERMANYUMU
1.5
TRANSSTR SLKONU
1.6
SAF GERMANYUM
50
SAF SLKON
104
TAHTA
108
CAM
1010
MKA
1012
Tablo 3.1 Elementlerin elektriki diren tablosu
Yariletken atomlarnn son d yrngelerindeki elektron says 3 ile 6 arasnda deimektedir.

Kristal diyot ve transistr yapmnda en ok germanyum ve silisyumdan yararlanlr. Germanyum ve
silisyum atomlarnn en son yrngesindeki serbest ( valans ) elektron saylar ( 4 elektron ) ayndr.
ndium, galyum, arsenik, antimuan gibi yariletkenler ise transistr ve diyot yapmnda katk
malzemesi olarak kullanlrlar. Yar iletken yapmnda ilk zamanlarda, germanyum elementinin daha
sk kullanlmas; eski temel elektronik kitaplarnda germanyumun incelenmesini gerektiriyor idi.
Ancak; germanyum hemen hemen hi kullanlmamaktadr.
Gnmzde yariletken yapmnda daha ok silisyum elementi kullanldndan bu maddenin
incelenmesi daha doru olacaktr.
3.1.2 SLSYUMUN KRSTAL YAPISI

Germanyum ve silisyum karakteristik yap olarak birbirlerine benzemektedirler. Dolaysyla
Silisyumun incelenmesi srasnda germanyum da analiz edilmi olacaktr. Silisyum elementinin cm3
bana direnci Tablo 3.1 de de belirtildii gibi 1.6 / cm3dir. Ayrca her iki madde ( Ge, Si ) s ve
kla etkilenebilmektedir. Bu maddelere elektrik akm uygulandnda bir takm deiimlerin
olumas yariletken kavramnn yerlemesine ve gelimesine neden olmutur.
Silisyumun, atomik yaps incelendiinde kristalize bir yapda olduu grlr. ncelemeler
sonucu; silisyumun atomik yapsnn, periyodik olduu ( srekli kendini tekrarlayan ) saptanmtr.
Atomlarn bu yapsnn tmne Kristal , periyodik dzenine de rg denir. ekil 3.3te silisyuma
ilikin kristal yap grlmektedir.
ekil 3.3.Silisyum ve germanyumun kristal yaps

Germanyum ve silisyum kristali, (Ge ve Si olarak da yazlabilir. ) ekil 3.3.te grld gibi
boyutlu elmas yapya sahiptir. Srekli tekrarlanan, ayn tipte kristal yaplardan oluan bu tip maddelere
tek kristalli yap denir. Si ve Ge elementleri, bu zellikleri nedeniyle elektronik alannda kullanlmaya
son derece uygundur.
Bu blmde Si ve Ge elementlerinin atom yaps incelenecektir. Ayn zamanda bu maddelerin
elektriksel karakteristiklerinin nasl etkilenebilecei de gzden geirilecektir. Elektrik dersinin
Elektron Teorisi konusundan da hatrlanaca gibi; bir atom temel olarak 3 elemana sahiptir. Bunlar
elektron, proton ve ntrondur. Atomik yapda proton ve ntron ekirdei, elektronlar ise ekirdek
etrafnda sabit bir yrngede dolar. ekil 3.4.-a ve 3.4.-bde Ge ve Si nin atomik yaps grlmek-
tedir. Ge nin toplam 32, Sinin ise 14 elektronu vardr. Son d yrngelerindeki ( valans ) elektron
says ise her ikisinde de 4tr.
ekil 3.4 a. Germanyumun atomik yaps
Si
Si
ekil 3.4 b. Silisyumun atomik yaps
Elektron
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
ekil 3.5 Silisyum atomunun kovalent ba yaps
ekirdek
Kovalent
ba
ekil 1.3 a ve bde grld gibi Ge atomunun toplam 32, Si atomunun ise 14 elektronu
bulunmaktadr. Her iki atomun da en d yrngesinde 4er elektronu vardr. Bu drt valans elektrondan herhangi birini uzaklatrmak iin gerekli olan potansiyel, yapdaki herhangi baka bir elektronu
uzaklatrmak iin gereken potansiyelden daha azdr. ekil 3.5te Si atomunun kovalent ba yaps
grlmektedir. Her Si atomunun son d yrngesindeki 4 elektron dier atomun son d
yrngesindeki elektronlarla ba oluturur. Bu elektron paylam olayna, kimya dersinden de
hatrlanaca gibi kovalent ba denir. Dikkat edilirse her silisyum atomu dier bir silisyum atomu ile
kovalent ba kurarak kristalize yapy oluturur. D yrngedeki bu ba daha nce de anlatld gibi
kendini srekli tekrar eder. Her ne kadar bir atom d ortama kar ntr durumda olsa bile; son
yrngesindeki elektron dengelerini, yeterli miktarda kinetik enerji uygulamak koulu ile deitirmek
mmkndr. Kovalent badaki elektronlarn, badan koparak serbest duruma gemesi iin bir takm
etkilerin olmas gerekir. Bunlar;doal nedenler, foton eklindeki k enerjisi, ortamn s enerjisi gibi
etkilerdir. Oda scakl artlarnda yar iletkenlerin belirli saylarda serbest elektronlar bulunmaktadr.
rnein 1 cm3 z silisyum maddesinde 1,5 x 1010 adet serbest tayc elektron bulunur. z maddeler,
katklar minimum dzeye indirgemek iin retilen saf ( rafine ) maddelerdir. Ortam scakl arttka
kovalent balar oluturan serbest elektronlar,sl enerji toplayarak serbest duruma geer. Bundan
dolay elektron saysnda bir art gzlenir. Serbest elektron saysndaki bu art maddenin
iletkenliinin artmasna da neden olacaktr. Buna karn maddenin elektriki direncinde azalma grlr.
Bu durum iletkenler ile kyaslandnda ztlk gsterir. Bilindii gibi s art olduunda iletkenlerin
direnci de artmaktadr. Bunu u ekilde zetleyebiliriz: Yar iletkenler negatif scaklk katsaysna;
iletkenler ise pozitif scaklk katsaysna sahiptir. Bu da yar iletkenleri iletkenlerden ayran en nemli
zelliklerden birisidir.
3.1.3 SAF SLSYUMUN LETKENLNN ARTTIRILMASI
Buraya kadar incelen blmde elektronik alannda kullanlan iletken, yaltkan ve
yariletkenlerin snflandrlmas ve atomik yaplar incelenmitir. Konunun esasn oluturan yar
iletkenlerin incelemesi ise daha detayl verilmitir. Ancak elektronik alannda, uygulamaya ynelik
olarak kullanlabilecek yar iletkenlerin oluturulmas iin bir takm karmak ve kimyasal yntemler
gerekmektedir. Bu balamda saf bir silisyum elektronik alannda direkt olarak kullanlamaz. Konu
balnda da belirtildii gibi saf bir silisyumdan elektrik akm geirebilmek iin, ncelikle
iletkenliinin arttrlmas gerekmektedir. Bunun gerekletirilebilmesi iin silisyum maddesine katk
yaplmas gerekir. Bu katk malzemeleri, daha nce bahsedildii gibi antimon, galyum, arsenik, fosfor
gibi valans elektron says 5 olan elementlerdir. Bu katklar atom says baznda 10 milyonda 1 gibi
ok dk miktarlarda yaplmaktadr. Yar iletken maddelere katk yaplarak 2 tip malzeme elde edilir.
Bunlar:
1 N tipi yar iletken,
2 P tipi yar iletkenlerdir.
Daha nce de bahsedildii gibi elektronik uygulama alannda kullanlabilecek yar iletken materyalin
oluturulabilmesi iin, bu iki tip maddenin katk malzemelerinin de eklenerek hazrlanmas
gerekmektedir. Bu blmde ncelikle N tipi yar iletkenin oluumu incelenecektir.
3.1.4 N TP YARILETKENN OLUUMU
N tipi yar iletkenin oluumu, silisyum tabanna belirli ldeki katk malzemesinin
eklenmesiyle gerekletirilir. ekil 3.6da grld gibi silisyum tabanna valans elektron says 5
olan Antimon eklenmitir. Eklenen Antimonun 4 elektronu dier silisyum atomlar ile kovalent ba
oluturur. Ancak 5.elektron serbest kalarak kristal yapda asl kalr. Bundan dolay silisyumun
iletkenlii artm olur. Silisyum bu durumda fazla elektronu olduu iin ntr halden ykl duruma
geer. Fazla elektronu bulunduu iin d ortama kar negatif ykldr. Bu yzden bu oluuma N tipi
madde ad verilir.
Si
Si
Si
Antimon
katks
Antimonun
5.valans
elektronu
Si
Sb
Si
Si
Si
Si
ekil 3.6 N tipi yariletkenin meydana gelii
ekil 3.6da metin olarak anlatlan blm ekilsel olarak ifade edilmitir. Burada silisyuma
eklenen antimon atomuna donr ( verici ) ad verilir. Bunun nedeni antimonun fazla elektronunu
silisyuma vermesidir.
3.1.5 P TP YARILETKENN OLUUMU
P tipi yar iletken, saf silisyum kristaline 3 valans elektrona sahip katk atomlar eklenerek oluturulur.
Bu amala en sk kullanlan elementler boron, galyum ve indiyumdur. Bu elementlerden boronun
silisyum taban zerindeki etkisi ekil 3.7de grlmektedir. N tipi yariletkenin oluumu konusunda
anlatld gibi silisyum tabanna bir baka madde belirli oranda eklenmektedir.
Si
Si
Si
Boron
katks
Boluk
Si
Si
Si
Si
Si
ekil 3.7 P tipi yar iletkenin meydana gelii

ekil 3.7ye dikkat edildiinde, yeni oluturulan yapda kovalent ban tamamlanmas iin
yeterli sayda elektronun bulunmad grlecektir. Bunun nedeni boron atomunun varolan 3 valans
elektronu ile silisyum atomunun 4 valans elektronu arasnda kurulan kovalent ba yapsnda bir
elektronun eksik kalmasdr. Bu noktann elektron almaya ihtiyac bulunduundan bo kalmakta olup +
imgesi ile ifade edilir. P tipi maddede oluan bu boluklara oyuk ad verilir. Burada oluan yap
elektron eksiklii nedeniyle pozitif ykle yklenir. Meydana gelen yeni silisyum yaps elektron
eksiklii nedeniyle d ortamdan elektron almaya meyillidir. Bu tr yapya akseptr ( alc ) denir.
Oluan bu yeni yapya bu rgye P tipi yariletken ad verilir.
Buraya kadar anlatlan N ve P tipi yariletken oluturulmas konularnda ortaya kan iki nemli
sonu vardr. N tipi maddede, kristal yap ierisinde serbest kalan fazla elektronlar; P tipi maddede,
kristal yap ierisinde serbest kalan oyuklar oluur. Yani N tipi yariletkende ounluk akm tayclar
elektronlar; P tipi yariletkende ise ounluk akm tayclar oyuklardr. te bu ounluk akm
tayclar yar iletkenin ierisinden kontroll akm gemesine olanak salayan materyallerdir.
Dier yandan hem N tipi, hem de P tipi yar iletkenin iletkenlii arttrlrken yaplan katklama
ileminde valans seviyelerindeki enerji dalmnn dengesizlii nedeniyle N tipi yar iletkende ok az
miktarda oyuklar, P tipi yariletkende ise yine ok az miktarda elektronlar meydana gelir. Bunlara ise
aznlk akm tayclar denir. Ancak unutulmamas gereken nokta aznlk akm tayclarnn,
ounluk akm tayclarna oran ihmal edilebilecek seviyededir. ekil 3.8 a ve bde bu durum
ekilsel olarak ifade edilmitir.
Pozitif ykl iyonlar

( Donr yonlar )
ounluk akm
tayclar
Aznlk akm tayclar
Negatif ykl iyonlar

( Akseptr yonlar )
ounluk akm
tayclar
Aznlk akm tayclar
ekil 3.8-a N Tipi yar iletkende akm tayclar ekil 3.8-b P Tipi yar iletkende akm tayclar
Buraya kadar anlatlan blmde N tipi ve P tipi maddelerin oluturulmas incelenmitir.

Bundan sonraki aamada bu iki madde kullanlarak akmn kontroll geiini salayacak elektronik
devre elemanlarnn yapsal oluumu incelenecektir. Ancak bu aamaya gemeden nce P ve N tipi
yar iletken ierisindeki elektron ve oyuk hareketlerini iyi bilmek gerekir. Bu kapsamda ilk olarak
katk ile elde edilen,N tipi ve P tipi yar iletkene bir DC kaynak balanp; oluan deiimler
incelenecektir.
3.1.6 N TP YARI LETKENDE AKIM YN VE ELEKTRON HAREKET
Aznlk
akm
tayc
yn
E
I
N tipi
yariletken
( silisyum )
Serbest
elektronlarn
hareket
yn
( ounluk
akm tayc
yn )
ekil 3.9. N tipi yariletkende akm geii

N tipi yar iletkene bir gerilim uygulandnda, akm yn gerilim kaynann kutuplarna gre
yn deitirir. Bunun nedeni N tipi yariletkende mevcut olan ykl ounluk akm tayclarnn
gerilim kaynann kutbuna gre hareket etmesidir. ekil 3.9 dikkatle incelendiinde; S anahtar
kapandnda,gerilim kaynann kutbu yar iletken ierisindeki serbest elektronlar + kutba doru
itecei grlecektir. Bu akm hareketi daha nce de akland gibi ounluk akm taycs
elektronlarn hareketidir. Ancak N tipi madde ierisinde ok az oranda + ykl oyuklarn olutuunu
hatrlanrsa; bu oyuklarn akm yn de gerilim kaynann balan ekline gre elektron ak
ynnn tam tersi olacaktr. Yani - ykl elektronlar kaynan kutbu tarafndan itilerek +kutbu
tarafndan ekilecek; + ykl oyuklar ise + kutbu tarafndan itilerek - kutbu tarafndan ekilecektir.
Gerilim kaynann yn deitirildiinde akm ynleri ne olur?
***Bu konuyu snfta tartarak cevaplaynz.
3.1.7 P TP YARI LETKENDE AKIM YN VE OYUK HAREKET

P tipi yar iletkene bir gerilim uygulandnda, akm yn N tipi yar iletkende olduu gibi
gerilim kaynann kutuplarna gre yn deitirir. Bunun nedeni P tipi yar iletkende mevcut olan +
ykl ounluk akm tayclarnn gerilim kaynann kutbuna gre hareket etmesidir. ekil 3.10.
dikkatle incelendiinde; S anahtar kapandnda,gerilim kaynann kutbu yar iletken ierisindeki
serbest oyuklar kendine ekecei grlecektir. Bu akm hareketi ounluk akm taycs oyuklarn
hareketidir. Ancak N Tipi madde ierisinde ok az oranda + ykl oyuklarn olutuu gibi; P tipi
madde ierisinde de yine ok az oranda ykl elektron bulunabilir.
Aznlk
akm
tayc
yn
E
I
P Tipi
Yariletken
( Silisyum )
Serbest
oyuklarn
hareket
yn
( ounluk
akm tayc
yn )
ekil 3.10 N tipi yar iletkende akm geii

Dolaysyla bu elektronlarn akm yn de gerilim kaynann balan ekline gre oyuk ak
ynnn tam tersi olacaktr. Yani + ykl oyuklar kaynan kutbu tarafndan ekilerek +kutbu
tarafndan itilecek; - ykl elektronlar ise; kaynan - kutbu tarafndan itilerek +kutbu tarafndan
ekilecektir.
Gerek N tipi madde iindeki + ykl oyuklarn, P tipi madde iindeki - ykl elektronlarn ( aznlk
akm tayclarnn ) oluturduu akma sznt akm ad verilir. Bu akm asl devre akmna ters ynde
olup deeri ihmal edilebilecek kadar kktr.
Buraya kadar anlatlan blmde N tipi yar iletken ierisindeki ounluk akm tayc elektronlarn
hareketinin DC kaynan kutbundan + kutbuna; P tipi yar iletken ierisindeki ounluk akm tayc
oyuklarn hareketinin ise; DC kaynan + kutbundan - kutbuna hareket edecei unutulmamaldr. Ayn
zamanda ounluk akm tayclar asl devre akmn oluturmaktadr.
imdi ise iki farkl tip yar iletkenlerin birletirilerek kristal diyot oluumu incelenecektir.
3.1.8 P N YZEY BRLEMES VE KRSTAL DYOTUN OLUUMU

Daha nce de ksaca deinildii gibi diyot; elektrik akmn tek ynl olarak ileten elektronik
devre elemandr. Bu blmde diyotun nasl olutuu anlatlacaktr. ekil 3.11de katkl N ve P tipi iki
ayr maddenin yzey temas sonucunda elde edilen oluum grlmektedir. Bu oluuma Kristal Diyot
ad verilir.
ekil 3.11.a dikkatle incelenirse; P ve N tipi maddelerin birleim yzeyinde, hemen oluan bir
elektron oyuk alverii ve bundan kaynaklanan bir hareket balayacaktr. Bu hareket sonucunda, P
maddesindeki oyuklar N maddesine; N maddesindeki elektronlar da P maddesine geer. lk anda iki
maddedeki tm oyuk ve elektronlarn birleebilecei akla gelebilir. Ancak bu mmkn deildir. Bu
birleme ekil 3.11.bde grld gibi belli bir blgede oluur. Bu blgeye gerilim setti veya bariyer
ad verilir.
N tipi silisyum madde
P tipi silisyum madde
ekil 3.11.a P ve N tipi maddenin birletirilmesi ve elektron oyuk hareketi
N tipi silisyum madde
P tipi silisyum madde

Gerilim setti
( bariyer )
ekil 3.11.b P ve N tipi maddenin birletirilmesi sonucu kristal diyodun oluumu
Bu birleme sonucunda oluan gerilim settinde herhangi bir akm taycs kalmaz. Bunun nedeni
elektron ve oyuklarn bu bariyerin dna itilmeleridir. Oluan gerilim settinin kalnl 1 / 1000 mm.
( 1 mikron ) kadardr. Elektron ve oyuk hareketleri sonucunda, gerilim settinde bir potansiyel fark
oluur. Bu gerilim germanyum diyotta 0.2 0.3 Volt; silisyum diyotta ise 0.6 0.7 Volt civarndadr.
Bu oluum sonucunda P maddesinin birleim yzey taraf oyuk kaybedip, elektron kazanr.
Dolaysyla bu blgenin kutbu negatif olur. Diyotun bu tarafna Anot ad verilir. Ayn ekilde N
maddesinin birleim yzey taraf da elektron kaybedip, oyuk kazanr. Bu blgenin kutbu da pozitif
olur. Diyotun bu tarafna da Katot ad verilir. ki yzey arasndaki potansiyel fark, oyuklarn P
maddesini, elektronlarn da N maddesini terk etmelerine engel olur. Byle bir yapdaki malzemeden
akm geirebilmek iin dardan bir kaynakla gerilim uygulanmas gerekir. nk gerilim settinin
almas gerekmektedir. Bu koulun oluabilmesi iin kristal diyotun doru polarize (doru kutuplama)
edilmesi gerekir. nk elde edilen malzeme, akmn tek ynl gemesine olanak verir. Ters ynde
uygulanacak enerji diyotun ierisinden akm geirmeyecektir. Eer ters yndeki enerji uygulamas
belirli bir seviyenin zerine karsa diyot bozulur ( delinir ).
3.1.9 KRSTAL DYOTUN DZ KUTUPLANMASI ( DZ POLARMA )
ekil 3.12de P N eklemli kristal diyotun bir batarya yardmyla dz kutuplanmas
gsterilmitir.
N tipi silisyum
madde
Gerilim setti
( Bariyer )
E
I ( Devre akm )
-
P tipi silisyum
madde
ekil 3.12 Kristal diyotun dz kutuplanmas

ekil 3.12 dikkatle incelendiinde; diyotun P eklemi tarafna bataryann + kutbunun, N eklemi
tarafna da bataryann kutbunun baland grlecektir. P - N eklemine gerilimin verilmesinden
hemen sonra; P maddesindeki oyuklar bataryann + kutbu tarafndan, N maddesindeki elektronlar da
bataryann kutbu tarafndan birleme yzeyine doru itilirler.
Bu olayn sonucunda bariyer ( gerilim setti ) ortadan kalkar. Gerilim settinin ortadan kalkabilmesi
iin diyotun yapld maddenin zelliklerine dikkat etmek gerekir. Bu gerilim deerinin silisyumda
0.6 0.7 V. germanyumda ise 0.2 0.3 V. olduunu biliyoruz. Yani bu voltaj deerleri gerilim settinin
ortadan kalkmas iin gerekli voltajlardr. Gerilim settinin ortadan kalkmasyla birlikte elektronlar ve
oyuklar birleme yzeyinde birleirler.
N blgesinden gelerek P blgesindeki oyuklar dolduran her elektrona karlk, P maddesinde ortak
valans ban koparan bir elektron bataryann + kutbu tarafndan ekilir. Bu elektron bataryadan
geerek N blgesine girer. Bylece N blgesinin kaybettii elektronu karlam olur. Bu aklama tek
bir elektron ve oyuk iin geerlidir. Ancak P ve N blgesinde milyonlarca oyuk ve elektron
bulunduunun bilinmesi gerekir.
Bu ortamda oyuklar ntr hale geleceinden, bataryann + kutbu P maddesindeki ntr olan oyuk
kadar, ortak valans ban koparan elektronlar eker. Bu elektronlar bataryann ierisinden geerek N
maddesine girerler. Bu elektronlarn says N maddesinin P maddesi iine gnderdii elektronlar
kadardr. Bu durumda d devreden ok ynnde byk bir akm geer. Devre akmnn gemesine
kolaylk gsteren bu balant biimine Doru Ynl Polarma denir.
3.1.10 KRSTAL DYOTUN TERS KUTUPLANMASI ( TERS POLARMA )
Aznlk akm tayclar
N tipi
silisyum
Gerilim setti
Sznt akm yn
P tipi
silisyum
E
+
ekil 3.13 Kristal diyotun ters kutuplanmas

ekil 3.13de P N eklemli kristal diyotun bir batarya yardmyla ters kutuplanmas gsterilmitir.
ekildeki yapya dikkatle bakldnda bataryann kutbuna P tipi maddenin, + kutbuna da N tipi
maddenin baland grlecektir. Bu durumda gerilim verilir verilmez N tipi madde ierisindeki
serbest elektronlar bataryann + kutbu tarafndan, P tipi madde ierisindeki serbest oyuklar ise
bataryann kutbu tarafndan ekilir. Bu durum birleim yzeyinin genilemesine ve gerilim settinin
bymesine neden olacaktr. Dolaysyla d devreden herhangi bir akm geii olmayacaktr. Bu
durumda diyottan akm gemeyecei iin, diyot yaltkan olacaktr.
Ancak burada unutulmamas gereken bir nokta; daha nceki konularda bahsi geen aznlk
akm tayclarnn ters polarma durumunda ortaya kan etkisidir. P maddesindeki ok az saydaki
elektronlar ve N maddesindeki yine ok az saydaki oyuklar; diyot ierisinden asl devre akmna ters
ynde ve ok kk bir deerde akm geiine neden olur. Bu akma sznt akm denir. ou kez bu
akm ihmal edildiinden dikkate alnmaz. Bu durum ekilde gsterilmitir.
3.2.1 KRSTAL DYOT KARAKTERSTKLER
Buraya kadar anlatlan blmde kristal diyotun elde edilmesi, kimyasal yaps ve elektrik
akmna kar tepkisi incelenmitir. Bu blmde diyotun almas ve elektriksel karakteristik
zellikleri incelenecektir.
+ Id
Anot
Katot
letime geme gerilimi
Silisyum diyot
=
07V
Diyot Sembol
+ Vd ( Volt )
- Vd ( Volt )
4
0.7 1
Delinme ( krlma )
- Id
ekil 3.14 Diyot sembol ve silisyum diyot karakteristik erisi
ekil 3.14te diyota ait sembol ve karakteristik erisi verilmitir. Diyot sembolnde, bir uca anot
( P tipi madde ); dier uca ise katot ( N tipi madde ) ad verilmitir. Bundan sonraki blmlerde diyot
yukardaki sembol ile ifade edilecektir.
Diyot karakteristik erisine dikkat edildiinde 2 adet eksenin olduu grlecektir. Yatay eksen
voltaj eksenidir. Sa taraf + Vd ile adlandrlm olup; diyotun dz polarlandn ifade eder. Voltaj
ekseninin sol taraf ise Vd olup diyotun ters polarlandn ifade eder. Diyot dz kutuplandnda
belli bir noktaya kadar diyotun ierisinden akm gemedii veya ihmal edilebilecek kadar kk
deerde bir akm getii grlr. Ancak 0.7 Volt baraj geildiinde ( Bu gerilim silisyum diyot
iindir ) diyot iletken olarak devreden yksek bir akm geecektir. Bu akm + Id ekseninden
grlebilir. Bu yksek deerdeki akmn gemesi, diyotun iletken hale gelmesi demektir. Dier bir
deyimle doru polarmada diyot iletken olur. Ancak tamamen ksa devre olmaz. Bunun nedeni birleim
yzeyinde oluan bariyerdir. Bu nedenle diyotun dz polarmadaki i direnci birka ( ohm ) dur.
Diyot ideal dnldnde bu diren yok saylabilir. Ancak uygulamada bahsedilen diren her zaman
geerlidir.
Diyot ters polarize edildiinde; ierisinden ok kk deerdeki sznt akm hari herhangi bir
akm geii olmayacaktr. Bu durum karakteristik erisinin sol tarafnda grlmektedir. Vd diyotun
ters polarma altnda olduu gerilimi gsterir. Eriye dikkat edilecek olursa; belli bir gerilim deerine
kadar akm geii gzlenmemektedir. Bu durum diyotun daha nce de bahsedildii gibi en nemli
zelliklerinden birisidir. Yani diyot; dz kutuplandnda akm iletir, ters kutuplandnda ise akm
geirmez. Tek ynl akm iletimine izin veren bu yapdaki elemanlara yar iletken denmesinin nedeni
budur.
Ters kutuplamada dikkati eken bir nokta da delinme gerilimi ad verilen blgedir. Bu blge
tahmin edilecei gibi diyotun ters polarma altnda dayanabilecei snr gerilim deeridir. Eer bu
gerilim deeri alrsa diyot bozulur ( delinir ) ve bir daha almaz. Bu durum, karakteristik eride
akmn ters ynde sonsuza ulamas eklinde gsterilmitir. Her diyotun delinme gerilimi farkldr. Bu
deer eitli diyotlarda farkllklar gsterir. Bu yzden her diyota ait krlma gerilimi retici firmalarca
rn katalogunda belirtilmitir. Buradan da anlalaca zere diyotlarn kullanlabilmesi iin bir
isminin veya tantc numarasnn olmas gerekir. Her diyotun farkl zellikleri bulunmaktadr. Yani
voltaj ve ierisinden geen akm miktarlar, diyotlarn kullanm yerlerine gre seilmelerini
gerektirmektedir. Aada diyotlara ilikin tantm bilgileri tablo halinde verilmitir.
YAPILDII MADDE
TCAR SM
GERMANYUM
AX xxx veya OX xxx
SLSYUM
BX xxx veya 1N xxxx
Tablo 3.2 Diyot tantm bilgileri- 1

Tablo 3.2 incelendiinde iki maddeden yaplan diyotlarn alabilecei ticari tantm isimler
grlmektedir. Buradan anlalaca zere germanyum diyotlar A veya O ile, silisyum diyotlar ise B
veya 1N ile balamaktadr. kinci hane ise A, B gibi harflerdir ve diyotun alma zelliklerini gsterir.
xxx ile gsterilen haneler diyotun retim nolar olup her diyota ait bir seri nosu bulunmaktadr. Bu
nolar tm dnyada ayndr. Ancak gnmz teknolojisinde daha ok silisyum diyot kullanlmakla
beraber 1N xxxx serisi yaygndr. Burada bilinmesi gereken bir nokta vardr. Gelien teknoloji ile
zaman ierisinde germanyumun kullanmn azalrken, silisyumun kullanm artmtr. Hatta
gnmzde germanyumdan yaplan yar iletkenlerin kullanm, yok denecek kadar aza indirgenmitir.
Bunun nedeni silisyumun daha hzl ve kullanlan akm gerilim snrnn daha yksek olmasdr.
TERS YNL DYOT
Ge
22,5
15
150
150
OA 79
Ge
45
30
100
90
OA 85
Ge
100
90
150
75
BA 100
Si
60
60
100
200
BAY 32
Si
150
150
250
200
BY 100
Si
1250
800
7500
250
1N 4001
Si
50
30
1000
150
1N 4002
Si
100
50
1000
150
1N 4007
Si
1000
800
1000
150
AKIMI ( -Id ) (A )
OA 70
( Id ) ( mA )
150
DYOT AKIMI
100
DORU YNL
30
( VOLT )
45
GERLM (-Vd)
Ge
ZARARSIZ TERS
YAPILDII MADDE
AA 119
(-Vdm) ( VOLT)
DYOT ADI
MAX. TERS GERLM
Aada eitli diyotlara ait veriler grlmektedir.
Tablo 3.3 Diyot tantm bilgileri 2

Tablo 3.3de baz diyotlarn tantm bilgileri verilmitir. Grld gibi her diyotun kendine zg
alma gerilim ve akm deerleri bulunmaktadr. Kullanlacak devrenin tip ve amacna gre diyot
seimi yaplmaldr. Diyota uygulanacak gerilim ve diyot ierisinden geirilebilecek akmn dikkate
alnmas gerekmektedir. Bilindii gibi germanyum diyot, doru polarmada 0,2 Volttan, silisyum diyot
ise 0,7 Volttan hemen sonra iletime gemektedir. Doru polarmada dikkat edilecek nokta diyota
uygulanacak gerilim deil, zerinden geecek akm deeridir. Dolaysyla diyotun balanaca yk
deeri, diyot zerinden izin verilen snrdan fazla akm gemesine neden olmamaldr. Aksi takdirde
devre almayaca gibi ar akm ekilmesine ve bu da diyotun bozulmasna neden olacaktr.
Buraya kadar anlatlan blmdeki teorik bilgileri rnek diyot devreleri ile pekitirmek,
konunun anlalmas bakmndan yararl olacaktr. lk olarak diyot karakteristik erisinin
karlabilmesi iin gerekli devre incelenecektir.
3.2.2 DYOT KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI N GEREKL DEVRE

Diyot karakteristik erisinden de hatrlanaca zere diyotun doru ynl ve ters ynl akm
grafiini karabilmek iin 1. aamada diyot dz kutuplanmal; daha sonra da ters kutuplanmaldr.
1. DORU KUTUPLAMA
ekil 3.15 Silisyum diyot karakteristik erisi karma devresi ( Doru polarma )
Id (mA)
Doru ynde diyot

ierisinden geen
10
5
1.
1
0.
Doru ynde
diyotun iletime
geme gerilimi
0
0,2
0,3 0,4
0.7
Vd ( Volt )
ekil 3.16 Silisyum diyot karakteristik erisi ( Doru polarma )

Devrenin almas : ekil 3.15teki devre; bir adet DC gerilim kayna, bir adet ayarl diren, bir
adet diyot,bir adet diren, iki adet voltmetre ve bir adet ampermetre ile kurulmutur. Diyota uygulanan
gerilim ayarl diren yardmyla 0 V tan balanp belirli aralklarla artrlr. Bu aralk ok hassas
olduundan gerilim artlar 0,1 V gibi kk gerilim aralklar kullanlr. Gerilim, yava yava bu
yntemle arttrlrken; kaynak gerilimini veya toplam devre gerilimini gsteren 1. Voltmetre ve diyot
zerindeki voltaj ( Vd ) gsteren 2. Voltmetredeki deerler okunup kaydedilir. Yine diyota seri bal
ampermetre dikkatle takip edilerek her gerilim artnda diyottan geen akm llerek kaydedilir.
Akm lmleri karakteristik erinin dikey ekseni olan akm ( Id ) blmne; ikinci voltmetreden
okunan gerilim deerleri de ( Vd ) yatay eksene kaydedilir. Belirli bir noktaya kadar voltaj yavaa
artrlrken diyotun ierisinden geen akmn olduka dk seyrettii gzlenir. Ancak silisyum
diyotun eik gerilimi ( 0,7 Volt ) aldnda, diyottan geen akmn birdenbire artt grlr. te bu
nokta diyotun i direncinin azalarak iletime getii noktadr. Bu noktadan sonra diyot, bir anahtar gibi
kapanarak devreden maksimum akm gemesine izin verir. Bu noktaya kadar yaplan ilemlerin
rakamsal deerleri kaydedilerek ekil 3.16daki grafik izilir. Bu noktadan sonra devreden geen akm
devreye bal olan yk direncinin deerine baldr. nk kaynak geriliminin sadece 0,7 Voltluk
ksm diyot zerinde; dier ksm ise yk direnci zerinde dmektedir. rnein kaynak gerilimi
arttrlmaya devam edilip 20 Volta karlsn. Bu anda yk direnci zerinde;
UR = 20 0,7 = 19,3 Volt der.
Devreden geen akm da UR / R kadar olur.
Buraya kadar anlatlan blmden anlalaca zere; diyot doru ynde polarlandnda ( eik
gerilimi aldktan sonra ) iletken gibi davranr. Daha nce de anlatld gibi diyot ters polarmada ise
( belli bir gerilim deerine kadar ) yaltkan gibi davranr. imdi ters kutuplamadaki diyot karakteristik
devre ve grafik erisi konusu grlecektir.
Pratikte bir diyot hibir zaman ideal deildir ve aadaki gibi bir edeer devre ile gsterilir.
Id (mA)
10
Vd
07
Vd ( Volt )
ekil 3.17 Diyot edeer devresi ve rnek diyot karakteristii

Buradaki Vt gerilimi daha nce de anlatld gibi; diyotun iletime gemesi iin gerekli olan
eik ( threshold ) gerilimidir. Bu gerilim silisyum diyot iin 0,6 0,7 V, germanyum diyot iin ise 0,20,3Vtur. r ortalama direnci genelde bilgi olarak verilen birka saysal deer ile hesaplanabilir. Bu
sebeple, hesaplamalar iin tm karakteristie ihtiya yoktur.
Aadaki rnek, konunun anlalmas iin faydal olacaktr. ekil 3.17 de grld gibi
yariletken silisyum diyot iin Vd=1V, Id=10 mA dir. Karakteristik eri ykselmeden nce diyotun
iletime geebilmesi iin 0,7 Voltluk bir kayma sz konusudur.
Buna gre;
r ort =
Vd / Id =
1 0,7
= 30 . bulunur.
10 0
Dier yandan bir diyot devresinde; devreye uygulanan gerilime ve devrenin total direncine gre,
diyotun Vt ve r
ort
deerleri ok kk kalyor ise; Bu deerlerden biri veya her ikisi birden ihmal
edilebilir. Ancak gerekte bir diyotun gsterim ve ifadesi aadaki gibidir.
Normal diyot
Gerek edeer devre
ekil 3.18 Diyot edeer devresi ve rnek diyot karakteristii
2. TERS KUTUPLAMA
ekil 3.19 Silisyum diyot karakteristik erisi karma devresi ( Ters polarma )
-Vd( Volt )
-Vz
-10
-8
ekil 3.20 Silisyum diyot karakteristik erisi (Ters polarma )
ekil 3.19daki devre incelendiinde doru polarma devresi ile ayn balant olduu grlr.
Buradaki tek deiiklik diyotun yndr. Diyotun katodu anoda nazaran daha fazla pozitif
olduundan, daha nce de ayrntl olarak anlatld gibi diyot ters kutuplanmtr.
Dolaysyla kaynak gerilimi delinme gerilimine kadar arttrldnda diyot yaltkan olacandan
devreden herhangi bir akm geii olmayacaktr. Ancak P tipi ve N tipi maddelerin ierisinde ok az
denebilecek seviyedeki aznlk akm tayclar, sznt akmna neden olacaktr. Bu nedenle ihmal
edilebilecek bir akm geii delinme ( zener ) gerilimi noktasna kadar grlr. Bu durum ekil
3.20deki karakteristik eride grlmektedir. ekildeki grafiin elde edilebilmesi iin doru polarma
devresindeki ilemlerin benzeri uygulanr. Burada dikkat edilecek nokta Vz zener gerilimi geildiinde
diyotun zelliini yitirip bozulmasdr. Devre kurulup altrldnda bu ayrntya dikkat edilmelidir.
Diyotun tek ynl akm iletme zellii, elektronik devrelerde byk bir geliime neden olmutur.
Diyot; zellikle dorultucu devrelerde, anahtarlama devrelerinde kullanlmaktadr. Bu devreler daha
sonraki blmlerde ayrntl olarak grlecektir. Ancak voltaj dorultucu devrelerin yan sra,
elektronik devrelerin dzgn ve istikrarl almalarn salayan voltaj reglatrnn anlalmas iin
zener diyot ad verilen elemann renilmesi gerekmektedir. imdi voltaj reglatr ( dzenleyici )
zellii bulunan zener diyot incelenecektir.

3.2.3 ZENER DYOT
Hatrlanaca gibi, diyotun ters polarmas anlatlrken ters polarma voltajnn belirli bir deerinin
olduu anlatlmt. Ters polarmada alan diyot, ( Vz ) zener gerilim deerine kadar ierisinden bir
akm geirmez. Bu noktaya kadar diyot zerine uygulanan gerilim deeri ne olursa olsun ierisinden
geen akm ( ok dk olmak kaydyla ) miktar deimez. te diyotlarn bu zelliklerinden

faydalanlarak gelitirilen zener diyot; belirli bir gerilim deerine kadar voltaj reglasyonu yapma
zelliini tar. ekil 3.21 a ve b de zener diyotun en sk kullanlan sembolleri ekil 3.21.cde ise
edeer devresi gsterilmitir.
Vz
Anot
Anot
Katot
(a)
rd
Katot
(b)
(c)
ekil 3.21 En sk kullanlan zener diyot sembolleri

-Vd( Volt ) -VR
-VZ
0
Zener diyot akm

minimum snr
B
Zener diyot akm
maksimum snr
Reglasyon
blgesi
Akm
-Id
ekil 3.22 Zener diyot karakteristik erisi
ekil 3.22deki zener diyota ilikin karakteristik eri dikkatle incelenirse; normal diyotun ters
polarmadaki karakteristiine ok benzedii grlecektir. Zener diyot devreye ters balanr ve A B
blgeleri arasnda kalan reglasyon blgesinde kullanlr. A blgesindeki voltaj deeri; o diyota ait
normal alma gerilimidir. Bu anda zenere uygulanan gerilimde; VR deerine kadar olan deiim,
zenerden geen akmda byk bir deiim meydana getirir. Bu akmn deiim miktarna oranla
voltajda ok byk deiim meydana gelmez. Aradaki gerilim farknn akmda yapt bu etki, zenerin
i direncinin bu blgede byk deiim gstermesi anlamna gelir. Zenerin i direncini ayarlaya-
bilmesi zellii zerindeki voltaj sabit tutmasna neden olur. bu da; belli snrlarda voltaj reglasyonu
( dzenleyici sabitleyici ) yapma olana salar. Bu snr, her zener diyot iin farkl voltaj ve farkl %
gerilim reglasyonu anlamna gelir. % gerilim reglasyonu, o zenerin % ka gerilim reglasyonu
yapabileceini gsterir. rnein VZ = 10 V., % 5 etiketli bir zener diyotun VR yani maksimum
reglasyon voltaj deeri 10 x 0.05 + VZ = 10,5 Volt eklinde hesaplanr. Bu da zener diyotun zerine
uygulanan gerilim 10,5 Volta kadar karlsa dahi; zenerin zerindeki voltajn Vz =10 V. olarak sabit
kalaca anlamna gelir. Bu gerilim tolerans, daha nce de anlatld gibi zener diyotun i direncinin
deimesiyle ierisinden geen akmn o oranda artmas veya azalmasyla salanr. Zener diyota ilikin
daha detayl bilgiler, reglatrler konusunda zml rnek devreler zerinden anlatlacaktr.
BLM IV
YARILETKEN G KAYNAKLARI
4.1 GR
Btn elektronik devrelerin alabilmesi iin bir g kaynana ihtiyac vardr. Elektronik
devrelerde besleme gerilimi olarak DC gerilim kullanlmaktadr. Ancak, ehir elektrik ebekesinden
gelen ve prizlerden elde edilen genellikle 220 VAC, 50 Hz deerinde bir gerilimdir. Bu gerilim deeri,
elektronik devreler iin hem yksek hem de sinyal ekli deiken olup kullanlma bir gerilim deeridir.
Bu gerilimi elektronik devrelere uygulayabilmek iin, ncelikle gerilimi bir gerilim drc
transformotor yardmyla kullanlacak seviyeye drmek, daha sonra da AC sinyali DC gerilime
evirmek gerekmektedir. Bu ilemleri gerekletiren devrelere DC g kayna ad verilir.
Herhangi bir g kaynann salad g, kullanld devrenin yk ihtiyacn karlamaldr. Eer
yk kaynaktan daha gl ise; kaynan o yk altrmas mmkn deildir.
4.1.1 YARI LETKEN G KAYNAI PRENSPLER
AC
NPUT
Transformotor
Dorultma
Filtre
Voltaj
Reglatr
Voltaj
Blc
DC
OUTPUT
ekil 4.1 DC G kayna blok diyagram

ekil 4.1de bir DC g kaynann blok diyagram verilmitir. G kaynann alma prensibini
renebilmek iin blok diyagram yapsn iyice kavramak gerekir. AC Input ( AC giri ) gerilimi ehir
ebekesi voltaj 220 VAC 50 Hz.dir. Bu gerilim drc transformotorun giriine uygulanr.
Transformotorun primer ile sekonder sargs arasndaki orana gre, sekonder sargdan bir gerilim
alnr. rnein bu oran 18 : 1 ise 220 : 18 12 VAC olur. Bu gerilim dorultmaca uygulanr. Dorultmaca uygulanan AC gerilim burada tek ynl gerilime evrilir.
Dorultmata kullanlan diyotlarn zelliinden dolay, giriteki iki alternansa karlk tek
alternansn kna izin verilir. Dorultmacn amac adndan da anlalaca zere AC sinyali DC
sinyale evirmektir. Dorultma katnda kullanlan eitli dorultma tipleri vardr. Bunlar; yarm
dalga, tam dalga, kpr tipi dorultma olmak zere e ayrlr. Bu dorultma tipi konu bitiminde
ayrntl olarak incelenecektir.
Dorultma kndaki sinyal, DC genlii devaml deien palsler halindedir. Bu sinyale palsli
veya dalgal ( ripple ) DC sinyal denir. Byle bir DC sinyal, hibir elektronik cihaza uygulanamaz.
nk dalga ieren DC gerilim bu cihazlara zarar verebilir. Bu yzden DC gerilim zerendeki bu
dalgalanmalarn ( ripple ) en aza indirgenmesi veya sfrlanmas gerekmektedir. Bu ilem filtre
devrelerinde gerekletirilir. yi bir filtre devresi kndaki gerilim tam DC grnmndedir. Yani
dalgalanma sfra indirgenir.
G kaynana balanacak eitli yklerde, ekilecek akma karlk g kayna kndaki
voltajn sabit kalabilmesi iin filtre devresinin k voltaj reglatrne balanmaldr. Voltaj
reglatr, bu kat kndaki DC sinyal seviyesini, yk veya yklerden ekilecek akm deiimlerinden veya giri gerilimindeki voltaj deiimlerinden dolay oluacak seviye farklarn tolere ederek
k geriliminin sabit kalmasn salar.
Son kat olan voltaj blc kademesi ise; voltaj reglatr knda elde edilen sabit DC gerilimin
ihtiya duyulan gerilim seviyelerine blnmesi iin kullanlr. Yaygn olarak voltaj blc;
ykseltelerin veya sinyal reticilerin almas iin gerekli olan eitli deerlerdeki kaynak
gerilimlerinin salanmas iin kullanlr.
Bu aamadan sonra dorultma tipleri tek tek incelenecektir. Ancak dorultmalar konusu
ilenmeden nce AC sinyal bilgilerinin tekrarlanmasnda fayda grlmektedir. Hatrlanaca gibi AC
sinyal; pozitif ve negatif olmak zere iki alternanstan oluan ve bir periyot sren srekli bir dalga
eklidir.
+V
+V peak
+
_
-V peak
-V
ekil 4.2 AC sinyalin gsterimi
t (sn )
ekil 4.2de grld gibi alternatif akm, genlikleri eit ancak ynleri farkl iki alternanstan
olumutur. 0 izgisinin stnde kalan blgeye + alternans; altnda kalan blgeye de alternans denir.
ki alternansn toplamna ise periyot denir. Bu gerilimin zamana gre deiim hzna hatrlanaca
zere frekans ( 1 sn.deki periyot says ) denir. Herhangi bir AC gerilim tm olarak aadaki
matematiksel denklemle ifade edilir.
V ( t ) = V peak . Sin t veya V ( t ) = V peak . Sin 2ft
Bu denklem akm iin yazldnda aadaki gibi ifade edilir.
I ( t ) = I peak . Sin t veya I ( t ) = I peak . Sin 2ft
Bu denklemler AC gerilim veya akmn ani deer ifadesidir. Ancak voltmetrede okunan deer, AC
genliin DC edeeri olan efektif veya rms deeridir. Bu eitlik matematiksel olarak aadaki gibi
ifade edilir.
Veff = Vetkin = Vrms = Vpeak . 0,707
Bir voltmetreyi, uygun lme kademesine alp, ehir ebekesinin deerini ltmzde 220 Volt
deerini grrz. Bu gerilimin tepe ( peak ) deeri ise aadaki gibi hesaplanr.
V peak = 220 . 0,707 = 311,18 Volt.
Eer tepeden tepeye ( peak to peak ) gerilim deeri istenmi olsayd zm aadaki gibi hesaplanrd.
V peak to peak = 220 . 0,707 .2 = 622,36 Volt.
Bu hatrlatma bilgilerinden sonra yarm dalga dorultmacn incelenmesine geilecektir.
4.1.2 YARIM DALGA DORULTMA ( HALF WAVE RECTIFIER )
ekil 4.3te yarm dalga dorultma emas grlmektedir. Bu blmden itibaren elektronik
elemanlarnn kullanld devrelerin analizleri konusu arlk kazanacaktr. Bu nedenle, devrenin
alma prensibini ok iyi kavramak gerekir.
Transformotorun primerine uygulanan ehir ebekesi gerilimi, sekonder sargsnda istenilen voltaj
deerine indirgenir. Bu AC gerilim deeri ayn zamanda yaklak olarak DC k gerilimine eittir.
+
DC
IKI
_
Primer
sarg
Sekonder
sarg
ekil 4.3 Yarm dalga dorultma devre emas

Transformotorun primerine uygulanan AC gerilim, bu sarg zerinde bir manyetik alan oluturur.
Bu manyetik alan; sekonder sargnn sarm saysna gre bir gerilim indklenmesine neden olur.
Sekonderden elde edilecek AC gerilim deeri sekonder sarm says ile doru orantldr. Ykn
kullanaca DC gerilim deeri belirli olduundan, sekonderden elde edilecek AC gerilim bu deere
gre seilir. ekildeki transformotor zel bir tasarm rn olduundan primer ile sekonder arasnda
faz deiimi yoktur. Normal artlarda bir transformotorun primer ile sekonderi arasnda 180 faz fark
vardr. ekildeki devrede kullanlan transformotorun primer ve sekonderinin st noktalar + ile
belirtilmitir. Bunun anlam; primerin st ucundaki alternans ile sekonderin st ucundaki alternansn
ynleri ayn olmasdr.
Buna gre; ilk anda sekonderin st ucunda ( + ) alternans olduunu kabul edelim. Bu durumda
sekonderin alt ucunda otomatikman ( - ) alternans bulunacaktr. Buna gre diyotun anodu, katoduna
nazaran daha fazla pozitif olacandan; diyot iletken durumuna geecektir. Yani RL zerinde giriin (+)
alternans olduu gibi grlr. RL nin st ucu ( + ), alt ucu ise sfr pozisyonundadr.
Alternans deiiminde ise sekonderin st uc ( - ), alt ucu ise ( + ) olacaktr. Bu durumda diyotun
anodu, katoduna nazaran daha fazla negatif olacandan; diyot yaltma geecektir. Yani bu pozisyonda diyotun ierisinden hibir akm geii olmaz. Dolaysyla RL zerindeki gerilim dm sfr
seviyededir. Bu olaylar alternans deiimlerinde periyodik olarak devam eder.
Bir periyotluk blm incelenmesinin sonucu; devreye uygulanan alternatif akmn bir periyodundan
sadece tek alternansn ka yansd grlr. Dier alternansn geii diyot tarafndan engellenecek-
tir. kta ise tek ynl bir gerilim elde edilir. Bu gerilime dalgal DC gerilim ad verilir. Dorultma
ilemi tek alternansta gerekletirildii iin devreye de Yarm Dalga Dorultma ad verilir. Buraya
kadar anlatlan ilemlerin ekillerle ifadesi konuyu pekitirecektir.
+V
Transformotor
Giri gerilimi ( Primer )
Transformotor
k gerilimi ( Sekonder )
-V
+V
-V
+V
+
+
t
Dorultma
k gerilimi ( RL )
-V
ekil 4.4 Yarm dalga dorultucu Giri k ( nput Output ) sinyal ekilleri
ekil 4.4. teki sinyal ekilleri dikkatlice incelendiinde transformotorun primerine uygulanan AC
gerilimin, sekonder knda genlik olarak azald grlecektir. Bu noktada; transformotorun gerilim
drc olduu anlalmaldr. Sekonderden elde edilen dk genlikli AC gerilim yarm dalga dorultmaca uygulanp ktan sadece pozitif alternanslar alnmaktadr. Burada dikkat edilmesi gereken
dier bir nokta, diyotun balanma yndr. Referans olarak alnan sekonderin st noktasna diyotun
katodu balanm olsayd; ktan alnacak gerilimin yn tam ters olacakt. Yani DC k ( yk
direncinin ) st noktas ( - ) alternans olacakt. Burada, diyotun balant ekli kadar; k geriliminin
referans alnma noktas da nemlidir.
Konunun daha iyi anlalmas amacyla diyotun, pozitif ve negatif alternanslardaki davrann ayr
ayr incelemek faydal olacaktr.
D
I
ekil 4.5.a Giriin ( + ) alternansnda
ekil 4.5.b Giriin ( - ) alternansnda
Diyotun durumu
Diyotun durumu
ekil 4.5. a ve b de girie uygulanan alternatif akmn deien alternanslarna gre diyotun yar iletken
zellii devreye girmektedir. Yani diyotun anodu, katoduna gre ( eik geriliminden daha fazla bir
gerilim kadar ) pozitif olduunda diyot iletime geer. Dier bir deyimle iletken olur. ( ekil 4.5.a ).
Aksi takdirde diyottan herhangi bir akm geii olmaz. Bu durumda diyot yaltkan olur. ( ekil 4.5.b ).
Bilindii gibi yarm dalga dorultmacn kndan alnan gerilim dalgal DC dir. Bu tip gerilim
veya sinyal ekli, elektronik devrelerin salkl olarak almas iin uygun deildir. Yarm dalga
dorultmacn k gerilimi ortalama bir gerilimdir ve aadaki gibi ifade edilir.
VDC = VORT = 0,318 . VPeak
DC ye daha yakn bir gerilim istendii takdirde RL ularna filtre edici zellii bulunan bir devre
eleman ( kondansatr ) taklmas gerekir.
+
C
VDC OUT
-
+V
Filtresiz DC k
+V
+
Filtreli DC k
t=RL.C
ekil 4.6 Yarm Dalga Dorultma kna kondansatrn balanmas ve sinyal deiimi.
ekil 4.6da grld gibi yarm dalga dorultmacn kna bir elektrolitik kondansatr
balandnda; k geriliminin sinyal ekli ve genlii deimektedir. Bu deiimin nedenini
anlayabilmek iin kondansatrn alma prensibini bilmek gerekir. Elektrik Bilgisi dersinden veya
daha nce ile-nen konulardan da hatrlanaca zere; kondansatr tek ynl gerilime kar depolama
zellii gsterir. Devredeki kondansatre dikkat edilecek olursa; devre kndaki RL yk direncine
paralel baland grlecektir. ktaki Pozitif alternans balangc annda ( kondansatr bo iken )
sinyalin ykselmesiyle, kondansatr de arj olmaya balar. Bu arj, sinyalin max. (V
peak
) noktasna
kadar devam eder. Daha sonra giri gerilimi doal periyodundan dolay kondansatr arj geriliminden
daha dk seviyeye der. Bu istenmeyen durum, kondansatr zerindeki arjl gerilim yardmyla
geici bir sre iin ortadan kalkar. Kondansatr bu noktada zerindeki gerilimi dearj etmeye balar.
Bu anda devrede sadece paralel R C devresi kalr. Kondansatr yk direnci zerinden dearj olur. Bu
sre ekil 4.6 da da grld gibi t = RL .C kadardr. Kondansatrn deeri ne kadar yksek olursa
dearj sresi o oranda artar. Bu da devre k geriliminin daha fazla DC ye yakn olmasn salar.
k geriliminin olabildiince ripplesz ( dalgasz ) olmas dorultmalarda en ok aranan zelliktir.
Yarm dalga dorultmacn kna her ne kadar byk deerli filtre konulsa dahi gerek DC gerilim
elde edilemez. nk sadece tek alternansta dorultma ilemi yaplr. Dier alternansn seviyesi
kondansatrle ykseltilmeye allmas yeterli deildir. Bu ilem Tam Dalga Dorultma ile
yapldnda k gerilimi, DC ye daha yakn olur. imdi bu devre incelenecektir.
4.1.3 TAM DALGA DORULTMA ( FULL WAVE RECTIFIER )
I1
VDC OUT
I2
ekil 4.7 Tam Dalga Dorultma devre emas

ekil 4.7 de tam dalga dorultma devresi grlmektedir. ncelikle bu devrenin, yarm dalga
dorultma ile farklarn gzden geirmek gerekir. lk olarak bu devrede; orta ulu transformotorun
kullanld ve tek diyot yerine iki diyotun kullanld dikkati ekmektedir. Orta ulu transformotorun
k ucu vardr. st ula orta u aras, birinci AC kayna; alt ula yine orta u aras da ikinci AC
kayna ifade etmektedir. Yani orta u, ortak ( common ) olarak kullanlmaktadr. Bilindii gibi
transformotorun sekonder sargsnn st ve alt ular arasnda 180 faz fark bulunmaktadr. st uta
pozitif alternans olduu anda, alt uta negatif alternans bulunmaktadr. Orta u potansiyel olarak 0
Volttur.
lk anda sekonderin st ucunun pozitif olduunu var sayalm. Bu durumda alt u negatif olacaktr.
Dolaysyla D2 diyodu tkama ynnde polarize olur. Yani D2 diyodu yaltmda olup, zerinden akm
gemez. Ancak bu alternans sresince D1 diyodunun anodu, katoduna nazaran daha pozitiftir.
Dolaysyla D1 diyodu bu anda iletken olur. Devreden geen I1 akm RL ve D1 zerinden geerek
tekrar transformotorun 1. sargsna ular. Bu anda RL zerinde, st u ( + ) olacak ekilde bir gerilim
dm olur. Bu gerilim dm kta tek ynl bir gerilimin elde edilmesini salar.
Alternans deitiinde sekonder sargsnn st ucu ( - ), alt ucu ise ( + ) olur. Bu anda bir nceki
durumun tam tersi gerekleir. Yani D2 iletime geerken, D1 yaltkan olur. Bu anda devreden I2 akm
akar. I2 akmnn yn de I1 akm ynnde olur. RL zerindeki gerilim dm yn; bir nceki
alternanstaki gibi st u ( + ) olacak ekildedir. Dolaysyla giri geriliminin her alternansnda
devreden k almak mmkn olmaktadr. Alternans deiimi her ne olursa olsun, devredeki
diyotlardan birisi iletime geeceinden k gerilim seviyesi, yarm dalga dorultma kna oranla 2
kat genlikte olmakla birlikte; k gerilimi DC ye daha yatkn olacaktr. Bu teorik bilgiler aadaki
sinyal ekilleriyle desteklendiinde konunun anlalmas daha kolay olacaktr.
+V
Transformotor
Giri gerilimi ( Primer )
Transformotor
k gerilimi ( Sekonder )
-V
+V
-V
st u
Alt u
+V
+
-V
D1
D2
D1
D2
Dorultma
k gerilimi ( RL )
ekil 4.8 Tam Dalga Dorultma devresine ait giri k sinyalleri.
ekil 4.8deki sinyal ekiller incelendiinde tam dalga dorultma devresi knda, giri sinyalinin her alternans iin k geriliminin alnd grlecektir. Tam dalga dorultmacn k sinyali ile
yarm dalga dorultmacn k sinyali kyaslandnda; yarm dalgadaki tek alternanslk kn
yaratt dezavantajn, tam dalga dorultmata giderildii sonucuna varlmaktadr.
Hatrlanaca gibi, yarm dalga dorultma devresinin k sinyal seviyesini DC ye daha
yaklatrmak amacyla, devre kna bir kondansatr balanmt. Ayn filtre sistemini tam dalga
dorultma kna da uygulamak mmkndr. Elde edilecek yeni devre ekli ve sinyal ekilleri ekil
4.9 da gsterilmitir.
I1
C VDC OUT
I2
+V
Filtresiz DC k
+V
Filtreli DC k
t=RL.C
ekil 4.9 Tam Dalga Dorultma kna kondansatrn balanmas ve sinyal deiimi.
Devre kna filtre eleman ( kondansatr ) balandktan sonra k sinyalinde meydana gelen
deiim ekil 4.9 da grlmektedir. Tam dalga dorultmacn k sinyali; DC ye daha yakn
olduundan elektronik devrelerde kullanmak iin yarm dalga dorultmaca oranla daha kullanldr.
Buraya kadar incelenen dorultma devrelerinin dnda, Kpr Tip Dorultma ad verilen bir
dorultma eidi daha vardr. Kpr tip dorultmacn k sinyali ile tam dalga dorultmacn k
sinyali biim olarak ayn olmasna karn, akm kapasiteleri farkldr. Kpr tip dorultmacn dier bir
fark ise; orta ulu transformotor kullanlmasna gerek olmaydr.
4.1.4 KPR TP DORULTMA ( FULL WAVE BRIDGE RECTIFIER )
I1
D4
D1
D3
D2
+
-
DC OUT
I2
ekil 4.10 Kpr tipi dorultma devre emas.

eki1 4.10 da kpr tipi dorultma devresi grlmektedir. Bu dorultma, tam dalgada olduu
gibi giriin hem pozitif hem de negatif alternanslarnda k verir. Dolaysyla sinyal k ekli tam
dalga dorultma ile ayndr. Bu yzden sinyal ekilleri tekrar verilmeyecektir. Daha nce de
belirtildii gibi kpr tip dorultmacn,tam dalga dorultmaca gre avantajlar:
1- Akm kapasitesinin daha yksek olmas,
2- Orta ulu transformotor yerine tek sargl sekonder kullanmasdr.
Devrenin alma prensibi ise, tam dalga dorultmaca benzerdir. lk anda sekonderin st ucuna ( + )
alternansn geldiini kabul edelim. Bu durumda D1 ve D3 iletken, D2 ve D4 ise yaltkan olacaktr. Bu
alternansta akm ( I1 ), D3 - RL D1 elemanlarndan geerek devresini tamamlar. Bu akm RL zerinde
st u ( + ) olacak biimde DC gerilim dmne neden olur. Alternans deiiminde faz 180
dneceinden sekonderin st ucu ( - ), alt ucu ise ( + ) olacaktr. Bu durumda D4-D2 diyotlar iletimde,
D3D1 diyotlar ise yaltmda olacaktr. Bu anda akm ( I2 ), D4 RL - D2 zerinden devresini
tamamlar. Bu akm RL zerinde bir nceki akm ynnde gerilim dmne neden olur. Dolaysyla
giriteki her alternansa karlk ktan tam dalga DC k salanr. ka konulan kondansatr daha
nce de anlatld gibi filtre ilemi yapar. k geriliminin DC ye daha yakn olmasn salar.
Buraya kadar ilenen konularda dorultma prensipleri verilmitir. AC gerilimi DC gerilime
eviren bu devreler, btn elektronik devrelerinin beslemesinde kullanld iin ok nemlidir.
Hatrlanaca zere dorultucu kndaki ripplelar filtre etmek amacyla kondansatr kullanlmaktadr. Ancak tek bana bir kondansatr iyi bir filtre ilemi gerekletiremez. Filtre ilemi iin
eitli devreler tasarlanmtr. Bu blmde filtre devreleri ayrntl olarak incelenecektir.
4.2 FLTRE DEVRELER

Dorultmalar konusu verilirken filtre eleman olarak kullanlan kondansatrn, devre k
zerindeki etkisi ve nemi ekillerle ifade edilmiti. Bu filtre tr pratikte ok sk uygulanmasna
ramen gerekte yeterli kalmamaktadr. Ancak byk sistem, cihaz ve elektronik devrelerin besleme
katlarnda iyi bir filtre sisteminin kullanlmas gerekmektedir. Bu balamda incelenmesi gereken
balca iki tip filtre vardr. Dier filtreler bu iki filtrenin trevidir.
4.2.1 L TP FLTRE DEVRES
ekil 4.11 L tipi filtre devresi

ekil 4.11de dorultma kna uygulanabilecek bir filtre devresi grlmektedir. Devre adn,
bobin ve kondansatr elemanlarnn birbiriyle balant ekillerinin L harfine benzemesinden dolay
almtr. Devrenin alma prensibinin z, bobin ve kondansatrn AC ve DC ye verdikleri tepkidir.
Bu prensipten ve eski bilgilerden faydalanarak devrenin alma prensibini anlamak ok daha kolay
olacaktr.
Devrenin yapsna dikkat edilecek olursa, dorultma k filtrenin giriine balanacak ekilde
tasarlm yaplmtr. Bilindii gibi dorultma knda elde edilen DC gerilim tam dz olmayp
dalgalanmalar gstermektedir. Bu dalgalanmalar devre kna balanacak ykn iyi ve verimli
almasn engeller. Hatta ykn zarar grmesine de neden olabilir. Devrenin giriinde bulunan L
bobini DC seviyenin zerendeki dalgalanmay AC olarak alglar. Bilindii gibi bobin AC ye zorluk
gstermektedir. Bu nedenle bobin DC zerindeki ripple seviyesine arj olur ve bu enerjiyi depolar.
Ayn zamanda dalgalanmann ka aktarlmasn engeller. Dolaysyla bobinin knda sadece DC
seviye grlr. Bobin prensip olarak DC yi geirip AC ye zorluk gsterdiinden bobin knda dz
DC ye yakn bir enerji grlr. ktaki kondansatr ise AC yi geirip DC ye zorluk gsteren bir
devre elemandr. Yke paralel baland iin DC seviye zerinde kalan ok kk bir AC enerjinin
aseye akmasn salar. Kendi zerindeki DC nin maksimum seviyesine arj olur. ktaki RL
bilindii gibi yk temsil eder. Ykten ekilen akm miktarna gre devre yk beslemi olur.
+V
Filtresiz DC k
+V
Basit Filtreli DC k
( Tek kondansatrl )
t=RL.C
+V
Tam Filtreli DC
k ( L Tipi )
ekil 4.12 L tipi filtre giri k sinyalleri

4.2.2 TP FLTRE DEVRES
ekil 4.13 tipi filtre devresi

ekil 4.13te tipi filtre devresi grlmektedir. Devrenin alma prensibi L tipi filtreyle ayndr.
Fark olarak bu devrenin giriinde bir kondansatr daha konulmutur. Dolaysyla daha iyi bir filtreleme
ilemi gerekletirilir. Prensip olarak L tipi filtreden farkl olmad iin almas ksaca anlatlacaktr.
Giriteki C1 kondansatr ile ktaki C2 kondansatr daha nce de anlatld gibi DC seviyenin
zerindeki AC salnmlar aseye aktarr. L1 bobini ise bu salnmlarn gemesine izin vermeyerek bu
enerjiyi depolar. Dolaysyla kta L tipi filtrede olduu gibi DC ye yakn bir gerilim alnr. k
sinyal ekli, L tipi filtre devresiyle ayn olduundan bu izim tekrarlanmamtr.
4.3 DYOT DEVRELER
Bu blmde diyotlarn dorultmalar dnda, hangi devrelerde etkin olarak kullanld anlatlacaktr. Bu devrelerin genel ad gerilim deitirici veya gerilim ekillendiricidir.
Elektronik devre tasarm ve uygulamalarnda gerilim limitleyici ( krpc ), gerilim oaltc gibi
devreler, genellikle diyotlarla gerekletirilir. Bu devrelerin incelenmesi, diyotlarn alma prensibini
kavramak asndan ok yararl olacaktr. Bu balamda ilk olarak gerilim limitleyici (krpc) konusu,
rnekli olarak verilecektir.
4.3.1 GERLM LMTLEYC DEVRELER
Gerilim limitleyici devre denince, akla girie uygulanan AC veya DC gerilimin krplmas veya
gerilim seviyesinin azaltlmas gelmelidir. rnek olarak aadaki devrenin almas incelendiinde
konunun anlalmas daha verimli olacaktr.
10Vpeak
AC Sinyal
Girii
D1
Si
D2
Si
+
5V
2V
-
ekil 4.14 Gerilim limitleyici devresi.

ekildeki devrenin k sinyalinin nasl bulunaca rneklenerek anlatlacaktr. ncelikle devrede
kullanlan elemanlarn zelliklerini bilmek gerekir. Bilindii gibi Si. Diyot 0.7 Volttan sonra iletime
geer.
D1 diyodunun katoduna + 5 VDC gerilim, D2 diyodunun anoduna ise 2 VDC gerilim uygulanmtr. Yani her iki diyot ta tkama ynnde polarize olmutur. Bu diyotlarn iletime gemeleri
devrenin k gerilimini deitirecektir. ( Eer diyotlardan her ikisi de, hibir zaman iletime gemezse
k gerilimi 30 Vpp AC olacaktr. Ancak devrenin almas incelendiinde byle olmad
grlecektir.
AC kaynan st ucunun ( + ), alt ucunun ise ( - ) olduunu varsayalm. Bu durumda D2 diyodunun
anodu sabit -2 Volt, katodu ise ( deiken ) tepe gerilimi + 10 Vp. olan gerilimle polarize olduundan
iletime geme olasl yoktur. Dolaysyla bu alternansta, bu koldan hi akm gemeyecektir. D1
diyodunun olduu dier koldaki durum ise biraz daha farkldr. D1 diyodunun katodunda sabit + 5
VDC gerilim, anodunda ise ( deiken ) tepe gerilimi + 10 Vp. olan bir gerilim mevcuttur. Diyodun
iletime gemesi iin anodun, katoda gre daha fazla pozitif olmas gerektiini biliyoruz. Giriin +
alternans 0 dan balayp zaman iinde sinssel deitiine gre 5 Voltluk sabit kaynan deerine
ulancaya kadar diyot yaltmda kalacaktr. 0.7 Voltluk eik gerilimi de bu deere eklenirse D1 diyodu
5.7 Volta kadar iletime gemez. Bu ana kadar k girii geriliminin aynsdr. nk her iki kol da
ak devre gibidir. Ancak deiken giri gerilimi 5.7 Voltu getii anda D1 diyodu iletime geer. Bu
andan sonra kta +5 Voltluk DC gerilim gzlenir. nk giri gerilimi D1 zerinden ksa devre olur
ve ka yansmaz. Deiken giri gerilimi doal periyodu nedeniyle + 5.7 Volttan aa tekrar
dtnde; D1 diyodu tekrar yaltkan olur. k yine deiken giri gerilimini takp eder.
Alternans deiiminde st u ( - ), alt u ise ( + ) olacaktr. Bu durumda D1in bulunduu kol
tamamen yaltkan olacaktr. Anoduna deiken kaynan ( ) alternans, katoduna ise sabit + 5VDC
gerilim geldiinden tkama ynnde kutuplanr. Dolaysyla D1in iletime geme olasl ortadan
kalkmtr. Dier kolda ise alternans deiikliinden dolay durum da deimitir. D2 diyodunun
anodunda sabit 2 Volt, katodunda ise ( deiken ) tepe gerilim 10 Vp. olan bir gerilim vardr. Biraz
nce yaplan basit matematiksel hesab bu kola da uygularsak; D2 diyodunun giriin 2 + 0,7 = 2,7
Volttan sonra iletime geeceini bulabiliriz. nk bu gerilim deerinden sonra D2nin katodu
anoduna gre daha fazla negatif olacandan iletime geecektir. Bu andan sonra kta sabit 2 Volt
DC grlecektir. Ancak giri geriliminin deiiminden dolay gerilim deeri 2.7 Volttan daha az
negatif deere ulatnda D2 tekrar yaltkan olacandan, k yine girii takip edecektir. Bu
anlatmlarn ekilsel gsterimi ekil .4.15te verilmitir. ekil dikkatle incelendiinde girie uygulanan
AC gerilimin, diyotlar yardmyla limitlendii grlr. Zaten devre adn bu limitleme ( krpma )
dolaysyla almtr.
Eer devredeki diyotlar ideal olarak kabul edilseydi; eik gerilimi 0 Volt olarak alnacakt. O zaman
diyodun iletime gemesi iin sadece doru polarma verilmesi yetecekti. 0.7 Voltluk eik gerilimi
dikkate alnmam olacakt. Pratikte ou kez eer devre gerilimi yksek ise eik gerilim ihmal
edilebilir.
GR
+ 10V
t
- 10V
IKI
+5.7 V
t
-2.7 V
ekil 4.15 ekil 4.14teki gerilim limitleyici devresinin k sinyali.

4.4 GERLM OALTICI DEVRELER
Elektronik devrelerin her blmnde, ayn besleme gerilimleri kullanlmaz. Baz noktalarda daha
yksek veya daha dk gerilimler gerekebilir. Bu amala DC gerilim seviyesi deitirilebilir. DC
gerilimin drlmesi gerilim blme yntemi ve diren eleman kullanmak suretiyle ok basite
yaplabilir. Ancak DC gerilimin ykseltilmesi zel diyot devreleri ile mmkndr. Bu nedenle diyot
kondansatr kombinasyonu ieren devreler tasarlanmtr. Bu devrelerden gerilim ikileyici ve leyici
konular srasyla aktarlacaktr.
4.4.1. GERLM KLEYC DEVRES
ekil 4.16 Gerilim ikileyici devre
Gerilim ikileyici devresi; ekil 4.16da grld gibi, iki diyot ile k gerilimine seri bal iki
kondansatrden olumaktadr. Devre aslnda kondansatr filtreli iki adet yarm dalga dorultmacdr.
AC giriin pozitif alternansnda; D1 diyodu iletime geerek, C1 kondansatrn arj eder. Bu esnada
D2 diyodu yaltm durumundadr. Giri sayklnn negatif alternansnda ise; bu kez D2 diyodu C2
kondansatrn arj eder. Bu esnada da D1 diyodu yaltm durumundadr. Sonuta C1 ile C2
kondansatrlerinin ular arasndaki toplam arj gerilimi, giri gerilimi tepe deerinin iki katna eit
olur. Voltaj ikileyici devresinin kndan bu ekilde yksek k voltajnn alnabilmesi
kondansatrlerin seri olarak ve birbirlerinin yklerine eklenecek ynde arj olmalar ile mmkn
olmaktadr. Bu tip gerilim ikileyicilerde ekilen yk akm kondansatrlerin dearj akmna baldr.
Devreden ekilen akm miktar k geriliminin deerini belirler. k geriliminin uzun sre
korunabilmesi amacyla, uzun bir dearj zaman elde etmek iin devredeki kondansatr ve diren
deerleri yksek seilmelidir.
Gerilim katlayclarda kullanlan temel prensip;alternatif giri geriliminin her bir alternansnda
devredeki her bir kondansatrn arj olmasdr. Bu seri bal arj gerilimleri, yk tarafndan akm
ekilmesiyle seri bal kondansatrlerden dearj olur.
4.4.2 GERLM LEYC DEVRES
ekil 4.17 Gerilim leyici Devre emas.

Alternatif giri geriliminin negatif alternansnda yani; st u negatif, alt u pozitif olduunda, D2
diyodu C1 kondansatrn, D3 diyodu da C3 arj eder. Pozitif alternansta ise yani; st ucun pozitif,
alt ucun negatif olduu durumda, D1 diyodu iletime geer. C1 kondansatrndeki arj geriliminin
dearj olmak suretiyle pozitif alternansa eklenmesi C2 yi giri geriliminin iki kat byklkte bir
gerilime arj eder. C2 ve C3 deki gerilimler birbirine eklenir. Sonu olarak kta giriteki alternatif
gerilimin maksimum deerinin kat byklkte bir DC gerilim elde edilir.
4.4.3 KIRPICI VE KENETLEYC DEVRELER

4.4.3.1 BAST KIRPICI DEVRELER
Aadaki ekillerde verilen devrelerin alma prensiplerini anlatnz. k sinyal ekillerini
defterlerinize iziniz.
V
v0
vi
vi
v0
v0
vi
V
vi
v0
vi
ekil 4. 18 Basit Krpc Devreler
v0
4.4.3.2 BAST KENETLEYC DEVRELER
V
vi
v0
vi
v0
vi
v0
ekil 4. 19 Basit Kenetleyici Devreler

4.5.1 ZENER DIYOTLA YAPILAN REGLATRLER
Zener diyodun en sk grlen kullanm n gerilimle ve karlatrmaya ynelik sabit bir referans
gerilimi salamaktr. Bilindii gibi zener diyotlarn kullanm amac; zerlerinde sabit bir gerilim
tuttuklar iin; sabit bir k gerilimi elde etmektir. Yani zener diyotla yaplan reglatrlerin k
dalga ekilleri; Tam Dalga Dorultmalara gre; daha sabit ve daha dzgn bir yapya sahiptir. Bu da
bize daha gvenli bir alma(referans) gerilimi salar.
rnein Vi veya RLdeki deiimlere kar yk zerinde sabit bir VZ gerilimi salamak iin
tasarlanm olan ekildeki devreyi ele alalm. Burada gz nnde bulundurulmas gereken iki durum
sz konusudur: Birincisi giri geriliminin sabit olup RLnin deiecei ve dierinin ise RLnin sabit
olup Vinin deiecei durum. Bu iki durum da ayr ayr ele alnacaktr.
Sabit Vi, Deiken RL, VZ kayma gerilimi dolaysyla Zener diyodunun ak durumda olmasn
salayacak belirli bir diren deeri (ve bu nedenle yk akm) aral olacaktr. RL dk deerde
olursa, VZden daha dk VL gerilimine yol aacak ve Zener diyodu kapal durumda bulunacaktr.
+
+
Vi
ekil 4.20 Zener Diyot Uygulamalar

Zener diyodu altracak minimum yk direncini (ve dolaysyla maksimum yk akmn)
belirlemek iin basite alttaki ekilde gsterildii gibi Zener diyodu kartn ve VL=VZlik bir yk
gerilimine yol aacak RL deerini hesaplayn. Yani;
V L = VZ =
RLVi
RL + RS
Gerilim blc kuralndan; ve RL iin zersek:
R Lmin =
RS VZ
Vi VZ
elde ederiz.
Yukarda elde edilen RLden byk her diren deeri, Zener diyodunun almasn salayacaktr ve
artk diyot VZ kaynak edeeriyle ekilde gsterildii gibi deitirilebilir.
IL
Vi
+
RL
VL
-
IRS
Vi
IZ
VZ
ekil 4.21 Zener Diyot Uygulamalar
+
-
+
RL
VL
-
Yukarda birinci denklemde tanmlanan koul minimum RL yaratr; ancak maksimum IL
VL
V
= Z
R L I Z min
I Lmax =
diyot bir kere ak (alr) duruma getikten sonra RS zerindeki gerilim;
V RS = V V Z
ile sabit kalr ve IR
I RS =
V RS
RS
ile sabit kalr.
Zener akm,
IZ = IR IL
Bu da IR sabit olduu iin IL maksimumken minimum bir IZye ve IL minimumken maksimum bir IZye
yol aar.
Daha nceden de renildii zere IZ; IZM ile snrl olduundan RLnin ve dolaysyla ILnin deer
araln etkilemektedir.
IZ yerine IRM konulursa minimum IL,

I Lmin = I RS I ZM
olarak bulunur.
Ve maksimum yk direnci de
R Lmax =
VZ
I Lmin
eklinde bulunur.
Sabit RL, Deiken V; birinci ekildeki devrede RLnin sabit deerleri iin V gerilimi zener
diyodunu altracak byklkte olmaldr. altrma gerilimi,
VL = VZ =
ve
V min =
RLVi
R L + RS
( RL + RS )VZ
RL
ile bulunmaktadr.
Maksimum V deeri, maksimum zener akm IZM ile snrldr. IZM=IR-IL olduundan
I Rmax = I ZM I L
IL, VZ/RLde sabit ve IZM maksimum IZ deeri olduu iin, maksimum V;
Vimax = I Rmax RS + VZ
ile tanmlanr.
ekilde grlen devre iin

a) VRLyi 10V tutacak RL ve IL araln bulun ?
b) Diyodun bir reglatr olarak maksimum g anma deerini bulun?
IR
IL
IZ
Vi=50V
VZ=10V
IZM=32mAV
RL
ZM :
a) Zener diyodu alr duruma getirecek RL deerini hesaplamak iin yaplacak ilem:
R Lmin =
RS VZ
(1k )(10 ) = 10 x10 3 = 250
=
Vi VZ
50 10
40
Daha sonra RS direnci zerindeki gerilim ise:
VRS = Vi - VZ = 50 10 = 40 V
ve IRSde:
I RS =
V RS
RS
40
= 40 mA
1k
Ardndan minimum IL deeri de:
ILmin = IRS IZM = 40 32 = 8 mA

Maksimum RL deeri:
R Lmax =
VZ
10
=
= 1.25k
RLmin 8 mA
VLye karlk RLnin grafii aadaki gibidir:

VL
10V
RL
250
1.25k
(a)
Pmax = VZ IZM
b)
=(10) (32mA) = 320 mW

VL
10V
IL
8 mA
40 mA
(b)
BLM V
TRANSSTRLER
5.1 GR
Transistrler, yariletkenler bahsinde deinildii gibi elektroniin gelimesinde nemli bir rol
oynamaktadr. Transistrn bulunmas ile zellikle elektronik haberleme alannda ok byk
gelimeler salanmtr. Gnmz bilgisayar teknolojisinin temelinde de transistr yer almaktadr. Bu
nedenle bran ne olursa olsun iyi bir teknisyen veya operatr dzeyindeki teknik personel, salam bir
transistr bilgisi almak zorundadr. nk elektroniin temel mant transistrdr. Elektroniin
elektrikten ayrlan en nemli yan transistr mantdr. Temel olmas itibariyle bu konuya gereken
nemin verilmesi gerekmektedir.
Transistrler yapsal bakmdan eitlilik gstermesine karn alma prensipleri ayndr. Yapsal
olarak temelde 4e ayrlrlar.
1. Nokta temasl transistrler,
2. Yzey temasl transistrler,
3. Alam yntemiyle yaplan transistrler,
4. Alaml yaylma yntemiyle yaplan transistrler.
Bu yntemlerden daha temel ve gncel olan yzey temasl transistrlerdir. Bu nedenle dier
yaplar zerinde durulmayacaktr. Transistr, yapsal anlamda temel olarak iki tiptir. P.N.P. ve N.P.N.
diye ayrlan transistrlerden ncelikle P.N.P. tipi transistr incelenecektir. Diyotlarn oluumu konusu
anlatlrken P ve N tipi maddelerin oluumu ve yzey temas bilgileri detayl olarak verildiinden,
transistrlerin yaps ve alma prensibi daha iyi anlalacaktr.
5.1.1 P.N.P. TP YZEY BRLEMEL TRANSSTRLER
Yaklak olarak 0,025 mm. kalnlnda ok ince N tipi bir silisyum paras, iki P tipi silisyum
paras arasna, sandvi gibi sktrlrsa P.N.P. tipi transistr meydana gelmi olur. Diyot oluumu
konusunda ilendii gibi, P tipi madde iinde serbest oyuklar bulunmaktadr. Oyuklarn hareketi,
elektron hareket ynnn tersine dorudur. ( +dan ye ) N tipi silisyum ise,pozitif olarak iyonize
olmu katk atomlar ile, hareketli serbest elektronlardan meydana gelmitir. Serbest elektronlarn
hareket yn ise, oyuk hareketinin tam tersidir. (den +ya ) ekil 5.1.de A, B, C paracklar olarak
gsterilen paracklarn tm silisyumdur. Her para birbirinden farkl ve yzey temasl olarak
birletirilmitir.
Emitter ( Yayc )
P
Base ( Taban )
N
Collector (Toplayc)
P
ekil 5.1 PNP tipi transistrn oluumu.

P.N.P. tipi bir transistrde P maddelerindeki oyuk says, N tipi silisyumda bulunan elektron
saysndan yaklak yz kat fazladr. nk base ( beyz okunur ) kalnl ok kktr. Bundan
dolay DC gerilim altnda E ve C blgelerindeki oyuklarn yaratt akm iddeti, B blgesindeki
elektronlarn yarataca akm iddetinden daha byk olur. nk P.N.P. tipi transistrlerde ounluk
akm tayclar ( + ) ykl oyuklar, N.P.N. tipi transistrlerde ise ( - ) ykl elektronlardr. ekil
5.1deki E blgesine Emitter ( Yayc ), B blgesine Base ( Taban ), C blgesine de Collector
( Toplayc ) ad verilmitir. ekil 5.1deki yap incelenirken blge blge ele alnmas konunun
anlalmasn kolaylatracaktr. ncelikle E B blgelerini inceleyelim.
E-B arasndaki P N blgesine gerilim uygulanmamtr. Bu halde iken E blgesi oyuk bakmndan, B blgesi de elektron bakmndan zengindir. P N birleim yzeyinde, birleme anndan
hemen sonra elektron oyuk al verii balar. B blgesindeki yzeye yakn elektronlar hzla E
blgesindeki oyuklar doldururlar. Bundan dolay burada bir ntr blge oluur. Bu blgede diyotlar
konusunda bahsedildii gibi gerilim setti meydana gelir.
E B blgesinde oluan olaylar aynen B C blgesinde de tekrarlanr. Dolaysyla her iki birleim
yzeyinde gerilim setleri meydana gelir. Bu gerilim setlerinden E B birleim yzeyinde olana e1, B
C blgesinde olanna da e2 ad verilir. e1 ve e2 gerilim setleri potansiyel fark gerilimi asndan
birbiriyle eittir. Ancak ynleri birbirine zttr.
Transistrn bu yaps, herhangi bir gerilim uygulanmaz ise deiiklie uramaz. Ancak
transistrn altrlmas iin polarma gerilimi uygulanmas gerekmektedir. Transistre gerilim
uygulanmadan nce dikkat edilmesi gereken noktalar vardr. Transistre uygulanacak ters gerilim,
transistrn bozulmasna neden olur. ekil 5.2de P.N.P. tipi transistrde oluan gerilim setleri ve
polarma uygulama ekli gsterilmitir.
+Vbb -
Emitter ( Yayc )
P
e1
e2
Collector (Toplayc)
P
Base ( Taban )
N
Vcc -
ekil 5.2 P.N.P. tipi transistrde gerilim setti oluumu ve dz kutuplama .

ekil 5.2de bir P.N.P. tipi transistre doru polarma uygulan grlmektedir. P.N.P. tipi
transistrn doru polarize edilebilmesi iin emiter beyz blgesini ayr, beyz kollektr blgesini de
ayr polarlamak gerekir. Vcc gerilim kayna transistrn emiter kollektr beslemesini salar. Vbb
gerilim kayna ise emiter beyz birleim yzeyinin polarmasn salar. Beyz blgesi emiter ve
kollektrden daha ince bir yapya sahip olduundan Vcc > Vbb seilmelidir. nk silisyumda gerilim
settini ortadan kaldrmak iin 0,7 Volt seviyesi yeterlidir. Vbb kayna emiter beyz blgesindeki
gerilim settinin ortadan kalkmasn salar. Bu gerilim setti ortadan kalktnda Vbbye oranla daha
byk olan gerilim kayna Vccnin etkisiyle ( + ) ykl oyuklar birleim yzeyine doru itilirler.
Vccnin ( - ) ucu da kollektre baldr. Dolaysyla ( + ) ykl oyuklar iletken duruma geen her iki
birleim yzeyini aarak kollektre bal Vccnin ( - ) ucu tarafndan ekilir. Ancak emiterden yaylan
oyuklarn kollektre ulaabilmesi iin, her iki gerilim settinin de ortadan kalkmas gerektii
unutulmamaldr.
Emiterden yaylan oyuklarn yaklak olarak % 5i beyze bal Vbbnin ( - ) tarafndan, %95i de
kollektre bal Vccnin ( - ) ucu tarafndan ekilir. Bu oyuk hareketi transistr ierisindeki ounluk
akm tayclarnn yaratt etkidir. Beyzden geen oyuklar beyz akmn ( Ib ), kollektrden geen
oyuklar ise, kollektr akmn ( Ic ) meydana getirir. Bu nedenle transistr ierisindeki akm dalm
I E = I c + I b eklinde ifade edilir.
Bunun anlam, kollektr akm ile beyz akmnn toplam her zaman emiter akmna eit olur demektir.
Bu anlatm ekil 5.3te detayl olarak gsterilmitir.
ekil 5.3 Transistrde akm dalm.

P.N.P. tipi transistre dz polarma uygulandnda ekil 5.3teki akm dalm gzlenir. Ancak
transistre ters polarma uygulandnda, transistrden herhangi bir akm geii olmaz. Bunu transistre
ters polarizasyon uygulayarak grmek mmkndr.
e1
e2
ekil 5.4 P.N.P. tipi transistrn ters polarizasyonu.

ekil 5.4te P.N.P. tipi transistrn ters polarma altnda altrlma ekli grlmektedir. ekil
dikkatle incelendiinde transistre uygulanan besleme gerilimi ynnn ters olduu grlecektir.
Vccnin ( - ) kutbu emitere, ( + ) kutbu ise kollektre balanmtr. Emitere verilen ( - ) gerilim,
emiter blgesindeki ( + ) ykl oyuklar kendisine eker. Oyuklarn ak yn birleim yzeyinin ters
ynne doru olur. Dolaysyla gerilim setti normal halinden daha fazla byr. Vccnin kollektre
bal ( + ) ucu ise ( + ) ykl oyuklar birleim yzeyine doru iter. Dier yandan Vbbnin Beyze bal
( + ) ucu da bu oyuklar tekrar birleim yzeyi dna itmeye alr. Ancak birinci birleim yzeyinde
meydana gelen gerilim setti ok bydnden ters ynde oyuk ak gerekleemez. Eer Vccnin
deeri ok fazla arttrlrsa, transistr zerinde oluan elektriki alan etkisinden dolay ters ynde byk
bir akm oluur ki, bu da transistrn bozulmas anlamna gelir.
Ters polarizasyonda P ve N madde ierisindeki aznlk akm tayclar nedeniyle ok kk
miktarda sznt akm denilen akmn akmas mmkndr. Bu akm deeri ihmal edilebilecek
seviyededir.
5.1.2 N.P.N. TP YZEY BRLEMEL TRANSSTRLER
P.N.P. transistrde olduu gibi, yaklak olarak 0,025 mm. kalnlnda ok ince P tipi bir silisyum
paras, iki adet N tipi silisyum paras arasna, sandvi gibi sktrlrsa N.P.N. tipi transistr
meydana gelmi olur. Bilindii gibi N tipi madde ierisinde, ounluk akm taycs olarak serbest
elektronlar bulunmaktadr. Elektronlarn hareketi, oyuk hareket ynnn tersine dorudur. (den
+ya) Bilindii gibi P tipi silisyumda ise, ounluk akm taycs olarak ( + ) ykl oyuklar
bulunmaktadr. ekil 5.5.te N.P.N. tipi transistrn oluumu grlmektedir.
Emiter ( Yayc )
N
Vbb
Beyz ( Taban )
P
e1
Kollektr ( Toplayc )
N
e2
Vcc
ekil 5.5 N.P.N. tipi transistrn oluumu.
P.N.P. tipi transistrde olduu gibi, N.P.N. transistrde de birleim yzeylerinde gerilim setleri
oluur. Bilindii gibi bu gerilim setlerinin yok edilebilmesi iin gereken gerilim potansiyeli, silisyum
maddelerde 0,7 Volttur. Transistrn iletime geebilmesi iin ekil 5.5te grlen doru
polarizasyonun yaplmas gerekir. Emiterdeki ve kollektrdeki ounluk akm tayclar ( - ) ykl
elektronlar olduu iin, doru polarma eklinde emitere ( - ), kollektre ise ( + ) gerilim
uygulanmaldr. Beyze ise emitere gre ( + ) polarma verilmelidir. Bu polarma ekline gre
transistrn almasn inceleyelim.
Emiterdeki negatif ykl serbest elektronlar, Vccnin ( - ) kutbu tarafndan birleim yzeyine doru
itilir. Vbbnin etkisiyle gerilim setti ortadan kalkarak, emiterden itilen elektronlarn geiine olanak
salanr. Kollektr beyz arasndaki gerilim setti de Vccnin etkisiyle ortadan kalkar. Emiterden
yaylp birleim yzeylerinden geerek kollektre ulaan elektronlar kollektre bal Vccnin ( + )
kutbu tarafndan ekilir. Bylece transistr ierisinden akm geii salanm olur.
N.P.N. tipi transistrn ters polarma altnda almas, P.N.P. tipi transistrde olduu gibidir. Bu
nedenle tekrar ekille gsterim yaplmayacaktr. N.P.N. transistrn ters bayaslanabilmesi iin; emiter
kollektre gre ( + ), beyz ise emitere gre ( - ) kutuplanmaldr. Bu durumda gerilim setleri normalden
daha fazla byyecektir. Bu nedenle transistr ierisinden herhangi bir akm geii olmayacaktr.
P.N.P. transistrde olduu gibi, emiterden yaylan ounluk akm tayclarnn meydana getirdii
akm miktar, kollektr ile beyz akm miktarnn toplamna eittir. Hem P.N.P. tipi, hem de N.P.N. tipi
transistrde beyz akm ile kollektr akm arasnda belirli bir oran bulunmaktadr. Ayn zamanda beyz
akm, kollektr akmn kontrol eder. Bu yzden transistr, kk akm ile byk akmlar kontrol
etme olana salayan vazgeilmez bir elektronik devre elemandr.
5.1.3 N.P.N. TP
TRANSSTRDE BEYZ AKIMIYLA KOLLEKTR AKIMININ
KONTROL EDLMES
Vbb
-
B
E
N
EMTER
IE
BEYZ
IB
KOLLEKTR
IC
Vcc
ekil 5.6 N.P.N. tipi transistrde akm dalm
ekil 5.6da N.P.N. tipi transistrn akm dalm ve potansiyel seviye grafii grlmektedir.
Bilindii gibi transistr dz kutuplandnda, emiterden kollektre doru bir akm meydana
gelmektedir. Bu akm seviyesi, birleim yzeylerindeki gerilim setlerine uygulanan Vbb polarmasna
baldr. Vbbnin gerilim seviyesi beyz akmn etkilemektedir. Beyz akmnn bymesi ise hem
gerilim settinin daha fazla klmesine, dolaysyla kollektr akmnn artmasna neden olur. Dier bir
deyile, birleim yzeyinin akm gemesine izin verme oran ne kadar arttrlrsa ( bu Vbbye
arttrmakla mmkndr ), kollektr akm o oranda artar. Bu iliki ekil 5.6daki grafikte
grlmektedir.
Buradan karlacak en nemli ve en kullanlr sonu; beyz emiter arasna uygulanan polarmann
potansiyel byklnn beyz akmn, beyz akmnn da kollektr akmn etkilediidir.
Transistrlerde bu zelliin kefedilmesi, elektronikte akm kontrol olanan salamtr. Bu
gelime, birok alanda transistrlerin kullanlmasna neden olmutur.
5.2 TRANSSTR SEMBOLLER
C
B
ekil 5.7
P.N.P. Transistr sembol
N.P.N. Transistr sembol
ekil 5.7de her iki tip transistrn sembolleri verilmitir. P.N.P. transistrde, emiterdeki okun ieri
doru; N.P.N. transistrde ise emiterdeki okun dar doru olduuna dikkat edilmelidir. Transistr
ierisinden geen akmn yn, emiterdeki ok ynnn tersidir.
5.3 TRANSSTR BAYASLAMALARI
Buraya kadar ilenen konularda transistrn yaps ve oluumu incelenmitir. Ancak transistrn
hangi amala ve nasl kullanlaca bundan sonraki aamalarda incelenecektir.
Genel olarak transistr, zayf akm ykseltmesi ve sinyal ekillendirilmesi ilemlerinde kullanlr.
Bunun ilemlerin gerekletirilebilmesi iin transistrn uygun ekilde bayaslanmas ( kutuplanmas )
gerekir. Bu nedenle ncelikle P.N.P. ve N.P.N. tipi transistrlerin dz ve ters kutuplama biimleri
gsterilecektir.
5.3.1 P.N.P. TP TRANSSTRN DZ BAYASLANMASI
RC
IC
RB
IB
VCC
IE
VN
VBB
ekil 5.8
P.N.P. Transistrn dz kutuplanmas.
ekil 5.8de P.N.P. tipi transistrn dz kutuplanmas grlmektedir. Devre dikkatle incelendiinde transistrn emiterine Vccnin (+), kollektre de (-) kutbunun baland, ayrca beyz-emiter
arasndaki Vbbnin (-) kutbunun beyze, (+) kutbunun da emitere baland grlecektir. Bu
balantlar gerekletirildiinde transistr dz kutuplanm olacaktr. Bu durumda transistr ierisinde
ve d devredeki akm dalm ekilde gsterildii gibi olur. Emiterbeyz arasna uygulanan dz
polarma bu blgedeki oyuklar birleim yzeyine doru iter. Ayn zamanda bu polarma emiter-beyz
blgesindeki gerilim settini ortadan kaldrr. Bu blgenin ortadan kalkmas sonucunda emiterden
yaylan oyuklar beyz blgesine, oradan da kollektr blgesine geerler. Beyz-kollektr jonksiyonu
bilindii zere ters polarlanmtr. Vccnin (-) kutbu kollektre bal olduundan; emiter blgesinden
itilen oyuklar bu kutup tarafndan ekilir. Bu olay transistrn kollektrnden bir akm gemesine
neden olur. Ayn zamanda Vbb kaynann (-) kutbu beyze bal olduundan bu kaynak, beyz
zerinden bir akmn gemesine neden olur. Bu akma da beyz akm denir.
Transistr ierisinden geen akmlarn dalm daha nce de bahsedildii gibi;
IE = I B + I C
eklinde olur.
Formlden de anlalaca zere transistrde en byk akm emiterden geer. Kollektr akm beyz
akmnn yaklak olarak 95 99 katdr. Bunun nedeni transistre sinyal giriinin genellikle beyzden
yaplmasdr. ekil 5.8.de girie uygulanan AC sinyal kayna, bu balant biimini gstermek iin
konulmutur.
5.3.2 P.N.P. TP TRANSSTRN TERS BAYASLANMASI
RC
RB
VCC
VN
VBB
ekil 5.9
P.N.P. Transistrn ters kutuplanmas.
ekil 5.9 da PNP tipi transistrn ters kutuplanmas grlmektedir. Transistrn kollektrne VCC
bataryasnn, beyze ise VBB bataryasnn (+) kutbu balanmtr. Emitere ise VCC ve VBB kaynann (-)
kutuplar baldr.
Bu durumda emiterdeki ounluk akm tayclar olan oyuklar, birleim yzeyi yerine VBBye gre
daha byk potansiyeli bulunan VCC tarafndan ekilir. Bu nedenle emiter bir emisyon (yaym)
retemez. Birleim yzeyi geniler ve gerilim setti byr. Bu nedenle emiterden beyz veya kollektr
blgesine doru herhangi bir akm geii olmaz. Transistrn kollektr blgesinde bulunan oyuklar ise
birleim yzeyine doru itilirler. Ancak kutuplama yn ters olduundan ihmal edilebilecek seviyede
deeri olan sznt akmndan baka bir akm geii olmaz. Sznt akm daha nceki konularda
bahsedildii gibi asl devre akmnn ters ynne doru akar. Ancak bu akmn deeri ok kk
deerlerde olduundan yok kabul edilir.
Bu gelimeler sonucu gerilim setti iyice genileyeceinden beyzden de herhangi bir akm geii
olmayacaktr. Eer kutuplama gerilim ters gerilim seviyesinden daha st bir seviyeye karlrsa;
transistr delinir. Bu da transistrn bir daha kullanlamayaca anlamna gelir.
Burada akla u soru taklabilir :
Ters polarmada transistrden akm gemiyor ise neden byle bir balant ekli yaplyor?
Bunun yant transistrn sadece doru bayasta deil, alma esnasnda ters bayasta da
bulunabileceidir. Bu tip alma ilerideki konularda anlatlacak olup; transistrn tkama ynnde
altrlmas terminolojisiyle bahsedilecektir. Ancak ters gerilim snrnn almamasna dikkat etmek
gerekmektedir.
5.3.3 N.P.N. TP TRANSSTRN DZ BAYASLANMASI
RC
IC
RB
IB
VN
VCC
VBB
IE
ekil 5.10 N.P.N. Transistrn dz kutuplanmas.

ekil 5.10da N.P.N. tipi transistrn dz kutuplanmas grlmektedir. Devre dikkatle
incelendiinde transistrn emiterine Vccnin (-), kollektre de (+) kutbunun baland, ayrca beyzemiter arasndaki Vbbnin (+) kutbunun beyze, (-) kutbunun da emitere baland grlecektir. Bu
balantlar gerekletirildiinde transistr dz kutuplanm olacaktr. Bu durumda transistr ierisinde
ve d devredeki akm dalm ekilde gsterildii gibi olur. Emiter beyz arasna uygulanan dz
polarma bu blgedeki elektronlar birleim yzeyine doru iter. Ayn zamanda bu polarma emiter-beyz
blgesindeki gerilim settini ortadan kaldrr. Bu blgenin ortadan kalkmas sonucunda emiterden
yaylan elektronlar beyz blgesine, oradan da kollektr blgesine geerler. Beyz-kollektr jonksiyonu
bilindii zere ters polarlanmtr. Vccnin (+) kutbu kollektre bal olduundan; emiter blgesinden
itilen elektronlar bu kutup tarafndan ekilir. Bu olay transistrn kollektrnden bir akm gemesine
neden olur. Ayn zamanda Vbb kaynann (+) kutbu beyze bal olduundan bu kaynak, beyz
zerinden bir akmn gemesine neden olur.
Sonu olarak N.P.N. tipi transistrn doru ynde kutuplanmas, transistr ierisinden geen
akmlarn ayn zamanda d devreden gemesine de neden olur. Dz polarma kurulumunda, P.N.P.
transistrde olduu gibi N.P.N. transistrde de akm dalmlar ayn olup, akm ynleri birbirinin 180
zt ynndedir.
Her iki transistr balantsnda d devreye balanan direnler transistrn uygun seviyede
kutuplanmas amacyla balanmtr. rnein RC direncinin RB direncinden daha kk olaca ilk
etapta hemen akla gelmelidir. Bunun nedeni kollektr akmnn, beyz akmndan daha byk
olmasdr. Dier bir neden de VCCnin VBBden byk seilmesidir. Bunlar bir transistrn doru
ynde kutuplanmasnn en genel koullarndandr.
5.3.4 N.P.N TP TRANSSTRN TERS BAYASLANMASI

RC
RB
VCC
VN
VBB
VBB
ekil 5.11 NPN tipi transistrn ters kutuplanmas

ekil 5.11 de NPN tipi transistrn ters kutuplanmas grlmektedir. VCC bataryasnn (-) kutbu
kollektre, VBB bataryasnn (-) kutbu ise beyze balanmtr. Emitere ise VCC ve VBB kaynann (+)
kutuplar baldr. Bu noktadan sonra alma prensibi P.N.P. transistrn ters kutuplanmas
konusunda anlatld gibidir.
N.P.N. transistrn ters kutuplanmas sonucu, emiterdeki ounluk akm tayclar olan
elektronlar, birleim yzeyi yerine VBBye gre daha byk potansiyeli bulunan VCC tarafndan ekilir.
Bu nedenle emiter bir emisyon ( yaym ) retemez. Birleim yzeyi geniler ve gerilim setti byr. Bu
nedenle emiterden beyz veya kollektr blgesine doru herhangi bir akm geii olmaz. Transistrn
kollektr blgesinde bulunan oyuklar ise birleim yzeyine doru itilirler. Ancak kutuplama yn ters
olduundan ihmal edilebilecek seviyede deeri olan sznt akmndan baka bir akm geii olmaz.
Yine P.N.P. transistrn ters kutuplanmasnda anlatld gibi; eer kutuplama gerilimi ters gerilim
seviyesinden daha st bir seviyeye karlrsa; transistr delinir.
Ters kutuplama esnasnda devreden herhangi bir akm geii olmadndan devre emasnda akm
dalmlarna ilikin herhangi bir izim yaplmamtr.
BLM VI
TRANSSTRL YKSELTELER
6.1 GR
Buraya kadar ilenen konularda elektronikte kullanlan pasif ve aktif devre elemanlar tantlmtr.
Bilindii gibi pasif devre elemanlar diren,bobin ve kondansatr, aktif devre eleman olarak yar
iletkenler anlatlmtr. Temel yar iletken olarak ta diyot ve transistrler renilmitir. Elektronikte
dk akml bir sinyali ilemek, sinyali ykseltmek, ekillendirmek iin ncelikle temel yar iletkenler
kullanlr. Elektronik devrelerin temelini ise ykselteler oluturmaktadr. Dolaysyla ncelikle bu
konu ayrntl olarak incelenecektir.
Giri Sinyali
Amplifier ( Ykselte )
k Sinyali
ekil 6.1 Temel ykselte blok diyagram

ekil 6.1de temel ykselte blok diyagram grlmektedir. Prensip olarak bir ykselte, giriine
uygulanan sinyalin frekansnda bir deiiklik yapmadan, genliini veya akmn deitirir. Genel
olarak ykseltelerde sinyalin genlii veya akm ykseltilir. Genlik ykseltme olay genellikle
amplifierlerin giri blmnde, akm ykseltme olay ise amplifierlerin k blmlerinde yaplr.
nk amplifierlerde genel prensip nce dk genlikli sinyalin amplitdn ykseltip, daha sonra
akmn kuvvetlendirerek gerekli gce erimektir. Bu balamda ncelikle genlik ykselteleri
incelenecektir.
6.1.1 TRANSSTRL YKSELTELER

Transistrl ykselteler bal altnda incelenecek konuda ilk olarak transistr zellikleri
incelenecektir. nk ok kk genlikteki ( Vlar seviyesi ) sinyallerin deiik seviyelere ykseltilebilmeleri iin byle bir elemann zelliklerinin iyice kavranmas gerekmektedir.
6.1.2 TRANSSTRN I. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI
Ykseltelerde kullanlacak transistrlerin grafik analizlerini ve devrenin hesaplamalarn yapmak
amacyla karakteristik erilerin karlmas gerekir. Bu analizin yaplabilmesi iin aadaki devrenin
iyice zmsenmesi, konunun anlalmasn kolaylatracaktr. Bir transistre ait 4. Blge karakteristik
erisi mevcuttur. ncelikle I. blgeye ait eriler karlmas konusu verilecektir.
T1
VCE
VBE
ekil.6.2 Temel transistrl ykselte DC analiz emas

ekilde temel transistrl ykselte devresi analizinin yaplabilmesi iin gerekli devre emas
grlmektedir. T1 transistrnn N.P.N. seilmesinin nedeni akm yolunun kolay takip edilebilmesi ve
sk kullanm zelliidir. Devreye dikkat edildiinde VCC ve VBB kaynaklarnn ayarl olduu
grlecektir. Bunun nedeni transistre ait karakteristik erilerin deiik voltaj ve akmlarda
karlabilmesi iindir. Devrenin alma prensibini anlayabilmek iin ncelikle transistrn
kutuplanmasna bakmak gerekir. Bilindii zere N.P.N. tipi transistrn doru ynde polarlanmas iin
kollektr, emitere gre ( + ) olmaldr. Ayn zamanda beyz de emitere gre ( + ) olmaldr. Bu durumda
emiter elektron yaymaya balayabilir. Bu elektronlarn az bir blm beyz akmn, ounluu ise
kollektr akmn oluturur Beyz akm ile kollektr akm arasnda her transistrn yapsna gre
deien bir katsay vardr. Buna akm kazanc ad verilir. Akm kazanc deiik kaynaklarda veya
hFE ad ile verilebilir. Konularn ilerleyen blmlerinde akm kazanc daha ok olarak
kullanlacaktr. Matematiksel olarak transistr ierisindeki kollektr akm ile beyz akmnn ilikisi
aadaki gibidir. =
IC
Bu oran konunun ilerleyen blmlerinde daha fazla alacaktr.
IB
Matematiksel ilikiden yorumlanaca zere transistrn beyzindeki akm deiiklii otomatik

olarak kollektr akmn da dorusal olarak etkileyecektir. Ancak bu etkileme belirli alma sahasnda
gerekleebilir. Bu sahann belirlenebilmesi iin transistrn akm erilerini karmak gerekir. Bu
ilemin gerekleebilmesi iin ncelikle VCC sabit tutulur. VBB adm adm deitirilerek bu deiim
hem M1, hem de M2 ampermetrelerinden dikkatlice takip edilir. Sonu olarak I. Blge Karakteristii
ad verilen eriler elde edilir.
IC
( mA )
IB DEERLER
120 A
12
100 A
10
80 A
60 A
40 A
20 A
10 A
2
0 A
0
1
10
VCE ( Volt )
ekil.6.3 Transistre ilikin I. blge karakteristik erileri

ekil 6.3te transistre ait I. blge karakteristikleri ad verilen eriler grlmektedir. Erilerin
kartlmas iin ekil 6.2deki devre kullanlmtr. IB akm deerleri M1 ampermetresinden, IC akm
deerleri de M2 ampermetresinden okunur. Karakteristik erinin karlabilmesi iin VBBnin adm
adm arttrlarak her akm lmnden nce sabit braklmas gerekmektedir. Bu srada VCC yava
yava arttrlr ve ampermetre ve Voltmetrelerden gerekli deerler alnr.
Erilerin karlmas ilemine VBB = 0 V. yaplarak balanr. Bu anda VBB gerilimi eik geriliminin
( Si iin 0.6 Volt ) altnda tutulduu iin transistr iletime gemez. Bu esnada VCC ne kadar arttrlrsa
arttrlsn, IB ve IC akm deerleri sfr olacaktr. Daha sonraki admda VBB kayna bir miktar
arttrlarak sabit braklr ve VCC kayna yava yava ykseltilir. Her ykseltilen voltaj deerinde VCE,
IB ve IC deerleri ilgili metrelerden okunur. VCE deerleri Voltmetreden, IB akm deerleri M1, IC
deerleri ise M2den okunarak not edilir. Her okunan deer dikkatlice not edilerek, bu deerlerin
koordinat eksenine ilenmesi salanr. Sonsuz sayda yaplabilecek bu lmler belirli ve sk
aralklarla yapldnda kan erinin ekli daha salkl olur.
ekil 6.3.te rnek olarak IB deerinin 40 A olarak alnd erideki VCE deerini len voltmetre
5 Voltu gstermektedir. Bu anda kollektr akm deeri ise yaklak 6 mA llmtr. Bu rnekleri
oaltmak mmkndr. Her farkl IB deeri iin farkl IC ve VCE deerleri alnarak, transistrn I.
Blge karakteristii tamamlanr.
Bu karakteristik eri transistre ait tm verileri kapsamamasna ramen en ok kullanlan eridir.
Bu erilere baklarak transistrn, hangi gerilim ve akm deerlerinde alaca, max. ve min. alma
snrlar, akm kazanc, yk dorusu ve k empedans hesaplanabilir. Bu konu transistrn ykselte
olarak kullanlmas ve analizinde ayrntl olarak ilenecektir.
6.1.3 TRANSSTRN II. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI
IC (mA)
VCE = 5V
12
10
8
6
4
2
IB ( A )
100
50
ekil.6.4 Transistre ilikin II. blge karakteristik erisi

Bu erinin karlmas iin yine ekil 6.2deki devre kullanlr. VCC voltaj sabit tutularak VCE
belirli bir deere set edilir. ( Genellikle VCE = VCC / 2 alnr ) VBB deitirilerek IB nin yava yava
arttrlmas salanr. Bu deiimin IC deki etkisi ilgili ampermetreden okunarak not edilir. Kollektr
akmnn max. snrna kadar bu deney tekrarlanarak alnan deerlerle karakteristik eri karlr.
Eriye dikkat edildiinde beyz akm ile kollektr akmnn arasndaki dorusal oran rahatlkla
grlecektir ( = IC / IB ). Ancak bu orann belirli snrlar ierisinde geerli olaca unutulmamaldr.
nk her transistrn ulaabilecei max. akm snr vardr. Bu noktaya doyum noktas denir. Yani
belirli bir noktadan sonra devreye uygulanan gerilim ne kadar artrlrsa artrlsn; beyz akmnda
dolaysyla kollektr akmnda herhangi bir art kaydedilemez. nk transistr doyuma ulamtr.
Transistrl ykselte devresi hesaplamalarnda kayda alnacak deerler belirtilen snrlar ierisindeki
deerlerdir.
6.1.4 TRANSSTRN III. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI
IB ( A )
100
50
150
300
450
VCE = 5 V
VCE = 10 V
600
VBE ( mV )
ekil.6.5 Transistre ilikin III. blge karakteristik erisi

ekil 6.5te transistre ilikin III. Blge karakteristik erileri grlmektedir. Bu erilerin elde
edilebilmesi iin yine ekil 6.2deki devre kullanlr. Karakteristik eriye dikkat edildiinde iki adet
VCE deeri iin deney yaplm olup bu say oaltlabilir. Bu deneyde VCE deeri nce 5 V. gibi bir
deere sabitlendikten sonra VBE deerini arttrmak iin VBB kayna yava yava arttrlr. Bu esnadaki
beyz akmnda oluan deiiklikler okunarak not edilir. Ayn ilem ikinci VCE deeri iin tekrarlanr.
Bu eriler incelendiinde eitli sabit VCE deerlerinde VBE geriliminin beyz akm zerindeki deiim
etkisi grlecektir. Dikkati eken dier bir husus erilerin dorusal deimediidir. Bunun nedeni ise
transistrn beyz emiter arasndaki gerilim setti blgesinin belirli bir noktaya kadar yaltkan, gerilim
setti voltaj aldnda ise iletken olmasdr. VCE gerilimi arttrldnda beyz akmnn da artt gz
ard edilmemelidir.
6.1.5 TRANSSTRN IV. BLGE KARAKTERSTK ERSNN IKARILMASI
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VCE ( V )
IB
0 A
10 A
100
20 A
40 A
200
60 A
80 A
100 A
VBE( mV )
ekil.6.6 Transistre ilikin IV. blge karakteristik erisi

ekil 6.6da transistre ilikin IV. Blge karakteristik erileri verilmitir. Bu erilerin
karlabilmesi iin beyz akm eitli deerlere VBB yardmyla sabitlenerek; VCE gerilimi VCC
yardmyla eitli aralklarla deitirilir. Bunun sonucunda deien her VCE gerilimine karlk,
etkilenen VBE gerilim deeri not edilir. Bu ilem her IB deeri iin tekrarlanarak karakteristik
tamamlanr. Bu karakteristik eriler incelendiinde I. Blge karakteristik erilerinin benzerleri elde
edildii grlecektir. Buradaki farkllk, VCE gerilim deerlerinin deitirilen VBE her nokta iin
deerlerine gre llen IB akmnn sabit kalacadr. Bu grafikteki eriler kullanlarak transistrn
kollektr beyz arasndaki, gerilim geri beslemesini bulmak mmkndr. Bu oran matematiksel
olarak;
N = VBE / VCE eklinde ifade edilir.
6.2 I. BLGE KARAKTERSTK ERLER ZERNDEN TRANSSTRN IKI
EMPEDANSI, AKIM KAZANCININ BULUNMASI VE YK DORUSUNUN ZLMES
Transistrn almasn iyice kavrayabilmek iin konu balnda geen k empedans, akm
kazanc gibi parametrelerin bulunarak yk dorusu izimini renmek gerekmektedir. Bu ilemler iin
ilk parametre olarak transistrn k empedansnn bulunmas gerekmektedir.
6.2.1 I. TRANSSTRN IKI EMPEDANSININ BULUNMASI

Herhangi bir elektronik sisteminde kaynak ile ykn ayn empedansta bulunmas sistemin verimini
% 100e yaklatrr. Aksi takdirde sistemin verimi der. Sistemde sinyal veya g kayb oluur.
Bunun nne geebilmek amacyla transistrn de k empedansnn hesaplanmas gerekmektedir.
Bunun nedeni de transistrn ykselte olarak kullanlmas ve bu ykseltecin kna yk olarak
balanacak elemann deerinin hesaplanmas, dolaysyla sistemin max. verimle almasdr.
Bu ilemin gerekletirilmesi iin transistre ait I. Blge karakteristik erileri kullanlacaktr.
IC
( mA )
IB deerleri
120 A
12
10
80 A
40 A
4
2
0 A
0
1
10
VCE ( Volt )
ekilde verilen grafik erileri zerinden rnekte verilen transistrn k empedansnn

hesaplanmas olduka koleydirr. Bu ilem iin herhangi bir IB erisi seilir. Bu eriden VCE ve IC
eksenlerine dikler izilir. Ancak aktif alma alannn belirlenebilmesi iin, tek IB erisi zerinden iki
farkl voltaj ve akm deerinin alnmas gerekir. Bu noktalar dikkate alndnda karakteristik zerinde
bir ( ABC ile gsterilmitir ) dik gen oluur. Bu gen zerinde yaplacak VCE / IC oranndan
transistrn k empedans aadaki gibi bulunabilir.
rnek olarak alnan IB erisi zerinden VCE1 = 5.8 V, VCE2 = 6.2 V, IC1 = 5mA, IC2 = 7 mA
deerleri alnsn. Bu nokta aralklarndan yararlanarak yaplacak empedans hesaplamas aadaki
forml yardmyla bulunacaktr.
ZO =
VCE VCE 2 VCE 1

=
I C
IC 2 IC1
ZO =
6,2 5,8 0,4

=
= 0,2 K = 200 .
75
2
Bu deer farkl bir IB erisi zerinden farkl bir gerilim / akm aral iin hesaplandnda daha
farkl bir empedans elde edilir. Yani bu ayn eriler kullanlarak rneklerin oaltlabilecei anlamna
gelir.
Bir transistrn k empedans hesaplanrken hesap yaplan akm ve gerilim seviyesi ok
nemlidir. Bu da transistrn nerelerde kullanlabileceinin seimi iin tasarmcnn dikkat etmesi
gereken bir konudur. Buradan karlacak en nemli sonu karakteristik eriler zerinden transistrn
hangi gerilim ve akmda, hangi yk hangi empedansta besleyeceinin kolayca belirlenebilmesidir. Bu
nedenle zellikle I. Blge karakteristik erilerinin ok byk titizlikle renilmesi gerekir. k
empedansnn bulunmasndan sonra akm kazancnn nasl bulunduu anlatlacaktr.
6.2.2 TRANSSTRN ( ) AKIM KAZANCININ BULUNMASI
Bu blmde yine transistre ait I. Blge karakteristik erilerinden faydalanlacaktr.

IC
( mA )
IB deerleri
120 A
12
100 A
10
80 A
60 A
40 A
20 A
10 A
2
0 A
0
1
10
VCE ( Volt )
Transistrn akm kazancnn hesaplanabilmesi iin aadaki ilem basamaklar izlenmelidir.

ekilde grld gibi sabit bir VCE gerilimi seilerek iki farkl IB erisi iaretlenir. Seilen VCE
gerilim deerinin genellikle lineer ortamda olmas istendii iin yaklak olarak VCCnin yars seilir.
nekte verilen IB deerleri 20 ve 40 A dir. Bunlara karlk gelen IC deerleri ise dikey eksenden 4
ve 6 mA olarak bulunur. Akm kazanc ise aadaki formlle bulunur.
I C
=
I B
64
2mA
=
= 100
40 20 20 A
I
I
C
B
2 I
2 I
C
B
1
1
Sonuca bakldnda beyz akm ile kollektr akm arasndaki oran grlmektedir. Bunun anlam
transistrn aktif alma blgesinde verilen her beyz akmna karlk kollektrden kat kadar akm
geeceidir. Ancak bu ykseltme limiti sonsuz olmayp transistrn alma snr ierisindedir. Daha
nce de anlatld gibi her transistrn akm ve gerilim olarak min. ve max. alma deerleri vardr.
Dikkat edilmesi gereken dier bir husus, hesaplama yaplrken farkl IB deerleri alndnda kan
akm ykseltme katsaysnn ayn olmas gerektiidir. Eer bu durum gereklemiyor ise transistrn
aktif alma blgesi dna klm demektir. Bu kavram sadece aktif alma blgesi iin geerlidir.
6.2.3 YK DORUSUNUN ZLMES
IC
( mA )
IB deerleri
RL
12
120 A
100 A
10
80 A
60 A
40 A
20 A
10 A
2
0 A
0
1
10
VCE ( Volt )
Bir ykseltete kullanlacak transistre ait yk dorusunun izimi olduka basittir. Bilindii gibi bir
dorunun izilebilmesi iin iki nokta yeterlidir. Noktalarn birincisi VCE nin max. IC nin ise min.
olduu durumdur. Bunun anlam transistrn ak devre gibi dnlmesidir. Bilindii zere ak
devre teorisinde gerilim max. akm ise min. yani 0 olmasdr. Bu durumda 1. nokta VCE = VCC, IC = 0
olur. Dier noktann belirlenmesi iin de transistrn ak devre gibi dnlmesi gerekir. Bu anda da
VCE gerilimi min., IC akm deeri de max. olacaktr. Bu nokta da koordinat ekseninde belirlendikten
sonra bir doru izilir. Bu doruya yk dorusu denilir. Devreye uygun ykn omik deeri
aadaki gibi hesaplanr.
RL =
VCE max 10
=
= 0.83 K
12
IC max
Bunun anlam rnek olarak verilen grafikteki transistrn kna balanabilecek uygun
empedanstaki yk deeri olmasdr. Yk dorusu izildikten sonraki aama alma noktasnn
seilmesidir. alma noktasnn belirlenmesi ise transistrl ykseltecin alma snfn belirler.
alma snfnn belirlenmesi, transistrl ykseltecin hangi alanda, hangi frekansta, hangi gte ve
gerilimde alaca sorularn yantlar. Bu nedenle alma snflarnn ok iyi bir ekilde renilmesi
gerekmektedir.
6.3 TRANSSTRL YKSELTELERN ALIMA SINIFLARI
Bir nceki konuda belirtildii gibi ykseltelerin alma alann ve alma eklini belirleyebilmek
iin, ncelikle alma snfnn seilmesi gerekir. Genel olarak 4 eit alma snf mevcuttur. Bunlar
A Snf, B Snf, C Snf ve AB Snfdr. Amplifierler alma snf bakmndan ayrlsa dahi genel
olarak bir btn halinde incelenmelidir. Dolaysyla alma snflarndan nce bir amplifier sisteminin
tamamnn incelenmesi gerekmektedir. Bir amplifierin tamam aada gsterilen bloklardan meydana
gelir.
Giri
Sinyali
Pre Amplifier
(n Ykselte)
Driver Amp.
(Src Yk.)
Power Amp.
( G Yk. )
ekil6.7 Komple ykselte blok diyagram
k
Sinyali
ekil 6.7de grld gibi bir ykselte sistemi temel olarak blmden olumaktadr.
Ykseltilecek dk genlikteki sinyal ncelikle n ykseltete genlik bakmndan ykseltilir. Daha
sonra gelen src kat ise n ykselteten gelen sinyali uygun empedansta k katna aktarr. k
katnda ise istenen g elde edilir. Her bir katta kullanlan alma snf farkl olacandan, bu katlarda
hangi alma snfnn kullanlaca ve nedenleri bundan sonraki blmlerde ayrntl olarak
incelenecektir.
6.3.1 A SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES
A snf ykseltecin genel alma prensibi, sinyalin tmnn ( 360 ) ykseltilmesi esasna dayanr.
Bunun iin transistrn alma noktasnn, yk dorusunun tam ortasnda seilmesine zen gsterilir.
IC
( mA )
DOYUM
( SATURATION )
IB deerleri
120 A
12
100 A
10
80 A
AKTF BLGE
60 A
40 A
20 A
10 A
2
0 A
0
1
10
KESM
( CUT - OFF )
VCE ( Volt )
ekil.6.8 I. blge karakteristik eri zerinden A snf almann belirlenmesi
Transistrn alma noktas ykselte giriinde herhangi bir sinyal yok iken ( bo alma ) llen
IB, IC ve VCE deerleri ile tespit edilir. Bu deerler transistrn bota ektii akmlar ve zerindeki
gerilim deerleridir. Bu parametreler skunet deerleri olarak ta anlr. Eer bu parametreler
llemiyorsa karakteristik eriden faydalanlarak bulunur. Bu aamadan sonra giri sinyalinin
snrlar belirlenerek transistrn kollektrnden geecek akm hesaplanr. Bu deer rnekte olduu
gibi beyz akm snrlar:
IB Min = 0 A, IB Max = 120 A;
buna karlk elde edilecek kollektr akm snrlar ise:
IC Min = 0 mA, IC Max = 10 mA; dir.

Yine bu snrlar ierisinde VCE nin alaca deerler ise;
VCE MN = 1.8 Volt; VCE MAX = 9.2 Volttur.
Bu deerlerin anlam transistrl ykseltece uygulanmas gereken en dk ve en yksek sinyal
deerlerinin belirlenmesidir.
Bu noktalar dikkate alndnda, transistrn aktif alma blgesi iinde yer aldklar grlecektir.
Giri sinyali, beyz akmn belirtilen snrlarn dna karr ise; doal olarak kollektr akmnn alt ve
st deerleri de aktif alma blgesinin dna itilir. Byle bir durumda transistrn alma snf
deiir. Sinyalin tm ykseltilemez ve sinyal kesintiye urar. Bu da A snf alma iin istenmeyen
bir durumdur.
ekil 6.9da transistrl ykseltece, ykseltilecek deiken sinyalin nasl uygulanaca
gsterilmitir.
Vout
k
ekil.6.9 A snf alan tek transistrl ykselte
ekil 6.9 dikkatle incelendiinde giri sinyalinin transistrn beyzine uyguland, k sinyalinin
ise kollektrden alnd grlecektir. Eer girie herhangi bir sinyal uygulanmasa idi transistr,
karakteristik eride Q alma noktasnda sabit akmla alacak ve sinyal deiimi olmayacak idi.
Ancak devre giriinden uygulanan sins formlu sinyal VBByi arttracak veya azaltacak ekilde giriim
yapacaktr. Bu nedenle transistrn polarmas giri sinyaline gre sinyal geldii srece deiecektir.
Giriten uygulanan sinyal DC seviyenin zerine ktnda beyz akm artacak, buna bal olarak ta
kollektr akm artacaktr. Dolaysyla giriten uygulanan dk genlikli sinyal izin verilen VCE
snrlar ierisinde ykseltilmi olarak nce akma ( IC ), daha sonrada RL zerinden gerilime
evrilecektir. Yaplan ilemin esas VBBnin zerine giri sinyalini ykleyip, nce beyz akmnda, daha
sonra da kollektr akmnda bir deiiklik yapmaktr. Yaplan bu deiiklik ekil olarak giri sinyali
formunda olacandan, ktan alnan sinyalin ekli de giri sinyali ekliyle ayn olacaktr. Sonu
olarak giri sinyalinde yaplan dk genlikteki deiim, beyz akm ile kollektr akmnn farkl
olmas nedeniyle, ykselte kndan daha yksek genlikli olarak alnabilecektir. Ancak, giri sinyali
karakteristik erilerde belirtilen snrlar dna tatnda transistr bu sinyali kesintiye uratacaktr.
Eer sinyal seviyesi izin verilen seviyenin stne karsa; transistr doyuma ( Satration ) geer.
Sinyal seviyesi bu snrn altna derse o zaman transistr kesime (Cut Off ) geer. Dier bir
deyimle bu blgelere kldnda ktan sinyal alnamaz.
A snf alma genellikle amplifierlerin giri katlarnda bulunan gerilim ykseltelerinde
kullanlan bir alma eklidir. Bunun nedeni sinyalin tamamnn src katna aktarlmas
gerekliidir.
6.3.2 AB SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES
giri sinyalinin 1800 -3600 boyunca
AB snf almada transistr
iletimde olacak ekilde
bayaslanmaktadr. Bylelikle Ic kollektr akm giri sinyalinin %51-%99u boyunca akmaktadr. Bu

durumu salamak iin transistrn bir alternanstan daha ksa sre ile kesimde tutulmas gerekir.
Hatrlanaca zere A snf almada transistr VBEQ
statik giri gerilim deeri her zaman
ykseltece uygulanan giri sinyalinin maksimum deerinden daha byk olacak ekilde
bayaslanmaktayd. Bunun sonucu olarak ta giri sinyali hibir zaman transistr ters bayasa
gtrememekte ve de giriin 3600si boyunca kollektr akm akmaktadr.
AB snf almada VBEQ statik giri sinyali ykseltece uygulanan giri sinyalinin maksimum
deerinden daha kk olacak ekilde bayaslanmak suretiyle, transistrn bir alternanstan daha ksa
sre ile kesimde tutulmas salanr. Buna gre giriin %51-%99u Ic akm akmaktadr.
IC
Operating Point
Output IC
IB
Input Signal
ekil.6.10 AB snf alan transistrn dinamik transfer erisi
ekil 6.10da grlen AB snf almaya ait dinamik transfer erisi incelendiinde alma
noktasnn erinin lineer ksmnn orta noktas ile 0 noktas arasnda seildii grlmektedir.
Yukardaki eride transistrn kesime gtrld alanda kollektr akmnn akmamasndan dolay
RL kollektr yk zerine den gerilim 0 Volt olacandan (VRL=Ic*RL) k sinyali Vcc olarak
grlecektir.
0,5Vp-p
k Sinyali
+25V
Giri Sinyali
VBE =0,2V
ekil.6.11 AB snf alan transistrl ykselte devresi
AB snf ykselteler, A snf ykseltelere gre daha iyi verim ve daha kt sadakat ( fidelity )
zellii tamaktadrlar. Bu zellikten dolay AB snf ykselteler k sinyalinin giriin tam benzeri
olmas durumunun gerekli olmad durumlarda kullanlrlar. ekil 6.11de AB snf alan
transistrl ykselte devresi ve bu devreye ait giri / k dalga ekilleri grlmektedir.
0,45V
Yanda ykseltece ait dinamik VBE giri sinyali

0,2V
grlmektedir. Bu eride bir alternanstan daha ksa sre ile

transistrn ters bayasland grlmektedir.
-0,05V
6.3.3
B SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES
ekil 6.12de grld gibi B snf almada transistr, giri sinyalinin 1800lik blmnde
iletimde olacak ekilde bayaslanmaktadr. Bylelikle kollektr akm ( IC ), giri sinyalinin %50si
boyunca akmaktadr. Bu durumu salamak iin transistrn bir alternans sre ile kesimde tutulmas
gerekir.
B snf almada VBEQ
statik giri sinyali 0 Volt olacak ekilde bayaslanmak suretiyle,
transistrn bir alternans sre ile iletimde tutulmas salanr. Buna gre giriin %50lik blmnde Ic
akm akmaktadr. Transistre statik durumda 0 V bayas uygulanmas A ve AB snf almada
kullanlan RD direncinin kullanlmamas anlamna gelir. Buna gre Transistrn dinamik durumu
tamamen giri sinyali tarafnda belirlenmektedir. Devreye uygulanan giri sinyalinin
pozitif
alternansnda (NPN Tr.) iletim gerekleirken negatif alternansta ters bayas durumundan dolay
Cut-Off durumu oluacaktr. Bylelikle de giri sinyalinin 1800 lik blmnde iletim, 1800 lik
blmnde de kesim durumu oluacaktr.
IC
Operating Point
Output IC
IB
Input Signal
ekil.6.12 B snf alan transistrn dinamik transfer erisi
ekil 6.13de B snf alan transistrl ykselte devresi grlmekte olup transistre balangta
dc kaynaktan doru bayas uygulanmamaktadr. Bylece giri sinyalinin + alternans iletim, - alternans
da kesim durumunu oluturmak suretiyle 1800lik iletim ve de 1800lik kesim durumu oluturulur.
0,5Vp-p
k Sinyali
1ms
1ms
+25V
Giri Sinyali
2 msn.
ekil.6.13 B snf alan transistrl ykselte devresi
Yanda ykseltece ait dinamik VBE giri sinyali grlmek0,25V
tedir. Bu eride bir alternans sre ile transistrn doru
0V
dier alternans sresince de ters bayasland grlmektedir.
-0,25V
6.3.4 C SINIFI ALIAN TRANSSTRL YKSELTECN NCELENMES
C snf almada transistr giri sinyalinin 0 - 1800 lik blmnde iletimde olacak ekilde
bayaslanmaktadr. Bu durum ekil 6.14da grlmektedir. Bylelikle Ic kollektr akm giri
sinyalinin %1 - %50si boyunca akmaktadr. Bu durumu salamak iin transistrn bir alternanstan
daha az sre ile iletimde tutulmas gerekir.
ekil 6.15de grlen C snf almada VBEQ
statik giri sinyali
negatif olacak ekilde
bayaslanmak suretiyle, transistrn bir alternanstan daha az sre ile iletimde tutulmas salanr.
Negatif bayas miktar ykselte giriine uygulanan sinyalin maksimum genliinden daha az olmaldr.
Giriin negatif alternansnda tamamen kesimde tutulan transistr, pozitif alternansn bir blmnde de
(negatif bayas alncaya kadar) kesime gtrlmekte, bylelikle de toplam kesim zaman %51-%99
olacandan iletim zaman da %1-%49 olmaktadr.
0,6ms
IC
1,4ms
Output IC
IB
Operating Point
Input Signal
ekil.6.14. C snf alan transistrn dinamik transfer erisi.
0,5Vp-p
k Sinyali
0,6ms
Giri Sinyali
+25V
0
2 msn.
ekil.6.15 C snf alan transistrl ykselte devresi.
1,4ms
+0,15V
0V
-0,1 V
0,5 Vp-p
-0,35V
Yukarda ykseltece ait dinamik VBE giri sinyali grlmektedir Bu eride. bir alternanstan daha az
sre ile transistrn bayasland grlmektedir Bylelikle de iletim zaman giri sinyalinin %1%49u boyunca kollektr akm akacaktr.
6.4 TRANSSTRL YKSELTELERN BALANTI EKLLERNE GRE ANALZ
Buraya kadar ilenen blmde ykseltelere ilikin temel esaslar verilmitir. Bu bilgilerin
altnda bir transistrl ykseltecin analizini yapmak mmkndr. Bu analiz, balant ekillerine gre
amplifierlerin snflandrlmas konusu ile ayn anda ilenecektir. Balant ekillerine gre ykselte
tipleri 3e ayrlr:
1- Emiteri ortak ( mterek ) ykselte ( common emitter ),
2- Beyzi ortak ykselte ( common base ),
3- Kollektr ortak ykselte ( common collector ).
Yukarda sralanan ykseltelerden en sk ve yaygn kullanm alan olan, emiteri ortak ykseltetir.
Bu nedenle bu balant eklinin analizi dikkatlice renilmelidir. Emiteri ortak balant tipinde, giri
sinyali beyz - emiter arasndan uygulanr; k sinyali ise kollektr emiter arasndan alnr. Burada
dikkat edilirse emiter hem girite, hem de kta kullanlmtr. Bu nedenle devrenin asesini ( toprak )
oluturmaktadr. Giriten uygulanan sinyal, amplifierin kazan katsaysna bal olarak ykseltilir.
ktan alnan sinyal ile giri arasnda 180 faz fark oluur. Bunun nedeni kollektr beyz
blgesinin, emiter beyz blgesine gre ters polarlanm olmasdr. Dier balant tiplerine oranla en
yksek kazan bu tip balant eklinde elde edilir. Bu nedenle genellikle amplifierlerin giri katlarnda
gerilim ykselteci olarak ( Pre Amplifier ) kullanlr.
Beyzi ortak tip ykselte ise genellikle yksek frekans uygulamalarnda kullanlan bir balant
eklidir. Beyzi ortak tip ykseltecin akm kazanc 1den kktr.
Kollektr ortak tip ykselte ( emitter follower ) ise, empedans uygunlatrc olarak kullanlr. Bu
tip ykseltelerde k emiterden alnr. Bu ykselte tipinin gerilim kazanc 1den kktr.
Yukarda anlatlan ykselte tiplerinin analizi sra ile verilecektir.
6.4.1 EMTER MTEREK DEVRE ANALZ
+VCC=25V
RL=5K
RD=247K
Input
Output
CC
RBE=3K
ekil 6.16 Transistrl Ykselte Devresi.
7
6
IC
( mA )
IB DEERLER
200 A
175 A
150 A
125 A
100 A
75 A
50 A
2
1
0
0 A
10
20
ekil6.17 2N118 Transistrne ait emiteri mterek k karakteristik erisi.
30
VCE
Emiteri mterek ykselte analizi grafik metot kullanlarak basamak basamak incelenecektir. Bu tip analizin dier bir ad da YK HATTI ANALZDR. Analize geilmeden nce
ykseltete kullanlan transistrne ait emiteri mterek k karakteristik erisi elde edilmelidir. Bu
maksatla yukarda karakteristik eri verilmi olup her trl veriler bu eri zerinde iaretlenip, yine
eri zerinden okunmaktadr.
Analiz Verileri: Vcc=25V, RL=4.16 K, RBE=3 K, , RD=247 K, Giri Sinyali 50A p-p,
2N118 Transistrnn kullanld Emiteri Mterek Ykselte devresi verilmektedir.
AAMA 1 : Yk hattnn izilmesi.
Yk hatt bir ykselte devresinde tm akm-gerilim ilikileri ile ilgili deerler sunan, herhangi bir
andaki giri deerlerine karlk gelen statik ve dinamik k deerlerini bulmamza yardmc olan bir
eri olup A ve B olarak isimlendirilen iki noktann birletirilmesi ile elde edilmektedir.
A Noktas :Transistrn kesim durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn Ic kollektr
akmnn 0 A olmas gerekir. Buna gre RL yk zerinde gerilim dm olmayacandan tm
kaynak gerilimi transistrn VCE knda grlecektir. Bu gerilim VCC gerilimine eit olacaktr.
Sonu olarak; A noktas maksimum kollektr voltaj olup deeri VCC ile belirlenir. Bu durumda
yatay eksende Vcc = 25 V deeri A Noktas olarak iaretlenir. (25V - 0A koordinatlar A noktasn
vermektedir)
B Noktas :Transistrn doyum durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn kollektremiter i direncinin 0 olduu kabul edilerek kollektr akm hesabnda sadece RL direnci dikkate
alnarak maksimum kollektr akm hesaplanmaktadr.
ICmax=Vcc/RL =25 V / 4.16 K ICmax = 6 mA olur.
Bulunan deer B noktas olarak karakteristik eri IC ekseninde iaretlenir. (0V - 6mA koordinatlar
B noktasn vermektedir).
imdi yaplmas gereken A ve B noktalarnn birletirilmesidir. Elde edilen doru YK HATTI

olarak adlandrlr. Bu doru
ykseltete mmkn olan btn giri deerlerine karlk k
deerlerinin bulunmasnda kullanlacaktr.
AAMA 2 : Q alma noktasnn bulunmas :
Quiescent Point ve de ksaca Q alma noktas olarak adlandrlan bu nokta ile bir ykseltecin
giri sinyali uygulanmad (STATK) durumda transistrn Vcc zerinden ald bayas neticesinde
VCEQ ve ICQ skunet durumu deerlerinin elde edilmesi ile bulunmaktadr. Buna gre bir ykseltece
giri sinyali uygulanmad halde VCEQ ve ICQ olarak bilinen k akm ve gerilim deerlerine sahip
olduu sylenebilir.
Q alma noktas yk hatt ile skunet durumu beyz akm (IBQ) erisinin birletirilmesi ile elde
edilmektedir. Bu maksatle Sukunet durumu IBQ deerinin bulunmas gerekmektedir.

RT = RBE + RD
IBQ = VCC / RT
RT = 3 K + 247 K
IBQ =25 V/ 250 K
RT = 250 K
IBQ = 100 A
100A beyz erisi ile yk hattnn kesitii nokta Q alma noktas olarak iaretlenir.
IC
( mA )
IB DEERLER
200 A
175 A
150 A
125 A
100 A
4
Q
75 A
50 A
2
0 A
1
0
10
20
30 VCE ( Volt )
AAMA 3 : Giri sinyalinin uygulanarak b - vbe deiimlerinin bulunmas:
IB
IB
Igiri
+25A
+125A
100 A
+100A
Time
-25A
+75A
Time
0
A) IBQ
B) Giri Sinyali
Time
C) IB Beyz Akm (Dinamik durum)
Yukarda grld zere 100A skunet durumu (IBQ) deeri giri sinyaline bal olarak 25A
peak yukarya ve de
25A aaya olmak zere
IB akmnn 75 A ile 125 A arasnda
dalgalanmasna sebep olmaktadr.

Bu dalgalanmann VBE beyz geriliminde yol at deiim :
VBEQ = IBQ * RBE
VBE(MN) = IB(MN) * RBE VBE(MAX) = IB(MAX) * RBE
VBEQ = 100 A * 3K VBE(MN) = 75 A * 3K VBE(MAX) =125 A * 3K

VBEQ = 0.3 V
VBE(MN) = 0.225 V
VBE(MAX) =0.375 V
VBE
0.375 V
0.15 V
0.3 V
VBE=IB * RBE
VBE=50A * 3 K
0.225 V
VBE= 0.15 V
0
Time
Emiter Akm Beyz akm ile Kollektr akmlarnn toplamna eittir. IE = IB + IC

IE =0.1mA+ 3mA = 3.1mA olarak bulunur.
AAMA 4 : k akm deiikliinin bulunmas:
IB
DEERLER
IC
( mA )
200 A
175 A
125 A
3.5 mA 4
IC
2.5 mA
150 A
IB
C
100 A
75 A
50 A
2
1
0
10
20
30 VCE (Volt)
VCE
10 V
12.5V 15 V
k akm deiikliinin bulunmas iin ncelikle
C ve D noktalarnn iaretlenmesi
gerekmektedir. 3. aamada Beyz akm deiiklii hesaplanmt. Elde edilen deerler Beyz akmnn
75 A - 125 A arasnda deitiini gstermekte idi. Buna gre 75 A Beyz akm erisi ile 125 A
Beyz akm erilerinin Yk hattn kestii noktalar C ve D noktalar olarak iaretlenir.
Bu noktalardan Ic eksenine dik izilmek suretiyle 2.5 mA - 3.5 mA kollektr akm deerleri
bulunmaktadr.
IC1 =3.5 mA
IC2 =2.5 mA
Ic= IC1 - IC2 = 3.5mA-2.5mA =1mA
AAMA 5 : k gerilim deiikliinin bulunmas:
C ve D noktalarndan VCE eksenine dik inilmek suretiyle giri sinyalindeki deiime bal
olarak kollektr k gerilim deiiklikleri elde edilebilir.
VCE1 =15 V
VCE2=10 V
VCE = VCE1 - VCE2= 15 V -10 V=5 V
AAMA 6 : Akm kazancnn bulunmas:
Kazan =
Ai = Akm Kazanc =
Giri
k Akm Deiiklii
Giri Akm Deiiklii
Yukardaki formllerde grld gibi kazanc temsil eden A harfi i ilavesiyle akm kazancn temsil
etmekte olup k akm deiikliinin giri akm deiikliine oran olarak tarif edilmektedir.
Ai =
I C
IB
3.5 mA -2.5 mA
1 mA
125 A - 75 A
50 A
1000 A
50 A
= 20
Bulunan deer ile; k akm deiikliinin giri akm deiikliinin 20 kat olduu anlalmaktadr.
AAMA 7 : Voltaj kazancnn bulunmas:
Kazan =
Av =
Av = Akm Kazanc =
Giri
VCE
VBE
k Voltaj Deiiklii
Giri Voltaj Deiiklii
15 V -10 V
0.375 V - 0.225 V
AAMA 8 : G kazancnn bulunmas:

Ap = Av * Ai = 33.3 * 20 = 666.6 olarak bulunur.
5V
0.15 V
33.3
6.4.2 BEYZ MTEREK DEVRE ANALZ
Input
2 mA p-p
RE=325
RBE
175
VEE= -1,5 V
Output
RL
4,16 K
VCC= + 25 V
ekil6.18 Transistrl Ykselte Devresi.
7
6
IC
( mA )
IE DEERLER
-7 mA
-6 mA
-5 mA
-4 mA
-3 mA
3
-2 mA
-1 mA
0 mA
0
10
20
30
ekil 6.19 2N118 Transistrne ait beyzi mterek k karakteristik erisi.
VCB
Beyzi mterek ykselte analizi grafik metot kullanlarak basamak basamak incelenecektir. Bu tip
analizin dier bir ad da YK HATTI ANALZDR. Analize geilmeden nce ykseltete kullanlan
transistrne ait beyzi mterek k karakteristik erisi elde edilmelidir. Bu maksatla yukarda
karakteristik eri verilmi olup her trl veriler bu eri zerinde iaretlenip, yine eri zerinden
okunmaktadr.
Analiz Verileri: Vcc=25V, VEE= -1,5 V, RL=4,16 K, RBE=175 , RE=325 ,

Giri Sinyali 2 mA p-p, 2N118 Transistrnn kullanld beyzi mterek ykselte
devresi verilmektedir.
AAMA 1 : Yk hattnn izilmesi.
Yk hatt bir ykselte devresinde tm akm-gerilim ilikileri ile ilgili deerler sunan, herhangi bir
andaki giri deerlerine karlk gelen statik ve dinamik k deerlerini bulmamza yardmc olan bir
eri olup A ve B olarak isimlendirilen iki noktann birletirilmesi ile elde edilmektedir.
A Noktas :Transistrn kesim durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn Ic kollektr
akmnn 0 A olmas gerekir. Buna gre RL yk zerinde gerilim dm olmayacandan tm

kaynak gerilimi transistrn VCB knda grlecektir. Bu gerilim VCC gerilimine eit olacaktr.
Sonu olarak; A noktas maksimum kollektr voltaj olup deeri VCC ile belirlenir. Bu durumda
yatay eksende Vcc = 25 V deeri A Noktas olarak iaretlenir. (25V - 0A koordinatlar A noktasn
vermektedir)
B Noktas :Transistrn doyum durumunu ifade eder. Bu durumda ideal bir transistrn kollektr-
emiter i direncinin 0 olduu kabul edilerek kollektr akm hesabnda sadece RL direnci dikkate
alnarak maksimum kollektr akm hesaplanmaktadr.
Icmax=Vcc/RL =25 V / 4.16 K Icmax = 6 mA
bulunan deer B noktas olarak karakteristik
eri Ic ekseninde iaretlenir. . (0V - 6mA koordinatlar B noktasn vermektedir)
C
RL=325
E
RL=4,16 K
VEE= -1,5 V
Vcc=25V
ICmax=Vcc/RL formlnde RE diren deerinin RL diren deerinin 1/10 deerinden daha kk

olmas sebebiyle hesaplamalarda RE deeri dikkate alnmaz. Yanda transistrn doyum durumu
edeer devresi grlmekte olup Vcc ve VEE kaynaklar seri ve toplanr (25+1,5) toplam gerilimin
RL+RE
(4.16K + 0,325K) toplam diren deerine oran ICmax deerini oluturmaktadr. Ancak
hesaplamalarda RL diren deeri 10*RE deerinden daha byk olduundan hesaplamalarda RL

ihmal edilmektedir. ICmax =Vcc/RL forml ile maksimum kollektr akm hesaplanmaktadr.
imdi yaplmas gereken A ve B noktalarnn birletirilmesidir. Elde edilen doru YK HATTI
olarak adlandrlr. Bu doru
ykseltete mmkn olan btn giri deerlerine karlk k
deerlerinin bulunmasnda kullanlacaktr.

AAMA 2 : Q alma noktasnn bulunmas :
Quiescent Point ve de ksaca Q alma noktas olarak adlandrlan bu nokta ile bir ykseltecin
giri sinyali uygulanmad (STATK) durumda transistrn Vcc zerinden ald bayas neticesinde
VCBQ ve ICQ skunet durumu deerlerinin elde edilmesi ile bulunmaktadr. Buna gre bir ykseltece
giri sinyali uygulanmad halde VCBQ ve ICQ olarak bilinen k akm ve gerilim deerlerine sahip
olduu sylenebilir.
Q alma noktas yk hatt ile skunet durumu emiter akm (IEQ) erisinin birletirilmesi ile elde
edilmektedir. Bu maksatla skunet durumu IEQ deerinin bulunmas gerekmektedir.

RT = RE + RBE
RT =325 + 175
RT = 500
IEQ = VEE / RT
IEQ =1,5V/ 500
IEQ = 3 mA
3 mA emiter erisi ile yk hattnn kesitii nokta Q alma noktas olarak iaretlenir.
IE DEERLER
IE ERLER
IC
( mA )
7
-7 mA
-6 mA
-5 mA
-4 mA
-3 mA
Q
3
-2 mA
-1 mA
0 mA
0
10
ICQ=3 mA
20
30
VCB (V)
VCBQ=12,5V
ekil 6.20 Karakteristik eride Q alma noktasnn elde edilmesi.
ekil 6.20de grlen karakteristik eride Q noktasndan VCB ve IC eksenlerine dik inilerek statik
alma durumu deerlerini gsteren ICQ ve VCBQ deerleri okunur.
VCBQ =12,5V
ICQ = 3 mA
AAMA 3 : Giri sinyalinin uygulanarak IE deiiminin bulunmas:
Igiri
Time
IE
Time
-1mA
+1mA
-2 mA
-3mA
Time
-3mA
-1mA
-4mA
IE
A) IEQ
B) Giri Sinyali
C) IE Emiter Akm (Dinamik durum)
Yukarda grld zere 3mA skunet durumu (IEQ) deeri giri sinyaline bal olarak 1mA
peak yukarya ve de 1mA aaya olmak zere IE akmnn 2mA ile 4mA arasnda dalgalanmasna
sebep olmaktadr.
AAMA 4 : k akm deiikliinin bulunmas:
k akm deiikliinin bulunmas iin ncelikle

gerekmektedir.
3. aamada
C ve D noktalarnn iaretlenmesi
emiter akm deiiklii hesaplanmt. Elde edilen deerler emiter
akmnn 2mA ile 4mA arasnda deitiini gstermekte idi. Buna gre 2mA emiter akm erisi ile
4mA emiter akm erilerinin yk hattn kestii noktalar C ve D noktalar olarak iaretlenir.
Bu noktalardan Ic eksenine dik izilmek suretiyle 2.5 mA - 3.5 mA kollektr akm deerleri
bulunmaktadr.
IC1 =3.5 mA
IC2 =2.5 mA
Ic= IC1 - IC2 = 3.5mA-2.5mA =1mA
IC
( mA )
IE ERLER
-7 mA
-6 mA
IE
3.5 mA 4
IC
2.5 mA
-5 mA
-4 mA
-3 mA
-2 mA
-1 mA
0 mA
0
10
20
VCB
10 V
12.5V 15 V
30
VCB (V)
AAMA 5 : k gerilim deiikliinin bulunmas:
C ve D noktalarndan VCB eksenine dik inilmek suretiyle giri sinyalindeki deiime bal
olarak kollektr k gerilim deiiklikleri elde edilebilir.
VCB1 =15 V
VCB2=10 V
VCB = VCB1 - VCB2= 15 V -10 V=5 V
AAMA 6 : Akm kazancnn bulunmas:
Kazan =
Ai = Akm Kazanc =
Giri
k Akm Deiiklii
Giri Akm Deiiklii
Yukardaki formllerde grld gibi kazanc temsil eden A harfi
i ilavesiyle akm kazancn
temsil etmekte olup k akm deiikliinin giri akm deiikline oran olarak tarif edilmektedir.
Ai =
IC
IE
3.5 mA -2.5 mA
4mA 2mA
1 mA
= 0,5
2 mA
Bulunan deer ile; akm kazancnn 1den kk olduu grlr.

AAMA 7 : Voltaj kazancnn bulunmas:
Kazan =
Av =
Av = Akm Kazanc =
Giri
VCB
VBE
k Voltaj Deiiklii
Giri Voltaj Deiiklii
15 V -10 V
IE * RBE
5V
(2mA * 325)
AAMA 8 : G kazancnn bulunmas:

Ap = Av * Ai = 0,5 * 14,28 = 7,14 olarak bulunur.
5V
(0,35V)
14,28
6.5 G YKSELTELERNE GR
Bir ykselte sistemi, bir kk sinyal ykseltecinden (preamplifier), bir byk sinyal ykseltecinden
ve bir k transducerinden (hoparlr) oluur. Giri sinyali genellikle kktr ve bir k cihazn
altrmak iin kullanlabilecek dzeyde ykseltilmelidir. Bu nedenle ykseltelerde dikkate alnmas
gereken temel faktr, genellikle dorusallk ve kazantr. Giri transducerinden gelen sinyal gerilimi ve
akm genellikle kk olduundan, g kapasitesi ve verimlilii pek nemli deildir.
Genel olarak birbirine seri bal ykseltelerden sonuncusu g ykselteci adn alr. G ykselte
kademesinin, kendinden nceki ykseltelerden farkll, yksek voltaj kazancndan ziyade, yksek
voltaj kazanc verecek ekilde tertiplenmi olmasdr.
G ykselteci, yksek g seviyesinde altrldndan transistr dahilinde oluan s en nemli
mahsur haline gelir. Eklem ss artan bir transistrn salaml azalr. Is drc olarak bilinen
eleman, snn transistr ekleminden uzaklatrlmas iin kullanlr. Transistrn metal muhafazasna
direkt olarak temas ettirilen ok geni sathl bir metal parasndan oluur. Baz s drclerin; snn,
etrafndaki havaya daha abuk geirilmesini temin maksadyla kanatklar bulunur. Transistrn
ekleminde meydana gelen s, transistrn metal muhafazasna geirilir. Is drc, transistrn metal
muhafazas ile dorudan irtibatl olduundan s, nce s drcye ve sonra havaya geer. Bylece
transistr eklemindeki alma ss drlr.
6.6 DENGEL G YKSELTEC
Q1
T1
+ VCC
giri
T2
Q2
R1
ekil 6.21 A Snf alan Push-Pull G Ykselteci
Hoparlr
G ykselteci olarak tertip edilen devreler genellikle balansl veya push-pull olarak tannan
ykseltelerdir. Bu tip devreler, 180 lik faz mnasebetiyle alan iki ykselteci ierirler. Byle
devreler, daha gl ve dzgn bir k verirler. Push-pull ykselte devresinden anlalaca gibi iki
transistrden oluur.
T1 ve T2 transformatrleri orta uludur. R1 direnci Q1 ve Q2 transistrlerine alma noktalarn tayin
eden doru bayas voltaj salar. Giri sinyali yok iken dahi transistrlerin beyzlerine R1 direnci
vastasyla (+) gerilim gelir. R1 direncinin deerinin deitirilmesi halinde devre, AB snf
altrlabilir. T2 transformatr primerinin yars Q1, dier yars da Q2 nin kollektr yk
empedansn temsil eder. T2 transformatr ayn zamanda, transistrlerin yksek k empedanslar ile
hoparlrn dk empedans arasnda empedans uygunluunu salar. Bilindii gibi maximun enerji
transferinin gerekleebilmesi ( ykseltecin kndan alnan sinyalin tamamnn hoparlre
uygulanmas ) iin birinci kat k empedansnn, ikinci kat giri empedansna eit olmas gerekir.
Giri sinyali yok iken Q1 ve Q2 transistrleri, T2 transformatr orta ucu vastasyla eit olarak
iletkendirler. Her iki transistrn kollektrndeki sinyaller eit deerde olduu iin hoparlrden
herhangi bir sinyal alnmaz. Giriin (+) alternansnda Q1 in beyzindeki potansiyel pozitife, Q2 nin ise
negatife gider. Transistrler, NPN tipi olduundan beyzlerine uygulanan potansiyeller, Q1iletkenliinin
artmasna, Q2 nin ise azalmasna neden olur. Q1 in kollektr akmndaki art Q1 kollektrnn daha
az pozitif olmasna neden olur. Q2 iletkenliinin azalmas, Q2 kollektrndeki potansiyelin artmasna
neden olur. Bu durumda T2 transformatr primerinin tamam zerinde bir potansiyel fark oluur ve
kn negatif alternans olarak belirir. Giri sinyalinin (-) alternansnda yukardaki olaylarn tam tersi
olur.
Q1
+ VCC
giri
Hoparlr
Q2
ekil6.22 B Snf alan Push-Pull G Ykselteci
B snf push-pull g ykseltecinde giri sinyali olmad srece transistrler iletken

olmadndan ve bir g harcamas yaplmadndan verim daha byktr. Transistrlerin beyzine
(+) bir sinyal gelmedii iin devre statik halde iken iki transistr de kesimdedir.
6.7 FAZ BLCLER
Push-pull g ykselteleri, eit genlik ve zt fazda iki sinyale ihtiya duyarlar. Tek bir girite eit
genlikte ve zt fazda iki k veren src kademesine faz blc veya faz evirici denir. Src
kademesi ise g ykseltelerine giri sinyali salayan ykseltetir. Push-pull g ykseltelerinde
transistrlere giri olarak eit genlik ve zt fazda iki sinyal temin eden eleman transformatrdr.
Transformatr kullanlmas, basit bir yol olmasna ramen byk ve ar olmas kullanln snrlayan
unsurlardr.
+VCC
R2
C1
R2
Q1
+VCC
giri
hoparlr
C2
Q2
R3
ekil 6.23 Tek Kademeli Faz Blc
Paraphase ykselte veya faz blc olarak bilinen bu devre transformatr kullanlmakszn
birbirinden 180 faz farkl ve eit genlikli iki sinyal meydana getirir. R2 ve R3 direnleri birbirine eit
ise farkl fazdaki bu iki sinyal genlik bakmndan eit olur. Fakat, R2 direncinin R3 direncine eit
olmas dengesiz bir k empedansna neden olur. Q1 transistrnn kollektr k empedans, emiter
k empedansndan daha yksektir. Bu saknca, R2 direncinin st ucu ile C2 arasna RS direncinin seri
olarak sokulmas suretiyle giderilir. R2 direncinin deeri o ekilde seilir ki kollektr ve emiter k
empedanslar birbirini dengeler. Bu, kuvvetli sinyalin sebep olduu bozulmay (distorsiyonu) ortadan
kaldrr. Sinyalin, seri diren zerinde kaybolan ksm, R2 nin R3 deerinden daha fazla yaplmas
yoluyla telafi edilir.
6.8 TMLER SMETR G YKSELTEC
R2
VCC1
Q1
C1
Giri
RL
R3
Q2
VCC2
R1
ekil 6.24 Tmler Simetri G Ykselteci
ekil 6.24 deki devre tmler simetri g ykselteci devresine aittir. Transistrler, tek kademeli
bir devrede irtibatlandrldklarnda k devresindeki DC elektron akm yolu, birbirine seri olan
kollektr-emiter eklemleri zerinden tamamlanr. Bu devre, faz evirici kademe veya orta ulu
transformatr kullanlmadan klasik bir push-pull ykseltecinin btn avantajlarn salar. ekildeki
devrede Q1 transistr NPN, Q2 ise PNP tipidir. Negatife giden giri sinyalinde Q2 transistrn
doru bayaslayarak iletken olmasna neden olur. Transistrlerden birinin iletken, dierinin yaltkan
olmas, giri sinyalinin transistrlerden birini doru, dierini ters bayaslam olmasndandr.
1
2
3
4
ekil 6.25 Basitletirilmi Tmler Simetri G Ykselteci
ekil 6.25deki devre tmler g ykseltecinin basitletirilmi eklidir. Q1 ve Q2 transistrlerinin

C-E arasndaki dahili devreleri srasyla R1 ve R2 deiken direnleriyle temsil edilmitir. Giri
sinyali yokken ve B snf almada IB=0 olduu iin deiken direnlerin orta ular max diren
pozisyonunu alr. R1 direnci 1, R2 ise 4 nolu konumu alr. Dolaysyla RL zerinden bir akm akmaz.
Giri sinyali pozitife doru giderken Q1 iletime, Q2 ise kesime gider. Q1 min diren gsterirken (2),
Q2 ise max diren (4) gsterir. Akm, VCC1 , RL ve Q1 den geer. Bu akm yn dz ok ile
gsterilmitir.
Giri sinyali negatife doru gittiinde, Q1 yaltkan olurken, Q2 iletken olur. Bylece devreden
kesikli okla gsterildii gibi bir akm geer. Bir nceki durumda geen akma gre ters ynde bir
akm geer.
6. 9 BEYZ ORTAK KARIIK BALI YKSELTELER
Emiteri ortak ykseltete transistrn akm kazanc ( IC / IB), beyzi ortak ykseltete
transistrn akm kazanc ( IC / IE), kollektr ortakta (emitter follower) ise ( IE / IB ) ile
gsterilir. Bu akm kazan parametrelerinin birbirleriyle ilikileri ise aada olduu gibidir:
= /1-
= /1+
=1+
Kark bal ykselteler, CB tertipte akm kazancn ykseltmek iin tertip edilmi
devrelerdir.
IE=%100
Input
Q1
Ic1=%95
Output
IB=%5
RE
-VCC
IE=%99.75
IC2=%4.75
Q2
RC
+VCC
ekil 6.26 Kark bal beyzi ortak ykselte
ekil 6.26 da kark bal transistrl ykselte devresi grlmektedir. Bu devrede Q1

transistrnn beyzi, Q2 transistrnn emiterine balanmtr. Yani CB tertibi ierisinde
irtibatlandrlmtr. ki transistr tek bir transistr gibi dnrsek bu transistre Darlington
Transistr ad verilir. Her bir transistrn akm kazancnn 0,95 olduunu kabul edelim. Analizin
daha kolay olmas iin emiter akmn 100 mA olarak dnelim ve bunu ekil zerinde %100
olarak gsterelim. Q1 transistrnn akm kazanc 0,95 olduuna gre ;
=IC / IE
IC=%95. IE dir. Baka bir ifadeyle; kollektr akm, emiter akmnn %95ine
eittir. Q1 transistrnn emiter akm 100 mA olduuna gre kollektr akm 95 mA olur. Bir
transistrde IE=IC+IB olduuna gre geriye kalan 5 mA de beyz akm olacaktr. Q1 in beyz
akm, Q2nin emiter akmn tekil ettii iin IC2=5.%95=4.75 mA dir. Bylece toplam kollektr
akm, ICT=4,75+95=99,75 mA olur. Devrenin toplam akm kazanc ise, 99,75/100=0,9975 olarak
bulunur. 0,95 olan akm kazanc bylece 0,9975 e ykseltilmitir. Bu nedenle, kark bal
transistr, herhangi bir devrede yksek akm kazanl tek bir transistrm gibi dnlebilir.
Emiteri ortak tertipte her birinin akm kazanc 11,5 olan iki transistr, beyzi ortak kark bal
ykselte olarak kullanlacak olursa, devrenin akm kazancnn ne olacan bulunuz.
=11,5 ise =11,5/12,5=0,92dir.
IC1=0,92.IE ve IB= 0,08.IE olur.
IC2=0,08.0,92.IE
ICT=0,0736 IE+0,92 IE=0,9936.IE den =0,9936 olarak bulunur.
transistrle gerekletirilen kark bal ortak ykseltete her bir transistrn, emiter akm
deiiminin, beyz akm deiimine oran 20 olduuna gre devrenin toplam akm kazancn bulunuz.
=IE / IB = 20 ve =1+ dan =19 dur.
=19/20=0,95 olur.
=99,9875/100=0,999875 olarak bulunur.
6.10 AMPLFKATRLERDE KUPLAJ METODLARI
Kuplaj, sinyalin bir kattan dier bir kata aktarlmas ilemidir. Amplifikatrlerde kuplaj ise birinci
ykselte katnda ykseltilen sinyalin, ikinci ykselte katnn giriine aktarlmasdr. Bu ilemin en az
kaypla gerekletirilmesi gerekir.
6.10.1 TRANSFORMATR KUPLAJI
C1
TRF
Q1
Q2
Output
Input
RE1
CE1
RE2
CE2
ekil6.27 Basitletirilmi Transformatr Kuplajl Ykselte
Transistrl amplifikatrlerin kaskat olarak balanmasnda empedans uygunlatrma ii

byk bir nem kazanr. Bir kattan dierine max g transferi salayabilmek iin, ilk
amplifikatrn yksek k empedansnn , bundan sonra gelen amplifikatrn dk giri
empedansna uygunlatrlmas gerekir. Bu empedans uygunlatrma ii ara transformatr
kullanmak suretiyle salanabilir. Bu devrede Q1 transistr vastasyla ykseltilen giri sinyali
transformatr ile Q2 transistrnn beyzine kuple edilmitir. Bilindii zere, bir sistemde max
enerji transferinin gerekleebilmesi iin birinci kat k empedansnn, ikinci kat giri
empedansna eit olmas gerekir. Bu empedanslar eit olmazsa amplifikatr sisteminde, birinci
katta ykseltilen sinyalin tamam, ikinci kata gnderilemez. Devrede kayplar meydana gelir.
Empedans uygunsuzluunun neden olduu bu kayplar engellemek iin en iyi kuplaj eleman
transformatrdr.
Transformatrlerde, empedans uygunlatrma ilemi transformatrn primeri (LP) ile

sekonderi (LS) arasnda uygun sarm oran vastasyla salanabilir.
Np
=
Ns
Zp
Zs
forml, transformatrn dntrme oran ile primer ve sekonder
empedanslar arasndaki ilikiyi aklar. Push-pull g ykseltelerinde kullanlan transformatr,

transistrlerin yksek k empedanslarnn, hoparlrn dk empedansna uygunlatrlmasn
salar. Transformatrn primeri (Zp) transistrlerin kollektrlerine, sekonderi (Zs) ise dorudan
hoparlre baldr.
A snf alan bir push-pull g ykseltecinin k empedans 50 K, kendinden sonraki

kademede yer alan hoparlr ses bobini giri empedans 2000 ise max enerji transferinin
salanmas iin kullanlacak transformatrn sarm oran ne olmaldr ?
Zp=50 K
Zs=2 K
Np
=
Ns
50
=5 5:1 olarak bulunur.
2
A snf alan bir push-pull g ykseltete max enerji transferinin gereklemesi iin
kullanlan transformatrn sarm oran 10:1 dir. Ykseltecin k empedans 50 K ise ykselte
kna balanmas gereken hoparlrn empedansn bulunuz.
Np
Zp
10 =
=
Ns
Zs
50 K
50 K
100 =
Zs = 500
Zs
Zs
6.10.2 RC KUPLAJI
ekil 6.28
RC kuplajl transistrl ykselte sistemi
ekilde kapasitif kuplajl kaskat bir amplifikatr devresi grlmektedir. Devredeki

transistrlere, sinyal srasyla C1 ve C3 kondansatrleri ile kapasitif olarak kuple edilmitir. C5 ise
ykseltilmi olarak alnan sinyali ka balanacak olan hoparlre kuple etmek iin kullanlr.
Transistr empedanslarndaki hatal uygunlatrmadan dolay kapasitif kuplajl transistrl bir
kaskat amplifikatrde oluan kayplar zerinde durulmas gereken bir husustur. Transformatr
kuplajl iki katl bir transistrl amplifikatrden elde edilen ayn kazanc, RC kuplajl bir
amplifikatrden elde etmek iin iki kattan daha fazla bir amplifikasyona ihtiya vardr. Daha tesirli
sonu iin, RC ve transformatr kuplajlarn kark olarak kullanlabilir. Byle devrelerde

empedans uygunlatrc transformatr, ykselte katnn k ile hoparlr arasna konulur.
6.10.3 DREKT KUPLAJ
ekil 6.29 Direkt kuplajl transistrl amplifikatr
Transistrl kaskat amplifikatrlerde direkt kuplaj da kullanlr. Direkt kuplajn stnlkleri,

devre eleman saysnda tasarruf salamak ve frekans responsunu dzeltmektir. ekildeki devrede
direkt kuplajl iki katl bir amplifikatrn devre emas grlmektedir. Birinci transistrn
kollektrnden ykseltilmi olarak alnan sinyal dorudan bir iletken tel ile ikinci ykselte katnn
giriine (transistrn beyzine) uygulanmtr. Bu devrede giri ile k arasnda faz fark yoktur.
6.10.4 EMPEDANS KUPLAJI
ekil 6.30 Empedans kuplajl, transistrl amplifikatr
Empedans kuplajl amplifikatrlerde, RC kuplajl amplifikatrlerde kullanlan direnlerden biri

veya ikisi yerine indkleme bobini kullanlmtr. En ok kullanlan ekildeki devredir. Bu devrede
kollektr yk direnci yerine bir indkleme bobini konmutur. Bu devreden yksek g verimi elde
edilebilir. nk, DC g kayb yok edilmitir. ndkleme bobininin nt reaktans, frekans
karakteristiinin alak frekans ksmnn dmesine neden olur. Yksek frekans ksmn ise
kollektr kondansatr drr. Transformatr kuplajllarn tersine olarak empedans kuplajl
amplifikatrlerin frekans karakteristii, transformatr kuplajllardan daha iyidir. Fakat RC
kuplajllar kadar iyi deildir.
BLM VII
ZEL YARILETKENLER
7.1 GR
Diyot ve transistrler gibi yariletken elemanlara ek olarak, zel uygulamalar iin birok deiik
tipte yariletken elemanlar gelitirilmitir. Bunlar arasnda; FET, UJT, SCR ( Tristr ), varaktr ve
tnel diyot, foto diyot ve foto transistrler gibi elemanlar saymak mmkndr. Gnmzde vakum
lambalar yerini transistr, entegre, chip ve microchiplere brakt gibi anahtar ve rle gibi kontrol
elemanlar da yerlerini zel yar iletken elemanlara brakmtr. Bu durum elektronik cihazlarn
gelimesine ve boyutlarnn klmesine imkan vermitir.
7.1.1 ALAN ETKL TRANSSTRLER
NPN ve PNP tipi olarak adlandrlan klasik tip transistrler ( BJT, Bipolar Junction Transistor)
alak giri empedansna sahip olup hem elektron akm hem de boluk akmnn kullanld akm
kontroll elemanlardr. Alan etkili transistrler ( Field Effect Transistor ) iki ana gruba ayrlr;
1. JFET ( Junction Field Effect Transistor Eklem Alan Etkili Transistr )
2. MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Metaloksit Yar letken Alan
Etkili Transistor ).
Alan etkili transistrler BJTlere gre yksek giri empedansna sahip, tek kutuplu, gerilim
kontroll elemandr. Elektrik alan prensibine gre altndan alan etkili transistrler olarak bilinir.
Alan etkili transistr ( FET )ler , transistr ( BJT )lerin kullanld yerlerde rahatlkla kullanlrlar.
FETlerin, klasik transistrlere ( BJT ) gre stnlkleri yle sralanabilir:
-Giri empedanslar daha yksektir.
-Radyasyon ( yaynm ) etkisi yoktur.
-BJTlere gre daha az grltldrler.
-Issal deiimlerden etkilenmezler.
abuk hasar grmeleri ve band geniliklerinin dar olmas dezavantajlardr.
7.1.2 JFETN ALIMASI

Drain (D)
Gate (G)
n
maddesi
Source (S)
ekil 7.1 n kanall JFETin Fiziksel Yaps ve Sembol

Drain (D)
Gate (G)
p
maddesi
Source (S)
ekil 7.2 p kanall JFETin Fiziksel Yaps ve Sembol

JFETlerin fiziksel yapsndan grlecei gibi; Drain ( oluk ), Gate ( kap ) ve Source ( kaynak )
anlamna gelmektedir. n kanall bir JFET, bir materyalin her iki yanna p tipi madde enjekte edilerek
elde edilir. n kanall JFETde p tipi iki materyalin arasnda kalan blgeye KANAL denir. Kanaln
yapld maddenin adna gre JFET adn alr. Ayn ekilde p tipi bir materyalin her iki yanna n tipi
madde enjekte edilerek p kanall JFET elde edilir. Burada daha ok n kanall JFET zerinde
durulacaktr.
gei
blgesi
Vds
Vgs
ekil 7.3 n-Kanall JFETin Polarmalandrlmas

ekil 7.3te grld gibi; n-kanall bir JFETte drain ile source arasna bir gerilim uyguland
zaman, drain sourcea gre daha pozitif olur ve drainden sourcea bir akm akar. Normalde gate ile
source arasna bir gerilim uygulanr. Bu uygulama ekli ters polarmadr. Bylece gate, sourcea gre
daha negatif olur.
Ters polarma altnda kanal blgesinde depletion denen bir gei blgesi meydana gelir. Bu gei
blgesinin genilii Vgs ters polarma geriliminin byklne baldr. Vgs geriliminin negatiflii
arttka kanal daralmaya devam eder. Kanal daralmas demek, kanal direncinin artmas ve kanaldan
geen ID akmnn azalmas demektir.
Id
Vgs=0 Volt
Vds
ekil 7.4 N kanall JFETin akm-voltaj karakteristii.

ekil 7.4te grld gibi Vds deeri arttka Id akm da artmaktadr. Vds gerilimi artmaya devam
ederse, kanal iindeki gei blgesi fark edilir ekilde artar, ve belli bir deerden sonra akm art
durur, sabit kalr. Vds gerilimi yeterli byklkteki bir deere ayarlandnda, gei alanndaki art
ve bir sre sonra bu iki gei alannn bir noktada akmas grlecektir. ki gei alannn bir noktada
akmasna pinch-off denir. akma anndaki gerilime ise pinch-off gerilimi ( Vp ) denir. Kritik
gerilim olarak bilinir ve JFETin nemli bir parametresidir. Vp deeri genellikle n-kanall JFETte
negatif, p-kanall da ise pozitiftir.
Id
Vgs=0 Volt
Idss
Vp
Vds
ekil 7.5 N kanall JFETin Id-Vdsj karakteristii

ekil 7.5te Id akmnn max kritik (pinch-off) Vp deerine kt grlmektedir. Vp deerinden
sonra , Vds nin artmas Id akmn deitirmez. Bu akma SATURASYON (doyum) akm Idss denir.
JFET lerde drain akm deeri;
Id = Idss ( 1-Vgs/Vp)2
forml ile bulunur.
n kanall JFET in kritik gerilimi Vp= - 4.5 V. ve doyum akm Idss=9 mA dir. Buna gre,
Vgs nin hangi deeri iin Id=3 mA olur ?
3 mA=9 mA(1-Vgs/-4.5)2
0.57=1-Vgs/-4.5
Vgs=-1.94 V.
7.1.3 JFET PARAMETRELER
JFET e uygulanan voltajlarn deitirilmesiyle, JFET in gsterdii davrana PARAMETRE
denir. Baka bir ifadeyle JFET karakteristii veya sabiteleridir. retici firmalar, eleman tanmlamak
ve farkl elemanlar arasndan seim yapabilmek iin gerekli olan bilgileri kataloglarda belirtirler. JFET
parametreleri unlardr:
a) Drain-Source Doyma Akm (Idss): G-S eklemi ksa devre yapldnda D-S arasndan akan
akmdr. Baka bir ifadeyle saturasyon anndaki akmdr.
b) Gate-Source Pinh-Off Gerilimi (Kritik Gerilim, Vp): D-S kanalnn kapand (hi akm
geirmedii) gerilim deeridir.
c) Gate-Source Krlma Gerilimi (BVGss ) : Bu parametre belirli bir akmda D-S ksa devre iken
llr. Uygulamada bu deerin zerine klmas halinde elemen hasar grebilir.
d) Gei letkenlii (gm): JFET ler sabit akm eleman olduundan drain voltajndaki deimeler
drain akmnda ok fazla bir deiiklik yapmaz. Genelde drain akm gate voltaj ile kontrol edilir.
Gei iletkenlii drain akm deiimine gre gate voltaj deiimidir. Bu parametre geirgenlik
(Transconductance- gm) olarak bilinir. Geirgenlik, Vds sabit iken drain akm deiiminin, gate-source
aras voltaj deiimine orandr. gm =d / Vgs ve gm=2 Idss/Vp Id/Idss formlleri ile bulunur.
e) Drain-Source letim Direnci (rds): Bu parametre, belirli bir G-S gerilimi ve drain akmnda
llen gerilim, D-S iletim direnci JFET in anahtar olarak kullanlmasnda nem tar.
Vgs voltajnda 0 V tan 0.8V a olan deiiklik, drain akmnda 1.05 mA den 0.4 mA e olan bir
deiim meydana getiriyorsa JFET in geirgenliini bulunuz.
gm= Id / Vgs = (1,05-0,4) mA / (0,8-0) V = 812,5 S
gm=4,38 m S, Vp=-2,5 V, Id=5 mA olan bir JFET te D-S doyum akmn bulunuz.
gm =
2 Idss
Vp
Id
= 6mS
Idss
7.1.4 MOSFET LER
JFET ler, klasik transistrlere gre byk bir gelime olmasna ramen baz limitlemeleri
mevcuttur. JFET lerin giri empedanslar klasik transistrlerden daha fazla olduu iin, JFET in
giriine balanan sinyal kaynandan ekilen kk miktardaki ters bayas gate akm, sinyal kaynan
ykler. Bu ykleme etkisini azaltmak ve frekans responsunu (cevabn) gelitirmek iin JFETlere gre
daha fazla gelimi baka bir alan etkili transistr yaplmtr.
Alan etkili transistrn (FET) gelitirilmi tipi genellikle MOSFET olarak bilinen metal oksit yar
iletkendir. MOSFET kelimesinin ak hali metal oxide semiconductor field effect transistordr.
MOSFET, ngilizce kelimelerinin ba harflerinden olumutur.
zole edilmi gate zelliinden dolay MOSFET lerin giri empedans son derece yksek olup (1014
) elektrodlar aras i kapasitans ok kktr. Bundan dolay MOSFET ler normal transistrlerin,
frekans sahasnn ok daha stndeki frekanslarda ve yksek giri empedansl ykseltelere ihtiya
duyulan devrelerde daha fazla kullanlr. Bunun iin MOSFET ler voltmetre, ohm metre ve dier test
aletlerinde kullanlrlar. MOSFET lerde, JFET lere ve klasik transistrlere nazaran grlt daha az
olup, band genilii daha fazladr.
MOSFET lerin bu stnlklerine nazaran baz sakncalar vardr. yle ki; MOSFET yapsndaki
ince silikon oksit tabakas, kolaylkla tahrip olabilir. MOSFET e elle dokunulmas halinde insan
vcudu zerindeki elektrostatik yk nedeniyle oksit tabakas delinerek, kullanlmayacak ekilde harap
olabilir. Bundan dolay MOSFET ler zel ambalajlarnda korumaya alnmal, MOSFET e
dokunmadan nce kullanc, zerindeki elektrostatik yk topraklayarak boaltmaldr. MOSFET i
devre zerine montaj yaparken dk gl havya kullanmal ve havya mutlaka topraklanmaldr.
MOSFET ler u ekilde snflandrlr:
a)Azalan ( Boluk arjl, depletion tipi ) MOSFET
b)oalan ( Enhancement ) tip MOSFET
JFET lerde olduu gibi yine kendi aralarnda, n ve p kanall azalan ve oalan tip olarak ayrlrlar.
Drain
Drain
Substrate
Gate
Substrate
Gate
Source
a) n kanall azalan tip MOSFET
Source
(c) n kanall oalan tip MOSFET
Drain
Drain
Substrate
Substrate
Gate
Gate
Source
Source
(b) p kanall azalan tip MOSFET
(d) p kanall oalan tip MOSFET
ekil 7.6. MOSFET Sembolleri
MOSFET sembollerinden grlecei gibi JFETlerden ayran, MOSFET lerde SUBSTRATE

(SS,Bulk,Altkatman) terminalinin bulunmasdr.
7.1.5.
MOSFETN ALIMASI
A) AZALAN (BOLUK ARJLI, DEPLETION) TP MOSFET
Metal
Silikon Nitrat
Silikon Oksit
SS
ekil 7.7 Azalan Tip MOSFETin Yaps
ekil 7.7de taban malzeme (gvde) P-tipi madde alnmtr. Bu P-tipi maddenin uygun yerlerinde
N tipi blgeler oluturulmu ve aralarna ince bir kanal yerletirilmitir. Bu yapnn st silikon oksit
tabakas ile tamamen kaplanmtr. Ancak bu tabakann havadaki sodyumdan etkilenebileceinden
bunun zeri ikinci tabaka olan silikon nitrat ile kapatlmtr. N maddelerinden kartlan ularn ad
Drain ve Sourcedur. Drain ve Source ular, silikon tabakalarndan delik alarak metalik irtibat
salanmtr. Drain ve Source ular, N-tipi blge ile dorudan irtibatl olduu halde Gate ucu
yariletkenden yaltlm, izole edilmi haldedir. Burada Gate ucuna uygulanan gerilim sfr volt
olduunda Drain ve Source ular arasnda belirli bir akm akar. nk, D ve S birbiriyle irtibatldr. G
terminaline (+) gerilim uygulandnda, N-tipi maddeler arasnda mevcut olan kanal genileyeceinden
D-S arasndan geen akm artar. G terminaline (-) gerilim uygulandnda kanal daralarak akm azalr.
ekil 7.7de kanal N-tipi maddeden yapld iin N-kanall azalan tip MOSFETtir. Kanal P-tipi
maddeden de yaplabilir.
D-S arasndan geen akm kanaldan geer. Gatee uygulanan gerilim ile kanaldan geen akm
kontrol edilir. N-kanall azalan tip MOSFETte Gate ile Source (-), Drain(+ ) polaritedir. Azalan tip
MOSFETte Gate voltaj sfr iken Drain akm vardr. Gatee uygulanan (-) voltajla kanal iletkenlii
dolaysyla akm azald iin azalan tip MOSFET olarak adlandrlr.
B) OALAN (ENHANCEMENT) TP MOSFET
Metal
Silikon Nitrat
Silikon Oksit
SS
ekil 7.8 oalan Tip MOSFETin Yaps
oalan tip MOSFETin azalan tipten fark iki N-tipi blgenin arasnda kanal olmamasdr. Burada
da Source(S) ve Drain (D) ular, N-tipi blgelerle dorudan temas halinde olduklar halde Gate (G)
ucu yariletken malzemeden izole edilmi durumdadr.
G ucuna herhangi bir gerilim uygulanmad srece S ve D ular arasndan bir akm akmaz. G
ucunun bulunduu metal para ile P-tipi gvde bir kondansatr zellii gsterir. nk, iki iletken bir
yaltkan kondansatr meydana getirir. G ucuna (+) gerilim uygulandnda, kapasite zelliinden
dolay P-tipi gvdede iki N-maddenin yannda (-) ykler toplanr. (ekil7.9)
ekil 7.9 P tipi gvdede ( - ) yklerin toplanmas
Bylece iki N-tipi madde arasnda doal olarak bir kanal oluur. Bu durumda akm ak balar.
Gatee uygulanan (+) gerilimin arttrlmas halinde, iki N-tipi madde arasnda oluan (-) ykler
oalarak P-tipi gvde ierisinde oluan bu kanaln genilemesine sebebiyet verir. Bylece S ve D
ular arasnda akan akm artar. Dolaysyla, S ve D ular arasnda akan akm, Gatee uygulanan
gerilim ile kontrol edilebilir. Gate ucuna gerilim uygulanmad srece S ve D arasndan akm akmaz.
7.1.6. MOSFETN KARAKTERSTKLER
A)
AZALAN (BOLUK ARJLI, DEPLETION) TP MOSFET :
R1
R1
RD
V1
VGG
VGS
V1
VDS
ekil 7.10 n-kanall azalan

tip MOSFET devre balants
VDD
RD
VGS
VDS
VGG
ekil 7.11 p-kanall azalan tip

MOSFET devre balants
Id(mA)
Id
k
1V
0V
-1 V
Id=Idss(1-Vgs/Vp)2
Idss
Vds(V)
Vgs
Vp
ekil 7.12
ekil 7.13
ekil 7.12de grld gibi Vgsnin negatif deeri arttrld takdirde, belli bir gerilimde artk Id
akmaz. Bu gerilime kritik gerilim (Vp) denir. k erisine kadar her bir eri Vp (pinch-off) gerilimine
ulancaya kadar Drain akm da artar. Bu deerden sonra gerilim artna ramen akm sabittir.
Transfer karakteristiinde gsterilen Id=Idss(1-Vgs/Vp)2 forml, MOSFETlerde geerlidir.
B) OALAN (ENHANCEMENT) TP MOSFET :
R1
V1
VGG
R1
RD
VGS
RD
V1
VDS
VDS
VGS
VDD
VGG
VDD
ekil 7.14 oalan tip MOSFETlerde devre balantlar
Gate uygulanan negatif gerilimin azaltlmas halinde Id akmayacaktr. Yine dier elemanlarda
olduu gibi, belli bir voltaj deerinden sonra, voltajn artmasna ramen akm artmayacaktr
(Saturasyon). oalan tip MOSFETler daha kk boyutlarda olduu iin entegre devreler iin
uygundur.
Azalan tip MOSFETte drain-source doyma akm 10mA, Vp = - 4 V tur. Drain akmn;
a)
Vgs = 0 V
b)
Vgs = -3 V gate-source gerilimleri iin hesaplaynz.
a)
Id = Idss (1-Vgs/Vp)2 = 10 (1- 0 / (-4) ) 2 = 10 mA
b)
Id = Idss (1-Vgs/Vp) 2 = 10 (1- (-3) / (-4) ) 2 = 0,625 mA
Azalan tip MOSFETin parametreleri Idss= 12 mA, Vp= -3 V, Vgs= 0 V tur. Elemann gei
iletkenliini bulunuz.
gm =
2 Idss
Vgs
(1
)
Vp
Vp
gm =
12
0
(1
) =8 milisiemens
3
3
7.1.7 JFETLE YAPILAN YKSELTE DEVRES
Transistrlerde olduu gibi, JFETli ykselteler;

Sourceu ortak,
Draini ortak,
Gatei ortak olarak tertiplenir.
ekil 7.15 Sourceu ortak ykselte devresi
ekil 7.15de sourceu ortak ykselte devresi grlmektedir. Bu devrede Rs direnci, uygun
deerlikte bir kondansatr ile AC adan ksa devre edilirse o zaman gerilim kazanc Av = gm. Rd
olur. Emiteri ortak ykseltete olduu gibi giri ile k arasnda 1800 derece faz fark vardr. Sourceu
ortak ykseltete, kaynak direncini AC adan ksa devre edecek kondansatrn deeri devrenin
alaca en dk frekansta, Xcs = (Rs / 10) olacak ekilde seilmelidir. Bilindii gibi ;
Xcs = (1 / 2fCs)dir.
Cs kondansatrnn varl, devrenin AC gerilim kazancnn artmasna yol aar. Ancak, AC
bakmdan negatif geri besleme ortadan kalkt iin, devre dorusallk ve bozulma (distorsiyon)
bakmndan ktleir.
7.1.8
MOSFETLE YAPILAN YKSELTE DEVRES
ekil 7.16 MOSFETle Yaplan Ykselte Devresi
ekil 7.16da Sourceu ortak ykselte devresi grlmektedir. MOSFETin giri empedans JFETe
oranla ok daha fazladr. Devrenin gerilim kazancn fazlalatrmak iin Rs direnci bir kondansatr ile
AC ksa devre edilebilir. Ancak bu durumda, gerilim kazanc artmakla birlikte, devrenin
dorusallnn bozulaca hatrdan karlmamaldr. Devrenin AC gerilim kazanc, Rd ile doru, Rs
ile ters orantldr.
7.1.9 UNI JUNCTION TRANSSTRN ALIMA PRENSB
Tek eklemli (uni junction, UJT) elemanlar zel yar iletkenlerden ilkidir. Esas olarak voltaj
kontroll elektronik bir anahtardr. Yksek bir direnten (anahtar ak) alak bir dirence (anahtar
kapal) geebilir.
Base 2
Emiter
Base2
Emiter
p
n
Base1
Base 1
(a)
(b)
Base 2
Emiter
Base 2
Emiter
Base 1
Base 1
(c)
(d)
ekil 7.17 Tek Eklemli Transistr (UJT)
ekil 7.17 (a) da UJTnin yaps gsterilmitir. n tipi madde ierisine eritilerek birletirilen p tipi
maddeden bir para transistrn emiteridir. Ana parann zt ularna irtibatlanan omik kontaklar
BASE-1 ve BASE-2 olarak adlandrlr. BASE-2 terminaline emiter daha yakndr.
Dier tip UJT de p-tipi maddeden yaplm bir ana para ve n-tipi emiter kullanlr. Ana para veya
ubuk yariletken olduundan belli bir dirence sahiptir. ekil 7.17 (b) de terminalin edeer
devresini gstermektedir. n-tipi ubuk BASE-1 ve BASE-2 arasnda bir diren olarak grnr. Bu
diren Baseler aras (INTERBASE) diren diye adlandrlr. Deerleri 5 K ile 20K arasnda olur.
p-tipi emiterin n-tipi ubukla birlemesi bir P-N eklemini oluturur.
ekil 7.17 (c) de n-tipi UJT, (d) de ise p-tipi UJT nin sembol grlmektedir.
+20V
R2
+10V
R1
+20V
B2
E
High
Impedance
C
B1
R2
12,8V
+3,1V
R1
REVERSE BIAS
OFF
A
B2
E
Low
Impedance
3V
B1
FORWARD BIAS
OFF
B
ekil 7.18 UJTnin Edeer Devresi
ekil 7.18 (a) da katottaki bir UJTnin edeer devresini gstermektedir. R1 ve R2 emitere pozitif
10V temin ettiinden emiter eklemi ters bayasldr. B1 ve B2ye akm ak mevcuttur. Emiterdeki
voltaj C noktasndaki voltaj at zaman eklem doru bayaslanm ve buna bal olarak UJT
atelenmi veya ON yaplm olur. Burada R1 ve R2 emiter voltajn deitirebilen herhangi bir
eleman temsil eder. R1in deerini attralm. Bunun neticesinde R1 zerindeki voltaj artarak tek
eklemli transistr doru ynde bayaslanacak ve transistr atelenecektir. ekil 7.18 (b) ye gre doru
bayaslandnda emiterle B1 arasndaki diren alak bir deere decektir. Direnteki azalma C
noktasndaki voltajn alak bir deere dmesine neden olur. (3 Volt) Alak deerdeki emiter B1
aras direnci ise kapal bir anahtar gibi etki yaparak eklem zerinden byk deerde bir akm akna
neden olur. Akm, B1den emitere ve R2 zerinden VBB ye doru akacaktr. R2 zerindeki bu byk
akm E noktasndaki voltajn +3,1 V a dmesine neden olacaktr. Diyod doru bayaslanarak, UJT
ON konumunda kalacaktr. ON durumunda (doru bayasl) UJT saturasyonda alr.
R1 direnci azaltlrsa doru bayas ortadan kalkarak UJT OFF konumuna geer. ON
durumundan OFF durumuna veya tersi durumu iin gerekli olan zamana Anahtarlama Zaman
denir.
UJT, yalnzca voltaj kontroll bir anahtardr. Bir anahtar veya kontrol eleman gereken herhangi bir
uygulamada kullanlabilir.
7.1.10 UJT LE YAPILAN RELAKSASYON (RELAXTON) OSLATR
Bir kondansatr veya bobinin bir diren zerinden yava yava arj ve sratle dearj olmasyla
sinsoidal olamayan bir dalgay reten osilatrlere relaksasyon osilatrler denir.
VE
VBB
Vp
R2
t
V
VE
V
C
R1
t
ekil 7.19 UJTli relaksasyon osilatr
UJT nin oluturduu en nemli devre relaksasyon osilatrdr. Balangta C kondansatr bo

varsaylsn. UJT almaz durumdadr. C kondansatr R direnci zerinden dolmaya balasn.
Kondansatr zerindeki gerilim Vp deerine ulatnda UJT tetiklenerek alr ve RB1 direnci aniden
azalr. IE akm artar. IE akmn R1 direnci snrlar. C zerindeki gerilim belli bir deere dtnde
UJT almaz durumuna girer ve IE = 0 olur. Bu andan itibaren C kondansatr yeniden R zerinden
VBB gerilimine doru dolmaya balar. Vp deerine ulatnda anlatlan olaylar yinelenir. Bu durumda
B1 zerinden k iareti darbeler eklinde olacaktr.
Relaksasyon osilatrnn frekans RC zaman sabitine baldr ve yaklak deeri;
f = 1 / RC olarak ifade edilebilir. 1 MHze kadar olan sinyaller bu osilatrlerden elde edilir.
7.1.11 SLKON KONTROLL DORULTMA
Silikon kontroll dorultma (silicon controlled rectifier SCR), drt yar iletken tabakasndan
olumu olup, Anot, Katot ve Gate adlarnda terminale sahiptir.
SCRnin dier ad tyristordur. Tyratron ve transistre benzer bir ekilde alt iin iki kelimenin
karm olan Thyristor olarak bilinir.
Bir SCRnin klasik diyoddan fark udur : Klasik bir diyodun A-K ular arasna uygulanan gerilim
0,6V a ulatnda diyod iletkenleir. SCR de ise bu deer sabit deildir.
Anod
p
n
Gate
p
n
Katod
ekil 7.20 SCRnin yaps ve sembol.
Gate ucundan akan akmn deerine bal olarak A-K arasndaki eik geriliminin deeri
deitirilebilir. Gate ucu ak olduunda SCRnin iletkenleebilmesi iin gerekli gerilim deeri, max
eik deerini verir ve VEM ile gsterilir. IG akm, deitirilerek VE1 ve VE2 ... gibi deiik eik
gerilimleri salanabilir. Gate akm dk deerli olduundan bir SCR devresinde dk g ile ok
byk gleri kumanda etmek mmkndr. Anot akm birka amper olan SCRlerin yan sra birka
yz amper olan deiik tipte SCRler vardr.
I
alma
Akm
Tutma
Akm
VEM
Dz Sznt
Akm
( Dz Krlma
Gerilimi )
Ters Krlma
Gerilimi
ekil 7.21 SCRnin I-V karakteristii
ekil 7.21de IG = 0 iken akm akm-gerilim grafii grlmektedir. SCR yaltkan durumda iken,
ister dz ister ters polarmalandrlm olsun, iinden ok az bir sznt akm akar. Ters polarlama
gerilimi SCRnin ters krlma gerilimine ulatnda sznt akm aniden artar. Bu istenmeyen bir
durumdur. Dz polarmada, polarma gerilimi dz krlma gerilimine ulatnda ise SCR
iletkenleerek iinden byk bir akm geirebilir. Bu srada SCRnin A-K ular arasndaki diren ok
klmtr. u halde, A-K ular arasna uygulanan gerilim deeri VEMden kk ise SCR yaltkan,
byk ise iletken olacaktr. Bir baka ifadeyle, SCR anahtar gibi almaktadr. SCR iletkenletikten
sonra, bu durumunu, iinden geen akm tutma akm na eit veya byk olduu srece korur. Aksi
halde yaltkan durumuna dner. Gate akm vastasyla SCRnin zerindeki gerilim deeri dz krlma
gerilimine varmadan iletkenlemesi mmkndr. Gate-Katod birleim yzeyi dz polarlandrlmak
suretiyle dz krlma gerilimi drlm olur. SCR iletken olduktan sonra art kap akmnn
herhangi bir etkisi kalmaz. SCR iinden geen akm tutma akm ndan byk olduu srece
iletkenliini korur. A-K arasndaki gerilim, tutma akm ndan daha kk bir akm aktacak seviyeye
indiinde SCR yaltma geer.
SCRler, k akm kontrol edilebilir dorultma olarak AC devrelerde uygulanrlar.
7.1.12 TRSTRLE YAPILAN GERLM KONTROL DEVRES
ekil 7.22 deki devrede yke yollanan gerilim kontrol altna alnabilir. Burada Gate akm DCdir.
DC gate akm vastasyla SCRnin dz krlma gerilimi drlr. SCRnin ular arasna uygulanan
AC gerilim deeri, pozitif ynde deeri drlm dz krlma gerilimine ulatnda SCR
iletkenleir. Bu gerilim deeri ve dolaysyla da ykten geen akmn ortalama deeri, kap akm
vastasyla kontrol altna alnabilir.
ekil 7.23 SCRli uygulama

ekil 7.22 SCRli uygulama
A1
Bir SCRnin A-K ular arasna AC gerilim uygulanabilir. Bu durumda gate akm AC veya DC
olabilir. Bu durumda SCRyi gerektiinde yaltkan yapabilmek iin A-K devresine eitli ilavelerin
yaplmas gerekir. Gate akm yine AC ve DC olabilir.
ekil 7.23teki devrede SCRnin gate kumandas, UJT ile yaplan relaksasyon osilatr yardmyla
gerekletirilmitir.
Kpr diyotlar giriteki AC sinyali tam dalga haline getirir. C noktasnda sfrdan balayp zener
gerilimine kadar ykselip bir sre bu seviyede kalan ve sonra tekrar sfra inen bir gerilim ekli vardr.
C noktasndaki gerilim zener gerilimine ykselirken ve zener gerilimine ulatnda R direnci
zerinden C kondansatrn arj eder. C zerindeki gerilim belirli bir deere ulatnda UJT tetiklenir
ve R1 zerinde bir darbe oluur. Bu darbe SCRyi iletken yapar. Bu srada C noktasndaki gerilim,
zener geriliminin altna inip sfra doru gitmeye balar. C zerindeki gerilim de sfra iner. Olaylar
byle devam eder. R ve C deerleri, SCRnin daha erken ya da daha ge iletkenlemesine kumanda
ederler. Relaksasyon osilatrnn, SCRnin ularna uygulanan ayn AC kaynaktan beslenmesi
senkronizasyonu temin iindir.
7.1.13 TRYAK VE UYGULAMALARI
Triyak, alma prensibi bakmndan SCRye benzer. Fakat, ift ynde iletim salamas ynnden
SCRden ayrlr.
Triyak ift ynde akm geirdiinden alar A1, A2 ve Gate olarak isimlendirilir. Triyak
tetiklemesinde hem pozitif hem de negatif gerilimler kullanlr. Triyak tetiklemelerinden en uygun olan
seenekler;
-A2 ucu (+) iken G ucundan (+) tetikleme verilerek
-A2 ucu (-) iken G ucundan (-) tetikleme verilerektir.
A1
A2
ekil 7.24 Triyak sembol
SCRde olduu gibi, triyakta da G ucundan tetikleme DC ve AC gerilim ile yaplabildii gibi, faz
kontrolne olanak veren, darbelerle de yaplabilir.
A
P1
1M
15 V(rms)
50 Hz.
Diyak
C
0.1
Triyak
R2
100
ekil 7.25 Triyakl g kontrol devresi
ekil 7.25teki devrede R1, P ve Cden oluan devre zamanlamay salar. Giri sinyali artt zaman
kondansatr zerindeki gerilim de artmaya balar. Kondansatr zerindeki gerilim diyan krlma
gerilimine ulatnda diyak iletken olur.
Kondansatr, diyak ve triyakn gate ucu zerinden boalr. Bu srada oluan darbe, triyak
iletkenletirir. A-B aras, triyak zerinden ksa devre olur. bu yzden triyak iletken olduu srece
kondansatr zerindeki gerilim sfra yakndr. Giriteki AC gerilimin (+) alternans bittiinde triyak
yaltkanlar. (-) alternans srasnda kondansatr bu defa ters ynde dolmaya balar. Belirli bir gerilim
deerinde diyak iletkenletirerek triyak tetikler. Triyakn iletkenlii (-) alternans sonunda son bulur.
Eer lamba zerinden geen akm azaltmak istersek, Pnin deeri bytlerek kondansatrn daha
yava dolmas ve diyakn daha ge iletkenleerek triyak daha ge tetiklemesi salanr. Bylece iletken
kalma as azald iin, devrede dolaan akmn ortalama deeri azalr.
BLM VIII
ZEL TP YKSELTELER
zel tip ykseltelerde dar bant ve geni bantl ykselteler ilenecektir. Dar band ykselteler
genelde alc-verici devrelerinde kullanlp, frekans band dar olan sinyallerin ykseltilmesinde
kullanlr. Geni bantl ykselteler ise birka Hzden balayp birka MHze kadar olan sinyallerin
ykseltilmesinde kullanlr.
8.1 DAR BANT YKSELTEC
Dar bant ykseltecine en iyi rnek alc devrelerinde kullanlan transistrl RF ykseltecidir.
Anten
T2
T1
Q1
C4
Frekans
Seici
C1
R3
C4
R4
C5
R2
R1
C2
+Vcc
ekil 8.1 Transistrl RF ykselteci

ekil 8.1deki ykselte, emiteri ortak olarak tertiplenmitir. T1 transformatrnn primeri, C1
kondansatryle
paralel
tank
devresini
oluturur.
C1
kondansatryle
seilen
sinyal
T1
transformatrnn sekonderi vastasyla Q1in beyzine uygulanr. Ykseltilmi sinyal C4 ve T2 nin

primerinden oluan tank devresi zerinde grlr. Anten ve kollektr devreleri seicilii arttrmak iin
ayn frekansta rezonansa gelecek ekilde ayarlanr. Seicilik herhangi bir devrenin, bir frekans veya
frekans bandn seme, dier frekanslar atma kabiliyetidir.
Genellikle iki veya daha fazla R-F ykselte kademesi birinin k dierinin girii olacak ekilde
arka arkaya irtibatlandrlr (Kaskad).
Dar bant ykselteleri, sistemin seicilik ve hassasiyetini meydana getiren rezonans devreleri
kullanrlar. Kuplaj devreleri, yksek Q ve empedans uygunluu gibi karakteristikleri salayan
rezonans tank devrelerini ierirler.
8.2 GEN BANT YKSELTELER
Ykseltme sistemlerindeki baz uygulamalar, sinsoidal olmayan sinyallerin ykseltilmesidir.
Sinsoidal olmayan sinyaller, testere dii sinyal gibi ana frekans ile onun ok saydaki harmoniklerini
ierirler. Ykseltme sistemi, ana frekans ve harmoniklerinin tamamn eit olarak ykseltmelidir. Bu
tip ykseltme yapan sistemlere geni band (video) ykselteci denir.
8.2.1 KARE DALGA KARAKTERST
3F
F+3F
5F
F+3F+5F
ekil 8.2 Kare dalgay meydana getiren harmonik frekanslar
Geni bant ykseltelerinin kullanm amacn anlamak iin kare dalgann oluumunu aklamak
gerekir. Kare dalga, pozitif ve negatif olmak zere eit ve sabit genlikteki alternansn periyodik olarak
tekrarlanmasyla oluan bir dalga eididir. Mkemmel bir kare dalgann yan kenarlar dik, st ve alt
ksmlar da dzgn yatay hatlar eklindedir. Kare dalgann yan kenarlar bir deerden dier bir deere
hzl bir ekilde deiir. Bundan dolay yan kenarlar kare dalgann yksek frekansn temsil eder. Kare
dalgann dzgn alt ve st ksmlar deiiklik gstermedikleri (veya yava bir deime) iin alak
frekans temsil ederler.
Bir kare dalga belirli faz ve genlik mnasebetindeki ana frekans ve sonsuz saydaki tek sayl
harmoniklerden oluur.
Sins ana frekansnn bir saykl, kare dalgann bir saykl ile ayn zaman aralnda tamamlanr. Bu
durumda frekanslar ayndr. Sinsn ana frekans (B) de olduu gibi temsil edilir. 3. harmonik ana
frekansn mislidir. (C) ana frekansn 3. harmonikle birlemesi sonucunda (D) de grlen ekil
retilir. Ana frekansn 5. harmonii (E) de gsterilmitir. 5. harmoniin (D) deki ekil zerine ilave
edilmesiyle elde edilen dalga (F) de olduu gibidir. Bu sinyal kare dalgaya ok benzemektedir. Bu
olaylar byle devam ettirilirse, (G) deki dalga ekline ulalr ki bu dalga ok geni frekans bandndan
olumutur.
ayet, kare dalga ykseltilmek istenirse, ykseltecin btn frekanslar eit olarak ykseltmesi
gerekir.
Kare dalgada dikkate alnmas gereken dier bir husus, harmoniklerin faz ve genlik
mnasebetleridir. rnein, 3. harmonik ana frekans genliinin 1/3i, 5. harmonik ana frekans
genliinin 1/5i, 7. harmonik ana frekans genliinin 1/7i genliinde olmaldr. Ana frekans ile btn
harmonikler ayn fazda olmaldr.
8.3 GEN BANT YKSELTECNN ALIMA PRENSB
ekil 8.3 Basitletirilmi geni band ykselteci
Bir video (geni bant) ykseltecinin frekans sahas birka Hzden birka MHze kadardr. Geni
band sahas elde etmenin bir yolu kk yk direnci kullanmaktr.
Kazan
Byk RL
BW
0.707
Kk RL
Frekans
BW
ekil 8.4 Yk direncine bal olarak deien frekans-response erisi

ekil 8.3 de basitletirilmi ematik diyagram ile ekil 8.4 de RL nin byk veya kk olmas
halinde frekans-response erilerini gstermektedir.
RLnin kltlmesiyle, yarm takat noktalar birbirinden uzaklar ve BW byr.
8.4 DFERANSYEL YKSELTELER
Vi1
Vi2
2
4
Vo1
Vo2
ekil 8.5 Temel diferansiyel ykseltelerin blok ve devre emas

Diferansiyel (fark) ykselteci ok eitli uygulamalarda kullanlan zel bir devre trdr. Fark
ykseltecinde iki ayr giri (1 ve 2) ve iki ayr k (3 ve 4) ucu vardr. Sinyaller, giri ularndan
birine veya her ikisine birden uygulanlabilir ve k gerilimleri, her iki k ucunda da grlecektir.
Giriler, iki ayr transistrn beyzine uygulanr. V01 ve V02 k ularnn tek ya da iki giri
sinyalinden etkilenmesini salamak iin transistrlerin emiterleri, ortak bir emiter direncine
balanmtr. klar, transistrlerin kollektr ularndan alnmaktadr. Ykselte tek bir gerilim
kaynayla da alabilir.
8.5 LEMSEL YKSELTELERE GR
lemsel ykselteler (operational amplifier, OP-AMP) 1960l yllarn sonlarna doru
kullanlmaya balanmtr. 741 veya 747 gibi entegre eklinde retilirler. OP-AMP, ok yksek
kazanl bir DC ykseltetir. ok geni bir kullanm alan vardr.
8.6 LEMSEL YKSELTELER
Tersleyen
Giri
_
k
Terslemeyen
Giri
ekil 8.6 Temel OP-AMP sembol

ekil 8.6da temel OP-AMP sembol gsterilmitir. Bu sembolde gsterilmeyen bir de besleme
voltaj ular bulunur. Genel olarak bir OP-AMPn iki giri, bir k, iki de besleme kayna ucu
bulunur. Sembolde, (-) iaretli giri ucu tersleyen (eviren, inverting), (+) iaretli giri ucu ise
terslemeyen (evirmeyen, non-inverting) giri ucudur. (-) iaretli giri ucuna sinyal uygulandnda
ktan 180 faz farkl bir k sinyali alnr. Giri sinyali (+) iaretli giri ucuna uyguland zaman
kla giri arasnda faz fark olmaz.
OP-AMP, 5 nemli zellie sahiptir. Bunlar;
Kazanc ok fazladr (rnein 200.000)
Giri empedans ok yksektir (5 M)
k empedans sfra yakndr
Band genilii fazladr (1 MHz)
Girie 0 V uygulandnda, ktan yaklak 0 V elde edilir.
OP-AMPn iki kazanc vardr. Bunlar ak evrim ve kapal evrim kazancdr. Kapal evrim
kazanc, devreye harici olarak balanan geri besleme direnci ile belirlenir. Ak evrim kazanc ise
OP-AMPn kendi kazancdr. Yani diren ile belirlenemeyen kazancdr. Her ne kadar OP-AMPn
kazanc yaklak 200.000 gibi bir deerde olmasn ramen bu kazan OP-AMPa uygulanan besleme
voltajna baldr. rnein, bir OP-AMPn besleme voltaj 12 V ve girie 1 V ykseltilmek zere bir
giri sinyali uygulansa, OP-AMPn zelliine gre ktan bu kazanca orantl olarak 200.000 V
alnmaz. nk, besleme voltaj 12 V kullanlmsa ktan en fazla 12 V alnr. Burada, ak
evrim kazancn etkileyen en nemli faktr besleme voltajnn deeridir.
OP-AMPn dier zellii 5 Ma ulaan giri empedansdr. Giri empedansnn bu kadar byk
olmas bal olduu sinyal kaynan ve bir nceki devreyi yklememesi, kk bir giri akm ile
kumanda edilmesi gibi stnlkleri vardr.
OP-AMPn k empedans idealde 0 iken pratikte bu deer 100-150 arasndadr. OP-AMPn
k empedansnn kk olmas, k akmn arttrarak ksa devrelerden zarar grmesini salar.
OP-AMPn band genilii 1MHz civarndadr. OP-AMPa uygulanan sinyalin frekans ykseldike
kazan der. DC ve DCye yakn sinyallerde OP-AMPn kazanc yaklak 200.000dir.
OP-AMPn statik almasnda yani girite sinyal yokken kn 0 V olmas gerekir. Ancak
pratikte giri ular arasnda, ok kk de olsa offset gerilimi oluur. Bu kk gerilim, OP-AMPn
kazanc ile arplarak ka aktarlr. Bu nedenle, OP-AMP entegrelerinde offset sfrlama ular
kullanlr.
ekil 8.7 Offset gerilimin sfrlanmas
Yksek performans gereken yerlerde ekil 8.7de grld gibi harici balantlarla OP-AMP k
bata iken sfr yaplr.741 entegresinin 1 ve 5 nolu ularna bir potansiyometre balanarak, orta ucu (-)
voltaj kaynana balanr.
741
_
ekil 8.8 741 entegresi

ekil 8.8de 741 entegresinin i balant emas gsterilmitir. Burada;
1 nolu u, offset sfrlama
2 OP-AMPn tersleyen giri ucu
3 OP-AMPn terslemeyen giri ucu
4 (-) V, negatif besleme voltaj
5 Offset sfrlama
6 OP-AMP k
7 (+) V, pozitif besleme voltaj
8 NC (not connected), bo utur.
IC 747de ise 2 adet OP-AMP devresi bulunur.
ekil 8.9 OP-AMP larn beslenmesi
Bir OP-AMPa 5 V, 12, 15, 18 V gibi besleme voltaj verilebilir. OP-AMPn AC sinyal
ykseltmesinde tek g kayna kullanmak yeterlidir. Genellikle OP-AMPlar simetrik kaynaktan
beslenirler.
8.7. OP-AMPIN KULLANILDII YERLER

8.7.1 OP-AMPIN FAZ EVREN YKSELTE (INVERTNG AMP.) OLARAK
KULLANILMASI
Rf
If
Vi
R1
Ii
Vo
ekil 8.10. Faz eviren ykselte

OP-AMPn giri empedans ok yksek olduundan (+) ve (-) giri ularndan nA seviyesinde
akm geer. Giri empedans sonsuz olarak kabul edilirse, (+) ve (-) giri ularndaki voltaj fark da
sfr olacaktr. Bundan dolay OP-AMPlarda devreye giren akm, elemana girmez kabul edilir. ekil
8.10da akm ynleri bu kurala gre izilmitir.
ekil 8.10daki devrede giri sinyali OP-AMPn (-) ucu olan faz eviren giriine uyguland iin
devrenin ad faz eviren ykseltetir. Bu devrede, R1 giri direnci, Rf ise geri besleme direncidir. OPAMPa harici direnler baland iin kapal evrim kazanc sz konusudur. Diren deerleri ise bu
direnlerin deerine baldr.
Kirchhoff un akmlar kanununa gre,
Ii = If dir.
Ii =
Vi VX
R1
Ii =
Vi
olur.
R1
If =
VX V0
(Vx = 0 olduundan)
Rf
(Vx = 0 olduundan)
If =
V0
Rf
olur.
Ii = If olduundan
Vi
V
= 0
R1
Rf
olur.
V0 R1 = Vi R f den
Rf
V0
=
Vi
R1
bulunur.
k voltajnn giri voltajna oran, ykseltecin gerilim kazancn vereceinden;

Av =
Rf
R1
elde edilir.
Formldeki (-) iareti girile k arasnda 180 faz fark olduunu gsterir.
Av =
R
R1
formlne gre Rf = R1 olarak seilirse ykseltecin kazanc 1e eit olur. Girie
uygulanan sinyalin sadece polaritesini deitirir.
Faz eviren ykselte devresinde Rf = 100 K, R1 = 25 K ise gerilim kazancn bulunuz.
Av =
Rf
R1
100 K
=-4
25 K
Faz eviren ykselte devresinde Rf = 500 K, R1 = 100 K dr. Vi = -2 Vluk giri iin k gerilimi
ne olur ?
V0 =
Rf
R1
Vi =
500 K
(2) = +10V
100 K
8.7.2 OP-AMPIN FAZ EVRMEYEN YKSELTE OLARAK KULLANILMASI
(NON-INVERTING AMP.)
Vi=0
Rf
Vi
R1
Vo
ekil 8.11 Faz evirmeyen ykselte ve edeer devresi

Faz evirmeyen ykselte devresinde, giri sinyali OP-AMPn (+) giri ucuna uygulanr.
Dolaysyla k ile giri arasnda faz fark bulunmaz.
deal bir OP-AMPn giri empedans sonsuz olduundan, (+) ve (-) giri ularndaki potansiyel
fark 0dr. Edeer devreye gre Vi gerilimi, R1 zerinde den gerilime eittir.
Vi =
R1
V0
R1 + R f
Bu formlde Vo / (R1 + Rf) eitlii R1 ve Rfden geen akm temsil eder. Bu deer R1 ile arplrsa
giri gerilim deeri bulunur.
Vi =
R1
V0
R1 + R f
Vi
R1
=
V0 R1 + R f
eitliinde her iki taraf Vo a blersek;

olur.
Rf
V
V0 R1 + R f
=
0 =1+
R1
V1
R1
Vi
Av = 1 +
Rf
R1
olarak bulunur.
.
ekil. 8.12 Faz evirmeyen ykselteler
ekil 8.12de gsterilen devreler de ayn zamanda faz evirmeyen ykseltelerdir.
ekildeki faz evirmeyen ykseltecin kazancn bulunuz.
Av = 1 +
Rf
R1
=1+
200 K
=5
50 K
Faz evirmeyen yk. devresinde Rf = 200 K, R1 = 50 K, ve Vi = 3 V ise V0 = ?

Rf
V0
V
200
=1+
0 =1+
Vo = 15Volt
Vi
R1
3
50
8.7.3 OP-AMPIN GERLM ZLEYC OLARAK KULLANILMASI

(VOLTAGE FOLLOWER)
Vi = 0
Vi
ekil 8.13 Gerilim izleyici ve edeer devresi
Vo
Bu devre, gerilim kazancnn 1 ve giri k iaretinin ayn fazda olduu bir ykseltetir. Edeer
devrede grlecei gibi Vo = Vi dir. Emiter izleyici devreye ok benzer. Bu devrenin giri empedans
yksek, k empedans dk olduundan empedans uygunlatrmada kullanlr. Gerilim izleyici
devrede Av = 1 dir.
8.7.4 OP-AMPIN TOPLAR YKSELTE OLARAK KULLANILMASI
(SUMMING AMP.)
ekil 8.14 Toplar ykselte

Toplar ykselte, inverting ykselte gibi almaktadr.
Rfden geen akma If, R1den geen akma I1, R2den geen akma ise I2 dersek;
If = I1 + I2
I1 =
V 1 Vx
R1
, I2 =
V 2 Vx
R2
, If =
( Vx = 0 olduu iin )
I1 =
V1
V2
, I2 =
R1
R2
I 1 + I 2 = If
V1 V 2
V0
+
=
Rf
R1 R 2
, If =
Vo
Rf
Vx Vo
Rf
Vo =
Rf
Rf
V 1 + V 2 olarak bulunur.
R2
R1
Eer, Rf = R1 = R2 olarak seilirse,

Vo = (V 1 + V 2 ) olur.
Giri adedi 3 olursa k voltaj deerini veren forml,
Rf
Rf
Rf
V0 = V 1 + V 2 + V 3 olur.
R2
R3
R1
Formldeki
(-)
iareti,
OP-AMPn
faz
eviren
ykselte
olarak
almasndan
kaynaklanmaktadr.
Toplar ykselte devresinde; Rf = 600 K, R1 = 200 K, R2 = 100 K, V1 = 1 V, V2 = -3 V ise k

voltaj deerini bulunuz.
600
600
.1 +
.( 3) = 15 Volt
Vo =
100
200
V0 = (2V 1 + 3V 2 + 0,5V 3) kn veren bir OP-AMP devresi tasarlaynz. ( Rf = 60 K)

Tasarlanacak olan devre, 2 girili bir toplar ykseltetir.
Rf
Rf
Rf
V0 = V 1 + V 2 + V 3
R2
R3
R1
60 K
Rf
=2
= 2 R1 = 30 K
R1
R1
60 K
Rf
=3
= 3 R2 = 20 K
R2
R2
Rf
60 K
= 0,5
= 0,5 R3 = 120 K
R3
R3
8.7.5 OP-AMPIN FARK YKSELTEC OLARAK KULLANILMASI

(DIFFERENCE AMP.)
ekil 8.15 Fark ykselteci
Devre, girilerine uygulanan sinyallerin farkn alr. Devre analizinde, girilerden birisi yok
saylp, dieri var saylarak Sperpozisyon Teoremi uygulanacaktr.
nce OP-AMPn inverting ykselte olarak alt dnlrse;
nverting ykselte k; V0 =
Rf
Vi1 olur.
R1
imdi, inverting girii yok, non-inverting girii var iken k voltajn yazarsak;
ekil 8.16 Fark ykseltecinin non-inverting ykselte olarak almas
Faz evirmeyen ykseltecin k voltaj

Rf
V0 = 1 + Vi 2 dir.
R1
Fakat ekil 8.16dan grlecei gibi OP-AMPn faz evirmeyen ( + ) giriine uygulanan
sinyal, R3 direncinin zerine den voltaj Vx kadardr. Vx voltaj;
Vx = I R3 I =
Vx =
Vi 2
R3
R2 + R3
Vi 2
R2 + R3
olacaktr. u anda k voltaj;
Rf
V0 = 1 + Vx
R1
Rf R 3
V0 = 1 +
Vi 2
R1 R 2 + R 3
olur.
Yaplan analiz sonucunda, devrenin k voltaj;
V0 =
Rf
Rf R 3
Vi1 + 1 +
Vi 2
R1
R1 R 2 + R 3
bulunur.
Eer, fark ykseltecinin R1 = R2 = R3 = Rf olarak seilirse;

V 0 = Vi 2 Vi1
olur.
Eer, R1 = R2 ve R3 = Rf olarak seilirse V 0 =
Rf
(Vi 2 Vi1)
R1
olur.
R1 = 200 K, R2 = 50 K, R3 = 100 K, Rf = 100 K, Vi1 = -3 V, Vi2 = +2 V ise V0 = ?
V0 =
100
( 3) + 1 + 100 100 2
200
200 150
V 0 = 3,5 Volt
ekildeki devrenin inverting kazanc -1,5, R2 = 12 K, R1 = 15 K, R4 = 25 K, Vi2 = 8 V, V0 = 5

V ise devredeki geri besleme direnci deeri ile Vi1 deerini bulunuz.
Devrenin inverting kazanc 1,5 olduuna gre; Av =
R3
R2
-1.5 =
R3
12 K
R3 = 18K
olur.
Devredeki R1, R2, R3 ve R4 gibi diren etiketlerine gre fark ykseltecinin k ifadesinin
forml;
V0 =
5=
R3
R 3 R 4
Vi1 + 1 +
Vi 2 olur.
R2
R 2 R 1 + R 4
18
18 25
Vi1 + 1 +
8
12
12 15 + 25
Vi1 = 5Volt
2.5 K
0.8 V.
500
1.OP-AMP
0.4 K
3.OP-AMP
V1
ekilde verilen devrede;

a) V1 ile gsterilen giri voltaj deerini,
b) I ile gsterilen akmn deerini hesaplaynz
a)
1.OP-AMP k,
2500
0,8 = 4V
500
2.OP-AMP k
1500
V 02 = 1 +
V 1 = 4V 1
500
3.OP-AMP k yine 4V1dir.

4.OP-AMP k
V0 =
4.OP-AMP
2.OP-AMP
1.5 K
V 01 =
800
800
800 100
( 4 ) + 1 +
4V 1 formlnden,
400
400 200 + 100
100
Vo=9 Volt
V1 = 0,25Volt olarak bulunur.
b)
1500
0,251 +
V 0( 2.OP AMP )
500
I=
=
2000
Rf + R 1
I = 500
8.7.6 OP-AMPIN KARILATIRICI OLARAK KULLANILMASI

(COMPARATOR)
ekil 8.17 Karlatrc devre
ekil 8.17deki devre (-) giriine uygulanan referans sinyaliyle ( Vref ), ( + ) uca uygulanan Vi
sinyalini karlatrr. ki sinyal arasndaki fark ok kk olsa dahi 200.000 ile arplarak ka
aktarlr. Pratikte, ak evrim kazancn snrlayan faktr +V, -V besleme voltaj deerleri olduu iin
ktan yaklak +V, -V gerilim deeri kadar sinyal alnr. Bu devrede;
Vi > Vref olursa, ktan +V,
Vi < Vref olursa, ktan -V deeri alnr.
Eer, referans girii OP-AMPn ( + ) giri ucuna, Vi iareti de ( - ) giri ucuna uygulanrsa
OP-AMP inverting ykselte almas yapar.
ekil 8.18 TTL Devreyi sren karlatrc devre
Karlatrc devre, bir TTL devreyi srecek ise devreye bir diyod eklenir. ekil 8.18deki
devreye gre;
Vi > Vref olduunda, V0 = +5Volt ( diyod yaltmda ),
Vi < Vref olduunda, V0 = -0,6Volt ( diyod iletimde ) olur.
ekil 8.19 Zener diyotlu karlatrc devresi.
ekil 8.19daki devrede, OP-AMP k ( + ) iken zener diyod doru bayaslanaca iin
V0 = +3Volt olur. OP-AMPn k ( - ) olduunda, zener diyod ters bayaslanarak, normal bir diyod
gibi alr. ktan 0,6Volt alnr.
ekil 8.17deki devrede Vi = 4Volt, Vref = 2V, besleme voltaj deeri m 5Volt olduuna gre k
voltaj deerini bulunuz.
Vi > Vref ( 4V > 2V ) olduundan V0 = +5V olur.
ekil 8.18deki devrede Vi = +4V, Vref = +3V, besleme kayna voltaj deeri m 5V olduuna gre
k voltaj deerini bulunuz. ( diyod silisyumdur)
Vi > Vref ( 4V > 3V ) olduundan V0 = +5Vtur.
8.7.7 OP-AMPIN NTEGRAL ALICI DEVRE OLARAK KULLANILMASI

( INTEGRATOR )
Cf
Vi
R1
x
Vo
ekil 8.20 ntegral alc devre
Bu devre giriine uygulanan sinyalin integralini alr. Matematiksel anlamda integral, bir erinin
altnda kalan alana denk gelir. ntegrator devrenin giriine kare dalga uygulandnda, devrenin
kndan gen dalga elde edilir. nk kare dalgann integrali gen dalgadr. Bu devrenin k
voltaj;
1
V0 =
Vidt dir.
R1Cf 0
ekil 8.21 ntegrator devre
ekil 8.21de grld gibi giri offset geriliminin OP-AMP doyuma gtrmesini engellemek
iin Cfe paralel bal Rf direnci balanr. Giri polarma akmlarnn eit olmayndan dolay meydana
gelebilecek offset gerilimini ve bu gerilimin etkilerini gidermek amacyla OP-AMPn ( + ) giri
ucuyla ase arasna R2 direnci balanr. R2 = R1//Rfdir.
ntegral alc devrenin, giriine uygulanan sinyalin integralini alabilmesi iin;
fgiri fc =
1)
1
2RfCf
olmaldr.
( Girie uygulanan sinyalin frekans fc, kritik frekanstan byk veya eit olmaldr. )
2)Devrenin zaman sabitesi ( = R1Cf ) ile girie uygulanan sinyalin periyodu yaklak eit
olmaldr.
Eer, devrede bu artlardan bir veya ikisi salanmyorsa devre girie uygulanan sinyalin
integralini almaz, inverting ykselte olarak alr. Bu haliyle devrenin kazanc Rf/R1 olur.
ekil 8.21deki devrede Rf = 100K, Cf = 10nf, R1 = R2 = 10Kdr. Devrenin giriine 10KHzlik bir
sinyal uygulanrsa, devre integrator olarak alr m?
fc =
1
= 159 Hz
2 100.10 3.10.10 9
fgr > fc olduundan 1.art salanmtr. Devrenin giriine uygulanan sinyalin periyodu
T = 1/f = 1/10.000 = 0,1msdir. Devrenin giriine uygulanan sinyalin periyodu ile devrenin zaman
sabitesi birbirine eittir. ki art salandna gre devre integrator olarak alr.
Rf = 5K, Cf = 0,1nf, R1 = 10K, olan bir devrenin giriine 100KHzlik bir sinyal uygulanmaktadr.
Devrenin integrator olarak alp almadn tespit ediniz.
fc =
1
1
=
= 318,47 KHz
3
2RfCf 2 .5.10 .0,1.10 9
fgr > fc olmad iin devre integrator olarak almaz. ( 2.arta bakmaya gerek yoktur )
8.7.8 OP-AMPIN TREV ALICI DEVRE OLARAK KULLANILMASI
(DIFFERENTIATOR)
Rf
C1
Vi
Vo
I1
ekil 8.22 Trev alc
Giriine uygulanan sinyalin trevini alr. Girie gen dalga uygulandnda ktan kare
dalga, kare dalga uygulandnda ise kndan sivriltilmi dalga elde edilir. k voltaj;
V0 = Rf .C 1.
dVi
dt
dir.
ekil 8.23 Pratikte kullanlan trev alc
ekil 8.22deki devre pratik uygulamalarda kullanmaya elverili deildir. nk, C1 kondansatr
yksek frekansl giri sinyallerinde ksa devre zellii gstererek, zerindeki gerilim dm en az
seviyede olur ve ykseltecin kazanc artar. Yksek frekansl giri sinyallerinde k maksimum
seviyeye ular. Vi giriinde grlt mevcut ise devre grltnn yksek frekans blmn olduu
gibi ykseltir. Bu istenmeyen durumu engellemek iin ekil 8.23te grld gibi girie R1 direnci
eklenir. Bylece, devre kazancna yksek frekanslarda Rf / R1 oran gibi bir snrlama getirilir.
Trev alcnn, giriine uygulanan sinyalin trevini alabilmesi iin;
1) fgiri fc =
1
2 .R1.C 1
olmaldr.
( Girie uygulanan sinyalin frekans, fc kritik frekanstan kk veya eit olmaldr. )

2) Devrenin zaman sabitesi ( = Rf.C1 ) ile girie uygulanan sinyalin periyodu birbirine yaklak
eit olmaldr.
Bir trev alc devrede, Rf = 10K, C1 = 10nf, R1 = 1Kdr. Devre, giriine uygulanan 1KHzlik
sinyalin trevini alabilir mi?
fc =
1
1
=
= 1592 Hz
2 .R1.C 1 2 .1000.100.10 9
fgiri fc olduundan 1.art salanmtr. Devrenin zaman sabitesi = Rf. C1 = 1ms, devrenin
giriine uygulanan sinyalin periyodu, Tgr =
1
= 1msdir. Devrenin giriine uygulanan sinyalin
fgr
periyodu ile devrenin zaman sabitesi birbirine eittir.

ki art salandna gre, devre trevleyici olarak alr.
Bir trevleyici devrede Rf = 50K, R1 = 5Kdr. Devrenin giriine 50KHZlik gen dalga
uygulandnda, devrenin trevleyici olarak alabilmesi iin gerekli kapasite deerini bulunuz.
giri = Rf C1
fc =
1
= 50.10 3.C1 C1 = 400 pf
3
50.10
1
1
=
= 80 KHz
2 .R1.C1 2 .5000.400.10 12
fgiri fc olduundan devre trevleyici olarak alr.

8.7.9 OP-AMPIN LOGARTMK YKSELTE OLARAK KULLANILMASI
Ic
Vi
R1
R2
Vo
I1
ekil 8.24 Logaritmik ykselte
Bu tip zel ykselteler, analog bilgisayarlarda matematiksel ilemleri gerekletirmede

kullanlr. Bu ykselte, ayn zamanda inverting zelliktedir. Geri besleme eleman olarak transistr
kullanlr. Transistrn B-E ekleminden faydalanlarak logaritma ilemi yaplmaktadr. k voltaj;
V0 = VBE = 60mV .log
Ic
I0
olmaktadr.
I0 deeri sabit olup, oda scaklnda 10-13A deerindedir.
Logaritmik ykselte devresinde R1 = R2 = 1,2Kdr.

a) Vi = 120mV olduunda k voltaj deerini,
b) Vi = 1,2mV olduunda k voltaj deerini bulunuz.
a) V0 = 60mV .log
V0 = 60mV .log
Ic
I0
, Ic =
Vi 0,12V
=
= 0,1mA
R1 1,2 K
0,1.10 -3
= 60mV . log10 9
10 -13
log 10 9 = 9. log10 = 9
olduundan;
V0 = 60mV.9 = 540mV
a) Ic =
Vi 1,2V
=
= 1mA
R1 1,2 K
V0 = 60mV .log
10 -3
= 60mV.log1010
10 -13
V0 = 60mV.10.log10 = 600mV
Giri gerilimi 10ar kat arttrld halde kta 60mVluk artlar olmutur.
Logaritmik ykselte devresinde, diren deerleri 100K, k gerilimi 0,3Volt ise giri voltajnn
deerini hesaplaynz.
Ic
I0
300mV = 60mV .log
Ic
= 10 5 Ic = 10-8A
10 -13
V0 = 60mV .log
5 = log
Ic
10 -13
Vi = Ic.R1 = 10-8.100.103 = 1mV
Ic
10 -13
8.7.10 OP-AMPIN YARIM DALGA DORULTMA OLARAK KULLANILMASI

Bilindii gibi dorultma ilemini yapan eleman diyottur. Germanyum diyodun eik gerilimi 0,2V,
silisyumun ise 0,6Vtur. Dolaysyla, genlii 0,6V civarnda veya daha kk iaretler diyod ile
dorultulamazlar. Dorultulacak sinyalin genlii 0,6Vtan fazla olsa bile yaplan dorultma hassas
olmaz.
ekil 8.25 Hassas yarm dalga dorultma
Hassas bir ekilde yarm dalga dorultma ilemini gerekletirmek iin ekil 8.25deki gibi bir
OP-AMPl devre kullanlr.
Devre, faz eviren karlatrc yapsnda olduu iin;
Vi > Vref Vx = -V
Vi < Vref Vx = +V dir.
Giri sinyalinin ( + ) alternansnda k ( - ) olur. x noktasndaki potansiyel 0dan kk (
Vx<0 ) olur. Bylece D1in anoduna ( - ) geldii iin yaltmda, D2nin katoduna ( - ) geldii iin
iletimdedir. D2 iletime geince ktan girie negatif geri besleme olur. OP-AMPn faz eviren girii
yaklak 0Volt olduundan ( (+) u aseye bal ) x noktasnda 0,6Volt grlr.
Giriin ( - ) alternansnda k 0dan byk olur ( Vx = +V ). Bylece D1 iletken, D2
yaltkandr. D1in iletime gemesiyle R2 zerinden devrenin giriine geri besleme yaplr. Kazan R2 /
R1 kadardr. OP-AMP, inverting modda altndan, ktan giri ile ters fazda, ayn genlikte bir
sinyal alnr.
Devre, giriine uygulanan sinyalin sadece (-) alternansn geirmekte ve fazn ters evirerek kta
pozitif alternanslar meydana getirmektedir.
ekil 8.26 Yarm dalga dorultma uygulamas
OP-AMP ile girie uygulanan V seviyesindeki sinyalleri dorultmak mmkndr. Normal

diyotlarla yaplan dorultmalarda diyodun eik gerilimi (0,2 V 0,6 V) zerindeki sinyaller
dorultulur.
ekil 8.26daki devrenin giriine iaret jeneratr vastasyla 500 mV tepe deerli ve 500 Hz
frekansl bir sinyal uygulanmtr. Osilaskobun A kanalna giri sinyali, B kanalna k sinyali
uygulanmtr. Bu haliyle devre, pozitif kl yarm dalga dorultma devresidir.
8.7.11 OP-AMPIN TAM DALGA DORULTMA OLARAK KULLANILMASI
ekil 8.27 OP-AMPl hassas tam dalga dorultma
ekil 8.27deki devrede 1. OP-AMP yarm dalga dorultma, 2. OP-AMP ise toplayc olarak grev
yapar.
Vi sinyalinin negatif alternanslar dorulmakta ve pozitif olarak V1 sinyali 1. OP-AMP kna
aktarlmaktadr. Bu srada Av = 1dir. 2. OP-AMPn (-) ucuna hem Vi ve hem de V1 sinyalleri
gelmektedir. Uygulamalarda R4 = 2 R5 olarak seilir. Vinin (+) alternanslarnda V1 = 0dr. V0 = - Vi
olur (R4 = R6). R6 = 2 R5 olduundan;
V0 = - (2 V1 + Vi) olur. V1 = Vi olduundan;
V0 = - (-2Vi + Vi) = Vi olur.
V1
t
ekil 8.28 Tam dalga dorulmaca ait dalga ekilleri
(-) Alternans giriinde, (-) iaret 2. OP-AMPn (-) giriine direkt olarak uygulanr. 1. OP-AMP
kndan ise pozitif ve iki defa ykseltilmi alternans ayn anda uygulanr. OP-AMP, (-) giriine
uygulanan iki voltajn farkn ykseltir. k negatif bir alternanstr. ekil 8.28de ise bu devreye ait
Vi, V1 ve V0 dalga ekilleri grlmektedir.
8.7.12 OP-AMPIN GERLM KONTROLL OSLATR OLARAK KULLANILMASI
ekil 8.29 OP-AMPl gerilim kontroll osilatr
DC k voltaj ile kontrol edilebilen osilatrlere, gerilim kontroll ( VCO-Voltage Controlled

Oscillator ) ad verilir.
ekil 8.29daki devre, Vi giri voltaj ile frekans kontrol edebilen bir testere dii jeneratrdr.
Temel olarak bu devre integral alc bir devredir. Negatif geri besleme hattnda bir kondansatr ve ona
paralel bal bir SCR kullanlmtr. SCR, on-off anahtarlamay gerekletirir. Gate voltaj belli bir
eik voltajn atktan sonra iletime geer. Altnda ise SCR yaltmdadr. kta meydana gelen testere
dii dalgann periyodu; T =
Vg
.R.C
Vi
dir.
Vg = +4V, C = 10nf, R1 = 10K, Vi = -4V olan gerilim kontroll osilatr devresinin kndan alnan
sinyalin frekansn bulunuz.
f =
1
4
Vi
=
=
= 3,33KHz
T Vg.R.C 12.10.10 3.10.10 9
8.7.13 OP-AMP IN ALAK GEREN FLTRE OLARAK KULLANILMASI
Sadece R, C ve OP-AMP kullanarak filtre devreleri yapmak mmkndr. Bu tip fitrelere Aktif
Filtre denir. Sadece kondansatr ve self kullanarak yaplan filtrelere Pasif Filtre denir.
Aktif filtrelerin, pasif filtrelere gre stnlkleri unlardr:
1. Aktif filtrelerde, filtrenin geirgen olduu frekanslarda herhangi bir zayflama olmaz.
nk,aktif filtre yapsndaki OP-AMP, bu iaretleri ykselterek ka aktarr. Pasif fitrelerde,

devrenin geirgen olduu frekanslarda azda olsa bir zayflama olmaktadr.
2. Aktif filtre devrelerinde bobin kullanlmadndan hem ucuz hem de kolay bir ekilde
oluturulabilir.
3. Aktif filtrelerin giri empedans yksek, k empedans dk olduundan, giri ve kna
balanan devreleri etkilemez.

Aktif filtrelerin, pasif filtrelere gre sakncalar unlardr:
1. Pasif filtre devreleri besleme kaynana ihtiya duymadklar halde aktif filtrelerde, OPAMPtan
dolay kaynak gerilimi gerekir.

2. Aktif filtre yapsndaki OP-AMP n band genilii snrl olduundan her frekansta filtre yapmak
gtr.
ekil 8.30 Alak geiren filtre
ekil 8.30daki OP-AMP non-inverting yapsndadr. Devrenin kesim frekans;
fc =
fc =
1
2 R1.R2 .C1.C2
dir. R1= R2 ve C1 = C2 alnrsa;
1
olur.
2 .R1.C1
Aktif filtrenin geirgen olduu blgede frekans karakteristiinin dzgn olabilmesi iin OP-AMP
kazancnn 1,58 olmas gerekir. Buna gre;
Av = 1 +
Rb
Rb
= 1,58 dir. Buradan,
= 0,58 olarak bulunur.
Ra
Ra
Alak geiren fitre devresinde, R1 = R2 = 1 K, C1 = C2 = 0,1 F, Ra = 10 K, Rb = 5,6 K olduuna

gre,
a) Devrenin kesim frekans ne olur?
b) Bu devre hangi frekans deerleri arasn geirir?
c) Geirgen olduu blgede frekans karakteristii dzgn mdr
a) fc =
1
1
= 1,6 KHz.
=
3
2 .R1.C1 2 .10 .0,1.10 6
b) 0-1,6 KHz. aras frekanslar geirir.
c)
Rb 5,6
=
= 0,56 0,58 olduuna gre filtrenin frekans karakteristii dzgndr.
Ra 10
ekil 8.31 Alak geiren filtrenin EWB programnda uygulanmas

8.7.14 OP-AMP IN YKSEK GEREN FLTRE OLARAK KULLANILMASI
ekil 8.32 Yksek geiren filtre
Yksek geiren filtre, alak geiren filtre devresindeki R ve C lerin yer deitirilmesiyle elde
edilir. stenen frekans deerinin stndeki frekans deerlerini geirir, altndakileri ise bastrr.
Formller, alak geiren filtre devresi ile ayndr.
R1=R2=1 K, C1=C2=0,1 F olan yksek geiren filtre devresi hangi frekanslar geirir?
fc =
1
1
=
=1,6 KHz.
3
2 .R1.C1 2 .10 .0,1.10 6
Bu devre 1,6 KHz.in zerindeki sinyalleri geirir.
ekil 8.33 Yksek geiren filtrenin EWB programnda uygulanmas
Bir OP-AMP ile yaplan devrenin 10 KHzin zerindeki sinyalleri geirmesi ve altndakileri
bastrmas istenmektedir. Devrede kullanlan filtre diren deerleri birbirine eit olup 5 K dr.
Devrede kullanlan ve eit deerde bulunan filtre kondansatrlerinin deerini bulunuz. ( = 3 )
fc =
C=
1
= 10.103
3
2.3.5.10 C
1
1
=
= 3,3 nF
3
30.10 10.10
3.108
3
8.7.15 OP-AMP IN BAND GEREN FLTRE OLARAK KULLANILMASI
ekil 8.34 Band geiren filtre
ekil 8.34 te iki katl bir band geiren filtre gsterilmitir. lk kat yksek geiren bir filtre olup,
ikinci kat alak geiren bir filtredir ve ikisinin birlikte almas, istenen band geiren filtre tepkisini
verir. Devrenin kesim frekanslar;
fc, L =
1
,
2 .R1.C1
fc, H =
1
2 .R2 .C2
formlleri ile bulunur.
R1= R2 = 10 K, C1 = 0,1 F, C2 = 2 nF olan band geiren filtre hangi frekans deerleri arasndaki
sinyalleri geirir ?
fc, L =
1
1
=
= 159,15 KHz.
2 .R1.C1
2 .10.103.0,1.10 6
fc, H =
1
= 7,96 KHz.
2 .10.103.2.10 9
Bu filtre devresi; 159,15 KHz. ile 7,96 KHz. arasndaki sinyalleri geirir.
Sekil 8.35 Band geiren filtrenin EWB programnda uygulanmas
8.8 OP-AMP PARAMETRELER

Giri Offset Gerilimi (Vio): OP-AMP n (+) ve (-) girileri arasnda ideal olarak 0 volt olmas
gerekir. Ancak, pratikte giri ularnn bal olduklar transistrlerin tam uyum iinde olmamalar
nedeni ile giri ular arasnda, ok kkte olsa bir offset gerilimi oluur.
Giri Polarma Akm (Ib): Her iki giriten OP-AMP devresine akan akmlarn ortalama deeridir.
Giri Offset Akm (Iio): Vo=0 olduunda her iki giri polarma akm arasndaki farktr.
Giri Empedans (Zi): Girilerden birinden bakldnda, dieri topraklanm durumda iken grlen
empedanstr ve deeri ok yksektir.

k Empedans (Zo): ktan bakldnda grlen dk deerdeki empedanstr.
k Ksa Devre Akm (Iosc): OP-AMP devresinden ekilebilecek max akmdr.
Ak evrim Kazanc (Avo): OP-AMP devresine dardan herhangi bir geri besleme salanmad
zamandaki, k geriliminin giri gerilimine oranna denir.

Ortak Mod Tepki Oran (Common Mode Rejection Ratio-CMRR): OP-AMP devresinin, her iki
giriine de ortak olan iareti kabul etmeme zelliidir. Her iki girie ayn anda uygulanan iaretin, k
iaretine oranna (dB cinsinden) eittir.
BLM IX
DALGA MEYDANA GETRME USULLER
9.1 DALGA MEYDANA GETRME USLLERNE GR
Dalga reteleri birka hertzden, birka gigahertze kadar sinyalleri meydana getirirler. klarnda
sinsoidal, kare, dikdrtgen, testere dii gibi dalga ekillerini oluturan dalga reteleri birok
devrelerde kullanlrlar.
Dalga retelerine osilatr denir. Aslnda bir osilatr, kendi giri sinyalini kendi temin eden bir
ykseltetir.
9.2 DALGA RETELERNN SINIFLANDIRILMASI
Dalga reteleri, k dalga ekillerine gre sinsoidal ve sinsoidal olmayan osilatrler olarak iki
geni kategori iinde snflandrlr.
Sinsoidal bir osilatr, knda sins dalga ekli oluturur. Burada, k genliinin sabit olmas
arzu edilir. Alak frekans osilatr tiplerinde frekans tespit edici devre iin diren ve kondansatr
kullanlyorsa R-C osilatr olarak adlandrlr. Bu tip osilatrler, alak frekansl sinsoidal sinyal
rettii iin ses frekans sahasnda kullanlrlar.
L-C osilatrlerde, frekans tespit edici olarak bobin ve kondansatr kullanlr. L-C osilatrlerde
yksek frekansl sinyaller elde edilir ve alc-verici gibi devrelerde kullanlrlar.
Dier tip osilatrler ise kristal kontroll osilatr olup bunlar frekans kararlnn en iyi olduu
osilatrdr. Ses frekansn ortasndan, radyo frekans sahasnn tamamnda kullanlrlar.
Sinsoidal olmayan osilatrler; kare, dikdrtgen veya testere dii gibi kompleks dalga ekillerini
meydana getirirler. Sinsoidal olmayan osilatrlerin klar genellikle ani bir deime belirledii iin
bu tip osilatrlere relaksasyon osilatr denir. Relaksasyon (Relaxtion) osilatr, bir bobin veya
kondansatrn bir diren zerinden yava yava arj ve hzla dearj olmasyla sinsoidal olmayan bir
sinyali reten osilatrdr.
Kare dalga reten multivibratrler ve testere dii reten osilatrler, sinsoidal olmayan osilatrler
snfna girer.
9.3 OSLASYON N GEREKL ARTLAR

Paralel bobin ve kondansatrlerden oluan devreye tank devresi ad verilir. Bir tank devresinden
osilasyon (salnm) elde edilebilir.
Bir kondansatr, DC bir bataryaya tam olarak arj ettikten sonra bir bobine paralel balayalm. u
anda kondansatr kaynak grevini grr. Kondansatr, bobin zerinden dearj olduka, bobinden akan
akm, bobin etrafnda manyetik alan oluturur. Kondansatr, zerindeki potansiyeli, bobine manyetik
alan oluturarak aktarmtr.
Kondansatr, tam olarak dearj olduktan sonra bobin zerindeki manyetik alan kmeye balar.
Manyetik alan tamamen knceye kadar akm devaml akacak ve kondansatr bir nceki durumuna
gre ters ynde arj olacaktr. Devrede, elemanlar birbirine irtibatlandrmada kullanlan iletken
tellerin az da olsa bir direnci olduundan, u andaki kondansatrn zerindeki arj miktar, bir
ncekine gre daha az miktarda olacaktr.
Olaylar byle devam ederse tank devresi ularndan gittike sfra ulaan bir salnm elde edilir.
Sfra ulamasnn nedeni, devredeki diren deeridir.
Snmsz bir sinsoidal dalga, devrede direncin bulunmadn, iletken tellerin direncinin sfr
olduu ideal bir ortamda elde edilir. Gerekte varolan byle bir dahili direncin, tank devresinden elde
edilen sinsoidal sinyalin snmesine ve giderek sfra gitmesine snm (damping) denir.
Osilasyonlarn devamlln salamak iin gerekli artlar; Ykseltme, Geri Besleme ve Frekans
Tespit Edici Devredir.
Bir osilatr, kendisine giri sinyali temin eden bir ykseltetir. Bir osilatrden istenen, sabit
genlikte ve belli bir frekansta dalga ekli meydana getirmektir.
Geri Besleme
Ykselte
ekil 9.1 Temel osilatr blok diyagram

Bir ykseltete olduu gibi bir osilatrn de ykseltme yapabilmesi iin g kaynana ihtiya
vardr. Ykseltilen sinyalin gc, giriten ka doru meydana geldiinden kn bir ksm ekil
9.1de grld gibi giri olarak kullanlmak zere geriye beslenmelidir.
Devre kayplarnn nne geebilmek ve osilasyonlarn devamll iin kullanlmas gereken geri
besleme pozitif geri besleme olmaldr.
Bir osilatrn nceden belirlenecek bir frekansta osilasyon yapabilmesi iin bir frekans tespit
ediciye ihtiya vardr. Bu frekans tespit edici, aslnda filtre devresi olup istenen sinyalleri geirip
istenmeyenleri bastrr.
Osilatr kndaki sinyalin, genlik ve frekansnn sabit tutulabilmesi iin, osilatr devresindeki
ykseltecin, k yk ve pozitif geri besleme iin yeterli kazanc salamas gerekir. Genellikle g
kazancnn byk olmas, giri ve k empedansnn birbirine kolayca uydurulabildii tertip olarak
emiteri ortak balant olarak kullanlr.
9.4 SNSODAL DALGA RETELER
Sinsoidal sinyal reten osilatr devrelerinde, frekans tespit edici olarak R-C devresi ve kristal
kullanlr. Eer, frekans tespit edici olarak R-C devresi kullanlrsa, osilatrden alak frekansl sins
sinyali elde edilir. Frekans kararllnn en iyi olduu osilatrler ise kristal kontroll osilatrlerdir.
Alc ve verici devrelerde kullanlan osilatrlerin frekans kararllnn ok iyi olmas istenir.
R-C osilatrler 20 Hz - 20 KHz arasndaki ses frekans sahasnda kullanlmak zere sins sinyali
retirler. Frekans tespit edici olarak diren ve kondansatrler kullanlr.
Giri Sinyali
Emiteri Ortak
Ykselte
ekil 9.2 R-C osilatrn blok diyagram

ekil 9.2deki blok diyagramda R-C osilatrn blok diyagram gsterilmitir. Blok diyagramdaki RC devresi, hem pozitif geri beslemeyi, hem de frekans tespit edici devreyi salar. Blok diyagramdaki
ykselte devresi, emiteri ortak ykselte olduu iin A noktasndaki kollektr sinyali ile base
zerindeki sinyal 180 faz farkldr. Sinyal, C1den R1e uygulandnda yaklak 60 lik faz kaydrma
meydana gelir. Faz kaydrma olutuu iin genlikte bir miktar azalma olur. B noktasndaki sinyal C2
zerinden R2ye uygulandnda yaklak 120 lik bir faz kaymas meydana gelir ve genlikte yine
azalma olur. C noktasndaki sinyal C3 zerinden R3e uygulanrken 180 faz kaydrmaya maruz kalr. 3
adet R-C devresinin her biri 60 faz kaydrp toplam 180lik kaymaya neden olmutur. D noktasndaki
sinyal, transistrn beyzine uygulanan pozitif geri besleme sinyalidir.
9.5 KRSTALLER
9.5.1 KRSTALN YAPISI VE ALIMASI
Osilatrlerde frekans kararll ok nemlidir. Bir osilatrn sabit frekansta kalabilme zelliine
Frekans Kararll denir. RC ve LC osilatrlerde frekans kararll iyi deildir. Verici
devrelerinde, tahsis edilen frekansta yayn yapabilmesi iin frekans kararl en iyi olan kristal
kontroll osilatrler kullanlr.
RC veya LC osilatrlerde, L, C ve R deerlerindeki deiiklikler, transistrl ykseltecin statik
alma noktasndaki deiiklikler, scaklk ve nem gibi evresel deiimlere bal olarak frekans
kararll deiir.
Kristal, piezoelektrik etkiyle alan bir elemandr. Piezoelektrik zellik sergileyen doal kristal
elemanlar; quartz ( kuvars ), Rochelle tuzu ve turmalindir. Genellikle kristal mikrofonlarda Rochelle
tuzu kullanlrken osilatrlerde frekans kararll nedeniyle quartz kullanlr. Quartz kristalinin bir
yzne mekanik bask uyguland zaman kart yzler arasnda bir gerilim oluur. Kristallerde etki iki
trldr. Mekanik titreimlerin elektriki salnmlar; elektriki salnmlarn mekanik titreimler
retmesine Piezoelektrik Etki ad verilir. Bir kristalde, rezonans frekansnda veya buna yakn bir
frekansta AC bir sinyal uygulandnda, kristal mekanik salnmlar yapmaya balar. Mekanik
titreimlerin bykl, uygulanan gerilim bykl ile doru orantldr.
ekil 9.3 Kristalin Sembol ve Edeer Devresi
Kristalin ( xtall ) sembol ve edeer devresi ekil 9.3te gsterilmitir. Edeer devredeki her bir
eleman, kristalin mekanik bir zelliinin karldr. Cm, kristalin mekanik montajndan kaynaklanan
kristalin elektrotlar arasnda var olan kapasitans gsterir. Edeer devredeki C, kristalin mekanik
yumuaklna ( esneklik-elastisite ) edeeridir. Edeer devredeki L, titreim yapan kristalin
ktlesini, R ise kristal yapsnn i srtnmesinin elektriksel edeerini gsterir. R ile gsterilen kristal
kayplar ok kk olduundan, kristallerin Q kalite faktr 20.000 gibi ok byk bir deerdedir. LC tank devrelerinde elde edilemeyen yksek kalite faktr kristal kontroll osilatrlerde elde edilir. Bu
da kristalli osilatrlerin yksek kararlln ve kesinliini gsterir.
Bir kristalin, seri ve paralel edeer devresi olduu iin seri ve paralel olmak zere iki rezonans
frekans vardr. Seri rezonans devresi R, L ve Cden paralel rezonans ise L ve Cmden oluur.
9.6 KARE DALGA RETELER VE DEVRE ETLER
Kare dalga reten devrelere MULTIVIBRATOR denir. Bir multivibratr, temel olarak pozitif geri
beslemeli iki ykselte devresinden oluur. Genellikle bir ykselte iletimde iken dieri yaltmdadr.
3 tip multivibratr vardr:
-Kararsz ( astable ) multivibratr
-Tek kararl ( monostable ) multivibrator
-ift kararl ( bistable ) multivibrator
9.6.1 KARARSIZ ( ASTABLE ) MULTVBRATOR
ekil 9.4 Astable Multivibratr
Bu multivibratr devresi sabit bir konumda deildir. Dardan bir tetikleme palsi
uygulanmadndan, transistrler sra ile yaltmdan iletime geer. ekil 9.4teki astable
multivibratr devresinde R1 = R2, R3 = R4, C1 = C2, Q1 = Q2 olduundan iki transistrn ayn anda
iletimde yada kesimde olduu dnlebilir. Fakat devredeki elemanlarn az da olsa birbirinden
ayran toleranslar vardr. rnein, 100Kluk direncin tolerans %5 ise bu direncin deeri 95K
ile 105K arasndadr. O halde devredeki elemanlarn toleranslar olduu iin balangta bir
transistr iletimde, dieri ise kesimdedir. Balangta; Q1 yaltmda, Q2 iletimde olsun. Bu durumda
C2 kondansatr Q2 ve R4 zerinden V0 gibi bir voltaja arj olur. Bu esnada C1 kondansatr de Q2,
R1 ve +Vcc zerinden dolmaya balar. C1in sol ucu ( + ), sa ucu ( - ); C2nin sol ucu ( + ), sa ucu
ise ( - ) olarak kutuplanr. C2 kapasitesi zerindeki gerilim Q1 transistrn iletime geirebilecek
seviyeye ulatnda Q1 iletime geer. Bu anda, C1in ( + ) ucu aseye, ( - ) ucu ise Q2nin beyzine
balanm olacandan Q2 kesime girer. C1 kapasitesi R3 ve Q1 zerinden dearj olmaya balar.
C1in zerindeki gerilim miktar 0Volta iner ve ilk durumuna gre ters ynde ykselmeye balar.
Bu esnada C2 kapasitesi, Q1 ve R2 zerinden kaynak voltaj olan Vccye arj olmaktadr. C1
zerindeki gerilim V0 gibi yeterli seviyeye ulatnda Q2 iletime girer. Bu anda C2
kondansatrnn ( + ) ucu aseye, ( - ) ucu ise Q1 transistrnn beyzine irtibatl olduundan Q1
yaltma girer. Bu olay byle devam eder.
Q1in kollektr voltaj
Q2in kollektr voltaj

ekil 9.5 Astable Multivibratrn Dalga ekilleri
ekil 9.5te transistrlerin klarndan alnan sinyaller gsterilmitir. Q1 veya Q2
transistrlerinin kollektrnden kare dalga elde edilir. Bu kare dalgann frekans R3, R4, C1 ve C2
deerlerine baldr.
Elde edilen kare dalgann periyodu:
T = 0,7.( R3.C1 + R4.C2 ) formlyle bulunur.
Dzgn bir kare dalga iin R3 = R4, C1 = C2, olacak ekilde seilmelidir.
ekil 9.4 deki devrede R1 = R2 = 270, C1 = C2 = 0,1F ise oluacak kare dalgann frekansn
bulunuz.
T = 0,7.( 10.103.0,1.10-6 + 10.103.0,1.10-6 )
T = 0,7.( 1.10-3 + 1.10-3 ) = 0,7.2.10-3 = 1,4 ms
f = 1/T = 1/1,4.10-3 = 714,28 Hz.
9.6.2
TEK KARARLI ( MONOSTABLE ) MULTVBRATR
Monostable multivibratr, bir transistr iletimde ve dieri yaltmda olduundan tek bir sabit konuma
sahip olan bir devredir. Devrenin konum deitirebilmesi iin yani kesimde olan transistrn iletime
geebilmesi iin bir tetikleme palsinin devreye tatbiki arttr.
ekil 9.6 Monostable Multivibratr

ekil 9.6daki devreye tetikleme palsi CT, RT ve DT elemanlar ile Q1in beyzine tatbik edilir. CT, RT ve
DTden oluan devre bir trevleyici devredir. Giriten kare dalga uygulanr. RT zerinden pozitif ve
negatif olmak zere darbeler alnr. Bu darbelerin negatif alternanslarnn yok edilmesi iin diyod
kullanlmtr.
ekil 9.6daki devreye dardan herhangi bir etkide bulunulmad srece, yani giriten kare
dalga verilmedii srece Q1 transistr yaltmda, Q2 ise iletimdedir. nk Q2 beyz polarmasn
almtr. Q1 transistrn kesimden kurtarmak iin beyzine yeterli genlikte bir pozitif darbenin
uygulanmas gerekir. Bunun iin giriten kare dalga uygulanr. Q1 transistr iletime getii anda C
kapasitesinin ( + ) kutbu Q1 vastasyla ( C-E eklemi ksa devre ) topraa, ( - ) kutbu ise Q2nin beyzine
bal durumdadr. Bylece, Q2nin beyzine ( - ) sinyal geldii iin Q2 transistr kesime girecektir.
Yani girie kare dalga uygulandnda, Q1 kesimde iken iletime, Q2 iletimde iken kesime girecektir. C
kondansatr R zerinden dearj olmaya balar. Daha sonra, Q2nin beyzine bal olan ucu ( + ) olacak
ekilde tekrar arj olmaya balar. Cnin zerindeki gerilim, uygun bir deere ulatnda Q2 iletime, Q1
yaltma girer. C kondansatr, kaynak gerilimine kadar dolar. Yeni bir tetikleme palsine kadar, devre
konumunu koruyacaktr.
9.6.3 FT KARARLI ( BISTABLE ) MULTVBRATR
ekil 9.7 Bistable Multivibratr
ki istikrarl duruma sahiptir. Devreye tetikleme palsi tatbik edilinceye kadar, devre sabit konumunu
korur. Tetikleme palsi uygulandktan sonra devre dier sabit duruma girer ve nceki sabit duruma
dnebilmesi iin tekrar tetikleme palsine ihtiya vardr.
Bu multivibratrde bir transistr iletimde iken dieri yaltmdadr. rnein, Q1in iletimde Q2nin
yaltmda olduunu dnelim. Devreye dardan herhangi bir etkide bulunulmad srece
transistrler bu konumunu korurlar. Dardan uygulanacak bir tetikleme ile yaltmda olan Q2 iletime,
iletimde olan Q1 yaltma girecektir. Uygulanacak bir tetikleme palsi ile devre konum deitirecektir.
Dardan tetikleme yapabilmek iin, Q1 ve Q2 transistrlerinin beyzlerine birer diyod balanarak
diyotlarn katotlarndan giri sinyalleri uygulanmaldr.
BLM X
OSLATRLER
10.1 OSLATRE GR
Kendi kendine sinyal reten devrelere osilatr denir. Byle devrelere dardan herhangi bir sinyal
uygulanmaz. klarnda sinsoidal, kare, dikdrtgen ve testere dii gibi sinyaller meydana getirirler.
Osilatrler; muharebe sistemlerinde, radar ve test cihazlarnda kullanlrlar.
Aslnda bir osilatr, kendi giri sinyalini kendi temin eden bir ykselte devresidir.
eb
ei
Ykselte
Beo
eo
Geri
Besleme
ekil 10.1 Ykseltelerde geri besleme

Ykseltelerde geri besleme, bir sistemde enerjinin yksek seviyeli bir noktadan, alak seviyeli bir
noktaya geii olarak tanmlanr. Baka bir ifadeyle, emiteri ortak bir ykseltecin kollektrndeki
sinyalin, geri evrilip beyzine uygulanmas ilemine geri besleme denir. Pozitif ve negatif olmak zere
iki eit geri besleme vardr.
Bir ykseltece, ei gibi giri sinyali uygulandnda kndan e0 gibi bir sinyal alnr. k voltajnn
bir ksm geri besleme devresi vastasyla girie geri verilir. Transistre uygulanan gerek giri voltaj
(eb); (ei) giri voltaj ve (Be0) geri besleme voltajlarnn toplamdr.
Geri besleme varken kullanlan forml;
AFB =
A
dir. Bu formlde;
1 AB
AFB = Geri besleme varken ykseltecin kazanc

A
= Geri besleme yokken ykseltecin kazanc
= Geri beslemenin % ile ifadesi
= Negatif geri besleme durumu
= Pozitif geri besleme durumunu gsterir.
Pozitif geri besleme durumunda;

eb = ei + B.e0
A.eb
e0 = A(ei + Be0)
e0 = Aei + ABe0
Aei = e0 - ABe0
Aei = e0 (1 AB)
Ae i =
e 0 (1 AB )
A
Av =
e0
e0
e
A
=
= 0
e 0 (1 AB) 1 e 0 (1 AB )
ei
A
Av =
A
bulunur.
1 AB
Daha fazla kazan istendiinde kullanlan geri besleme, pozitif geri beslemedir. Pozitif geri besleme;
1. Band geniliini azaltr.
2. Distorsiyonu azaltr.
3. Geri besleme miktar payday sfr yapacak ekilde bydnde devre kararsz hale gelerek
osilasyon yaparak kendi sinyalini retir. Ykselte, osilatr gibi almaya balar.
Bir ykseltecin geri besleme kazanc 10, geri besleme miktar %5 ise pozitif geri beslemede
ykseltecin geri besleme kazancn bulunuz.
A = 10
A
=
1 AB
B = %5
AFB =
AFB = ?
AFB = 20
10
5
1 (
10)
100
Ayn soruyu negatif geri besleme iin znz.

AFB =
10
= 6,66
5
1+
10
100
Bir ykseltecin geri beslemesiz kazanc 50, pozitif geri besleme kullanlarak kn %2si girie geri
verilmektedir. Ykseltecin geri beslemeli kazancn bulunuz ve sonucu yorumlaynz.
A = 50
AFB =
50
1 (50
2
)
100
50 50
=
=
11 0
B = %2
AFB = ?
Bu ilemde payda sfra gittii iin geri beslemeli kazan sonsuz olarak bulunmutur. Dolaysyla
ykselte kararsz hale gelerek bir osilatr gibi almaya balar.
Osilasyon, osilatr devresinde ykselte kndan girie uygulanan pozitif geri besleme sonucu
oluan sins dalgasdr. Bir osilatrn meydana getirdii sinyallerin veya osilasyonlarn devam
edebilmesi iin YKSELTME, GER BESLEME, FREKANS TESPT EDCye ihtiya vardr.
Osilatrler 3 ana balk altnda incelenebilir:
1. RC osilatrler
2.
LC osilatrler
2. Kristal osilatrler
Osilatrlerde, devre kayplarnn nne geebilmek iin kullanlmas gereken geri besleme POZTF
GER BESLEME dir. Osilatrlerde, frekans tespit edici olarak diren ve kondansatr kullanlmsa RC
osc, bobin ve kondansatr kullanlmsa LC osilatr, kristal kullanlmsa kristal kontroll osilatrler
adn alr. Genelde osilatrlerde kullanlan ykselte tertibi emiteri ortaktr.
10.2 OSLATR ETLER

10.2.1 TRANSSTRL FAZ KAYMALI R-C OSLATR
Faz kaymal R-C osilatr ayn zamanda bir sins dalga osilatrdr.
ekil 10.2 Transistrl R-C osilatr
ekil 10.2 de grlen transistrl R-C osilatr devresinde ykselte NPN tipi bir transistrle, emiteri
ortak balantl olarak tertiplenmitir. Emiteri ortak ykselte devresinin beyzi ile kollektr arasnda
1800 faz fark vardr. Bu devrenin osilasyon yapabilmesi iin k V0 geriliminin 1800 faz kaydrlarak
girie (beyz) pozitif geri beslemesi gerekir. ekil 10.2deki devrede
C1-R1, C2-R2, C3-RB2 : Faz evirici devre ve frekans tespit edici tertip,
RB1 ve RB2
: Beyz polarmasn salayan voltaj blc direnler,
RE ve CE
: Emiter direnci ve by-pass kondansatr,
RC
:Geri besleme genlik kontrol salayan kollektr yk direnci,
BC 238
: NPN tipi, ykselte transistrdr.
C1-R1; birinci R-C devresini, C2-R2; ikinci R-C devresini ve C3-RB2 nc R-C devresini oluturur.
NPN tipi transistrn kollektrnden alnan geri besleme sinyali 1800 faz kaydrlarak tekrar transistrn
beyzine tatbik edilmektedir. Burada her bir R-C devresi 600lik faz kaydrmaya neden olmaktadr. Her bir
R-C osilatr devresinde 3 adet R-C devresine ihtiya yoktur. Toplam faz kaydrmann 1800ye ulamas
yeterlidir. Emiteri ortak ykselte devresinin beyzi ile kollektr arasnda 1800 faz fark olduuna gre
kollektr sinyali 1800 evrilerek ve pozitif geri besleme olarak transistrn beyzine verilir.
Transistrl RC osilatr devresinin V0 k sinyalinin frekans ve genlii geri besleme hattndaki
diren ve kondansatrlerin deerlerine baldr. Her bir R-C devresinin 600 faz kaydrmas istenirse;
R1=R2=RB2=Rgr olmaldr. Burada Rgr, emiteri ortak ykseltecin giri empedansdr. Transistrl R-C
devresinin osilatr frekans; f =
formlyle bulunur. Burada R ve C deeri, frekans
R
2RC 6 + 4( C )
R
tespit edici tertipteki diren ve kondansatr deeri, Rc ise kollektr yk direncidir. Osilasyon genlii ise
RC osilatrde kullanlan ykselte devresinin kazancna baldr.
Frekans tespit edici tertipte R = 10 K, C = 10 nf olarak seilirse, devrenin kndan alnan sinyalin
frekansn bulunuz.
f =
1
Rc
2RC 6 + 4
R
1
5500
6,28.10.10 3.10.10 9 6 + 4
10000
10.2.2 OP-AMPLI FAZ KAYMALI R-C OSLATR
ekil 10.3 OP-AMPl faz kaymal R-C osilatr
1
= 555,55Hz
1,8.10 3
ekil 10.3te gsterilen OP-AMP devresi inverting modda olup, 3 adet R-C frekans tespit ediciden
olumutur. Rf OP-AMPn kapal evrim kazancn belirleyen geri besleme direnci, R1 ise giri
direncidir. Her bir R-Cden oluan frekans tespit edici tertip 600 faz kaymasna neden olur. Toplam
1800lik faz kaymas meydana gelir. ktan alnan sinsoidal sinyalin frekans;
f =
1
2RC 6
formlyle bulunur.
Devrenin osilasyon yapabilmesi iin devre kazancnn 29dan byk olmas gerekir. Bundan dolaydr
ki Rf 29R1 olacak ekilde seilmelidir.
ekil 10.4 OP-AMPl faz kaymal osilatrn EWB programnda uygulanmas
OP-AMPl faz kaydrmal R-C osilatr devresinde, Rf = 1010 K, R1 = 33 K, R = 3,3 K ve C = 0,1 F

ise devrenin osilasyon yapp yapmadn tespit ediniz. Osilasyon yapyorsa hangi frekansta sinyal
rettiini bulunuz.
Av =
Rf
R1
1010
= 30,6
33
Av > 29 olduundan devre osilasyon yapar.

f =
1
2RC 6
1
6,28.3,3.10 3.0,1.10 6 . 6
= 197 Hz
10.2.3 ARMSTRONG OSLATR
ekil 10.5 Armstrong osilatr
Bu osilatr devresi emiteri ortak bal ykselte ile bu ykseltecin kna balanan tank devresinden
oluur. Frekans tespit edici tertip Lp ve Cden olutuu iin L-C osilatr tipine bir rnektir. Tank
devresindeki transformatrn sekonderinden (Ls) ykselte giriine C1 vastasyla geri besleme
yaplmtr. Burada geri besleme oran, transformatrn dntrme oranna baldr. Osilatrn rettii
sinsoidal sinyalin frekans;
f =
1
2 Lp.C
formlyle bulunur.
10.2.4 SER BESLEMEL HARTLEY OSLATR
ekil 10.6 Seri beslemeli hartley osilatr
Dier osilatrlerde olduu gibi bir ykselte ve L1, L2, CTden oluan tank devresinden olumutur. L1,
L2 ve CTden oluan tank devresi ykselte ile +VCC g kayna arasna seri balanmtr. Bu nedenle bu
devreye seri hartley osilatr denir. Devreye dikkat edilirse; doru akm, topraktan itibaren RE direnci,
NPN tipi transistr, L1 ve RC zerinden +VCC tatbik voltajna ular. Tank devresinin bir ksm +VCC g
kayna ile seri olduundan devre seri beslemelidir. Tank devresinde L1+L2=LT ise k sinyal frekans;
f =
1
2 C T .LT
forml ile bulunur.
Geri besleme L1 ve L2 bobinlerinin orta ucundan, ykseltecin giriine yaplmtr. Bu devrede ;

RB1-RB2
: Transistrn beyz polarmasn salayan voltaj blc direnler
RE-RC1
: Emiter direnci ve by-pass kondansatr
C1
: Beyz ile toprak arasnda oluan yksek frekansl osilasyonlar sndren, devrenin kararl
almasn salayan kondansatr.
L1-L2-CT
: Frekans tespit edici tertip
CB
: Geri besleme kuplaj kondansatrdr.
10.2.5 PARALEL BESLEMEL HARTLEY OSLATR
ekil 10.7 Paralel beslemeli hartley osilatr
Hartley osilatrlerin dier tipi paralel hartley osilatrdr. Seri ve paralel hartley osilatrlerin en
belirgin zellii orta ulu bobinin kullanlmasdr. Burada tank devresi, besleme gerilimine paraleldir. DC
akm yolu; toprak, RE, NPN tipi transistr, RC ve +VCC besleme kaynadr. L1-L2 ve CTden oluan
frekans tespit edici tank devresi, ykselte zerinden geen DC akm yoluna paraleldir. Bundan dolay,
paralel beslemeli hartley osilatr olarak ta bilinir.
Devrede CC ve Cgb kondansatrleri, transistrn kollektr ve beyzini L1 ve L2 bobininden DC
bakmdan ayrr. L1 ve L2 bobinleri orta uca sahip tek bir bobindir. Tank devresinin frekans bobin ve
kondansatrn deerine baldr. Devrenin alma frekans seri hartley osilatrde verilen forml ile
bulunur.
Paralel hartley osilatrde, LT = 400H, CT = 100nF ise ktan alnan sinsoidal sinyalin frekansn
bulunuz.
f =
1
1
=
2.. . LT.CT 6,28. 400.10 6.100.10 9
f = 25,18KHz
10.2.6 TRANSSTRL COLPITS OSLATR
ekil 10.8 Transistrl colpits osilatr
Colpits osilatrlerde, C1 ve C2 gibi split kondansatrler, colpits osilatrlerin en belirgin zelliidir. Bu

osilatrn tank devresini L-C1 ve C2 elemanlar oluturur. Burada, C1 ve C2 seri bal olduundan, tank
devresinin edeer kapasite deeri;
CT =
C1.C2
dir
C1 + C2
Osilatrn kndan alnan sinsoidal sinyalin frekans;
f =
1
ile bulunur.
2. . L.CT
Colpits osilatr devresinde;

RE-CE
: Emiter direnci ve by-pass kondansatr
RB1-RB2
: Beyz polarmasn salayan voltaj blc direnler
C3
: Beyzi AC sinyalde topraklayan by-pass kondansatr
L-C1-C2
: Frekans tespit edici tertip
Transistr: Ykseltme elemandr.
C1 ve C2nin birletii noktadan, transistrn emiterine geri besleme yaplmtr. Osilatrn alma
frekansn, kondansatr ve bobin deerleri belirler.
ekil 10.9 Transistrl colpits osilatrnn EWB programnda uygulanmas
ekil 10.9da grld gibi devrenin kndan dzgn bir sinsoidal sinyal alnr. Pratik
uygulamalarda ise C1<C2 olarak seilir.
Transistrl colpits osilatr devresinde frekans tespit edici tertipteki L = 100mH, C1 = 5nF, C2 = 10nF
ise ktan alnacak sinsoidal sinyalin frekansn bulunuz.
CT =
f =
5.10
= 3,33nF
5 + 10
1
1
=
= 8,73KHz
2. . L.CT 6,28. 100.10 3.3,33.10 9
10.2.7 OP-AMPLI COLPITS OSLATR
ekil 10.10 OP-AMPl colpits osilatr
OP-AMP ile gerekletirilen colpits osilatr ekil 10.10da gsterilmitir. Osilatrn alma frekans
Colpits devresinin LC geri besleme devresiyle ayarlanr.
ekil 10.11 OP-AMPl colpits osilatrnn EWB programnda uygulanmas
Osilatrn alma frekans;
f =
1
2. . L.CT
CT =
C1.C2
C1 + C2
formlleriyle hesaplanr.
OP-AMP ile gerekletirilen colpits osilatr devresinde, frekans tespit edici elemanlar C1 = C2 = 2F,
L = 50mH olduuna gre devrenin kndan alnacak sinsoidal sinyalin frekansn bulunuz.
CT =
f =
2.2
= 1F
2+2
1
1
=
= 712,14Hz
2. . L.CT 6,28. 50.10 3.1.10 6
10.2.8 VOLTAJ KONTROLL OSLATR
Voltaj kontroll bir osilatr ( VCO ), frekans, DC gerilim ile belirli snrlar iinde ayarlanabilen, kare
veya gen dalga reten bir devredir.
ekil 10.12 555 entegresiyle yaplan voltaj kontroll osilatr devresi
Her bir voltaj kontroll osilatrde ktan alnan sinyalin frekans DC tatbik voltaj ile deimez.
ekil 10.12deki devrede ktan alnan kare ve gen dalgann frekans, R veya C elemanlarnn
deitirilmesiyle mmkndr. Devrenin alma frekans;
f =
1,44
(RA + 2.RB).C
forml ile bulunur.
ekil 10.13 VCO ' nun EWB programnda uygulanmas
10.2.9 KRSTAL KONTROLL OSLATRLER
ekil 10.14 Transistrl kristal kontroll osilatr
ekil 10.14te, kristalin seri rezonans frekansnda alabilmesi iin geri besleme yoluna seri olarak
balanmtr. Burada geri besleme miktar en byk dzeydedir. NPN tipi transistr, ykselte devresini
olutururken R1, R2 gerilim blc devresini oluturur. RFC ( Radyo Frekans ok ) bobini ise kollektre
DC n gerilimi salar ve yksek frekansl sinyalleri g kaynandan izole eder. CC ise, kollektr ile beyz
arasnda DC bloklamay salar. Devrenin osilasyon frekans, kristalin seri rezonans frekans ile belirlenir.
ekil 10.15 Paralel rezonans frekansnda alan kristal kontroll osilatr
Bir kristalin, paralel rezonansta empedans maksimum olduu iin ekil 10.15te grld gibi
devreye paralel balanr. Paralel rezonans frekansnda kristalin empedans yksek olduu iin zerindeki
gerilim dm de maksimum olur.
ekil 10.16 OP-AMPl kristal kontroll osilatr devresi
ekil 10.16da grld gibi kristal kontroll osilatr devresinde OP-AMP kullanlabilir. Bu devrede
kristal, geri besleme yoluna seri balanmtr. Dolaysyla kristal, seri rezonans frekansnda alr. Bu
devrenin kndan kare dalga alnr. Tam olarak zener geriliminde k genliini salamak iin ka
bir ift zener balanmtr.
10.2.10 TRANSSTRL TESTERE D JENERATR
ekil 10.17 Basit Testere Dii Jeneratr
ekil 10.17deki transistr anahtar gibi almaktadr. Girie uygulanan V sinyali kare dalga olup
genlii, transistr kesim ve doyumda altrabilecek seviyededir. Girie uygulanan kare dalgann (-)
alternansnda transistr kesimde olup C kondansatr, RC zerinden arj olur. Girie uygulanan kare
dalgann (+) alternansnda transistr doyuma gider ve C kondansatr, Q1 transistr zerinden dearj
olur. Kondansatrn arj ve dearj ile ktan testere dii dalga elde edilir.
ekil 10.18 Basit testere dii jeneratrnn EWB programnda uygulanmas
ekil 10.19da iki transistr ile yaplan testere dii jeneratr devresinde, tek transistr ile
gerekletirilen jeneratr devresinde olduu gibi ktan testere dii sinyal elde edilir.
ekil 10.19 ki transistr ile yaplan testere dii jeneratr devresi

ELEKTRONİK

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

ELEKTRONİK

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

NDEKLER

file:///E|/depo/elektronik/elektronik/elektronikNDEKLER.htm (1 / 10) [ 15.01.2009 18:27:04 ]

HAREKET .................................... III-11

file:///E|/depo/elektronik/elektronik/elektronikNDEKLER.htm (4 / 10) [ 15.01.2009 18:27:04 ]

SINIFLANDIRILMASI ......................................................... IX-1

10.2.7 OP-AMPLI COLPITS

file:///E|/depo/elektronik/elektronik/elektronikNDEKLER.htm (10 / 10) [ 15.01.2009 18:27:04 ]

PASF DEVRE ELEMANLARI

faz fark meydana gelmez. Buna gre devreden geen akm u

ekil 1.3 Direnli AC devresi fazr

ekil 1.2de devreye ait sinyal grafii verilmitir.

diren zerinde den gerilim ( UR ) ve direnten

Hatrlanaca gibi bobinin alternatif akma kar gsterdii

90 180 270 360

ekil 1.6 Bobinli AC devresi vektrel

90 180 270 360

ekil 1.5 Bobinli AC devresi sinyal grafikleri

90 180 270 360

ekil 1.9 Kondansatrl AC devresi

90 180 270 360

ekil 1.8 Kondansatrl AC devresi vektrel

formlleri analiz edildiinde, kapasitif reaktans ( XC ) etkileyen faktrlerin kondansatr deeri ( C )

1.2 SER ( RLC ) REZONANS DEVRES

ekil 1.10 Seri RLC rezonans devresi

Seri RLC devresinin eit alma ekli vardr:

F 2 .4 2 .L.C = 1 olur. F ekilirse;

Her iki tarafn karekk alndnda

sonucu elde edilir.

Bu forml, sadece rezonans annda geerlidir. Rezonans frekans FO eklinde gsterilir.

ekil 1.11 Seri rezonans devresi

ekil 1.12 Seri rezonans devresi fazr

1.2.2 REZONANS ST ALIMA ( XL > XC DURUMU )

ekil 1.13 Rezonans st alma

Yukardaki formller incelendiinde F arttka XL nin artaca,. XC nin ise azalaca

Ayn teoremi ekil 1.14teki empedans genine uygularsak;

ve UC = I.XC olduuna gre U2 = UR2 + ( UL2 UC2 ) formlnde

bu ifadeler yerine konup I sadeletirilirse;

R + ( X L X C ) 2 olur. Buna gre devrenin faz as;

Z2 = R2 + ( XC XL )2 ifadesi elde edilir. Buradan Z =

Buna gre devrenin faz as; Tg =

ekil 1.17 Seri RLC devresi frekans cevap grafii

ekil 1.18 Seri rezonans devresi band genilii

BW = F2 F1 eklinde ifade edilir. Bu

hesaplamalarnda yalnzca rezonans frekans kullanlmaldr. Matematiksel olarak Q katsays, bobinin

ekil 1.19 Rezonans devresi Band genilii Q katsays ilikisi

Devre elemanlarnn deerleri ve bilindiine gre ilk olarak reaktanslar bulunmaldr.

XL = .L = 314 10.10-3 = 3.14 bulunur.

5 2 + (6.36 3.14) 2 = 5,94

Tg = 0.644 olduuna gre = 32,7o ( Bu a deeri trigonometrik cetvelden ya da

trigonometrik fonksiyonlu bir hesap makinesi yardmyla bulunabilir.)

Gerilim dmleri aadaki gibi bulunur.

Devreye uygulanan gerilim U = I Z = 3 5,94 = 17,82 V. ya da

UR = U R + (U C U L ) 2 = UR = 15 2 + (19.08 9.42) 2 = 17,82 V.

Demek ki bu devrenin rezonansa gelebilmesi iin devreye 50 Hz yerine 225.19 Hz uygulamak

R=1K L=5 mH C=10nF

Yanda emas verilen

Daha sonraki admda reaktanslar bulunur.

XL = .L = 314 5.10-3 = 707 bulunur.

Bu aamada dikkat edilirse, XC = XL ; Z = R durumu olumutur. Yani devre rezonanstadr.

I = 10 /10K = 1 mAe eit olur.

Tg = 0 olduuna gre = 0o dir.

Devrenin bant geniliini bulabilmek iin nce Q katsaysnn bulunmas gerekir.

rnekteki devrenin bant genilii erisi aadaki gibi olur.

SER ( RLC ) REZONANS DEVRES ZELLKLER