E es) Dispositivos * Accionadores * Amplificadores Multivibradores ¢ Transductores * Sistemas digitalesContenido Temal. Instrumental de un laboratorio de electrénica: descripci6n . . 1. 12, 13. 14, 15. ANALISIS PRACTICO 1 A B. PRIMERA UNIDAD: DISPOSITIVOS Introduccién . Polimetro analogico-digital 12.1. El polimetro analégico 1.2.2. El polimetro digital . Fuente de alimentacién Generador de baja frecuenci Osciloscopio . . LSA. El TRC = Filamento y catodo. 1 Rejilla de control @ Anodos aceleradores . ™ Placas deflectoras El amplificador vertical El amplificador horizontal . Las dos alimentaciones La base de tiempos Ajuste de un osciloscopio = El control de intensidad o luminosid: 1 control de enfoque. = Los controles horizontal y vertical WEI control de BT (base de tiempos)... = Control de entrada Y (amplificador vera Ajuste de tensiOn y limitaciOn de intensidad de una fuente de alimentacién .. Medidas con loscilosopio de seales suministradas pore fenerador de baa frecuencia ..... . = Medida de frecuencia xvCONTENIDO ix 3.44. Circuito de polarizacién de un transistor por divisor de tension 2 ANALISIS PRACTICO 9. 53 ‘A. Montaje de un transistor con polarizacién y realimentacion por resistencia de Mlb acevenucsaugoemsmecere4s sede SUNT LESEN TL Thi name 33 B. Montaje de un transistor con polarizacion por divisor de tension 35 3.5. Amplificacién con transistores: configuraciones basicas 56 3.5.1. Amplificador en emisor comin . 37 3.52. Amplificador en base comin 58 353. Amplificador en colector comin 39 ANALISIS PRACTICO 10 © ‘A. Montaje de un amplificador EC monoetapa 0 B. Determinacién experimental de la Z, y Z, 02 Medida de Z,. 8 m Medida de Z,.... 6 Apéndice LA. Catacteristicas téenicas de transistores @ 64 B. Caracteristicas técnicas de transistores (I or C. Caracteristicas técnicas de diodos 0 D. Caracteristicas técnicas de un osciloscopio 0 E. Caracteristicas técnicas de un GBF . _ 2 F. Caracteristicas técnicas de una fuente de alimentacién.....-. 72 G. Hoja para oscilogramas . B SEGUNDA UNIDAD: ACCIONAMIENTO ELECTRICO-ELECTRONICO Introduccién . * wee Steen eee eee 7 ‘Tema 4, Tiristores (I): Semiconductores y cireuitos bisicos de accionamiento........... a 41, EL SCR B 4.1.1. Caracteristicas ‘det SCR 30 @ Caracteristica directa real 81 m= Curvas caracteristicas . 22 m Caracteristicas de puerta . 84 licaciones del SCR. 86 4.1.2. Cireuitos de descebado del ‘SCR. 86 @ Descebado manual 86 = Descebado con transistor . 87 = Descebado con SCR auxiliar. 87 4.1.3. Semiconductores en los circuitos de disparo del ‘SCR. 88 4.2. El transistor UJT . . * 89 421. Circuito y curvas caracteristicas 90 422. Oscilador de relajacién con el UIT . 91 = Comportamiento del circuito . 92 ANALISIS PRACTICO 11. 4 43. El transistor PUT .. . 94 43.1. Circuito y curva caracteristica . . 94 432. Oscilador de relajacién con PUT 96 ANALISIS PRACTICO 12. ” 44. Control en rectificadores de corriente alterna monofisica 98 4s Control de media onda SCR...... 98 442. Control de onda completa con SCR . 100x CONTENIDO Tema 5. Tema 6. Tema 7. ANALISIS PRACTICO 13.............060- ‘A. Control experimental de media onda con SCR por desfasador R-C 1 Gontrol experimental de onda completa con SCR por osclador de ea cb. UIT eee ee cee ceceeeeteeees 7 . Tiristores (II): Semiconductores y control de potencia en corrieate alterna monofisica 5.1, El TRIAC. 5.2. El DIAC.. 53. DIMMER: control de potencia con DIAC y TRIA $3.1. DIMMER con histéresis . : ANALISIS PRACTICO 14. i 53.2. DIMMER sin histéresis ANALISIS PRACTICO 15 54, Introduccion a la rectificacion trifisica semicontrolada 54.1. Rectificador trifisico de media onda... .. Rectificador trifésico de onda completa Rectificador trifisico de onda completa semicontrolado . Circuito de control. ANALISIS PRACTICO 16... Apéndice II. A. Caracteristicas técnicas de SCR's B. Caracteristicas técnicas de TRIAC's... 2 C. Caracteristicas técnicas de UJT’s y PUT... D. Hoja para oscilogramas .. TERCERA UNIDAD: AMPLIFICADORES OPERACIONALES Introduccién al amplificador operacional . 6.1, Definicién y elementos .... 62. Principio de funcionamiento 6.3. Estructura interna . = Amplificador diferenci @ Fuente de corriente constante . m Etapas de ganancia de tensién .. m= Adaptador de impedancia y ganancia de corriente m Etapa de desplazamiento de potencial 64. Caracteristicas............ssee0e s Relasion de rechazo de modo comdn (RRM m Tensién de offset . Corrientes de polarizacién . = Tierra virtual . 7.1. Cireuitos aritméticos....... 71.1. Amplificador inversor ANALISIS PRACTICO 17. 7.1.2. Amplificador no inversor . 102 102 103 106 106 108 110 ut 12 113 114 14 114 116 118 119 120 121 122 123, 124 1m 127 129 130 130 130 130 130 132 132 133 134 134 134 137 137 137 139 139Introduccion ‘Tema 8. Tema 9. CONTENIDO ANALISIS PRACTICO 18 7.13. Adaptador de impedancias 7.14. Amplificador sumador inversor ANALISIS PRACTICO 19. 7.1.5. Amplificador restador o difere 7.2. Circuitos de comparadores " 7.2.1. Comparador no inversor . ANALISIS PRACTICO 20..... 7.2.2. Comparador de ventana ANALISIS PRACTICO 21. ‘Apéndice IIL. A. Compensacién de las corrientes de polarizacion B. Datos técnicos de un operacional real C. Hoja para oscilogramas.......0..... CUARTA UNIDAD: MULTIVIBRADORES. ‘Multivibradores con operacionales 8.1, Principio de funcionamiento 82. Multivibrador monoestable con el amplificador operacional 741 82.1. Descripcin del circuito . ANALISIS PRACTICO 22. 8.3. Multivibrador astable con el amplificador | operacional 741. 83.1. Descripcién del circuito........... ANALISIS PRACTICO 23. Multivibradores con los CI's 555 y 556... 6000000000000 cceeveeeeceeeeveee 7 9.1. El circuito integrado 555... 9.1.1. Elementos o entradas y salida de la estructura de un CISSS = Comparadores....... ‘ jiestable . Transistor T,, (descarga) m Etapa de salida (inversor) = Transistor T,, (RESET) = Control de tefsion .. 9.1.2. Multivibrador monoestable con el Descripcién del circuito en condiciones de reposo y actuacién . ANALISIS PRACTICO 24 . 9.13. Multivibrador estable con el C1555. = Descripeién del circuito . ANALISIS PRACTICO 25. 3 9.2. El circuito integrado 556... 9.2.1. Modulador de audio por desplazamiento de impulso con el Cl $56 @ Descripcién del circuito 4 ANALISIS PRACTICO 26 9.2.2. Temporizador ciclico con el C1556 1 Descripcion del circuito . ANALISIS PRACTICO 27.......... xi 140 140 141 142 143 144 144 145 145 146 147 149 152 155 156 156 136 157 159 159 160 163 165 165 167 167 168 168 168 168 168 169 169 12 172 172 176 176 177 178 179 179 179 180xii CONTENIDO Aptndice IV. A. Caracteristicas del circuito integrado 555... 182 B. Caracteristicas del circuito integrado 556 . 187 C._ Hoja para oscilogramas . 188 QUINTA UNIDAD: SENSORES, TRANSDUCTORES Y ELEMENTOS DE MANDO Introducci6a ....... eSATA To oN a AEN : . 191 ‘Tema 10. Familias de transductores (I) ........000000000+ 193 10.1. Transductores de presién, de caudal y de nivel 193 10.L.1. Transductores de presion capacitivos y extensimétricos . 193 10.1.2. Transductores de medida de caudal con tubo Venturi . 193 10.1.3. ‘Transductores de control de nivel . 194 © Mecénico-resistivos 194 © Capacitivos .. 196 10.14, Circuito de un detector de margen de rebase de presiones . 196 ANALISIS PRACTICO 28....... 10.2. Transductores de velocidad y de posicion . 10.2.1. Transductores de velocidad .. 10.2.2. Transductores de posicion ... 10.3. Transductores de proximidad .. 103.1. Tipos de interruptores = Capacitivos ¢ inductivos ™ Cilindricos y orientables . = Tipo NPN y tipo PNP..... 10.3.2. Control de presencia por captador induetivo/capacitivo . ANALISIS PRACTICO 29... : 104, Transductores de reflexién ultrasénica 10.4.1. Control por ultrasonidos ANALISIS PRACTICO 30. proxi Tema 11. Familias de transductores (II) 11.1, Transductores de temperatura . H..1. Termistores....... m Termistores NTC. m= Termistores PTC 11.1.2, Termopares. ANALISIS PRACTICO 31. 11.1.3. Regulador de temperatura ¢ con NTC para cargas de potencia en ca 214 ANALISIS PRACTICO 32 216 11.2. Transductores de luminosidad 217 11.2.1. Componentes fotosensibles ... 217 Resistores LDR .... 217 1 Fotodiodos y fototransistores 219 11.22. Componentes. electroluminiscentes . 220 = Diodos LED 220 1m Diodos emisores de infrarrojos IREL 22 1123. Optoacopladores............ 22 1124. Control de iluminacién con LDR.xiv CONTENIDO 13.2.2, Obtencién de la reduccién grifica .. ANALISIS PRACTICO 37... Tema 14, Sistemas digitales integrados.......... 0.000000... 14.1. 142, Glosario Bibliografia . Indice analitico Sistema combinacional ... 14.11. El multiplexor . = Disefio de un multiplexor de cuatro entradas. m Creacién de funciones légicas 14.1.2. Comparadores logicos ... Sistemas secuenciales 142.1. Tipos de biestables . @ Biestable J-K mBiestable T.. mBiestable D. 1422. Contadores . ANALISIS PRACTICO 38 14.23. Contadores preseleccionables . m= Tablas de transicion ANALISIS PRACTICO 39.. ANALISIS PRACTICO 40... 142.4. Registros de desplazamiento ... ANALISIS PRACTICO 41 Apéndice VI A. Comparador de 8 bits con 74LS85 ooe Al. Montaje. . A2. Informacion técnica para proceder al montaje Registro universal de 4 bits derecha-izquierda TALS9S . Registro universal de 8 bits 74HC165....... Doble J-K con PRESET y CLEAR 74HC76 273, 275 276 216 276 am 278 280 282 282 297 297 298 302 312 316 323 325Prdlogo El presente texto trata de cubrir el espacio docente en la formacion de los Médulos Profesio- nales, preferentemente los concernientes al Nivel II, tales como Mantenimiento en Instalacio- nes de Servicio y Mantenimiento en Linea, asi como los que tienen prevista su inmediata aprobacién y que poseen relacion con las nuevas familias profesionales de Electronica. Sin olvidar la Formaci6n Profesional actual en los cursos de 1.° y 2.° de FP2 (rama Electricidad- Electrénica, especialidad Electronica Industrial), como también los cursos impartidos por el INEM (Técnico Electronico) y otros relatives a la formacién ocupacional. Sera igualmente vlido para la asignatura Tecnologia Industrial del nuevo Bachillerato Tecnologico Dado el nivel al cual va dirigida esta publicacién, se ha tratado con miras practicas sin olvidar la teoria, que sera siempre necesaria, pero sin profundizar en exceso. Esto se debe a que el propésito del texto y del curso es conseguir unos conocimientos generales, dejando para el resto del Sistema Educativo Superior la profundidad en los temas y la justificacién matemitica de los ejercicios de disefio de circuitos. Diversifica y amplia los conocimientos adquiridos previamente por los alumnos (durante el primer grado de Formacion Profesional), prestando especial atencién a las aplicaciones practicas de los mismos, de forma tanto Propuesta como resuelta. Esta caracteristica hace que sea un texto idéneo para la asignatura de Pricticas de taller de segundo grado de Formacién Profesional. El libro se encuentra dividido en seis grandes unidades: dispositivos, accionamiento eléctrico-electrénico, amplificadores operacionales, multivibradores, transductores y sistemas digitales. Cada una de ellas consta de un nimero variable de temas. La tabla de Contenido, muy detallada, da idea de todos los que se abarcan y de la disposicién de los mismos. Al final de cada unidad apareceré un apéndice con informacién complementaria, reproduciendo material original (manuales profesionales). Para terminar, como es habitual en la serie Electricidad-Electronica, se incluiran un completo Glosario, Bibliografia ¢ Indice analitico. A continuacién de cada apartado teérico de envergadura, aparecerdn uno 0 mas ejercicios pricticos (denominados Analisis Practico). El nimero de éstos dependera de cada tema, asi como su estructura. En los casos mas simples la prictica se propone pero, en aquellos mas complejos, se va explicando cada paso para la resolucién de la misma, dejando siempre la tltima parte (el dato numérico propiamente dicho, el comentario de las conclusiones o el paso de los datos obtenidos a la tabla correspondiente) para el alumno. No podemos terminar sin expresar nuestro agradecimiento a las casas COPRESA, HARRIS. SEMICONDUCTOR, MOTOROLA, NATIONAL SEMICONDUCTOR y OMRON, por cuya cortesia hemos podido reproducir la informacion contenida en los distintos apéndices de esta obra. Puerto de Sagunto-Picanya, 1992 Los AUTORES xvTEMA Semiconductores: El diodo 2.1, ESTUDIO DE LA UNION N-P En este primer apartado veremos, para comenzar, los semiconductores, materiales empleados para producir la union N-P. Después pasaremos a analizar los dos tipos de polarizaciones en los que puede configurarse la union N-P. 2.1.1. Semiconductores Se denomina semiconductores a los materiales utilizados en electronica que cumplen una determinada arquitectura interna, en lo referente a su estructura quimica. Los podemos dividir en dos grandes tipos: intrinsecos y extrinsecos. # Los semiconductores intrinsecos son los llamados puros, es decir, aquellos en los que todo el material esta tnicamente formado por un solo componente basico, esto es, atomos de 4 e~ de valencia. « Los extrinseeos son, por asi llamarlos, impuros, queriendo con ello decir que no todo el material esta formado por un solo componente, sino que estan mezclados con otros, en proporcién y tipo adecuados. Los extrinsecos se dividen a su vez en dos grandes grupos: tipo P y tipo N. — Los llamados tipo P son los materiales a los que se les agregan atomos de tres e~ de valencia, fijando con ello unas caracteristicas particulares. Debe mencionarse que para este tipo son portadores mayoritarios los h* (huecos), entendiendo por h* la ausencia de e~, que completan el enlace quimico. — Los lamados tipo N son los semiconductores a los que se les agregan dtomos de cinco e~ de valencia, fijandose, por tanto, unas caracteristicas distintas a los tipo P; en los N, se dice que son mayoritarios los e~ ‘Ambos tipos de semiconductors (P 0 N) son, aisladamente, neutros a nivel eléctrico pero, al unirlos, se produce un fendmeno de difusién que hace que los portadores mayoritarios de uno y otro bloque se desplacen atravesando la union, hasta que se igualan los potenciales. 20SEMICONDUCTORES: EL DIODO 21. Este proceso es parecido al que presenta una mezcla de agua y colorante tras un cierto tiempo, tomando un determinado color, que sera definitivo a no ser que aumentemos el colorante o el agua. Esta puesta en contacto de los bloques N-P origina una barrera de potencial propia de los materiales que se hayan usado para su creacidn (SI = 0,65 V, GE = 0,25 V), estos valores de barrera se denominan tensién umbral (V,). En esta situacion, al polarizar (suministrar tensiones) al bloque N-P, se producen dos opciones: polarizacién directa y polarizacién inversa = Polarizacién directa Se denomina directa aquella configuracién en la cual el positivo de la fuente se conecta al bloque P. En esta situacidn, la polaridad de la fuente (siempre que sea superior a la tension de barrera) convertir al bloque N-P en conductor, dejando pasar una corriente eléctrica impor- tante que habra que limitar mediante resistencia externa a la unién, en prevision de la maxima corriente que pueda soportar dicha union = Polarizaci6n inversa Se denomina inversa la configuracién en la que el potencial positivo de la fuente se conecta al bloque N. De este modo, la barrera de potencial se ve reforzada y la corriente de paso a través del bloque es nula (en realidad minima de valor 1A). Ambas disposiciones se muestran en la Figura 2.1. |i} Polarizaci6n inversa Figura 2.1. Polarizaciones. 2.2, EL DIODO: COMPONENTES Y CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES El dispositivo formado por una union N-P se denomina diode y es el mas simple de los componentes electronicos. Dispone de dos terminales llamados énodo y edtodo que son, respectivamente, ¢l bloque P y el N. Su simbolo grafico mas comin es el que se muestra en la22 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Diodo Snodo = A catodo = K Figura 2.2. Diodo semiconductor Figura 2.2. Su principal caracteristica es que solo deja pasar la corriente en un sentido, es decir, es unidireccional. Al diodo asi definido se le conoce por rectificador y éste no es mas que un modelo de los muchos existentes (véase Fig. 2.3) dentro de la familia de los diodos, entre los que podriamos destacar dos: el diodo LED y el diodo ZENER No obstante, conviene mencionar la existencia de otros dos tipos de diodos: el VARICAP y el TUNEL. Los mencionados diodos no seran objeto de estudio en este libro debido a que ambos hacen referencia a utilizaciones en Electrénica de Telecomunicaciones, estando ésta fuera de los objetivos del presente texto. Figura 2.3. Fotografia de diversos diodos.SEMICONDUCTORES: EL DIODO 23 2.2.1. Caracteristica tensi6n-corriente Es, sin lugar a dudas, la mas importante de las caracteristicas utilizadas, ya que nos indica las caidas de tensién (cdt) y las corrientes que puede soportar el componente. Una muestra de esta caracteristica es la de la Figura 24. En ella se aprecia que durante la PI (polarizacién inversa) la corriente que circula es muy pequeiia (uA), ya que presenta una resistena muy elevada (MQ). Por el contrario, en la PD. (polarizacién directa) la corriente es muy elevada (del orden de A) y su resistencia de valor éhmico muy bajo. Se aprecia también en la misma figura la tensién umbral propia de cada material. Hay que destacar que esta caracteristica es propia de cada diodo que se ensaye, y ademas ésta variard con la temperatura. Polarizaci6n directa (PD) Psst Bateria Polarizacion inversa (Pt) Figura 2.4. Grafica de la caracteristica tensién-corriente. La anterior grafica se puede obtener mediante una sencilla aplicacién con el osciloscopio, tal como se muestra en la Figura 2.5. La tensi6n presente en extremos del componente se aplica también a las placas ¥ del osciloscopio. La corriente que circula por el elemento también lo hace por la resistencia, provocandose una caida de tensién (cat) proporcional a la corriente que la atraviesa, aplican- dose a las placas Y del osciloscopio. La resultante que se obtiene en pantalla es la earacteristi- ca del semiconductor.24° PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Figura 2.5. Obtenci6n de la caracteristica V-/. A continuacién (Tabla 2.1) se muestran algunas de las caracteristicas de los materiales semiconductores base aplicados a los diodos, como complementos al estudio de los mismos. Tabla 2.1. Caracteristicas de los materiales semiconductores base V, (¥ de umbral) =07V J, (J inversa) = uA 2nd Deriva térmica 21, por cada 12°C 21, por cada 8 °C Aplicaciones Deteccién sefial baja Usos generales Resistividad 60 em 230.000 em 2.2.2. Aplicaciones diversas Ademas de la aplicacién de rectificacién clésica del diodo convencional, se pueden realizar otras, tales como: limitadores y fijadores. Estas son en muchos circuitos decisivas, por la necesidad de modificar la forma de onda. Los limitadores, como su nombre indica, limitan una tensién alterna a unos valores que nosotros determinamos mediante la eliminacion parcial o total de una o de las dos crestas del semiciclo.SEMICONDUCTORES: EL DIODO 25 El limitador puede ser serie o paralelo. Otra clasificacion hace referencia al lugar donde realicemos la limitaci6n (recorte), en este caso pueden ser: positivo, negativo, parcial o parcial doble. = Limitador paralelo En la Figura 2.6 se muestra un limitador que recorta la parte de sefial negativa que sobrepasa el valor V, del diodo, dejando inalterada la parte positiva. Resistencia Figura 2.6. Li fador paralelo, Por supuesto, al igual que se limita el valor de la semionda negativa, se puede realizar la positiva sin mas que cambiar la polaridad del diodo, o incluso recortar ambas semiondas con dos diodos que podrian estar individualmente conectados en serie con fuentes de ce de distinto valor, haciendo asi asimétricos los recortes. Las Figuras 2.7 y 2.8 muestran las grificas de las sefiales senoidales de entrada y salida del limitador. ar) (pa Figura 2.7. Grafica de la sefial senoidal Figura 2.8. Grafica de la seal de salida de entrada del limitador. del limitador. = Fijador positive Se conoce como fijador o restaurador de ce al circuito formado por una red R-C en conjunto con un diodo, sin mas condicién que la constante de tiempo (t = R- C) sea al menos diez26 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS veces superior al periodo de la sefial aplicada, evitando la posible descarga de C. Un ejemplo del circuito comentado se muestra en la Figura 2.9. Figura 2.9. Fijador positivo. Al igual que se pueden realizar fijadores positivos, los podemos realizar negativos, sin mas que variar la polaridad del diodo. Con ello lo que se consigue es obtener la senoide en la parte negativa, toda ella y sin recortes; es decir, fijar el nivel negativo en un valor igual al maximo de la sefial de entrada también conocido como amplitud o valor de pico. Se pueden realizar fijadores, en los que la sefial resultante a la salida (Fig. 2.10) esté por encima (abajo) del nivel cero de tensién afiadiendo una fuente de cc en serie con el diodo adecuadamente, polarizado. Figura 2.10. Grafica de la sefial de salida del fijador. 2.3. EL DIODO LED: COMPORTAMIENTO Y CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES El diodo LED (light emitting diode), diodo emisor de luz, es una unién N-P trabajando con PD, que tiene la facultad de emitir luz fria; es decir, no derivada del efecto Joule tradicional La Figura 2.11 muestra el simbolo del LED.‘SEMICONDUCTORES: EL DIODO 27 Za LED Figura 2.11. Simbolo del LED. Esta luz es el resultado de la energia que ceden los e~ al bajar de la banda de conduccién, que en el caso del 5, es en forma calorifica, mientras que en los elementos del grupo 3 y 5 de la tabla periddica es en forma de fotones. La forma de construccién es la siguiente: — AsGa (arseniuro de galio: —_infrarrojo — AsPGa (arseniuro-fésforo-galioy: naranja — PGa (fosforo-galio): amarillo Cambiando las concentraciones de los distintos componentes se pueden conseguir otros colores, ¢ incluso que cambien de color (bicolores) al aumentar la intensidad de paso. La tensién umbral es superior a la de los diodos normales y su corriente inversa maxima es menor. Tienen una vida itil 100 veces mayor que las Kimparas de incandescencia y su respuesta al cambio on-off es al menos diez veces superior (10 ns), por lo que se pueden usar para modulacion en alta frecuencia. Las aplicaciones del LED son muy diversas (siempre en relacién con la iluminacién y la presentacién de datos), sea en forma aislada como sefalizacién de equipos industriales o domésticos, 0 en forma agrupada bajo la forma de display de distintos segmentos (teniendo mejor definicién esta ultima). El inconveniente de las pantallas de LED es el importante consumo, que no es problema si €s un equipo fijo con fuente de alimentacién a red, pero si que lo es si es auténomo (dada la precariedad de la alimentacién). Por este motivo han sido desplazados por los visualizadores de cristal liquido. 2.4. VERIFICACION E IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES DE UN DIODO La identificacién de los terminales de un diodo se realiza de distintas formas (segin los medios disponibles), siendo los mas usuales: + Identificacin por catalogo (todos). * Identificacion por la forma, catodo en la punta (BY127, etc). * Identificacién por el anillo en la superficie del catodo (IN, etc) * Identificacion por polimetro (véase Fig. 2,12),28 — PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Figura 2.12. Identificaci6n de los terminales de un diodo por polimetro. La verificacion del estado de un diodo se realiza con ayuda de un polimetro analégico en la funcion de Ohmetro. Tras la identificacién de la polaridad de la bateria interna que tiene presente su potencial en los bornes de conexién (se puede utilizar un diodo del que se conozcan sus terminales previamente) se procedera a conectar las puntas de prueba en extremos del diodo de forma que: + Con PD (polarizacién directa) la resistencia que debe marcar el dhmetro oscila entre unos 100 2 y 300 0 (seleccién en ohmios por 10). + Con PI (polarizacién indirecta) la resistencia debe valer (dependiendo que sea Ge o Si) entre 200 y 300 KQ para Ge o varios MO en el caso de Si. Resistencia Fuente variable Figura 2.13. Montaje para ensayo de un diodo.SEMICONDUCTORES: EL DIODO 29 Para realizar esta operaciGn se deberd tener presente la necesaria corriente a proporcionar por el Ghmetro (recordando que la escalas mas pequefias son las de mayor deflexién de la aguja). eTros polimetros digitales disponen de una posicién seleccionada como (—»+), que mide la tension de conduccién de la unién, siendo en PD ~ 0,5 — 0,6 V y en PI inmedible, dando como resultado OL (OVERLOAD). Ademas de verificar el diodo, podemos analizarlo en su caracteristica V-I con ayuda del circuito que se muestra en la Figura 2.13. Identificar los terminales de uno o varios diodos y realizar el montaje de la Figura 2.13 siguiendo el procedimiento que se enumera a continuacion, @) Con PD, ir obteniendo la lectura del amperimetro (A) y del voltimetro (V7) para los valores dados de la Tabla 2.2. 4) Con PI, anotar los nuevos valores del amperimetro (A) para los valores de la Tabla 23, ©) Con los valores de ambas tablas dibujar la caracteristica V-1 de los diodos ensayados (1N4007). 4) Comparar con los valores que faciliten los catalogos sobre los mismos componentes y obtener conclusiones. Tabla 2.2. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 2 Tabla 2.3. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 2 Et 0 2 6 10 15 20 30 ua) 2.5. RECTIFICADORES MONOFASICOS La aplicacién especifica 0, mas bien, el diseiio original del diodo, fue la rectificacion. Poste- riormente, ante el hecho de su falta de conduccién en un sentido, se le han agregado otras muchas aplicaciones. La reetifieacién surge por la necesidad de alimentar circuitos con tensiones de caracter estable en el tiempo. Si a esto afladimos que el transporte de energia eléctrica se realiza bajo la forma de corriente alterna, ca, (por motivos econémicos) esté justificada la utilizacion de30 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS rectificadores como circuitos que convierten las sefiales eléctricas en la practica) en unidireccionales. Es destacable que se haya dicho que el resultado de la rectificacién es una sefial unidirec- cional, pero no continua, que se tendra que obtener por procedimientos posteriores (filtrado) Tres son las posibilidades basicas dentro de los rectificadores: ireccionales (senoidales + Rectificador de media onda (con o sin filtro). * Rectificador de onda completa o doble onda « Rectificador en puente de Graetz. Expondremos las caracteristicas de cada uno de ellos, intercalando los ANALISIS PRAC- TICOS correspondientes a cada tipo de rectificador. 2.5.1. Rectificador de media onda sin filtro En la Figura 2.14 se muestra un rectificador de media onda y sus sefales més importantes (véanse Figs. 2.15 y 2.16). Durante la alternancia positiva de la sefial de entrada el diodo se encuentra en PD. En estas condiciones conduce con la limitacién de corriente impuesta por R,, provocando sobre ella una cdf que cumple la ley de Ohm, menos la pequefia edt del diodo en sentido directo (0,7 V). En el semiperiodo negativo de la sefial de entrada el diodo se encuentra en PI, lo que permite el paso de una pequefiisima corriente, ya que su resistencia en estos momentos es muy alta. Como resultado, la cdf en R,, es minima, por no decir nula. Los valores propios de la sefial senoidal quedan modificados, pudiéndose demostrar que los valores eficaz, medio y mfximo de tensi6n toman ahora las siguientes caracteristi Vm = Vola Vie Bj Transformador Figura 2.14. Rectificador de media onda.SEMICONDUCTORES: ELDIODO = 31 donde: V,, = valor medio de tensién V = valor eficaz de tension. V, = valor maximo de tension, menos la ed (caida de tensién) directa del diodo. Como dato final, afiadiremos que el rendimiento de este rectificador (como cociente entre la potencia de continua presente en la carga y la de alterna que cede el secundario del transforma- dor) es como maximo de un 40 por 100, cantidad claramente deficitaria. Por tanto, si queremos aumentarlo, sera necesario utilizar otro tipo de rectificador, doble onda o en puente. Figura 2.15. Grafica de la sefial senoidal de entrada. x Figura 2.16. Grafica de la sefial de salida en resistencia m= Factor de forma y factor de rizado Estos dos parémetros informan del grado de relacion que existe, en una sefial ondulada, entre las componentes continuas de esa sefial y aquellas partes de la misma que son variables. En definitiva, el factor de forma F, es el cociente entre el valor eficaz total de dicha magnitud ondulada y su valor medio.32 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, El denominado factor de rizado, F, (también llamado grado de ondulacién) es el cociente entre el valor eficaz de la ondulacién exclusivamente y su valor med Se puede demostrar que Fo=J/FR-1 a) Realizar el montaje de la Figura 2.14, visualizando con el osciloscopio el resultado de la rectificacién. Compararlo con las grificas de las Figuras 2.15 y 2.16. Ténganse en cuenta los siguientes datos: R, = 1009/7 W D = 1N4007 Transformador 220 V/12 V, 0,5 A b) Efectuar las medidas oportunas para calcular el factor de forma y el factor de rizado. 2.5.2. Reectificador de media onda con filtro Como se puede apreciar en la Figura 2.14, la sefial de salida no es estable en el tiempo. Si deseamos una que si lo sea, deberemos efectuar a continuacién un filtrado de la misma que reduzca la ondulacién obtenida hasta este momento. Los dispositivos que pueden realizar la tarea reciben el nombre de filtros, pudiéndose dividir en dos grupos « Pasivos: utilizan resistencias, bobinas o condensadores. + Activos: utilizan una red pasiva junto a elementos activos (transistores, valvulas, op-amp). También se puede establecer una segunda clasificacién, atendiendo a la frecuencia a la que responden: pasa baja, pasa alta y pasa banda. En la Figura 2.17 se muestran los filtros pasivos basicos. El mas simple de los filtros se realiza con un condensador, que en la mayor parte de las aplicaciones es suficiente para obtener aceptables resultados, siempre que la carga lo admita y la rectificacion sea de onda completa o en puente (véase Fig. 2.174). El calculo de la capacidad necesaria para obtener el filtro, aun siendo sencillo, se omitira, dejando tnicamente la aplicacién de la formula final de este filtro: C= _., 2-2 - Van FSEMICONDUCTORES: EL DIODO 33. (a) Filtro C (b) Filtro L-C (©) Filtro P/ Figura 2.17. Filtros pasivos basicos. Siendo en esta formula: Tec = la corriente continua que pasa por la carga. Vaer, = valor eficaz de la tension de rizado. F = frecuencia de red para media onda y 2F para onda completa y en puente. Existen algunas normas nemotéenicas utilizadas frecuentemente para el rectificador de doble onda y $0 Hz de red, que indican que sera valida la capacidad de valor igual o mayor a tantos uF como mA circulen de corriente continua. Calcular la capacidad necesaria para un rectificador de media onda por cuya carga circula una corriente continua de 1 A, sabiendo que la frecuencia de red es 50 Hz (si la V, no ha de ser mayor de 2,2 V de pico a pico en el rizado residual).34 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS 2.5.3. Rectificador de onda completa El uso del rectificador de onda completa (con dos diodos) mejora los principales inconvenien- tes del de media onda (bajo rendimiento, elevado factor de rizado, etc,). A pesar de todo, se incorporan otras desventajas, tales como: ¢l uso de un transformador simétrico en el secunda- rio, mayor volumen del mismo, mayor peso (debido a que cada semidevanado debe aportar la potencia total requerida por la carga). A efectos de disefio, este transformador es como si fuesen dos (visto desde el secundario), pero en conjunto es deseable al de media onda. En la Figura 2.18 se muestra un circuito de onda completa. V salida Red rectificada Figura 2.18. Rectificador de onda completa. El funcionamiento es muy simple: consiste en la alternancia de conduccién de los diodos 1 y 2a la frecuencia de red. Si la alternancia positiva de entrada hace conducir al D,, la negativa hace lo propio con el D,, cerrindose el circuito siempre a través de la toma media del transformador. Pc] | pen Figura 2.19. Gréfica de la sefial senoidal Figura 2.20. Gréfica de la sefial de salida de entrada rectificada.‘SEMICONDUCTORES: EL DIODO 35 La grafica de la Figura 2.19 muestra la forma de onda cn la entrada de red, por contra, en la grafica de la Figura 2.20 se destaca la tensién en R,, frente al MO (media onda), de doble niimero de alternancias, es decir, duplicando la frecuencia. Es de resefiar el valor doble de tensidn inversa que soportan estos diodos cuando no conducen, debido al devanado doble del transformador. 2.5.4. Rectificador en puente de Graetz El rectificador en puente de Graetz es el dispositivo que mayor nimero de componentes utiliza: 4 diodos asociados de la forma que se muestra en la Figura 2.21. El funcionamiento consiste en la alternancia de conduccién de una pareja de diodos; precisamente los que coinciden con las diagonales D, — D, y D, — Dy. Conducen siempre el diodo de anodo mas positivo y el de cétodo mas negativo. D V salida rectificada Figura 2.21. Rectificador en puente de Graetz. Las formas de onda son las mismas que las de las grificas de las Figuras 2.19 y 2.20, sin mas que restar una nueva edt por la conduccién simultinea de dos diodos (y no uno como en el de onda completa) a la salida en la R,; éste es, sin lugar a dudas, su inconveniente, Io que lo hace inutilizable para pequefias sefiales a rectificar. Por lo demas, es el sistema mas usual de rectificacién monofisica, ya que se encuentra en el mercado, de forma integrada, bajo distintos encapsulados (segiin la corriente de paso por los diodos) Como resumen, las Tablas 2.4 y 2.5 recogen los parimetros eléctricos de cada rectificador y las caracteristicas de los diodos a utilizar en cada disefio, respectivamente Tabla 2.4. Pardmetros eléctricos de cada rectificador Rect. media onda v2 | Ven | 1,57 12136 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Tabla 2.6. Caracteristicas de los diodos en cada tipo de rectificador Media onda I, 1 % Doble onda con toma media | 0,5/, | 0,71 | 2%) Doble onda con puente 05t, | 07 | M% En la Tabla 2.5 se deberan entender los siguientes simbolismos: Thar) = Corriente media directa que debe soportar cada diodo. Vinssy = Cotriente eficaz directa que debe soportar cada diodo. Tension inversa del diodo. Tensién méxima/pico/amplitud. Intensidad media en la carga. Intensidad eficaz en la carga. a) Montar el circuito de la Figura 2.21 y vistalizar con el osciloscopio el resultado de la rectificacién. }) Tomar las medidas en el circuito que se consideren oportunas para calcular el factor de forma y el factor de rizado. © 4En qué cambia la forma de onda en la salida si le colocamos un condensador en paralelo? 2.6. EL DIODO ZENER: COMPONENTES Y CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES 2.6.1. Funcionamiento El diodo ZENER basa su funcionamiento en el efecto de ruptura de su caracteristica inversa; aqui reside su diferencia con los diodos rectificadores ya que en la PD (polaridad directa) son basicamente iguales. En la Figura 2.22 se muestra el simbolismo de un ZENER,SEMICONDUCTORES: EL DIODO «37 Figura 2.22. Simbolos graficos del ZENER. Los diodos ZENER estan disefiados para mantener dentro de un rango de corrientes (propias de cada modelo), la tension nominal de ZENER, haciendo de estabilizador de tension en ese rango de corrientes, tal como se aprecia en la caracteristica V-I de la Fi- gura 2.23. Figura 2.23. Grafica tensién/intensidad ZENER. De esta manera el funcionamiento se realiza en base al nivel de dopado de los semiconduc- tores que forman el diodo, dando lugar a dos modos de realizarlo: efecto ZENER y efecto avalancha.38 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, « El efecto ZENER se manifiesta cuando un diodo est muy dopado y el arranque de electrones se hace por campo eléctrico; son los diodos de valores hasta unos 6 V nominales. La tensién de ZENER en estas circunstancias, disminuye con la temperatura. + El efecto avalancha se produce cuando se provoca la ruptura por impacto de los e~ entre ellos; predomina para valores nominales de tensién del diodo superiores a 6 V. La tension ZENER asi conseguida aumenta con la temperatura. Cuando las tensiones que se quieren estabilizar, o usar de referencias, son inferiores a 2 V no se usan diodos ZENER, se prefieren diodos convencionales conectados en serie y polariza- dos directamente. 2.6.2. Verificaci6n e identificaci6n de terminales La identificacién de los terminales se puede realizar de igual manera que un diodo convencio- nal, sin mas que tener en cuenta que al polarizarlo inversamente la bateria del elemento de medida no sea superior al valor de ruptura. a) Montar el circuito de la Figura 2.23 (ZENER en polarizacion inversa). 6) Deducir el valor de resistencia adicional a colocar en serie (usar un ZENER de 12 V/400 mW). co) Aumentar la tension inversa aplicada con la fuente de alimentacion regulable y colocar los valores en la Tabla 2.6. Tabla 2.6. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 6 4v | 6v | wv | tv | isv 2.6.3. Montaje de un estabilizador con ZENER La necesidad de mantener estable la tensién en los circuitos electronicos es fundamental para su correcto funcionamiento. La estabilizacién se realiza a la salida del filtro del rectificador, puesto que se dispone de una tensién unidireccional aunque con ciertas variaciones debidas al rizado residual.Fuente Tension Variable estabilizada Figura 2.24. Estabilizador ZENER paralelo de tensin. Con los ZENER se pueden realizar circuitos, sin grandes pretensiones, pero, eso si, a un bajo coste y con unos resultados aceptables. Existen dos formas clisicas de obtener estabiliza- dores: conexién serie con la carga y conexién paralelo con Ia carga. El estabilizador paralelo es el mas extendido cuando solo se utiliza un ZENER y en él nos vamos a detener, intentando, ademas, calcular su circuito. En la Figura 2.24 se muestra un estabilizador paralelo con ZENER. = Funcionamiento El principio de funcionamiento del estabilizador consiste en el mantenimiento de la tension ZENER que es la misma que tiene la carga R, por estar el diodo en paralelo con ella. Dado que la corriente total (/,) es la suma de las corrientes de ZENER (J,) mas la de la carga (Ip,), mientras la variacion de la intensidad total o la de carga no haga que la de ZENER s¢ salga del rango de trabajo (J, nisin — I: mixina)s I tensiOn ser mantenida con una pequefia fluctuacién, perfectamente aceptable Las posibilidades de variacién son tres: + Variacién de la resistencia de carga. * Variaciones de la fuente de alimentacion. + Ambas situaciones simultaneas. Por ser, en la practica, la mas corriente la tercera de las causas, el diseiio para el montaje lo efectuaremos para esta situacién de variacién simultanea. Calcular, montar y analizar un estabilizador paralelo con ZENER bajo los siguientes condi- cionantes: a) Variacién de la corriente de carga entre 25 mA y 50 mA, bajo una ddp de 12 V. 5) Variacién de la fuente de alimentacién entre 15 y 18 V.40 —_PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS En principio, calcularemos el valor de Ryo. En esta situacién, la corriente a considerar por la carga sera la maxima y la que atraviesa el ZENER sera minima; este valor, que encontraremos en catdlogo, puede ser de 5 mA. Vi — Vp ‘e Rig ee tn + Tints Con los datos del eercicio, el resultado es de 54,54 0, pero este valor no es comercial, por lo que habra que colocar la resistencia comercial mas cercana, cuyo valor normalizado es 56.9. Determinaremos a continuacién la potencia que debera disipar dicha resistencia. Para ello el disefio se considerara en la peor de las situaciones; la mas desfavorable se da cuando la Vz... 68 maxima, teniendo en cuenta el valor de resistencia ya calculado: ins. — Yan) i ‘0 Reo La formula anterior nos dara un resultado de 0,6428 W, que habré que ajustar al valor comercial superior para seguridad; siendo este de 1 W. En lo referente al ZENER, la potencia maxima que disipa sera la que se deriva de la menor demanda de corriente por la carga, cuando en la entrada se presente el maximo valor de tensién. Por tanto: Lo que nos da un valor de 82,14 mA y como consecuencia la potencia de ZENER maxima serd: = 0,9857 W En la practica usariamos un ZENER de 1 W o mas. Tras realizar el montaje del circuito calculado, rellenar las casillas de la Tabla 2.7 con los datos obtenidos de las medidas reales sobre el circuito practico. Tabla 2.7. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 7 1s 16 16,5 7 17,5 18TEMA El transistor bipolar: Estructura y caracteristicas del componente 3.1. INTRODUCCION El desarrollo del transistor (TRANSfer-resISTOR) en la década de los cincuenta supuso el definitivo comienzo de la Era Electronica, haciendo evolucionar a la técnica en general de forma vertiginosa. Vino a sustituir en las valvulas a su homélogo el triodo al igual que el diodo semiconductor lo hizo con el de vacio (con las ventajas que este cambio supuso: reduccién de volumen, peso, precio, etc). Véase Figura 3.1. Los podemos dividir en dos grandes familias: transistores unipolares y transistores bipolares Los transistores unipolares, aunque conocidos tedricamente a la par que los bipolares, no se desarrollaron hasta los afios sesenta, motivo (junto con el manejo) que ha convertido a los. Figura 3.1. Fotografia de diversos transistores, 442 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS bipolares en los mas conocidos. Diremos que los transistores unipolares reciben este nombre porque los portadores de carga son tinicos, e~ o h*, dependiendo del tipo de semiconductor empleado para su fabricacion. Esto significa que la corriente que gobiernan esta debida a un solo tipo de portador. 3.2. ESTRUCTURA DE UN TRANSISTOR BIPOLAR Los transistores bipolares, motivo de nuestro estudio, son aquellos en los que la corriente es originada por los dos tipos de portadores citados. 3.2.1. Caracteristicas Un transistor bipolar es un dispositivo con tres terminales de conexidn, unidos a tres bloques semiconductores extrinsecos, tal como se muestra en la Figura 3.2. ; Pde | ° ; Pls] ° ; Transistor NPN Transistor PNP 2 3 2 3 7 1 1 = base 2 = colector 2 = emisor emisor 3 = colector Figura 3.2. Simbolos y terminales del transistor bipolar NPN y PNP. Los nombres de sus terminales son: # Base. Terminal cuya conductividad es contraria a los otros terminales. Es la encargada de realizar el gobierno de la corriente que atraviesa los terminales principales, por lo que se construye con un espesor menor que el de éstos. + Emisor. Es el terminal fuente de la corriente principal (de conductividad igual al colector y la mas dopada de las tres). * Colector. Es el terminal encargado de recoger la corriente que, regulada por Ia base, emana del emisor. Est menos dopado que el emisor y mas que la base.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 43 Dado que los tres terminales son capas alternadas de semiconductores, existen dos tipos: NPN y PNP. Con ambos modelos se puede realizar cualquier aplicacion sin mds que recordar las distintas polarizaciones que tendremos que efectuar pero, puesto que lo mas corriente es disponer de positivo respecto de masa, el mas utilizado es el tipo NPN. Dado que existen tres zonas semiconductoras, habra des uniones N-P, una formada por la zona base-colector y la otra por la zona base-emisor. 3.2.2. Efecto transistor ‘Se conoce como efecto transistor al fenémeno fisico que permite ¢l paso de un elevado nivel de portadores a través de una union N-P polarizada inversamente, Para ello deberemos polarizar adecuadamente el transistor, como se ve en la Figura 3.3, es decir, polarizando directamente la unién base-emisor ¢ inversamente la unién base-colector. Le=htl Figura 3.3. Polarizacién de un transistor bipolar. Sentidos de las Corrientes. NOTA. Las corrientes marcadas con «-------» son en sentido electrinico, es decir, con el movimiento de e~,no de h*, que es el sentido eléctrico (estas tiltimas marcadas con raya continua). Mediante la PD (polarizacién directa) de la B-E se permite el paso de los portadores mayoritarios del emisor (¢~) al bloque central tipo P, que constituye la base, donde los e~ que Megan son minoria. Ahora bien, la PI (polarizacién inversa) de la unién C-B tiene un campo eléctrico importante que facilita el paso de los electrones que fluyen desde emisor hacia el colector,44 _PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICS, menos los e~ que se derivan hacia la base (minoritarios), de ahi la importancia de su estrechez. En la Figura 3.3 se muestra la ecuacién fundamental de un transistor bipolar, que no es mas que la suma de las corrientes de base y colector igual a la de emisor. 3.2.3. Corrientes residuales Se denominan asi las corrientes medidas cuando uno de los tres terminals esta abierto, y se representan por subindice 0. Las mas importantes son [ipo © ceo que SON, respectivamente, la corriente colector-base con el emisor abierto y la colector-emisor con la base abierta. La primera (I.) tiene un valor de wA y es debida a los portadores minoritarios; varia con la temperatura. La segunda (Ijg) es del orden de centenares de wA y es debida a los portadores mayoritarios, por tanto, no depende de la temperatura. = Pardmetros a y 6 « Alfa (a): es el cociente entre la corriente de colector y emisor, por ello nunca ser mayor que la undad. « Beta (B): es el cociente entre la corriente de colector y la de base, su valor es elevado (entre decenas y varios cientos) dependiendo del transistor. ‘Ambos son nimeros adimensionales, por lo que no se expresan en ninguna unidad. = Relaciones matemiticas fundamentales entre pardmetros y corrientes ‘A continuacién se muestran algunas relaciones matematicas entre los parametros a, 8 y las corrientes: L=ht+h La Boh + leo I= a0°T, + lao De las relaciones anteriores, que podrian Hamarse basicas, se deducen las siguientes: a “Bi I= Boh) + B+ 1 law Con las ecuaciones mostradas anteriormente se puede conocer la situacién del transistor en general, siendo deseable que ¢l alumno aprenda a manejar y comprender la informacionEL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 45 por ellas aportada. Especial importancia tiene la ultima expresién matematica, pues muestra que la corriente de colector posee una componente térmica, expresada en el factor B+ D- heso 3.2.4. Modos de funcionamiento Tres son los modos de funcionamiento posible de un transistor, dependiendo del punto de trabajo donde se encuentre, es decir, de los valores de J, y Vee que tenga en un momento determinado. Estos tres modos son: saturacién, corte y amplificacién. « Saturacién. Es el estado en el que el transistor funciona tal como si fuese un interruptor cerrado, quiere esto decir que su V.. en esta situacién (ddp entre los terminales del supuesto interruptor) es nula, o practicamente nula, y la corriente a través del colector es maxima. + Corte. Es la situacion contraria a la saturacidn, es decir, cuando el transistor no permite el paso de ninguna corriente (el supuesto interruptor est abierto), siendo ahora la V., maxima, + Amplificacién. Es la posibilidad que tiene el transistor para que siendo gobernado por una pequefia corriente de mando (/,), pueda controlar corrientes mucho mayores a lo largo de la rama colector-emisor. En esta situacién, la corriente y la tensidn en sus extremos puede ser diferente en funcién de las condiciones de trabajo de dicho compo- nente. 3.3. VERIFICACION E IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES DE UN TRANSISTOR Al igual que en el caso de los diodos, tenemos varias opciones para la identificacion de los terminales: por catdlogo y con el polimetro analégico o digital. El primer caso no presenta ningiin problema y habra ainicamente que observar la posicién de la ilustracién del catélogo referente al encapsulado para determinar el patillaje. El segundo método implica un procedimiento con el cual hay que operar metédicamente segiin la siguiente pauta: @) Identificar la polaridad de tos terminales del polimetro, es decir, la polaridad de la pila interna del Shmetro. Seleccionar el multiplicador 2-10 y aplicar las puntas a los electrodos del transistor, teniendo presentes las premisas que se citan a continuacién. 4) Averiguar cual es el electrodo de la base, dado que es el tinico terminal al que aplicdndole una determinada polaridad poseeré baja resistencia con los otros dos clectrodos, Ahora bien, si el electrodo identificado como base se ha conectado a positivo, el transistor seré NPN, mientras que si se conect6 a negativo el transistor seré PNP. Con polaridad contraria a la descrita no habra deflexion de la aguja del Ghmetro (elevada resistencia). ©) Una vez averiguado el terminal de base, hay que observar la resistencia que presenta el polimetro al conectarlo en cada uno de los dos terminales restantes (cambiar el selector46 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS a Q- 1). El que mayor valor Shmico presente sera el emisor, el colector, por elimina- cidn, sera el electrodo que queda. En la grifica de la Figura 3.4 se resume lo enunciado. Figura 3.4. Valores de resistencia (con indicaci6n de polaridades) en la verificacién de un transistor bipolar. Para la verificacion del funcionamiento del transistor se puede plantear el montaje de la Figura 3.5 y trasladar los datos a la Tabla 3.1, representando posteriormente la grifica de salida de forma similar a la Figura 3.6. Se seguiré el siguiente procedimiento: a) Fijar un valor de corriente de base de los que se encuentran en la Tabla 3.1 mediante la manipulacin del potenciémetro de 47 K con Vi. nula. 5) Partiendo de una V,, nula ir progresivamente aumentandola, anotando los valores de I, que se obtienen para los de V.. indicados en la Tabla 3.1. ©) Alllegar al maximo valor de V,., desconectar la fuente y repetir los puntos a) y 5). En la Figura 3.6 se muestra cual es el comportamiento de un transistor bipolar NPN, al realizar con una corriente de base constante un progresivo aumento de la tension colector- emisor (Veo). Se puede apreciar que para corrientes bajas de base J,,, la corriente de colector es muy Pequefia pues estamos cerca de la zona de corte. La corriente /. no aumenta practicamenteEL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 47 BC/BDxxx Figura 3.5. Montaje para verificaci6n de un transistor. Tabla 3.1. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 8 jor¥| ev [ov [ey icy48 — PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Amplificacion Figura 3.6. Gréfica simp! la de salida de un NPN. aunque crezca la V.., salvo que Ve llegue hasta el valor maximo de potencia soportado por el transistor, quedando éste destruido por tal razén (linea ascendente pricticamente vertical). Si aumentamos la corriente de base a otro valor Iya, Iya etc. la caracteristica es distinta, ya que aumenta mds répidamente la J,, hasta llegar al codo de saturacion propio de esa corriente a partir del cual la curva caracteristica se mantiene casi constante y paralela al eje de tensin Vz, por mucho que aumente dicha corriente. Si sobrepasamos la maxima potencia que puede disipar el transistor, éste quedard destruido del mismo modo que en el caso precedente, pero ahora para un valor menor de V» puesto que el término maxima potencia implica también a la [,, que en este caso es mayor que en el anterior. 3.4. LAS DISTINTAS POLARIZACIONES DE LOS TRANSISTORES: SUS CIRCUITOS Por motives de ahorro y comodidad, en los circuitos pricticos se suprimen las pilas de polarizacién de los transistores por redes resistivas que apliquen los potenciales adecuados a cada necesidad, partiendo de una sola fuente de alimentacién. Al establecer la polarizacién se determina el punto de trabajo 0 punto de reposo (se representa por subindice q), que ¢s el punto de la interseccién de los valores Vieg — Joy (que posee el transistor cuando esta alimentado por la fuente V,, de corriente continua (véase Fig. 3.7).EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 49 Maxima posible Punto Figura 3.7. Punto dé reposo. 3.4.1. Circuito de un transistor con polarizacién fija Veamos algunos de los métodos de polarizacion bajo el criterio comentado, empezando por el més simple, que se muestra en la Figura 3.8. Polarizacién fija NOTA. Corrientes sentido eléctrico, Figura 3.8. Circuito de polarizaci6n fija.50 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, Este método de polarizacién es, con diferencia, el peor de los posibles, dado que los cambios de temperatura afectan al punto de trabajo deseado. Asimismo, también alteran el reposo del transistor las variaciones de R,, que es de un elevado valor éhmico, asi como las posibles sustituciones del transistor por averia ya que el nuevo dificilmente poser el mismo valor de B que el sustituido. Si analizamos este método vemos que la corriente de base es producida por V,, a través de R,, Por otra parte, la /, no se ve afectada por la V,,, por lo que un cambio de 8 provocaria un desplazamiento del punto de trabajo. 3.4.2. Circuito de polarizacién y realimentacién por resistencia de emisor EI montaje que se muestra en Ia Figura 3.9 es una mejora del de la Figura 3.8, ya que introduce un concepto muy importante en electrénica, como ¢s el de realimentacion. Realimentacion o retroalimentacion es el sistema por el cual se crea un chequeo constante de la salida de un circuito, en busca de diferencias respecto del valor que se le ha prefijado, de forma automatica y continua.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 51 Las formulas principales de disefio son las que a continuacién se muestran: Vee = 1,° R, _ Wa -%) R, Vee + Vne 1 El circuito asi montado dispone de mejoras notables respecto al anterior: 4) El valor de R, seré menor, dado que la ddp que absorve es también menor, ya que el potencial de base es mayor (Vs. + Vx,)- 4) Lacstabilidad es mayor: si aumenta la temperatura la J.,, aumentard, y también la [, Como J, ~ J, la Vz, aumentard, haciendo disminuir la polarizacién del transistor y aproximando los valores de V, y V, con lo que J, es de menor valor y asi compensa- mos el incremento inicial de I. Por todo lo anterior, también es ms estable frente a los cambios en los valores de B. 3.4.3. Circuito de polarizacién y realimentacién por resistencia de colector En el montaje, que se muestra en la Figura 3.10, se vuelve a realizar una realimentacién, en este caso de distinta forma, pero consiguiendo el mismo resultado final. Figura 3.10. Circuito de polarizaci6n y realimentacién por resistencia de colector.52 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Esta realimentacién funciona de la forma siguiente en lo referente a la temperatura: al aumentar ésta, la Jj, aumenta por lo que la edt en R, también lo hace (disminuyendo el potencial en el terminal de colector), lo que origina una disminucién de la polarizacion base-emisor (disminuyendo la J,) que compensa el inicial aumento de J. ‘A nivel comparativo, diremos que el resultado es mis satisfactorio que en la realimenta- cién por emisor. La principal formula para el disefio es: Ro) = Vee) R, Con este método apreciamos que el transistor no puede llegar a saturar; si disminuimos el valor de Ry, V,, tendria un valor, como minimo, de 0,7 V lo que lo haria igual a V,,.. 3.4.4. Circuito de polarizacién de un transistor por divisor de tensién Este montaje, llamado universal o autopolarizado, que se muestra en la Figura 3.11, es el mas utilizado en la practica. Recibe su nombre por la red resistiva que fija el valor de tensién en la base (compuesta por dos resistencias en serie) actuando como divisor de tensién. Figura 3.11. Circuito de polarizacién por divisor de tensién (autopolarizado).EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 53. Las principales formulas de disefio son: T=10-h In = 9 ly R= R= NOTA. Siempre que haya cuatro resistencias en el circuito de polarizacién (como sucede en la Fig. 3.11) Ry, se aumenta 9 veces y Ry, 10, de ahi que estos nimeros aparezcan en las formulas, En este apartado pasaremos a realizar algunos montajes sobre las polarizaciones vistas anteriormente. A. Montaje de un transistor con polarizacién y realimentacién por resistencia de emisor Teniendo como base el circuito de la Figura 3.9 (Apartado 3.4.2), vamos a calcular los valores que deberian tener los componentes necesarios, para un supuesto dado, comprobando poste- riormente su comportamiento en el circuito montado. Disponemos de un transistor de: Se quiere que trabaje en: B = 125 Ig = 25 mA Vgg = 50 V Veeg = 10 V P, = 500 mW Ve, = 2V 4) Calcular las resistencias necesarias para su correcta polarizacién. Despreciando las corrientes residuales, el valor de J, se nos queda: = Bd, dado el valor de f, que es muy grande (J, « 1,), podemos asegurar sin mucho error que I, = I, Por tanto, la R, sera (aplicando la Ley de Ohm): R= Vall, = 2V2S mA = 800 cuyo valor normalizado es de 82 . La tensién en la base seré la suma de la Vp, y la Vée, por tanto: Vy = Vee + Vr, = 07 +2=27V54 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Esta sera la ddp que deberd absorber la R,. También se puede calcular el valor de corriente que circula: puesto que conocemos f y la J,, tendremos un valor de /,: 4, 1JjB = 25 mA/125 = 0,2 mA Asi el valor de Ry: Ry = (Ve. — Vil/ly = (20 — 2,7) V/0,2 mA = 86,500 0 Que normalizado es de 82 kQ. Quedaré, para finalizar, el valor de R,, que se obtendra tras averiguar el valor de cdf, que debe provocar: Va, = Vo — Ve Para poder aplicar la anterior expresion necesitamos saber V,, que es la suma de las tensiones de la resistencia de emisor y la Vagg que se desea que tenga el transistor. Vi = Va, + Vig =2+10=12V Por tanto: Va. = 1. V, = -12=8V y el valor de la R,, aplicando Ohm: R. = Vedi. = 8 V/25 mA = 3202 Normalizada da un valor de 470 Q. Por tanto, los valores reales normalizados de las resistencias calculadas seran: R, = 822 R, = 82kQ R, = 3300 Montar el circuito y completar la Tabla 3.2 a partir de las medidas de tensién y corriente que se tomen en el mismo. Tabla 3.2. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 9A.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 55, B. Montaje de un transistor con polarizacién por divisor de tensién El circuito a montar es el de la Figura 3.11 (Apartado 3.44), con los valores de resistencias que se obtengan del célculo que explicamos a continuacién. Las necesidades seran las del anterior montaje para realimentacién por emisor, también se utilizar el mismo transistor; de esta forma se podran comparar resultados. El cileulo se puede empezar por R,, dado que se conoce lo necesario para su determina- cién: R. = Val, = 802 Normalizada a un valor de 82 © (recordar que J, = I). El valor de R, sera evidente, ya que la malla del anterior ejercicio es la misma y el resultado también, es decir, 330 Lo que si cambia es el valor de las resistencias de base. Como conocemos el valor de 1, = 1/B, despreciando las corrientes residuales, nos da un valor de 0,2 mA. La corriente Fes el factor que debemos calcular para poder realizar el resto del diseiio: T=1,:10=2mA Dado que la tensién de base (V4) es Ia suma de la Yi. y la Ve, tendremos: Vy = Ve + Va, = 07 +2 = 2,7V Por ello la cdt provocada en la Ry debera ser: Vay. = Ve — Vy = 20-27 = 173V La resistencia Ry,, aplicando la ley de Ohm, es: Ru = Vay/I = 17,3 V/2 mA = 8650.0 normalizado a 8k2, Queda finalmente el valor de Ry2, que no es més que el cociente de su ddp y la corriente que la atraviesa. Re = VI — 1) = 2,7 V/8 mA = 15009 » Resumen de valores de las resistencias: R. = 33002 R, = 829 Ry = 8k2.9 Ry = 1k5S 056 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, Anotar en la Tabla 3.3 los valores practicos y tedricos tras realizar el montaje del circuito y efectuar las medidas necesarias: Tabla 3.3, Resolucién del ANALISIS PRACTICO 9B 3.5. AMPLIFICACION CON TRANSISTORES: CONFIGURACIONES BASICAS Definiremos amplificador como el dispositivo que dispone de la facultad de modificar am- pliando en su salida (véase Fig. 3.12) alguna(s) de las caracteristicas eléctricas (tales como tensién, corriente, impedancia, etc.) presentes en su entrada. Los amplificadores son circuitos formados por elementos activos (valvulas, transistores, etc.) que actitan en asociacién con elementos pasivos que les determinan las polarizaciones Figura 3.12. Fotografia de la visualizacién de una amplificacién. — Seiial superior de salida : 100 mV/div. — Sefial inferior de entrada: 10 mV/div.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 57 y los margenes de trabajo (frecuencia, ancho de banda, pendientes de crecimiento, impedan- cias, etc.). En esencia, son circuitos dotados de dos terminales de entrada y dos de salida, por lo cual se les llama con frecuencia euadripolos. En la Figura 3.13, se muestra el esquema general de un amplificador. Figura 3.13, Estructura de un cuadripolo amplificador bésico. Las relaciones mas importantes que podemos obtener son las ganancias entre los distintos factores 0 parametros eléctricos, definiéndose las siguientes: = V,/¥, (Adimensional). 1,/I, (Adimensional), — Ganancia de potencia: 4, = A, - A, (Adimensional). Existen otras que no siendo ganancias son muy importantes a la hora de conocer las caracteristicas de un amplificador, tales como: — Resistencia de entrada: Z(R,) = V,/T, (Q). — Resistencia de salida: Z(R,) — V;/J, (Q). — Ancho de banda o zona atil de frecuencias, donde la ganancia de tensién no desciende del 70 por 100. Dado que hay tres terminales en un transistor, tres son también los montajes basicos Posibles con un mismo transistor, a saber: emisor comin, colector comin y base comén, Cada uno de los anteriores impone unas caracteristicas distintas a las demas conexiones, Por lo que sera necesario conocer a grandes rasgos cudles son esas particularidades. 3.5.1. Amplificador en emisor comin En la Figura 3.14 se muestra el esquema de una conexi6n en emisor comin. Como se observa, el terminal comin a entrada y salida es el emisor, de ahi su nombre. Para descubrir en un58 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS ice Figura 3.14. Amplificador en emisor comin. circuito complejo con transistor cual es la configuracién, es deseable no fijarse en el terminal comin y si observar cuales son los terminales de entrada y salida; el que falta de ellos es el nombre de la configuracion. En este montaje la entrada ¢s la base y la salida es el colector, por ello es una configura- cién en emisor comin. Sus caracteristicas son las siguientes: — La ganancia de tensi6n es alta; va en funcién de la resistencia de carga (al aumentar ésta aumenta también la ganancia). — La ganancia de corriente es alta; decrecer4 cuando la resistencia de carga aumente —La ganancia de potencia es elevada, al serlo también las ganancias de tension y corriente. La ganancia de potencia es maxima cuando la resistencia de carga es igual a la de la salida del transistor. — La impedancia de entrada suele ser baja (~1 kQ), La resistencia de entrada disminuye al aumentar la carga. — La impedancia de salida, Su valor medio es de ~40 kQ. 3.5.2. Amplificador en base comin Al igual que en el anterior, lo que determina el nombre es el terminal comin a las mallas de entrada y salida. En la Figura 3.15 se muestra un esquema de una conexién en base comin, El terminal de entrada es el emisor y el de salida el colector, por ello es un montaje en base comiin. Sus caracteristicas son: — La ganancia de tensi6n, al igual que en el amplificador en emisor comin, es elevada. Cuando se aumenta la resistencia de carga aumenta también la ganancia de tensiOn. — La ganancia de corriente es inferior a la unidad. La corriente de salida es igual 0 inferior a la de entrada; decrece cuando aumenta la resistencia de carga. — La ganancia de potencia es bastante menor que la del emisor comin, debido a que la ganancia de corriente es muy pequefia.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 59 Figura 3.15. Amplificador en base comin. — La impedancia de entrada tiene un valor bajo (~ 1 kO). Crece cuando la carga aumenta. — La impedancia de salida tiene un valor alto (~800 kQ), 3.5.3. Amplificador en colector comin En esta configuracion el terminal comin a ambas mallas es el colector, la sefial de entrada es la base y la de salida el emisor, tal como se muestra en la Figura 3.16. Las caracteristicas del amplificador son las siguientes: — La ganancia de tensién: su valor es bajo, aproximadamente la tension umbral, — La ganancia de corriente es muy elevada. — La ganancia de potencia es baja, debido a que la ganancia de tensién no supera la unidad. — La impedancia de entrada es muy elevada (~300 k®), La resistencia de entrada crece cuando aumenta la carga. — La impedancia de salida es baja (~2 k9), ce Figura 3.16. Amplificador en colector comin.‘60 —_PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS A continuacién, en la Tabla 3.4, se resumen las caracteristicas mas importantes de los tres amplificadores. Tabla 3.4. Caracteristicas de los tres tipos de amplificadores Ganancia de corriente Muy baja < @ Alta < B Alta < B Ganancia de tension Alta Alta Muy baja <1 Ganancia de potencia Alta Muy alta Media ‘Ancho de banda Grande Pequefio Mediano Impedancia entrada Muy baja +100 0 Media = 1k Muy alta 200-400 ka Impedancia salida Muy alta 500-1000 kQ | Media ~30-50 kO Baja 100-200 2 Estabilidad térmica Buena Muy mala Media Desfase No 180° No Aplicaciones —Adaptador baja-alta | —Osciladores —Adaptador alta-baja impedancia — Amplificador de baja impedancia —Amplificador radio- | frecuencia frecuencia —Uso de inversor a A continuacién se pasardn a realizar dos practicas del transistor como amplificador, la primera de un amplificador en EC (emisor comin) y la segunda sobre la determinacién experimental de los valores de Z; y Z, del mismo amplificador. A. Montaje de un amplificador EC monoetapa En el circuito de la Figura 3.17 se muestra un EC autopolarizado con condensadores de acoplo (C,, C,) y desacoplo (C,). Los condensadores de acoplo fijan las frecuencias a las que el amplificador sera iitil, es decir, el ancho de banda. El condensador de desacoplo fija en buena medida la ganancia de tension.EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 61 BC107b Figura 3.17. Amplificador para baja frecuencia en emisor comin. Si queremos disminuir la influencia de estos condensadores, deberemos calcularlos hacien- do uso de la regla de la décima, esto es, reduciendo la reactancia capacitiva (X,) a la décima parte del valor de las resistencias que afectan. Los valores de los componentes a utilizar en el montaje son: Ry = Ryo = 5k6 2 R= 220 R, = 200 Potenciémetro = 100 k@ C, = 22 nF25 V C, = 47 uF/25.V C, = 33 uF/25 V Ve = 20V El amplificador funcionara en el centro de la recta de carga. Se seguir el procedimiento desglosado a continuacion: 4) Teniendo abiertos los dos interruptores, variar P hasta obtener una V..,=10 V (1/2 V.) 5) Fijar un valor del generador de 40 mV de pico a pico a una frecuencia de 1 kHz62 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS ©) Conectar el interruptor S', de paso a la sefial que se desea amplificar (desconectado es una simple polarizaci6n). d) Conectar el osciloscopio a la R, y observar la forma de onda en la pantalla, con y sin Sy conectado. Dibujarlas en una hoja de oscilogramas. €) Calcular la A, del montaje como el cociente de la V, y la V, de generador. Observar el desfase de las sefiales salida-entrada. f) Modificar la frecuencia para valores superiores e inferiores y observar las modifica- ciones en la ganancia. B. Determinacién experimental de la Z, y Z. En las Figuras 3.18 y 3.19 se muestran las disposiciones de medicién de estas caracteristicas. Figura 3.18. Medida de la Z, = Medida de Z, El proceso de medida es muy sencillo y consiste en la utilizacién del osciloscopio u otro instrumento de medida de alta impedancia de entrada (que mida la V, del GBF y la V, de entrada real al amplificador) después del potenciémetro. Procederemos de la siguiente manera: a) Medir la tension del generador directamente mediante osciloscopio (el generador no esta conectado al circuito).EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 63. Figura 3.19. Medida de la Z,. 6) Conectar circuito segin muestra la Figura 3.18. ©) Medir ¥, con osciloscopio hasta alcanzar la mitad de la tension medida en el punto a. 4) Desconectar el potenciémetro y medir el valor ahmico de éste. e) La Z; del amplificador se calcula sumando la resistencia del potenciémetro mas la resistencia interna del generador: RG ~ 600 2 = Medida de Z, El calculo de la Z, del montaje de la Figura 3.16 se reduce al siguiente procedimiento: a) Medir la tensién de salida del circuito, en las condiciones de la Figura 3.17, a circuito abierto (sin carga alguna). 6) Realizar la conexién de la Figura 3.19. ©) Ajustar el potenciémetro hasta medir una tensién mitad de la medida en el punto a. 4) Desconectar el potenciémetro y medir el valor 6hmico de éste (que coincide con el de la Z,) NOTA. £I valor que se deberé medir es aproximadamente el de R., es decir, sobre 2k2.APENDICE A. CARACTERISTICAS TECNICAS DE TRANSISTORES (I) (Cortesia de MOTOROLA) Metal-Can Transistors Metalcan packages are intended for use in indus applications where harsh environmental conditions are encountered. These packages enhance reliability of the end way, 3 products due to their resistance to varying humidity and a" extreme temperature ranges. CASE 22-03 CASE 79-04 TO-OeAA TO206A0 7o-1) 7098) smut Suet Metal-Can General-Purpose Transistors ‘These transistors are designed for DC to VHF amplifier applications, general-purpose switching applications, and complementary ‘circuitry. Devices are listed in decreasing order of V(@R)CEO within each package group. ic ma Max ‘2N720A = 0 180 120 150 2N3700 80 19 1000 — 500 C107 150 10 200 “ 20 BC107A 150 10 200 220 20 C1078 150 10 200 450 20 BCYSSK 125 10 200 480 20 ecyse-vi 125 10 200 310 20 222224 . 2 800 300 150 23047 300 300 10 BCvse-vin 200 310 BC100C 100 800 ‘Case 22-03 — TO-206AA (TO-18) — PNP. 2N2006A oo 200 0 600 0 120 150 ‘2N2007A cy 200 50 00 100 300 180 ‘2NS251A cy 300 10 200 100 300 10 801778 6 200 10 200 180 60 20 BOYToIX 8 180 10 200 250 460 20 BOY79-Vil 4s 180 10 200 180 310 20hom gpaeET STAT [HS] " CASE 22-03sme omes i eMrren Pease 2 SOULcTOR 2 GouLecron era caserror 3. wren YF cous Plastic TO-225 Type (Formerly TO-126 Type) aie Sci oe eves Te Saale * Amps org 1O| »s Ic | Mee ‘me | aw | nom wr __|unbiae [Amp | ase | shee | Ame | tw so naan zone [oe co os | 0 waeser wo [005 3 0 [meee aon [008 5 250 ‘2N565S: yoso | 01 | 350m | 024up Of 10 20 borsr soaeo | oo 2 aa | aorse coxe0 ]o0s 2 ees) — fasessoos | Soowe | os ae eee zen [cr | asnp | ozo | ox | w | aaa ass soo for | sane | ome | ov |) a ore soawo | oc 3 [a Jawest [aura —[voroo_ [os [oom | oe [os | sm [amar waroo_[ 2 | ven [| vay | 03 | 3 | w auoaa ioe [os | oem | eam [os [a [= Te} 6 Janis ——Jaoree Tren fos = | sors [anise | como [ors A [aor ——Jaoise [somo ve [= feos ——Jeorre [ssn ] 08 == sore = |aorm | caso [ors ts sono _| tare [ors es sant sa [+[ = | [aps | cao | ms 07 sa [+p |e f+ ps [3 Tw fonss ——_[aoase [ann [ af wo [oon zn fo as roo | ears [ near AT an [aa os 7 [0 [weit [mir [wom [or [oom [ore [or | = | es 3 |eorm ——Jaorm | wonse [evs 3] = tucees —_|werrae | sons |r | oem | ove | ov | om | 8 maura worm [os = [= Taare ri =o Biotengen (©vavatabe as prefeneschp (1)Ga8e77 (Se 3) Devices listed in bale, tale are Motorola prtorred dovieos.APENDICE! 67 B. CARACTERISTICAS TECNICAS DE TRANSISTORES (II) (Cortesia de MOTOROLA) Plastic-Encapsulated Transistors Motorola's small-signal 0-226 plastic transistors encompass hundreds of devices with a wide variety of Characterstics for general-purpose, ampitier and switching, applications. The popular high-volume package combines. Proven reliability, performance, economy and convenience to. 'brovide the perfect solution for industrial and consumer design Problems. All devices are laser marked for ease of ‘dentiication and shipped in antistatic containers, as part of Motorola's ongoing practice of maintaining the highest standards of quality and reliability Plastic-Encapsulated General-Purpose Trans: ‘These general-purpose transistors are designed for small-signal Useful as oscilators and general-purpose switches. Complimentar istors {amplification from de to low radio frequencies. They are also ry devices shown where available (Tables 14), Wemoro tre! c fre @ ie NF mz mA 8 NN PNP. in min | ma] mex | win | mex | ma | max | sryie (Case 29-04 — TO-226AA (T0-82) ‘meseose [ursesos | 00 150 10 200 | 100 | 300 19 = 7 ‘mesags | MPSAS6 % 100 10 500 | 100 = 100 = 1 znaaio | — 2 « 10 20 | 6 400 10 = 1 Bess | acss6 6 150 10 wo | 120 | 450 20 10 v7 facsssa | Bcss6q 6 180 10 too | 120 | 20 | 20 10 7 ‘acs | acssea 6 150 10 soo | 1 | 450 | 20 10 7 MPSAOS | MPSASS cy 100 10 500 ca — 100 = 1 psz007a | 60 200 50 00 | 100 | 300 150 = 1 sores | Bo2i2 50 200 10 roo | 120 | 460 | 20 10 “ Bces7e | Bc3078 “6 150 10 100 | 200 | 460 20 10 7 2css7 | pcae7 4 | art) | 10 800 | 100 | 600 | 100 = 7 ecs47 | Bcss7 6 150 10 100 | 120 | 450 20 10 7 BC547A | BOSSTA 6 150 10 100 | 120 | 220 20 10 7 ‘ecsa7a | Bcss7B 5 150 10 soo | 10 | 450 20 10 v7 csarc | acss7c 45 150 10 too | 30 | 800 20 10 7 Mpsazo | MPSA70 40 ws | 50 100 40 | 400 50 - 1 MPS22224 40 300 20 00 | 10 | 300 | 150 = 1 }2nesot | 2Nesos 40 200 20 00 | 100 | 900 | 180 = 1 ‘aneaco | anaaoe 40 150 20 600 50 190 | 150 = 1 upsecoz |upsees2 | 40 100 5 | 10 | 50 = 500 = 1 nooo | 2N3005 40 200 40 200 50 1 10 60 1 ‘2vsoos | 203006 py 250 10 200 | 100 | 300 10 50 1 acs48 3 | so | 0 100 | 120 | 200 20 10 BC54eA a | 300 | 0 soo | 120 | 220 20 10 7 scse8 | ecssee 90 | B00) | to so | 180 | 450 20 10 v7 ‘BCS4aC 30 ‘300 10 roo | 30 | e00 | 20 10 7 2nares | nates 30 200 10 200 50 10 | 20 60 1 faneizs | anai26 25 250 10 200 | 10 | 60 20 50 1 ecase___| Bcs28 2 | ao | 10 eo | 10 | 600 100 z 7 Types Devices listed in bod talc are Motorola preferred devices,68 —_ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, 1} osm Foweng OT] CASE 2003 ‘SECTION Xx Hoy fl dtd Mena Lona Hews Gal ek CASE 29.04APENDICE! 69 C. CARACTERISTICAS TECNICAS DE DIODOS (Cortesia de MOTOROLA) General-Purpose Rectifiers Motorola offers a wide variety of low-cost devices, pack- All devices are connected cathode-to-case of cathode-to- ‘aged to meet diverse mounting requitements. Avalanche heatsink, where applicable. Reverse polarity may be available ccapabilty is available in the axial lead 1.5, 3.0 and 6.0 amp —_on some devices upon special request. Contact your Motorola packages, shown below, to provideprotection rom transients. representative for more information. General-Purpose Rectifiers. Tg: AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT (AmpareoT) > . 2 | * 7 39.09 wor reras | 1eeoe Basaae 320-00 (00s) | Metal Paste | Plastc (0020204) Pastel®) paste. | Site | catoge- | Sy ta sive! camece = Potty Bana Sie Poly, Bang y Vasu (Volts) o Tweoor@) | ana7ie | —inewco | wavso | iva] wraooa | wna INiORAB 100 Twaoeae) | —anarz0 | neon | waver | wine | wzoor | nano 1Niz00 48 300 nase) | inure; | neice [wavs | —wnriae | wraooa | near wNiz00a.8 400 ‘rnaoos(3) 1Na722, INS404 MATS4 MRII28 ‘MR2004 MA2408 INI206A.8 wo nanos | —anarzs | wsaoe [wares | _wRri28 | —whaooe | maaan i206 48 wo wnaoe) | —aha7Be wave | wRri28 | — wzo0e cr) or warea | —_waiiao | wRaor@ 2 300 70 wo soa wo 700 % ra Tai @ 1560 rr 1 175 75 1 15 70 75 ve (ip sta dove ote (S)Pacage Size 6 20" max damaet by 0260" max engin (4)Meats mounting canigvatns of TO-220 cus (ESM for M120 sens, INTI90 = 100, A= 240, B= 250, Devices listed in bold, talc are Motorola proerred devices,70 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, D. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UN OSCILOSCOPIO DATOS TECNICOS Modos de funcionamiento — Canal |, canal Il, canal | y I. Amplificador vertical (Y) — Margen de frecuencia de ambos canales: 0-20 MHz (~3 dB), 0-28 MHz (-6dB). — Tiempo de subida: 17,5 ns. — Impedancia de entrada: 1 m0/25 pF. — 12 posiciones calibradas de 5 mV/cm a 20 V/em (secuencia 1-2-5) con ajuste fino sin calibracién hasta 2 mV/cm. Amplificador horizontal (X) — Margen de frecuencia 0-2 MHz (-3 dB), entrada por canal II. Para mas datos técnicos ver amplificador vertical. Base de tiempos — 21 posiciones calibradas de 0,5 us/cm a 2 s/em (secuencia 1-2-5) con ajuste fino hasta 200 ns/om, con expansor de x5 hasta 40 ns/cm, exactitud de las posiciones calibradas +3%. — Barrido retardable, 7 posiciones de 100 ns a1 s con regulador fino 10:1, indicacién por diodo LED. Varios — Pantalla rectangular de 8 x 10 cm, tensién de aceleracién 2 kV, consumo aproximado 38 W, frecuencia de trabajo 50-60 Hz.APENDICEI 71 VISTA DE FRENTE DUAL TRACE OSCILLOSCOPE HM412-5_) : a i, Ce ~ © 0:1072 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS E. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UN GBF Margen de frecuencias — Desde 0,001 Hz hasta 100 kHz en 7 rangos. Formas de onda — Senoidal, triangular, cuadrada. Tensién de salida — >20 V,_, con circuito abierto. Atenuador — En pasos de 0 dB, 20 dB, 40 dB. Distorsi6n — <0,6% de 20 kHz a 30 kHz. — <1,5% de 30 kHz a 100 kHz. Impedancia — 600 2. F. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UNA FUENTE DE ALIMENTACION Tensién de salida — Regulable y estabilizada de 0-30 V. = Corriente de salida — Regulable 0-2 A. Tensién de rizado — <0,01% en toda la gama de tensiones. — Salida de tensiones simétricas +15 V para amplificadores operacionales. — Salida de +5 V para aplicaciones digitales. Varios — Ajuste fino/grueso de tensién. — Programable en corriente méxima. — Cortocircuitable por proteccién interna. — Proteccién por fusible. — Visualizacién por display de LED de corriente y tension.APENDICE! 73 G. HOJA PARA OSCILOGRAMAS At. canal A: Sefal de: At. canal B: Seal de: Base de tiempos: At. canal A: At. canal A: Sohal de: Seffal de: At. canal B: At. canal B: Sonal de: Sefal de: Base de tiempos: Base de tiempos:Sexta unidad SISTEMAS DIGITALESIntroduccién Bajo este epigrafe se encuentra una auténtica filosofia de tratamiento de la informacién y de control de variables, necesarias para la actual vida doméstica e industrial. En definitiva, podria hablarse de un auténtico mundo digital. La Electrénica, esa tecnologia que hoy nos controla y facilita la vida diaria, se puede idir en dos grandes ramas o formas de resolver las necesidades: « Electronica analégica (EA). « Electronica digital (ED). La primera, ya vista en los temas anteriores, es la veterana en la resolucién de los problemas y no ha sido superada en muchos aspectos, dada la forma de presentacion de las variables en la naturaleza: presion, luz, calor, velocidad, etc. Pero, por su misma forma de trabajo y por las variaciones en el tiempo de la magnitud a gobernar, la Electrénica Analégica es imprecisa, imprecision que se puede reducir con costosos equipos y procesos de ajuste largos y continuos. La Electrénica Digital, por su parte, es la forma de evolucién de la Electrénica, siendo la escogida, por sus mejores resultados, cuando se da la posibilidad de optar por una de ellas. Se dice que el auge de la Electronica digital es debido a la similitud con nuestras mentes en la forma de resolver problemas y tomar decisiones, mas atin si cabe con la incorporacién de nuevas técnicas digitales que acercan mds la solucién de problemas a nuestro planteamiento mental. Una de ellas es la tecnologia FUZZY, donde se admiten datos tales como persona atractiva, bastante azul, etc., terminos desconocidos hasta el momento en la légica corriente. FUZZY no es un estudio tedrico, hoy es una realidad: ya existen productos en el mercado de las videocdmaras con sistemas ultrarrapidos de ajuste FUZZY. Los sistemas digitales, en su evolucién primera, se desarrollan mediante la denominada logica cableada, aquella en la que, como su nombre indica, es necesario un cableado para su puesta en marcha, puesto que la funcién se cablea. Aparece después, gracias a la integracién de los semiconductores, la posibilidad de la logica programada, aquella que con un pequefio niimero de circuitos integrados (Cl) permite generar funciones logicas y, ademas, modificarlas sin necesidad de cablear nuevamente; estamos frente a los microprocesadores, controles légicos programables y microcontroladores. No se podria cerrar esta introduccién sin nombrar las aplicaciones de la ED, y no se podria hacer porque en la actualidad practicamente todo aquello que usamos esta impregna- do de ED: TV, videocasetes, audio, ordenadores, hornos microondas, relojes, juguetes, auto- méviles, etc., por lo que dejaremos al tiempo que rellene el final de este apartado. 247Funciones y puertas logicas 12.1. FUNCIONES LOGICAS BASICAS Se define funcién logica a la variable binaria cuyo valor final depende de una expresin algebraica enlazada por operadores matemiticos. Estas funciones solo podran tener dos valores posibles 1 0 0, verdadero o falso, si o no, abierto 0 cerrado, distinguiéndose de las posibilidades que pueden tener las operaciones aritméticas convencionales. Las funciones Iégicas tienen una representacién grafica a través de las tablas de verdad, auténtica visualizacion de las posibilidades que tiene cualquier funcién légica, tal como se muestra en la Tabla 12.1. Tabla 12.1. Tabla de A g F verdad de una funcién 0 0 0 eas 0 1 0 1 0 0 1 1 Donde 4 y B, son las variables binarias, que solo pueden tomar los valores 0 0 1. Puesto que las variables son dos, las combinaciones seran 2", donde n es el nimero de variables y, Por tanto, en nuestro ejemplo: 2? = 4. El valor que toman las combinaciones de A y B para cada caso se representa por F, con las cuatro posibles opciones, igual al nimero de combina- ciones. 248FUNCIONES Y PUERTAS LOGICAS 249 12.1.1. Funcién igualdad Es la funcién mas simple de todas, y en ella el valor de Ia variable es igual al de la funcién FoaA La tabla de verdad seria la Tabla 12.2 y la representacion eléctrica de la funcién, la Fi- gura 12.1. Tabla 12.2. 4 F Tabla de verdad de la funcién 0 0 igualdad 1 1 = 1 encendida A= 0 abierto Figura 12.1. Funcién iguald: El comentario de la tabla anterior es bastante obvio, pues la funcidn y la variable toman simultaneamente el mismo valor. 12.1.2. Funcién unién La funcién unién, suma O u OR, es de importancia fundamental, siendo su expresion algebraica F=A+B En la Tabla 12.3 se muestra la tabla de verdad y en la Figura 6.2 su esquema eléctrico. La explicacién de la tabla es también muy sencilla y se resume en que la lampara (sera 1) lucia si alguna de las variables esta activa (cerrado el interruptor) y estara apagada cuando los dos interruptores estén abiertos, es decir, 0 (cero légico}; su simbolo es 9.Tabla 12.3. Tabla de A B verdad de la funcion unién 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 Figura 12.2. Funcién unién. 12.1.3. Funcién interseccion La tiltima de las funciones claves de la logica digital es la funcién producto, interseccién, AND ‘0 Y. La expresion matematica es FH=A-B La tabla de verdad se muestra en la Tabla 12.4 y el esquema eléctrico en la Figura 12.3. Tabla 12.4. Tabla de A verdad de la funci6n interseccién 0 0FUNCIONES Y PUERTAS LOGICAS 251. Figura 12.3. Funcién interseccion, Como se aprecia en la Figura 12,3, el resultado de la funcién F s6lo serd 1 si ambos interruptores estin cerrados, es decir, su valor logi 12.1.4, Funcién negacién También conocida por funcién NO o NOT, es la funcién que niega el valor légico presente en su entrada. Su representacion matematica es F=aa y su tabla de verdad la que se muestra en la Tabla 12.5. a] :«CTebla 12.5. A F Tabla de verdad de la funcién 0 1 negacién 1 oO 12.2. FUNCIONES LOGICAS DERIVADAS 12.2.1. Funcién NAND Con esta funcién comenzamos las llamadas funciones derivadas de las basicas anteriormente expuestas, siendo la NO-Y o NAND la que realiza el producto negado, teniendo como expresion matematica: F=A-B252 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Su tabla de verdad es la que se muestra en la Tabla 12.6, donde se aprecia que el valor légico es 1, justamente el caso contrario de la funcién interseccién 0 AND. Tabla 12.6. Tabla de verdad de la funcién NAND 12.2.2. Funcién NOR Al igual que la AND 0 interseccién pose una funcién inversa, también la tiene la OR 0 uunién, y se denomina NOR o NO-O. En ella la salida es 1 lbgico, contrariamente a la funcién OR, es decir, cuando la suma es cero, en el resto de las combinaciones el resultado es cero. La expresion matemitica es: F=A+B La tabla de verdad se muestra en la Tabla 12.7, donde se observa la total inversién de resultados respecto de la funcién OR. Tabla 12.7. Tabla de verdad de la funcién NOR 12.2.3. Funciones OR-EXCLUSIVA y NOR-EXCLUSIVA Esta funcién EXOR, Tabla 12.8 y su negada, la NOR-EXCLUSIVA, Tabla 12.9 (N-EXOR), son funciones especiales usadas generalmente para la determinacién de situaciones coinciden- tes 0 su contrario. En las tablas siguientes se muestran cuales son las salidas logicas frente a las combinaciones de sus entradas.FUNCIONES Y PUERTAS LOGICAS 253 Tabla 12.9. Tabla de verdad de la funcién NOR-EXCLUSIVA Como se aprecia en las tablas, la OR-EXCLUSIVA tiene salida 1 cuando los valores de sus entradas son distintos, mientras que la NOR-EXCLUSIVA lo tiene cuando son iguales. ‘Sus expresiones matematicas son: F = A @ B, para la OR-EXCLUSIVA F = A @ B, para la NOR-EXCLUSIVA 12.3. PUERTAS LOGICAS Reciben el nombre de puertas légicas los componentes electrénicos que realizan las funciones logicas vistas en los apartados anteriores. Son circuitos integrados (Cl) de pequefta escala de integracién (SSI) y de distintas tecnolo- gias de fabricacién. Permiten la resolucién de problemas légicos de indole simple 0 como complemento de circuitos complejos, en los que son generalmente circuitos adicionales, pero sin ellos no podrian funcionar estos circuitos. En la figura siguiente se muestran, a modo de informacién de apoyo y para la mejor asimilacién del concepto puerta logica, algunos modelos que posteriormente se definiran y detallaran. 1 1 q 02 2 et 13 TaLS22 Taleo ee oan Figura 12.4, Distintos tipos de puertas légicas con indicacién del Cl a que corresponden y terminales correspondientes.254 — PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Las anteriores puertas logicas son elementos que pertenecen a los circuitos integrados. En la Figura 12.5 se muestra la disposicién interna de uno de éstos. Figura 12.5. Circuito integrado 74LS22. 12.3.1. Familias légicas mas importantes Bajo el nombre de familias logicas se agrupan todos los circuitos integrados légicos que poseen idénticas caracteristicas eléctricas, aunque cada uno de los miembros de esas familias pertenezca a modelos de puertas distintos. Existen un numero de familias logicas como: TTL, CMOS, RTL, DTL, ECL, etc., que en este texto vamos a reducir a las dos que en la practica acaparan el mercado, las familias: TTL y CMOS. = Familia logica TTL La familia Ibgica transistor transitor (TTL) es, junto con sus subfamilias (LS, ALS, S, L, H), la mas utilizada en la actualidad, seguida muy de cerca por la rapida evolucién de la CMOS. La puerta légica estandar TTL es del tipo funcién NAND con las siguientes caracteristi- cas: — Vg +5 V £10%. — Temperatura de trabajo entre 0 y 70 °C. — Disipacién por puerta: 10 mW. — Margen tipico: 10 nsg. — Retraso tipico: 10 nsg. — Frecuencia maxima para flip-flop: 35 MHz. En la Figura 12.6 se muestra el esquema interno de una puerta estindar TTL NAND de dos entradas; analizaremos su comportamiento.Ry = 4k2 Ry = 1K6 Ry=1k R, = 130 7, = Trans. multiomisor +5V Figura 12.6. Puerta esténdar TTL NAND. En el circuito podemos distinguir tres etapas: + La’primera, de entrada, compuesta por R, y 7; (transistor de emisor miltiple a través del cual aplicaremos los niveles). » La segunda, de conmutacién, formada por R,, T; y Rs. Estos componentes hacen de divisor de fase. « La tercera, de salida, est formada por Ry, Ty, D y Ty. Supongamos que la puerta TTL esté, en principio, en un nivel bajo (esta presente algin cero). Cuando esto ocurre, el transistor 7, estd trabajando en saturacién mediante una corriente que circula entre R, y la unién emisor-base. La tensién es insuficiente para polari- zar adecuadamente al transistor T,, que estara en corte, lo mismo que el transistor 73. El transistor 7, estard en saturacion, debido a que recibe una corriente de base a través de R, y D. Como consecuencia, la salida tendra un nivel alto: Vy = Var — We, + Ver, ~ Vo) La afirmacién anterior sera cierta siempre y cuando apliquemos un nivel alto al transistor T,; es decir, cuando estén presentes los dos unos. En este caso, la unién emisor-base estard256 — PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS polarizada inversamente (T, no conduce), pero habré una pequefia corriente que estaré en la base de T,, poniéndolo en saturacién. 7, suministrara corriente a Ty, y éste también pasard a saturacién. La corriente para T, es insuficiente, porque lo impide el diodo D. Finalmente, en la salida obtendremos un nivel bajo. = Familia logica CMOS La familia metal 6xido semiconductor complementaria (CMOS) se realiza con transistores unipolares tipo MOSFET (véase Fig. 12.8) Esta familia y sus variantes poseen indiscutibles ventajas respecto de la TTL, tales como la posibilidad de tensiones de alimentacién variables entre 3 y 15 V, el bajo consumo que puede llegar a 0,01 mW, la alta densidad de integracién y la elevada inmunidad al ruido. En la Figura 12.7 se muestra una NOR con esta tecnologia. En ella se destaca la ausencia de resistencias fisicas, suplidas por los transistores 7, y T; de canal P conectados en serie, mientras los T, y T, de canal N conectados en paralelo actiian como conmutadores. +Voe n th v, Ate h A e Figura 12.7. Puerta NOR de tecnologia CMOS.FUNCIONES Y PUERTAS LOGICAS 257 El funcionamiento de la puerta se reduce, como en el caso anterior, a dos situaciones: a) Si existe algun 1 logico. }) Sino hay ningin 1 légico. © Enel primer caso, al existir algin 1 el transistor T; 0 el T, estaran en conduccidn, por lo que la salida ser baja, obteniéndose un cero logico. * Enel segundo caso, Ty y T, estan en corte y los transistores 7, y T; estan en saturacién, obteniéndose la salida alta. Equivalencias de funcionamiento je los MOSFET N y P Figura 12.8. Cuadro resumen de los transistores MOSFET. 12.4, TIPOS DE PUERTAS LOGICAS Los tipos coinciden con las funciones. Sus representaciones grificas mis comunes se mues- tran a continuacién. 12.4.1. Puertas AND y NAND En la Figura 12.9 se muestran los simbolos de ambas puertas. 7400 7408 Puerta NAND 2 entradas... TTL 7400 Puerta AND 2 entradas... TTL 7408 Figura 12.9. Simbolos de las puertas AND y NAND.258 PRACTICA CON SISTEMAS ELECTRONICOS 12.4.2. Puertas OR y NOR En la Figura 12.10 se muestran los simbolos de ambas puertas. JD 7432 7402 Puerta OR 2 entradas... TTL 7432 Puerta NOR 2 entradas... TTL 7402 Figura 12.10. Simbolos de las puertas OR y NOR. 12.4.3. Puerta NOT En la Figura 12.11 se muestra el simbolo de la puerta NOT. te- Puerta NOT... TTL 7404 Figura 12.11. Simbolo de la puerta NOT. 12.4.4. Puertas EXOR y N-EXOR En la Figura 12.12 se muestran los simbolos de las puertas. > = 7aLs86 7ALS266 Puerta EXOR... TTL 74LS86 Puerta N-EXOR... TTL 74LS266 Figura 12.12. Simbolo de las puertas EXOR y N-EXOR.FUNCIONES Y PUERTAS LOGICAS 259. A continuacién se plantean ejercicios con funciones, puertas logicas y tablas de verdad para resolver por el alumno. a) Resolver la funcién siguiente con el empleo de las puertas logicas que se necesiten. FHA(B+C)+4-C » Resolver con las puertas necesarias las funciones que a continuacién se indican. F=A-B+A-C+A°B-C S=A-B+4-C+A4-BC + D) ©) Obtener la funcién que se presenta en la salida J del circuito de la Figura 12.13. 4) Dada la siguiente ecuacién, representar los valores que toma la salida para cada una de las combinaciones con ayuda de la Tabla 12.10 correspondiente: G=(4+8)-C e) Realizar con puertas NOR y NAND de dos entradas una puerta OR de dos entradas. Figura 12.13. Grafico del apartado c del ANALISIS PRACTICO 35.Tabla 12.10. Resolucién del apartado d del ANALISIS PRACTICO 35Algebra de Boole y reduccién grafica por Karnaugh 13.1. ALGEBRA DE BOOLE El Algebra de Boole es un estudio desarrollado en ¢l siglo xix, mucho antes que la Electronica apareciese, pero que ha servido, aprovechando los dos tinicos estados logicos del algebra de Boole, para aplicarla a la Electronica Digital Esté compuesta por postulados y teoremas. Postulados que no precisan demostracién y teoremas que si la precisan y se basan en dichos postulados. 13.1.1. Los diecisiete postulados de Boole A continuacién comenzaremos a enunciar los postulados de Boole, asi como a exponer sus caracteristicas y representacién grafica. = Postulado 1.° Es la funcién unién suma u OR, vista y representada graficamente en el Tema 12, Aparta- do 12. = Postulado 2.° Es la funcidn interseccién producto o AND, vista y representada grificamente en el Tema 12, Apartado 12.1.3 = Postulado 3." La asociaci6n en paralelo de un contacto A con otro siempre cerrado equivale a otro también siempre cerrado, véase Figura 13.1. 261262 — PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS A + ~~ o ev) oo ~ Salida «1 a Salida «1» is Cerrado Figura 13.1. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 3.° de Boole. La expresion algebraica de este postulado es la que a continuacién se indica: A+1=1 = Salida = Postulado 4.” La asociacién de un contacto 4, en paralelo con uno siempre abierto, es igual a 4. La expresién algebraica del postulado sera: Salida = A=4A+0 En la Figura 13.2 se muestra la equivalencia eléctrica del Postulado 4.° de Boole. En la figura puede apreciarse que la salida s6lo dependera del valor Iégico que tome la variable C. \- A ‘Salida wAy o 7432 Figura 13.2. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 4.° de Boole. = Postulado 5.” Un contacto A en serie con otro siempre cerrado es igual al contacto A. En la Figura 13.3 se muestra el esquema de equivalencia del postulado. La expresién matematica es la siguiente: Salida = A-1=AALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 263. Como se aprecia en la figura, el resultado de la funcidn es inicamente el valor que adopte la variable A, en cada momento. Vv 7408 Figura 13.3. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 5.° de Boole. = Postulado 6." Un contacto en serie siempre abierto, con una variable A, es igual siempre a 0 lgico. En la Figura 13.4 se muestra el esquema equivalente. La funcién matematica es la siguiente: Salida = 4-0=0 En la figura se aprecia que el resultado de la salida es 0, sea cual sea el valor que tome la variable A. + ° 9 Po 7408 Figura 13.4. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 6.° de Boole. = Postulado 7.° Dos contactos iguales en paralelo equivalen a uno solo, y la funcién tomara el valor que este contacto adopte. En la Figura 13.5 se muestra el esquema eléctrico equivalente y la funcion matematica aparece a continuacién: Salida =A+A=A Como se ve en la figura, el resultado de la funcién no puede ser otro que el valor de la variable que es posible modificar, y que se presenta en ambos contactos.264° PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS | | i+ | 7432 Figura 13.5. Esquema de equivalencia eléctrica de! Postulado 7.° de Boole. = Postulado 8° Dos contactos iguales en serie equivalen a uno solo. En la Figura 13.6 se muestra el esquema equivalente. La funcién matematica es la que sigue: Salida = A-A =A + eo 0 oo oo A se A Uecaueseeaet a— 7408: Figura 13.6. Esquema de equivalencia eléctrica de! Postulado 8.° de Boole. = Postulado 9.° Propiedad conmutativa de la suma: el orden de los sumandos no altera la suma. En la Figu- ra 13.7 se muestra el esquema equivalente eléctrico y su funcién matematica: A+B=B+A CEL} Deb Figura 13.7. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 9.° de Boole.ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 265 = Postulado 10.° Propiedad conmutativa del producto logico: el orden de los factores no altera el producto. En la Figura 13.8 se muestra el esquema eléctrico equivalente y la funcién matematica correspon- diente es: A+B=B-A ALA 7408 7408 Figura 1 Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 10.° de Boole. = Postulado 11.° Se pueden utilizar paréntesis y corchetes para agrupar sumas, productos etc, sin alterar su resultado. = Postulado 12.° Propiedad distributiva del producto légico: la asociacién de un contacto en serie con otros dos en paralelo equivale a la asociacién en paralelo de dos circuitos serie formados por el producto de cada uno de los otros dos. En la Figura 13.9 se muestra el esquema eléctrico equivalente. La funcién matemética es la que sigue: A(B + C) = (A+ B) + (4-C) 8 A - * a = 7s A 7432 $ a 7408 *(A-8) + (4-0) Figura 13.9. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 12.° de Boole.266 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS = Postulado 13.° Segunda propiedad distributiva del producto légico: la asociacién de un contacto en paralelo con otros dos en serie equivale a la disposicién en serie del contacto independiente, en paralelo con cada uno de los otros dos. En la Figura 13.10 se muestra el esquema equivalente y la funcién correspondiente: (BC) +4 =(A +B) (A+ 0) nn =D, 7408 ( MA. 7432 *(A+8)-(A+c) Figura 13.10. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 13.° de Boole. = Postulado 14. Funcién complementaria: la suma logica de una misma variable en su valor real y su negado es siempre uno, En la Figura 13.11 se muestra el esquema equivalente, siendo la funcién logica que cumple: A+A=1 En la grafica se aprecia que sea cual sea el valor de la variable (el negado o el mismo) el resultado ser siempre 1 légico.ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 267 » 7432 Figura 13.11. Esquema de equivalencia eléctrica de! Postulado 14.° de Boole. = Postulado 15." Es la funcién negacién NO o NOT, ya vista en el Apartado 12.1.4 del Tema 12. = Postulado 16° Es la doble negacién, cuya expresién matematica se representa: A=4 = Postulado 17.° Propiedad transitiva, enunciada igual que en el algebra tradicional: A=B B=C entonces se deduce que: 13.1.2. Los cinco teoremas de Boole Para la demostracién de los teoremas se utilizardn las tablas de verdad. Aparecera, asimismo, la expresin matematica que corresponde a cada uno. Pero, antes, recordemos las siguientes igualdades: HHoo roto =1268 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS = Teorema 1.” Expresion matematica: A+A*B=A Tabla 13.1. Tabla de verdad del Teorema 1.° de Boole = Teorema 2.° Expresion matematica: A‘(A+B)=A Tabla 13. 2° de Boole Tabla de verdad del Teorema = Teorema 3.’ Expresién matematica: A+(4-B)=(4 +8) Tabla 13.3. Tabla de verdad de! Teorema 3.° de BooleALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 269. = Teorema 4° Expresion matemitica: (4+ B)-B=A-B Tabla 13.4. Tabla de verdad del Teorema 4.° de Boole = Teorema 5. Expresién matematica: (4 + B)-(A + C) =(A-C) + (4° B) Tabla 13.5. Tabla de verdad del Teorema 5.° de Boole270 _-PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS 13.1.3. Leyes de Morgan Con Ia aplicacién de las dos leyes de Morgan se permite la realizacion de circuitos con puertas NOR o NAND, independientemente de la forma que tome la funcién. Desde otro punto de vista, se puede decir que con la aplicacién de Morgan se convierten circuitos serie a paralelo y viceversa. La demostracién de las dos leyes la haremos con tablas de verdad. = Primera ley Expresién matematica: A+B=A4-B Tabla 13.6. Tabla de verdad de la primera ley de Morgan & | aa | a8 = Segunda ley Expresion matematica: A B=A+B Tabla 13.7. Tabla de verdad de la segunda ley de MorganALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 271. — ANALISIS PRACTICO 36 a) Reducir la funcién siguiente aplicando los postulados y teoremas de Boole. S=(A-B)+(4-B) 5) Reducir la siguiente expresion por Algebra de Boole. S=(A-B-C) + (A-B-C) + (A-BC) ©) Realizar la reduccién de la siguiente funcién por algebra de Boole. S=AA+ B)+(B+ AaB 13.2. REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH El método grifico de Karnaugh nos permite reducir funciones booleanas de hasta cinco variables sin gran dificultad siendo, en la practica, util como maximo para cuatro, Para reducciones de mayor nimero de variables se utilizan métodos numéricos, como el de Quine-McCluskey. El sistema de Karnaugh data de 1953; consiste en un tablero con un determinado nimero de filas y columnas cuyo producto es igual al nimero de combinaciones de las variables que entran en la funcién. La reduccién se basa en el agrupamiento de casillas adyacentes, que son aquellas que no difieren de las variables en mas de un valor. Habra que tener en cuenta que el mapa de Karnaugh es como una esfera desplegada, es decir, las filas primera y iltima, asi como la primer y iltima columna, son también adyacentes. 13.2.1. Tipos de mapas de Karnaugh = Para dos variables Filas + de las casillas de un mapa 1 01 ul de dos variables272 _ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS = Para tres variables Tabla 13.9. Equivalencia de las casillas de un mapa de tres variables 1 001 ou ui 101 = Para cuatro variables Tabla 13.10. Equivalencia de las casillas de ‘un mapa de cuatro variables CD\AB| 00 oO uw 10 00 | 0000 | 0100 | 1100 | 1000 or | coor | o1or | 1101 | 1001 a | oon | ont | iii | ton 10 | oo10 | o110 | 1110 | 1010 Las zonas sombreadas muestran los valores que pueden tomar las variables. Observar para dos y tres variables la secuencia de valores que no difieren en mis de una variable (00, 01, 11, 10). En el resto de los mapas de Karnaugh se indica la celda con su combinacién correspon diente; por ejemplo, en el mapa de cuatro variables la celda correspondiente a la segunda columna (01), fila tercera (11), vale como combinacién 0111. Una vez planteado el mapa debemos pasar a su lugar adecuado el valor légico de la funcién, sea cero o uno en la tabla de verdad, para posteriormente hacer grupos.ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 273 13.2.2. Obtencién de la reduccién grafica Vedmoslo con un ejemplo. Dibujaremos en un Karnaugh la funcién que se muestra en la Tabla 13.11. Tabla 13.11. Funcién légica Tabla 13.12. Funcién légica pasada a Karnaugh Ahora que ya tenemos los valores légicos de la funcién en sus lugares correspondientes deberemos elaborar los grupos para reducir la expresin al minimo. Existen varias normas que aplicadas nos daran la solucién: * Hay que realizar, el menor nimero de grupos. « Los grupos deben ser lo mis grandes posible. * Se pueden agrupar 0 los ceros o los unos del mapa, lo corriente son los unos. * Se deben reunir en grupos que sean potencias de 2, ¢s decir, 2". Por tanto, sern grupos validos, 1, 2, 4, 8, 16, 32, etc., y no lo serdn, cualesquiera otros. * La forma de esos grupos no podra ser otra cosa distinta a cuadrados o rectdngulos, formados entre casillas adyacentes y no son posibles los grupos formados por diagonales. Como se dijo anteriormente, el mapa de Karnaugh no es una superficie plana, sino esférica. Por este motivo, podemos encontrarnos con dos casos: a) Si aparecen unos en las cuatro esquinas tendremos un grupo de cuatro (Fig. 13.122). Si aparecen en dos esquinas conseguiremos un grupo de dos (Fig. 13.125). 6) Podemos coger también los unos de un lado con los del opuesto. Asi obtendremos un grupo de ocho (Fig. 13.12c).Figura 13.12. Diferentes posibilidades del mapa de Karnaugh. En el caso que nos ocupa, para cubrir todos los unos, bastard un solo grupo de dos unos, formando un rectngulo vertical en la primera columna, como se ve en la Figura 13.13. F=4-B+A-B=A a Tabla 13.13. Soluci6n de Karnaugh para el ejemplo a & | & ° ay En la figura anterior se aprecia e indica cual es el procedimiento para reducir la funcién. En el grupo formado por los dos unos, la variable que cambia de valor es B, que en una celda vale cero y en la otra uno, esa es la variable que se reduce, quedando: F=AALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 275 Aplicar la reduecion gréfica por Karnaugh a las siguientes funciones y obtener su expresion simplificada: a) F=(A-BC)+(A-B-C) 4 (4° BC) 4+ 4 B-C) 4 (4-8-0) b) H=(A-B-CD)+(4-B-C-D) + 4-BC-D) 4 (A-B-C-D) + + (A> BCD) + (A-B-C-D)Sistemas digitales integrados En este tema trataremos de ver.qué son los sistemas digitales integrados superiores a las puertas légicas, es decir, aquellos en los que la tecnologia de fabricacién ha permitido integrar mas componentes, puertas basicamente, para obtener sistemas complejos. Los podriamos dividir en dos grandes bloques atendiendo a que el valor de salida dependa o no exclusivamente de las entradas: * Sistemas combinacionales. + Sistemas secuenciales. 14.1. SISTEMA COMBINACIONAL Es aquel en el que la salida s6lo depende de las combinaciones de las entradas. Entre los combinacionales nos encontramos con diversos tipos de elementos: multiplexores, demulti- plexores, codificadores, decodificadores y comparadores. De todas las posibilidades, desarrollaremos en este apartado al multiplexor y al compara- dor, por ser los més frecuentes. 14.1.1. El multiplexor Es un dispositivo digital que realiza la tarea de seleccionar una de las entradas presentes mediante unas lineas de control, para presentar esta entrada y solo ésta en la salida. En la Figura 14.1 se muestra el esquema general de un multiplexor. En la Figura 14.2 se muestra un multiplexor comercial. Entre las aplicaciones destacan la multiplexacién, para lo cual fue creado, la conversién de datos paralelo a serie y la creacién de funciones légicas. 276‘SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 277 Salida negada E e N s s i A z Salida verdadera R m L A u 1 & D x D A A a — s ultiplexor s de 8 entradas con inhibidor Controles CONTROLES Figura 14.1. Esquema bésico Inhibidor de un multiplexor TALS181 Figura 14.2. Patillaje (Pin’s) de un multiplexor 74LS151. = Disefio de un multiplexor de cuatro entradas Seguiremos el procedimiento que se enumera a continuacién. a) Se calcula el niimero de entradas de control n necesarias sabiendo las entradas N, segin la formula NM (mayor que M) y B m= AB “B alow 4) Que existen dos unos en la columna de igual que (=), y que éstos coinciden con una funcién légica derivada, como es la NOR-EXCLUSIVA. A‘B+A°-B=40B Con las anteriores expresiones matematicas nos resulta una resolucién con puertas lbgi- cas, tal como se muestra en la Figura 14.5. Figura 14.5. Comparador de 1 bit con puertas. En la practica, los comparadores pocas veces son de | bit (por lo general son de varios bits), por lo que se hace necesario utilizar circuitos integrados al efecto, tal como el 7485, que es un comparador logico de 4 bits en una cpsula dual in line, de 16 pins. En el Apéndice VI, con informacion adicional sobre esta unidad, se muestra una lamina con las conexiones necesarias para una comparacién de 8 bits, en base al uso del anterior Cl. De282 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS esta manera se puede usar para miltiples aplicaciones en las que son necesarias las compara- ciones de una palabra de datos de 8 bits. 14.2. SISTEMAS SECUENCIALES Son unos dispositivos en los que la salida depende no sélo de las combinaciones de entrada, sino que ademas hay que tener en cuenta el valor que tenia la salida antes. En resumen, es ‘como si en las entradas estuviese presente una entrada mas, que es la salida que habia antes. Los sistemas secuenciales son aquellos sistemas complejos cuyas células elementales estan realizadas por biestables, entre los que destacamos: Biestable R-S, Biestable T, Biestable D y Biestable J-K. Los biestables 0 flip flops son circuitos capaces de poder permanecer en uno de sus estados estables atin sin la sefial que produjo el paso; es decir, son capaces de almacenar una informacién. Su forma mas elemental de conexién consiste en dos inversores interconexiona- dos (la entrada de uno con la salida del otro y la salida de éste con la entrada del anterior), K=(MFK) +P Figura 14.6. Funcién memoria con puertas NOR. Estos biestables son distintos entre ellos por causa de sus disefios particulares, pudiéndo- los encontrar activos por nivel o por flanco, sincronos 0 asincronos, pero todos ellos tienen una caracteristica comin: que poseen dos estados diferenciados 1 y 0 a los que se llega al cumplir una condicién, y si los dejamos en esa situacion 1 0 O permanecerin en ella ininterrumpidamente. En la Figura 14.6 se muestra un esquema general de un sistema secuencial, correspon- diente a la funcién memoria. Obsérvese Ia realimentacién de la salida sobre la entrada, verdadero determinante del funcionamiento. 14.2.1. Tipos de biestables Estudiaremos los tres ultimos tipos de biestables arriba mencionados, por ser los mas frecuentes en cuanto a su uso. = Biestable J-K Se ha elegido al J-K como representante de los secuenciales dada su enorme utilizacién y posibilidades, ya que con él se pueden obtener los D y los T, que son quienes configuran‘SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS contadores y registros. Por tanto, veamos el funcionamiento de uno de estos biestables J-K. En la Figura 14-7 se presenta un J-K comercial. Figura 14.7. Biestable J-K 7473 activo al flanco de bajada. El 7473 ¢s un J-K sincrono, activo por flanco descendente (obsérvese el pin del clock -o-+)). Presenta también una entrada asincrona CL (clear) para borrado 0 puesta a cero de la salida Q, ademas de las J y K. NOTA. Los otros niveles tienen las siguientes representaciones grificas: — Por nivel alto CLK. — Por flanco ascendente > CLK. — Por nivel bajo —J CLK. — — Por flanco descendente —d> CLK. La tabla de verdad (Tabla 14.5) que cumple los J-K, es la siguiente: Tabla 14.6. Tabla de verdad de los biestables J-K 0 x x x 0 1 [| meu f[olol a 1 [| meur [1 fof 1 | mpur [ofa] o i tmen [1 fit a] En Ia tabla de verdad se aprecia que si el CLR (entrada asincrona de CLEAR) est a nivel bajo, la salida es cero, estén como estén las otras entradas (X¥ = indistinto), Estando en 1 CLR el funcionamiento es normal y la salida responde a las entradas. Cuando se presenta un impulso a la entrada de CLOCK, la salida dependera del estado de las entradas.284 —_ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Si J y K son cero la salida que tendremos (Q,+, = futuro inmediato) sera la que ya teniamos (Q, = estado actual). ), se fuerza la salida a 1. , se fuerza la salida a 0. Por iiltimo, si se presentan simultaneamente dos unos, en Jy K, la salida pasard al valor contrario que tenia Q,, es decir, a Q,. = Biestable T El biestable T (Toggle), como se ha dicho anteriormente, se puede obtener a partir de un J-K. Presenta una iinica entrada y dos salidas complementarias Q (verdadera) y Q (negada). En la Figura 148 se muestra la equivalencia entre un J-K y un T. Tr y +—a crock —) — = esee Figura 14.8. Biestable T y su equivalencia con un J-K. En la Tabla 14.6, se muestra la respuesta de un biestable 7, frente a las entradas que se le pueden presentar. PPP Me Oa] ir ticcit rant entedas ° 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 De la observaci6n de la tabla anterior se pueden obtener las siguientes conclusiones: a) Sila entrada es T = 0, la salida que tenemos Q, no variaré, obteniéndose el mismo valor légico después del impulso de reloj en Q,, 1. Obsérvese con detenimiento las dos primeras filas.‘SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 285 4) Sila entrada es T = 1, la salida que tenemos en Q, si que variara, pasando a valer después del impulso de reloj en Q,, 1, 10 contrario de lo que teniamos. Obsérvense las dos tiltimas filas. Recordar que Q, significa el estado actual y Q,.., el estado futuro, lo que sera después del impulso, el valor del pin Q, del biestable. Con Io anterior, podemos ver un ejemplo de cronograma en la Figura 149; aparece la respuesta de un biestable 7, activo al flanco ascendente del reloj, frente a una supuesta variacion por el pin T. = Biestable D Este biestable posee una entrada de datos y dos salidas, una verdadera (Q) y otra negada (0), ademas de la seiial de CLOCK para el sincronismo. Se puede obtener a partir de un J-K, tal y como se muestra en la Figura 14.10, a modo de ejemplo se ha realizado el sincronismo por nivel alto. clock ol Figura 14.10. Biestable D a partir de J-K.286 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS En la Figura 14.11 se presenta un biestable D comercial. E N . R A D A s PIP elp 919 PIP Figura 14.11. Biestable cuadruple D 74175. La tabla de verdad (Tabla 14.7) que cumplen estos biestables se muestra a continuacién: Tabla 14.7. Tabla de verdad de los biestables D De la observacién de la Tabla 14.7 se pueden obtener unas conclusiones, partiendo de que €l biestable ¢s sincrono por nivel alto, esto es, que los cambios se efectuaran siempre que la seiial de reloj esté a valor logico 1, quedando enclavado con el valor que posea mientras no aparezca un nuevo nivel alto en el reloj. Al biestable D, debido a este enclavamiento de datos, se le conoce por latch 0 cerrojo. Las mencionadas conclusiones son dos en esencia. a) La salida que tendremos Q,.., sera 0 si en D existia un 0, independientemente de lo que hubiese antes en Q,. b) La salida sera 1 en Q,,, siéste fue el valor que habia en D, independientemente de lo que hubiese antes en Q, En el siguiente cronograma de la Figura 14.12 se muestra un ejemplo de respuesta de un biestable D frente a una entrada y su reloj correspondiente.‘SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 287 Figura 14.12. Cronograma de un biestable D activo a nivel alto. 14.2.2. Contadores Un contador es un circuito secuencial compuesto por un determinado nimero de biestables basicos, por lo general tipo 7, que presentan en el conjunto de sus salidas, en un cddigo determinado, el nimero de impulsos que se les han aplicado en la entrada. La capacidad de conteo se puede calcular como 2%, siendo N el nimero de biestables utilizados. Esta expresion nos mostrard cudntos estados distintos posee el contador, es decir, la capacidad de conteo. Podemos dividit los contadores atendiendo a cuatro propiedades: forma de conteo, forma del impulso de entrada, frecuencia de impulsos y capacidad de conteo. © Segiin la forma de conteo pueden ser ascendentes (UP) o descendentes (DOWN). Quiere esto decir que a cada impulso de conteo iran ascendiendo en su valor (1, 2, 3, 4, 5, etc.) 0 bien descendiendo en su valor (5, 4, 3, 2, 1). Si el cédigo de conteo no es el binario, seré necesario realizar su disefio con biestables independientes. * La frecuencia de impulsos determina la tecnologia de los biestables (DTL, HTL, TTL, MOS, etc, Mediante una tabla de excitacién de biestables podremos seleccionar el tipo deseado. + La capacidad de conteo indica el mayor o menor nimero de impulsos que han de ser contados por el sistema. * Segiin la forma del impulso de entrada el modo de operacién es el siguiente: todos los biestables que reciben simulténeamente el impulso de conteo se llamardn sincronos; en el caso que el impulso de conteo lo reciba sélo uno de los biestables que conforman el contador diremos que ¢s asincrono.288 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS En la Figura 14.13 se muestra un asincrono ascendente y su cronograma correspondiente. +V, Q Q, Q, Q, ) (NOTA: wore [rl FLGLE LE "ara descendente conectar seguin linees discontinuss. () Figura 14.13. (a) Contador asincrono ascendente. (b) Cronograma ideal para 9 impulsos del contador asincrono.a) Conectar el circuito de la Figura 14.13 y comprobar el cronograma, extendiendo el anilisis hasta el impulso 16. 4) Repetir el punto anterior, pero habiendo realizado las conexiones discontinuas de la Figura 14.13. Deberas observar que el valor inicial no ¢s 0000, como antes, al contrario, €s 1111 y desde éste, como inicial a cada impulso, se descontara un valor binario. ©) Comprobar que el funcionamiento ser como el de la Figura 14.13 siempre que la sefial de CLEAR esté a nivel adecuado 1, En la Figura 14.14 se muestra un contador sincrono de tres biestables con 8 posibles estados (2°), realizado en sentido ascendente. Figura 14.14. (a) Contador sincrono ascendente. (b) Cronograma ideal con 9 impulsos del sincrono o ascendente.290 _ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Como puede apreciarse, el resultado frente a los impulsos de entrada es igual al caso del asincrono, nos preguntamos entonces, {donde esta la diferencia? La respuesta se encuentra en la mayor velocidad de trabajo posible en el sincrono frente a Ja del asincrono, Debido a que el impulso es simultdneo, cada uno de los biestables responde en un intervalo de tiempo propio, llamado tiempo de propagacién, sin esperar a la respuesta en cadena del anterior biestable (asincrono), lo que eleva el tiempo de respuesta del que se encuentra mas alejado del punto de entrada del impulso de conteo. 14.2.3. Contadores preseleccionables Se desea en muchas ocasiones que los contadores efectiien secuencias especiales (impares, pares, cbdigos propios), para lo que hay que disefiar la circuiteria combinacional a afiadir al contador propiamente dicho. Estos contadores reciben el nombre de preseleccionables. Para resolver éstos hay que utilizar algunas de las herramientas vistas en este tema, como los J-K y la reduccién grifica por Karnaugh (vista en el Tema 13). = Tablas de transicién Antes de nada debemos conocer la tabla de transicién de los J-K, auténtico talisman para la resolucion de este punto. Esta tabla consiste en una expresion especial de la tabla de verdad de los J-K: se citan los valores a aplicar a las entradas J y K si queremos fijar un valor futuro, haciendo indistinto el valor logico de la otra entrada. Para la obtencién de la tabla de transicién, necesitamos disponer de la de verdad, observandola y preguntandole de forma adecuada nos sera facil llegar a obtener la de transicion. Tabla 14.8. Tabla de verdad del J-K ampliada 1 0 0 1 0 1 | 0 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 291. En la tabla anterior se ha tratado a Q, como si de una entrada se tratara y entonces se presentan 8 posibilidades; veamos qué se desprende de su estudio: @) Sien Q, tenemos un 0, y queremos seguir teniéndolo (Q,,, = 0), bastard con fijar un Ocen la entrada J. Véanse filas 1.* y 3.* de la Tabla 148. 6) Si en Q, tenemos un 0 y deseamos en Q,,, un 1, bastara con fijar un 1 en J. Véanse filas 2* y 4. de la Tabla 14.8. ©) Sien Q, tenemos un 1 y se desea en Q,,, un 0, bastard con fijar en K un 1. Véanse las filas 7." y 84. d) SienQ, hay un 1 y se desea mantener en Q,, ,, bastard con fijar en k un 0. Véanse las filas 5 y 64. Como consecuencia de lo anterior nos queda la tabla de transicién (Tabla 14.9) siguiente, donde las X significan que el estado es indistinto. Tabla 14.9. Tabla de transicion de un biestable J- Como ejemplo de aplicacién de los contadores preseleccionables vamos a resolver un conta- dor de secuencia decimal 0, 2, 3, 7, 6, 4, 0... con biestables J-K. El siguiente procedimiento nos dara la pauta para resolver casos similares: a) Determinar el niimero de biestables a utilizar. Puesto que el mayor nimero decimal es 7, bastar con 3 biestables ya que 2? > 7. 4) Escribir la tabla de verdad que refleje el conteo que se quiere realizar. La Tabla 14.10 se obtiene colocando las combinaciones binarias correspondientes a los niimeros decimales para los tres biestables que entran en el contador (0, Q;, Q,). La fila correspondiente a cada valor decimal se rellena observando los valores de cada uno de los biestables y relaciondndolos con sus entradas. Por ejemplo, en la columna de Qo, para obtener los valores de Jy y K, se tendran en cuenta el cero del decimal 0 y el cero del decimal 2. Puesto que lo que se quiere es que no cambie Q, de valor, la tabla de transicién nos dice en este caso que la combinacién de entradas debe ser 0 para J, y X para Ko. ‘Sigamos con el ejemplo; queremos saber qué combinacién serd necesaria en las entradas del biestable Qo. Para el cambio de éste entre los valores decimales 7 y 6, vemos que en 7Q, es 1 y en 6 vale 0 este cambio de valor en la tabla de transicion es X para Jy y 1 para Ky,292 —_ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Tabla 14.10. Tabla de verdad de un contador de secuencia decimal 0) Reduccién por Karnaugh de las combinaciones de cada una de las entradas, que aparecen en el ejemplo 6 (n.° decimal) de la Tabla 14.10. Resolvemos a modo de recordatorio dos entradas, las que corresponden a Qy. Destacaremos en este punto que las X en los mapas de Karnaugh pueden tomar el valor 1 0 0, el que nos convenga, en la mayor parte de las situaciones se opta por el 1, Tabla 14.11. Tabla para Jy Con un sélo grupo de dos unos (1 — X) se cubren todos, por lo que la reduecién se queda en Jo = Q2° Qs. Tabla 14.12. Tabla para Ky En este caso el grupo maximo es de 4, tres X y un 1, lo que reduce la expresion de Ko = OrSISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 293, Para las restantes entradas hay que realizar sendos Karnaugh, y los resultados son: n= K,= QQ, y= = El resultado del contador con las premisas requeridas se muestra en la Figura 14.15. Figura 14.15. Contador sincrono preseleccionado de secuencia 0, 2, 3, 7, 6, 4. Siguiendo el método anterior se puede resolver cualquier conteo por dificil que parezca en principio; més atin, es el método idéneo con légica cableada para la resolucién de automatis- mos industriales. Realizar con biestables J-K activos al flanco descendente un contador sincrono preselecciona- ble que efectie la secuencia 0, 1, 3, 5, 7, 0... El resultado de este ejercicio es el siguiente: “Q294 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS 14.2.4. Registros de desplazamiento Los registros de desplazamiento son circuitos secuenciales realizados por una serie de biesta- bles del tipo D conectados en cascada. Por estar confeccionados con estos biestables pueden almacenar tantos bits (minima expresin de informacion 1 0 0) como biestables posea el registro. Tienen la capacidad de presentar esta informacion almacenada en su interior de varias formas, por lo que es general la siguiente division: — Entrada serie-salida serie. — Entrada serie-salida paralelo. — Entrada paralelo-salida serie. — Entrada paralelo-salida paralelo. En la Figura 14.16 se muestra un registro universal donde se aprecian todas las anteriores posibilidades. En esta figura se ha introducido un pin en los biestables J-K, que conforman el registro denominado PRESET (PR) activo a nivel bajo igual que el CLEAR, pero con una misiOn contraria: sirve para forzar las salidas Q a valor légico 1 y es de la misma forma que el CLEAR asincrono, es decir, en el momento que se activa este pin la salida se fuerza a 1, independientemente del clock. En la misma figura se muestran la linea de activacién de las ENTRADAS PARALELO Lines de conto a SALIDAS PARALELO Figura 14.16. Registro universal de 3 bits.‘SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 295 entradas paralelo y Ia linea de activacién de las salidas paralelo, ademas de la entrada serie y salida serie. Obsérvese que los J-K estan conectados como tipo D, ya que siempre tendrén en sus entradas valores opuestos, bien por el inversor en el caso del biestable Q,, 0 bien por estar conectados a Q y Q en los casos de los Q, y Q.. Hay que destacar, en el caso de usar la entrada y salida serie que se puede obtener en los circuitos comerciales, que el desplazamiento se efectte a derechas o izquierdas, En la informa. cién complementaria del Apéndice VI de la Sexta Unidad se muestra un circuito integrado comercial al efecto. ANALISIS PRACTICO 41 Como aplicacién de registros y multiplexores vamos a efectuar el diseiio de un montaje utilizable como cerradura codificada para la apertura de cualquier caja secreta. Se desea activar una cerradura codificada mediante cuatro combinaciones provenientes de tres interruptores 4, B, C, introducidas en los valores correctos con el uso de un multiplexor de cuatro entradas y un registro de desplazamiento serie-paralelo. La combinacién correcta sera 2, 4, 5, 7, evidentemente la podeis cambiar a vuestro gusto e incluso ampliarla con el uso de un registro de mayor niimero de elementos y mas interrupto- res de entrada. El procedimiento que se propone tendri los siguientes pasos: 4) Debemos realizar la funcién I6gica con el multiplexor, para ello se deberdn seguir los Puntos expuestos en el Apartado 14.1.1 dedicado a los multiplexores (véase Ta- bla 4.13). Vamos a utilizar como controles del multiplexor a A y B, siendo C la variable que se utilizara como entrada en el multiplexor; en la tabla 4.13 la funcion F es 1 cuando la combinacién es correcta como parte del cédigo de apertura de Ja cerradura. ees] rane ans ' Resolucién del : ; é o ANALISIS PRACTICO 41 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 | 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1296 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS 6) A continuacién se realiza la Tabla 14.14, reducida de la anterior para determinar las conexiones del multiplexor. Tabla 14.14. Resolucién del Apartado b del ANALISIS PRACTICO 41 0 | oo u 10 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 Figura 14.17. Multiplexor para la cerradura codificada. d) Solucionado el multiplexor, pasaremos a enlazarlo con el registro de desplazamiento, tal como se muestra en la Figura 14.18. SALIDA HACIA RELE/TRANSISTOR 7420 ura 78 773 7 w 7a yo To om, y cu cuK cu cur _ ¢ ¢ | Kf a Kio xf a Kia ¥ a ata cioce — Peomd manual Figura 14.18. Circuito completo de la cerradura codificada.A. COMPARADOR DE 8 BITS CON 74LS85 A.1. Montaje DIAGRAMA DE CONEXION DE UN COMPARADOR ee 2) [az] [ar] [ar Liat das | fro} tasGlosario ‘A (amperio). Unidad de intensidad de corriente. A/D. Abreviatura del convertidor de seital analo- ‘gica a digital. Agay Ancho de banda, referido a transistores. A, Ganancia de intensidad expresada en db (deci- ‘belios). Se obtiene mediante el cociente de la intensidad de salida y la intensidad de entrada: Fras 4 : A, = 2 es un nimero adimensional. Test, Angulo de conduccién. Angulo referido a la por- cién de la sefial aplicada, durante la cual un tiristor SCR conduce. Se expresa mediante el simbolo @. ‘Angulo de encendido. Tramo de la onda presente en extremos de un tiristor SCR, comprendido entre el origen y el instante en que se aplica el impulso de conduccion © cebado. Se expresa é mediante la letra griega alfa (a). x = 7, siendo 1 l tiempo que transcurre entre el origen de la sefial y cl instante del impulso. T indica el perio- do de la sefial alterna. AND (¥). Abreviatura de una de las funciones basicas de la logica digital. También se la llama funcién producto o interseccién. Tipo de puerta légica que coincide con la funcién logica descrita anteriormente. A, Ganancia de potencia expresada en decibelios. 4, = fa, se obtiene un nimero adimensional. Asincrono. Se denomina asi el caso en el que sdlo uno de los biestables que conforman un conta- dor reciba el impulso de conteo. ‘Ay. Ganancia de tensidn expresada en decibelios. 316 Avg: Ganancia de tensién del montaje. a (alfa). Letra griega utilizada como parametro de un transistor bipolar. Relaciona el cociente de Al, Al, Battery (bateria). Fuente de alimentacin de co- rriente continua (cc) realizada como una agru- pacién de elementos basicos. Bit. Contraccién de digito binario (binary digit), minima expresién de informacion binaria 9 0 1. B,. Abreviatura de base de tiempo. jito gene- rador de dientes de sierra de frecuencias distin- tas para el sincronismo de las seftales que se quieren visualizar en un osciloscopio. B (beta). Letra griega utilizada como parimetro de un transistor bipolar que relaciona el cocien- te de las corrientes de colector y base. f= * I, ¢ (capacidad). Propiedad por la que los dispositi- vos llamados condensadores pueden almacenar cargas eléctricas. Su unidad es el faradio (F). ‘ea. Siglas por las que se conoce, de forma abrevia- da, a la corriente alterna. cc. Siglas por las que se conoce, de forma abrevia- dda, a la corriente continua. edt. Siglas por las que se conoce, de forma abre- viada, a la caida de tension, C,. Abreviatura de condensador de emisor. Cebado. Término que, referido a los SCR’s, alude a la condicién de saturacién que alcanza el dis- positive. Esta situacién se consigue, general- mente, tras la aplicacion de una tension de dis- paro en su electrodo de mando, ,, Abreviatura de condensador de input (entrada) referida a transistores. las corrientes de colector y emisor. « =CL. Siglas de citcuito integrado, en inglés IC (inte- grated circuit). C, (lear). Pin asincrono de puesta a @ de la salida @. Entrada de borrado general. C,, Abreviatura de condensador de output (salida) Teferida a transistores. Control. Término aplicable a un circuito 0 electrodo de un dispositivo electrénico en el que se generan © aplican las érdenes a modo de variaciones de parimetros eléctricos que posibilitan el gobierno del circuito principal o seccién de potencia. ‘CMOS. Siglas de metal dxido semiconductor com- plementario. (complementary metal oxide semi- conductor). Se trata de una tecnologia de fabrica- ccién de circuitos integrados en plena expansion y competidora directa de la tecnologia TTL. CMR. Siglas de Ia expresion inglesa common ‘mode rejection ratio, es decir, relacion de recha- zo en modo comin (también expresado como RRMC). Es la caracteristica que manifiesta la capacidad de rechazo de un OP-AMP para no amplificar sefiales idénticas aplicadas simulta- neamente en sus entradas, D/A. Abreviatura del convertidor de sefial digital a analégica. dp. Abreviatura de diferencia de potencial DIAG. Siglas que corresponden a la expresion inglesa diode alternating current (diodo para co- rriente alterna). Elemento bidireccional cuya conduccién se efectiia cuando se supera la ten- sién de encendido (jo) aplicada entre sus dos electrodos. Se utiliza para montar circuitos de control sencillos. Display (visualizador). Conjunto de LED's dis- puestos en forma de digito numérico o alfanu- mérico. Es un dispositive sobre el que se pre- senta una informacion, proveniente de un circuito eléctrico, para su manejo, programa- cidn, etc. DOWN (descendente). Indica una caida (de ten- si6n, corriente, etc.). €> (electrén). Carga eléctrica bisica de signo ne- gativo. EA. Siglas de electrénica analégica. ED. Sigias de electronica digital Espectro luminico. En el margen de radiacién lu- minica visible, de mayor a menor longitud de ‘onda, las tonalidades de los colores son: rojo, anaranjado, amarillo, verde azul, afiil y violeta. A las radiaciones luminicas cuya longitud de GLosaRIO (317 onda es tan grande que hace imposible su visi- bilidad, se las denomina infrarrojos. Las radia- ciones de longitud de onda demasiado pequefia para hacerlas visibles, se llaman ultraviolevas. 1 Letra griega eta. Es un parametro inherente al gradiente de potencial interno de un transistor UIT 0 externo de un transistor PUT. EXOR. Forma abreviada de denominar a la fun- ccidn logica derivada OR-EX-CLUSIVE, que se- fiala al detector de desigualdad. EX-NOR. Forma abreviada de denominar a la funcion logica derivada NOR-EXCLUSIVE, que sefiala al detector de igualdad. F (frecuencia). Nimero de ciclos completos por segundo. F, Abreviatura de factor de forma, Flanco. Se define activo por flanco, de subida 0 bajada, el biestable que efectia la lectura de los. valores en sus entradas en las transiciones de 0 a 1, 0 bien de 1 a 9 (cero logico), dependiendo del modelo. Se procede, segiin su tabla de ver- dad, al modificar su salida. Fotodiodo. Diodo fotosensible que actiia permi- tiendo el paso de corriente inversa, de valor Proporcional a la luz que incide sobre él cuando su unién se encuentra polarizada inversamente. Fototransistor. Transistor fotosensible que actita permitiendo el paso de corriente inversa, de va- lor proporcional a la luz incidente sobre la unién colector-base, F,, Abreviatura de factor de rizado. GA. Electrodo de control de la puerta anodo. GBF. Siglas del generador de baja frecuencia. Ins- trumento de miltiples aplicaciones, cuyo meca- nismo permite disponer de distintas formas de sefiales, variables éstas en amplitud y frecuencia. Ge. Simbolo quimico del germanio, material semi- conductor basico ampliamente utilizado. h* (ueco). Carga positiva bisica, por ausencia de e~ Hy, Pardmetro de la resistencia de entrada en emisor comin de un transistor bipolar. 1. Simbolo eléctrico de la intensidad de corriente. 1,. Forma de reconocer la intensidad de anodo. 1, Forma abreviada de denominar la intensidad de base. I, Forma abreviada utilizada para reconocer la intensidad de colector. de corriente residual, medida entre ase con el terminal de emisor abierto.318 GLOSARIO I. Intensidad de corriente continua. I... Intensidad de corriente residual, medida entre colector-emisor con el terminal de base abierto. I.q- Corriente de colector en reposo, sin sefial de ‘corriente alterna que amplificar. 1. Forma abreviada de denominar la intensidad de emisor. I, Intensidad forward (directa), aplicada desde una polarizacién directa y medida con un am- perimetro. ees Cortiente media directa que debe soportar cada diodo. eevee Corriente eficaz directa que debe soportar cada diodo. I,, Corriente de disparo o corriente minima nece- saria para el cebado de un tiristor SCR. I, Intensidad de puerta. I,, Corriente de mantenimiento 0 de corte. Valor minimo que es preciso que circule a través de un SCR para que éste se mantenga en la zona de conduccién. 1, Corriente de mantenimiento a través de la carga, algo superior a la corriente de mantenimiento mi- rnima (,) de un SCR a la que el tiristor conduce después de efectuado el impulso de encendido. I» Intensidad media en la carga. Impedancia, Resistencia cléctrica alterna que se le aplica. Se mide en (ohmnios). I,, Intensidad de pico en los transistores UJT y PUT. I. Intensidad reverse (inversa) aplicada desde una polaridad inversa y medida con un jinico ampe- rimetro. Igy Intensidad por la resistencia de carga. Ty: Intensidad por la carga maxima, Taye: Intensidad por la carga minima. I, Intensidad total. I, Intensidad de valle en los transistores UIT y PUT. I,, Intensidad que circula por el diodo ZENER cuando éste est trabajando en la zona inversa. 1, mis Intensidad maxima del diodo ZENER. So- brepasado este valor el diodo se destruye, 1, wa Intensidad minima que el diodo ZENER necesita para poder trabajar en la zona inversa. kg/em®. Unidad de presin en el sistema MKS. KHz. Medida que indica mil hercios o mil ciclos por segundo. La unidad es el Hz (hercio). KO. Unidad de medida que indica mil ohmios. LDR. Siglas de la expresion inglesa light depent resistor, es decir, resistencia dependiente de la luz, cuyo valor varia en raz6n inversa a ésta. LED. Diodo emisor de luz. Las iniciales vienen del inglés light emitting diode. Se trata de un diodo electroluminiscente, es decir, emisor de luz de distintos colores: rojo, verde, ambar, infrarrojo (RED), etc, utilizado para seftalizacion. Longitud de onda. Distancia entre dos posiciones consecutivas, en idéntica fase de una sefial equi- valente al espacio recorrido por el movimiento ‘ondulatorio en un periodo (7). mA. Milésima parte de amperio. MAT. Abreviatura de muy alta tensién. Se aplica aquellos circuitos que generan la tensién nece- saria para acelerar a los electrones en su camino a través del TRC. MQ. Medida que se lee: millon de ohmios. La unidad es el ohmio (0). ms, Milésima parte de un segundo, ms/div. Expresion que indica la parte de tiempo que representa cada division horizontal de la cuadricula del osciloscopio. Multivibrador. Circuito que, basando su funciona- miento en la realimentacién positiva, es capaz de entregar ondas cuadradas, rectangulares 0 impulsos de estos perfiles de onda. mY. Milésima parte del voltio. mW. Milésima parte del watio. KA. Letra griega mu y simbolo del amperio. Am- bas unidades quieren decir millonésima parte del armperio (10~°). MUX. Abreviatura de multiplexor. NA (normalmente abierto). En términos generales, ¢s la situacion contraria a la que se describe como NC (normalmente cerrado). NAND. Abreviatura de la funcién légica derivada también conocida como NO-Y; realiza la nega- cin del producto. NC (normalmente cerrado). Término alusivo al es- tado de reposo de un contacto. Referido a cle- mentos actives de salida en el ambito de los transductores significa que, en reposo, éstos se encuentran activados. Nivel. Se define activo por nivel, alto o bajo, al biestable que efectiia la lectura de los valores en sus entradas durante el tiempo (mucho mayor que en los biestables de flanco) que el reloj se en- cuentra en 1 0 en @) (cero légico), procediendo, segiin su tabla de verdad, a modificar su salida. NOR. Abreviatura de la funcién logica derivada,también conocida como NO-O, que realiza la negacién de la suma. NOT (énversor). Abreviatura de la funcién légica basica también conocida como NO o funcién negacién. Es la funcién que niega el valor logico presente en su entrada. NPN. Tipo de transistor bipolar compuesto por dos bloques N y uno P. ns. Su lectura es nanosegundo, Mil millonésima parte de un segundo (107° s) NTC. Siglas inglesas de la expresién negative tem- perature coefficient, es decir, resistencia depen- diente de la temperatura, cuyo valor varia de forma inversamente proporcional a ésta. OFF. En Electronica, este término inglés indica desconectado 0 apagado. Offset. Ajuste necesario antes del uso de los am- plificadores operacionales OP-AMP. © (omega). Letra griega que simboliza el ohmio, el cual es la unidad de medida de la resistencia eléctrica Q/V. Expresion que indica la medida de sensibili- dad de los voltimetros analdgicos. ON. En Electronica, este término inglés quiere decir activo, en funcionamiento, conectado 0 en contacto. OP-AMP. Abreviatura del inglés operational am- plifier. Amplificador operacional de clevada ga- nancia en bucle abierto. Optoacoplador. Circuito © dispositivo que, utili- zando una sefial de gobierno que atraviesa un diodo LED 0 IRED, consigue que las varia- ciones luminicas de éste se conviertan en el mando de un fotodiodo, fototransistor, fototriac y fototransistores que actiian como receptores. Generalmente, los dos semiconductores se mon- tan sobre el mismo encapsulado. OR. Forma abreviada de denominar a la funcién légica bisica unién, también denominada suma lbgica u O (traduccion del término inglés OR), Oscilador de relajaci6n. Utiliza la caracteristica y pendiente negativa del elemento activo para ge- nerar impulsos de corta duracién, con la inter- yencion de una red auxiliar R-C. PD. Siglas de la polarizaci6n directa. Esta polari- zacién consiste en conectar el potencial positivo del generador al bloque P de un semiconductor extrinseco; el potencial negativo se conecta al bloque N. PI. Siglas de la polarizacién inversa. Este ipo de GLOSARIO © 319 polarizacién consiste en lo contrario de la ante- rior; ¢s decir, se conecta el potencial positive del generador al bloque N de un semiconductor extrinseco y el negativo al bloque P. Pin, Terminal fisico de un circuito integrado. Es el lugar donde se efectia a conexién. PNP. Tipo de transistor bipolar compuesto por dos bloques P y uno N. Py, Potencial disipada por la resistencia de pro- teccion. Preset. Terminal asincrono que obliga a tomar el valor 1 al terminal PTC. Siglas de la expresion inglesa positive tempe- rature coeficient, es decir, resistencia dependien- te de la temperatura, con coeficiente positivo. PUT. Siglas de la expresin inglesa programable unijuntion transistor. Su comportamiento se ase- meja al del-transistor UJT, pero en este caso, la diferencia radica en que en el transistor PUT se programa externamente el gradiente de po- tencial de conduccién abrupta mediante un di- visor de tensién resistivo. Tiene una estructura de cuatro capas semiconductoras con un elec- trodo de mando (G,) aplicado a la capa de gobierno. P,,4. Potencia maxima disipada por el diodo ZE- ‘NER. Q, Estado actual de la salida Q. Q,,x Estado proximo de la salida Q. R (Resistencia). Propiedad de los materiales para oponerse al paso de la corriente eléctrica. Su unidad de medida es el ohmio (0). R,, Resistencia de base. R.. Resistencia de colector. Realimentacién negativa. Parte de la sefial de sali- da de una cadena amplificadora. Se inyecta a la entrada de ésta, con fase opuesta a Ia sefial aplicada, De esta forma, se consigue un mejor comportamiento del circuito en frecuencia, a costa de reducir su ganancia, Realimentacién positiva, Es cl principio fundamen- tal de la mayoria de los oseiladores. Se produce cuando una fraccién de la sefial de salida de un elemento activo se inyecta a su entrada en fase con la sefial alli presente. R,, Siglas de la expresién inglesa resistor load. Es la resistencia de carga, es decir, el elemento so- bre el que se manifiesta el resultado del circuito. Ry.» Resistencia de proteccién. Ryronas Resistencia de proteccion minima.320 © GLOSARIO Saturacion negativa. Nivel negativo maximo que es capaz de entregar un amplificador operacio- nal a su salida, siempre y cuando esté alimenta- do con tensién simétrica. Saturaci6n positiva. Nivel positivo maximo que es capaz de entregar un amplificador operacional a su salida, siempre y cuando esté alimentado con tensién simétrica. SCR. Siglas que corresponden en castellano a rec- tificador controlado de silicio (en inglés, silicon controlled rectifier), entre cuyos electrodos prin- cipales (4nodo y cétodo) polarizados directa- mente, fluye corriente cuando es aplicado un potencial positivo en su electrodo de control (puerta). Esta situacion se mantiene indefinida- mente, en tanto la corriente no descienda por debajo del valor de mantenimiento. Si, Simbolo quimico de! silicio, elemento compo- nente de los SCR, transistores, diodos, etc Sincrono. Se llama asi a todo contador cuyos bies- tables reciben simultaneamente el impulso de conteo. T. Notacién correspondiente al periodo de una sefial (en segundos). Su valor es el inverso de la 1 frecuencia: T = — £ &. Constante de tiempo. Es el producto de la resistencia por la capacidad; se mide en segun- dos: = R-c. Tiristor. Nombre genérico de una familia de dis- positivos semiconductores de cuatro capas. ‘Transductor. Conjunto formado por un captador sensible a una magnitud fisica y un circuito adicional, encargado de transformarla en varia- ciones de magnitudes eléctricas, Este circuito puede estar integrado en el bloque © cuerpo del captador, o bien constituir una seccién separa- da fisicamente de éste. ‘Transductor NPN. Transductor que entrega a su salida un nivel bajo de tensidn al ser activado, siendo el terminal positivo comin al circuito de alimentacién y salida del clemento. ‘Transductor PNP. Transductor que entrega a su salida, al ser activado, un nivel alto, general- mente de tensién. El terminal de potencial OV (0 masa) es comin a la salida y a la alimenta- cién del elemento. Transformador. Maquina estitica de induccién clectromagnética capaz de modificar los valores de tensi6n ¢ intensidad eléctrica (desde la entra- da hasta la salida). ‘Transitorio. Calificativo inherente al comporta- ‘miento temporal respecto de la tensién 0 co- rriente que presentan especialmente las bobinas y los condensadores. TRC, Tubo de rayos catédico. Se trata de una valvula especial utilizada para la visualizacion de informacion en osciloscopios. Es parte inte- grante de monitores y televisiones. TRIAC. Dispositivo bilateral de cuatro capas se- miconductoras, equivalente al montaje de dos SCR en antiparalelo y con ambas puertas uni- das. TTL. Corresponden estas siglas a la expresion inglesa transistor-transistor logic. Se trata de una tecnologia de construccién de circuitos in- tegrados digitales de muy amplia utilizacién UST. Siglas correspondientes a la expresion ingle- ‘sa unijunction transistor, es decir, transistor de union dinica. Se trata de un elemento dotado de una iinica unién de silicio que por su disposi- cién, permite la circulacién de corriente, de mo- do abrupto, entre el electrodo de control (emi- sor) y una de sus bases. Esta situacién se consigue cuando Ia tension presente entre el emisor y Ia base-1 supera a la tensién interna establecida por el gradiente de potencial aplica- do entre base-1 y base-2. UP (ascendente). Indica una subida (de tensién, corriente, etc.). V (voltio). Unidad de medida de la tensién elée- trica 'Y*. Notacién relativa a la tensién positiva aplica- da a la entrada no inversora de un amplificador operacional. V~. Notacién relativa a la tension negativa apli- cada a la entrada inversora de un amplificador operacional. Vy. Tensién interanédica en el DIAC. También puede aparecer como V;, V,. Yasar Tension entre anodo 2 y anodo 1. Vase Tension de alimentacién del terminal del 4nodo. Vyx- Tension anodo-catodo. Vp Genéricamente, tensién de ruptura. Si se refi re a tiristores UIT es la tensién de encendido. Se trata del valor positivo que toma la tensién de bloqueo, a la que el tiristor se enciende para una corriente de mando definida.Vu» Tension de alimentacién del terminal de base. Vee Tension entre base y emisor. Vpe Tensién de encendido o corriente nula. Vj: Tension nominal de un generador de corriente alterna, Vee Tension de alimentacién del terminal de co- lector. Vee Tensién entre colector y emisor. Vow: Tension maxima entre colector y emisor: 7, = 0. Tensién en reposo entre colector y emisor (q = punto de reposo). Veyy. Tension emisor-base 1. Indica en qué se utili- Za ésti V,- Tensién de alimentacién del terminal del emi- ‘or. Va Valor eficaz de Ia tensién, Vp Tension forward (directa) aplicada como pola- rizacion directa. Vz. Tensién del generador. Vg» Tension del terminal de puerta anédica. Vea Tension entre puerta y énodo-1 Veo: Tensin de alimentacién del terminal de puerta. Vex» Tension puerta-catodo. V,, Tension umbral. Nivel de tension minima polarizar un material semiconductor. Tam! puede aparecer como Voy. Vga, Tensién input (de entrada) méxima, Yq; Tensién input (de entrada) minima. Vj, Valor del potencial interno de igualacién en el transistor UIT. ¥. GLOSARIO | 321 Vor Valor medio de la tensién. Y, Valor maximo de la tensién. Volta. Escala de tensiones. Los metales y, en gene- ral, todos los cuerpos se ordenan en sentido de los potenciales decrecientes que presentan. Vy, Tension de pico en los transistores UJT y PUT. Vx Voltio pico a pico. Representa la maxima érdida posible en una sefial alterna. Ve: Tension reverse (inversa) continua aplicada ‘como polarizacion inversa. Vesa nn: Tensidn en la resistencia de proteccion maxima. Veja on: Tension en la resistencia de proteccién Thinima. ‘Vae- Tension en la resistencia de emisor. Via- Valor eficaz de la tensién de rizado. Vg. Valor del potencial externo de igualacién en el transistor PUT. V,. Tensidn directa que presenta entre anodo y cétodo un tiristor SCR cuando est cebado. Vy. Tensidn de valle en los transistores UJT y PUT. Vz, Tension de ZENER nominal. W (watio). Unidad de medida de potencia. X,, Reactancia capacitiva. Es la componente de la impedancia de un condensador que depende de la frecuencia y la capacidad del mismo. Z,. Impedancia input (de entrada). Zp: Impedancia de entrada del montaje. Z,, Impedancia output (de salida). Zs: Impedancia de salida del montaje.Bibliografia ANGULO, J. Mz Electrénica digital moderna. Teoria y Pricticas, Paraninfo, Madrid, 1990. ANGULO, C, MUNOZ, A., y PAREJA, J. Practicas de Electronica 9. Semiconductores basicos: diodo y transistor, McGraw-Hill, Madrid, 1989. BERGTOLD, F:: Triac y tiristores, CEAC, Barcelona, 1980, COLLAZO, J. L: Diccionario enciclopédico de términos técnicos. Inglés-espafiol, espafol-inglés, McGraw-Hill, México, 1980. CUESTA, L, GIL PADILLA, A, y REMIRO, F:: Electrénica analégica (Schaum), McGraw-Hill, Madrid, 1991. GIL PADILLA, A: Electrénica General 2. Dispositivos basicos y analégicos, McGraw-Hill, Madrid, 1990. GRUPO EPS: Tecnologia electrénica 1.° FP, Bruiio-Edebe, Zaragoza. PAREJA, J., MUNOZ, A. y ANGULO C: Pricticas de Electrinica 2. Semiconductores avanzados y OP-AM, McGraw-Hill, Madrid, 1990. PERTENCE, A.: Amplificadores operacionales y filtros activos, McGraw-Hill, Madrid, 1991. Manuales técnicos HARRIS SEMICONDUCTOR: Linear & Telecom ICs for analog signal processing applications, Agosto, 1991, MOTOROLA, Fast and LS TTL Data, 1992. MOTOROLA, High-Speed CMOS Logic Data, 1991. MOTOROLA SEMICONDUCTOR, Master Selection Guide, 1992. OMROM ELECTRONICS, Carélogo general 90/91. COPRESA, General Catalogue, 1990.Indice analitico Actuador, 191 Alimentacién, fuente de, 6-8 Ajuste, de intensidad, 14, 15 de tensién, 14, 15 Amperimetro, 8 Amplificacién, 45, 46 Amplificador diferencial, 129, 130 estructura interna, 130-132 Analogica, 247 AND, 250, 257 Angulo, de conduccién, en el SCR, 99, 101 en el TRIAC, 110 de encendido, en el SCR, 99, 102 en el TRIAG, 110 Anodo, del DIAC, 108 del diodo, 22 del display, 220 del LED, 220 del SCR, 81 del TRIAC, 106 Autopolarizado, 53, 54 Banda, ancho de, 13, 57 de conduccién, 28, 220 energética, 220 Base, 44 comin, 58 UST, 91 Biestable, D, 282 IK, 282 RS, 282 T, 282 Bitonal, 177 Boole, ‘Algebra de, 261 postulados, 261-267 teoremas, 267-269 Captador, 191 Cargas inductivas, en el SCR, 100 Casilla adyacente, 271 Catodo, del diodo, 22 del display, 220 del LED, 220 del SCR, 77 del TRIC, 106 Cebado o encendido, en el SCR, 83 Cireuito de puerta, 6 Clases de precision, 4 Colector, comin, 59 ‘Comparador, logico, 280-282 Contador preseleccionable, 290 Conversi6n de datos, 276 Corte, 45 Cuadripolo, 57 Curie, punto de, 211324 — PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Decodificador, 276 Deflexion, cn las placas del TRC, 9 placas de, 12 Demultiplexor, 276, 277 Descebado 0 bloqueo, en el SCR, 86-88 Desfase, 99 Detector, 197-198 DIAC, caracteristicas, 108, 109 Diafragma, 194 Diagrama de bloques, 8 Digital, electrénica, 247 polimetro, 5, 6 DIMMER, 110-114 Diodo, anilisis, 21, 22 caracteristica tensién-corriente, 23-24 IRED, 220 LED, 27, 220-222 TUNEL, 22 VARICAP, 22 verificacién e identificacion, 27-29 ZENER, 22 Disparo, del SCR, 88 Display, 220 Doblador de tension, 207 Doble constante, 113 Dual in line, 281 Efecto, avalancha, 38 Joule, 26 ZENER, 38 Eletroluminiscente, 217 Emisor, comin, 57 del UST, 89 luminico, 217 ultras6nico, 207 Encapsulado, del SCR, 79 Error de paralelaje, 4, 5 Estabilizador, paralelo, 39 serie, 39 Extensimetro, 193 Factor, de forma, 31, 32 de rizado, 31, 32 Familias logicas, CMOS, 256-257 TTL, 254-256 Fase medida de, 18, 19 Fijador, 26, 27 Filamento, 10 Filtro, activo, 33, pasa alta, 33 pasa baja, 33 pasa banda, 33, pasivo, 33 Fluido, 193 Fotocélulas, 223 Fotodiodo, 219 Fotones, 219 Fotosensible, 217 Fototransistor, 219 Frecuencia, medida de, 3 Funcién, igualdad, 249 interseccién, 250-251 memoria, 282 NAND, 251-252 negacién, 251 NOR, 252 NOR-EXCLUSIVA, 252-253 OR-EXCLUSIVA, 252-253 unién, 249-250 Funciones logicas, basicas, 248-251 derivadas, 251-253 FUZZY, tecnologia, 247 Galvinica, separacién, 223 Ganancia, de intensidad, 57-59 de potencia, 57-59 de tensién, 57-59 Generador de baja frecuencia, 8, 9 Germanio, 25 Graetz, puente de, 35Histéresis, 111 Infrarrojo, 217, 222 Instrumento de laboratorio, 3 Interrupcién de haz ultrasénico, 206-207 Interruptor de proximidad, 200-203 Inversora OP-AMP, entrada, 128 Karnaugh, agrupacion, 271 mapas de, 271-272 normas de obtencién por, 273-274 reduccién grifica por, 271-275 LDR, caracteristicas, 217-218 LED, vida atil, 29, 220 Limitador, 25-27 Lissajous, método de, 15 Légica, cableada, 247 funciones, 248 programada, 247 Membrana, 193 Morgan, leyes de, 270 Muttiplexor, 276-280 Multivibrador, biestable, 155 monoestable, 155 NPN, como transistor, 43 como transductor, 202-203 ‘Ondas ultrasénicas, 205 Optoacoplador, 222, 223, 226, 227 Optoaislador, 223 Optoclectrénico, 217 Oscilador, con PUT, 96 con UST, 92 Osciloscopio, 8-9 ajuste del, 14 INDICE ANALITICO alimentaci6n del, 9, 13, amplificador horizontal del, 9, 13 amplificador vertical del, 9, 12 base de tiempos del, 9 caratula de la pantalla del, 16 entradas Ye Y, 14 TRC del 9-12 Parametros, ay B44 n, 89 Piezoeléctrico, 206 PNP, como transistor, 43 como transductor, 202 Polarizacién, directa, 21 inversa, 21 Polarizar, 21 analdgico, 4 clases de precisién del, 4 conversion D/A, 6 digital, 5 errores, 4, 5 fondo de escala, lectura, 4 sensibilidad, 4, 5 visualizadores, 5 Presencia, control de, 203-204 Puerta, del TRIAC, 106 del SCR, 83 standar TTL, 255 Puertas légicas, AND y NAND, 257 EXOR y N-EXOR, 258 NOT, 258 OR y NOR, 258 a Punto de trabajo, 48, 49 Realimentacién, 50, 51 Receptor ultrasonico, 205 Rectificador, con filtro, 32 monofisico de media onda, 30, 31 monofisico de onda completa, 34, 35 puente, 35326 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS rendimiento del, 30-31 trifésico de media onda, 114 trifasico de onda completa, 116 triffisico semicontrolado, 118 Reflexidn ultrasonica, 20: Rejilla, 10, 11 Relé, 226 Resistencia, de entrada, 57 de salida, 57 Restaurador, 26 Saturacién, 45 SCR, Angulo del, 99 caracteristicas del, 80, 81 ‘control de ca con, 86 Sensibilidad, del polimetro, 4, 5 del transductor, 191 Sensor, 191 Semiconductor, diodo, 21, 22 Silicio, 25 Sistemas digitales, combinacionales, 276-282 secuenciales, 282 ‘SSI, circuitos integrados, 253 Tabla, de transicién, 291 de verdad, 248 Temporizador, 226 Tension, de pico, 18 de umbral, 23 eficaz, 18 medida con osciloscopio, 18 valor maximo de, 18 valor medio de, 18 valle, 91 Termistores, NTC, caracteristicas, 209 encapsulado, 210 PTC, caracteristicas, 210, 211 encapsulado, 212 ‘Termopares, uniones de los, 212-213 Tiempo, medido con osciloscopio, 8, 9 Tierra virtual, 134 Tiristores, DIAG, 77, 108 SCR, 78 TRIAC, 77, 106 Transductores, de control de nivel, ‘capacitivos, 196 mecinico-resistivos, 194 de luminosidad, 217 de medida de caudal, 193-194 de posicién, 199-200 de presidn, 193 capacitivos, 193 extensimétricos, 193 de proximidad, capacitivos, 200-201 cilindricos, 201 inductivos, 200-201 orientables, 201 tipo NPN, 212-213 tipo PNP, 212-213 de reflexién ultrasénica, 205-208 de temperatura, 209-216 de velocidad, 199 Transistores, bipolares, 42 caracteristicas de los, 42 polarizacién de los, 48 PUT, 96 UIT, 91 unipolares, 47 verificacién e identificacién, 45 TRIAC, caracteristicas del, 106-108 cuadrantes del, 108 Unién, anédica, 79 catédica, 79 con polarizacion directa, 22 con polarizacién inversa, 22‘Valvula, 10 Variable logica, 248 Venturi, tubo de, 193-194 Visualizador de siete segmentos, 220 Wehnelt, anillo de, 10, 11 Wheatstone, puente de, 4 ZENER, caracteristicas del, 36 efecto, 38 estabilizador con, 39 verificacion e identificacién del, 39 Z 62 2,63