EQUIPO 1

Conclusin
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que
el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los
transistores FET son dispositivos controlados por tensin. En ambos casos, la
corriente del circuito de salida es controlada por un parmetro del circuito de
entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensin
aplicada.
En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del
camino de conduccin del circuito de salida sin que exista contacto directo
entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensin).
En el instante en que apliquemos una tensin VDS, los electrones se vern
atrados hacia el lado del drenado, establecindose una corriente ID en el
sentido mostrado en la Figura 7.4. Bajo estas condiciones las corrientes ID e IS
sern iguales y se vern nicamente limitadas por la resistencia elctrica que
presenta el canal entre el drenado y la fuente.
En el instante en que apliquemos una tensin VDS, los electrones se vern
atrados hacia el lado del drenado, establecindose una corriente ID en el
sentido mostrado en la Figura 7.4. Bajo estas condiciones las corrientes ID e IS
sern iguales y se vern nicamente limitadas por la resistencia elctrica que
presenta el canal entre el drenado y la fuente.
Sin embargo, a medida que aumentamos la tensin aplicada, el
estrechamiento del canal se va haciendo ms importante, lo que lleva consigo
un aumento de la resistencia y por tanto un menor incremento en la corriente
ante un mismo incremento de la tensin aplicada
Podramos pensar que si el canal se cierra por completo la corriente que circula
por el mismo debera ser nula pero Al suceder esto el canal tendra que estar
abierto por completo desde la fuente hasta el drenado, con lo que se
contradice de forma clara la suposicin inicial de un canal cerrado. En otras
palabras, debe fluir una corriente en el JFET para inducir y mantener la
condicin de estrangulamiento.
Una vez alcanzado el punto de estrangulamiento, si se incrementa la tensin
por encima de Visa, la porcin de estrangulamiento se ensancha una extensin
L desde un punto dentro de la zona de canal
Zona de corte o de no conduccin. Se corresponde con el eje horizontal de la
grfica. En esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto
se da para valores de VGS VGSoff, donde el canal est completamente
cerrado
Teniendo en cuenta que VDS = VGS + VDG la ruptura se dar para VDSruptura
VGS + Vr

EQUIPO 1

INSTITUTO POLITECNICO
NACIONAL
ESIME ZACATENCO
INGENIERIA EN CONTROL Y AUTOMATIZACION

ELECTRONICA 1
PRACTICA.- TRANSISTORES
INTEGRANTES.Belmont Ortega Rodolfo Ezekiel
Garca Flores Daniel Salvador
Ramrez Pin Jorge

PROFESOR.- Jorge Galvn

Fecha: 29/Nov/2016

EQUIPO 1

Objetivo.Comprender el funcionamiento de un transistor y observar lo sencillo y til que

resulta el poder manipular sus funciones.

Marco Terico.Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor"
("resistencia de transferencia"). Actualmente se les encuentra prcticamente en
todos los enseres domsticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras,
reproductores de audio y vdeo, hornos de microondas, lavadoras, reproductores
mp3, celulares.

EQUIPO 1

Tipos de Transistor.-

Transistor de contacto puntual

Consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se apoyan, muy
juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente
de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector.

Transistor de unin bipolar

He fabrica bsicamente sobre un mono cristal de Germanio o Silicio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se
contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo
tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsnico
(As) o Fsforo (P).

Transistor de efecto de campo

Es una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden
plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayora de los FET estn hechos usando las tcnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea mono cristalina semiconductora
como la regin activa o canal.
Los transistores de efecto de campo ms conocidos son los JFET, MOSFET y
MISFET.

Disipadores de calor

EQUIPO 1

Un disipador es un componente metlico generalmente de aluminio que se utilizan

para evitar que los transistores bipolares se calienten y se daen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es deshacerse del
calor interno del encapsulado.

Transistor de potencia
Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que soportan altas
tensiones e intensidades que soportan, pero debido a ello tambin tienen que
disipar altas potencias y su recalentamiento es prolongado; para evitar el sobre
recalentamiento se usa los disipadores.
- Bipolar.
- Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.
- IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada).

MATERIAL EMPLEADO
Transistores tipo P y N
Protoboard
Fuente de alimentacin

Resistencias de 330 y 1k
Cables para conexin

EQUIPO 1

DESARROLLO EXPERIMENTAL
Al iniciar se armaron 4 circuitos con dos tipos de transistores uno PNP y el otro
NPN de los cuales se conectaran a una fuente y a dos fuentes segn sea el caso
del circuito. Los circuitos se encuentran a continuacin con sus respectivas
acotaciones as como su explicacin y sus valores obtenidos.
Circuito 1
E

N
+
5v

1k

B
A

En este primer circuito se conect el transistor tipo NPN con una fuente a 5 v C.D
y posteriormente se tomaron las mediciones de corriente que circulaba entre el
colector, en la base y en el emisor para que posteriormente se calcularan
tericamente y
Valores
IC=5.7 mA
IB =0.018 mA
IE =5.6 mA

EQUIPO 1

Circuito 2
E

P
5v

1k

C
A

En este segundo circuito se conect el transistor tipo PNP con una fuente a 5 v
C.D y posteriormente se tomaron las mediciones de corriente que circulaba entre
el colector, en la base y en el emisor para que posteriormente se calcularan
tericamente y
Valores
IC=5 mA
IB =0.8 mA
IE =5.7 mA

EQUIPO 1

Circuito 3

N
+
5v

1k

P
C

N
470k

En este tercer circuito se conect el transistor tipo NPN con dos fuentes distintas
a 5 v C.D y posteriormente se tomaron las mediciones de corriente que circulaba
entre el colector, en la base y en el emisor para que posteriormente se calcularan
tericamente y
Valores
IC=0.001 mA
IB =0.01 mA
IE =0.09 mA

EQUIPO 1

Circuito 4

P
5v

1k

N
C

P
470k

En este ltimo circuito se conect el transistor tipo PNP con dos fuentes distintas
a 5 v C.D y posteriormente se tomaron las mediciones de corriente que circulaba
entre el colector, en la base y en el emisor para que posteriormente se calcularan
tericamente y
Valores
IC=5.6 mA
IB =5.6 mA
IE =0.013 mA

EQUIPO 1

RESULTADOS OBTENIDOS
Circuito 1
Valores
=

IC=5.7 mA

IB =0.018 mA

Ic
Ib

Ic
Ie

IE =5.6 mA
RESULTADOS
= 316.66
= 1.017

Circuito 2
Valores
IC=5 mA

IB =0.8 mA
IE =5.7 mA
RESULTADOS
= 6.25
= 0.877

Circuito 3

Ic
Ib

Ic
Ie

EQUIPO 1

Valores
=

IC=0.001 mA

IB =0.01 mA

Ic
Ib

Ic
Ie

IE =0.09 mA
RESULTADOS
= 0.1
= 0.001
Circuito 4
Valores
=

IC=5.6 mA

IB =5.6 mA

Ic
Ib

Ic
Ie

IE =0.013 mA
RESULTADOS
= 1
= 5600

CONCLUSIONES
Belmont Ortega Ezequiel
Al concluir con la prctica se logr ver el comportamiento de los transistores npn y
pnp dentro de dos tipos de circuitos uno con una fuente y el otro con dos fuente, y
se logr observar el cmo es que vara su corriente en distintos puntos del circuito
por el transistor, as como el tambin como es que cambia demasiado el solo
hecho de que se cambie el transistor npn por uno pnp
Garca Flores Daniel Salvador:
De esta prctica puedo decir que nos facilit las ideas que tenamos de conexin
en un transistor, pues solo lo habamos checado tericamente demostramos que

EQUIPO 1

una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin de electrones

capaces de cruzar la base y alcanzar el colector, es con eso que se dedujo que La
ganancia de corriente emisor comn est representada por F.
Otro parmetro importante es la ganancia de corriente base comn, F ya que La
ganancia de corriente base comn es aproximadamente la ganancia de corriente
desde emisor a colector en la regin activa directa.
Ramrez Pin Jorge

BIBLIOGRAFIA
http://www.monografias.com/trabajos102/transistores-definicion-tiposcomposicion/transistores-definicion-tipos-composicion.shtml#ixzz4RLII272q
http://www.educachip.com/tipos-de-transistor/
https://es.scribd.com/doc/69304846/El-Alfa-y-Beta-Del-Transistor