Manual do Professor Eletrnica Bsica

01

Manual do Professor
1. Introduo
Por muito tempo, a educao profissional foi desprezada e considerada
de segunda classe. Atualmente, a opo pela formao tcnica festejada, pois
alia os conhecimentos do saber fazer com a formao geral do conhecer e
do saber ser; a formao integral do estudante.

Eletrnica Bsica

Este livro didtico mais uma ferramenta para a formao integral, pois
alia o instrumental para aplicao prtica com as bases cientficas e tecnolgicas, ou seja, permite aplicar a cincia em solues do dia a dia.
Alm do livro, compe esta formao do tcnico o preparo do professor,
as prticas laboratoriais, o estgio, a visita tcnica e outras atividades inerentes
a cada plano de curso. Dessa forma, o livro, com sua estruturao pedagogicamente elaborada, uma ferramenta altamente relevante, pois fio condutor
dessas atividades formativas.
Ele est contextualizado com a realidade, as necessidades do mundo do
trabalho, os arranjos produtivos, o interesse da incluso social e a aplicao
cotidiana. Essa contextualizao elimina a dicotomia entre atividade intelectual e atividade manual, pois no s prepara o profissional para trabalhar em
atividades produtivas, mas tambm com conhecimentos e atitudes, com vistas
atuao poltica na sociedade. Afinal, desejo de todo educador formar cidados produtivos.
Outro valor pedaggico acompanha esta obra: o fortalecimento mtuo
da formao geral e da formao especfica (tcnica). O Exame Nacional do
Ensino Mdio (ENEM) tem demonstrado que os alunos que estudam em
um curso tcnico tiram melhores notas, pois ao estudar para resolver um problema prtico ele aprimora os conhecimentos da formao geral (qumica,
fsica, matemtica, etc.); e ao contrrio, quando estudam uma disciplina geral
passam a aprimorar possibilidades da parte tcnica.

Pretendemos contribuir para resolver o problema do desemprego,

preparando os alunos para atuar na rea cientfica, industrial, de transaes
e comercial, conforme seu interesse. Por outro lado, preparamos os alunos
para ser independentes no processo formativo, permitindo que trabalhem
durante parte do dia no comrcio ou na indstria e prossigam em seus
estudos superiores no contraturno. Dessa forma, podem constituir seu itinerrio formativo e, ao concluir um curso superior, sero robustamente
formados em relao a outros, que no tiveram a oportunidade de realizar
um curso tcnico.
Por fim, este livro pretende ser til para a economia brasileira, aprimorando nossa fora produtiva ao mesmo tempo em que dispensa a importao
de tcnicos estrangeiros para atender s demandas da nossa economia.

1.1 Por que a Formao Tcnica de Nvel Mdio

Importante?
O tcnico desempenha papel vital no desenvolvimento do pas por
meio da criao de recursos humanos qualificados, aumento da produtividade
industrial e melhoria da qualidade de vida.
Alguns benefcios do ensino profissionalizante para o formando:
Aumento dos salrios em comparao com aqueles que tm apenas
o Ensino Mdio;
Maior estabilidade no emprego;

Maior rapidez para adentrar ao mercado de trabalho;

Mais de 72% ao se formarem esto empregados;
Mais de 65% dos concluintes passam a trabalhar naquilo que gostam
e em que se formaram.
Esses dados so oriundos de pesquisas. Uma delas, intitulada Educao
profissional e voc no mercado de trabalho, realizada pela Fundao Getlio
Vargas e o Instituto Votorantim, comprova o acerto do Governo ao colocar,
entre os quatro eixos do Plano de Desenvolvimento da Educao (PDE),
investimentos para a popularizao da Educao Profissional. Para as empresas, os cursos oferecidos pelas escolas profissionais atendem de forma mais
eficiente s diferentes necessidades dos negcios.
Outra pesquisa, feita em 2009 pela Secretaria de Educao Profissional
e Tecnolgica (Setec), rgo do Ministrio da Educao (MEC), chamada
Pesquisa nacional de egressos, revelou tambm que de cada dez alunos, seis
recebem salrio na mdia da categoria. O percentual dos que qualificaram a
formao recebida como boa e tima foi de 90%.

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Facilidade em conciliar trabalho e estudos;

2. Ensino Profissionalizante no Brasil e

Necessidade do Livro Didtico Tcnico
O Decreto Federal n 5.154/2004 estabelece inmeras possibilidades de
combinar a formao geral com a formao tcnica especfica. Os cursos tcnicos podem ser ofertados da seguinte forma:
a) Integrado ao mesmo tempo em que estuda disciplinas de formao geral o aluno tambm recebe contedos da parte tcnica, na
mesma escola e no mesmo turno.
b) Concomitante num turno o aluno estuda numa escola que s
oferece Ensino Mdio e num outro turno ou escola recebe a formao tcnica.
c) Subsequente o aluno s vai para as aulas tcnicas, no caso de j
ter concludo o Ensino Mdio.
Com o Decreto Federal n 5.840/2006, foi criado o programa de profissionalizao para a modalidade Jovens e Adultos (Proeja) em Nvel Mdio,
que uma variante da forma integrada.
Em 2008, aps ser aprovado pelo Conselho Nacional de Educao pelo
Parecer CNE/CEB n 11/2008, foi lanado o Catlogo Nacional de Cursos
Tcnicos, com o fim de orientar a oferta desses cursos em nvel nacional.

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O Catlogo consolidou diversas nomenclaturas em 185 denominaes

de cursos. Estes esto organizados em 12 eixos tecnolgicos, a saber:
1. Ambiente, Sade e Segurana
2. Apoio Educacional
3. Controle e Processos Industriais
4. Gesto e Negcios
5. Hospitalidade e Lazer
6. Informao e Comunicao
7. Infraestrutura
8. Militar
9. Produo Alimentcia
10. Produo Cultural e Design
11. Produo Industrial
12. Recursos Naturais.
Para cada curso, o Catlogo estabelece carga horria mnima para a
parte tcnica (de 800 a 1 200 horas), perfil profissional, possibilidades de
temas a serem abordados na formao, possibilidades de atuao e
infraestrutura recomendada para realizao do curso. Com isso, passa a ser

um mecanismo de organizao e orientao da oferta nacional e tem funo

indutora ao destacar novas ofertas em nichos tecnolgicos, culturais, ambientais e produtivos, para formao do tcnico de Nvel Mdio.
Dessa forma, passamos a ter no Brasil uma nova estruturao legal para a
oferta destes cursos. Ao mesmo tempo, os governos federal e estaduais passaram a investir em novas escolas tcnicas, aumentando a oferta de vagas. Dados
divulgados pelo Ministrio da Educao apontaram que o nmero de alunos
na educao profissionalizante passou de 693 mil em 2007 para 795 mil em
2008 um crescimento de 14,7%. A demanda por vagas em cursos tcnicos
tem tendncia para aumentar, tanto devido nova importncia social e legal
dada a esses cursos, como tambm pelo crescimento do Brasil.
COMPARAO DE MATRCULAS BRASIL
Comparao de Matrculas da Educao Bsica por Etapa e Modalidade Brasil, 2007 e 2008.
Etapas/Modalidades de
Educao Bsica

Matrculas / Ano
2007

2008

Diferena 2007-2008

Variao 2007-2008

Educao Bsica

53.028.928

53.232.868

203.940

0,4

Educao Infantil

6.509.868

6.719.261

209.393

3,2

Creche

1.579.581

1.751.736

172.155

10,9

Pr-escola

4.930.287

4.967.525

37.238

0,8

32.122.273

32.086.700

35.573

0,1

8.369.369

8.366.100

3.269

0,0

Educao Profissional

693.610

795.459

101.849

14,7

Educao Especial

348.470

319.924

28.546

8,2

EJA

4.985.338

4.945.424

39.914

0,8

Ensino Fundamental

3.367.032

3.295.240

71.792

2,1

Ensino Mdio

1.618.306

1.650.184

31.878

2,0

Ensino Fundamental
Ensino Mdio

Fonte: Adaptado de: MEC/Inep/Deed.

Para atender demanda do setor produtivo e satisfazer a procura dos estudantes, seria necessrio mais que triplicar as vagas tcnicas existentes hoje.
Outro fator que determina a busca pelo ensino tcnico ser este uma
boa opo de formao secundria para um grupo cada vez maior de estudantes. Parte dos concluintes do Ensino Mdio (59% pelo Censo Inep, 2004), por
diversos fatores, no buscam o curso superior. Associa-se a isso a escolarizao
lquida do Ensino Fundamental, que est prxima de 95%, e a escolarizao
bruta em 116% (Inep, 2007), mostrando uma
presso de entrada no Ensino Mdio, pelo fluxo
quase regular dos que o concluem.
A escolarizao lquida do Ensino Mdio
em 2009 foi de 53%, enquanto a bruta foi de 84%
(Inep, 2009), o que gera um excedente de alunos
para esta etapa.

Escolarizao lquida a relao entre a populao na faixa de idade prpria para a escola e o
nmero de matriculados da faixa. Escolarizao
bruta a relao entre a populao na faixa
adequada para o nvel escolar e o total de matriculados, independente da idade.

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No aspecto econmico, h necessidade de expandir a oferta desse tipo

de curso, cujo principal objetivo formar o aluno para atuar no mercado de
trabalho, j que falta trabalhador ou pessoa qualificada para assumir imediatamente as vagas disponveis. Por conta disso, muitas empresas tm que arcar
com o treinamento de seus funcionrios, treinamento esse que no d ao
funcionrio um diploma, ou seja, no formalmente reconhecido.

Atualmente, o nmero de matriculados no Ensino Mdio est em

torno de 9 milhes de estudantes. Se considerarmos o esquema a seguir,
conclumos que em breve devemos dobrar a oferta de Nvel Mdio, pois
h 9,8 milhes de alunos com fluxo regular do Fundamental, 8 milhes no
excedente e 3,2 milhes que possuem o Ensino Mdio, mas no tm interesse em cursar o Ensino Superior. Alm disso, h os que possuem curso
superior, mas buscam um curso tcnico como complemento da formao.
Com curso
Superior

Interessados com
Ensino Fundamental

PROEJA

Estimativa 8 milhes.

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Integrao

Subsequente

Com Ensino Mdio

3,2 milhes.

Tcnico

Ensino Fundamental
116% bruta
94,6% lquida (2007)

9,8 milhes

A experincia internacional tem mostrado que 30% das matrculas

da educao secundria correspondem a cursos tcnicos; este o patamar
idealizado pelo Ministrio da Educao. Se hoje h 795 mil estudantes matriculados, para atingir essa porcentagem devemos matricular pelo menos trs
milhes de estudantes em cursos tcnicos dentro de cinco anos.
Para cada situao pode ser adotada uma modalidade ou forma de Ensino
Mdio profissionalizante, de forma a atender a demanda crescente. Para os advindos do fluxo regular do Ensino Fundamental, por exemplo, recomendado o
curso tcnico integrado ao Ensino Mdio. Para aqueles que no tiveram a oportunidade de cursar o Ensino Mdio, a oferta do Proeja estimularia sua volta ao
ensino secundrio, pois o programa est associado formao profissional. Alm
disso, o Proeja considera os conhecimentos adquiridos na vida e no trabalho,
diminuindo a carga de formao geral e privilegiando a formao especfica. J
para aqueles que possuem o Ensino Mdio ou Superior a modalidade recomendada a subsequente: somente a formao tcnica especfica.
Para todos eles, com ligeiras adaptaes metodolgicas e de abordagem do professor, extremamente til o uso do livro didtico tcnico, para
maior eficcia da hora/aula do curso, no importando a modalidade do curso
e como ser ofertado.
Alm disso, o contedo deste livro didtico tcnico e a forma como
foi concebido refora a formao geral, pois est contextualizado com a prtica social do estudante e relaciona permanentemente os conhecimentos da
cincia, implicando na melhoria da qualidade da formao geral e das demais
disciplinas do Ensino Mdio.

Em resumo, h claramente uma nova perspectiva para a formao tcnica com base em sua crescente valorizao social, na demanda da economia,
no aprimoramento de sua regulao e como opo para enfrentar a crise de
qualidade e quantidade do Ensino Mdio.

3. O Que Educao Profissionalizante?

O ensino profissional prepara os alunos para carreiras que esto baseadas
em atividades mais prticas. O ensino menos acadmico, contudo diretamente
relacionado com a inovao tecnolgica e os novos modos de organizao da
produo, por isso a escolarizao imprescindvel nesse processo.

4. Elaborao dos Livros Didticos

Tcnicos

5. O Livro Didtico Tcnico e o

Processo de Avaliao
O termo avaliar tem sido constantemente associado a expresses como:
realizar prova, fazer exame, atribuir notas, repetir ou passar de ano. Nela a
educao concebida como mera transmisso e memorizao de informaes prontas e o aluno visto como um ser passivo e receptivo.
Avaliao educacional necessria para fins de documentao, geralmente para embasar objetivamente a deciso do professor ou da escola, para
fins de progresso do aluno.
O termo avaliao deriva da palavra valer, que vem do latim vlre, e
refere-se a ter valor, ser vlido. Consequentemente, um processo de avaliao tem por objetivo averiguar o "valor" de determinado indivduo.
Mas precisamos ir alm.

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Devido ao fato do ensino tcnico e profissionalizante ter sido renegado

a segundo plano por muitos anos, a bibliografia para diversas reas praticamente inexistente. Muitos docentes se veem obrigados a utilizar e adaptar
livros que foram escritos para a graduao. Estes compndios, s vezes tradues de livros estrangeiros, so usados para vrios cursos superiores. Por
serem inacessveis maioria dos alunos por conta de seu custo, comum que
professores preparem apostilas a partir de alguns de seus captulos.
Tal problema agravado quando falamos do Ensino Tcnico integrado
ao Mdio, cujos alunos correspondem faixa etria entre 14 e 19 anos, em
mdia. Para esta faixa etria preciso de linguagem e abordagem diferenciadas, para que aprender deixe de ser um simples ato de memorizao e
ensinar signifique mais do que repassar contedos prontos.
Outro pblico importante corresponde queles alunos que esto
afastados das salas de aula h muitos anos e veem no ensino tcnico uma
oportunidade de retomar os estudos e ingressar no mercado profissional.

A avaliao deve ser aplicada como instrumento de compreenso do nvel de aprendizagem

dos alunos em relao aos conceitos estudados (conhecimento), em relao ao desenvolvimento
de criatividade, iniciativa, dedicao e princpios ticos (atitude) e ao processo de ao prtica
com eficincia e eficcia (habilidades). Este livro didtico ajuda, sobretudo para o processo do
conhecimento e tambm como guia para o desenvolvimento de atitudes. As habilidades, em
geral, esto associadas a prticas laboratoriais, atividades complementares e estgios.
A avaliao um ato que necessita ser contnuo, pois o processo de construo de conhecimentos pode oferecer muitos subsdios ao educador para perceber os avanos e dificuldades
dos educandos e, assim, rever a sua prtica e redirecionar as suas aes, se necessrio. Em cada
etapa registros so feitos. So os registros feitos ao longo do processo educativo, tendo em vista
a compreenso e a descrio dos desempenhos das aprendizagens dos estudantes, com possveis
demandas de intervenes, que caracterizam o processo avaliativo, formalizando, para efeito
legal, os progressos obtidos.
Neste processo de aprendizagem deve-se manter a interao entre professor e aluno,
promovendo o conhecimento participativo, coletivo e construtivo. A avaliao deve ser um
processo natural que acontece para que o professor tenha uma noo dos contedos assimilados
pelos alunos, bem como saber se as metodologias de ensino adotadas por ele esto surtindo
efeito na aprendizagem dos alunos.

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Avaliao deve ser um processo que ocorre dia aps dia, visando correo de erros e
encaminhando o aluno para aquisio dos objetivos previstos. A esta correo de rumos, ns
chamamos de avaliao formativa, pois serve para retomar o processo de ensino/aprendizagem,
mas com novos enfoques, mtodos e materiais. Ao usar diversos tipos de avaliaes combinadas
para fim de retroalimentar o ensinar/aprender, de forma dinmica, conclumos que se trata de
um processo de avaliao.
O resultado da avaliao deve permitir que o professor e o aluno dialoguem, buscando
encontrar e corrigir possveis erros, redirecionando o aluno e mantendo a motivao para o
progresso do educando, sugerindo a ele novas formas de estudo para melhor compreenso dos
assuntos abordados.
Se ao fizer avaliaes contnuas, percebermos que um aluno tem dificuldade em assimilar
conhecimentos, atitudes e habilidades, ento devemos mudar o rumo das coisas. Quem sabe
fazer um reforo da aula, com uma nova abordagem ou com outro colega professor, em um
horrio alternativo, podendo ser em grupo ou s, assim por diante. Pode ser ainda que a aprendizagem daquele tema seja facilitada ao aluno fazendo prticas discursivas, escrever textos, uso
de ensaios no laboratrio, chegando a concluso que este aluno necessita de um processo de
ensino/aprendizagem que envolva ouvir, escrever, falar e at mesmo praticar o tema.
Se isso acontecer, a avaliao efetivamente formativa.
Neste caso, a avaliao est integrada ao processo de ensino/aprendizagem, e esta, por
sua vez, deve envolver o aluno, ter um significado com o seu contexto, para que realmente
acontea. Como a aprendizagem se faz em processo, ela precisa ser acompanhada de retornos
avaliativos visando a fornecer os dados para eventuais correes.
Para o uso adequado deste livro recomendamos utilizar diversos tipos de avaliaes, cada
qual com pesos e frequncias de acordo com perfil de docncia de cada professor. Podem ser
usadas as tradicionais provas e testes, mas, procurar fugir de sua soberania, mesclando com outras
criativas formas.

5.1 Avaliao e Progresso

Para efeito de progresso do aluno, o docente deve sempre considerar os avanos alcanados
ao longo do processo e perguntar-se: Este aluno progrediu em relao ao seu patamar anterior? Este
aluno progrediu em relao s primeiras avaliaes? Respondidas estas questes, volta a perguntar-se:
Este aluno apresentou progresso suficiente para acompanhar a prxima etapa? Com isso o professor
e a escola podem embasar o deferimento da progresso do estudante.
Com isso, superamos a antiga avaliao conformadora em que eram exigidos padres iguais
para todos os formandos.
Nossa proposta significa, conceitualmente, que ao estudante dado o direito, pela avaliao,
de verificar se deu um passo a mais em relao as suas competncias. Os diversos estudantes tero
desenvolvimentos diferenciados, medidos por um processo avaliativo que incorpora esta possibilidade. Aqueles que acrescentaram progresso em seus conhecimentos, atitudes e habilidades
estaro aptos a progredir.
A base para a progresso, neste caso, o prprio aluno.
Todos tm o direito de dar um passo a mais. Pois um bom processo de avaliao oportuniza
justia, transparncia e qualidade.

5.2 Tipos de Avaliao

Existem inmeras tcnicas avaliativas, no existe uma mais adequada, o importante que o
docente conhea vrias tcnicas para poder ter um conjunto de ferramentas a seu dispor e escolher a mais adequada dependendo da turma, faixa etria, perfil entre outros fatores.
Avaliao se torna ainda mais relevante quando os alunos se envolvem na sua prpria
avaliao.
A avaliao pode incluir:

1. Observao
3. Entrevistas
4. Desempenho nas tarefas
5. Exposies e demonstraes
6. Seminrios
7. Portflio: Conjunto organizado de trabalhos produzidos por um aluno ao longo de
um perodo de tempo.
8. Elaborao de jornais e revistas (fsicos e digitais)
9. Elaborao de projetos
10. Simulaes
11. O pr-teste
12. A avaliao objetiva
13. A avaliao subjetiva
14. Autoavaliao
15. Autoavaliao de dedicao e desempenho
16. Avaliaes interativas

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2. Ensaios

17. Prtica de exames

18. Participao em sala de aula
19. Participao em atividades
20. Avaliao em conselho pedaggico que inclui reunio para avaliao discente pelo grupo de
professores.
No livro didtico as atividades, as dicas e outras informaes destacadas podero resultar em avaliao de atitude, quando cobrado pelo professor em relao ao desempenho nas
tarefas. Podero resultar em avaliaes semanais de autoavaliao de desempenho se cobrado
oralmente pelo professor para o aluno perante a turma.
Enfim, o livro didtico, possibilita ao professor extenuar sua criatividade em prol de um
processo avaliativo retroalimentador ao processo ensino/aprendizagem para o desenvolvimento
mximo das competncias do aluno.

6. Objetivos da Obra
Alm de atender s peculiaridades citadas anteriormente, este livro est de acordo com
o Catlogo Nacional de Cursos Tcnicos. Busca o desenvolvimento das habilidades por meio
da construo de atividades prticas, fugindo da abordagem tradicional de descontextualizado
acmulo de informaes. Est voltado para um ensino contextualizado, mais dinmico e com
o suporte da interdisciplinaridade. Visa tambm ressignificao do espao escolar, tornando-o
vivo, repleto de interaes prticas, aberto ao real e s suas mltiplas dimenses.

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Ele est organizado em captulos, graduando as dificuldades, numa linha da lgica de aprendizagem passo a passo. No final dos captulos, h exerccios e atividades complementares, teis e
necessrias para o aluno descobrir, fixar, e aprofundar os conhecimentos e as prticas desenvolvidos no captulo.
A obra apresenta diagramao colorida e diversas ilustraes, de forma a ser agradvel e
instigante ao aluno. Afinal, livro tcnico no precisa ser impresso num sisudo preto-e-branco para
ser bom. Ser difcil de manusear e pouco atraente o mesmo que ter um professor dando aula de
cara feia permanentemente. Isso antididtico.
O livro servir tambm para a vida profissional ps-escolar, pois o tcnico sempre
necessitar consultar detalhes, tabelas e outras informaes para aplicar em situao real.
Nesse sentido, o livro didtico tcnico passa a ter funo de manual operativo ao egresso.
Neste manual do professor apresentamos:
Respostas e alguns comentrios sobre as atividades propostas;
Consideraes sobre a metodologia e o projeto didtico;
Sugestes para a gesto da sala de aula;
Uso do livro;
Atividades em grupo;
Laboratrio;
Projetos.

A seguir, so feitas consideraes sobre cada captulo, com sugestes de atividades

suplementares e orientaes didticas. Com uma linguagem clara, o manual contribui para
a ampliao e explorao das atividades propostas no livro do aluno. Os comentrios sobre as
atividades e seus objetivos trazem subsdios atuao do professor. Alm disso, apresentam-se
diversos instrumentos para uma avaliao coerente com as concepes da obra.

7. Referncias Bibliogrficas Gerais

FREIRE, P. Pedagogia da autonomia: saberes necessrios prtica educativa. So Paulo: Paz e
Terra, 1997.
FRIGOTTO, G. (Org.). Educao e trabalho: dilemas na educao do trabalhador. 5. ed. So
Paulo: Cortez, 2005.
BRASIL. LDB 9394/96. Disponvel em: <http://www.mec.gov.br>. Acesso em: 23 maio 2009.
LUCKESI, C. C. Avaliao da aprendizagem na escola: reelaborando conceitos e recriando a prtica. Salvador: Malabares Comunicao e Eventos, 2003.
PERRENOUD, P. Avaliao: da excelncia regulao das aprendizagens entre duas lgicas.
Porto Alegre: Artes Mdicas Sul, 1999.
LVAREZ MNDEZ, J. M. Avaliar para conhecer: examinar para excluir. Porto Alegre: Artmed, 2002.
Shepard, L. A. The role of assessment in a learning culture. Paper presented at the Annual Meeting
of the American Educational Research Association. Available at: <http://www.aera.net/meeting/am2000/wrap/praddr01.htm>.

8. Orientaes ao Professor

Na rea da sade, por exemplo, a construo de modernos aparelhos possibilitou a realizao de pesquisas avanadas e a descoberta de doenas. O advento da eletrnica proporcionou
tambm maior comodidade no dia a dia das pessoas com a inveno de aparelhos domsticos,
como forno de micro-ondas, televisores, aparelhos de DVD, Blue Ray, entre outros. Ainda surgiram veculos automotores e meios de aviao, com moderna eletrnica embarcada e elevada
segurana.
Devido imponncia do tema e alta aplicabilidade de eletrnica, o professor poder
esclarecer e incentivar o aluno quanto sua importncia. Poder atuar como mediador e mostrar as facilidades de um profissional que domina a rea de eletrnica tem para ingressar no
mercado de trabalho.
O livro de Eletrnica Bsica serve de apoio para proporcionar o aprendizado em eletrnica. Ele foi elaborado para atender aos cursos tcnicos integrados em eletrotcnica/eletrnica,
tcnicos subsequentes em eletrotcnica/eletrnica, alunos de cursos tecnolgicos e de engenharias eltrica e eletrnica, profissionais de automao, mecatrnica, telecomunicaes e outros
profissionais que precisam manter-se atualizados. O contedo abordado descreve de maneira
dinmica e didtica os conhecimentos relativos a eletrnica. Do ponto de vista metodolgico,
o livro trata o assunto de forma clara, objetiva e precisa. A matemtica aplicada objetiva e so
disponibilizados exerccios resolvidos. Ao final de cada captulo h um conjunto de problemas
para facilitar a fixao do contedo.

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Eletrnica Bsica

No decorrer dos anos, a eletrnica tem evoludo bastante e, dessa forma, assumiu um
papel importantssimo em nossas vidas. Basicamente, todas as reas e tudo que est ao nosso
redor tm algum aparelho construdo graas a essa tecnologia.

Suplementar a esta obra, seria interessante tambm que o docente

pudesse orientar o aluno sobre leituras complementares, indicando livros para
aprofundamento, revistas e sites na rea de eletrnica e eletricidade. Algumas
sugestes de livros, revistas e sites so apresentadas a seguir.

8.1 Objetivos do Material Didtico

Ao elaborarmos este livro, procuramos desenvolver um material que
auxilie o professor e o aluno visto que obras dedicadas ao Ensino Mdio
integrado so praticamente inexistentes. O objetivo deste livro trabalhar
com abordagens terica e prtica, destacando-se:
Proporcionar conceitos introdutrios acerca dos materiais semicondutores e suas aplicaes na construo de diodos e transistores;
Introduzir os conceitos gerais sobre diodos semicondutores;
Conhecer e analisar os principais tipos de retificadores a diodos;
Monitorar e calcular os principais parmetros e grandezas de um circuito eltrico a diodos;
Elaborar e montar circuitos eletrnicos em laboratrio (na prtica);
Elaborar e montar circuitos eletrnicos em laboratrio por meio de
simulaes computacionais (virtual);
Conhecer e manusear em laboratrio alguns equipamentos utilizados
para as medies de grandezas eltricas;

Eletrnica Bsica

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Estudar os circuitos ceifadores, grampeadores e multiplicadores de

tenso;
Verificar o funcionamento dos elementos resistor, indutor e capacitor
em corrente contnua;
Estudar circuitos com diodos Zener;
Montagem de fontes com tenso regulada a partir de diodos Zener;
Conhecer e manusear fontes regulveis fixas e variveis a partir de circuitos integrados;
Estudar o princpio de funcionamento dos transistores, verificar seus
possveis defeitos e estudar os mtodos de polarizao dos transistores.

8.2 Princpios Pedaggicos

Com assuntos atuais e uma linguagem clara e objetiva, esse livro
dividido em dez captulos. Cada captulo traz teoria, exerccios resolvidos
e propostos e atividades de simulao computacional que podem ser trabalhadas tanto em sala de aula quanto em prticas laboratoriais. Essa diviso
facilita o trabalho do professor no momento de dividir o captulo em aulas.
Respeitando o encadeamento de pr-requisitos, cada professor poder adotar a sequncia que sua experincia em sala de aula e seu conhecimento da
realidade local indicar.

Com o intuito de auxiliar os docentes no processo de ensino-aprendizagem e propiciar

mtodos de avaliao que complementam vrios tipos de atividades aos alunos, destacam-se,
entre outros:
Incentivar os alunos a fazer experimentos no laboratrio, quando projeto prtico;
Propor atividades de simulao computacional, quando o projeto for virtual;
Realizao de seminrios tcnicos;
Projetos interdisciplinares;
Sugerir circuitos prticos em aula, para que os alunos o analisem, encontrem seu problema e determinem os seus parmetros.

8.3 Articulao do Contedo

O contedo da obra poder interagir com outras disciplinas em atividades ou projetos de
estudo, pesquisa e ao, como por exemplo:

8.4 Atividades Complementares

As atividades complementares que os docentes podem realizar so as tcnicas de laboratrio, essenciais compreenso, diretamente ligadas prtica.
Os trabalhos em grupo devem ser motivados. Com eles, o aluno aprender a trabalhar em
equipe e trocar experincias. Podero ser feitas a montagem de equipamentos eltricos simples, tais
como fontes simtricas, amplificadores com o uso de transistores, montagem de retificadores, entre
outros.
Pesquisas de contedos tratados em sala de aula e que levam ao aprofundamento devem
ser valorizados.
A utilizao de softwares computacionais de grande importncia, haja visto que vrias
empresas que atuam nos setores eletrnicos, industriais e de energia eltrica privilegiam as
atividades de simulao de comportamento eltrico para a tomada de decises.

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Eletrnica Bsica

Ingls: Na interpretao, leitura de textos e catlogos de fabricantes (datasheets) que

geralmente so fornecidos na lngua inglesa.
Qumica: O primeiro passo para a compreenso do funcionamento dos diodos entender
os princpios dos semicondutores que aplicam conceitos de qumica no seu entendimento. Testes laboratoriais de qumica, envolvendo dopagem podero ser feitos.
Fsica: Uma parte da fsica trata da eletricidade que pr-requisito para aplicao dos
conceitos de eletrnica.
Portugus: Preparao e elaborao de relatrios tcnicos referentes aos
experimentos.
Informtica bsica e aplicada: Vrios circuitos eletrnicos podem ser simulados e suas
grandezas podero ser verificadas/manipuladas com o uso de softwares afins.
Circuitos eltricos/eletricidade: Para aplicar os conceitos como Lei das Tenses e
Corrente de Kirchhoff, Lei das Malhas e dos Ns, utilizados em eletrnica.
Acionamento de Mquinas Eltricas: Aplicao do aprendizado no acionamento de
motores eltricos (motores de passo, motores de corrente contnua e motores de
induo).

8.5 Sugestes de Leitura

BOGART JR. T. F. Dispositivos e Circuitos Eletrnicos. So Paulo: Makron Books, [s.d.]. vol. 1 e 2.
Os temas so abordados com maior profundidade.
BOYLESTAD, R. L. Introduo Anlise de Circuitos Eltricos. 10.ed. So Paulo: Prentice-Hall do
Brasil, 2004.
Obra slida de circuitos eltricos e dividida em vinte e seis captulos. Pode ser utilizada tanto nos
cursos superiores quanto em cursos tcnicos. O livro apresenta conceitos primordiais ao entendimento de eletrnica, pois, circuitos eltricos/eletricidade um dos pr-requisitos para o ensino
de eletrnica.
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8. ed. So
Paulo: Prentice-Hall do Brasil, 2004.
Obra clssica dividida em vinte e um captulos. uma excelente fonte de estudos sobre o tema
e, alm disso, oferece ao docente muitos recursos para o ensino de eletrnica.
MALVINO, A. P. Eletrnica. So Paulo: Makron Books, 1995. vol. 1. e 2.
O volume 1 composto de quinze captulos, e o volume 2 d continuidade aos temas tratados
no captulo 1. O livro possibilita uma compreenso essencial das caractersticas dos dispositivos
semicondutores, como testes e circuitos prticos. Os conceitos so escritos de forma coloquial e
de fcil leitura, estabelecendo o fundamento necessrio para a compreenso do funcionamento
e verificao de defeitos dos sistemas eletrnicos.

Eletrnica Bsica

14

MARCUS, O. Sistemas Analgicos: Circuitos com Diodos e Transistores. 7. ed. So Paulo: rica,
2007.
Esta obra dividida em dezesseis mdulos, e trata dos vrios tipos de diodos e transistores bipolares. O livro contm muitas aplicaes prticas, estimulando a anlise e o desenvolvimento
de projetos. formado por teoria seguida de fichas de exerccios de aplicao imediata. Cada
mdulo possui, ainda, um conjunto de atividades complementares, incluindo os fundamentos
fsicos e matemticos necessrios, exerccios propostos e ingls tcnico.
MARQUES, A. E. B.; CRUZ, E. C. A.; CHOUERI JR., S. Dispositivos Semicondutores: Diodos
e Transistores. 10. ed. So Paulo: rica, 2006.
Livro constitudo de quatorze captulos, destinado aos cursos tcnicos. Inicia os alunos no mundo
dos dispositivos semicondutores. Analisa as caractersticas fsicas, eltricas e as aplicaes do diodo
semicondutor, diodo Zener, LED, fotodiodo, fototransistor, fotoacoplador, transistor bipolar,
JFET, MOSFET, PTC, NTC e LDR, dando condies para o desenvolvimento de projetos de
circuitos eletrnicos que utilizam dispositivos como os amplificadores, fontes de tenso estabilizadas etc., alm de subsdios para o estudo de outros dispositivos semicondutores.
MILLMAN, J.; HALKIAS, C. C. Eletrnica: Dispositivos e Circuitos. vol. 1. So Paulo:
McGraw-Hill do Brasil, 1981.
SEDRA, A. S. ; Smith, K. C. Microeletrnica. 4. ed. So Paulo: Makron Books
Livro com temas da rea de eletrnica tratados de forma mais aprofundada.
SCHMIDT, W. Materiais Eltricos. 2. ed. [s. l.]: Editora Edgar Blcher Ltda, 1979. vol. 1 e 2.
Esse livro trata especificamente sobre os materiais condutores, semicondutores e isolantes.

Alguns Sites de Eletrnica

<http://www.malvino.com>
Site muito bom elaborado pelo autor de um livro de eletrnica. Nele esto disponveis materiais
para download que ajudaro no ensino/aprendizagem de eletrnica. H um link que disponibiliza algumas animaes que auxiliaro na compreenso nos fenmenos e princpios da rea.
<http://www.eletronica24h.com.br/cursoeletronica/index.htm>
Esse site foi construdo para difundir conhecimentos na rea de eletrnica. Particularmente
dedicado a alunos e professores que desejam estudar eletrnica, circuitos e/ou outras reas relacionadas eltrica. So apresentados links com artigos tcnicos e ideias de projeto envolvendo
eletrnica. Ainda so disponibilizados dados contendo manuais de fabricantes e montagem de
experimentos.
<http://www.ee.pucrs.br/~fdosreis/>
Site do Prof. Fernando Soares dos Reis que disponibiliza material didtico ao docente da rea
de eletrnica. O autor ainda oferece recursos para redigir relatrios tcnicos e links para efetuar
download de softwares para simulao de circuitos eletrnicos.
<http://www.dee.ufcg.edu.br/~gutemb/>
Site pessoal do Prof. Jos Gutembergue de Assis Lira no qual so abordadas vrias reas, entre
elas a eletrnica. O site oferece ainda apostilas de eletrnica, links para estudos e aprofundamentos, entre outros.
<http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/>

<http://www.ipes.ethz.ch/ipes/sp_index.html>
Site disponvel em vrias lnguas. Os assuntos so tratados de forma mais aprofundada e alguns
circuitos podem ser simulados on-line.
<http://www.educypedia.be/electronics/electronicaopening.htm>
Esse site uma fonte de informao sobre o material cientfico e educacional: Eletrnica, Cincia,
Engenharia, Enciclopdia e Tecnologia da Informao. Todos os links so testados com relao
ao contedo, sem vnculos comerciais. apresentada uma vasta quantidade de recursos para as
mais diversas reas, entre elas a eletrnica.
<http://www.josematias.pt/alunos.htm>
Pgina pessoal do Prof. Jos Vagos Carreira Matias, elaborada na lngua portuguesa. Nela voc
encontrar informaes detalhada sobre temas tcnicos e didticos, esquemas eltricos, fotos, passatempos, entre outras informaes teis. Est tambm disponvel uma lista de links interessantes.
Basicamente, so apresentados e disponibilizados materiais das reas de eletrotcnica e eletrnica.

Eletrnica Bsica

Site do Prof. Jos Antenor Pomilio. Esta pgina oferece apostilas de temas envolvendo eletrnica e outros assuntos relacionados.

15

<http://www.dee.feis.unesp.br/docentes/canesin/lep10/index.php>
Site de eletrnica de potncia que apresenta ferramentas de simulao interativa de apoio
melhoria da educao eletrnica de potncia. So disponveis ferramentas gratuitas de simulao
para alunos e professores. Essas ferramentas interativas fazem uso dos benefcios da linguagem
Java para fornecer uma visualizao dinmica e interativa das simulaes.
<http://www.sabereletronica.com.br/>
Site que disponibiliza revistas e artigos da srie Saber Eletrnica e Eletrnica Total. Alm das revistas,
esto disponveis artigos tcnicos, vdeos, entre outros.
<http://www.comunidadelectronicos.com/>
Esse site especialmente interessante. Trata-se de um site em espanhol para atender comunidade de tcnicos que atuam no campo da Eletrnica. Ele possui uma infinidade de assuntos,
artigos e orientaes tcnicas que podem ajudar bastante os leitores em suas atividades escolares
e profissionais. Vale a pena acess-lo e navegar nele. Voc vai se surpreender com a riqueza do
contedo tcnico.
<http://www.ti.com> e <http://www.national.com>
Nesses sites voc acessar a Texas Instruments e a National Semiconductor, dois dos maiores
fabricantes de circuitos integrados analgicos e digitais do mundo. Voc poder obter dados
sobre uma infinidade de componentes.
<http://www.electronicsworkbench.com>

Eletrnica Bsica

16

Esse site muito importante, pois nele voc poder fazer o download ou solicitar o CD com a
mais nova verso demonstrativa do software MultiSim, o qual permitir que voc execute
todos os circuitos disponibilizados no livro. Ao acessar o site voc dever prestar ateno nas
orientaes em ingls contidas nele e dever preencher um cadastro (sem compromisso algum
de comprar ou de pagar) para acessar a rea de download ou de solicitao do CD.

8.6 Sugesto de Planejamento

Este livro foi elaborado para dar suporte e ser utilizado para 60 horas em sala de aula. A
sugesto de planejamento que anunciamos segue neste diapaso. Mas altamente recomendado que o professor da disciplina incremente com textos e atividades complementares em
conformidade com o seu jeito prprio de ministrar as aulas, sobretudo potencializando sua
especializao, aplicando sua criatividade em prol do incremento do processo educativo.

Semestre 1
Primeiro Bimestre
Captulo 1 Princpio dos Semicondutores
Objetivos

Fazer um breve histrico da evoluo da eletrnica.

Mostrar a estrutura atmica: nmero atmico, rbitas dos eltrons, eltrons de valncia e
ionizao.

Conceituar e analisar os materiais semicondutores, condutores e

isolantes.

Mostrar o processo de formao das ligaes covalentes.

Identificar como ocorre a conduo nos semicondutores.

Mostrar como se formam os semicondutores do tipo N e do tipo P e

analisar suas caractersticas fsicas e eltricas.

Evidenciar a formao do diodo semicondutor: Como ocorre a formao da camada de depleo e da barreira de potencial.

Mostrar os mtodos de polarizao do diodo.

Mostrar as curvas caractersticas de tenso versus corrente dos principais modelos de diodos.

Mostrar os modelos de diodos mais aplicveis na prtica e os principais

tipos de encapsulamentos.

Comprovar e mostrar as principais medies feitas para o teste de diodos.

Fazer testes experimentais com diodos.

Analisar circuitos com diodos alimentados com fontes contnuas.

Realizar simulaes computacionais em circuitos bsicos com diodos.

Captulo 2 Diodos e suas Principais Aplicaes 1

Objetivos
Apresentar os conceitos bsicos de sinais alternados.

Comparar sinais alternados e contnuos no tempo.

Representar graficamente os sinais alternados.

Apresentar e efetuar clculos com sinais senoidais.

Apresentar o princpio de funcionamento de transformadores monofsicos e suas principais conexes.

Analisar os circuitos retificadores de meia-onda: Esboo das principais

formas de onda de circuitos retificadores.

Apresentar a diferena entre circuitos retificadores empregando diodos

ideais e prticos.

Elaborar circuitos retificadores de meia-onda no laboratrio.

Realizar simulaes computacionais de circuitos retificadores de

meia-onda e verificar as principais formas de onda de tenso e corrente
do circuito.

Aprender a trabalhar com os principais equipamentos para testes

laboratoriais, tais como: osciloscpios, multmetros, ampermetros,
voltmetros, transformadores, entre outros.

17
Eletrnica Bsica

Captulo 3 Diodos e suas Principais Aplicaes 2

Objetivos

Apresentar os conceitos bsicos dos retificadores de onda completa:

aplicabilidades e vantagens.

Mostrar o princpio de funcionamento dos retificadores de onda

completa com transformadores de tomada central. Anlise, obteno de formas de onda e estudo das caractersticas do transformador
empregado.

Mostrar o princpio de funcionamentos dos retificadores de onda completa em ponte. Aspectos construtivos e principais formas de onda de
tenso e corrente.

Efetuar simulaes computacionais, usando softwares afins, dos retificadores de onda completa com transformador de tomada central e em
ponte.

Mostrar e comprovar a importncia do uso de filtros capacitivos

para minimizao das indesejveis ondulaes de tenso na sada dos
retificadores.

Segundo Bimestre
Captulo 4 Circuitos Ceifadores
Objetivos

Eletrnica Bsica

18

Apresentar os conceitos bsicos e aplicabilidade dos circuitos

ceifadores.

Mostrar como funcionam os ceifadores srie e ceifadores paralelos.

Utilizar ferramentas computacionais para verificao dos sinais de tenso e/ou corrente obtidos na sada dos circuitos ceifadores.

Montar em laboratrio os principais circuitos ceifadores.

Captulo 5 Circuitos Grampeadores e Multiplicadores de Tenso

Objetivos

Apresentar os conceitos bsicos e aplicabilidade dos circuitos

grampeadores.

Mostrar como funcionam os grampeadores positivos e grampeadores

negativos.

Verificao da tenso de sada de circuitos grampeadores com fontes

senoidais e quadradas.

Mostrar os procedimentos para anlise e montagem de circuitos multiplicadores de tenso.

Utilizar ferramentas computacionais para verificao dos sinais de tenso e/ou corrente obtidos na sada dos circuitos grampeadores.

Montar em laboratrio os principais circuitos grampeadores.

Semestre 2
Primeiro Bimestre
Captulo 6 Diodos Zener: Reguladores de Tenso
Objetivos

Apresentar os conceitos bsicos e evidenciar a importncia das fontes regulveis.

Mostrar a diferena da tenso de sada para as fontes regulveis e no regulveis.

Analisar as caractersticas fsicas e eltricas dos diodos Zener.

Realizar anlises CC dos circuitos com diodos Zener sem carga.

Analisar a operao de circuitos com diodos Zener com carga.

Mostrar o princpio de funcionamento dos circuitos limitadores, construdos com diodos Zener.

Projetar e construir em laboratrio circuitos estabilizadores de tenso com diodos Zener.

Utilizar ferramentas computacionais para verificao dos sinais de tenso e/ou corrente
obtidos na sada dos circuitos a diodos Zener.

Captulo 7 Reguladores de Tenso a Partir de Circuitos Integrados

Objetivos
Apresentar os conceitos, aplicaes e vantagens dos reguladores de tenso fixos.

Mostrar os cdigos dos principais reguladores de tenso fixos e variveis, positivos e negativos.

Realizar simulaes em softwares afins sobre os reguladores fixos e variveis.

Efetuar testes experimentais em laboratrio com circuitos reguladores de tenso.

Analisar e propor projetos de fontes de alimentao simtricas construdas com circuitos

integrados.

Segundo Bimestre
Captulo 8 Transistor Bipolar de Juno (TBJ): Princpio de Funcionamento
Objetivos

Apresentar as principais aplicaes dos transistores bipolares de juno (TBJ).

Analisar as caractersticas fsicas e eltricas dos transistores bipolares de juno: aspectos

construtivos e funcionamentos do TBJ.

Mostrar os procedimentos para polarizao direta e reversa dos transistores.

Conceituar e identificar o ganho de corrente nos transistores.

Apresentar as expresses matemticas iniciais dos transistores.

Realizar simulaes em softwares afins sobre os reguladores fixos e variveis.

Efetuar testes experimentais em laboratrio com circuitos bsicos a transistores.

19
Eletrnica Bsica

Captulo 9 Verificao de Defeitos em Transistores Bipolares de

Juno
Objetivos

Apresentar os procedimentos para o teste e identificao dos terminais

dos transistores: Identificao dos terminais coletor, base e emissor dos
TBJs, se ele NPN ou PNP.

Verificar defeitos em circuitos bsicos com transistores.

Apresentar as principais configuraes e curvas caractersticas dos

transistores.

Apresentar o conceito de reta de carga e ponto de operao do TBJ.

Analisar as especificaes dos transistores mostradas em dados dos

fabricantes.

Realizar simulaes em softwares afins sobre os transistores.

Efetuar testes experimentais em laboratrio com circuitos bsicos a

transistores.

Captulo 10 Polarizao dos Transistores Bipolares de Juno

Objetivos

Eletrnica Bsica

20

Apresentao dos conceitos iniciais: variao do ganho de corrente com a

temperatura, alterao no ponto de operao dos transistores.

Definir ponto quiescente e reta de carga para o transistor bipolar.

Expor os principais mtodos de polarizao dos transistores e suas respectivas expresses matemticas.

Apresentar as principais configuraes e curvas caractersticas dos

transistores.

Mostrar como determinar os resistores de polarizao para cada

configurao.

Construir a reta de carga para cada circuito de polarizao.

Analisar o comportamento e identificar o comportamento de cada configurao frente s alteraes trmicas por meio da alterao no ganho de
corrente.

Realizar simulaes computacionais em softwares afins em cada configurao de polarizao dos transistores.

Efetuar testes experimentais em laboratrio com as principais configuraes de polarizao apresentadas.

9. Orientaes Didticas e Respostas das

Atividades
Neste manual, apresentamos a resoluo dos exerccios propostos ao final de cada captulo do livro de eletrnica bsica. A soluo desses problemas um recurso extra que auxilia o
professor na elaborao da aula.

Captulo 1

Respostas pgina 43
1)

O tomo a menor partcula de um elemento e eletricamente neutro, pois o nmero de

eltrons presentes em suas rbitas igual ao nmero de prtons do seu ncleo. Basicamente,
o tomo dividido em duas partes: o ncleo e a eletrosfera. No ncleo esto dispostos os
prtons e os nutrons. Na eletrosfera, esto os eltrons, distribudos em sete camadas.

2)

O eltron uma partcula carregada com carga eltrica negativa e giram em rbitas bem
definidas, conhecidas como K, L, M, N, O, P e Q, conforme modelo atmico de Bohr.

3)

O eltron precisa estar a uma determinada distncia do ncleo, numa dada rbita, e movimentar-se numa dada velocidade. Nesse processo atuam sobre o eltron duas foras. Uma
delas a fora centrfuga, orientada radialmente e para fora do tomo. A outra a fora
eletrosttica entre o eltron e o ncleo, orientada radialmente e em direo ao ncleo.
Para que haja estabilidade essas duas foras devem atuar, tornando o eltron estvel. A
figura a seguir mostra resumidamente o ncleo, o eltron e as duas foras.
21

Eltron

+
+
+ +
+
+

Fora
eletrosttica

Fora
centrfuga

4)

Eltrons de valncia so aqueles localizados nas camadas mais externas de um tomo. A ltima
rbita de um tomo define a sua valncia. Os eltrons que esto mais distantes do ncleo
possuem mais energia do que aqueles localizados prximos a ele, e isso ocorre porque existe
uma fora de atrao entre o ncleo, positivamente carregado, e o eltron carregado com
carga negativa. Essa fora de atrao diminui medida que essa distncia aumenta. Assim, os
eltrons com mais energia esto localizados nas camadas mais externas do tomo.

5)

Um eltron livre aquele que adquiriu energia suficiente para deixar a banda de valncia
e sob o acrscimo de energia se torna livre. Os eltrons que esto na banda de valncia
tm mais facilidade para sair do tomo, quando recebem um acrscimo de energia, sob
a forma de luz ou calor. Ao receberem este acrscimo de energia, os eltrons tornam-se
livres, saem da banda de valncia e dirigem-se para a banda de conduo, onde sob a ao
de um campo eltrico formam a corrente.

Eletrnica Bsica

Velocidade

Ncleo

6)

Quando um tomo neutro perde um eltron, o tomo torna-se um on positivo. Quando

um tomo neutro ganha um eltron, o tomo torna-se um on negativo.

7)

Os materiais condutores tm muitos eltrons livres, e facilmente conduzem a corrente

eltrica. J os materiais isolantes, geralmente no possuem eltrons livres.

8)

Num material condutor, a resistividade do material baixa e, portanto, conduz corrente eltrica com facilidade. Nos materiais isolantes, a resistividade alta e, portanto, no conduz
corrente eltrica sob condies normais de operao. Os materiais semicondutores podem
ser slidos ou lquidos capazes de mudar com facilidade a sua condio de isolante para a de
condutor. Pode-se dizer que, em termos de condutividade, os materiais semicondutores so
intermedirios, ou seja, no so bons condutores e nem so bons isolantes, possuindo capacidade intermediria de conduo de corrente eltrica.

9)

O cobre tem apenas um eltron na camada de valncia.

10) Geralmente, um semicondutor com o silcio e o germnio tm quatro eltrons na camada

de valncia.
11) Ouro, cobre e alumnio.
12) Um dos semicondutores mais utilizados o silcio. Isso se deve principalmente facilidade de encontrar o silcio na natureza.

15) Material intrnseco aquele que est em seu estado puro. O silcio e o germnio, por
exemplo, quando so encontrados na natureza esto em seu estado intrnseco (puro).
16) Quando os tomos se combinam para formarem um material slido, eles organizam-se
de forma ordenada (simtrica), originando o cristal. A figura a seguir mostra esquematicamente a interligao de cada tomo de silcio com os tomos de silcio adjacentes
(vizinhos), formando um cristal de silcio.
+4

+4

+4

+4

Si

+4

Si

Si

Eletrnica Bsica

14) As ligaes covalentes so formadas pelo compartilhamento de eltrons de valncia de um

tomo com os tomos vizinhos. Por exemplo: o silcio possui quatro eltrons na camada de
valncia. Esses quatro eltrons de um tomo compartilham eltrons com o tomo vizinho, e
assim por diante.

22

13) Geralmente, os materiais condutores possuem de um a trs eltrons na camada de valncia.

Os materiais isolantes possuem, tradicionalmente, oito eltrons na camada de valncia.
J os semicondutores como o silcio e o germnio tm quatro eltrons na camada de
valncia. O que acontece na verdade, que os eltrons de valncia dos materiais semicondutores esto mais fortemente ligados ao tomo se comparados aos eltrons dos materiais
condutores.

Si

Si

17) Num cristal de silcio, existem oito eltrons de valncia compartilhados em cada tomo.
18) Na verdade, os eltrons s sero considerados livres quando esto na banda de conduo,
quando sob um acrscimo de energia na forma de luz, calor ou d.d.p. surge a corrente
eltrica.
19) Os eltrons responsveis pela corrente em um material so os eltrons livres. A corrente
surge quando esses eltrons livres comeam a se movimentar no interior do material.
20) O buraco muitas vezes denotado tambm por lacuna e pode ser definido como sendo a
ausncia de eltrons na banda de valncia.
21) Dopagem o processo de adicionar impurezas de determinados tipos aos semicondutores
a fim de modificar suas propriedades de conduo.
22) Os tomos pentavalentes possuem cinco eltrons na camada de valncia e so tambm
chamados de doadores. J os tomos de material trivalente tm trs eltrons na camada de
valncia e so chamados de receptores.
23) O material tipo N formado pela adio de impurezas de materiais pentavalentes (cinco
eltrons na camada de valncia) como, por exemplo, o arsnio (As), o antimnio (Sb)
e o fsforo (P) ao material semicondutor intrnseco (silcio ou germnio). Com isso,
o nmero de eltrons livres maior do que o nmero de lacunas, fazendo com que os
eltrons livres sejam maioria. Como os eltrons so carregados com carga negativa, esse
semicondutor chamado tipo N.
24) O material tipo P formado pela injeo de impurezas de materiais trivalentes (trs eltrons na camada de valncia) como, por exemplo, o alumnio (Al), boro (B) e o glio
(Ga) ao material semicondutor intrnseco. Nesse processo, haver a formao de buracos
ou lacunas, que so carregados com carga positiva. Por isso as impurezas trivalentes so
chamadas de impurezas tipo P.

26) Os portadores majoritrios nos semicondutores tipo P so os buracos ou as lacunas. Aps

a dopagem com impurezas trivalentes, os buracos, carregados com carga positiva, so
maioria e, por isso, chamados portadores majoritrios.
27) Os portadores majoritrios so produzidos pelo processo de dopagem com impurezas
chamadas de impurezas dopantes.
28) Os portadores minoritrios so produzidos pelo processo de dopagem com impurezas
chamadas de impurezas dopantes.
29) Semicondutores intrnsecos so aqueles encontrados em seu estado puro. Depois de submetidos ao processo de dopagem, esses semicondutores so chamados de semicondutores
extrnsecos.
30) A juno P-N, na verdade, a unio entre os semicondutores do tipo P com os semicondutores do tipo N.
31) Difuso o deslocamento de eltrons do material do tipo N para o material do tipo P. Esse
excesso de eltrons tende a migrar do material do tipo N para o do tipo P para manter o
equilbrio eletrnico e tambm a estabilidade qumica.

Eletrnica Bsica

25) Os portadores majoritrios nos semicondutores tipo N so os eltrons livres. Aps a

dopagem com impurezas pentavalentes os eltrons, carregados com carga negativa so
maioria e, por isso, so chamados portadores majoritrios.

23

32) Depleo significa diminuio ou ausncia de portadores majoritrios na regio prxima

juno P-N. Na regio de depleo, so formadas camadas finas de ons positivos e
negativos em ambos os lados da juno P-N. medida que os tomos do material tipo P
prximos juno recebem os primeiros eltrons, preenchendo suas lacunas, no lado N
forma-se uma regio com ons positivos (falta de eltrons). De maneira semelhante, no
lado P forma-se uma regio com ons negativos (excesso de eltrons), dificultando ainda
mais a passagem da corrente eltrica.
33) Como a camada de depleo fica ionizada, cria-se junto juno um campo eltrico ou
diferena de potencial chamada de barreira de potencial. Esse potencial a quantidade de
energia necessria para mover os eltrons por meio da regio de depleo.
34) Na temperatura de 25C o valor desse potencial para o diodo de silcio de aproximadamente 0,7 V.
35) Na temperatura de 25C o valor desse potencial para o diodo de germnio de aproximadamente 0,3 V.
36) A polarizao direta ocorre quando o potencial positivo da fonte encontra-se ligado no
lado P e o potencial negativo no lado N. Quando isso ocorre, os eltrons livres do lado
N atravessam a juno P-N e combinam-se com os buracos formados do lado P. Esse
movimento de eltrons forma a corrente eltrica.
37) Para polarizar diretamente um diodo, basta aplicar o potencial positivo de uma fonte
externa na regio P e o potencial negativo da fonte ao lado N.

Eletrnica Bsica

24

38) A polarizao reversa ocorre quando o potencial negativo da fonte externa interligado
ao lado P e o potencial positivo da fonte ao lado N. Na polarizao reversa no h circulao de corrente de altas magnitudes. Existe apenas uma pequena corrente de polarizao
reversa chamada de corrente de fuga ou corrente reversa.
39) Para polarizar reversamente um diodo, basta aplicar o potencial positivo de uma fonte
externa na regio N e o potencial negativo da fonte ao lado P.
40) Quando o diodo est diretamente polarizado a camada de depleo bem estreita,
enquanto quando reversamente polarizado a camada de depleo alarga-se.
41) Os portadores majoritrios de corrente so produzidos na polarizao direta.
42) Quando o diodo reversamente polarizado no h fluxo de portadores majoritrios de corrente. Por outro lado, h um fluxo de portadores minoritrios, dando
origem a uma corrente eltrica muito pequena, chamada corrente reversa ou ainda
corrente de fuga.
43) O efeito avalanche ocorre quando o diodo reversamente polarizado, com valores de
tenso reversa (negativa) que extrapolam os dados de projeto do fabricante. O fabricante
nomeia essa tenso reversa de tenso de ruptura. Acima desse valor a corrente aumenta
instantaneamente, e o diodo simplesmente se rompe.
44) Para valores de tenso direta aplicadas ao diodo, cujo valor est abaixo da tenso do joelho da curva a corrente baixa. Por outro lado, para valores de tenso acima da tenso
do joelho a corrente aumenta instantaneamente. O valor dessa tenso do joelho vale
aproximadamente 0,7 V para os diodos de silcio e 0,3 V para os diodos de germnio.
45) O diodo opera normalmente quando diretamente polarizado com valores de tenso que
esto acima da tenso do joelho da curva (acima de 0,7 V para os diodos de silcio e 0,3 V
para os diodos de germnio).

46) A tenso de ruptura bem maior que a tenso de barreira de potencial. Essas grandezas
geralmente so fornecidas nos catlogos de fabricantes.
47) Um diodo opera normalmente na polarizao reversa quando os valores de tenso aplicados pela fonte externa esto abaixo da tenso do joelho. Isso inclui valores de tenso
negativos.
48) Geralmente, a barreira de potncia diminui com o aumento da temperatura.
49) Um tomo com nmero atmico igual a (6) ter (6) eltrons e (6) prtons.
50) Na terceira camada, poder existir um nmero mximo de dezoito (18) eltrons.
51) Os materiais mostrados na figura 1.54 so:
(a) isolante, (b) semicondutor e (c) condutor.
52) O tomo com quatro eltrons na camada de valncia um semicondutor.
53) Num cristal de silcio cada tomo forma quatro ligaes covalentes.
54) A corrente eltrica produzida na banda de valncia e banda de conduo.
55) A dopagem a injeo controlada de tomos de materiais pentavalentes e trivalentes ao
semicondutor puro (intrnseco) visando aumentar o nmero de portadores majoritrios
(eltrons livres ou lacunas).
56) O antimnio um material pentavalente (possui cinco eltrons na camada de valncia)
e usado para aumentar o nmero de eltrons livres. O boro um material trivalente
(possui trs eltrons na camada de valncia) e usado para aumentar o nmero de lacunas
ou buracos.

58) A barreira de potencial criado junto juno uma queda de tenso que deve ser transposta para que haja o fluxo de corrente eltrica e no uma fonte de energia.
59) Para polarizar diretamente um diodo, o polo positivo da fonte externa dever ser interligado regio P.
60) A resistncia em srie inserida com o intuito de limitar a corrente que passa pelo diodo,
evitando que ele queime por excesso de corrente.
61) O diodo encontra-se diretamente polarizado com o polo positivo da fonte ligado regio P,
e o polo negativo regio N. Quando o valor da tenso da fonte menor que a tenso de
barreira de potencial do diodo, a corrente muito baixa, e o diodo no conduz. Quando
a tenso da fonte externa ultrapassa a barreira (0,7 V para diodos de silcio e 0,3 V para
os diodos de germnio) a corrente aumenta instantaneamente fazendo o diodo conduzir.
Aumentando gradativamente a tenso da fonte externa e inserindo medidores de tenso
e corrente, possvel, a cada valor de tenso injetada, obter a tenso sobre o diodo e a
corrente que passa por ele, construindo assim a curva V x I.
62) Uma variao na temperatura altera completamente o comportamento da tenso e da
corrente num diodo. Um aumento da temperatura, por exemplo, far com que a tenso
de barreira caia de 0,7 V para 0,6 V.

25
Eletrnica Bsica

57) O campo eltrico por meio da juno P-N criado pela migrao dos eltrons do material
tipo N para o material tipo P. medida que os tomos do material tipo P prximo juno recebem os primeiros eltrons, preenchendo suas lacunas, no lado N forma-se uma
regio com ons positivos (falta de eltrons) e, no lado P, uma regio com ons negativos
(excesso de eltrons). Portanto, estabelecendo um campo eltrico entre os ons.

63) (a) diretamente polarizado, (b) diretamente polarizado, (c) diretamente polarizado,
(d) diretamente polarizado.
64) Nomeando a tenso sobre o diodo de VD e aps anlise todos esto conduzindo,
tem-se:

(a) VD = 0,7 V, (b) VD = 0,7 V,
(c) VD = 0,7 V,
(d) VD = 0,7 V.
65) Analisando o circuito, verifica-se que o diodo est diretamente polarizado. Estando diretamente polarizado a tenso sobre ele deveria ser de 0,7 V, considerando-se que o diodo seja de
silcio. Para leitura apresentada pelo voltmetro de 6 V, verifica-se que o diodo est aberto.
R1

R2

10k
R3
10k

10k

V1
12 V
0

D1
1N4148
0

XMM1
Angilent

Eletrnica Bsica

26

Analisando o circuito a seguir, verifica-se que o diodo est diretamente polarizado com o
nodo mais positivo que o catodo. Estando diretamente polarizado, a tenso sobre ele deveria ser de 0,7 V, considerando-se que o diodo seja de silcio. Para leitura apresentada pelo
voltmetro de 20 V, verifica-se que o diodo est aberto. Nesse caso, toda a tenso da fonte
contnua surge sobre o diodo.
1
V1
20 V
0

D1

1N4148

R1
10

3
R2
320
0

XMM1
Angilent

No caso a seguir, verifica-se que o nodo est mais negativo que o catodo, teoricamente
caracterizando um diodo reversamente polarizado. Estando reversamente polarizado, o diodo
no conduz e, dessa forma, no h passagem de corrente eltrica. Consequentemente, a tenso
medida sobre o resistor deveria ser nula caso o diodo estivesse funcionando corretamente.
Nesse caso particular, o diodo est danificado, em curto-circuito.

D1

R1
320
3

1N4148
V1
20 V

R2
320

XMM1
Angilent

No caso a seguir, o diodo est funcionando corretamente. Estando reversamente polarizado, no permite a passagem de corrente eltrica e, portanto, a tenso sobre o resistor
igual a zero.
XMM1
Angilent

R1 2
470

D1
1N4148
0

V1
10 V
0

27
Eletrnica Bsica

66) VR = VS = +25 V
VT = VU = 15 V
A corrente que passa pelo resistor vale:
VResistor = 30 + 15 V VResistor = 45 V
45
IResistor = 30 mA
IResistor =
1500

4 k

67)

VR1

+
10 V

D2

D1

i=0A
+

VR2

6 k

O diodo D1 conduz.
O diodo D2 no conduz.

3V

Considerando diodos ideais e aplicando L.T.K. na malha direita:

10 VR1 VR2 = 0
10 4 000 . i 6 000 . i = 0
10
i=
i = 1 mA
10 000
Pela Lei de Ohm:
VR1 = 4 000 . i = 4 000 x 1 x 10-3 VR1 = 4 V
VR2 = 6 000 . i = 6 000 x 1 x 10-3 VR2 = 6 V
68) a. Diretamente polarizado.
b. Diretamente polarizado.
c. Diretamente polarizado.
d. Diretamente polarizado.
e. Diretamente polarizado.
f. Diretamente polarizado.
g. Diretamente polarizado.
69) L1 e L3 : II no acendem.
L2: III acende com sobrecarga de tenso podendo danificar-se.
L4 e L5: I acendem.
70) a. L1 acende e L2 no acende.
b. L1 acende, L2 e L3 no acendem.
c. L1 e L2 acendem e L3 no acende.
d. Todas as lmpadas vo acender.
71)
0.3 V
A

iT

iT/2

1 k

+ i /2
T
1 k
12 V

iT

Eletrnica Bsica

28

0.3 V
5 k

Para resolver esse exerccio, considere a figura onde o diodo de germnio foi substitudo
por uma bateria de 0,3 V e foram criados os ns "A" e "B".
Pela Lei das Correntes de Kirchhoff as correntes que chegam ao n so iguais s que
saem do n. Portanto, nomeando a corrente que chega ao n de iT, pela L.T.K. em um
dos ramos, obtm-se:

1 000 . it
12 0,3
5 000 . iT = 0
2
11,7 500 . iT 5 000 . iT = 0
11,7
iT = 2,13 mA
5 500
2,13 x 10-3
A corrente que passa por cada diodo iT =
= 1,06 mA
2
2
11,7 5 500 . iT = 0 iT =

72)
a.
O diodo est reversamente
polarizado V(10 ) = 0 V

10
+ V

(R10 )
i = 0A

5V

8V

b.
O diodo est diretamente
polarizado e a fonte de 100 V
est em paralelo com o resistor
V(56 ) = 100 V

100 V

+
+
V(R56 ) 56

29

1 k

1 k
+
V(R1 k)
1,5 k

30 V

4,7 k

+
30 V

4,7 k

1,5 k

+
V(R1,5 K)

30 V

4,85 k

+
2,35 k V(R2,35 K)

O diodo est diretamente polarizado;

Os dois resistores de 4,7 k esto em paralelo;
Aps efetuar o clculo do paralelismo entre os resistores de 4,7 k obtm-se 2,35 k;
Agora temos trs resistores em srie R Total = 1 k + 1,5 k + 2,35 k
RTotal = 4,85 k;
30
i = 6,19 mA;
A corrente total do circuito ser: i =
4,85 x 103

Eletrnica Bsica

c.

 Pela Lei de Ohm:

V(R1k) = 1 000 . i = 1 000 . 6,19 x 10-3 V(R1 k) = 6,19 V
V(R1,5k) = 1 500 . i = 1 500 . 6,19 x 10-3 V(R1,5 k) = 9,28 V
V(R4,7k) = V(R2,35k) = 2 350 . i = 2 350 . 6,19 x 10-3 V(R4,7 k) = 14,54 V
d.
10 k

10 k

V(R10k)

V(R10k)

O diodo est diretamente polarizado e o

resistor esquerda est em paralelo com a
fonte de 10 V.

10 V

V(10k) = 10 V (Resistor esquerda)

20 V

V(10k) = 20 V (Resistor direita)

73) a.
Ge

Si

VSada

15 V

+
4,7 k

VSada = 0 V

b.
Ge

Si

Eletrnica Bsica

VSada

15 V

+
4,7 k

Os dois diodos esto em srie e conduzem. Aplicando L. T. K. no circuito

considerando que a queda de tenso sobre
o diodo de silcio seja de 0,7 V e sobre o
diodo de germnio seja de 0,3 V, tem-se:
15 0,7 0,3 VSada = 0
VSada = 15 1 VSada = 14 V

c.
Os dois diodos de silcio esto diretamente
polarizados.
7

Para resolver esse exerccio, considere a figura

ao lado onde os diodos de silcio foram substitudos por uma bateria de 0,7 V.

0,

1k

Vsada

i t/2

it

it

i t/2

12 V

0,

30

O diodo est reversamente polarizado,

a corrente do circuito nula.

1 k

Pela Lei das Correntes de Kirchhoff as correntes que chegam ao n so iguais as que
saem do n. Portanto, nomeando a corrente
que chega ao n de iT, pela L.T.K. em um
dos ramos e considerando que essa corrente
divide-se igualmente nos dois ramos em
iT/2, obtm-se:

 1 000it
12
0,1 1 000iT = 0
2
11,3 500iT 1 000iT = 0
11,3
11,3 1 500iT = 0 iT =
iT = 7,53 mA
1 500
A tenso de sada, pela Lei de Ohm dada por:
VSada = 1 000it VSada = 1 000.7,53 x 10-3 VSada = 7,53 V

d)
7

10

0,

Vsada

i t/2

i t/2

it

it=0A

10 k

10

10 V

0,

Os dois primeiros diodos de silcio esto

diretamente polarizados, entretanto o diodo
da extremidade direita est reversamente
polarizado, bloqueando a passagem da corrente eltrica. Isso far com que a queda de
tenso no resistor de sada seja nula.
VSada = 0 V

Captulo 2
Respostas pgina 76
Os trs sinais foram lidos utilizando um osciloscpio digital, conforme figuras mostradas
na sequncia.

(a) Primeira leitura

(b) Segunda leitura

(c) Terceira leitura

a. Vef = 150 V
T = 100 ms
Vpico = Vef 2 Vpico= 150 2 = Vpico = 212,13 V
f=

1
1
f = 10 Hz
f=
100 x 10-3
T

Como a frequncia igual a 10 Hz, podemos afirmar que esse sinal tem 10 ciclos por
segundo.

Eletrnica Bsica

1)

31

b. Vpico = 10 V ; f = 500 Hz
1
1
f=
T = 2ms
T=
500
T
c. Vpp = 10 V (tenso de pico a pico); 120 ciclos por segundo.
Vpp
10
=
Vp = 5 V
Vp =
2
2
Como so 120 ciclos/segundo, tem-se f = 120 Hz
1
1
T=
T=
T = 8,33 ms
120
f
Sabendo-se que a tenso do primrio vale 380 V e que a tenso do secundrio vale 100 V,
pode-se afirmar que este um transformador abaixador de tenso. Dessa forma, pode-se
ainda afirmar que o nmero de espiras do secundrio menor que o do primrio. De
posse da figura mostrada na sequncia, podemos obter:

2)

Sinal de entrada
380 V/60 Hz

Sinal de sada
100 V/60 Hz

N2=?

N1=1000 esp.

V1

V2

Transformador

V1 = 380 V
V2 = 100 V

32

N1 = 1 000 espiras

Eletrnica Bsica

N2 = ?
Portanto:
N1
380 1 000
V1

=

N2 263 espiras
=
100
N2
N2
V2
3)

De posse da figura a seguir, pode-se calcular:

N1 = 1 000 esp.

N2 = 2 000 esp.

V1=220 V

Transformador

V1 = 220 V
V2 = 440 V
N1 = 1 000 espiras

N21

V21

N22

V22

N23

V23

N24

V24

N25

V25

V2 = 440 V

 N2 = 2 000 espiras
N21 = N22 = N23 = N24 = N25
V21 = V22 = V23 = V24 = V25
Portanto:
N21 = N22 = N23 = N24 = N25 =
mesma forma:
V21 = V22 = V23 = V24 = V25 =

N22

V2
5

2 000
= 400 espiras
5

440
= 88 Volts
5

4)
N1 = 1000 esp.

N2 = 500 esp.

V1=1100 V

V1

V21=?

N22

V22=?

N23

V23=?

N24

V24=?

N25

V25=?

VT=?

Transformador N21=N22=N23=N24=N25=100 esp.

N21

VT

N1
N2

1 100
1 000

VT = 500 V
VT
500

N21 = N22 = N23 = N24 = N25 = 100 espiras

33

Portanto:

550
5

V21 = V22 = V23 = V24 = V25 = 110 V

a., b. e c. A tenso do secundrio do transformador mostrada na cor azul, a tenso
no diodo na cor vermelha e a tenso na carga na cor verde. No semiciclo positivo do
sinal de entrada, o diodo conduz, tornando-se um curto-circuito com tenso nula.
Nesse semiciclo, toda a tenso de entrada aparece sob a carga j que a tenso sobre o
diodo igual a zero. J no semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo bloqueia a
passagem de corrente, tornando-se reversamente polarizado. Nesse instante, a tenso
de entrada aparece inversamente sobre o diodo e a tenso da carga torna-se nula.

5)

TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz)

Diodo ideal

12 VRMS(eficaz)

100

Eletrnica Bsica

V21 = V22 = V23 = V24 = V25 =

Tenso de entrada
Tenso no diodo

20
0
20

0.005

0.01

0.015

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.025

0.03

0.035

0.04

20
0
20

Tenso na carga

Tempo
20
0
20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

d. Basicamente, a nica vantagem de utilizar um retificador de meia-onda no lugar de um

retificador de onda completa so os custos, oriundos da utilizao de apenas um diodo
nos retificadores de meia-onda.
6)

Eletrnica Bsica

34

Considerando-se que o diodo seja ideal, no existe queda de tenso sobre ele quando o
mesmo conduz. A forma de onda no secundrio do transformador representada na cor
azul no grfico a seguir. A tenso sobre o diodo mostrada na cor vermelha. importante
observar que, no semiciclo positivo da tenso de entrada, o diodo torna-se reversamente
polarizado (no conduz), e assim toda a tenso do secundrio aparece inversamente sobre
o diodo. No semiciclo negativo da tenso de entrada o diodo est diretamente polarizado,
tornando-se um curto-circuito e, portanto, a tenso sobre ele nula. A tenso na carga
ilustrada na cor verde. Com o diodo inicialmente aberto no h corrente circulando na
carga e, dessa forma a tenso na carga tambm nula. Quando o diodo passa a conduzir,
no semiciclo negativo do sinal de entrada, surge tenso na carga. As respostas para os itens
a e b so visualizados nos grficos.
a e b.
TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz)

Diodo ideal

12 VRMS(eficaz)

100

220VRMS

12VRMS(eficaz)

Tenso de
Tenso
deentrada
entrada

(eficaz)

20
20
00

Tenso no
no diodo
Tenso
diodo

20
20

Tenso na
na carga
Tenso
Carga

20
-20

20
20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

00

20
-20

00

20
-20

c) Vmdia

V c. V16, 97=(V 5,(4V (16,97(

pico

pico

mdia

3,1416

3,1416

5,4 V

7. Como os dois diodos de silcio esto em paralelo, a tenso sobre ambos idntica e representada na cor vermelha

7)

c. Vmdia =

(V

pico

0,7 (16,97 0,7

5,18 V
p
3,1416

a. b. e d.
TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz)

Diodos de silcio

12 VRMS(eficaz)

1000

35
Eletrnica Bsica

Como os dois diodos de silcio esto em paralelo, a tenso sobre ambos idntica e
representada na cor vermelha no grfico a seguir. A forma de onda de tenso na carga
na carga foi esboada
cor magenta.na
importante
quea os
diodosAno
conduzem
no semiciclo
positivonada
estnarepresentada
cor verde observar
no grfico
seguir.
corrente
na carga
foi esboada
cor magenta. importante observar que os diodos no conduzem no semiciclo positivo22
da tenso de entrada e sim no semiciclo negativo. Portanto, aparecem tenso e corrente
na carga apenas no semiciclo negativo do sinal senoidal da tenso de entrada. O grfico
mostrado na sequncia representa as respostas para os itens a, b e d. A resposta para o
item c ser:
no grfico a seguir. A forma de onda de tenso na carga est representada na cor verde no grfico a seguir. A corrente

Tenso
de entrada

0,7 V

0
20

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.2
0

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Tenso
nos diodos

Tenso
na carga
Corrente
na carga

8)

20

20
0
20
20
0
20
0.2
0

A forma de onda no secundrio do transformador senoidal, e seu valor de pico :

Vpico = Veficaz 2 = 12 2 = 16, 97 V . Essa forma de onda representada na cor azul no grfico a seguir. Os itens b e c da questo no 8 esto tambm representados no grfico. Na cor
vermelha representada a forma de onda de tenso sobre o diodo. Finalmente, o ltimo
grfico na cor verde representa a forma de onda de tenso na carga.

36

Si

TRANSFORMADOR

12 VRMS(eficaz)

220 VRMS(eficaz)

100

Tenso no diodo

Tenso de entrada

Tenso na carga

Eletrnica Bsica

V pico = 16,97 0,7

c. Vmdia =

20
0
20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

20
0
20

20
0
20

(Vpico 0,3) (16,97 0,7)

5,18 V
3,1416
p

9)
Ge

TRANSFORMADOR

12 VRMS(eficaz)

220 VRMS(eficaz)

100

A tenso de pico no secundrio do transformador ser: Vpico = Veficaz 2 = 12 2 = 16,97 V.

De posse do valor de pico da tenso no secundrio do trafo obtm-se as tenses sobre
o diodo e tambm sobre o resistor de carga. O secundrio do transformador pode ser
substitudo por uma fonte senoidal, conforme mostrado na figura a seguir.
0,3 V

16,97 V

Sinal de entrada

100
16,97 V

a. e b. A figura mostrada na sequncia representa as formas de onda de entrada, no secundrio do transformador, a tenso sobre o diodo e ainda a forma de onda de tenso
na carga. Portanto, respondendo aos itens a e b da questo no 9.
Vi

Tenso de entrada

37

+16,97 V

Eletrnica Bsica

t
16,97 V
VD

Tenso sobre o diodo

0,3 V

0,3 V
t

Vp
Vc

Tenso na carga

16,27 V

(Vpico 0,3) (16,97 0,3)

5,3 V

p
3,1416
d. Basicamente, a nica vantagem de utilizar um retificador de meia-onda no lugar de um
retificador de onda completa so os custos, oriundos da utilizao de apenas um diodo
nos retificadores de meia-onda.

c. Vmdia =

Captulo 3
Respostas pgina 106
1)
TRANSFORMADOR

Diodo ideal

12 VRMS(eficaz)

220 VRMS(eficaz)

100

TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz)

D4

D1

D3

D2

12 VRMS(eficaz)

100

Manual
Manual
do do
Professor
Professor

esquerda
esquerda
soso
apresentados
apresentados
os os
resultados
resultados
para
para
o retificador
o retificador
dede
meia-onda
meia-onda
enquanto
enquanto
queque
na na
coluna
coluna
da da
esquerda
esquerda
soso

Resultados para o Retificador de Onda

mostrados
mostrados
os os
resultados
resultados
para
para
o retificador
o retificador
dede
onda
onda
completa
completa

Eletrnica Bsica

a. e b. As tenses
de entrada,
sobre
diodo
e sobre aDE
carga,
so representadas nos grficos
RESULTADOS
RESULTADOS
PARA
PARA
Oo
O
RETIFICADOR
RETIFICADOR
DE

ONDA
ONDA
a seguir nas cores azul, vermelha e verde. Inicialmente, o diodo est diretamente
a) a)e eb) b)
AsAs
tenses
tenses
dede
entrada,
entrada,
sobre
sobre
o diodo
o diodo
e sobre
e sobre
a carga,
a carga,
soso
representadas
representadas
nosnos
grficos
grficos
a seguir
a seguir
nasnas
cores
cores
azul,
azul,
polarizado, fazendo com que a tenso sobre ele seja nula. Nesse mesmo instante,
38
vermelha
vermelha
e verde.
e verde.
Inicialmente,
Inicialmente,
o diodo
o diodo
est
est
diretamente
diretamente
polarizado,
polarizado,
fazendo
fazendo
com
com
queque
a tenso
a tenso
sobre
sobre
eleele
seja
seja
nula.
nula.
Nesse
Nesse
como o diodo conduz, comportando-se como uma chave fechada, haver corrente
mesmo
mesmo
instante,
instante,
como
como
o circulando
diodo
o diodo
conduz,
conduz,
comportando-se
como
como
uma
uma
chave
chave
fechada,
fechada,
haver
haver
corrente
circulando
na
carga
carga
e e
nacomportando-se
carga
e a tenso
sobre
o resistor
de
carga
ser corrente
idntica
circulando
entradana
(tenso
a tenso
a tenso
sobre
sobre
o resistor
o resistor
dede
carga
carga
ser
ser
idntica
idntica
entrada
entrada
(tenso
(tenso
em
verde).
verde).
NoNo
prximo
prximo
semiciclo,
o diodo
o diodo
passa
passa
a estar
a estar
em
verde).
No
prximo
semiciclo,
oem
diodo
passa
a estarsemiciclo,
reversamente
polarizado.
Com
isso,
aa tenso
sobre
ele
secundrio
transformador.
Atenso
tenso
na
reversamente
reversamente
polarizado.
polarizado.
Com
Com
isso,
isso,
tenso
a tenso
sobre
sobre
ele
ele
igual
igual
igual
do
dodo
secundrio
secundrio
dodo
transformador.
transformador.
AA
tenso
na na
carga,
carga,
carga,
devido
acorrente
nula,
tambm ser igual a zero nesse instante.
devido
devido
corrente
corrente
nula,
nula,
tambm
tambm
ser
ser
igual
igual
zero
a zero
nesse
nesse
instante.
instante.
Tenso de entrada
Tenso de entrada

2020
20
0 00

-20
-20
20
0 0

0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04

Tenso no diodo
Tenso no diodo

1010
10
0 00

-10
-10
10

20
-20
-20
0 0

0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04

Tenso na carga
Tenso na carga

2020
20
10
1010
0 00

-10
-10
10
0 0

0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04
Tempo
Tempo

c) c)
Considerando-se
Considerando-se
queque
o diodo
o diodo
seja
seja
ideal,
ideal,
a tenso
a tenso
mdia
mdia
na na
carga
carga
para
para
o retificador
o retificador
dede
meia-onda
meia-onda
calculada
calculada
da da
forma:
forma:

V pico
, 97, 97
Vpico
1616
5, 45V, 4V
VV

c. Considerando-se que o diodo seja ideal, a tenso mdia na carga para o retificador de
meia-onda calculada da forma:

Vmdia =

(Vpico)
(16,97)
5,4 V

p
3,1416

d. So vrias as vantagens de utilizao de um retificador de onda completa comparado a

um retificador de meia-onda, destacando-se:
Os retificadores de onda completa possuem uma tenso na carga menos oscilante.
Com isso, as cargas alimentadas com esse tipo de tenso comportam-se melhor.
A frequncia da tenso na carga para os retificadores de onda completa de 120 Hz,
enquanto para os de meia-onda essa frequncia de oscilao de 60 Hz. Esse aspecto
faz com que a tenso mdia na carga para os retificadores de onda completa seja o
dobro daquela apresentada pelos retificadores de meia-onda.
Resultados para o Retificador de Onda Completa
a. e b. A seguir so mostradas as formas de onda de tenso de entrada (em azul), tenso nos
diodos D1 e D3 (VD1 e VD3) e nos diodos 2 e 4 (VD2 e VD4) (em vermelho e verde)
e tenso na carga (na cor magenta). No semiciclo positivo do sinal de entrada, os
diodos 1 e 3 conduzem, enquanto os diodos 2 e 4 esto reversamente polarizados. Com isso, a tenso VD1 e VD3 nula e as tenses VD2 e VD4 so idnticas
tenso do primrio do trafo em amplitude, mas com sinal invertido. A tenso da
carga, nesse momento, igual de entrada do transformador.
Quando a tenso do secundrio do trafo passa para o semiciclo negativo, os diodos
2 e 4 passam a conduzir, enquanto os diodos 1 e 3 agora esto reversamente
polarizados. Nesse instante, observa-se que a tenso sobre os diodos 2 e 4
nula, devido conduo, enquanto a tenso do secundrio do trafo aparece sobre os
diodos 1 e 3.

A tenso na carga um retrato da tenso sobre os diodos 1 e 3, apenas com

polaridade invertida. importante observar que nos retificadores de onda completa
em ponte, sempre h dois diodos conduzindo ao mesmo tempo e, geralmente essa
conduo se d de forma alternada.

No caso desse circuito especfico, isso significa que hora os diodos D1 e D3

conduzem, hora so os diodos D2 e D4 que passam a conduzir, fazendo com
que sempre haja conduo de corrente na carga, diferente dos retificadores de
meia-onda que, hora passa corrente na carga e hora no passa.

Eletrnica Bsica

39

D4 que passam a conduzir, fazendo com que sempre haja conduo de corrente na carga, diferente dos retificadores de
meia-onda que, hora passa corrente naNcarga
eN
hora
no passa.
1
2

00

entrada
Ventrada

Tenso
de entrada
20
20

VD1, VD2, VD3, VD4

VD1, VD2, VD3, VD4

-20
20

D4
V2

V1

D1

RSurto

D3

D2

0.03

VC

VC

0.035

RL

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

10
10

00

-10
10

20
-20

Vcarga

Vcarga

20
20
10
10

00

Tempo

c) Considerando-se
que o diodo seja ideal, que
a tenso
mdia na
carga
para oa retificador
de onda na
completa
calculada
da
c. Considerando-se
o diodo
seja
ideal,
tenso mdia
carga para
o retificador
de
forma:
onda completa calculada da forma:
2 xVpico 2 x16, 97(2
x10V, 8pico
)
(2 x 16,97)
Vmdia
V
10,8 V
=

V
mdia

3,1416
p
3,1416
d) Respondido anteriormente.
d. Respondido anteriormente.

2.

27

2)

40

D1
18 espiras
110 VRMS

72 espiras

Eletrnica Bsica

18 espiras

20

D2

a. A tenso total de pico no secundrio do trafo obtida conforme expresso mostrada na
sequncia.
V1
N1
110
110 x 36
72
=

V2 = 55 V (RMS)
V2 =

V2
N2
V2
72
36
O valor do pico ser:
V2(pico) = V2RMS x 2 V2(pico) =55 x 2 V2(pico) = 77,78 V
b. A tenso total de pico em cada um dos taps do secundrio do trafo obtida conforme
expresso mostrada na sequncia. Nesse exerccio estamos nomeando a tenso do tap
superior de V2a e a tenso do tap inferior de V2b.
V1
N1
110
110 x 18
72
=

=
V2a = 27,5 V(RMS)
V2a =

V2a
N2
V2a
72
18
O valor do pico ser:
V2a(pico) = V2aRMS x 2 V2a(pico) = 27,5 x 2 V2a(pico) = 38,89 V = V2b(pico)

Tenso no diodo D2

Tenso no diodo D1

Tenso na carga

c. e f. A forma de onda sobre o resistor de 20 mostrada na sequncia na cor azul. O

valor de pico da onda de tenso na carga de 38,89 Volts. A tenso sobre o diodo
1 (D1) mostrada na cor vermelha. Num primeiro instante, o diodo D1 no est
conduzindo e, portanto, a tenso sobre ele ser toda a tenso do secundrio do
trafo (77,78 V). Nesse mesmo instante, o diodo D2 encontra-se diretamente
polarizado. Com a conduo, a tenso sobre ele praticamente nula, conforme
figura na cor verde mostrada na sequncia. No prximo semiciclo, o diodo D1
passa a conduzir fazendo com que a tenso sobre ele passe a ser nula. Quando D1
conduz o diodo D2 abre, fazendo com que a tenso sobre ele seja toda a tenso
referente ao secundrio do transformador.

0
20
40

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

50
0
50
100
50
0
50
100

41
0

d. As formas de onda de corrente nos diodos D1 e D2 so mostradas na sequncia, sendo

a azul no diodo D1 e a vermelha no diodo D2. possvel observar pelas figuras apresentadas que a corrente de pico em cada diodo ultrapassa 2 A (menos dois ampres).
Esse valor pode ser comprovado conforme expresso mostrada na sequncia.

Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D1:

38,89
V
iD1(Pico) = Pico na carga =
iD1(Pico) = 1,94 A
20
20

Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D2:

38,89
V
iD2(Pico) = Pico na carga =
iD2(Pico) = 1,94 A
20
20

Eletrnica Bsica

20

Corrente no diodo D1

1
Corrente no diodo D1
0
1
2

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Corrente no diodo D2

0.5
Corrente no diodo D2

0
0.5
1
1.5
2

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

e. A tenso de pico inversa (PIV) para cada diodo do retificador de onda completa com
transformador de tomada central (tap central) exatamente o dobro da tenso disponvel em cada tap do trafo. Sabendo-se disso, pode-se obter a tenso de pico em cada
diodo da forma:

Eletrnica Bsica

42

3)

Clculo do valor de pico da tenso sobre diodos D1 e D2:

VD1(pico) = VD2(pico) = 2 x 38,39 VD1(pico) = VD2(pico) = 77,78 V

Visualmente, as formas de onda de tenso de pico sobre os diodos D1 e D2 so mostradas anteriormente no item c e f.

Conforme a disposio no circuito, o diodo ir conduzir no semiciclo positivo da tenso

de entrada, fazendo com que o capacitor carregue com o valor mximo da tenso de
entrada. Logo em seguida, quando a tenso de entrada torna-se ligeiramente menor que
a do capacitor, comea seu estgio de descarregamento sobre o resistor de carga. No
exerccio, no foi fornecido um valor para a capacitncia do capacitor. Pode-se afirmar que
quanto maior o valor dessa capacitncia, menores sero as oscilaes de tenso na carga,
ou seja, menos ondulante ser essa tenso. A seguir, so mostradas as formas de onda para
a tenso de entrada (azul) e tenso na carga para dois valores de capacitncias, sendo a de
cor vermelha para uma capacitncia de baixo valor e a de cor preta para uma capacitncia
maior.

80 VRMS
60 Hz

Capacitador

1 k

150

Tenso de entrada e na carga

100

50

50

100

150

V de entrada
V na carga com capacitor de pequeno valor
V na carga com capacitor de maior valor
0

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

4)
Diodo ideal

TRANSFORMADOR

12 VRMS(eficaz)

220 VRMS(eficaz)

100

43
(a)

Eletrnica Bsica

TRANSFORMADOR

220 VRMS(eficaz)

D4

D1

D3

D2

12 VRMS(eficaz)

100

(b)

Resultados para o Retificador de Onda

a. e b. As tenses de entrada, sobre o diodo e sobre a carga so representadas nos grficos
a seguir nas cores azul, vermelha e verde. Inicialmente, o diodo est reversamente
polarizado, fazendo com que toda a tenso disponvel no secundrio do transformador esteja sobre o diodo (tenso em azul). Nesse mesmo instante, como no
h corrente circulando na carga, a tenso sobre o resistor de carga tambm nula
(tenso em vermelho). No prximo semiciclo, o diodo passa a conduzir. Com
isso, a tenso sobre ele nula e, dessa forma, a tenso do secundrio do trafo surge
sobre a carga.

circulandonanacarga,
carga,aatenso
tensosobre
sobreooresistor
resistorde
decarga
cargatambm
tambmnula
nula(tenso
(tensoem
emvermelho).
vermelho).No
Noprximo
prximosemiciclo,
semiciclo,oo
circulando
diodopassa
passaaaconduzir.
conduzir.Com
Comisso,
isso,aatenso
tensosobre
sobreele
elenula
nulae,e,dessa
dessaforma,
forma,aatenso
tensodo
dosecundrio
secundriodo
dotrafo
trafosurge
surgesobre
sobreaa
diodo
Tenso sobre a carga Tenso sobre o diodo Tenso de entrada
Tenso sobre a carga Tenso sobre o diodo Tenso de entrada

carga.
carga.
20
20
20
000

20
-20
-20
00

0.005
0.005

0.01
0.01

0.015
0.015

0.02
0.02

0.025
0.025

0.03
0.03

0.035
0.035

0.04
0.04

0.005
0.005

0.01
0.01

0.015
0.015

0.02
0.02

0.025
0.025

0.03
0.03

0.035
0.035

0.04
0.04

0.005
0.005

0.01
0.01

0.015
0.015

0.02
0.02
Tempo
Tempo

0.025
0.025

0.03
0.03

0.035
0.035

0.04
0.04

10
10
10
000

-10
10
-10
-20
20
-20
00
10
10
10
000

-10
10
-10
-20
20
-20
00

Considerando-seque
queoodiodo
diodoseja
sejaideal,
ideal,aatenso
tensomdia
mdiananacarga
cargapara
paraooretificador
retificadorde
demeia-onda
meia-ondacalculada
calculadadadaforma:
forma:
c)c)Considerando-se

c. Considerando-se que o diodo seja ideal, a tenso mdia na carga para o retificador de
, calculada
97
16, 97
VVpicopico 16
meia-onda
VVmdia
55, 4, 4VV da forma:
mdia
Manual do Prof
3
,
1416

3,1416

(VPico) (16,97)
deutilizao
=
um
5,4
V
SoV
vrias
asvantagens
vantagensde
utilizaode
de
um
retificador
deonda
ondacompleta
completacomparado
comparadoaaum
umretificador
retificadorde
demeia-onda,
meia-onda,
d)d) So
vrias
retificador
de
mdia as
3,1416
p
destacando-se:
destacando-se:
Manual do Professor
alimentadas com isso tipo de tenso comportam-se melhor.
Os retificadores
retificadores
de onda
onda completa
completa
possuem uma
uma
tenso
carga menos
menos
oscilante.
Com isso,
isso,
cargas a
d.
vrias
as vantagens
de utilizao
de um
retificador
de onda
completa
comparado
So
Os
de
possuem
tenso
nana carga
oscilante.
Com
asas cargas
um
retificador
de
meia-onda,
destacando-se:
alimentadas
comisso
isso
tipo
detenso
tenso
comportam-se
melhor.
A frequncia
da tenso
na
carga
para
os retificadores
de onda completa de 120 Hz, enquanto pa
alimentadas
com
tipo
de
comportam-se
melhor.

Eletrnica Bsica

alimentadas
com
issodada
tipo
de tenso
comportam-se
melhor.
frequncia
tenso
na carga
carga
para
retificadores
de onda
onda
completa
dena
120
Hz, enquanto
enquanto
para osos

AAOs
frequncia
tenso
na
para
osos retificadores
de
completa
de
120
Hz,
retificadores
de
onda
completa
possuem
carga
menos
oscilante.
retificadores
de
meia-onda
essa
frequncia
de oscilao
uma
de
60tenso
Hz.
Esse
aspecto
faz para
com
que a tenso md
Com
as na
cargas
com esse de
tipoonda
de tenso
comportam-se
A frequncia
da isso,
tenso
cargaalimentadas
para os retificadores
completa
de 120 Hz,melhor.
enquanto para os
carga para os retificadores de onda completa seja o dobro daquela apresentada pelos retificadores
de meia-o
31
31
retificadores
meia-ondadaessa
frequncia
de oscilao
de 60 Hz. Esse
aspecto
faz com que
tenso
A de
frequncia
tenso
na carga
para os retificadores
de onda
completa
dea120
Hz,mdia na
enquanto
parade
osonda
retificadores
essa frequncia
oscilao
de 60
carga para os
retificadores
completa de
sejameia-onda
o dobro daquela
apresentada de
pelos
retificadores
de Hz.
meia-onda.
Esse
aspecto
faz
com
que
a
tenso
mdia
na
carga
para
os
retificadores
de
onda
e)
A
tenso
na
carga,
considerando-se
um
retificador
de
meia-onda,
inserindo
um
capacitor
de
filtro
em paralelo c
44
completa seja o dobro daquela apresentada pelos retificadores de meia-onda.
resistor
carga
mostrada
na sequncia.
mostrada
a forma deinserindo
onda sem
uso do de
capacitor
filtro (em azul)
e) A de
tenso
na carga,
considerando-se
um retificador
de meia-onda,
um o
capacitor
filtro emde
e.
A tenso
na carga, considerando-se
um retificador
de meia-onda,
inserindo
umparalelo
capa- com o
mesmo
grfico,
citor
mostrada
anaforma
de onda
aps
aa insero
de
um
capacitor
vermelho).
Observa-se
que aq
resistor
de carga
mostrada
sequncia.
com
mostrada
forma
onda
o uso do
capacitor
de filtro
(em azul) e, no
de filtro
em
paralelo
o resistor
dede
carga
sem
mostrada
na(em
sequncia.
mostrada
aforma
de aonda
o usoaps
do
deum
filtro
(em
e, no mesmo
grfico,
mesmo grfico,
mostrada
formasem
de onda
acapacitor
insero
de
capacitor
(em vermelho).
Observa-se
que aquelas
indesejveis
oscilaes
proveniente
do
sistema
sem
o uso do
filtro
soazul)
praticamente
eliminadas
com
a introdu
mostrada a forma de onda aps a insero de um capacitor (em vermelho). Observa-se
indesejveis oscilaes proveniente do sistema sem o uso do filtro so praticamente eliminadas com a introduo do
capacitor.
que aquelas indesejveis oscilaes proveniente do sistema sem o uso do filtro so
capacitor.
praticamente10
eliminadas com a introduo do capacitor.
Tenso na carga sem capacitor

Tenso
nana
carga
comcapacitor
capacitor
Tenso
cargasem
sem capacitor
capacitor eecom

10

5
5
00

5
-5
-5
10
-10
-10
15
-15
-15

20
-20

Tenso
na carga
capacitor
Tenso
na sem
carga
com capacitor
Tenso na carga com capacitor

-20

0.005

0.005

0.01

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.015

0.025

0.02
Tempo

0.03

0.025

0.035

0.03

0.04

0.035

0.04

Resultados para o Retificador de Onda Completa

a. e b. A seguir so mostradas as formas de onda de tenso de entrada (em azul), tenso
nos diodos D1 e D3 (VD1 e VD3) e nos diodos 2 e 4 (VD2 e VD4) (em vermelho e verde) e tenso na carga (na cor magenta). No semiciclo positivo do sinal
de entrada, os diodos 2 e 4 conduzem, enquanto os diodos 1 e 3 esto
reversamente polarizados. Com isso, a tenso VD2 e VD4 nula e as tenses VD1
e VD3 so idnticas tenso do primrio do trafo em amplitude, mas com sinal
invertido. A tenso da carga, nesse momento, igual ao dos diodos D1 e D3.

Quando a tenso do secundrio do trafo passa para o semiciclo negativo, os diodos

1 e 3 passam a conduzir, enquanto os diodos 2 e 4 agora esto reversamente
polarizados. Nesse instante, observa-se que a tenso sobre os diodos 1 e 3
nula, devido conduo, enquanto a tenso do secundrio do trafo aparece sobre
os diodos 2 e 4. A tenso na carga um retrato da tenso sobre os diodos 2
e 4. importante observar que nos retificadores de onda completa em ponte,
sempre h dois diodos conduzindo ao mesmo tempo e, geralmente, essa conduo
ocorre de forma alternada. No caso desse circuito especfico, isso significa que ora
os diodos D1 e D3 conduzem, ora so os diodos D2 e D4 que passam a conduzir.
Ventrada

20
0

VD1, VD2, VD3, VD4

20

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

10
VD1 e VD3
VD2 e VD4

10
20

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

45

0
10
20

c. Considerando-se que o diodo seja ideal, a tenso mdia na carga para o retificador de
onda completa calculada da forma:
(2 x Vpico)
(2 x 16,97)

10,8 V
Vmdia =
p
3,1416
d. Respondido anteriormente.
e. A tenso na carga, considerando-se um retificador de onda completa, inserindo um
capacitor de filtro em paralelo com o resistor de carga mostrada na sequncia.
mostrada a forma de onda sem o uso do capacitor de filtro (em azul) e, no mesmo
grfico, mostrada a forma de onda aps a insero de um capacitor (em vermelho).
Observa-se que aquelas indesejveis oscilaes provenientes do sistema sem o uso do
filtro so praticamente eliminadas com a introduo do capacitor. A tenso na carga
com o uso do retificador de onda completa com filtro capacitivo apresenta um nmero
reduzido de oscilaes comparadas quelas apresentadas pelo retificador de meia-onda
com filtro.

Eletrnica Bsica

Vcarga

10

capacitor.
capacitor.AA
tenso
tensonanacarga
cargacom
com
o uso
o usododo
retificador
retificadordedeonda
ondacompleta
completacom
com
filtro
filtro
capacitivo
capacitivo
apresenta
apresentaum
um
nmero
nmero
reduzido
reduzido
dedeoscilaes
oscilaescomparadas
comparadas
quelas
quelasapresentadas
apresentadaspelo
pelo
retificador
retificadordedemeia-onda
meia-ondacom
com
filtro.
filtro.
Tenso na carga com e sem o capacitor de filtro
Tenso na carga com e sem o capacitor de filtro

2 22
Tenso
nana
carga
sem
o capacitor
Tenso
carga
sem
o capacitor
Tenso
nana
carga
com
o capacitor
Tenso
carga
com
o capacitor

0 00

2-2
-2
4-4
-4
6-6
-6
8-8
-8

10
-10
-10
12
-12
-12
14
-14
-14
16
-16
-16
18
-18
-18
0 0

0.005
0.005 0.01
0.01 0.015
0.015 0.02
0.02 0.025
0.025 0.03
0.03 0.035
0.035 0.04
0.04
Tempo
Tempo

3333

5)

9 espiras
110 VRMS

D1

72 espiras
20

9 espiras

Eletrnica Bsica

46

D2

a. A tenso total de pico no secundrio do trafo obtida conforme expresso mostrada na
sequncia.
V1
N
72
110
110 x 18

V2 = 27,5 V(RMS)

= 1
=
V2
N2
18
V2
72
O valor de pico ser:
V2(pico) = V2Rms x 2 V2(pico) = 27,5 x 2 V2(pico) = 38,89 V
b. A tenso total de pico em cada um dos taps do secundrio do trafo obtida conforme
expresso mostrada na sequncia. Nesse exerccio, estamos nomeando a tenso do
tap superior de V2a e a tenso do tap inferior de V2b.
72
110
110 x 9
V1
N
V2a = 13,75 V(RMS)

= 1
=
V2a =
9
V2a
72
V2a
N2
O valor de pico ser:
V2a(Pico) = V2aRMS x 2 V2a(pico) = 13,75 x 2 V2a(pico) = 19,44 V = V2b(pico)

c. e f. A forma de onda sobre o resistor de 20 mostrada na sequncia na cor azul. O valor

de pico da onda de tenso na carga de 19,44 Volts. A tenso sobre o diodo 1 (D1) mostrada na cor vermelha. Num primeiro instante, o diodo D1 no est conduzindo e,
portanto, a tenso sobre ele ser toda a tenso do secundrio do trafo (38,89 V).
Nesse mesmo instante o diodo D2 encontra-se diretamente polarizado. Com a
conduo, a tenso sobre ele praticamente nula, conforme a figura na cor verde
mostrada na sequncia. No prximo semiciclo o diodo D1 passa a conduzir fazendo
com que a tenso sobre ele passe a ser nula. Quando D1 conduz o diodo D2 abre,
fazendo com que a tenso sobre ele seja toda a tenso referente ao secundrio do
transformador.
Tenso na carga

20
0
20

Tenso no diodo D2 Tenso no diodo D1

40

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

50
0
50

100
50
0
50

100

47
0

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

d. As formas de onda de corrente nos diodos D1 e D2 so mostradas na sequncia, sendo a

azul no diodo D1 e a vermelha no diodo D2. possvel observar pelas figuras apresentadas que a corrente de pico em cada diodo chega a quase 1A (menos um ampre).
Esse valor pode ser comprovado conforme expresso mostrada na sequncia.
Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D1:
19,44
V
iD1(Pico)=0,972 A
iD1(Pico) = pico na carga =
20
20
Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D2:
19,44
V
iD2(Pico)=0,972 A
iD2(Pico) = pico na carga =
20
20

Eletrnica Bsica

0.5
Corrente no diodo D1

Corrente no diodo D1
0

0.5

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.5
Corrente no diodo D2

Corrente no diodo D2
0

0.5

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

e. A tenso de pico inversa (PIV) para cada diodo do retificador de onda completa com
transformador de tomada central (tap central) exatamente o dobro da tenso disponvel em cada tap do trafo. Sabendo-se disso, pode-se obter a tenso de pico em cada
diodo da forma:
Clculo do valor de pico da tenso sobre os diodos D1 e D2:

Eletrnica Bsica

48

VD1(Pico)= VD2(Pico)= 2 x 19,44 VD1(Pico) = VD2(Pico) = 38,88 V

Visualmente, as formas de onda de tenso de pico sobre os diodos D1 e D2 so mostradas anteriormente no item c e f.
6)

Professor:

Aonde se l: A tenso no primrio do transformador da figura 3.37 de 80 VRMS (eficaz)

na frequncia de 60 Hz.

Leia-se: A tenso no primrio do transformador da figura 3.36 de 110 VRMS (eficaz) na

frequncia de 60 Hz.
D1
9 espiras
110 VRMS

72 espiras
20

9 espiras

D2

a. A tenso total de pico no secundrio do trafo obtida conforme expresso mostrada na

sequncia.

V1
N1
72
110 x 18
110
V2 =
V2 = 27,5 V (RMS)
=

=
V2
N2
18
72
V2

O valor de pico ser:

V2(Pico) = V2RMS x 2 V2(Pico) = 27,5 x 2 V2(Pico) = 38,89 V
b. A tenso total de pico em cada um dos taps do secundrio do trafo obtida conforme expresso mostrada na sequncia. Nesse exerccio estamos nomeando a tenso
do tap superior de V2a e a tenso do tap inferior de V2b.

V1
N1
72
110 x 9
110
V2a =
V2a = 13,75 V (RMS)
=

=
V2a
N2
9
72
V2a

O valor de pico ser:

V2a(Pico) = V2aRMS x 2 V2a(Pico) = 13,75 x 2 V2a(Pico) = 19,44 V = V2b(Pico)

Tenso no diodo D2

Tenso no diodo D1

Tenso na carga

0
10
20

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

20
0
20
40
20
0
20
40

49
Eletrnica Bsica

c. e f. A forma de onda sobre o resitor de 20 mostrada na sequncia na cor azul.

O valor de pico da onda de tenso na carga de 19,44 Volts. A tenso sobre o
diodo 1 (D1) mostrada na cor vermelha. Num primeiro instante o diodo D1 no
est conduzindo e, portanto, a tenso sobre ele ser toda a tenso do secundrio
do trafo (38,89 V). Nesse mesmo instante o diodo D2 encontra-se diretamente
polarizado. Com a conduo, a tenso sobre ele praticamente nula, conforme
figura na cor verde mostrada na sequncia. No prximo semiciclo o diodo D1
passa a conduzir fazendo com que a tenso sobre ele passe a ser nula. Quando D1
conduz o diodo D2 abre, fazendo com que a tenso sobre ele seja toda a tenso
referente ao secundrio do transformador.

d. As formas de onda de corrente nos diodos D1 e D2 so mostradas na sequncia, sendo a

azul no diodo D1 e a vermelha no diodo D2. possvel observar pelas figuras apresentadas que a corrente de pico em cada diodo chega a quase 1 A (menos um ampre).
Esse valor pode ser comprovado conforme expresso mostrada na sequncia.
Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D1:
iD1(Pico) =

19,44
VPico na carga
=
iD1(Pico) = 0,972 A
20
20

Clculo do valor de pico da corrente sobre o diodo D2:

iD2(Pico) =

19,44
VPico na carga
=
iD2(Pico) = 0,972 A
20
20

Corrente no diodo D1

0.5
Corrente no diodo D1
0
0.5
1

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Eletrnica Bsica

50

Corrente no diodo D2

0.5
Corrente no diodo D2
0
0.5
1

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

e. A tenso de pico inversa (PIV) para cada diodo do retificador de onda completa com
transformador de tomada central (tap central) exatamente o dobro da tenso disponvel em cada tap do trafo. Sabendo-se disso pode-se obter a tenso de pico em cada
diodo da forma:
Clculo do valor de pico da tenso sobre os diodos D1 e D2:
VD1(Pico) = VD2(Pico) = 2 x 19,44 VD1(Pico) = VD2(Pico) = 38,88 V
Visualmente, as formas de onda de tenso de pico sobre os diodos D1 e D2 so mostradas anteriormente no item c e f.

De acordo com a disposio no circuito, o diodo no conduz no semiciclo positivo da tenso de entrada. No semiciclo negativo da senoide de entrada, o diodo conduz e inicia-se
o processo de carregamento do capacitor. O capacitor carrega com o valor mximo da
tenso de entrada e, logo em seguida, quando a tenso de entrada levemente maior do
que a tenso do capacitor, o diodo deixa de conduzir e comea seu estgio de descarregamento sobre o resistor de carga. No exerccio no foi fornecido um valor para a
capacitncia do capacitor. Pode-se afirmar que quanto maior o valor dessa capacitncia,
menores sero as oscilaes de tenso na carga, ou seja, menos ondulante ser essa tenso.
A seguir, so mostradas as formas de onda para a tenso de entrada (azul) e tenso na carga
para dois valores de capacitncias, sendo a de cor vermelha para uma capacitncia de baixo
valor e a de cor preta para uma capacitncia maior. Devido posio do diodo, observa-se
que a tenso na carga negativa.

80 VRMS

1 k

Capacitor

60 Hz

150

51

V de entrada
V na carga com capacitor de pequeno valor
V na carga com capacitor de maior valor

Eletrnica Bsica

100

Tenso de entrada e na carga

7)

50

50

100

150

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

8)

a. O diodo de silcio encontra-se reversamente polarizado. Isso indica que no h corrente circulando pela carga e, consequentemente, a tenso sobre o resistor de carga
(VSada) nula. Na sequncia, so apresentadas as formas de onda de entrada (na cor
azul) e na carga (na cor vermelha).
Ge

Si

Tenso de

entrada
10 V

VSada

4,7 k

10 V

10

Tenso
de entrada

5
0
5
10

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

10

VSada

5
0
5
10

Eletrnica Bsica

52

b. Tanto o diodo de silcio quanto o diodo de germnio esto diretamente polarizados

(conduzindo) no semiciclo positivo do sinal senoidal de entrada. Com isso, eles podem
ser substitudos por fontes contnuas (baterias) de 0,7 V para o diodo de silcio e 0,3 V
para o diodo de germnio, respectivamente. Com isso, a Lei das Tenses de Kirchhoff
poder ser aplicada ao circuito srie, representado ao lado, da forma:
Ventrada 0,7 0,3 Vsada = 0
A tenso de sada ser senoidal e o pico ser de:
Vsada = 20 0,7 0,3 Vsada = 19 V (valor de pico)
Si = 0,7 V
Tenso de
entrada
20 V
20 V

Si

Ge

VSada +

4,7 k

Ventrada

Ge = 0,3 V

VSada

4,7 k

 No semiciclo negativo da forma de onda senoidal de entrada, os dois diodos tornam-se

reversamente polarizados, fazendo com que no haja corrente circulando pela carga e,
consequentemente, a tenso sobre o resistor de carga tambm nula. Esse aspecto
mostrado no grfico da tenso na carga (curva em vermelho) a seguir. A senoide da cor
azul representa o sinal senoidal de entrada do circuito.
Tenso de entrada

20
10
0
10
20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

20
pico = 19 V

VSada

15
10
5
0

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Anlise no semiciclo positivo

1 000 IT
0,7 1 000IT = 0
Ventrada
2
Ventrada 500 IT 0,7 1 000 IT = 0
Ventrada 1 500IT 0,7 = 0
Assumindo que a tenso de entrada esteja no pico, tem-se:

200,7
20 1 500IT 0,7 = 0 IT =
IT = 12,87 mA
1 500
Pela Lei de Ohm

Vsada = 1 000IT Vsada = 1 000 x 12,87 x 103 Vsada = 12,87 V (Valor de pico)

53
Eletrnica Bsica

c. Nesse circuito, olhando no semiciclo positivos do sinal de entrada, os dois diodos de

silcio esto diretamente polarizados, podendo ser substitudo pelo circuito ao lado
onde os diodos de silcio foram substitudos por baterias de 0,7 V. Nesse circuito a Lei
das Tenses de Kirchhoff (L.T.K) poder ser aplicada tanto ao lado superior quanto ao
lado inferior do mesmo. As duas escolhas fornecero resultados idnticos. A partir da
L.T.K., tem-se:

 No semiciclo negativo da tenso de entrada, os dois diodos esto reversamente polarizados, comportando-se como chaves abertas. Assim, no haver corrente circulando
pela carga e fazendo com que a tenso no resistor de carga tambm seja nula. A anlise
no semiciclo negativo pode ser feita da forma:
Anlise no semiciclo negativo
Vsada = 0 V
Si

20 V

IT/2

VSada

IT/2

1 k

IT

1 k

Si

IT

1 k

Tenso
de entrada

VSada

Tenso
de entrada
20 V

Si = 0,7 V

1 k

1 k

Si = 0,7 V

1 k

20 V

20 V

A tenso de entrada mostrada na cor azul com amplitude de 20 Volts. A forma de

onda de tenso na carga (VSada) mostrada na cor vermelha. Observa-se que no semiciclo positivo h a conduo do diodo e a tenso na carga apresenta um aspecto senoidal
com valor de pico igual a 12,87 V, conforme clculos apresentados anteriormente. No
semiciclo negativo, com o bloqueio do diodo no haver tenso na carga.

Eletrnica Bsica

54

Tenso de entrada

20
10
0
10
20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

20

VSada

15
VPico = 12,87 V
10
5
0

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

d. No semiciclo negativo do sinal senoidal de entrada, os dois diodos de silcio (da

esquerda), isoladamente, poderiam conduzir corrente. Entretanto, o ltimo diodo de
silcio ( direita) est reversamente polarizado, fazendo com que a corrente do circuito
no semiciclo positivo seja nula. As figuras mostradas na sequncia evidenciam o comportamento desse circuito

 Anlise no semiciclo positivo

Vsada = 0 V
Si

10 k

Si

IT

20 V

IT/2

VSada

IT/2

10 k

IT = 0 A

10 k

Tenso de
entrada

17 V

VSada

Si

Tenso de
entrada

Si = 0,7 V

1 k

10 k

Si = 0,7 V

1 k

20 V

17 V

No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo da direita passa a conduzir. No

entanto, os diodos da esquerda (que esto em paralelo) esto reversamente polarizando, no permitindo a passagem de corrente pela carga. Sendo assim, a tenso na
carga continua nula. O circuito equivalente para esse mostrado na sequncia. As
formas de onda na entrada e na sada so mostradas na sequncia nas cores azul e vermelho respectivamente. importante observar que a tenso na carga nula em ambos
os semiciclos.
Anlise no semiciclo positivo
Vsada = 0 V

55

10
0
10
20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

20

VSada

10
0
10
20

Eletrnica Bsica

Tenso de entrada

20

Captulo 4
Respostas pgina 127
1)

Esses trs primeiros circuitos mostrados na sequncia, na verdade so retificadores de

meia-onda, que so os tipos mais simples de ceifadores. Nesses circuitos, os diodos conduzem no semiciclo positivo do sinal de entrada, dando passagem para a corrente eltrica.
Com isso, a tenso da carga igual de alimentao do circuito. Os grficos na sequncia
mostram os resultados obtidos na carga para trs formatos de onda na entrada, a saber:
senoidal, quadrada e triangular.
20

20 V

20 V

1 k

VE

Tenso na carga

15

V0

(c)

(a)

56

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

10

+
10 V

10 V

(d)

VE

+
1 k

(a)

Tenso na carga

Eletrnica Bsica

10

V0

16
14
12

15 V

Tenso na carga

10

15 V

1 k

VE

V0

(e)

2
0

(a)

6
4

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Aps a inverso do diodo, que agora aponta para o sentido anti-horrio, o diodo passa a
conduzir no semiciclo negativo do sinal de entrada. Como no semiciclo positivo o diodo
est reversamente polarizado, a tenso na carga nula. Isso ocorre porque, devido ao
bloqueio do diodo, no haver corrente circulando no resistor de carga e, consequentemente a tenso sobre ele nula. Novamente, so mostrados os resultados para trs
aspectos de forma de onda: senoidal, quadrada e triangular e todos se comportam de
forma semelhante.
5

57

20 V
+

VE

+
1 k

Eletrnica Bsica

Tenso na carga

10

15

V0

20 V

(c)

(b)

20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

10 V

Tenso na carga

+
VE

10 V

1 k

(d)

V0
8

10

(b)

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

2
0
2

15 V

58

Eletrnica Bsica

15 V

(e)

VE

1 k

V0

(b)

Tenso na carga

4
6
8
10
12
14
16

0.005

0.01

0.03

0.035

0.04

2)

Para uma alimentao senoidal e triangular, num primeiro momento, enquanto a tenso
de alimentao for menor que a da bateria, o diodo no conduz. Com isso, no h corrente circulando pela carga e, consequentemente, tambm no h tenso sobre o resistor
de carga. Quando o circuito alimentado por uma fonte quadrada, como a tenso injetada instantaneamente no circuito, o diodo conduz.

Quando a tenso que alimenta o circuito ultrapassa o valor definido pela bateria de 5 V
os diodos passa a conduzir. Assim, a tenso na carga toma o mesmo formato aplicado pela
fonte de entrada, entretanto, com valores diferentes. Esses valores podem ser obtidos a
partir da L.T.K no circuito. Por exemplo: o valor de pico na carga para um sinal senoidal
de entrada 20 5 V0 = 0 V0 = 15 V (de pico).

16
14
12

20 V

Tenso na carga

10

5V

8
6
4

20 V

1 k

VE

V0

2
0

(c)

0.005

0.01

0.015

(a)

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

5V

10 V

10 V

Tenso na carga

(d)

1 k

VE

V0

0.005

0.01

0.015

(a)

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

10

15 V

15 V

VE

1 k

Tenso na carga

5V

V0
0

(e)

(a)

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Eletrnica Bsica

59

Alterando a disposio do diodo, as ondas na carga e as anlises tambm mudam. As anlises quando o circuito alimentado por fontes senoidais e triangulares so semelhantes.
No semiciclo positivo, inicialmente o diodo estar conduzindo e a tenso na carga se inicia
com 5 V. A partir do momento em que a tenso de alimentao ultrapassa 5 V (da bateria), o diodo fica reversamente polarizado e a tenso na carga nula. Durante o semiciclo
negativo do sinal de entrada, o diodo sempre vai conduzir para esses circuitos mostrados
na sequncia. Particularmente falando dos sinais senoidais e triangulares, teremos a partir
da L.T.K. (anlise de pico): 20 5 V0 = 0 V0 = 25 V. Para o sinal triangular, s vai
mudar a amplitude, que de 20 V. As anlises para uma onda de alimentao quadrada
um pouco diferente. Com esse tipo de alimentao, o diodo j inicia reversamente
polarizado, com tenso na carga nula. Os grficos a seguir mostram o comportamento da
tenso na carga para as vrias configuraes de circuitos apresentadas.
5

20 V

Tenso na carga

5V

10

15

20 V

(c)

1 k

VE

V0
20

60

25

Eletrnica Bsica

(b)

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

2
0
2

5V

+
10 V

10 V

(d)

VE

+
1 k

Tenso na carga

V0

6
8
10
12

(b)

14
16

0.025

0.03

0.035

0.04

5V

15 V

15 V

(e)

1 k

VE

V0

Tenso na carga

(b)

3)

10

15

20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Com o catodo apontando para a direita, e a bateria disposta, conforme mostrado nos
trs primeiros circuitos a seguir, o diodo j inicia diretamente polarizado, mesmo que
a tenso de alimentao seja nula. Pode-se concluir que no semiciclo positivo o diodo
sempre ir conduzir. O diodo deixa de conduzir quando a tenso de entrada passa para o
semiciclo negativo e ainda com valores negativos maiores que 5 V (por exemplo (6 V, 7 V,
8 V,...20 V). Com o diodo aberto a tenso na carga nula. Os resultados alimentando
o circuito com ondas senoidais, quadradas e triangulares so mostrados na sequncia.
25

20

20 V

15

+
1 k

VE

V0

61

10

20 V

(c)

(a)

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

16
14

10 V

10 V

(d)

VE

12

+
1 k

V0

10

Tenso na carga

5V

8
6
4
2

(a)

0
2

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Eletrnica Bsica

C
Tenso na carga

5V

20

15

15 V

15 V

1 k

VE

10

Tenso na carga

5V

V0
0

(e)

(a)

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Mudando a disposio dos diodos a anlise completamente diferente, conforme grficos

mostrados na sequncia. Durante todo o semiciclo positivo, o diodo no conduz e, consequente, a tenso na carga nula. Os diodos s vo conduzir no semiciclo negativo, aps a
tenso de entrada ultrapassar o valor da bateria (por exemplo: 6 V, 7 V, 8 V,...20 V).
A partir da surge tenso na carga, cujo valor exato obtido a partir da L.T.K. no circuito.
2
0
2

5V
A

62

6
8
10

1 k

VE

12

V0

20 V

14

(c)

16

(b)

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

5V
A

10 V

10 V

(d)

VE

1 k

V0

(b)

Tenso na carga

Eletrnica Bsica

20 V

Tenso na carga

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

5V

15 V

15 V

(e)

VE

1 k

Tenso na carga

V0

(b)

4)

10

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

As formas de onda na carga para o diodo disposto para baixo, conforme mostrado nos trs
prximos circuitos, tm o mesmo comportamento. O diodo nessa posio est diretamente polarizado no semiciclo positivo do sinal de entrada, seja ele senoidal, quadrado ou
triangular. Com isso, no semiciclo positivo da tenso de entrada, a tenso na carga nula,
visto que o diodo em conduo comporta-se de forma semelhante a um curto-circuito.
No semiciclo negativo, toda a tenso de alimentao surge sobre a carga, conforme mostrado a seguir.
5

2,2 k

+
A

20 V

(c)

V0

VE

10

15

63

Eletrnica Bsica

20 V

Tenso na carga

20

(a)

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

2,2 k

10 V

10 V

(d)

Tenso na carga

V0

VE

(a)

10

2
0
2

2,2 k

15 V

15 V

(e)

V0

VE

Tenso na carga

12

14

(a)

8
10

16

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Com a simples inverso do sentido do diodo haver da mesma forma a inverso do sinal
de tenso sobre a carga, conforme mostrado nos grficos a seguir. No semiciclo positivo
da tenso de entrada, seja ela senoidal, quadrada ou triangular, o diodo est reversamente
polarizado. Isso faz com que toda a tenso de alimentao surja sobre a carga. J no semiciclo negativo o diodo conduz, tornando-se um curto-circuito e anulando a tenso para
a carga. Os prximos trs grficos mostram o comportamento da tenso na carga para os
casos da fonte de alimentao ser senoidal, quadrada ou triangular.
20

64

20 V

VE

20 V

(c)

V0

10

(b)

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

10

2,2 k

10 V

10 V

(d)

VE

V0
0

(b)

Tenso na carga

Eletrnica Bsica

2,2 k

Tenso na carga

15

16
14
12

2,2 k

15 V

15 V

(e)

VE

V0

Tenso na carga

10

6
4
2

(b)

5)

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Se considerarmos que o diodo utilizado ideal, a tenso na carga nula. Isso porque o diodo
D1 conduz no semiciclo positivo do sinal de entrada e o diodo D2 conduz para o semiciclo
negativo do sinal de entrada. Em ambos os casos, curto-circuitando a carga e mantendo uma
tenso nula sobre ela, conforme grfico em vermelho a seguir. Caso o diodo seja de silcio,
a tenso na carga ser idntica apresentada na resoluo do exerccio n 8, captulo 2.
Tenso de entrada

20

1 k

10
0
10
20

D1

VE

D2

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

65

0
10
0

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Assumindo que os diodos sejam ideais, pode-se concluir que para tenses de entrada
inferiores da bateria de 5 Volts o diodo est diretamente polarizado. Com isso, a tenso
na carga mantida num valor idntico ao da bateria, visto que a bateria est em paralelo
com a carga. Para tenses de entrada superiores a 5 Volts, o diodo no conduz, e a tenso
da carga igual da fonte senoidal de entrada. Os grficos na sequncia mostram as formas de onda de entrada (em azul) e na carga (em vermelho).
Tenso de entrada

10

1 k
10 V

+
C
VE

VO

5V

5
0

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

10

Tenso na carga

D1

10

10 V

0.04

10

20

6)

0.01

8
5 Volts
6
4

0.005

0.01

0.015

Eletrnica Bsica

20 V

V0
C

0.005

20

Tenso na carga

20 V

Nesse circuito o diodo est diretamente polarizado durante todo o semiciclo positivo do
sinal senoidal de entrada, mantendo a tenso na carga em 7 Volts. O diodo continua conduzindo durante uma parcela negativa do sinal de entrada, at que a entrada se torne mais
negativa que 7 V, que quando o diodo torna-se reversamente polarizado. Os grficos
da entrada e na carga so mostrados na sequncia.
Tenso de entrada

10

1 k

VE

VO

C
7V

Tenso na carga

D2

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

7 Volts

7
8
9
10

0.005

0.01

0.015

O diodo da esquerda conduz durante o semiciclo positivo do sinal de entrada, enquanto

o diodo da direita conduz durante o semiciclo negativo do sinal de entrada. Esse circuito
ceifador limita a tenso na carga nos valores de 5 Volts positivo e 7 Volts negativo. Os
grficos que evidenciam o comportamento da tenso de entrada e na carga so mostrados
a seguir.

66
Tenso de entrada

10

10 V

7)

VE

D1
5V

10 V
+

5
0
5
10

1 k
+

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

5 Volts

D2
A

10

VO
7V

Tenso na carga

Eletrnica Bsica

10 V

10 V

10

5
0
5
7 Volts
10

0.005

0.01

0.015

0.04

Os dois diodos D1 e D2 conduzem simultaneamente para o semiciclo positivo da tenso

de entrada. Essa conduo faz com que a tenso da carga seja limitada em 0,7 Volt durante
todo o semiciclo positivo da tenso de entrada. Quando a tenso de entrada passa para o
semiciclo negativo os dois diodos tornam-se reversamente polarizados, evitando a passagem de corrente eltrica e fazendo com que a tenso de sada seja igual de entrada. Os
grficos mostrados na sequncia evidenciam com detalhes o comportamento da tenso de
entrada (em azul) e na carga (em vermelho).

Tenso de entrada

40

2,2 k

20
0
20
40

0.005

0.01

0.015

+
D1

D2

30 V

VSada

Tenso na carga

10

30 V

0.025

0.03

0.035

0.04

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0,7 Volts

0
10
20
30

0.02
Tempo

0.005

0.01

0.015

Durante todo o semiciclo positivo da tenso de entrada, o nodo mais positivo que o
catodo e, portanto o diodo conduz. Assim, a tenso na carga mantida em 15 Volts
durante esse intervalo. Posteriormente, a tenso de entrada comea a circular no semiciclo negativo. Observamos que durante parte do semiciclo negativo o diodo ainda
conduz. Isso acontece especificamente para valores de tenso de entrada mais positivos
que 15 Volts, ou seja, 1 V, 2 V, 3 V,...15 V. Quando a tenso de entrada ultrapassa
a barreira de 15 V, o diodo abre, fazendo com que a tenso na carga seja igual de
entrada. Os grficos a seguir mostram a tenso de entrada e na carga, traduzindo o que foi
falado.

20

VSada

15 V

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

15 Volts

15
20
25
30

8)

10
Tenso na carga

30 V

D1

67

40

2,2 k

30 V

20

0.005

0.01

0.015

Nesse primeiro circuito, o diodo estar diretamente polarizado, enquanto a tenso do

nodo estiver mais positiva (maior) que a do catodo. Logo que a tenso de entrada ultrapassar o valor da fonte contnua, o diodo abre (no conduz) e, portanto a tenso de sada
Vout ser idntica de entrada. Podemos afirmar ainda que quando a tenso de entrada est
no semiciclo negativo, o catodo estar sempre mais negativo que o nodo, fazendo com
que o diodo conduza e limite a tenso na carga em 5 Volts. Os grficos para a tenso de
entrada (Vi) e na carga (V0) so mostrados logo em seguida nas cores azul e vermelho,
respectivamente. possvel notar que:
VE VBateria o diodo conduz e a tenso de sada V0 ser de 5 V.
VE > VBateria o diodo conduz e a tenso de sada V0 = VE

Eletrnica Bsica

Tenso de entrada

40

Tenso de entrada (Vi)

10
0
10
0

1 k

+
+

D1
VE

V0

5V

15 V

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.03

0.035

10
0

5 Volts

10
0

0.005

+
C

Tenso na carga (V0)

15 V

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

No circuito mostrado a seguir, o diodo estar diretamente polarizado em todo o semiciclo positivo do sinal de entrada VE. No semiciclo negativo da tenso de entrada, o diodo
permanece conduzindo, enquanto a tenso aplicada ao nodo seja mais positiva que 7 V
(tenso da bateria). Isso significa que se VE for 1 V, 2 V, 3 V,...7 V, o diodo continua
conduzindo. Durante todo o intervalo de tempo que o diodo conduz a tenso na carga
limitada em V0 = 7 V. A partir do momento em que a tenso de entrada se torna mais
negativa que a da bateria (8 V, 9 V,...15 V), o diodo fica reversamente polarizado,
e a tenso de sada idntica de entrada. Os grficos para a tenso de entrada (Vi) e na
carga (V0) so mostrados logo em seguida nas cores azul e vermelho respectivamente.
possvel notar que:
Para VE mais positivo que VBateria o diodo conduz e a tenso de sada V0 ser de 7 V.

68

Tenso de entrada (VE)

Eletrnica Bsica

Para VE mais negativo que VBateria o diodo no conduz e a tenso de sada V0 = VE.

1 k

10
0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

VE

V0

7V

Tenso na carga (V0)

D2

10
0

7 Volts

10
0

0.005

15 V

15 V

10

0.005

O circuito mostrado na sequncia chamado de limitador positivo e negativo. Esse nome

dado justamente porque esse circuito consegue ceifar as partes positiva e negativa de
uma forma de onda aplicada entrada. Nesse caso, em particular, o diodo D1 conduzir
durante o semiciclo positivo da tenso de entrada, especificamente quando essa tenso de
entrada for maior do que a tenso da bateria de 5 Volts. O diodo D2 s vai conduzir no

Tenso de entrada (VE)

semiciclo negativo, especificamente quando a tenso de entrada for mais negativa que a
da bateria de 7 V. Os grficos da tenso de entrada (em azul) e da tenso na carga (em
vermelho) mostrados na sequncia mostram que a onda de tenso disponvel para a carga
foi ceifada positivamente em 5 Volts e negativamente em 7 Volts.

1 k

10
0
10
0

+
D1

5V

15 V

D2
A

VE

V0

C
7V

Tenso na carga (V0)

15 V

0.01

0.015

10

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.025

0.03

0.035

5 Volts

0
7 Volts
10
0

9)

0.005

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

A primeira concluso que chegamos que o diodo D2 conduz apenas no semiciclo positivo e que o diodo D1 conduz apenas no semiciclo negativo da tenso de entrada Vin.
Como os dois diodos so de silcio, a forma de onda na carga ser de apenas 0,7 V, conforme grfico na cor vermelha a seguir. Observe que a tenso na carga praticamente uma
onda quadrada, cujo valor mximo de 0,7 Volt. Juntamente tenso na carga, tambm
ilustrado o grfico da tenso de entrada Vin, na cor azul, cujo valor de pico de 30 Volts.
69

0
20
40

2,2 k
D1

D2

Vout

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

0.5
0
0.5
1

Tenso na carga

+30 V
Vin 0 V
30 V

20

No circuito ceifador a seguir, o diodo s vai conduzir quando a tenso de entrada senoidal
Vin for levemente maior que 12,7 Volts. Quando a tenso de entrada ultrapassar levemente
esse valor, a sada Vout ser limitada (ceifada) em 12,7 Volts. Portanto, esse um limitador
positivo. No semiciclo negativo da tenso de entrada, o diodo estar reversamente polarizado, fazendo a tenso de sada Vout ser idntica de entrada Vin. Os grficos mostrados
na sequncia so para a tenso de entrada em azul e para a tenso de sada na carga em
vermelho.

Eletrnica Bsica

Tenso de entrada

40

Tenso de entrada (Vin)

40

2,2 k

D1

+
12 V

0
20
40

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

20

Vout

Tenso na carga (Vout)

+30 V
Vin 0 V
30 V

20

0.035

0.04

12,7 V

0
20
40

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Captulo 5
Respostas pgina 144
1)

Eletrnica Bsica

70

Para avaliar o funcionamento dos circuitos grampeadores e obter a forma de onda de

tenso na carga, deve-se comear as anlises sempre no sentido da tenso de entrada que
polariza diretamente o diodo semicondutor. Assumindo diodos ideais, nos dois primeiros
circuitos mostrados na sequncia deve-se iniciar analisando pelo semiciclo positivo do
sinal de entrada. Dessa forma, o diodo torna-se diretamente polarizado e a tenso na carga
inicialmente nula, conforme grficos a seguir. Para a onda senoidal o capacitor carrega
com o valor de pico da tenso de entrada, que vale 20 V. A tenso de entrada comea
a decrescer e, como a tenso no capacitor praticamente constante, a tenso na carga
comea a decrescer negativamente at chegar 40 V. Isso ocorre porque o diodo abre
com o decrescimento da tenso de entrada (quando a tenso de entrada menor que a
tenso do capacitor). Quando a tenso de alimentao senoidal passa para o semiciclo
negativo o diodo continua reversamente polarizado. Nas anlises cujas alimentaes so
feitas com ondas quadradas, as anlises so mais objetivas. No semiciclo positivo do sinal
de entrada, o diodo est diretamente polarizado, e o capacitor carrega com 10 V. Nesse
intervalo, a tenso na carga nula. Quando a tenso da fonte passa a ser negativa (instantaneamente), o diodo fica reversamente polarizado, e a partir da L.T.K no circuito obtm-se
uma tenso na carga de 20 V (VE VC V0 = 0 10 10 V0 = 0 V0 = 20 V).
20
Tenso de entrada
Tenso na carga

C = 47 F

20 V

20 V

+
A

VE

(c)

10 k V
0

(a)

Tenso de entrada e na carga

10

10

20

30

40

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

10
Tenso de entrada
Tenso na carga

C = 47 F
+

10 V

10 V
(d)

VE

10 k V
0

Tenso de entrada e na carga

10

15

(a)

20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Quando o diodo invertido, deve-se iniciar as anlise pelo semiciclo negativo do sinal
de entrada. Isso far com que a tenso na carga tambm seja invertida comparada quela
obtida nas anlises anteriores. Na sequncia, so mostrados os resultados obtidos a partir
do circuito eltrico com o diodo invertido.
40
Tenso de entrada
Tenso na carga

C = 47 F
+

20 V

VE

20

10

71

10

(c)

(b)

20

0.01

0.015

0.02

0.025
Tempo

0.03

0.035

0.04

20
15

C = 47 F
+

10 V

+
C

VE

10 V

10 k V
0

(b)

5
0
5
10
15

(d)

Tenso de entrada e na carga

10

20

Tenso de entrada
Tenso na carga
0.01

0.015

0.02

0.025
Tempo

0.03

0.035

0.04

Eletrnica Bsica

20 V

10 k V
0

Tenso de entrada e na carga

30

2)

Deve-se iniciar as anlises pelo semiciclo positivo, pois, nesse semiciclo, consegue-se
polarizar diretamente o diodo semicondutor. A tenso na carga com o diodo conduzindo
5 V. Aps o trmino do carregamento do capacitor e quando a tenso de entrada passa a
decrescer a tenso na carga cai e passa para o semiciclo negativo. Na sequncia, so mostrados os grficos para a tenso de entrada e na carga.
20
Tenso de entrada
Tenso na carga

C = 47 F

20 V

20 V

VE

10 k

V0

5V

(c)

Tenso de entrada e na carga

10

10

20

30

(a)

40

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

10
Tenso de entrada
Tenso na carga

C = 47 F
+

10 V

72

VE

10 k

V0

5V

(d)

10

(a)

15

20

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Quando o diodo invertido, deve-se iniciar as anlises pelo semiciclo negativo do sinal
de entrada. Isso far com que a tenso na carga tambm seja invertida comparada quela
obtida nas anlises anteriores. Na sequncia, so mostrados os resultados obtidos a partir
do circuito eltrico com o diodo invertido.
40
Tenso de entrada
Tenso na carga
30

C = 47 F
+

20 V

VE

10 k V
0

5V

20 V
(c)

Tenso de entrada e na carga

Eletrnica Bsica

10 V

Tenso de entrada e na carga

20

10

10

(b)

20

0.01

0.015

0.02

0.025
Tempo

0.03

0.035

0.04

20
15
10

C = 47 F

10 V

10 V

VE

0
5

10 k V
0

10

5V

(d)

15

(b)

3)

20

0.01

0.015

0.02

0.025
Tempo

0.03

0.035

0.04

Deve-se iniciar as anlises pelo semiciclo positivo, pois, nesse semiciclo, consegue-se
polarizar diretamente o diodo semicondutor. A tenso na carga com o diodo conduzindo
5 V. Aps o trmino do carregamento do capacitor e quando a tenso de entrada passa
a decrescer, a tenso na carga cai e passa para o semiciclo negativo. Na sequncia, so
mostrados os grficos para a tenso de entrada e na carga.
20

Tenso de entrada
Tenso na carga

10

20 V

10 k

V0

10

73

20

30

5V

(c)

40

(a)

50

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

10

0.03

0.035

0.04

Tenso de entrada
Tenso na carga

C = 47 F
+

10 V

10 V

(d)

VE

10 k

Tenso de entrada e na carga

5
10

15

V0
20

5V

(a)

25

0.005

0.01

0.015

0.02
Tempo

0.025

0.03

0.035

0.04

Eletrnica Bsica

VE

20 V

Tenso de entrada e na carga

C = 47 F

Quando o diodo invertido, deve-se iniciar as anlise pelo semiciclo negativo do sinal
de entrada. Isso far com que a tenso na carga tambm seja invertida comparada quela
obtida nas anlises anteriores. Na sequncia, so mostrados os resultados obtidos a partir
do circuito eltrico com o diodo invertido.
50

Tenso de entrada
Tenso na carga

40

C = 47 F
+

20 V

VE

20 V

10 k V
0

Tenso de entrada e na carga

30

20

10

5V

(c)

10

(b)

20

0.01

0.015

0.02

0.025
Tempo

0.03

40

0.035

0.04

Tenso de entrada
Tenso na carga

C = 47 F
+

10 V

74

Eletrnica Bsica

VE

10 V

10 k V
0

5V

(d)

20

10

10

(b)

4)

Tenso de entrada e na carga

30

20

0.01

0.015

0.02

0.025
Tempo

0.03

0.035

0.04

O circuito para o multiplicador de tenso por cinco mostrado na figura a seguir. A tenso de entrada fornecida por uma fonte alternada de 12 (valor de pico) e a tenso de sada
de aproximadamente 60 V retificada (contnua).
59.99
VAB
A

C6

C1

C3

D1

D2

C2

C5

D3

D4

C4

D5

5)

O valor mximo da tenso na sada de um dobrador obtido da forma:

Vmax= (20 2 ) . 2 Vmax 56,56 V

A figura a seguir mostra um resultado simulado para um circuito duplicador de tenso.

Conforme visualizado, a tenso na sada praticamente constante e igual ao esperado.
60

Tenso de sada do duplicador

50
"Zoom"

60

40

58
30

56
54

20

52
10

50

3.1

3.2

3.3

3.4

3.5

10

0.5

1.5

2
Tempo

2.5

3.5

Captulo 6
Respostas pgina 168
1)

Dado o circuito a seguir e seus respectivos parmetros, tem-se:

VZ = 5,1 V

IZmin = 1 mA

Iz

IZmax = 178 mA

Pmax = 1 W

Clculo do valor mnimo da tenso de entrada:

Vmin = RSmaxIZmin + Vz

Vmin = 220.1 x 103 + 5,1

Vmin = 5,32 V

Clculo do valor mximo da tenso de entrada:

Vmax = RSminIZmax + Vz

Vmax = 220.178 x 103 + 5,1

Vmax = 44,26 V

Tenso
de entrada

+
VZ

75
Eletrnica Bsica

Rs

2)

IZmin = 0,25 mA

Tenso
de entrada
20 V

Iz

Is

Ic

+
1N4744A

+
VC=VZ =15 V

470 k

IZmax = 61 mA

Pmax = 1 W

Clculo do valor mximo da resistncia srie:

V VZ
RSmax =
IZmin + IC

A corrente da carga constante e vale:

IC =

RSmax =

Clculo do valor mnimo da resistncia srie:

RSmin =

V VZ
IZmax + IC

RSmin =

20 15
= 81,92
61 x 103 + 31,91 x 106

Os resultados de simulao so mostrados na figura a seguir. Observa-se pelo valor da

tenso regulada que os valores de resistncia proporcionam uma boa regulao de tenso.
Os valores de resistncias mnimas e mximas foram calculados e esto na faixa de 81,92
at 17,74 k. Para a simulao adotou-se um valor de 220 para a resistncia, o que
proporcionou boa regulao de tenso.

76
Eletrnica Bsica

Rs

VZ = 15 V

15
VC
= 470 000 = 31,91 A
RC
20 15
= 17,74 k
0,25 x 103 + 31,91 x 106

0.023

R1

220
+

0.023

0.032 m

5
V1
20 V

+
D1
1N4744A
0

R2
470 k

15.010

3)

Rs

VZ = 33 V

IZmin = 0,25 mA

IZmax = 27 mA

Pmax = 1 W

Clculo do valor mximo da resistncia srie:

V VZ
RSmax =
IZmin + ICmax

A corrente da carga constante e vale:

VC
33 = 150 mA
ICmax =
=
220
RCmin

RSmax =

Tenso
de entrada
50 V

Iz

Is

Ic

+
1N4742

220 k
a
1 k

+
VC=VZ=33 V

50 33
= 113,14
0,25 x 103 + 150 x 103

Clculo do valor mnimo da resistncia srie:

V VZ
RSmin =
IZmax + ICmin

RSmin =

50 33
= 283,33
27 x 103 + 33 x 103

Como observado, o valor da resistncia mxima menor do que o da resistncia mnima.

Isso indica que os clculos no levam a resultados coerentes. Uma simples alterao nos
valores mnimo e mximo das resistncias de carga para 2,2 k e 22 k, respectivamente,
oferece resultados mais condizentes com a realidade, conforme evidenciado a seguir:
Clculo do valor mximo da resistncia srie:
VVZ
RSmax =
IZmin + ICmax
A corrente da carga constante e vale:
VC
33
ICmax =
= 15 mA
=
RCmin 2 200

RSmax =

50 33
= 1,114 k
0,25 x 103 + 15 x 103

77
Eletrnica Bsica

A corrente na carga vale:

33
VC
= 33 mA
=
ICmin =
1 000
RCmax

Eletrnica Bsica

78

Clculo do valor mnimo da resistncia srie:

RSmin =

A corrente na carga vale:

ICmin =

33
VC
=
= 1,5 mA
22 000
RCmax

RSmin =

50 33
= 596,5
27 x 103 + 1,5 x 103

Esse resultado est mais coerente e ser utilizado na simulao um resistor limitador srie
de 680 , que est na faixa dos valores calculados. Na figura a seguir, so mostrados os
resultados para uma carga de 2,2 k, e posteriormente para 22 k. Nesses dois casos, a
resistncia srie teve seu valor fixado em 680 . Observa-se pelo voltmetro colocado
em paralelo com a carga que a tenso praticamente idntica aos 33 V fornecido pelo
fabricante.

V VZ
IZmax + ICmin

Rs

4)

VZ = 6,8 V

IZmin = 1 mA

IZmax = 133 mA

Pmax = 1 W

Clculo do valor mximo da resistncia srie:

RSmax =

Iz

Ic

VZ

+
VC=VZ

220 k

Vmin VZ
IZmin + IC

A corrente da carga constante e vale:

IC =

22 V
(10%)

Is

VC
6,8
= 30,91 mA
=
220
RC

Clculo do valor mnimo da tenso de entrada:

Vmin = 22 10% = 22 22.10 = 22 2,2

100

Vmin = 19,8 V

19,8 6,8
= 407,4
1 x 103 + 30,91 x 103

Clculo do valor mnimo da resistncia srie:

RSmin =

Vmax VZ
IZmax + IC

79

A corrente da carga constante e vale:

IC =

VC
6,8
= 30,91 mA
=
220
RC

Clculo do valor mximo da tenso de entrada:

Vmax = 22 + 10% = 22 + 22.10 = 22 + 2,2

100
Vmax = 24,2V
24,2 6,8
= 106,15
RSmin =
133 x1 03 + 30,91 x 103

A resistncia srie dever estar entre 106,15 e 407,4 , podendo-se escolher qualquer
valor nessa faixa. Para elaborar a simulao computacional, foi selecionado RS = 220 . A
figura a seguir mostra os resultados obtidos em que foram alterados os valores na tenso
de entrada em 10%, ou seja, Vmin = 19,8 V e Vmax = 24,2 V. Verifica-se que mesmo com
essas alteraes na entrada, a sada continua com uma boa regulao nos dois casos.

Eletrnica Bsica

RSmax =

alterados os valores na tenso de entrada em 10%, ou seja, Vmin = 19,8V e Vmax = 24,2V. Verifica-se que mesmo com
alterados os valores na tenso de entrada em 10%, ou seja, Vmin = 19,8V e Vmax = 24,2V. Verifica-se que mesmo com
essas alteraes na entrada, a sada continua com uma boa regulao nos dois casos.
essas alteraes na entrada, a sada continua com uma boa regulao nos dois casos.

Tenso de entrada mnima de 19,8V.

Tenso de entrada mnima de 19,8V.

Tenso de entrada mnima de 19,8V.

Tenso de entrada mxima de 24,2V.

5.5)
5.

Eletrnica Bsica

80

Tenso de entrada mxima de 24,2V.

Tenso de entrada mxima
de 24,2V.
Rs

VZ = 4,7 V
IZmin = 1 mA

VZ = 4,7V
VZ = 4,7V
1mA
= 193 mA
I Zmin I=Zmax
I Zmin = 1mA
I Zmax = 193mA
= 193mA
=1W
I ZmaxPmax
Pmax = 1W
Pmax = 1W

20 V
(20%)

Is

Iz

Ic

VZ

330 k
a 1 k

+
VC=VZ

Clculo do valor mximo da resistncia srie:

RSmin =

Vmin VZ
IZmin + ICmax

A corrente na carga mxima ocorre quando a resistncia de carga mnima, da forma:

4,7
VC
= 14,24 mA
=
ICmax =
330
RCmin

Clculo do valor mnimo da tenso de entrada:

Vmin = 20 20% = 20 100 = 20 4

Vmin = 16 V

RSmax =

20.20

16 4,7
= 741,47
1 x 10 + 14,24 x 103
3

75
75

Clculo do valor mnimo da resistncia srie:

RSmin =

Manual do Professor
Manual do Professor

Vmax VZ
IZmax + ICmin

Soluo :
Soluo :
Soluo :
Soluo :
Clculo
do valor mnimo
srie
Clculo
valor mximo
damnima
resistncia
sriequando
A do
corrente
da carga
ocorre
a resistncia
de cargada resistncia
mxima, da
forma:
Clculo do valor mnimo da resistncia srie
Clculo do valor mximo da resistncia srie

4,7
VC
= 4,7 mA
=
=
ICmin
V - VZ
1 000
RCmax
R Smax = Vmin - V

V -V
R Smin = Vmaxmax- VZ Z
+I
R Smax = I
R Smin = I Zmax + I Cmin
I
+I
I Zmax + I Cmin
A corrente da carga mxima ocorre quando a
A corrente
da carga mnima ocorre quando a
A corrente
Clculo
do valor
mximo
tensoa de entrada:
da carga
mxima
ocorreda
quando
A corrente da carga mnima ocorre quando a
resistncia de carga mnima, da forma:
resistncia de carga mxima, da forma:
resistncia de carga mnima, da forma:
resistncia de carga mxima, da forma:

VC= 20 4, 720% = 20 + 20.20 = 20 + 4

V
4, 7
I Cmax =VmaxV
4, 7 14, 24mA 100
I Cmin = VC C 4, 7 4, 7 mA
C
I Cmax = R Cmin 330 14, 24mA
I Cmin = R Cmax 1000 4, 7 mA
R Cmin
330
1000
R Cmax
24 mnimo
V
ClculV
o max
do =
valor
da tenso de entrada: Clculo do valor mximo da tenso de entrada:
Clculo do valor mnimo da tenso de entrada: Clculo do valor mximo da tenso de entrada:
20.20
.20
20
20
.204,7
20 20 4
20 4
= 20 - 20% = 20 - 24
Vmax = 20 + 20% = 20 + 20
100
.100
20
4
Vmin
=
20
20%
=
20
V
=
20
+
20%
=
20
+

V
R
=
=
97,62

min
max
3100
100 20 4
Smin
+ 4,7
x 103

193 x 10
16
24
V
=
V
=
V
V
min
max
V = 16V
V = 24V
min
Zmin
Zmin

min

RSmax
Smax

Z
Cmax
Cmax

max

16 -- 4,7
4,7
- 4,7
16
2424- 4,7
47
=
741,47
97
R Smin==
, 62
-3
-3 741,mostram
-3poder ser
-3
=
R
, 62
97
entre 97,62
Os1x10
resultados
calculados
que
a
resistncia
srie
projetada
Smin
-3 + 4,7x10
14,,24
24x10
+ 14
x10-3
193x10
1x10-3 +
193x10
+ 4,7x10-3

e 741,47 . Adotaremos um valor comercial de 470 . As figuras a seguir mostram os

Os
calculados mostram
mostramque
queaaresistncia
resistncia sriepoder
poder serprojetada
projetadaentre
entre
97,62

e 741,47
Adotaremos
Os resultados
resultados
calculados
97,62
de
e 741,47
..
Adotaremos
resultados
obtidos com
o MultiSimsrie
para duassercondies
distintas
alimentao
e carga.
um
de 470
470 .
. As
As figuras
figurasaaseguir
seguirmostram
mostramososresultados
resultadosobtidos
obtidoscom
com
o MultiSim
para
duas
condies
um valor
valor comercial
comercial de
o MultiSim
para
duas
condies

Na primeira simulao, a tenso de alimentao decrescida em 20% e a resistncia da

distintas
de
alimentao
carga.
Naprimeira
primeira
simulao,a aatenso
tenso
alimentao
decrescida
20%
a resistncia
distintascarga
de alimentao
ee carga.
simulao,
dedealimentao
decrescida
emem
20%
e aeem
resistncia
mnima.
Na Na
segunda
simulao,
tenso
de
alimentao
foi acrescida
20% e a
da
carga

mnima.
Na
segunda
simulao,
a
tenso
de
alimentao
foi
acrescida
em
20%
e
a
resistncia
de
carga
resistncia
de
carga

mxima.
da carga mnima. Na segunda simulao, a tenso de alimentao foi acrescida em 20% e a resistncia de carga

mxima.
mxima.

81
Eletrnica Bsica

Tenso de entrada mnima (16 V) e

resistncia na carga mnima (330 )

Tenso
330

Tenso de
deentrada
entradamnima
mnima16
16VVe eresistncia
resistnciananacarga
cargamnima
mnima
330

Tensomxima
de entrada
(36 na
V)carga
e mxima (22 k)
Tenso de entrada
(36 V)mxima
e resistncia
Tenso de entrada mxima (36 V) e resistncia na carga mxima (22 k)
resistncia na carga mxima (22 k)

76

76

Manual
Manual do
do Professor
Professor

6)

A figura (a) mostra o limitador positivo. No semiciclo positivo da tenso de entrada,

enquanto
o sinal
de entrada
forNo
menor
que
a tenso
Zener
de projeto,
nodecaso
parti6. A
figura a mostra
o limitador
positivo.
semiciclo
positivo
da tenso
de entrada,
enquantoque
o sinal
entrada
for
cular
vale
6,2
Volts,
o
diodo
Zener
funcionar
como
uma
chave
aberta.
No
momento
em
menor
que
a
tenso
Zener
de
projeto,
que
no
caso
particular
vale
6,2
Volts,
o
diodo
Zener
funcionar
como
uma
chave
menor que a tenso Zener de projeto, que no caso particular vale 6,2 Volts, o diodo Zener funcionar como uma chave
que
a
tenso
de
entrada
for
igual

tenso
Zener,
o
diodo
polariza
e
funciona
como
uma
aberta.
em que
que aa tenso
tenso de
de entrada
entrada for
for igual
igual tenso
tenso Zener,
Zener, o
o diodo
diodo polariza
polariza ee funciona
funciona como
como uma
uma fonte
fonte
aberta. No
No momento
momento em
fonte
contnua.
No
semiciclo
negativo
do
sinal
de
entrada,
o
diodo
Zener
estar
diretacontnua.
No
semiciclo
negativo
do
sinal
de
entrada,
o
diodo
Zener
estar
diretamente
polarizado
e
a
tenso
na
sada
contnua. No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo Zener estar diretamente polarizado e a tenso na sada
mente
polarizado
e a tenso na sada ser de apenas 0,7 V.
ser
de apenas
0,7 V.
ser de apenas 0,7 V.
Rs

V=30 V
60 Hz

VZ=6,2 V

V0

(a)
Na figura b, quando a tenso de entrada estiver no semiciclo positivo, o diodo estar diretamente polarizado e a

Na figura (b), quando a tenso de entrada estiver no semiciclo positivo, o diodo estar
diretamente polarizado e a tenso de sada ser de 0,7 V. No semiciclo positivo, o Zener
tenso
de
valor
fornecida
peloofabricante
que, nessereversamente
caso, de 15 polarizado
Volts.
tenso
de sada
sada no
ser
de da
0,7tenso
V. NoZener,
semiciclo
positivo,
Zener tornar-se-
e limitar-se-

tornar-se-
reversamente
polarizado
e limitar-se-
tenso
de sada
no valor
da tenso
tenso
de sada
no valor da
tenso
Zener, fornecida
fabricante
de 15 Volts.
Zener,
fornecida
pelo
fabricante
que,pelo
nesse
caso,que,
denesse
15 caso,
Volts.
tenso
de sada
ser de a0,7
V. No
positivo,
o Zener tornar-se-
polarizado epolarizado
limitar-se-
Na figura
b, quando
tenso
de semiciclo
entrada estiver
no semiciclo
positivo, o reversamente
diodo estar diretamente
e a

Rs

+
V=30 V
60 Hz

82

VZ=15 V

V0

A figura c mostra uma configurao de diodos Zener que limita a tenso de sada nos semiciclos positivo e negativo.

(b)

Eletrnica Bsica

No semiciclo positivo do sinal de entrada, o diodo Zener superior est diretamente polarizado e o diodo Zener inferior
est
reversamente
Com isso,
a tenso
de sada
ser limitada
valor nos
da tenso
Zener
do diodo
inferior
A figura
c mostrapolarizado.
uma configurao
de diodos
Zener
que limita
a tenso no
de sada
semiciclos
positivo
e negativo.

A figura (c) mostra uma configurao de diodos Zener que limita a tenso de sada
nos semiciclos
positivo
e negativo.
No semiciclo
positivo do
sinal deCom
entrada,
o diodo
superior
est reversamente
polarizado
e oa diodo
inferior
est diretamente
isso,
a tenso
de
est reversamente
polarizado.
Com isso,
tenso Zener
de sada
ser limitada
no valor polarizado.
da tenso Zener
do
diodo
inferior
Zener
superior
est
diretamente
polarizado
e
o
diodo
Zener
inferior
est
reversasada ser limitada no valor da tenso Zener do diodo superior menos a queda de 0,7V do diodo inferior (-15 0,7 = mais a queda de 0,7 do diodo superior (15 + 0,7 = 15,7 V). No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo Zener
mente
polarizado. Com isso, a tenso de sada ser limitada no valor da tenso Zener
15,7
V).
superior est reversamente polarizado e o diodo Zener inferior est diretamente polarizado. Com isso, a tenso de
do diodo inferior mais a queda de 0,7 V do diodo superior (15 + 0,7 = 15,7 V). No
sada
ser limitada
no valor dado
tenso
Zenerde
do entrada,
diodo superior
menos a queda
de 0,7V
do diodoest
inferior
(-15 0,7 = semiciclo
negativo
sinal
o diodo
Zener
superior
reversamente
15,7
V).
polarizado
e o diodo Zener inferior est diretamente polarizado. Com isso, a tenso
de sada ser limitada no valor da tenso Zener do diodo superior menos
queda 77de
Manual doaProfessor
0,7 V do diodo inferior (15 0,7 = 15,7 V).
mais
a queda de
0,7 do
(15o+diodo
0,7 =Zener
15,7 V).
No semiciclo
negativopolarizado
do sinal dee entrada,
o diodo
Zener
No semiciclo
positivo
dodiodo
sinal superior
de entrada,
superior
est diretamente
o diodo Zener
inferior

Rs

77

Vz1 =15 V
V=30 V
60 Hz

V0
Vz2 =15 V

(c)
No circuito da figura d o diodo Zener superior est diretamente polarizado, entretanto abaixo est um diodo de
silcio reversamente polarizado. Isso indica que no semiciclo positivo da tenso de entrada o circuito est aberto e,

No circuito da figura (d) o diodo Zener superior est diretamente polarizado, entretanto
abaixo
um d
diodo
deZener
silcio
reversamente
polarizado.
Isso indica
semiciclo
No
circuitoest
da figura
o diodo
superior
est diretamente
polarizado, entretanto
abaixoque
est no
um diodo
de
positivo
da
tenso
de
entrada
o
circuito
est
aberto
e,
portanto,
a
tenso
de
sada

igual

silcio reversamente polarizado. Isso indica que no semiciclo positivo da tenso de entrada o circuito est aberto e,
de
entrada.
No
semiciclo
negativo,
o
diodo
de
silcio
encontra-se
diretamente
polarizado,
portanto, a tenso de sada igual de entrada. No semiciclo negativo, o diodo de silcio encontra-se diretamente
e o diodo Zener reversamente polarizado. Esse circuito ir limitar a tenso negativa em
polarizado, e o diodo Zener reversamente polarizado. Esse circuito ir limitar a tenso negativa em -15,7 V, que
15,7 V, que equivale soma da tenso de projeto do Zener com a queda de tenso de
equivale soma da tenso de projeto do Zener com a queda de tenso de 0,7 V no diodo de silcio.
0,7 V no diodo de silcio.
Rs

Vz1 =15 V
V=30 V
60 Hz

V0
Silcio

(d)
No circuito da figura e, olhando inicialmente o semiciclo positivo da entrada, o diodo Zener est reversamente

No circuito da figura (e), olhando inicialmente o semiciclo positivo da entrada, o diodo

Zener est reversamente polarizado, entretanto abaixo est um diodo de silcio enconir limitar a tenso positiva em 5,4 Volts, que equivale soma da tenso de projeto do Zener com a queda de tenso de
tra-se diretamente polarizado. Isso indica que esse circuito ir limitar a tenso positiva
0,7 V no diodo de silcio. No semiciclo negativo, o diodo de silcio est reversamente polarizado, bloqueando a
em 5,4 Volts, que equivale soma da tenso de projeto do Zener com a queda de tenso
passagem de corrente e fazendo com que a tenso de sada seja igual de entrada.
de 0,7 V no diodo de silcio. No semiciclo negativo, o diodo de silcio est reversamente
polarizado, bloqueando a passagem de corrente e fazendo com que a tenso
dedosada
seja
Manual
Professor
Manual do Professor
igual de entrada.
polarizado, entretanto abaixo est um diodo de silcio encontra-se diretamente polarizado. Isso indica que esse circuito

Rs

Vz=4,7 V

V=30 V
60 Hz

V0

Silcio

78

(e)
No circuito apresentado na figura e tanto o diodo de silcio quanto o Zener esto diretamente polarizado. Com isso,
No
apresentado
na figura e
o diodo
de silcio
quanto ode
Zener
esto quanto
diretamente
Com direisso,
Nocircuito
circuito
apresentado
na tanto
figura
(f) tanto
o diodo
silcio
o polarizado.
Zener esto
a tenso de sada nesse semiciclo vale 1,4 Volts, que praticamente imperceptvel no grfico mostrado na sequncia.
atamente
tenso de sada
nesse semiciclo
valeisso,
1,4 Volts,
que praticamente
imperceptvel
no grfico
mostrado
na sequncia.
polarizado.
Com
a tenso
de sada nesse
semiciclo
vale
1,4 Volts,
que
No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo de silcio fica reversamente polarizado, fazendo com que a tenso
praticamente
imperceptvel
no
grfico
mostrado
na
sequncia.
No
semiciclo
negativo
No semiciclo negativo do sinal de entrada, o diodo de silcio fica reversamente polarizado, fazendo com que a tenso
para a carga seja idntica de alimentao do circuito.
do asinal
o alimentao
diodo dedosilcio
para
carga de
sejaentrada,
idntica de
circuito.fica reversamente polarizado, fazendo com que a

tenso para a carga seja idntica de alimentao do circuito.

Rs

VZ1 =9,1 V
V=30 V
60 Hz

V0
Silcio

(f)

Captulo 7: Diodos Zener: Reguladores de Tenso a partir de Circuitos Integrados

Captulo 7: Diodos Zener: Reguladores de Tenso a partir de Circuitos Integrados

Eletrnica Bsica

83

Captulo 7
Respostas pgina 179
1)

a. A tenso de sada do regulador fixo LM7805 +5 Volts (positivo).

b. A tenso de sada do regulador fixo LM7806 +6 Volts (positivo).
c. A tenso de sada do regulador fixo LM7809 +9 Volts (positivo).
d. A tenso de sada do regulador fixo LM7815 +15 Volts (positivo).
e. A tenso de sada do regulador fixo LM7824 +24 Volts (positivo).
f. A tenso de sada do regulador fixo LM7912 12 Volts (negativo).
g. A tenso de sada do regulador fixo LM7924 24 Volts (negativo).
h. A tenso de sada do regulador fixo LM7908 8 Volts (negativo).

2)

O projeto de regulador de tenso mostrado no esquema abaixo. Para a construo desse

regulador, foram utilizados os componentes:
Quatro diodos de silcio 1N4007;
Um transformador monofsico com tenso de alimentao de 220 V e relao de transformao de 1:15;
Um capacitor eletroltico de 470 F;
Dois capacitores de poliester de 220 pF;
Um regulador de tenso, modelo LM 7805.
Na sada do circuito, foi inserido um voltmetro. Conforme visualizado, a tenso de
sada de praticamente 5 Volts, atestando a funcionalidade do circuito.

Eletrnica Bsica

84

3)

O circuito mostrado a seguir de um regulador de tenso cuja sada mantida em

+12 Volts e na outra 12 Volts.

Para o projeto, foram utilizados os seguintes componentes:

Quatro diodos de silcio 1N4007 para a construo do retificador de onda completa em
ponte;
Um (transformador monofsico com tomada central cuja tenso de alimentao de
220 V e relao de transformao de 1:10;
Dois capacitores eletroltico de 470 F;
Quatro capacitores de poliester de 220 pF;
Um regulador de tenso, modelo LM 7812 para regulao em +12 V;
Um regulador de tenso, modelo LM 7912 para regulao em 12 V.

4)
3

18 V

LM317

C1 =470 F

R1 =2 k

C2 =0,22 F

V0

Iajuste

R2

C3 =0,1 F

R2 =22 k

GND

Geralmente, a primeira considerao que se faz que:

Vref 1,25 V e Iajuste 50 A; V0 = Vref 1 +

Portanto:

R2
+ R2Iajuste
R1

V0 = 1,25 1 + 22 000 + 22 000 . 50 x 106 V0 = 16,1V

2 000

Captulo 8
Respostas pgina 193
1)

Embora as vlvulas sejam ainda muito utilizadas, existe uma infinidade de vantagens dos
transistores bipolares de juno comparados a esses dispositivos. Dentre as principais
podem ser destacados:
So menores e mais leves;
Possuem vida til elevada;
Tm baixo consumo de energia;
So bem mais resistentes;
Geralmente, possuem custo reduzido;

85
Eletrnica Bsica

 Dissipam menor quantidade de potncia e, consequentemente dissipam tambm

menos calor;
So mais confiveis e eficientes;
No necessitam de um tempo inicial para aquecimento tal como requerido pelas
vlvulas.
2)

Os transistores bipolares de juno, abreviados por TBJ so basicamente classificados,

conforme sua caracterstica construtiva em dois grandes grupos, que so: Transistores
NPN Negativo-Positivo-Negativo e Transistores PNP Positivo-Negativo-Positivo.

3)

A figura a seguir mostra o esquema, com diodos, para os transistores NPN e PNP.
Transistor NPN

Juno
base-coletor

Transistor PNP
Juno
base-coletor

N
B

P
P

Juno
base-emissor

Eletrnica Bsica

86

NPN

N
E

PNP

N
Juno
base-emissor

P
E

4)

Terminal do coletor, terminal da base e terminal do emissor.

5)

O transistor formado por duas junes, que so juno base-emissor e juno base-coletor. Geralmente, essas junes so tambm nomeadas por juno N-P e P-N para os
transistores NPN e juno P-N e N-P para os transistores PNP.

6)

Os encapsulamentos servem basicamente para proteger os transistores contra umidade e

poeira. Alm disso, como muitos encapsulamentos so feitos de metal, servem tambm
para dissipar o excesso de calor nos transistores de maior potncia. Existem encapsulamentos dos mais diversos formatos e tamanhos. Geralmente, os transistores de menor
potncia so hermeticamente fechados em cpsulas plsticas ou epxi. Transistores de
mdia/alta potncia so inseridos em caixas metalizadas, justamente para que possam dissipar uma quantidade maior de potncia. Lembrando que h tambm a necessidade do
uso de dissipadores de calor nesses casos. Algumas aplicaes exigem que os transistores
sejam montados em placas de circuito impresso. Para isso, usado um tipo especial de
encapsulamento chamado DIP. A seguir, mostrada uma figura que evidencia os principais tipos de encapsulamentos para baixa, mdia e alta potncias. Nos diodos emissores
de luz (LED), usado um material plstico transparente para que seja possvel a visualizao do correto funcionamento. Basicamente, podemos classificar os encapsulamentos
em cdigos, como: TO92, TO5, TO220, TO3, DIP, entre outros.

BAIXA POTNCIA

TO92

MDIA POTNCIA

DIP14

ALTA POTNCIA

TO22
TO3
7

14
CB
E

TO5
14

8
B

E B C

7)

Num transistor, seja ele NPN ou PNP, existem basicamente trs corrente circulantes,
que so: corrente de coletor, corrente da base e corrente de emissor. Essas correntes esto
dispostas no transistor, conforme figura a seguir para os transistores NPN e PNP.
C

iC

iC
iB

iB
NPN

PNP

iE
E

iE
E

Onde: iC = corrente de coletor; iE = corrente de emissor; iB = corrente de base.

8)

Conforme figura anterior, pode-se obter uma relao matemtica nica para as correntes
que circulam nos transistores, que :
Para os transistores NPN:

iB + iC iE = 0 iE = iB + iC

Para os transistores PNP:

i E iC iB = 0 i E = iB + iC

9)

Conforme pode ser comprovado matematicamente nas expresses mostradas anteriormente, a maior de todas as correntes a corrente de emissor (iE). Como a base muito
fina e levemente dopada a corrente de base (iB) a menor.

10) A expresso que mostra a relao entre a corrente de coletor e emissor :

I
b = IC IC = b . IB
B

Em algumas situaes, tambm utilizado o ganho alfa, que define a relao existente
entre as correntes de emissor e coletor. Entretanto, como as correntes de emissor e coletor
so praticamente idnticas, essa relao quase unitria.

a=

IC
IE

Eletrnica Bsica

87

11) Dados:

IB = 100 A

b = 200

Sabendo-se que:

I
b = IC IC = b . IB IC = 200 . 100 x 106 IC = 20 mA
B

A corrente de emissor aproximadamente igual de coletor e vale: IE = 20 mA

12) Dados:

IB = 10 A e IC = 100 mA

Sabendo-se que:

I
100 x 103
b = 10 000
b = IC b =
10 x 106
B

13) Existe uma relao entre a corrente de coletor e a corrente que flui pela base. Essa relao
chamada de ganho de corrente do transistor e, tradicionalmente, representada pela
letra grega beta (b). Outra notao bastante empregada na prtica e por alguns fabricantes
o hFE. As duas notaes (b e hFE) tm o mesmo significado prtico.

Eletrnica Bsica

88

14) b = ? ; IE = ?

IB = 20 mA e IC = 10 mA

Sabendo-se que:

I
10 x 103
b = 500
b = IC b =
20 x 106
B

IE = IC + IB IE = 10 x 103 + 20 x 106 IE = 10,02 mA

V V
5 0,7
15) a. IB = BB R BE = 10 000 = 430 mA
B
b. A corrente do coletor obtida por: IC = bIB
Para b = 100
IC = 100 . 430 x 106 IC = 43 mA

R C=220
=100 e
200
RB=10 k

VBB=5 V +

+
VCC =20 V

iB

c. A corrente do emissor obtida por:

IE = IC + IB IE = 43 x 103 + 430 x 106 IE = 43,43 mA
I
43 x 103
a = IC a = 43,43 x 103 a = 0,99
E

iC

iE

Para b = 200
IC = 200 . 430 x 106 IC = 86 mA
d. A corrente do emissor obtida por:
IE = IC + IB IE = 86 x 103 + 430 x 106 IE = 86,43 mA
I
86 x 103
a = IC a = 86,43 x 103 a = 0,99
E

16) O ganho de beta(b) pode ser obtido da forma:

0,95
a
b = 1a = 10,95 b = 19

IE = 2 mA

IC
I
a = IC 0,95 = 2 x 103 = IC = 1,9 mA
E

Captulo 9
Respostas pgina 227
1)
1

Resistncia
baixa
Resistncia
alta

89
Resistncia
alta

OBSERVAO:
1) NAS LEITURAS VERIFICOU-SE QUE A RESISTNCIA DO TERMINAL
3 PARA O TERMINAL 1 MENOR QUE A RESISTNCIA DO TERMINAL
3 PARA O TERMINAL 2.
2) MEDINDO A RESISTNCIA DO TERMINAL 2 PARA O TERMINAL 1, OBSERVA-SE
QUE NO H CONTINUIDADE E O VALOR DE RESISTNCIA ALTO.

Inicialmente, vamos adotar o terminal 3 como sendo a base.

Ponteira vermelha inserida na base

Do terminal 3 para o terminal 2 a resistncia baixa;
Do terminal 3 para o terminal 1 a resistncia baixa.

Ponteira preta inserida na base

Do terminal 3 para o terminal 2 a resistncia alta;
Do terminal 3 para o terminal 1 a resistncia alta.

Eletrnica Bsica

Resistncia
baixa

Dessa forma, pode-se concluir que o terminal 3 a base, pois as leituras de resistncia so
simtricas. Isso quer dizer que um dos outros dois terminais o coletor e o outro o emissor.

Uma informao importante foi destacada na Observao: A resistncia de 3 para

1 menor que de 3 para 2. Sendo o terminal 3 a base, a partir dessa informao
podemos concluir que o terminal 1 o emissor e o terminal 2 o coletor. Ficando a
sequncia: Terminal 1: Emissor; Terminal 2: Coletor e Terminal 3: Base. O transistor NPN.

2)

Supondo-se que o terminal 2 a base, verifica-se que:

Anlise com a base positiva (ponteira vermelha inserida na base) Etapas A e B.
Terminal
1

Etapa

De 2 para 3 a resistncia baixa;

2

Resistncia
Baixa
Valor = 470

Resistncia
Baixa
Valor = 430

90
Eletrnica Bsica

Resistncia Alta

Resistncia Alta

Resistncia Alta

Resistncia Alta

De 2 para 1 a resistncia baixa;

Anlise com a base positiva (inverte a posio da
ponteira e coloca a ponteira preta na suposta base)
Etapas C e D.
De 2 para 3 a resistncia alta;
De 2 para 1 a resistncia alta;
Conclui-se a partir das etapas A, B, C, e D que realmente o terminal 2 a base.
As etapas E e F apresentam resistncias elevadas para os terminais 1 e 3, inclusive com a inverso da ponteira do
multmetro. Isso sugere que esses dois terminais so o coletor e o emissor. Entretanto, ainda no sabemos qual deles
emissor e qual o coletor. Vale lembrar que a base j foi
identificada como sendo o terminal 2.
Sabe-se que a resistncia da juno base-emissor dever ser
menor que a resistncia da juno coletor-base. As etapas
onde isso ocorre so A e B. Sabendo-se que o terminal 2
a base, identifica-se o terminal 1 com sendo o emissor e o
terminal 3 o coletor.

Portanto, o transistor NPN com: Terminal 1:Emissor; Terminal 2: Base;

Terminal 3: Coletor.

3)

RC

iC

VRC

+
RB
iB + V

RB

+
+

VBB

VBE

VCE

iE

Sada do TBJ

Entrada do TBJ

VCE (V)

VCC

IB (A)

IC (mA)

20

40

5
10
15

Para encontrar as correntes de coletor, assumindo que as

correntes de base e o ganho beta (b) sejam conhecidos, basta
multiplicar a corrente base pelo ganho beta (b). Assim,
possvel preencher a terceira coluna ao lado. Com os dados
de tenso VCE, corrente IC e corrente IB, pode-se desenhar
curva de sada do transistor, conforme figura a seguir.

20
5
10
15

Curva de Sada (IC x VCE)

91

20

10
60

80

12

15
20
5
10
15
20

4)

Para o transistor da figura 9.54(a) os pontos de corte e saturao so definidos da forma:

Ponto de Corte:
VCE = VCC VCE = 10V
Ponto de Saturao:
V
10
IC = RCC IC = 1 000 IC = 10 mA
C

Eletrnica Bsica

 Para o transistor da figura 9.54(b) os pontos de corte e saturao so definidos da forma:

Ponto de Corte:

VCE = VCC VCE = 15 V

Ponto de Saturao:

VCC
15 I = 15 mA
IC = 1000
C
RC
De posse dos pontos de corte e saturao para os dois circuitos e conhecida a famlia de
curvas do transistor, podemos desenhar as duas retas de carga (sobre a famlia de curvas),
conforme mostrado.
IC =

1 k

1 k
iC

iC

RB
+

RB

+
+

iB

VCE

VBE

VBB

10 V
+

iB

VBB

iE

+
+
VBE

VCE

15 V

iE

Circuitos usados para obteno de curvas de sada (IC versus VCE) do transistor.
IC(mA)

Curva de sada (IC x VCE) e Reta de carga

IB6
15

IB5

12,5

IB4

10

IB3

7,5

IB2

5,0

IB1

Eletrnica Bsica

92

2,5
0

5)

2,5

5,0

7,5

10

12,5

15

VCE (V)

Para o transistor da figura 9.56(a) os pontos de corte e saturao so definidos da forma:

Ponto de Corte:
VCE = VCC VCE = 15 V
Ponto de Saturao:
V
15
IC = RCC IC = 1 000 IC = 15 mA
C

Para o transistor da figura 9.56(b) os pontos de corte e saturao so definidos da forma:

Ponto de Corte:

VCE = VCC VCE = 15 V

Ponto de Saturao:
V
15
IC = RCC IC = 2 000 IC = 7,5 mA
C

De posse dos pontos de corte e saturao para os dois circuitos e conhecida as famlias
de curvas do transistor, podemos traar as duas retas de carga (sobre a famlia de curvas),
conforme mostrada a seguir.
1 k

2 k

iC

iC

RB
+

RB

+
+

iB

VCE

VBE

V BB

15 V
+

iB

VBB

iE

+
+

VCE

15 V

VBE

iE

Circuitos usados para obteno de curvas de saida (Ic versus VCE) do transistor
IC(mA)

Curva de sada (IC x VCE) e Reta de carga

IB6
15

IB5

12,5

IB4

10

IB3

7,5

IB2

5,0

IB1

2,5
0

2,5

5,0

7,5

12,5

10

93

VCE(V)

15

Respostas pgina 267

1)

A partir desse exerccio, observa-se que a corrente de base no varia. Entretanto, a corrente de coletor varia substancialmente em funo do ganho beta. Para ganhos variando
entre 100 e 200 a corrente de coletor saltou de 4,3 mA para 8,6 mA, ou seja, houve um
aumento de 100% no valor. Essa mudana na corrente de coletor resultou numa variao
do ponto Q, tornando o ponto de operao instvel. Esse fator mostra a sensibilidade do
circuito com as variaes no ganho do TBJ.
IC(mA)

1 k
=100

iC
+

100 k
iB
+
5V

VCE

+
VBE

iE

+
10 V

Q2

8,6

IB3=150 A

7,5
5,0

IB2=100 A
IB1=50 A

Q1

4,3

2,5
0

IB4=200 A

10

1,4

2,5

5,0

5,7

7,5

10

VCE(V)

Eletrnica Bsica

Captulo 10

Montagem da Reta de Carga:

Ponto de Corte:
VCE = VCC = 10V

Ponto de Saturao:
V
10
IC = RCC = 1 000 IC = 10 mA
C

Encontrar o Ponto Quiescente (Q1) para b = 100

5 0,7
IB = 100 x 103 IB = 43 A ; IC = b . IB = 100 . 43 x 106 IC = 4,3 mA
VCE = VCC RC . IC = 10 (1 000 . 4,3 x 103) VCE = 5,7 V

Encontrar o Ponto Quiescente (Q1) para b = 200 A corrente IB no muda, pois, no h

influncia do ganho na corrente de base.

IC = b . IB = 200 . 43 x 106 IC = 8,6 mA

VCE = VCC RC . IC = 10 (1 000 . 8,6 x 103) VCE = 1,4 V

2)

1 k
=100
100 k

94
Eletrnica Bsica

iC
+

VBB

iB
+

VCE

+
VBE

+
10 V

iE

Aplicando L.T.K na malha de entrada do TBJ, tem-se:

VBB VRB VBE = 0 V

Onde:
VBE = 0,7 V ; VRB = RBiB e iB = 50 A

Portanto:
VBB (100 x 103 . 50 x 106) 0,7 =0 VBB = 5 V

Clculo da corrente de coletor (iC)

iC = b . iB iC = 100 . 50 x 106 iC = 5 mA

Clculo da tenso de coletor para emissor (VCE)

VCE + RC . iC VCC = 0 VCE = VCC RC . iC VCE = 10 (1 x 103 . 5 x 103)

VCE = 5V

3)

RC = ?
iC = 5 mA
+

=100
RB = ?
iB
+
10 V

VCE = 6 V

+
VBE

+
10 V

iE

Dados:
VBB = 10 V
VCC = 10 V
b = 100
iC = 5 mA

Pela Lei de Ohm:

10 6
V VCE
RC = 5 x 103 RC = 800
RC = CC
iC

Obteno da corrente de base:

i
5 x 103
iC = biB iB = bC iB = 100 iB = 50 A

Eletrnica Bsica

Pela Lei de Ohm:

V VBE
10 0,7
RB = BB
RB = 50 x 106 RB = 186 k
iB

4)

RC=1 k
=100
RB=100 k
iB
0 a 10 V +

95

iC
+
VCE

+
VBE

+
10 V

iE

Para que possamos representar o conjunto de curvas desse transistor, na verdade, a tenso da base
deve ser variada gradativamente, obtendo para cada valor de tenso aplicada base, uma corrente
de base e uma corrente de coletor, respectivamente. Para cada valor de corrente de base deve-se,
posteriormente, aplicar vrios valores de tenso de coletor, obtendo os respectivos VCE. Deve-se
ter em mente que a corrente de base no varia com a alterao da tenso de coletor para emissor
(VCE). A figura a seguir representa o conjunto de curvas caractersticas para esse transistor bipolar
de juno (TBJ).

VBB (V)

IB (A)

IC (mA)

VCE (V)

10

10

20

30

40

50

60

70

80

90

10

100

10

Curva de Sada (Ic x VCE) e Reta de Carga

Ic(mA)

IB10

10,0

IB9

9,0
8,0
7,0
6,0
5,0
4,0
3,0
2,0
1,0
0
0

IB8
IB7
IB6
IB5
IB4
IB3
IB2
IB1
IB0

5)
+
330 k

+
VRC

VRB

3,3 k
iC
+

VCE

VBE
820

+
VRE

iE

Dados:
VCC = 10 V

Eletrnica Bsica

96

+
10 V

b = 100
VBE = 0,7 V
d. e e. Clculo das correntes de coletor e emissor:
V VBE
10 0,7
IC IE = CC
IE =
IC = IE = 2,25 mA
RB
333 x 103
RE + b
820 + 100

f. Clculo da corrente de base:
VCC VBE
10 0,7
IB =

I
=
B
330 x 103 + (100 x 820) IB = 22,57 mA
RB + b RE
a., b. e c. Clculo da tenso VRB, VRC e VRE:

Pela Lei de Ohm:

VRB = RBIB = 330 x 103 . 22,57 x 106A VRB = 7,45 V
VRC = RCIC = 3,3 x 103 . 2,25 x 103A VRC = 7,42 V
VRE = REIE = 820 . 2,25 x 103A VRE = 1,845 V

10

VCE(V)

6)

Dados:
VCC = 20 V

+
RB

b = 200

+
VRC

VRB

VBE = 0,7 V

=200

iCQ = 10 mA
VCEQ = 20
2 VCEQ = 10 V (Centro da curva do TJB)
VRE = 10% VCC VRE = 20 x 10 VRE = 2 V
100

RC

iC=10 mA
+

20 V

VCE=10 V

VBE

RE

Pela malha de sada do TBJ:

+
VRE

iE

V
VRE + VCE + RCIC VCC = 0 CC + VCE + RCIC VCC = 0
10
VCC

20
VCC VCE

10

20
10
10 R =
RC = 800
RC =
C
IC
10 x 103

Pela malha de entrada do TBJ:

VCC RBIB VBE VRE = 0
VCC

VCC VBE
IC
3

10
I =10 x 10 I = 50 mA
RB =

I
=
b
200
B
B
B
I
B

97

Clculo de RE:
Assumindo que IE IC = 10 mA
VRE

VRE = REIE RE = I RE = 10 x2103 RE = 200

7)

Primeiramente, temos que encontrar as correntes de coletor e emissor e a tenso VCE para
b=50. Posteriormente, essas mesmas grandezas sero obtidas para b=100.
+
430 k

+
VRC

VRB

3,3 k
iC
+

VCE

VBE
1,8 k

+
VRE

iE

15 V

Eletrnica Bsica

20 0,7 20
RB = 50 x 10610 RB = 346 k

Para b = 50, temos:

VCC VBE
15 0,7
IC IE =
IC IE =
IC IE = 1,375 mA
RB
430 x 103
RE + b
1,8 x 103 + 50

VCE = VCC IC(RC + RE) VCE = 15 1,375 x 103(3 300 + 1 800) VCE = 7,99 V
Para b = 100, temos:
VCC VBE
15 0,7
IC IE =
IC IE = 2,34 mA
I C IE =
R
B
430 x 103
3
RE + b

1,8 x 10 +
100

VCE = VCC IC(RC + RE) VCE = 15 2,34 x 103(3 300 + 1 800) VCE = 3,04 V
8)
VRC

+
5,6 k

iC
+

VRB

iB 430 k

+
+

VCE

VBE

Eletrnica Bsica

98

iE

VE
+

15 V

12 k

VRE
15 V

Para b = 50, temos:

VCC VBE
15 0,7
I C IE =
IC IE =
IC IE = 0,7 mA
RB
430 x 103
RE + b
12 x 103 + 50

VCE = VE + VCC [IC(RC + RE)] VCE = 15 + 15 [0,7 x 103(5 600 + 12 000)]

VCE = 17,68 V

Clculo de VRB ,VRC e VRE:

3
i

VRB = RBIB VRB = RB C VRB = 430 x 103 0,7 x 10 VRB = 6 V

50

b
VRC = RCIC = 5,6 x 103 . 0,7 x 103 VRC = 3,92 V

VRE = REIE = 12 x 103 . 0,7 x 103 VRE = 8,4 V

Para b = 100, temos:

VCC VBE
15 0,7
I C IE =
I C IE =
IC IE = 0,88 mA
430 x 103
RB
RE + b
12 x 103 + 50

VCE = VE + VCC [IC(RC + RE)] VCE = 15 + 15 [0,88 x 103(5 600 + 12 000)]

VCE = 14,51 V

Clculo da VRB, VRC e VRE:

3
i

VRB = RBIB VRB = RB C VRB = 430 x 1030,88 x 10 VRB = 3,78 V

100
b
VRC = RCIC = 5,6 x 10 3 . 0,88 x 103 VRC = 4,93 V

VRE = REIE = 12 x 103 . 0,88 x 103 VRE = 10,56 V

9)
VRC

+
RC

iC
+

+
iB

VRB
RB

+
+
VBE

VCE
iE

10 V

RE

VE
+

VRE
10 V

O primeiro passo na implementao desse projeto encontrar um dos pontos da reta de

carga. Isso porque foi informado que o ponto Q dever estar exatamente no centro da
reta de carga.

Ponto de Corte: O ponto de corte obtido fazendo a corrente de coletor igual a zero.
Assim, a expresso fica da forma:
VCE = VE + VCC IC(RC + RE) VCE = 10 + 10 VCE = 20 V

Como informado no exemplo, devemos operar no centro da reta de carga, assim:

VCE 20
VCEQ = 2 = 2 VCEQ = 10 V

O enunciado do exemplo informa que a corrente no ponto de operao Q dever ser

ICQ = 5 mA. Como esse parmetro j foi informado, no h necessidade de fazer os clculos para o ponto de saturao. Geralmente, adotado um valor de tenso negativa no
emissor do TBJ e, tradicionalmente esse valor 10% da tenso da fonte contnua, sendo
aqui 1 V. Portanto:
1 VRE + 10 = 0 VRE = 10 1 VRE = RE.IE = 9 V

Eletrnica Bsica

99

Clculo das resitncias:

VE VBEQ REIE
IBQ

RC =

VCC VE VCEQ REIE

ICQ

RB =

RC =

10 + 10 10 9
= 200
5 x 103

9 = 3 k
RB = 10 0,73
5 x 10

50

Sabe-se que a tenso VRE = REIE = 9 V. A partir dessa informao e, assumindo que a
corrente de emissor praticamente igual corrente de coletor (IE IC), podemos calcular
a resistncia de emissor, da forma:
Manual do Professor
9
RE = 5 x 103 = 1,8 k

Concluses
finaisSobre
e discusses
Concluses
Finais e Discusses
o exerccio sobre
n 9 o exerccio n 9
Os dados de projeto estabelecem um valor de VCEQ igual a 10 V e ICQ igual a 5 mA. A figura da esquerda so os

Os dados de projeto estabelecem um valor de VCEQ igual a 10 V e ICQ igual a 5 mA. A

resultados figura
obtidosdapara
o ganho
corrente =50.
A partir
ampermetros
e b
voltmetros
no circuito,
esquerda
so de
os resultados
obtidos
para odos
ganho
de corrente
= 50. A partir
dos

no circuito,
observamos
que
a corrente
depraticamente
coletor, indicada
observamosampermetros
que a corrente edevoltmetros
coletor, indicada
pelo ampermetro,
de
4,782
mA; Valor
idntico

pelo ampermetro,
de 4,782
mA;AValor
praticamente
idntico
quelefornecido
quele fornecido
no enunciado, que
de 5mA.
tenso
VCE mostrada
no voltmetro
de 10,264, no
queenuntambm
ciado, que de 5 mA. A tenso V mostrada no voltmetro de 10,264 V, que tambm
est bem prxima pelo indicado no projeto, que de 10 V. A figura direita mostra os
alterao do
ganho para
100.a Novamente,
que100.
a alterao
no ganho
de corrente
no
influenciano
tanto
resultados
aps
alterao dopercebe-se
ganho para
Novamente,
percebe-se
que
a alterao
noVinfluencia
tanto na
e nem na pelos
tensodois
VCEcircuitos,
. Comparando
na correnteganho
IC e de
nemcorrente
na tenso
os corrente
resultadosICmostrados
podemos
CE. Comparando
os resultados mostrados pelos dois circuitos, podemos concluir que:
concluir que:

CE
est bem prxima pelo indicado no projeto, que
de 10 V. A figura direita mostra os resultados aps a

Eletrnica Bsica

100

deAcoletor,
corrente
de coletor,
de 4,782
mAdequando
ganho
de para
corrente
b = 50,
- A corrente
passou
de 4,782passou
mA quando
o ganho
correnteo vale
=50,
4,906 vale
quando
= 100.
para 4,906 quando b = 100. Em termos percentuais, isso acarreta numa alterao de
2,5%;

Em termos percentuais, isso acarreta numa alterao de 2,5%;

- A tenso VCE quando =50 de 10, 264 V. Passando a ser 10,1 V quando =100. Isso equivale a uma variao

A tenso VCE quando b = 50 de 10, 264 V. Passando a ser 10,1 V quando b = 100. Isso
equivale a uma variao de apenas 1,6%;

de apenas 1,6%;

- A concluso final que o ponto quiescente permanece praticamente estvel.

A concluso final que o ponto quiescente permanece praticamente estvel.

Resultados para Beta = 50

10.

Resultados para Beta = 100

10)

RC
iC=10 mA
+

iB
+
5V

15 V

VCE

VBE

RE

+
VRE

iE

Para operar no centro da reta de carga, no corte a tenso V CE = V CC/2. Portanto:

VCE = 15/2 = 7,5 V. A corrente de coletor nesse ponto dever ser de ICQ = 10 mA. De
posse desses dados, as resistncias de coletor e emissor so calculadas da forma:
RE =

VBB VBE
5 0,7
RE = 10 x 103 RE = 430
IC

RC =

VCC VCE
15 7,5
RE RC =
430 RC = 320
IC
10 x 103
101
Eletrnica Bsica

A seguir, so mostrados os resultados para ganho de corrente igual a 50 ( esquerda) e

para ganho igual a 100 ( direita). Os dados de projeto para a corrente de coletor no ponto
quiescente (ICQ) de 10 mA e para a a tenso coletor-emissor VCE de 7,5 V. Obteve-se no
MultiSim uma corrente de coletor vale 9,907 mA e a tenso VCE vale 7,485 V. Esses valores
esto bem prximos s exigncias de projeto e so satisfatrios. Aps dobrar o ganho,
a corrente de coletor praticamente no alterou e seu valor : IC = 10 mA. O mesmo
acontece com a tenso VCE que passou a ser de 7,454 V. A primeira pergunta que nos vem
mente : Como pode no haver alteraes na corrente de coletor e tenso de coletor
emissor com o ganho beta sendo multiplicado por dois (2)? Inicialmente pensamos que
um aumento no ganho reflete diretamente num acrscimo da corrente de coletor e de
emissor, visto que IC = bIB. A resposta para isso : Se a corrente de emissor aumenta, pela
Lei de Ohm fcil concluirmos que haver tambm um aumento na queda de tenso no
resistor de emissor (VRE = REIE). Esse aumento da tenso VRE far com que a corrente de
base diminua, fazendo IC diminuir tambm, compensando o aumento inicial. Se compararmos as correntes de base nos dois circuitos, constatamos que realmente isso acontece.
Quando b = 50, a corrente de base IB = 198 mA. Aps a fixao de um novo valor de
beta (b = 100) a corrente de base diminui para compensar e manter o ponto de operao
estvel. Esse processo chamado de estabilizao por corrente de realimentao.

 chamado
chamado
de estabilizao
de estabilizao
por corrente
por corrente
de realimentao.
de realimentao.
Resultados para Beta = 50

Resultados para Beta = 100

11)
11.

11.

iB1
VRB1

VRC

RB1

RC
iC = 12 mA
+

=50

+
iB
iB2
VRB2

102
Eletrnica Bsica

+
RB2

+
VBE

VCE
iE

15 V

+
VRE

RE

Para operar no centro da reta de carga sabemos que no corte a tenso VCE = VCC/2.
Portanto: VCE = 15/2 = 7,5 V. Temos tambm a informao que a corrente de coletor
nesse ponto dever ser de ICQ = 12 mA e que o ganho do transistor 50. De posse desses
dados, podemos calcular o valor das resistncias de coletor e emissor.
VRE 0,1 x VCC
0,1 x 15
=
RE = 125
RE = I =
I
12 x 103
E
E

Considerando-se que iB1 = iB2 e ainda que seus valores so 10% de IC, podemos calcular
as resistncias RB1 e RB2. Nesse exemplo, vamos supor que:

iB1 = 0,1.12 x 103 iB1 = iB2 = 1,2 x 103A e VRE = REIE = 125 x 12 x 103 VRE =1,5 V
RB2 =

VBE + VRE
0,7 + 1,5
RB2 =
RB2 = 1 833
iB2
0,1 x 12 x 103

VCC
15
RB1 = i RB2 RB1 = 0,1 x 12 x 103 1 833 RB1 = 10 667
B1
RC =

VCC VCE 0,1 VCC

x 15 R = 500
RC = 15 7,5 0,1
C
3
IC
12 x 10

97

97

A seguir mostrado um circuito implementado no MultiSim para verificar o valor das

grandezas encontradas. Duas grandezas merecem destaque: a tenso VCE e a corrente de
coletor IC. A tenso VCE de 7,417 V e est muito prximo operao no centro da reta de
carga, exigido no projeto, que de 7,5 V. A corrente de coletor idntica a de emissor e o
valor visualizado na simulao de 12 mA, valor idntico ao estipulado pelo enunciado.
As correntes IRB1 e IRB2 so praticamente iguais e a tenso sobre o resistor de emissor VRE
de 1,529 V. Na fase de clculos dos valor da resistncia de emissor RE, supomos que a
tenso sobre esse resistor estaria em torno de 10% da tenso de alimentao, que de
15 V. Isso representa uma tenso de 1,5 V. Em termos percentuais, a diferenaManual
entre do
VREProfessor
calculado e VRE simulado de apenas 2%.

103

Soluo:
iB1 Como todos os valores de resistncias j foram fornecidos, no podemos supor
+

valores
para as grandezas
VRE e nem iB1 e iB2. Inicialmente podemos obter o valor da
V
+
RC

1,2 k

RB1
12 k
da expresso (IX) e mostrada novamente abaixo.
tenso
de
base VB a partir

iC

=150

+
iB
iB2
VRB2

+
6,2 k

+
VBE

VCE
iE

15 V

+
VRE

620

VRB2 - VBE - VRE = 0 VRE VRB2 - VBE

Sabe-se ainda que VRB2 = VB
VRE = 5,11 Como
- 0,7 todos
VRE =os4,41V
valores de resistncias j foram fornecidos, no podemos supor valores
para as grandezas VRE e nem iB1 e iB2. Inicialmente podemos obter o valor da tenso de base
a partir da expresso (IX) e mostrada novamente abaixo.
De posse de VRE,
B podemos encontrar, a partir da Lei de Ohm, a corrente iE, da forma:
iE =

V V VRE = 0 VRE = VRB2 VBE

VE 4,41
RB2 iBE
E = 7,11 mA Como i C = i E i C = 7,11 mA
RE 620

Aplicando L.T.K. na malha de sada, a tenso entre coletor e emissor obtida:

Eletrnica Bsica

12.

12)

Sabe-se ainda que VRB2 = VB

VRE = 5,11 0,7 = 0 VRE = 4,41V

De posse de VRE, podemos encontrar, a partir da Lei de Ohm, a corrente iE, da forma:
VE 4,41
= 620 7,11 mA
iE =
RE

Como IC = IE IC = 7,11 mA

Aplicando L.T.K. na malha de sada, a tenso entre coletor e emissor obtida:

3
7,11xV10
= VCC iC (RC + RE) VCE = 15 7,11 x 103(1 200 + 620)
CE
iB =
i B =47,4A

150

Como o ganho b=150, a corrente de base poder ser obtida da forma:

B2

iB =

- i B = 0, onde:e

Manual do

VCE = 2,06 V

iC
7,11 x 103
iB =
iB = 47,4 mA
b
150

VB
5,11 i i = 0, onde:
B2 i B =824,19 A
i B2 = iB1
B2
R B2
6200 VB
5,11

B2

iB2 = R iB2 =
iB2 = 824,19 mA
6200
B2
e

-6
-6
+ i B i B1 = 824,19
47,4
x 10
i B1 =871,59
iB1 = iB2 +x iB10
iB1+=
824,19
x 106
+ 47,4
x 106 iB1A= 871,59 mA

resultados obtidos
na simulao
esto mostrados
a seguir.
Todos
esto bem
ultados obtidos
naOssimulao
esto mostrados
a seguir.
Todos esto
bem
prximos
aosprximos
calculados. A cor
aos calculados. A corrente de base calculada de 47,4 A. J a obtida pela simulao de

lculada de 47,447A.
Jcorrente
a obtidadepela
simulao
de de
477,13
A.mA
A corrente
de coletor
simulao
de 7
A. A
coletor
na simulao
e o valor calculado
dena
7,11
mA.
104

Eletrnica Bsica

tenso
VCEAcalculada
2,06 V e a simulada de 1,992 V.
or calculado deA7,11
mA.
tenso Vde
CE calculada de 2,06 V e a simulada de 1,992 V.

13)
iB1
VRB1

VRC

+
VRC 1,2 k
i

1,2 k

12 k

iC

=150

+
iB
iB2
VRB2

+
6,2 k

+
VBE

VCE
iE

15 V

iB

+
VRE

620

VRB1

4,088 k

+
5,11 V

VCE

VBE

+
15 V

iE

+
VRE

620

O circuito da figura esquerda redesenhado conforme figura direita e Manual

os clculos
dos
do Professor
valores de resistncia RTH e tenso VTH so mostrados na sequncia.

Soluo: O circuito da figura esquerda redesenhado conforme figura direita e os clculos dos valores de resistncia R TH e

Clculo da resistncia de Thvenin (RTH):

RB1 x RB2
Clculo daRresistncia
): = 12 000 x 6 200 R 4,088 k
= de Thvenin
(RRTHTH
TH
TH
RB1 + RB2
12 000 + 6 200

tenso VTH so mostrados na sequncia.

R TH =

R B1 x R B2
12.000 x 6.200
R TH =
R TH 4,088k
R B1 + R B2
12.000 + 6.200

Clculo da Tenso de Thvenin (VTH):

Clculo da Tenso de Thvenin VTH

RB2

6 200
VTH =
V
= 15 12 000 + 6 200 VTH = 5,11 V

R B2VCC
6.200

TH
R 15
VTH = VCC
VTH = 5,11V
TH = B2

RB1V+

R B1 + R B2

12.000 + 6.200

Clculo da Tenso de coletor-emissor VCE

Clculo de Tenso de coletor-emissor V :

CE
VCE VCC - i C R C R E VCE 15 - 6,81x10-3 1.200 620

V = VCC iC (RC + RE) VCE = 15 6,81 x 103(1 200 + 620) VCE = 2,6V

VCE 2, 6VCE

doisseguir
circuitos
a seguir
mostram
circuitoe original
esquerda e o direita.
circuito
transforO s dois Os
circuitos
mostram
o circuito
original o esquerda
o circuito transformado
Pelos
resultados das

direita.
Pelos perceber
resultados
apresentados,
possvel
que
aps
grandezasmado
apresentados,
possvel
que das
apsgrandezas
a transformao
do circuito os
resultados perceber
permanecem
praticamente
a transformao do circuito os resultados permanecem praticamente idnticos, viabilizando a aplicao da estratgia.

idnticos, viabilizando a aplicao da estratgia.

14.

105
Eletrnica Bsica

Clculo da corrente de emissor iE:
Clculo da corrente de emissor i E
V - VBE VTH V5,11
- 0,7
5,11 0,7
i E TH i =
i E BE i =
i E i C = 6,81mA i = i = 6,81 mA
E R TH
E
E
C
4.088

TH+
620
RE +
620 + 4 800
RE + b 150
150

14)
iCC = iC + iB
VRC

RC
VC

+
VRB

iC=10 mA
+

RB
iB

+
+
VBE

Eletrnica Bsica

106

15 V

iE

Clculo de RB e RC, assumindo que b = 100

VCC VBE
7,5 0,7
RB =
RB = 10x103 RB = 68 k
iB

100

RC =

VCE=7,5 V

VCC VCE
15 7,5
RC = 10 x 103 RC = 750
iC

Os resultados simulados para b=100, b=200 e b=50 so mostrados a seguir. O valor das
resistncias calculadas foram alocados na simulao e os valores de VCE, iB e iC foram monitorados e mostrados. A tenso VCE simulada de 7,348. Valor bem prximo do requerido
no projeto que de 7,5 V (no centro da resta de carga). A corrente referente ao ponto de
operao ICQ exigida no projeto de 10 mA. O valor simulado mostra essa grandeza com
um valor em torno de 10 mA. Mais uma vez, os valores esto muito bons. Quando o
ganho de corrente alterado, verifica-se que o ponto quiescente varia, ou seja, no mais
estvel como os mostrados nas configuraes de circuitos mostradas anteriormente. Aps
dobrar o ganho de corrente, observa-se que as correntes de coletor e tenso entre coletor
e emissor variam com o ganho e, consequentemente com a temperatura. A corrente de
coletor que deveria estar em torno de 10 mA passou a valer 13 mA. Isso equivale a uma
variao de 30%. J a tenso VCE, que deveria ser de 7,5 V apresenta um valor de 4,995 V.
Uma variao percentual de aproximadamente 33%. Ao inserirmos um valor de b=50,
mais uma vez os resultados so pouco satisfatrios. A corrente de coletor que deveria ser
de 10 mA passou a valer 6,976 mA. A diferena entre os valores requerido e medido, na
prtica, equivale a 43%. A tenso VCE que deveria ser de 7,5 V, na verdade, passou a ser
9,767 V quando o ganho passou a ser a metade (diferena de 23%).

6,976 mA. A diferena entre os valores requerido e medido, na prtica, equivale a 43%. A tenso VCE que deveria ser
de 7,5 V, na verdade, passou a ser 9,767 quando o ganho passou a ser a metade (diferena de 23%).
Resultados para Beta = 100

Resultados para Beta = 200

Manual do Profes
Resultados para Beta = 50

102

107
Eletrnica Bsica

Clculo das Tenses VE , VC e VB

Conforme visualizado pelo circuito, o potencial VE est interligado diretamente ao "t

VE =0V
Clculo da corrente de base e de coletor:
V -V
15 - 0,7
i B = CC BE i B =
i B =33, 26 A
RB
430x103
i C = x i B i C = 110x33, 26 x106 i C =3, 66mA
Sabe-se ainda que:

VCE =VC - VE =VCC - R C x i C VCE =15 4, 7 x103 x3, 66 x10 3

VC =VCE = 2,19V

VBE =VB - VE 0, 7 VB - 0 VB 0, 7

Aplicando a lei de Ohm na malha de entrada

a) i B =

VCC -VBE
10 - 0,7
50x10-6 =
R B =186k
RB
RB

Clculo da corrente de coletor:

b) i C = x iB i C = 120 x 50 x106 i C =6mA