MOSFET memiliki karakter dasar yang menjadikannya memiliki performa yang lebih

baik daripada bipolar transistor (BJT) dan junction field effect transistor (JFET).
Seorang engineer harus mengetahui dan memahami dengan baik karakter-karakter
MOSFET sebelum menggunakannya dalam pembangunan suatu sistem elektronika.
Berikut penulis sajikan karakter dasar MOSFET berdasar application notes AN9010
yang ditulis oleh K.S. Oh (Oh, 2000) untuk Fairchild Semiconductor.

1. Kelebihan MOSFET

MOSFET adalah piranti terkendali tegangan

MOSFET mudah dikendalikan

Memiliki impedansi input yang tinggi

MOSFET juga merupakan piranti unipolar

Bila digunakan sebagai switch, maka MOSFET adalah piranti switching

berkecepatan tinggi.

MOSFET memiliki save operating area (SOA) yang lebih lebar dibandingkan
dengan bipolar transistor (BJT) tegangan tinggi dan arus dapat digunakan secara
simultan dalam durasi waktu yang singkat.

Mudah apabila digunakan secara parallel.

2.Kekurangan
MOSFET
Pada aplikasi-aplikasi tegangan dadal (breakdown) yang tinggi (di atas 200 volt), losskonduksi pada MOSFET lebih lebar dibandingkan pada BJT. Pada tegangan dan tingkat
arus
yang
sama
dapat
mencapai
kondisi
drop
tegangan.
3.
Karakteristik
Output
MOSFET
Berikut ini disajikan gambar kurva drain MOSFET yang menampilkan karakteristik arus

drain (ID) terhadap tegangan drain-source (VDS) dengan beberapa kondisi tegangan gatesource (VGS).

Gambar 1. Kurva karakteristik output MOSFET

Dengan karakteristik seperti dapat dilihat dalam kurva drain diatas, maka dapat lihat
bahwa muncul beberapa daerah kerja dari MOSFET. Daerah-daerah tersebut adalah
sebagai
berikut:
A.
Daerah
Ohmic
Daerah ini disebut juga daerah resistansi konstan. Daerah ini berada di sebelah kiri garis
batas
(threshold)
VGS

VGS(th)
=
VDS.
B.
Daerah
Saturasi
(jenuh)
Daerah ini juga disebut dengan daerah arus konstan. Daerah ini berada di sebelah kanan
garis batas (threshold) VGS VGS(th) = VDS dan diatas daerah aktif.
C.
Daerah
Cut-off
(putus)
Daerah ini terletak dibawah VGS1. Disebut daerah cut-off, karena pada daerah ini nilai
tegangan gate-source lebih kecil tegangan gate-source batas/threshold (V GS < VGS(th)).
4.
Karakteristik
Transfer
MOSFET
Dibawah ini disajikan gambar kurva karatersistik transfer MOSFET yang menampilkan
karakteristik arus drain (ID) terhadap tegangan gate-source (VGS) pada daerah aktif.

Gambar 2. Kurva transfer MOSFET

Persamaan

nilai

ID

terhadap

VGS

adalah

sebagai

berikut

....................................(1)
Dengan

nilai

konstanta

MOSFET

adalah

menurut

persamaan:

.....................................................(2)
Dimana:
n
W
L
COX
=

=
=
=
Kapasitansi

Pembawa
Lebar
Panjang
oksida
gate

mobilitas
kanal
kanal
per
unit

area

.................................................................(3)
OX
=
Konstanta
tOX = Ketebalan oksida gate

dielektril

SiO2

Sumber pustaka:
Taufiq Dwi Septian Suyadhi, 2010, Buku Pintar Robotika, ANDI Offset,
Yogyakarta
Oh, K.S., 2000, MOSFET Basics, Application Note/AN9010, Fairchild
Semiconductor

. Karaktristik dan Operasi MOSFET

Grafik karakteristik MOSFET (NMOS) arus ID sebagai fungsi VDS dengan
parametr VGS ditunjukkan dalam Gambar 5. Pada MOSFET terdapat tiga
daerah operasi yaitu daerah cut-off, linear dan saturasi. Pada daerah cut-off,
tegangan gerbang lebih kecil dari tegangan ambang, sehingga tidak terbentuk
saluran, dan arus tidak dapat mengalir (I D = 0).
Pada daerah linear, pada awalnya gerbang diberi tegangan hingga
terbentuk saluran. Apabila drain diberi tegangan yang kecil, maka elektron akan
mengalir dari source menuju drain atau arus akan mengalir dari drain ke source.
Selanjutnya saluran tersebut akan bertindak sebagai suatu tahanan, sehingga
arus drain (ID) akan sebanding dengan tegangan drain.
2

ID (LIN) = kn (VGS

VT )VDS

DS
2

(1)

Apabila tegangan drain tersu ditingkatkan hingga tegangan pada gate

menjadi netral, lapisan inversi saluran pada sisi drain akan hilang, dan mencapai
suatu titik yang disebut titik pinch-off. Pada titik pinch-off ini merupakan permulaan
dari daerah kerja saturasi. Apabila melebihi titik ini, peningkatan tegangan drain
tidak akan mengubah arus drain, sehingga arus drain tetap (konstan).
5

kn V

GS

ID (SAT) =

VTn

(2)

Gambar 5 Grafik karakteristik MOSFET arus ID sebagai gungsi VDS

dengan parameter VGS
Sumber: Geiger, Allen, Strader, 1990: 151
Bentuk operasi untuk MOSFET saluran-p adalah sama seperti pada

trasistor MOSFET saluran-n. pernyataan arus drain identik dengan polaritas

tegangan dan arah arus terbalik.
Cutoff =VSG.p -VTp
ID (OFF) = 0
Linear = VSG.p - VTp, dan VSD.p VSG,p +VTP

ID,P(LIN) = kp

(V

V )V
SG , p

TP

V SD , p
SD, p

(3)

Saturasi = VSG.p - VTp, dan VSD.p VSG,p +VTP

kp
ID(SAT) =

VSG , p Vp

(4)