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Aula 5_3

Condutores,
Isolantes,
Semicondutores e
Supercondutores
Fsica Geral e Experimental III
Prof. Cludio Graa
Captulo 5

Contedo
Semicondutores
Supercondutores

Captulo: 5, 10

Isolantes, Semicondutores e Metais

Isolante

um condutor de eletricidade
muito pobre;

Condutor

metal um excelente condutor


de eletricidade;

Semicondutor

possui condutividade entre


os dois extremos acima.

Semicondutores
O material bsico utilizado na construo de
dispositivos eletrnicos semicondutores, em estado
natural, no um bom condutor, nem um bom
isolante.

Silcio e o Germnio

O silcio e o germnio so os
semicondutores mais antigoa utilizados na
construo de dispositivos eletrnicos.
O silcio o mais utilizado, devido as suas
caractersticas serem melhores em
comparao ao germnio e tambm por ser
mais abundante na face da terra.

Temperatura, Luz e Impurezas

Em comparao com os metais e os


isolantes, as propriedades eltricas dos
semicondutores so afetadas por variao de
temperatura, exposio a luz e acrscimos de
impurezas.

MODELO ATMICO DE BOHR

O tomo - constitudo por partculas


elementares, as mais importantes para o nosso
estudo so os eltrons, os prtons e os nutrons.
Camada de Valncia - a ltima camada
eletrnica (nvel energtico) chamada camada
de valncia. O silcio e o germnio so tomos
tetravalentes, pois possuem quatro eltrons na
camada de valncia.

Eltrons de Valncia

Eltron de valncia

A rbita eletrnica ou camada


mais afastada do ncleo a camada
de valncia e os eltrons dessa
camada so chamados de eltrons
de valncia.

Num tomo, o nmero mximo


de eltrons de valncia de oito.
Quando um tomo tem oito
electres de valncia diz-se que o
tomo tem estabilidade qumica ou
molecular.

Condutores
Os tomos com 1, 2 ou 3 eltrons de valncia tm uma certa
facilidade em ced-los j que a sua camada de valncia est
muito incompleta (para estar completa deveria ter 8 eltrons de
valncia).
Por exemplo, um tomo de cobre tem um eltron de valncia
o que faz com que ele ceda com muita facilidade esse eltron
(electro livre).

Nmero atmico do cobre = 29 (nmero total de eltrons no tomo)

K=2
L=8
M=18
N=1

2n2 = 2x12 = 2
2n2 = 2x22 = 8
2n2 = 2x32 = 18

29
P

Isolantes
Os

tomos que tm entre 5 e 8 eltrons de valncia no


cedem facilmente eltrons j que a sua camada de
valncia est quase completa (para estar completa
deveria ter 8 eltrons de valncia).
O

vidro, a mica, a borracha esto neste caso.

Estes

materiais no so condutores da corrente eltrica


porque no tm eltrons livres sendo necessrio aplicarlhes uma grande energia para passar os eltrons de
banda de valncia para a banda de conduo.

Semicondutores Intrnsecos

Nmero atmico do
Germnio: 32
Nmero atmico do
Silcio: 14

Os tomos com 4 eltrons de valncia geralmente no


ganham nem perdem eltrons, o que acontece com os
materiais semicondutores, Germnio (Ge) e Silcio (Si).
Estes materiais, puros so denominados semicondutores
intrnsecos

Camada de Valncia

O silcio e o germnio so tomos tetravalentes, pois possuem


quatro eltrons na camada de valncia.
O potencial necessrio para tornar livre qualquer um dos eltrons
de valncia menor que o necessrio para remover qualquer outro
da estrutura.
Os eltrons de valncia podem absorver energia externa
suficiente para se tornarem eltrons livres.

Corrente em Semicondutores
o Em um semicondutor intrnseco, tanto eltrons quanto lacunas
contribuem para o fluxo de corrente.
o Eltrons livres de sua posio fixa no reticulado: movem-se na banda
de conduo.
o

Em um semicondutor intrnseco, tanto


eltrons quanto lacunas contribuem
para o fluxo de corrente.

Eltrons livres de sua posio fixa no


reticulado: movem-se na banda de
conduo.

MATERIAIS EXTRINSECOS

Dopagem - A adio de certos tomos estranhos aos


tomos de silcio ou germnio, chamados de tomos
de impurezas, pode alterar a estrutura de camadas
(bandas) de energia de forma suficiente mudar as
propriedades eltricas dos materiais intrnsecos.
Material extrnseco - Um material semicondutor que
tenha sido submetido a um processo de dopagem por
impurezas e chamado de material extrnseco.
Esses materiais so chamados de: tipo N e tipo P.

Bandas de energia

Energia

Num material isolante necessrio aplicar muita energia (por exemplo,


muita tenso eltrica) para passar os eltrons da banda de valncia para a
banda de conduo j que a banda proibida muito larga. Pelo contrrio,
num material condutor a passagem dos eltrons da banda de valncia para
a banda de conduo faz-se facilmente j que no existe banda proibida.
Os materiais semicondutores esto numa situao intermdia entre os
materiais isoladores e condutores.

MATERIAL DOPADO TIPO N

Um mtodo de dopagem consiste na utilizao de


elementos contendo 5 eltrons na camada de
valncia (penta-valente), como o antimnio, arsnio e
fsforo.
O quinto eltron, porm, fica desassociado de
qualquer ligao. Esse eltron pode tornar-se livre
mais facilmente que qualquer outro, podendo
nessas condies vagar pelo cristal.
O material tipo N resultante eletricamente neutro.

MATERIAL DOPADO TIPO P

O material tipo P formado pela dopagem do


semicondutor intrnseco por tomos trivalentes
como o boro, glio e ndio.
H agora um nmero insuficiente de eltrons para
completar as ligaes covalentes. A falta dessa
ligao chamada de lacuna (buraco).
Como uma lacuna pode ser preenchida por um
eltron, as impurezas trivalentes acrescentadas ao
silcio ou germnio intrnseco, so chamados de
tomos aceitadores ou receptores.
O material tipo P resultante eletricamente neutro.

Semicondutores dopados ou extrnsecos

Impurezas pentavalentes: antimnio, arsnico, fsforo produzem


semicondutores do tipo-n, por contribuirem com eltrons extras
(impurezas doadoras).
Impurezas trivalentes: bro, alumnio, glio produzem semicondutores
do tipo-p, por produzirem lacunas ou deficincia de eltrons (impurezas
aceitadoras).

Estrutura de bandas de energia

Banda de
conduo

Banda d
condu

Eltrons
livres
Banda
proibida

Lacunas

Banda
Valnc

Banda de
Valncia
isolante

semicondutor

condutor

Maior detalhe da estrutura de bandas I

Esquema de nveis do
hidrognio atmico

a) Potencial em uma rede atmica


b) Esquema de nveis de um slido (bandas)

Maior detalhe da estrutura de bandas II

a) Condutor

b) Isolante

c) Semicondutor

Maior detalhe da estrutura de bandas III

Resistividade- variao com T

0 0 T T0

Condutores: mais ou menos linear para a maioria dos condutores,


na temperatura ambiente com coeficiente usualmente positiva
(porque?)..

Superconductores: resistividade torna-se nula a temperaturas


muito baixas.

Semiconductores: nem bons condutores nem isolantes. (Ge, Si,


GaAs, ..) mas podem ser dopados adquirindo propriedades
qunticas especiais para produzir dispositivos semicondutores tais
como: diodos, transistores, clulas solares, diodos laser, IC, .
Para semiconductores: Ge, Si, dopados, decresce com o aumento da
temperatura (porque ?)

Supercondutividade

1911 Kammerlingh Onnes com He


liquefeito (Prmio Nobel)
Testou R(T) a baixas temperaturas
Utilizou o Hg, pois podia ser purificado
facilmente (por ser liquido)
Um dos seus estudantes orientados
encontrou o fenmeno da
supercondutividade, que conta a histria ele
levou algum tempo para acreditar

Supercondutividade

Supercondutividade um estado do
material no qual = 0.
Esta propriedade ocorre somente abaixo da
temperatura critica (TC), abaixo de um certo
valor de corrente (JC), e abaixo de um certo
campo magntico (HC).

Os materiais que so supercondutores


tendem a ter TC prxima ao 0.

Supercondutividade

Algumas da propriedades dos supercondutores


1. Resistividade nula
2. Portadores de carga so pares de eltrons
(BCS)
3. Os campos magnticos so nulos dentro do
supercondutor
4. 100% refletivos a grandes comprimenos de
onda da luz

Teoria de Supercondutividade I

1. Em 1957 surgiu uma teoria vlida at hoje para explicar a


supercondutividade.
2. A teoria diz que a supercondutividade o resultado da
interao entre dois eltrons que formam um par que
interage com a vibrao atmica, denominados pares de
Cooper. Esta teoria foi apresentada 46 anos aps a
descoberta a supercondutividade.
3. Os autores desta teoria so Bardeen, Cooper, e
Schrieffer da University of Illinois.
4. Prmio Nobel 1972.
(Bardeen j era prmio Nobel de 1956 pela inveno do
transistor de estado slido.)

Teoria de Supercondutividade II

As partculas da conduo eltrica so os


eltrons = frmions => se repelem entre
si, i.e. blindam-se entre si
+fnons (= vibraes da rede cristalina =
colam) => pares de eltrons (como a
luz) => atraem-se entre s, i.e., no se
blindam
A baixas temperaturas: o movimento
Browniano to baixo que os pares se
colam podendo viajar ao longo do
material sem resistncia

Supercondutores

Supercondutores: Kammerlingh Onnes (1911)


Tc== 4,15 K para o Hg

Bardeen, Cooper e Schrieffer (1957) pares


de cooper

At recentemente Tc~ 20 K (Hlio Liqido)

K.A. Mller, J.G. Bednorz (1987) Tc acima de


120 K (N lquido 77K)

Modelo de conduo e- -e- (pares de Cooper)

Teoria de Supercondutividade III


Supercondutividade a alta temperatura crtica
1.

Em 1986, J.G. Bednorz and K. A. Muller publicaram uma descoberta


interessante, um material com La, Sr, Cu, O torna-se supercondutor
a 30 K.

2.

O material era o La2-xSrxCuO4.

3.

Em 1987, YBa2Cu3O7 mostrou-se supercondutor a 91 K.

4.

De acordo com a teoria BCS , o material no deveria ser


supercondutor, pois a essa temperatura a super-conduo no ocorre.

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