EJERCICIOS VARIOS PARA COMPLEMENTAR ESTUDIO DE ELECTRNICA BSICA

UNIVERSIDAD PEDAGGICA Y TECNOLGICA DE COLOMBIA

DOCENTE: MARA LUISA PINTO SALAMANCA

1. Explique las diferencias entre:

a. Materiales tipo p y tipo n
b. Polarizacin directa e inversa de Diodos
c. Diodo de Si y Ge
d. Portadores mayoritarios y minoritarios
e. Un semiconductor extrnseco e intrnseco

2. Para el circuito mostrado a continuacin, VX varia de 2 a 20V, realice los anlisis necesarios para
seleccionar la respuesta verdadera.

a.
b.
c.
d.

Los dos diodos siempre conducen.

Con VX mnimo, solo conduce D1 y con VX mximo solo conduce D2.
Con VX mnimo, solo conduce D1 y con VX mximo conducen ambos diodos.
Con VX mnimo, solo conduce D1, con VX medio conducen ambos diodos y con VX mximo solo
conduce D2.
e. Con VX mnimo, solo conduce D1, en ningn momento conducen ambos diodos y con VX mximo
solo conduce D2.
Justifique su respuesta, considere diodos ideales.

3. Analice los siguientes circuitos y dibuje Vo para cada red si el voltaje de entrada

Vi es
a. Vimx.= 8V

b. Vi=120Vrms

Considere diodos con barrera de potencial de 0.7V

4. Si Vi es como se indica y se aplica al siguiente circuito, determine:
a. La forma de onda del voltaje en el diodo 2 de nodo a ctodo VD2.
b. El valor promedio de la Seal del voltaje de salida Vo.

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b. El valor rms de la seal de corriente de salida Io rms.

5. Para las caractersticas de la figura, determine:

a. La resistencia en dinmica (ac) y esttica
(dc) del diodo en ID=2mA
b. La resistencia en ac y en dc del diodo en
ID=25mA

6. Determine Vo e ID en el siguiente circuito, considerando:

a. Modelo con barrera de potencial
b. Modelo resistivo a partir de la resistencia dc para cada diodo segn su clculo en el numeral 2(b)

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Resistencia 1 R1 con colores: verde, caf y amarillo

Resistencia 2 R2 con colores: amarillo, naranja y rojo
7. Explique las diferencias entre:
a.
b.
c.
d.

Polarizacin directa e inversa de los diodos

Un circuito recortador y un cambiador de nivel
Seal elctrica y seal electrnica
Semiconductor y Superconductor

DE UN EJEMPLO PARA CADA CASO

8. Analice el siguiente circuito, con R=100, V1 = vi(t) = 90Sent, 60Hz.
Dibuje las formas de onda del voltaje y corriente de salida en la carga vo(t) e io(t) indicando
periodo, valores mximos, mnimos, pico a pico si:

a. Entre los nodos a y b hay un corto circuito. Diodos D1 y D2 ideales.

b. Entre los nodos a y b hay un diodo D3 con el nodo conectado al nodo a. En este caso, todos
los diodos tienen una barrera de potencial de 1V.
9. Analice el circuito y obtenga la forma de onda de vo(t), diodo ideal.

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10. Explique las diferencias entre los siguientes conceptos, mediante el uso de texto y un
diagrama o dibujo:
a. Portadores mayoritarios y minoritarios
b. Un semiconductor extrnseco e intrnseco
c. Gap energtico o distancia entre las bandas de conduccin y de valencia del cristal de Si y del
AsGa
----------11. El siguiente circuito se puede usar como un cargador de la batera E, con R la resistencia
limitadora que protege la carga E.

Suponiendo que:
vs=VmSen(wt) ,

0 E < Vm

Diodo ideal

Dibuje la forma de onda de la seal de corriente i0(wt) en el eje wt y obtenga una expresin que
defina su valor promedio Io=Idc.

Ayuda:
del cual empieza a conducir el diodo.

, el ngulo a partir

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12. Para el siguiente circuito, considerando que el voltaje en el secundario del transformador es
de 24Vrms, que la resistencia de carga RL tiene el cdigo de colores: rojo, violeta, caf y que los
diodos son ideales:

a. Dibuje las formas de onda de las siguientes seales, comparndolas con las de voltaje y
corriente en la carga (vsal(t), isal(t)):
- Voltaje de nodo a ctodo de los diodos 1 y 4 (vD1(t), vD4(t))
- Corriente de nodo a ctodo de los diodos 2 y 3 (iD2(t), iD3(t))
b. Si. Obtenga los valores de:
-

Voltaje promedio en el diodo 1, VD1(dc)

Voltaje eficaz en el diodo 4, VD4(rms)
Corriente promedio en el diodo 2, ID1(dc)
Corriente eficaz en el diodo 3, VD4(rms)

13. Para los siguientes circuitos, encuentre el valor de Vo, considerando los diodos con modelo de
barrera de potencial.

a.

b.

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c.
R1: colores caf, rojo, rojo

R2: naranja, rojo, naranja

R3: amarillo, violeta, rojo

14. Preguntas seleccin mltiple nica respuesta. Con esfero, seleccione la respuesta que
crea correcta en esta hoja y justifquela en su hoja examen.
14.1 Los huecos en un semiconductor tipo n son:
a) Portadores minoritarios producidos trmicamente
b) Portadores minoritarios producidos por dopado
c) Portadores mayoritarios producidos trmicamente
d) Portadores mayoritarios producidos por dopado
14.2 Cada tomo de un cristal de silicio tiene
a) Cuatro electrones de valencia
b) Cuatro electrones de conduccin
c) Ocho electrones de valencia, cuatro propios y cuatro compartidos
d) Ningn electrn de valencia porque todos son compartidos con otros tomos
14.3 La resistencia dinmica puede ser importante cuando un diodo:
a) Se polariza en inversa.
b) Se polariza en directa.
c) Se encuentra en la condicin de ruptura con polarizacin en inversa.
d) No est polarizado.
14.4 Un semiconductor de tipo p contiene huecos y:
a)
b)
c)
d)

Iones positivos
Iones negativos
tomos pentavalentes
tomos donadores

14.5 Para producir una circulacin de corriente en un diodo de la familia 1N4001-4007

polarizado en directa, la tensin aplicada debe superar:
a) 0,3V
b) 0,6V

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c) 1V
d) 0V
14.6 La diferencia entre un aislante y un semiconductor es
a) Una banda prohibida ms amplia entre la banda de valencia y la banda de conduccin
b) El nmero de electrones libres
c) La estructura atmica
d) Respuestas a), b) y c)
14.7 Los pares de electrn-hueco se producen por
a)
b)
c)
d)

Recombinacin
Energa trmica
Ionizacin
Dopado

14.8 Los tomos de silicio y germanio, segn el modelo atmico de Bohr es:
a) Son usados como materiales semiconductores porque poseen el mismo nmero de capas y
4 electrones de valencia.
b) Tienen la distribucin de electrones en las dos ltimas capas
c) Tienen electrones de valencia de las mismas caractersticas, por lo cual requieren de la
misma cantidad de energa para escaparse del tomo.
d) Tienen igual nmero de electrones en la primera y ltima capa de su estructura atmica.
15. Observe el siguiente circuito con vs=24Vrms, diodos modelados con barrera de potencial de 1V.
a. Dibuje las formas de onda de las tensiones
para cada semiciclo, tenga en cuenta la cada de tensin
de los diodos.
b. Determine los valores de corriente promedio, corriente eficaz y PIV del diodo D1. Considere R con cdigo de
colores rojo amarillo caf.

16. Suponiendo que los diodos son ideales, encuentre los los valores de las corrientes I y voltajes V indicados
en cada circuito.

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a)

b)

FUENTES:

ELECTRNICA: TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS. Boylestad

Nashelsky. Ed. Pearson. 10 edicin.
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS. Thomas Floyd. Ed. Pearson. 8 edicin.
PRINCIPIOS DE ELECTRNICA. Albert Paul Malvino. Ed. Mc Graw Hill. 6 ed en adelante.
DISEO ELECTRNICO, CIRCUITOS Y SISTEMAS. Savant Roden - Carpenter.
ELECTRNICA, FUNDAMENTOS Y APLICACIONES. John D. Ryder
INGENIERA ELECTRNICA. Alley Atwood.
ELECTRONIC CIRCUIT ANALYSIS AND DESIGN. Hayt Neudeck
ELECTRNICA INTEGRADA. Millman - Halkias