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2. Para el circuito mostrado a continuacin, VX varia de 2 a 20V, realice los anlisis necesarios para
seleccionar la respuesta verdadera.
a.
b.
c.
d.
3. Analice los siguientes circuitos y dibuje Vo para cada red si el voltaje de entrada
Vi es
a. Vimx.= 8V
b. Vi=120Vrms
10. Explique las diferencias entre los siguientes conceptos, mediante el uso de texto y un
diagrama o dibujo:
a. Portadores mayoritarios y minoritarios
b. Un semiconductor extrnseco e intrnseco
c. Gap energtico o distancia entre las bandas de conduccin y de valencia del cristal de Si y del
AsGa
----------11. El siguiente circuito se puede usar como un cargador de la batera E, con R la resistencia
limitadora que protege la carga E.
Suponiendo que:
vs=VmSen(wt) ,
0 E < Vm
Diodo ideal
Dibuje la forma de onda de la seal de corriente i0(wt) en el eje wt y obtenga una expresin que
defina su valor promedio Io=Idc.
Ayuda:
del cual empieza a conducir el diodo.
, el ngulo a partir
12. Para el siguiente circuito, considerando que el voltaje en el secundario del transformador es
de 24Vrms, que la resistencia de carga RL tiene el cdigo de colores: rojo, violeta, caf y que los
diodos son ideales:
a. Dibuje las formas de onda de las siguientes seales, comparndolas con las de voltaje y
corriente en la carga (vsal(t), isal(t)):
- Voltaje de nodo a ctodo de los diodos 1 y 4 (vD1(t), vD4(t))
- Corriente de nodo a ctodo de los diodos 2 y 3 (iD2(t), iD3(t))
b. Si. Obtenga los valores de:
-
13. Para los siguientes circuitos, encuentre el valor de Vo, considerando los diodos con modelo de
barrera de potencial.
a.
b.
c.
R1: colores caf, rojo, rojo
14. Preguntas seleccin mltiple nica respuesta. Con esfero, seleccione la respuesta que
crea correcta en esta hoja y justifquela en su hoja examen.
14.1 Los huecos en un semiconductor tipo n son:
a) Portadores minoritarios producidos trmicamente
b) Portadores minoritarios producidos por dopado
c) Portadores mayoritarios producidos trmicamente
d) Portadores mayoritarios producidos por dopado
14.2 Cada tomo de un cristal de silicio tiene
a) Cuatro electrones de valencia
b) Cuatro electrones de conduccin
c) Ocho electrones de valencia, cuatro propios y cuatro compartidos
d) Ningn electrn de valencia porque todos son compartidos con otros tomos
14.3 La resistencia dinmica puede ser importante cuando un diodo:
a) Se polariza en inversa.
b) Se polariza en directa.
c) Se encuentra en la condicin de ruptura con polarizacin en inversa.
d) No est polarizado.
14.4 Un semiconductor de tipo p contiene huecos y:
a)
b)
c)
d)
Iones positivos
Iones negativos
tomos pentavalentes
tomos donadores
c) 1V
d) 0V
14.6 La diferencia entre un aislante y un semiconductor es
a) Una banda prohibida ms amplia entre la banda de valencia y la banda de conduccin
b) El nmero de electrones libres
c) La estructura atmica
d) Respuestas a), b) y c)
14.7 Los pares de electrn-hueco se producen por
a)
b)
c)
d)
Recombinacin
Energa trmica
Ionizacin
Dopado
14.8 Los tomos de silicio y germanio, segn el modelo atmico de Bohr es:
a) Son usados como materiales semiconductores porque poseen el mismo nmero de capas y
4 electrones de valencia.
b) Tienen la distribucin de electrones en las dos ltimas capas
c) Tienen electrones de valencia de las mismas caractersticas, por lo cual requieren de la
misma cantidad de energa para escaparse del tomo.
d) Tienen igual nmero de electrones en la primera y ltima capa de su estructura atmica.
15. Observe el siguiente circuito con vs=24Vrms, diodos modelados con barrera de potencial de 1V.
a. Dibuje las formas de onda de las tensiones
para cada semiciclo, tenga en cuenta la cada de tensin
de los diodos.
b. Determine los valores de corriente promedio, corriente eficaz y PIV del diodo D1. Considere R con cdigo de
colores rojo amarillo caf.
16. Suponiendo que los diodos son ideales, encuentre los los valores de las corrientes I y voltajes V indicados
en cada circuito.
a)
b)
FUENTES: