1.5.

Studiul experimental al structurilor de benzi energetice

Vom prezenta pe scurt metodele experimentale de determinare a
maselor efective i a lrgimii benzii interzise n semiconductori: rezonana
ciclotronic, metode optice i electrice pentru msurarea lui E g .
a. Rezonana ciclotronic; determinarea masei efective
Principiul metodei ester urmtorul: fie un purttor de sarcin q plasat
ntr-un cmp magnetic static B i un cmp electric alternativ de pulsaie .
Presupunem c masa sa efectiv m * este izotrop. Ecuaia de micare a
q va fi
sarcinii electrice
r
m*

r r r
dv
= q(E + v B)
dt

(4.102)

n absena cmpului electric, micarea este circular ntr-un rplan

perpendicular pe direcia cmpului magnetic sau elicoidal n jurul lui B , cu
o pulsaie
qB
c = *
(4.103)
m
numit pulsaie ciclotronic. Orbitele n aceast micare de precesie
ciclotronic sunt spirale n jurul cmpului magnetic. n prezena unui cmp
electric i innd seama i de ciocnirile cu imperfeciunile reelei, pe care
ntr-un model simplu le introducem printr-o for de frecare (frnare) de
r
forma m * v / , unde este timpul de relaxare, ecuaia de micare devine
r r
r r r
v
* dv
m + = q( (+ v B)
(4.104)
dt
Dac presupunem un cmp magnetic static de componente Bx=
By=0; Bz=B i un cmp electric perpendicular pe acesta i variabil n timp
r r
E y = Ez = 0 ; E x = E 0 exp(i t ) , vom cuta soluii de forma v = v 0 exp( i t ) ,
aa nct din ecuaia (4.104) rezult
qE
1
vox (i + ) = *0 + voy c

m
1
voy (i + ) = vox c

(4.105)

Atunci, conductivitatea xx pe direcia cmpului electric aplicat este

~xx =

j x nq v x nq vox nq 2
1 i
=
=
= *
. (4.106)
Ex
Ex
Eo
m 1 + 2 c2 2 2i

~ , este maxim
Puterea medie absorbit n semiconductor, P Re
pentru = c . Aceasta corespunde unei absorbii rezonante de energie de
ctre purttori, dac frecvena de rotaie pe orbit coincide cu cea a cmpului
electric exterior. Prin urmare, determinnd frecvena pentru care se produce
acest fenomen i utiliznd relaia (4.103), se poate gsi masa efectiv a
purttorilor de sarcin (n practic se lucreaz cu o frecven fix i se
variaz inducia cmpului magnetic).
Condiia pentru o rezonan bine definit* este ca perioada
ciclotronic Tc (ntre dou ciocniri consecutive s se produc cel puin o
rotaie complet n cmp magnetic). Echivalent putem scrie c >1, deci
trebuie lucrat cu materiale pure i la temperaturi sczute (temperatura He
1
lichid, 4,2 K), pentru ca numrul de ciocniri ( ) s fie mic. Un cmp

r
magnetic intens, care ar duce la creterea lui c, modific dependena E k
i prin urmare, masa efectiv a purttorilor; n experiene se utilizeaz
cmpuri magnetice cu B 1 T . Pentru c < 1, nu se observ fenomenul de
absorbie rezonant (figura 1).

()

Fig.1
Ordin de mrime. La temperatura de 4,2 K : 10 11 s aa nct
condiia de rezonan este satisfcut pentru > 1011 rad/s ; alegnd
= 1,5 1011 rad/s , pentru m* = 0,1me , se obine B = 0,086 T. La temperatura
camerei, timpii de relaxare a purttorilor n cristale sunt intervalul
(10 15 10 13 ) s.

Schema unei instalaii experimentale utilizat pentru determinarea

maselor
efective
ale
purttorilor de sarcin ntr-un
ghid de unde
semiconductor este prezentat
n figura 4.16. Cristalul,
plasat ntre polii unui
B
electromagnet, este iradiat cu
unde electromagnetice de
cristal

frecven =
, produse
fotoni
2
R
de un ghid de unde. n cazul
n care cmpul magnetic
(static) are o valoare B care
verific condiia de rezonan
eB
=c= * , unde m * este o
m
mas efectiv, cristalul prezint o cretere a conductivitii electrice, care se
traduce printr-o absorbie puternic a undei. Aceast absorbie este observat
cu ajutorul unui receptor R care msoar puterea transmis.
Se lucreaz la temperaturi foarte sczute (pentru ca s fie ndeplinit
condiia c >1), dar, pentru a observa fenomenul de variaie a
conductivitii, cristalul este iradiat cu lumin avnd energia mai mare dect
banda interzis. (Acest lucru este necesar deoarece la temperaturi sczute
banda de conducie a semiconductorului este practic neocupat. Pentru a
observa rezonana, sunt necesari electroni liberi i (sau) goluri libere, care
sunt creai n acest caz prin excitare cu lumin).
b. Metode optice: determinarea benzii interzise la semiconductori

Aa cum spectroscopia atomic permite determinarea nivelelor n

atomi, spectroscopia semiconductorilor permite determinarea mrimii benzii
interzise n semiconductori i d informaii despre tipul de structur de benzi
(direct sau indirect). S analizm nti efectul unui fascicul de lumin de
frecven asupra unui semiconductor. Dac energia fotonilor h < E g ,
fasciculul va traversa cristalul fr s fie atenuat. Dac h > E g , fotonii pot
fi absorbii, excitnd electronii din banda de valen n banda de conducie.
Intensitatea undei luminoase variaz atunci cu distana z parcurs n
semiconductor dup legea
(4.123)
I=I0exp(-z)

unde este coeficientul de absorbie. Expresia lui depinde de natura

tranziiilor electronice induse de radiaie, dar indiferent de tipul procesului
de absorbie se verific legile de conservare a energiei
(4.124)
E f Ei = E foton
i a impulsului
r
r r
(4.125)
k f k i = k foton .
(Indicele i (f ) se refer la starea iniial (final) a electronului).
Evalum vectorul de und al fotonului comparativ cu cel al unui electron n
reeaua cristalin. Pentru fotoni cu energii de aproximativ 1 eV (lrgimea
benzii interzise pentru semiconductorii uzuali), lungimea de und este de
2
ordinul 1 m, prin urmare k foton =
6 106 m -1 . Pentru electronii n

echilibru termic cu reeaua, la T = 300 K i cu m* me , impulsul

P
P = 2m * k BT 10 25 kg m/s , iar vectorul de und k = 109 m -1 . Se
h
observ c impulsul fotonului este neglijabil, aa nct condiia de
conservare a impulsului se scrie simplu
r r
r
ki = k f = k 0 .
(4.126)
Se spune c tranziiile radiativer(nsoite de absorbia sau de emisia unui
foton), sunt verticale n spaiul k . Din acest motiv, procesele de absorbie
de fotoni n semiconductori sunt mult mai probabile n materiale cu band
interzis direct dect n materiale cu band interzis indirect. Figura 4.20
prezint dou tipuri de tranziii band-band induse de fotoni.

a)

Fig. 4.20

b)

ntr-un semiconductor cu band interzis direct (fig. 4.20 a),

tranziiile ntre extremele
benzilor sunt verticale, verificnd legea de
r
conservare a lui k . n semiconductorul cu band interzis indirect (fig.
4.20 b) se pot excita vertical, deci optic, electroni din maximul benzii de
valen n minimul central al benzii de conducie. Electronii astfel excitai
termalizeaz rapid n minimul absolut al benzii de conducie i pot participa
la conducie.
n cazul solidelor cu band interzis direct, coeficientul de absorbie
( 5.3) este dat de
=

e2h

mr2 cn 0

r 2
1 (ar p
)if N cv (h)
h

unde c este viteza luminii in vid, n, indicele de refractie al mediului,

r r
0 permitivitatea dielectrica a vidului, [( a p )]2 este elementul de matrice al
dipolului, care poate fi aproximat cu

2 2
p cv iar
3

( )3 / 2 (h E g )1 / 2

2 m *r

N cv (h) =

2h3

este densitatea reunita de stari, cu

h = E g +

h2k 2
2

1
1
h2k 2 1
* + * = Eg +
2 m *r
mc mv

unde m*r este masa optica efectiva sau masa redusa a sistemului electron-gol.
Se observa ca
A
=
h E g 1 / 2
(4.127)
h

Formula (4.127) este bine verificat experimentalr pentru substanele cu

benzi parabolice n vecintatea minimelor din k 0 . O astfel de curb
experimental (fig. 1pt GaAs.) permite determinarea lrgimii benzii
interzise (pragul curbei de absorbie) i a dependenei acestei mrimi de
temperatur.
n cazul solidelor cu band interzisr indirect, la care extremele
benzilor sunt situate la valori diferite ale lui k , pot avea loc tranziii optice
care nu respect regula (4.126). n astfel de procese, simultan cu absorbia
fotonului, are loc o absorbie (emisie) de fonon, cu vector de und
r
r
r
q = (k f k i ) , aa nct s fie satisfcut legea conservrii impulsului.
Astfel de tranziii cu participarea fononilor au loc cu condiia de conservare
a energiei
(4.128)
E f Ei = h h qr
h qr fiind energia fononului absorbit (emis). Pragul absorbiei este situat
la energia

h prag = E g m h qr

(4.129)

iar calculul pentru

r
r coeficientul de absorbie (5.3) n cazul tranziiilor
indirecte (cu k i k f ), conduce la expresia
2
( h E q h q ) 2
B (h E g + h qr )
=
+

= abs. + em. (4.130)

hqr / kT
h qr / kT
h

e
1
1 e

De observat c
1
= nqr
hqr / kT
e
1
v
este numrul mediu de fononi n starea q la temperatura T, iar
1
= n qr + 1 .
hqr / kT
1 e

La temperaturi mai mari dect temperatura Debye

kT > h qr n qr n qr + 1

kT
,
h qr

iar pentru T 0K, nqr 0, nqr +11. Se observ c la temperaturi foarte

sczute, cnd numrul de fononi este foarte mic, tranziiile cu absorbie de
fononi nu mai sunt posibile, absorbia radiaiei producndu-se numai cu
emisie de fononi.
1/ 2
abs. h
n figura 4.22 se reprezint
= K abs. i respectiv
B

1/ 2

em. h

= K em. n funcie de h , pentru dou temperaturi T1 > T2 .

B
Curbele pline se obin prin racordarea celor dou drepte.

Fig. 4.22
Aa cum se vede din figur, studiul acestui tip de absorbie permite
determinarea lrgimii benzii interzise indirecte, precum i energia fononilor
care particip la proces.

Experimental Si pentru diferite temperaturi

O prezentare comparativa a curbelor de absorbie pentru semiconductorii
uzuali e prezentata in figura

c) Metoda electric de determinare a lrgimii benzii interzise