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UNIVERSIDADE FEDERAL DO ESPRITO SANTO - UFES

CENTRO UNIVERSITRIO NORTE DO ESPRITO SANTO - CEUNES
DEPARTAMENTO DE CINCIAS NATURAIS - DCN

CAROLINE DIAS
GUILHERME LIMA
HERON BOLDRINI
RAYSSA MARTINS

RESISTORES, VOLTAGEM, CORRENTE E LEI DE OHM

PROFESSOR PAULO SRGIO MOSCON

FSICA EXPERIMENTAL II

SO MATEUS - ES
2016

INTRODUO

PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

Objetivos
Fundamentar o conceito de capacitncia e capacitor;
Realizar leituras dos valores de capacitncia de capacitores;
Associar capacitores em paralelo e em srie e deduzir as relaes algbricas
para calcular as capacitncias equivalentes em cada caso;
Estudar o processo de carga e descarga do capacitor.
Materiais

Placa protoboard com resistores;

1 resistor;
Uma bateria de 9V;
2 capacitores de capacitncia da ordem de 10 3 F
Voltmetro;
Cronmetro.

RESULTADOS
Na tabela 1 esto apresentados os dados experimentais relacionados a descarga de
um capacitor de 1000F.
Tabela 1 - Valores relacionados a descarga do capacitor

t (s)
0

V (V)
9,10

I (A)
0,00

15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
165

8,28
7,57
6,92
6,31
5,77
5,27
4,81
4,39
4,00
3,65
3,34

122
111
102
92,8
84,9
77,4
70,6
64,5
58,8
53,7
49,0

Parte 1 - Descarga na associao de capacitores em paralelo

Na Tabela 2 esto expostos os valores de corrente medidos durante o experimento
de descarga dos capacitores associados em paralelo.
Tabela 2 - Valores de corrente medidos durante a descarga dos capacitores em paralelo

t (s)
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
165

V (V)
8,78
8,68
6,17
4,40
3,24
2,34
1,71
1,26
0,93
0,69
0,52
0,39

I (A)
0,00
116
91,1
64,6
47,9
34,3
25,1
18,4
13,6
10,1
7,6
5,7

Parte 2 - Variao da capacitncia com a distncia de suas placas

A tabela 3 apresenta os dados experimentais referentes parte 3 do experimento,
sendo d a distncia entre as placas e R a resistncia medida.
Tabela 3 - Dados experimentais de resistncia de acordo com a distncia das placas

d (mm)

C (F)

0,3
0,6
0,9
1,2
1,5
1,8
2,1
2,4
2,7
3,0

0,230
0,165
0,113
0,086
0,074
0,070
0,057
0,050
0,050
0,046

DISCUSSO
A partir dos dados da tabela 4, possvel encontrar o valor da capacitncia.
Utilizando a equao 1 e a partir de sua linearizao, constri-se um grfico de ln I
versus t. O grfico referente aos dados da Tabela 4 est em anexo.
I(t) = I0.e-t/RC
ln I = ln I0 -

1
RC t

y= b + ax
Ento, no grfico, o coeficiente angular corresponde -1/RC:
= tg = -1/RC = - 0,163868
RC = 6,11
A resistncia medida vale 68 k, logo, a capacitncia encontrada :
68.103.C = 6,11
C = 8,98.10-5 F
C = 89,8 F

Tabela 4 - Linearizao dos valores de corrente na descarga de um capacitor

t (s)
I (A)
0
0,0
15
121,8
30
111,4
45
101,7
60
92,8
75
84,9
90
77,4
105
70,6
120
64,5
135
58,8
150
53,7
165
49,0
O grfico da corrente versus tempo est plotado abaixo:

ln I
4,80
4,71
4,62
4,53
4,44
4,35
4,26
4,17
4,07
3,98
3,89

Parte 1 - Descarga na associao de capacitores em paralelo

Analogamente, pela mesma equao anterior, linearizando a Tabela 2, obtm-se a
Tabela 5:
Tabela 5 - Valores de corrente de uma associao em paralelo linearizados

t (s)
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
165

I (A)
0,0
115,9
91,1
64,6
47,9
34,3
25,1
18,4
13,6
10,1
7,6
5,7

Como o coeficiente angular corresponde -1/RC:

= tg = -1/RC = - 0,0074
RC = 135,2

ln I
4,75
4,51
4,17
3,87
3,53
3,22
2,91
2,61
2,31
2,03
1,74

A resistncia medida vale 68 k, logo, a capacitncia encontrada :

68.103.C = 135,2
C = 1,98.10-3 F
C = 1980 F

Parte 2 - Variao da capacitncia com o distanciamento de suas placas

Pela equao 1, mantendo a constante de tempo capacitiva (RC) constante:
RC = 1 m.s
I(t) = I0.e-1
I(t) = I0 / e
I(t) = 0,37 I0
C = 0.A / d

Sabe-se que

1
C = 0.A. d
y = ax
Plota-se um grfico de C versus 1/d (em anexo), em que:
= tg = A.0
0 = tg / A
1/d
3,33
1,67
1,11
0,83
0,67
0,55

C (F)
0,230
0,165
0,113
0,086
0,074
0,070

0,48
0,42
0,37
0,33

CONCLUSO

0,057
0,050
0,050
0,046

Na primeira parte do experimento compararam-se os valores das resistncias

nominais dos resistores com as resistncias medidas. A partir disso a equipe pode
observar que estes valores foram bem prximos. Depois disso foram escolhidos trs
resistores e realizou-se a medio da resistncia da associao de dois e trs
resistores, foi verificado que os valores medidos so muito prximos dos valores
encontrados nos clculos, tanto para a associao em srie quanto em paralelo.
Ao comparar os grficos na segunda parte do experimento, viu-se que o resistor R 3
teve um comportamento linear caracterizando um dispositivo hmico, enquanto o
diodo apresentou uma curva exponencial caracterizando um dispositivo no hmico.
Ao comparar o coeficiente angular
Corrente) onde

m=2,68 10 3

obtido na figura 7 (Tenso versus

o valor da resistncia do resistor em ohms com a resistncia

nominal R3, pode-se notar que este valor medido aproximadamente igual ao valor
da resistncia nominal R3=2,7k.
Pode-se verificar o aumento da resistividade nos metais condutores com o aumento
da temperatura que teve seu coeficiente da temperatura da resistividade positivo que
condiz com a literatura e nos semicondutores foi observado o contrrio mostrando
um coeficiente da temperatura da resistividade negativo.

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

1. HALLIDAY, D.; RESNICK, R.; WALKER, J. Fundamentos de fsica 3. 9. ed.

Rio de Janeiro: LTC, 2013. P. 147-148.

2. ALMEIDA, M. A. T. De. Fundao CECIERJ: Introduo s Cincias

Fsicas

2. Rio de Janeiro/RJ, 2007.

3. Roteiros de Experincias. Fsica Experimental II, Engenharia de Produo e

Qumica. So Mateus/ES.

4. COSTA, F. F. Da; ALVES, L. S. Leis de Ohm. Pontifcia Universidade Catlica

de Gois. Goinia/GO, 2010.