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JFET
La polarizacin de un JFET (Junction Field-Effect Transistor) exige que las uniones PN
estn inversamente polarizadas, para un JFET de canal N, el voltaje de drenado debe
ser mayor que el voltaje de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs del
canal, adems el voltaje de compuerta debe ser ms negativo que el de la fuente para
que la unin PN se encuentre polarizada inversamente. Las curvas del JFET SON muy
parecidas a las de los transistores bipolares, con la diferencia que los JFET SON
controlados por tensin, mientras que los bipolares por corriente.
MOSFET
Los transistores MOSFET son dispositivos de efecto de campo al igual que los JFET
utilizan un campo elctrico para crear un canal de conduccin. Son dispositivos ms
importantes que los JFET ya que la mayor parte de circuitos integrados digitales se
construyen con tecnologas MOS.
Al igual que los JFET Y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente, pero sus
ecuaciones analticas son muy similares, por eso los transistores MOS Tiene las
mismas regiones de operacin que los JFET.
 
   

    
El sustrato est formado por una placa de material tipo P de silicio. En algunos casos,
el sustrato est conectado internamente con la fuente y solo presenta tres terminales.
El drenaje y la fuente estn formados de material tipo N unidos por un canal tambin
de material tipo N. La puerta est conectada a una capa muy delgada de xido de
silicio. El xido de silicio es aislante, lo que explica la alta impedancia de estos
dispositivos.
Cuando la tensin de la puerta VGS = 0 V y se aplica una tensin a los terminales de
drenaje y fuente, se establece una corriente IDSS similar a la del transistor JFET. Si a
la puerta se le aplica una tensin negativa, esto tendr como consecuencia una
disminucin de la corriente de drenaje IDSS. Cuanta ms alta sea la tensin negativa
de la puerta tanto ms se reducir la corriente de drenaje segn se puede ver en las
curvas de la figura 1, hasta llegar al nivel de estrechamiento con una tensin de puerta
de -6 voltios.

Figura 1.
Para valores positivos de la tensin de puerta VGS, la corriente de drenaje aumentar.
El espaciamiento vertical entra las curvas VGS = 0 V y VGS = +1 V en la figura 14.2 es
una indicacin clara de cuanto ha aumentado la corriente de drenaje cuando cambia
en un voltio la tensin de puerta.

Vemos que la aplicacin de una tensin positiva a la puerta incrementa la intensidad

de drenaje. Por esta razn, a esta zona de tensiones de puerta positiva se le
denomina regin incremental.
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Cul es la diferencia entre el MOSFET decremental y MOSFET incremental?

La construccin de un transistor MOS-FET de tipo decremental de canal P es

exactamente de forma inversa al de canal N, pero cambian el sustrato que es de
material tipo N y el canal drenador-fuente que es de tipo P. Como consecuencia, las
polaridades y direcciones de corriente tambin estn invertidas. Las caractersticas y
el modo de funcionamiento son similares al tipo de canal N.

Explique el principio de funcionamiento del transistor MOSFET Incremental

La construccin del MOS-FET tipo incremental es similar a la del tipo decremental. La
nica diferencia es que se suprime el canal tipo N que une las regiones de drenaje y
fuente.
Si entre drenaje y fuente se le aplica una tensin, siendo la tensin de puerta VGS = 0
V, el resultado ser una ausencia de corriente entre los terminales de drenaje y fuente,
debido a que existe dos regiones P-N con polarizacin inversa entre las regiones N y
el sustrato P.

Si se aplica una pequea tensin positiva a la puerta, respecto a la fuente, se

apreciar una corriente del drenador a la fuente. Conforme la tensin de puerta VSG
contine aumentando, la corriente drenador-fuente tambin aumentar. El valor de la
tensin de puerta VSG del que resulta un incremento significativo de la corriente de
drenaje se denomina tensin de umbral, con smbolo VT (del ingls Threshold).
Puesto que al aumentar la tensin de puerta aumenta la corriente de drenaje, a este
tipo de MOS-FET se le conoce con el nombre de incremental.
Cuando VGS se incrementa ms all de la tensin de umbral, se incrementa la
intensidad de drenaje, Sin embargo, si se mantiene constante VGS y solo se aumenta
la tensin VDS , la corriente de drenaje alcanzar un nivel de saturacin como ocurra
en el JFET y en el MOS-FET decremental.
 


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Gate o puerta: Es el pin que al proporcionarle un voltaje circula una corriente en los
terminales drenaje y fuente.
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Ya que las hojas de especificaciones por lo general proporcionan el voltaje del umbral
y un nivel de corriente de drenaje (ID (encendido)), as como su nivel correspondiente
de VGS (encendido) pueden definirse dos puntos de inmediato. Para completar la
curva, primero tiene que determinar la constante k de la ecuacin a partir de los datos
de las hojas de especificaciones mediante la sustitucin en la ecuacin y resolviendo
para k de la siguiente manera:
ID = kVGS - VGS(Th) )2
ID (encendido) = k (VGS (encendido) - VGS (Th))2
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Se pueden daar debido a la electricidad esttica.
 

El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estticas durante la manipulacin
del mismo en un da seco. Tambin causan peligro los cautines para soldar, que por lo
general no estn aislados de la lnea de corriente alterna (C.A.).

Para evitar que el MOSFET se dae de manera accidental, algunos fabricantes

incluyen un diodo zener conectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con el nodo
hacia la compuerta y el ctodo hacia la fuente.

Este zener est diseado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS (tensin
compuerta - fuente) siempre se mantendr por debajo o igual al valor de esta tensin,
y por ende por debajo del valor de tensin destructivo. Ver la figura.

Otra manera de asegurarse de que el MOSFET no se dae es almacenarlo y

transportarlo con ayuda de esponjas conductoras, que cortocircuitan los terminales del
MOSFET y as no exista tensin entre ellos.

Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la proteccin antes mencionada, la

persona que manipular el elemento debe de asegurarse que su cuerpo no est
cargado de esttica. Existen unas pulseras especiales conectadas a un punto de
tierra, pensadas para mantener descargado el cuerpo del usuario.