INTRODUCCION:

La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto campo de unin) consiste en un canal

de semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo de JFET, con contactos hmicos (no
rectificadores) en cada extremo, llamados FUENTE y DRENADOR. A los lados del canal
existen dos regiones de material semiconductor de diferente tipo al canal, conectados
entre s, formando el terminal de PUERTA. En el caso del JFET de canal N, la unin
puerta canal, se encuentra polarizada en inversa, por lo que prcticamente no entra
ninguna corriente a travs del terminal de la puerta.
La estructura de un MOSFET (Metal Oxido Semiconductor FET), consta de cuatro
terminales: Drenador (D), Fuente (S), Puerta (G) y Sustrato (B). En los NMOS (MOSFET
de canal N), el sustrato es un semiconductor tipo p. Generalmente, el sustrato se conecta
a la fuente. La puerta se halla aislada del sustrato por una fina capa de dixido de silicio
y por el terminal de la puerta fluye una corriente despreciable. Cuando se aplica en G
una tensin positiva respecto a S, los electrones se ven atrados a la regin situada bajo
G, inducindose un canal de material de tipo n entre D y S . Si se aplica entonces una
tensin entre D y S, fluir una corriente desde S a D a travs del canal.

Transistor de efecto campo

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en ingls) es un transistor que se
basa en el campo elctrico para controlar la forma y, por lo tanto, laconductividad de un
canal que transporta un solo tipo de portador de carga, hecho de un
material semiconductor, por lo que tambin suele ser conocido comotransistor unipolar.
Posee tres terminales, denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). La
puerta es el terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo
funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la
fuente controla la corriente que circula en el drenaje. As como los transistores
bipolares se dividen en NPN y PNP, los FET son de los tipos Canal-N y Canal-P,
dependiendo del material del canal del dispositivo.

Tipo de transistores de efecto campo

Comparativa de las grficas de funcionamiento (curva de entrada o caracterstica I-V y

curva de salida) de los diferentes tipos de transistores de efecto de campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenaje y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del
MOSFET de enrequecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del
MOSFET de agotamiento. Los transistores de efecto de campo tambin son distinguidos
por el mtodo de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre
el canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante

(normalmente SiO2).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin

PN del JFET con una barrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET

(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante
entre la puerta y el cuerpo del transistor.

Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de

potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est
entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos
ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin

ultra rpida del transistor.

Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando
una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas
de ADN iguales

. La caracterstica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o
del silicio policristalino.

Caractersticas[editar]

Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor).

Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.

Es menos ruidoso.

Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

FET de juntura o JFET transistor de efecto de campo

El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por
un canal semiconductor, aplicando un campo elctricoperpendicular a la trayectoria de la
corriente. Eltransistor FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le
adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn
unidas entre si. Ver la figura.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el
tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La regin que existe entre el
drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama canal. La
corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). Este tipo de transistor se polariza de manera
diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente
con respectoal terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o se polariza negativamente
con respecto a la fuente (-Vgg).

A mayor voltaje -Vgg, ms angosto es el canal y ms difcil para la corriente pasar del
terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensin -Vgg para la que el
canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada FET
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que
halla cambiosen la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector.
El transistor FET es controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta
(gate) a fuente (Vgs) modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del
canal.

Curva caractersticadel transistor FET

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador fuente), para un
Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se comporta como
una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estriccin), desde donde la corriente
se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la regin de disrupcin o
ruptura), desde donde la corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se
destruye.

Si ahora se repite este grfico para ms de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se

obtiene un conjunto de grficos. Ver que Vgs es 0 voltios o es una tensin de valor
negativo.

Si

Vds

se

hace

por

el

transistor

no

circular

ninguna

corriente.

(ver grficos anterior). Para saber cual es el valor de la corriente se utiliza la frmula de la
curva caracterstica de transferencia del FET.
Ver grfico de la curva caracterstica de transferencia de un transistor FET de canal tipo
P en elgrfico inferior derecha. La frmula es: ID = IDSS (1 [Vgs / Vgs (off)] )

donde: IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0 Vgs (off) es el voltaje cuando
ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0) Vgs es el voltaje entre entre
la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID
Resistencia del canal RDS
Como Vgs es el voltaje que controla el paso de la corriente ID (regula el ancho del canal),
se puede comparar este comportamiento como un resistor valor depende del voltaje VDS.
Esto es slo vlido para Vds menor que el voltaje de estriccin (ver punto A en el grfico).
Entonces si se tiene la curva caracterstica de un transistor FET, se puede encontrar La
resistencia RDS con la siguiente frmula: RDS = VDS/ID. Los smbolos del FET son:

Fet canal N Fet canal P

Ecuaciones del transistor J-FET

Curva caracterstica de transferencia universal, a la izquierda y curva caracterstica de

drenaje de un transistor JFET Canal N. Las correspondientes a un JFET Canal P son el
reflejo horizontal de stas.
Ecuacin de entrada
Mediante la grfica de entrada del transistor tambin llamada Curva caracterstica de
transferencia universal, a la izquierda de la figura adjunta, se pueden deducir las
expresiones analticas que permiten analizar matemticamente el funcionamiento de este.
As, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento.
En la regin activa del JFET, siempre que la tensin entre puerta y fuente V GS sea menor
que el mdulo de la tensin de estrangulamiento o estriccin, en la cual el JFET cae en la
zona de saturacin, Vp tambin llamada VGS(off) , la curva de valores lmite de I D viene dada
por la expresin:
Los puntos incluidos en esta curva representan la corriente I D y la tensin VGS en la zona
de saturacin, mientras que los puntos del rea bajo la curva representan la zona hmica.
Si |VGS| > |Vp| (zona de corte) la corriente de drenaje es cero (ID=0).
Ecuacin de salida
En la grfica de salida tambin llamada curva caracterstica de drenaje, a la derecha de la
figura, se pueden observar con ms detalle los dos estados en los que el JFET permite el
paso de corriente. En un primer momento, la corriente de drenaje aumenta
progresivamente segn lo hace la tensin de salida drenaje-fuente (V DS). Esta curva viene
dada por la expresin:9

en la cual "k" es:

Puede suponerse que , siendo:

Por tanto, en esta zona y a efectos de anlisis, el transistor puede ser sustituido por
una resistencia de valor Ron, con lo que se observa una relacin entre la I D y la
VDS definida por la Ley de Ohm. Esto hace que a esta zona de funcionamiento se le
llame zona hmica. A partir de una determinada tensin V DS la corriente ID deja de
aumentar, quedndose fija en un valor al que se denomina I D de saturacin o IDSAT. El valor
de VDS a partir del cual se entra en esta nueva zona de funcionamiento viene dado por la
expresin:

La corriente de saturacin IDSAT, caracterstica de cada JFET, puede calcularse

reescribiendo la ecuacin de entrada y, usando para "k" la expresin ya mencionada,
queda:

MOSFET
MOSFET (Transistor de efecto campo MOS)

Transistores MOSFET en encapsulado D2PAK. Cada

uno maneja 30 A de corriente y 120 V de tensin.
Un fsforo o cerilla aparece al lado para efectos de
comparacin.
Tipo

Semiconductor

Principio

de Efecto de campo

funcionamiento
Invencin

Dawon Kahng y Martin Atalla

(1960)

Smbolo electrnico

Terminales

Puerta (G), Drenaje (D) y

Fuente (S). A veces se incluye
un cuarto terminal de Sustrato
(B).

[editar datos en Wikidata]

Estructura del MOSFET donde se muestran los terminales de puerta (G), sustrato (B),
fuente (S) y drenador (D). La puerta est separada del cuerpo por medio de una capa de
aislante (blanco).
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en
ingls Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque eltransistor de unin

bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de

los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador
(D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Body). Sin embargo, el sustrato generalmente
est conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio que
fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por
elsilicio policristalino debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las puertas
metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la
velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la puerta.
De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la puerta tambin se ha
reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la
aplicacin de tensiones ms pequeas.
Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect
transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET
es ms inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una puerta que no es
metlica, y un aislante de puerta que no es un xido. Otro dispositivo relacionado es el
MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metalinsulator-semiconductor field-effect transistor).

Historia
Artculo principal: Historia del Transistor de efecto campo
El fsico austro-hngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit en Canad en el ao 1925 1 una
patente para "un mtodo y un aparato para controlar corrientes elctricas" y que se
considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo. Lilienfeld tambin
solicit patentes en los Estados Unidos en los aos 1926 2 y 19283 4pero no public
artculo alguno de investigacin sobre sus dispositivos, ni sus patentes citan algn
ejemplo especfico de un prototipo de trabajo. Debido a que la produccin de materiales
semiconductores de alta calidad an no estaba disponible por entonces, las ideas de
Lilienfeld sobre amplificadores de estado slido no encontraron un uso prctico en los
aos 1920 y 1930.5
En 1948, fue patentado el primer transistor de contacto de punto por el equipo de los
estadounidenses Walter Houser Brattain y John Bardeen6 y de manera independiente, por
los alemanes Herbert Matar y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse, pero al
darse cuenta stos ltimos de que los cientficos de Laboratorios Bell ya haban inventado
el transistor antes que ellos, la empresa se apresur a poner en produccin su dispositivo
llamado "transistron" para su uso en la red telefnica de Francia. 7

En 1951, Wiliam Shockley solicit la primera patente de un transistor de efecto de

campo8 , tal como se declar en ese documento, en el que se mencion la estructura que
ahora posee. Al ao siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios
Bell, tuvieron xito al fabricar este dispositivo, 9 cuya nueva patente fue solicitada el da 31
de octubre de 1952 10 El primer transistor MOSFET fue construido por el coreanoestadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los
Laboratorios Bell, en 1960. 11 12
Con una operacin y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unin, el
transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un
semiconductor y luego colocando un electrodo metlico de puerta sobre el aislante. Se
utiliz silicio cristalino para el semiconductor base, y una capa de dixido de silicio creada
a travs de oxidacin trmica, como aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas
de electrones localizados entre la interfaz, entre el silicio y la capa de xido nativo, y por
este motivo se vea libre de la dispersin y el bloqueo de portadores que limitaba el
desempeo de los transistores de efecto de campo anteriores. Despus del desarrollo
de cuartos limpios para reducir los niveles de contaminacin, y del desarrollo de
la fotolitografa as como del proceso planar que permite construir circuitos en muy pocos
pasos, el sistema Si-SiO2 (silicio-dixido de silicio) obtuvo gran importancia debido a su
bajo costo de produccin por cada circuito, y la facilidad de integracin. Adicionalmente, el
mtodo de acoplar dos MOSFET complementarios (de canal N y canal P) en un
interruptor de estado alto/bajo, conocido como CMOS, implic que los circuitos digitales
disiparan una cantidad muy baja de potencia, excepto cuando son conmutados. Por estos
tres factores, los transistores MOSFET se han convertido en el dispositivo utilizado ms
ampliamente en la construccin de circuitos integrados.
Smbolos de transistores MOSFET
Existen distintos smbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET. El
diseo bsico consiste en una lnea recta para dibujar el canal, con lneas que salen del
canal en ngulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para
indicar la fuente y el drenaje. En algunos casos, se utiliza una lnea segmentada en tres
partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una lnea slida para el canal del
MOSFET de empobrecimiento. Otra lnea es dibujada en forma paralela al canal para
destacar la puerta.
La conexin del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del
canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre
apunta en la direccin P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en un sustrato P) tiene
la flecha apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si el sustrato est
conectado internamente a la fuente (como generalmente ocurre en dispositivos discretos)

se conecta con una lnea en el dibujo entre el sustrato y la fuente. Si el sustrato no se

muestra en el dibujo (como generalmente ocurre en el caso de los diseos de circuitos
integrados, debido a que se utiliza un sustrato comn) se utiliza un smbolo de inversin
para identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar una flecha
en la fuente de forma similar a como se usa en los transistores bipolares (la flecha hacia
afuera para un NMOS y hacia adentro para un PMOS).
En la tabla que seguidamente se muestra se tiene una comparacin entre los smbolos de
los MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los smbolos para
los JFET dibujados con la fuente y el drenaje ordenados de modo que las tensiones ms
elevadas aparecen en la parte superior del smbolo y la corriente fluye hacia abajo.
Smbolos de los transistores FET y MOSFET

Can
al P

Can
al N

FET
unin
JFET

de

MOSFET

de

MOSFET

de

Enriquecimien

Enriquecimien

to

to

(MOSFET-E)

(sin sustrato)

MOSFET

de

Empobrecimien
to
o

Deplexin

(MOSFET-D)

Para aquellos smbolos en los que el terminal del sustrato se muestra, aqu se representa
conectado internamente al terminal de fuente. Esta es la configuracin tpica, pero no
significa que sea la nica configuracin importante. En general, el MOSFET es un
dispositivo de cuatro terminales, y en los circuitos integrados muchos de los MOSFET
comparten una conexin comn entre el sustrato, que no est necesariamente conectada
a los terminales de la fuente de todos los transistores.
Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los
primeros son los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creacin de un

canal entre el drenador y la fuente, al aplicar una tensin en la puerta. La tensin de la

puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una regin de
inversin, es decir, una regin con dopado opuesto al que tena el sustrato originalmente.
El

trmino enriquecimiento hace

referencia

al

incremento

de

la conductividad

elctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la regin

correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentracin
de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este
modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de
tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexin tienen un canal conductor en su estado de
reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicacin de la tensin elctrica en
la puerta, lo cual ocasiona una disminucin de la cantidad de portadores de carga y una
disminucin respectiva de la conductividad.
Estructura metal-xido-semiconductor
Vase tambin: Estructura MOS

Estructura Metal-xido-semiconductor construida con un sustrato de silicio tipo p

Una estructura metal-xido-semiconductor (MOS) tradicional se obtiene haciendo crecer
una capa de dixido de silicio (SiO2) sobre un sustrato de silicio, y luego depositando una
capa de metal o silicio policristalino, siendo el segundo el ms utilizado. Debido a que
el dixido

de

silicio es

un

material dielctrico,

esta

estructura

equivale

uncondensador plano, en donde uno de los electrodos ha sido reemplazado por

un semiconductor.
Cuando se aplica un potencial a travs de la estructura MOS, se modifica la distribucin
de cargas en el semiconductor. Si consideramos un semiconductor de tipo p (con una
densidad de aceptores NA), p es la densidad de huecos; p = NA en el silicio intrnseco),
una tensin positiva VGB aplicada entre la puerta y el sustrato (ver figura) crea una regin
de agotamiento debido a que los huecos cargados positivamente son repelidos de la
interfaz entre el aislante de puerta y el semiconductor. Esto deja expuesta una zona libre
de portadores, que est constituida por los iones de los tomos aceptores cargados
negativamente (ver Dopaje (semiconductores)). Si VGB es lo suficientemente alto, una alta

concentracin

de

portadores

de

carga

negativos

formar

una regin

de

inversin localizada en una franja delgada contigua a la interfaz entre el semiconductor y

el aislante. De manera distinta al MOSFET, en donde la zona de inversin ocasiona que
los portadores de carga se establezcan rpidamente a travs del drenador y la fuente, en
un condensador MOS los electrones se generan mucho ms lentamente mediante
generacin trmica en los centros de generacin y recombinacin de portadores que
estn en la regin de agotamiento. De forma convencional, la tensin de puerta a la cual
la densidad volumtrica de electrones en la regin de inversin es la misma que la
densidad volumtrica de huecos en el sustrato se llama tensin de umbral.
Esta estructura con un sustrato de tipo p es la base de los transistores nMOSFET, los
cuales requieren el dopado local de regiones de tipo n para el drenador y la fuente.
Estructura MOSFET y formacin del canal

Formacin del canal en un MOSFET NMOS: Superior: Una tensin de puerta dobla las
bandas de energa, y se agotan los huecos de la superficie cercana a la puerta
(izquierda). La carga que induce el doblamiento de bandas se equilibra con una capa de
cargas negativas de iones aceptores (derecha). Inferior: Una tensin todava mayor
aplicada en la puerta agota los huecos, y la banda de conduccin disminuye de forma que
se logra la conduccin a travs del canal.
Un transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor (MOSFET) se basa en
controlar la concentracin de portadores de carga mediante un condensador MOS
existente entre los electrodos del sustrato y la puerta. La puerta est localizada encima
del sustrato y aislada de todas las dems regiones del dispositivo por una capa de
dielctrico, que en el caso del MOSFET es un xido, como el dixido de silicio. Si se
utilizan otros materiales dielctricos que no sean xidos, el dispositivo es conocido como
un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (MISFET). Comparado
con

el condensador

MOS,

el

MOSFET

incluye

dos

terminales

adicionales

(fuente y drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que estn
separadas por la regin del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo p o n, pero deben
ser ambas del mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. la fuente y el drenador (de

forma distinta al sustrato) estn fuertemente dopadas y en la notacin se indica con un

signo '+' despus del tipo de dopado.
Si el MOSFET es de canal n (NMOS) entonces las regiones de dopado para la fuente y el
drenador son regiones 'n+' y el sustrato es una regin de tipo 'p'. Si el MOSFET es de
canal p (PMOS) entonces las regiones de dopado para la fuente y el drenador son
regiones 'p+' y el sustrato es una regin de tipo 'n'. El terminal de fuente se denomina as
porque ser origen de los portadores de carga (electrones en el canal n, huecos en el canal
p) que fluyen a travs del canal; de forma similar, el drenador es el punto en el cual los
portadores de carga abandonan el canal.
La ocupacin de las bandas de energa en un semiconductor est determinada por la
posicin del nivel de Fermi con respecto a los bordes de las bandas de energa del
semiconductor. Como se describe anteriormente, y como se puede apreciar en la figura,
cuando se aplica una tensin de puerta suficiente, el borde de la banda de valencia se
aleja del nivel de Fermi, y los huecos presentes en el sustrato son repelidos de la puerta.
Cuando se polariza todava ms la puerta, el borde de la banda de conduccin se acerca
al nivel de Fermi en la regin cercana a la superficie del semiconductor, y esta regin se
llena de electrones en una regin de inversin o un canal de tipo n originado en la
interfaz entre el sustrato tipo p y el xido. Este canal conductor se extiende entre el
drenador y la fuente, y la corriente fluye a travs del dispositivo cuando se aplica un
potencial entre el drenador y la fuente. Al aumentar la tensin en la puerta, se incrementa
la densidad de electrones en la regin de inversin y por lo tanto se incrementa el flujo de
corriente entre el drenador y la fuente.
Para tensiones de puerta inferiores a la tensin de umbral, el canal no tiene suficientes
portadores de carga para formar la zona de inversin, y de esta forma slo una pequea
corriente de subumbral puede fluir entre el drenador y la fuente.
Cuando se aplica una tensin negativa entre puerta-fuente (positiva entre fuente-puerta)
se crea un canal de tipo p en una superficie del sustrato tipo n, de forma anloga al canal
n, pero con polaridades opuestas para las cargas y las tensiones. Cuando una tensin
menos negativa que la tensin de umbral es aplicada (una tensin negativa para el canal
tipo p) el canal desaparece y slo puede fluir una pequea corriente de subumbral entre el
drenador y la fuente.
En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus cuatro
terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el sustrato se encuentra
conectado a la fuente.

La puerta, cuya dimensin es WL, est

separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando una estructura similar a las
placas de un condensador. Al aplicar una tensin positiva en la puerta seinduce cargas
negativas (capa de inversin) en la superficie del substrato y se crea un camino de
conduccin entre los terminales drenador y fuente.
La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin umbral o
tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS < VT,
la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta tensin son 0.5 V a 3 V.

CONCLUSION:

El JFET, la ecuacin que da cuenta del comportamiento es la ley de Schockley,

en la cual al corriente IDSS, llamada corriente de saturacin ser la mxima
permitida (para el JFET canal n), el voltaje Vp (tambin llamado VGSOF F )
permite establecer el rango del voltaje vGS y delimita el corte del transistor.
Para el MOSFET de enriquecimiento se utiliza la relacin en la regin de
saturacin como ecuacin para la zona activa, donde la el voltaje umbral VT ,
establece el valor mnimo del voltaje en la compuerta, la constante K de
fabricacin ser considerada como dato del fabricante