Partie IV: Proprits lectriques

et magntiques des matriaux

Chapitre 12

Proprits lectriques
Les proprits lectriques souvent distinguent le plus un
matriau de lautre (mtal - isolant).
Les principes gouvernant les proprits lectriques sont
discuts dans ce chapitre.

Mtaux, isolants et semi-conducteurs:

La thorie des bandes
La rsistance au courant lectrique R ():

La rsistivit ( m) est intrinsque dun matriau donn

La conductivit lectrique (-1 m-1) dun matriau est
linverse de sa rsistivit:

La conductivit lectrique peut aussi tre exprime en termes

de la densit de courant J (A m-2) et du champ lectrique E (V

m-1)

avec une unit quivalente (A m-1 V-1)

: ohm; A: ampre; V: volt

La conductivit lectrique stend

sur 22 ordres de grandeur
comparativement 6 pour la
conductivit thermique.

La conductivit lectrique est lie

au
mouvement
relativement
indpendant des lectrons, alors
que la conductivit thermique
ncessite laction collective des
phonons.

Thorie des bandes

Comportement en conduction lectrique sexplique par lcart entre la

bande de valence et la bande de conduction (la largeur de la bande
interdite).

Bandes de niveaux dnergie dans les phases condenses.

Variation de la densit dtats dnergie:

Probabilit doccupation pour un tat

ayant lnergie E selon la fonction de
distribution de Fermi:
P(E) = 1/[e(E-EF)/KT +1]

Variation de
dnergie:

la

population

dtats

Mtaux

Un continuum de niveaux dnergie lectronique (bande), avec des niveaux inoccups

immdiatement au-dessus des niveaux occups les plus levs (pas dcart). Lexcitation
des lectrons toutes les tempratures > 0 K, et la prsence des lectrons excits (libres)
facilite la conduction du courant lectrique.

Un potentiel de contact se produit entre deux mtaux ayant diffrentes fonctions de

travail.

Semi-conducteurs

Un cart existe entre la bande de valence et la bande de conduction. Il y a cependant

une petite population des lectrons excits dans la bande de conduction T>0 K, ce qui
est lorigine de la faible conductivit lectrique.

Exemple du germanium

Polymres conducteurs: Polymres -conjugus (semi-conducteurs) dops

(tats dnergie dans la bande interdite). Ex. polyactylne dop.
Conducteurs uni-dimensionnels: Conductivit lectrique dans une
direction. Ex. complexe TTF-TCNQ, dlocalisation des lectrons le long de
la colonne dempilement.

Isolants
Un grand cart entre la bande de valence et la bande de conduction.
Lnergie thermique ncessaire pour exciter les lectrons est suffisante
pour fondre le solide (valences covalentes et ioniques).

La dpendance en temprature de la conductivit

lectrique
Mtaux

Quand la temprature augmente, le mouvement thermique des atomes

augmente, ce qui a pour effet de diffuser davantage les lectrons de
conduction, de diminuer leur libre parcours moyen et ainsi dabaisser
leur capacit de transporter les charges lectriques. Par consquent, la
rsistivit augmente et la conductivit lectrique diminue.

La loi de Wiedemann-Franz: Une relation entre la conductivit

thermique et la conductivit lectrique des mtaux
La conductivit thermique
des lectrons:

Pour N lectrons:

La conductivit lectrique:
Il en rsulte:
Le rapport est une constante: 2.45 10-8 W K-2

Semi-conducteurs

Quand la temprature augmente, la population des lectrons qui passent

la bande de conduction augmente. Cest leffet dominant qui conduit
laugmentation de la conductivit lectrique.

La probabilit davoir un lectron

libre ayant lnergie E:
Une forme rarrange:
Pour |E-EF |/KT<<1 (prs de EF):
Appliquer la distribution de Boltzmann
dans ce cas, E le plus probable pour
lectrons libres est EF+o.5Eg et E
moyenne est EF
Il sen suit:
La conductivit lectrique est
proportionnelle au nombre
dlectrons libres.

Proprits des semi-conducteurs extrinsques (dops)

Lajout contrl dune impuret dans un semi-conducteur pur (intrinsque)
peut augmenter la conductivit lectrique.

Type-n: Porteurs de charges sont les lectrons (charges ngatives)

Silicium (4 lectrons de valence) dop par phosphore (5 lectrons de

valence): les lectrons extra crent un niveau nergtique localis donneur
dans la bande interdite, lequel donne les lectrons libres la bande de
conduction plus facilement cause de lcart rduit.

Type-p: Porteurs de charges sont les trous (charges positives)

Silicium dop par aluminium (3 lectrons de valence): la dficience en

lectrons cre un niveau localis accepteur dans la bande interdite, lequel
accepte les lectrons de la bande de valence et cre des trous libres
(charges positives).

Dispositifs lectriques utilisant semi-conducteurs

extrinsques

Jonction-p,n et diode semi-conductrice

Un semi-conducteur de type-n en contact avec un semi-conducteur de type-p
est un dispositif ayant la proprit de rectification.

Une conductivit lectrique intrinsque existe pour une jonction-p,n.

En appliquant un champ lectrique, dpendant de la polarisation (directe ou
inverse), lcoulement du courant lectrique traversant la jonction est permis ou
essentiellement arrt, contrairement aux mtaux pour lesquels linversion du
champ change seulement la direction du courant, mais pas son ampleur.

Principe de rectification: dans la partie n, les porteurs majoritaires sont les lectrons
et les porteurs minoritaires sont les trous, alors que cest linverse dans la partie p.
Leurs ractions la polarisation directe (forward bias) et la polarisation inverse
(reverse bias) dterminent le comportement I-V.

Comprendre les proprits dune jonction-p,n en terme de la distribution

lectronique:

n: EF augmente
p: EF diminue

En contact, les bandes interdites des parties n et p se dplacent pour galiser

leur EF, ce qui cre un potentiel de contact (diffrentes fonctions de travail) et
le mouvement des lectrons de la bande de conduction du semi-conducteur n
vers la bande de valence du semi-conducteur p.

En prsence dun champ

lectrique

Cette proprit de rectification

peut tre utilise pour transformer
un courant alternatif en courant
direct.

Effet de Zener: Une forte augmentation du courant une polarisation

inverse (tension ngative) leve

Lnergie cintique des lectrons et des trous traversant la jonction est

devenue suffisamment grande pour ioniser le semi-conducteur (arracher
des lectrons de valence et les faire passer dans la bande de conduction).

Transistor

La jonction gauche est polarise directement et

la jonction droite est polarise inversement. Les
trous qui traversent la partie n (trs mince)
sont attirs par le ple ngatif, ce qui
augmente le courant. Lcoulement des trous
travers la jonction gauche est contrl par la
diffrence de potentiel entre lmetteur et la
base (ngatif), ce qui modifie le courant
amplifi reu par le connecteur.

Un transistor est compos de deux jonctions, p-n-p ou n-p-n, et agit pour

amplifier la tension.

Transistor effet de champ

Lorsquune tension positive est applique par llectrode de la grille, les lectrons
injects par llectrode de la source sont attires vers la surface de la tranche de
silicium et les trous sont repousss, ce qui permet aux lectrons de passer par le
canal et dtre accueillis par llectrode du drain.

Un dispositif de refroidissement

Une proprit thermolectrique

Dilectriques
Un dilectrique est un isolant lectrique qui rduit la force lectrostatique
entre deux charges.
Plac dans un condensateur
plaques parallles, un dilectrique
augmente la capacit lectrique du
condensateur C (la quantit de
charges stocke dans une plaque Q
par unit de tension applique V) par:

est la constante dilectrique et

Co est la capacit dans le vide.

Sous leffet du champ lectrique appliqu au condensateur, les molcules du

dilectrique sont polarises, la polarisation tant dfinie comme le moment
dipolaire induit par unit de volume.
Les diples lectriques induits salignent avec le champ lectrique et crent un
champ oppos celui appliqu, rduisant ainsi la tension.
tant donn que:
la capacit augmente avec la prsence du dilectrique.

Variation de la polarisation en fonction du champ lectrique pour un

dilectrique normal et un matriau ferrolectrique (prsence dune
boucle dhystrsis).

Polarisation des domaines dans un matriau ferrolectrique

Solides pyrolectriques et ferrolectriques possdent une polarisation spontane en

absence dun champ lectrique.
Solides antiferrolectriques contiennent des rgions ferrolectriques microscopiques qui
sont balances exactement.
Dans tous les cas, T>TC, lnergie thermique amne une structure plus symtrique aux
solides, la polarisation spontane est disparue.

Supraconductivit
Pour un matriau supraconducteur, en-dessous dune temprature
critique, sa rsistivit est nulle, prsentant aucune rsistance un
courant lectrique.

TC < 20 K avant les annes 90, lutilisation du hlium liquide ( 4.2 K)

est ncessaire. Supraconducteurs avec TC> 77 K sont maintenant
obtenus, lazote liquide (77 K) est suffisant pour le refroidissement.

Lvitation dun aimant au dessus dun supraconducteur type 1-2-3

(YBa2Cu3O8-y: oxydes dyttrium, baryum et cuivre, avec Y:Ba:Cu=1:2:3)

La thorie BCS (Bardeen, Cooper et Schrieffer) explique le comportement

supraconducteur trs basses tempratures par un mcanisme de couplage
lectron-phonon: les lectrons se dplacent en paire de spin oppos (paire de
Cooper) et nentre plus en collision avec les ions du rseau. Le passage du
premier lectron dforme lgrement le rseau (phonon) et cre un gradient de
potentiel qui facilite le passage de lautre lectron sans aucune restriction.
Cependant, la thorie BCS ne peut expliquer la supraconductivit hautes
tempratures.