Historia[editar]

Artculo principal: Historia del transistor

Rplica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies.

El fsico austro-hngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit en Canad en el ao 19251 una patente
para lo que l denomin "un mtodo y un aparato para controlar corrientes elctricas" y que se
considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo, ya que estaba destinado
a ser un reemplazo de estado slido del triodo. Lilienfeld tambin solicit patentes en los
Estados Unidos en los aos 19262 y 1928. 3 4 Sin embargo, Lilienfeld no public ningn
artculo de investigacin sobre sus dispositivos ni sus patentes citan algn ejemplo especfico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la produccin de materiales semiconductores de alta
calidad an no estaba disponible por entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de
estado slido no encontraron un uso prctico en los aos 1920 y 1930, aunque un dispositivo
de este tipo ya se haba construido.5
En 1934, el inventor alemn Oskar Heil patent en Alemania y Gran Bretaa6 un dispositivo
similar. Cuatro aos despus, los tambin alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron
experimentos en la Universidad de Gttingen, con cristales de bromuro de potasio, usando
tres electrodos, con los cuales lograron la amplificacin de seales de 1 Hz, pero sus
investigaciones no condujeron a usos prcticos. 7 Mientras tanto, la experimentacin en
los Laboratorios Bell con rectificadores a base de xido de cobre y las explicaciones sobre
rectificadores a base de semiconductores por parte del alemn Walter Schottky y del ingls
Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construccin de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de vaco.

Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los fsicos

estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell 8 llevaron a

cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos puntuales de oro eran
aplicados a un cristal de germanio, se produjo una seal con una potencia de salida mayor
que la de entrada.9 El lder del Grupo de Fsica del Estado Slido William Shockley vio el
potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabaj para ampliar en gran medida el
conocimiento de los semiconductores. El trmino "transistor" fue sugerido por el ingeniero
estadounidense John R. Pierce, basndose en dispositivos semiconductores ya conocidos
entonces, como el termistor y el varistor y basndose en la propiedad de transrresistencia que
mostraba el dispositivo. 10 Segn una biografa de John Bardeen, Shockley haba propuesto
que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell deba estar basado en el
efecto de campo y que l fuera nombrado como el inventor. Habiendo redescubierto las
patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido aos atrs, los abogados de los Laboratorios
Bell desaconsejaron la propuesta de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de
campo no era nueva. En su lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1947 fue
el primer transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el da 17 de junio de 1948,
aplicaciones de este dispositivo.

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a la cual siguieron otras patentes acerca de

En reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y

Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Fsica de 1956 "por sus
investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".

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En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los fsicos alemanes
Herbert Matar y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et
Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Matar tena
experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras
trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar alemn durante la Segunda Guerra Mundial.
Usando este conocimiento, l comenz a investigar el fenmeno de la "interferencia" que
haba observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948,
Matar produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio
producidas por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain haban logrado anteriormente en
diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los cientficos de Laboratorios Bell ya haban
inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresur a poner en produccin su
dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telefnica de Francia.

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El da 26 de

junio de 1948, Wiliam Shockley solicit la patente del transistor bipolar de unin

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y el 24 de

agosto de 1951 solicit la primera patente de un transistor de efecto de campo 18 , tal como se
declar en ese documento, en el que se mencion la estructura que ahora posee. Al ao
siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron xito al
fabricar este dispositivo, 19 cuya nueva patente fue solicitada el da 31 de octubre de 1952

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Meses antes, el 9 de mayo de ese ao, el ingeniero Sidney Darlington solicit la patente del
arreglo de dos transistores conocido actualmente como transistor Darlington. 21

El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie de germanio

desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de Philco Corporation en
1953, 22 capaz de operar con seales de hasta 60 MHz. 23 Para fabricarlo, se us un
procedimiento creado por los ya mencionados inventores mediante el cual eran grabadas
depresiones en una base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de sulfato
de indio hasta que tuviera unas diez milsimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones form el colector y el emisor. 24 El primer receptor de radio
para automviles que fue producido en 1955 por Chrysler y Philco, us estos transistores en
sus circuitos y tambin fueron los primeros adecuados para las computadoras de alta
velocidad de esa poca. 25 26
El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell en enero 1954
por el qumico Morris Tanenbaum. 27 El da 20 de junio de 1955, Tanenbaum y Calvin Fuller,
solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos para producir dispositivos
semiconductores. 28 El primer transistor de silicio comercial fue producido por Texas
Instruments en 1954 gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien haba trabajado
previamente en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta pureza.

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El primer

transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio

Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.

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Funcionamiento[editar]
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
(contaminadas con materiales especficos en cantidades especficas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera,
que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A
diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se
obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo, 32 a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin amplificada de la
que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la corriente que circula a travs de
s mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la
carga por el colector, segn el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor. Otros parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia
Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los
distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector Emisor, tensin Base

Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) bsicos para
utilizacin analgica de los transistores son emisor comn, colector comn y base comn.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET,
JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de basepara
modular la corriente de emisor o colector, sino la tensin presente en el terminal de puerta y
grada la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la
conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensin aplicada
entre Compuerta y Fuente, es el campo elctrico presente en el canal el responsable de
impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) ser funcin amplificada de la tensin presente entre la
compuerta y la fuente, de manera anloga al funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integracin a gran escala
disponible hoy en da; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de
miles de transistores interconectados, por centmetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

Tipos de transistor[editar]

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual[editar]

Llamado tambin "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz de obtener
ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinacincobre-xido de
cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y
el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector,
de ah el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su
da. Es difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi con el transistor de unin debido a su mayor ancho
de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unin bipolar[editar]

Artculo principal: Transistor de unin bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction transistor) se
fabrica sobre un monocristal de materialsemiconductor como el germanio, el silicio o
el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor elctrico y
las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres
zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando el
sustrato con tomos de elementosdonantes de electrones, como el arsnico o el fsforo;
mientras que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o huecos) se
logran contaminando con tomos aceptadores de electrones, como el indio, el aluminio o
el galio.
La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra
intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las otras dos al emisor y al colector
que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin
entre ellas (por lo general, el emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas
contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin
gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico de la unin.