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eficacia de dicho proceso, podemos probarlo sin grandes riesgos financieros, ya que el monR1
C5
taje necesario es sencillo y poco
100
4
8
costoso.
25V
R
low ESR
7
El esquema utilizado es pareR2
DIS
T1
IC1
R3
cido al que se encuentra habitu3
OUT
330
D1
555
almente en Internet al otro lado
2
TR
C4
6 THR
del Atlntico, donde este proceso
IRF9540
15V
47n
CV
de desulfatacin parece estar
0W4
5
1
L1
bastante extendido, principal220H
C3
C2
mente en los Estados Unidos. Se
3A5
parece un poco a los dispositivos
2n2
100n
D2
L2
de una fuente de alimentacin
1mH
R4
1A
BYW29-100
conmutada del tipo elevador, es
220
decir, que eleva la tensin. En
081175 - 11
efecto, el circuito integrado IC1
est montado como un oscilador
tor del sulfato de plomo, la resistencia interna aestable, a una frecuencia del orden de los
de la batera aumenta, lo que disminuye su kHz, y genera impulsos de muy bajo ciclo
corriente de carga y, por lo tanto, la eficacia de trabajo en su salida.
de la reaccin qumica de carga, lo que deja Cuando el transistor T1 est bloqueado
an ms sulfato de plomo presente en los por el nivel de estos impulsos, permite que
electrodos y as cada vez ms. Por suerte, exi- el condensador C5 se cargue al valor de
ste un proceso qumico que permite eliminar la tensin de la batera, por medio de la
el sulfato de plomo de una batera antes de bobina L2. Cuando dicho transistor pasa
que sea demasiado tarde, aunque es bastante de nuevo a conducir, hecho que tan slo se
difcil de llevar a cabo y hace uso de unos pro- produce durante un lapso de tiempo muy
ductos muy corrosivos y, por lo tanto, peligro- breve, si tenemos en cuenta la relacin
sos de manipular. Adems, un gran nmero cclica de los impulsos, el condensador C5
de las bateras vendidas hoy da estn sel- puede descargarse bruscamente a travs
ladas y es imposible acceder a su electrolito del transistor T1 y de la bobina L1. Cuando
T1 se bloquea de nuevo, la corriente produsin deteriorarlas.
El montaje que os proponemos permite cida por esta descarga no se puede anular
realizar una desulfatacin electrnica de instantneamente como motivo de la prenuestra batera que ser, tanto ms eficaz sencia de la bobina L1. As pues, la corcuanto ms temprano comenzamos a rea- riente est obligada a atravesar la batera
lizarla. Se basa en estudios realizados en por medio del diodo D2.
los Estados Unidos que muestran que, cui- Con un condensador C5 de buena calidando de aplicar a la batera impulsos bre- dad y una conexin corta realizada con un
ves y de fuerte amplitud, los cristales de sul- hilo de buen dimetro entre el montaje y la
fato de plomo son poco a poco rotos por la batera, esta ltima podra ser atravesada
agitacin inica resultante que se produce por un pico de corriente de entre 5 y 10
a nivel de los electrodos de esta ltima. A. A pesar de todo esto, el consumo del
Incluso si somos escpticos en cuanto a la montaje permanece relativamente bajo,
del orden de los 40 mA, debido a la
baja relacin cclica (ciclo de trabajo) de
las seales producidas.
El montaje no presenta prcticamente
ninguna dificultad, sobre todo si utilizamos el diseo del circuito impreso
propuesto [1] aunque, para un funcionamiento ptimo, la eleccin de los
componentes merece toda nuestra
atencin.
Las bobinas utilizadas no deben ser
modificadas. Se pueden conseguir
fcilmente, por ejemplo, en la casa
Radiospares, con las referencias 228422 (L1) y 334-9207 (L2). El diodo D2,
22k
470k
+12V
59
60
Lista de materiales
Resistencias
R1 = 470 k
R2 = 22 k
R3 = 330
R4 = 220
Condensadores
C1 = 100 F / 25V
C2 = 100 nF
C3 = 2,2 nF
C4 = 47 nF
C5 = 100 F / 25V, baja ESR
Semiconductores
Varios
L1 = 220 F / 3,5 A
L1 = 1 mF / 1 A
Enlaces
[1] www.elektor.es/081175
Descargas y Productos
PCB
081175-1 Diseo de la placa de circuito impreso disponible en www.elektor.es/081175