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Apuntes de fsica II
Captulo 6.
CONDENSADORES Y DIELECTRICOS
6.1 INTRODUCCION.
Un caso especial importante se presenta en la prctica cuando dos conductores prximos reciben cargas del
mismo valor y signos opuestos. Este dispositivo de dos conductores se denomina condensador.
En la figura 6.1 se muestra el caso ms general de un condensador formado por dos conductores cercanos,
a los cuales se les llama placas. Las cargas iguales y opuestas se obtienen conectando las placas
momentneamente a los polos opuestos de una batera.
Figura 6.1
La capacitancia C de cualquier condensador como el de la figura 6.1 se define como
C=
q
V
6.1
en la cual V es la diferencia de potencial entre las placas y q es la magnitud de la carga en cualquiera de las
placas; q no debe considerarse como la carga neta del condensador, la cual es cero. La capacitancia de un
condensador depende de la forma geomtrica de cada placa, de la relacin espacial entre ellas, y del medio
en el cual estn sumergidas. De momento, se considera a este medio como el vaco.
La unidad de capacitancia se define de la ecuacin 6.1 que es el coulombio/voltio que en el sistema SI es el
faradio, en honor a Michael Faraday:
El faradio es una unidad de capacitancia muy grande, en la prctica son unidades ms convenientes los
submltiplos del faradio, el microfaradio ( 1F
( 1F
= 10 6 F
) y el micromicrofaradio o picofaradio
= 10 12 F = 1 pF ).
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La figura 6.2 muestra un condensador formado por dos placas planas paralelas de rea A, separadas por una distancia
pequea d comparada con las dimensiones lineales de las placas. Prcticamente, todo el campo de este condensador est
localizado en el espacio comprendido entre las placas, como se representa en la figura. El campo elctrico E a medida
que d es mucho menor que las dimensiones de las placas es uniforme, lo que quiere decir que las lneas de fuerza son
paralelas y estn uniformemente espaciadas. Para el efecto de los clculos las deformaciones de las lneas en los bordes
se pueden pasar por alto.
Figura 6.2
Para el clculo de la capacitancia se supone que el condensador ha sido conectado a los bornes de una batera, de tal
manera que, hay una carga +q en una placa y una carga q en la otra.
En el siguiente paso se calcula el campo elctrico E entre las placas usando la ley de Gauss. La figura 6.2 muestra con
lneas interrumpidas una superficie gaussiana con el tamao y forma de las placas del condensador. El flujo neto es
E.ndA = EA =
E=
entonces,
q
0 A
Que es el campo debido a la cara de la superficie gaussiana que est entre las placas; en esa regin
v
E
es constante.
En las otras superficies el flujo de E es cero, pues una de ellas est dentro del conductor y el campo elctrico E dentro
de un conductor con carga esttica es cero. En las otras cuatro superficies es cero porque, si no se tienen en cuenta las
irregularidades de las lneas de fuerza en los bordes, el campo E es normal a las superficies.
En el siguiente paso se calcula el trabajo por unidad de carga para llevar una carga de prueba de una placa a la otra, o sea,
v v
V = E dl ,
siendo V la diferencia de potencial entre las placas. La integral se realiza entre la placa inferior y la superior donde
v v
E dl = Edl
V = Edl = Ed =
i
q
d
0A
C=
La ecuacin 6.2 sugiere unidades para la constante de permitividad
q 0 A
=
V
d
6.2
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A=
Cd
(1F )(1.0 10 3 m)
= 1.1 10 8 m 2
=
12
1
8.85 10 Fm
Esto corresponde a un cuadrado de aproximadamente 10km de lado. Por eso el faradio es una unidad muy grande. La
tecnologa actual hace posible construir supercondensadores de 1F de pocos centmetros de lado, que se usan como
fuentes de voltaje para computadoras; como soporte para mantener la memoria de los computadores cuando hay una falla
de energa bastante prolongada (Aproximadamente 30 das).
Ejemplo 2. Un condensador cilndrico est formado por un cilindro y un cascaron cilndrico coaxial de radios a y b
respectivamente y longitud l como se muestra en la figura 6.3. Cul es la capacitancia de este aparato?.
Con
l a y b
de modo que se puedan pasar por alto las irregularidades de las lneas de fuerza en los extremos del
condensador.
Como superficie gaussiana se construye un cilindro coaxial de radio r y longitud l, cerrado por tapas paralelas planas como
en la figura 6.3 b).
Figura 6.3
Aplicando la ley de Gauss se tiene
0 E n dA = q
0 E (2 rl ) = q
Que es el flujo neto a travs de la superficie gaussiana. El flujo est totalmente a travs de la superficie cilndrica y no a
travs de las tapas extremas. Despejando a E se obtiene:
E=
q
2 0 rl
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v
b v
b
b
V = E dl = Edr =
a
dr
q
b
=
ln
2 0 l r
2 0 l a
C=
2 0 l
q
=
V ln(b a)
Figura 6.4
Todas las placas superiores estn conectadas entre s y a la terminal a, mientras que todas las placas inferiores estn
conectadas entre si y con la terminal b. La capacitancia equivalente de un conjunto de condensadores conectados entre s
es la capacidad de un nico condensador que cuando sustituye al conjunto produce el mismo efecto exterior.
Aplicando la relacin q=CV a cada condensador se obtiene:
q1 = C1V ;
q 2 = C 2V ;
q3 = C 3V
q = q1 + q 2 + q3 = (C1 + C 2 + C 3 )V .
La capacitancia equivalente C es:
C eq = C1 + C 2 + C 3
6.3
Este resultado puede generalizarse fcilmente a un nmero cualquiera de condensadores conectados en paralelo as:
n
C eq = C i
6.4
i =1
b) Condensadores en serie.
La figura 6.5 muestra tres condensadores conectados en serie. Para condensadores como se muestra, la magnitud de la
carga q en cada placa debe ser la misma. As debe ser porque la carga neta en la parte del circuito encerrada por la lnea
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interrumpida en la figura 6.5 a) debe ser cero; esto es, la carga existente en estas placas inicialmente es cero, y el conectar
una batera entre a y b slo da lugar a una separacin de cargas, la carga en estas placas sigue siendo cero.
Figura 6.5
La diferencia de potencial entre los extremos de un cierto nmero de condensadores conectados en serie es la suma de las
diferencias de potencial entre los extremos de cada condensador individual.
Aplicando la ecuacin
V =q C
V1 =
q
;
C1
V2 =
q
;
C2
V3 =
q
C3
1
1
1
.
+
V = V1 + V2 + V3 = q +
C
C
C
2
3
1
La capacitancia equivalente es:
C=
q
1
=
1
1
1
V
+
+
C1 C 2 C3
1
1
1
1
=
+
+
C eq C1 C 2 C3
6.5
La capacitancia equivalente en serie es siempre menor que la ms pequea de las capacitancias de la conexin.
Este resultado puede generalizarse fcilmente a un nmero cualquiera de condensadores conectados en serie as:
n
1
1
=
C eq i =1 Ci
6.6
Ejemplo 3. En el circuito mostrado en la figura 6.6 los puntos a y b estn a una diferencia de potencial de 100voltios y
conformado por los condensadores
C1 = 15F , C 2 = 3F , C3 = 6F y C 4 = 8F .
a) Hallar la capacitancia
equivalente entre los puntos a y b. b) La carga y la diferencia de potencial a travs de cada condensador.
Figura 6.6
a) Para simplificar el circuito y hallar la capacitancia equivalente se utilizan las ecuaciones 6.4 y 6.5 en la siguiente
secuencia a saber.
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1
1
1
;
=
+
C 23 C 2 C 3
C 2 C3
(3F )(6F )
C 23 =
=
= 2F
C 2 + C3
3F + 6F
C 234 = C 4 + C 23 = 8F + 2F = 10F
1
C1234
C1234 =
1
1
+
;
C1 C 234
C1C 234
(15F )(10F )
=
= 6F
C1 + C 234 15F + 10F
b) Para hacer la parte restante, se usa el hecho de que, si se conocen dos cualesquiera de los tres parmetros q, V y C, el
tercero se puede hallar de la ecuacin 6.1.
En
3),
carga
es
en serie y
V2 = q 23 C 2 = 120C 3F = 40V
C3 = 120C 6F = 20V .
de potencial es
V3 = q 23
Nota:
1.
2.
Para determinar la capacitancia equivalente, el circuito se simplifica subsecuentemente desde la figura original
hasta 3). Para evitar errores, se dibuja un nuevo diagrama despus de cada paso.
En la segunda parte de este problema se comienza con el equivalente 3) y se trabaja hacia atrs hasta la figura
original 6.6. En cada uno de estos pasos se usa ya sea la ecuacin 6.4 o la 6.5. Por ejemplo, en 2) los dos
condensadores estn en serie y por ello deben tener la misma carga que el condensador equivalente.
Ejemplo 4. Un condensador tiene placas cuadradas, cada una de lado a, y formando un ngulo entre s, como se ve en
la figura 6.7. Encontrar la capacitancia de ese condensador para valores pequeos de .
Figura 6.7
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dC =
0 adx
h
Expresando a h en funcin de x y de como h=d+xtg. Los condensadores elementales estn en paralelo, por lo tanto la
capacitancia total es la superposicin de todas las capacitancias elementales.
Entonces:
C=
a cos
Haciendo
u = d + xtg ;
du = tgdx
C=
0a
dx
d + xtg
0 a d + asen du 0 a
[ln(d + asen ) ln d ]
=
tg d
u
tg
C=
Si es pequeo,
tg sen = .
0 a asen
ln1 +
tg
d
De donde
C=
0 a a
ln1 +
ln(1 + x) = x
x2 x3 x4
+
2
3
4
C=
0 a a a 2 2 0 a 2 a
=
d 2d
2 d 2
d
Ntese que el caso limite se obtiene cuando =0, que da un condensador plano de superficie A=a y espesor d como la
ecuacin 6.2.
2
6.4 DIELECTRICOS.
Hasta ahora, no se ha considerado problemas en los que intervienen medios dielctricos y se han tratado casos en los
cuales el campo elctrico es producido exclusivamente por una distribucin especfica de cargas o por cargas libres sobre la
superficie de los conductores. En esta seccin se mejora esta situacin considerando el caso ms general.
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Un material dielctrico ideal es aquel que no tiene cargas libres. Sin embargo, todos los medios materiales se componen
de molculas, estas a su vez se componen de entes cargados (ncleos atmicos y electrones), y las molculas de los
dielctricos son, de hecho, afectadas por la presencia de un campo elctrico. El campo elctrico produce una fuerza que se
ejerce sobre cada partcula cargada, empujando las cargas positivas en la direccin del campo, y las negativas en sentido
contrario, de modo que las partes positivas y negativas de cada molcula se desplazan de sus posiciones de equilibrio en
sentidos opuestos. Sin embargo, estos desplazamientos del orden de un dimetro molecular estn limitados por intensas
fuerzas restauradoras que se forman por el cambio de la configuracin de las cargas de la molcula. El termino carga
ligada, en contraste con la carga libre de un conductor, se usa a veces para poner nfasis en el hecho de que tales cargas
moleculares no estn libres para moverse muy lejos o ser extradas del material dielctrico. El efecto total, desde el punto
de vista microscpico, se visualiza ms fcil como un desplazamiento de toda la carga positiva en el dielctrico en relacin
con la carga negativa. Se dice entonces que el dielctrico est polarizado.
Un dielctrico polarizado, aun cuando sea elctricamente neutro en promedio, produce indudablemente un campo elctrico
en los puntos exteriores e interiores al dielctrico. Como resultado, existe una situacin algo embarazosa: la polarizacin del
dielctrico depende del campo elctrico total del medio, pero una parte del campo elctrico es producida por el dielctrico
mismo. Adems, el campo elctrico distante del dielctrico puede modificar la distribucin de carga libre sobre los cuerpos
de los conductores y estos, a su vez, producir modificaciones del campo elctrico en el dielctrico.
Cuando se coloca un conductor en un campo elctrico externo, los electrones libres dentro del mismo experimentan
desplazamientos, como consecuencia de las fuerzas ejercidas sobre ellos por el campo. Se ha visto en captulos anteriores
que, en el estado de equilibrio final, el conductor tiene una carga inducida sobre su superficie, distribuida de tal modo que el
campo creado por ella neutraliza el campo inicial en todos los puntos interiores, y se reduce a cero el campo elctrico neto
dentro del conductor.
Ahora se trata de entender, en trminos atmicos, lo que ocurre cuando se coloca un dielctrico en un campo elctrico.
Las molculas de un dielctrico se clasifican en polares y no polares. En una molcula no polar los centros de gravedad
de los ncleos positivos y de los electrones coinciden normalmente, mientras que en una molcula polar no coinciden. Las
molculas simtricas, H2, N2 y 02, son no polares. Por el contrario, en las molculas, N20 y H20, ambos tomos de nitrgeno
o de hidrogeno se encuentran a un mismo lado del tomo de oxigeno; tales molculas son polares.
Bajo la influencia de un campo elctrico, las cargas de una molcula no polar llegan a desplazarse, como se muestra en la
figura 6.8 b).
Figura 6.8
En este caso las molculas se han polarizado por el campo y los dipolos que resultan se les denominan dipolos inducidos.
Cuando una molcula no polar se polariza, sobre las cargas desplazadas entran en juego fuerzas recuperadoras, que
tienden a juntarlas como si estuvieran unidas por un resorte. Bajo la influencia de un campo exterior dado, las cargas se
separan hasta que la fuerza recuperadora es igual y opuesta a la ejercida por el campo sobre ellas. Naturalmente, las
fuerzas recuperadoras varan en magnitud de un tipo a otro de molcula, con las consiguientes diferencias de
desplazamiento para un campo dado.
Si un dielctrico se compone de molculas polares o dipolos permanentes, estos estn orientados al azar cuando no existe
campo elctrico, tal como se indica en la figura 6.9 a).
Figura 6.9
v
Bajo la accin de un campo elctrico E , se produce cierto grado de orientacin y, cuanto ms intenso es el campo, tanto
mayor es el nmero de dipolos que se orientan en la direccin del mismo, como se representa en la figura 6.9 b).
Sean o no polares las molculas de un dielctrico, el efecto neto de un campo exterior es en definitiva el mismo que el
representado en la figura 6.10.
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Figura 6.10
Dentro de las dos capas superficiales extremadamente delgadas, indicadas por las lneas de trazos, hay un exceso de
carga, negativa en una y positiva en la otra. Estas capas de carga son las que dan origen a la carga inducida sobre las
superficies de un dielctrico. Las cargas no son libres, sino que cada una est ligada a una molcula situada en la
superficie, o prxima a ella. Dentro del resto del dielctrico, la carga neta por unidad de volumen sigue siendo nula. El
material como un todo se convierte en un gran dipolo elctrico que tiende a moverse en la direccin en que aumenta el
campo elctrico.
6.5 POLARIZACION.
v
La polarizacin P de un material es una cantidad vectorial definida como el momento dipolar elctrico del
v
material por unidad de volumen. Por lo tanto, si p es el momento dipolar inducido en cada tomo o
molcula y n el nmero de tomos o molculas por unidad de volumen, la polarizacin es
v
En general la polarizacin P
v
v
P = np
6.7
v
P
dielctrico; en otros casos, puede variar de un punto a otro, y entonces las magnitudes n y
v
p se refieren a
un volumen muy pequeo que incluye el punto. La polarizacin P , como un momento dipolar elctrico por
unidad de volumen, se mide en (Cm)m-3 o Cm-2, que corresponde a una carga por unidad de rea.
Se defini en un capitulo anterior que el momento dipolar de un dipolo era el producto de cualquiera de las
cargas que forman el dipolo por la distancia que las separa. El bloque polarizado de la figura 6.10 se
considera como un gran dipolo nico, formado por las cargas inducidas
qp = p A,
separadas por el
p = q p L = p AL , y, dado
v
volumen es AL, el momento dipolar por unidad de volumen, o polarizacin P , vale en magnitud
espesor L del bloque.
P=
p AL
p AL
=
=p
Volumen
AL
que su
6.7
La densidad superficial de carga ligada es igual a la polarizacin. Aunque este resultado se ha obtenido para
una configuracin geomtrica particular, su validez es general y para otra configuracin la densidad de carga
de polarizacin est dada por
p = P n = P cos
6.8
v
P = ( ax 2 + b)u x
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Figura 6.11
Para la solucin de este problema se usa la ecuacin 6.8.
Como primer paso se calcula el vector polarizacin en cada una de las caras de la varilla, a saber:
v
P1 = bu x
v
P2 = ( aL2 + b)
P = P1 n1 = P1u x n1 = P1 = b
1
q P1 = P1 A = Ab
La densidad de superficial de carga en la superficie 2 es:
P = P2 n 2 = P2 u x n 2 = P2 = aL2 + b
2
q P2 = A(aL2 + b)
6.6 SUCEPTIBILIDAD Y PERMITIVIDAD ELECTRICAS.
v
La polarizacion P de un dielctrico istropo homogneo tiene direccin y sentido iguales que el campo elctrico
v
v
resultante E , y depende de E y de la naturaleza del dielctrico. Se define una propiedad del dielctrico en la teora de
respuesta lineal, denominada susceptibilidad elctrica del material
e , por la ecuacin
v
v
P = 0eE
0E
6.9
-2
es una cantidad positiva. La susceptibilidad elctrica del vaco es nula, ya que solo puede resultar
polarizado un material dielctrico. La susceptibilidad elctrica, que describe la respuesta de un medio a la accin de un
campo elctrico, est relacionada con las propiedades de los tomos y molculas del medio. Por esta razn, la
susceptibilidad elctrica es diferente para campos elctricos estticos y oscilantes. La susceptibilidad elctrica inducida
debida a la distorsin del movimiento electrnico en tomos o molculas es esencialmente independiente de la temperatura,
puesto que se trata de un efecto relacionado con la estructura electrnica de los tomos o de las molculas y no con el
movimiento trmico.
Para un bloque plano como el de la figura 6.10 colocado en un campo elctrico externo normal a sus caras, la densidad
superficial de carga ligada es igual a la polarizacion; de modo que en este caso
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p = 0 e E.
Si ese bloque dielctrico se coloca entre las placas de un condensador plano paralelo de rea A y separacin d como el de
la figura 6.11 el cual inicialmente estaba vaco y con una densidad de carga superficial llamada libre. La densidad de carga
E L = L 0 cuando no
hay dielctrico en l, la carga ligada produce un campo elctrico en sentido contrario el cual es E P = P 0 cuando el
Figura 6.11
El campo resultante
v v
v
E = E L + E P . Dado que estos campos tienen sentidos opuestos como en la figura 6.11, el campo
resultante E es:
E = EL EP = EL
E
P
= EL e 0 = EL e E
0
0
y, por tanto,
E=
EL
E
= L = L
1+ e
0
6.10
6.11
Donde el coeficiente
= 1+ e =
Es la permitividad relativa y es un nmero sin unidades. A la permitividad relativa tambin se le llama la constante
dielctrica.
e , y
fundamental de un dielctrico; esto es, el grado en el cual queda polarizado cuando se encuentra en un campo elctrico.
Cualquiera de ellas puede expresarse en funcin de
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Figura 6.12
a) En la figura 6.12 el campo elctrico en la superficie es el campo neto dado por la ecuacin 6.10, debido a la carga
puntual q y al campo de polarizacion. Este campo es:
v
E=
q
u R
4 0 R 2
1
v
v q
q
P = 0 e E = 0 e 2 u R = e 2 u R
4 0 R
4 R
Con
= 1+ e = 6.
v
5 q
u R .
P=
24 R 2
b) La carga de polarizacion inducida en la superficie es:
v
5 q
u R n r dA
q P = P dA = P n r dA =
s
s
s 24 R
qP =
5 q
5 q
( 4R 2 )
dA =
2 s
2
24 R
24 R
qP =
5
q
6
E0 E L = L 0
; y la diferencia de potencial,
V0 = E 0 d
Cuando hay dielctrico en las placas, el campo elctrico es
E = E 0 , y la diferencia de potencial,
V = Ed =
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E0
d=
V0
6.12
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Como
C0 =
qL
V0
C=
qL
q
q
= L = L
V V0 V0
C = C 0
6.13
Es decir, la capacitancia aumenta en el factor cuando el dielctrico llena por completo la regin entre las
placas.
Para un condensador de placas paralelas, donde
C0 = 0 A d
C =
0 A
d
6.14
La ecuacin 6.2 es un caso especial de esta relacin que se obtiene al poner = 1 , y que corresponde al
caso de vaco entre las placas. As pues, la capacitancia de cualquier condensador se puede escribir como:
C = 0 G = G
6.15
Expresin en la cual G es un factor geomtrico y tiene las dimensiones de longitud. Para un condensador de
placas paralelas G es A/d; para un condensador cilndrico (Ejemplo 2) G es
2L ln(a b) .
Se puede resumir la funcin de un dielctrico entre las placas de un condensador en tres partes a saber:
1. Resuelve el problema mecnico de mantener dos grandes placas metlicas a distancia muy pequea sin
contacto real alguno.
2. Puesto que su rigidez dielctrica es mayor que la del aire, aumenta la diferencia mxima de potencial que
el condensador es capaz de resistir sin romperse.
3. La capacidad de un condensador de dimensiones dadas es varias veces mayor con un dielctrico que
separe sus placas que si estuviera en el vaco.
Ejemplo 7. El espacio entre las placas de un condensador de placas planas paralelas de rea est lleno con
dos bloques dielctricos, uno con constante 1 y espesor d1 y el otro con 2 y espesor d2 como la figura 6.13.
La separacin entre las placas es d.
Figura 6.13
En este ejemplo es importante hacer notar que hay solamente un condensador dentro del cual hay dos
medios dielctricos que no se mezclan. NO HAY DOS CONDENSADORES EN SERIE.
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Para calcular la capacitancia equivalente de este condensador se calcula primero el campo elctrico en
cada medio usando la ley de Gauss, despus la diferencia de potencial entre las placas y por ltimo se aplica
la ecuacin 6.1.
En la figura adjunta que aparece abajo a la derecha se han dibujado dos superficies gaussianas cilndricas
con tapas de rea S que abarcan el dielctrico 1 y el dielctrico 2 respectivamente. La separacin d entre
las placas es muy pequea comparada con A de modo que se pueden pasar por alto las irregularidades de
las lneas de fuerza en los extremos al calcular la capacitancia.
El flujo en la superficie que est dentro del conductor para cada superficie gaussiana es cero, porque el
campo elctrico dentro de un conductor que tiene carga esttica es cero. El flujo a travs de las paredes de
los cilindros es cero porque las lneas de fuerza dentro del condensador son paralelas.
As pues, solo quedan los flujos en cada cara
que est en los dielctricos. Estos son:
0 1 E1 S = L S y 0 2 E 2 S = L S
Entonces,
E1 =
y E2 = L
0 1
0 2
v
v d1 + d 2 v
v
2 v
d2 v
V = E dl = E 2 dl
E1 dl
1
Donde
v v
E1 y E 2
d2
v
dl , o sea,
d2
d1 + d 2
d2
V = E 2 dl +
V=
L
0
E1 dl = E 2 d 2 + E1 d1
d1 d 2
+
1 2
C=
LA
qL
=
V
L d1 d 2
+
0 1 2
0 A 1 2
d1 2 + d 2 1
C=
Si
2 0 A 1 2 2 0 A
=
d ( 1 + 2 )
d
Ejemplo 8. Un voltmetro electroesttico est formado por dos semicilindros coaxiales rgidamente unidos
que pueden girar alrededor de su eje, situado ste en la superficie de un lquido de constante dielctrica
como se muestra en la figura 6.14. Los radios son a y b y la longitud de los cilindros es L. Hallar la
capacitancia de este sistema.
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Figura 6.14
Usando el resultado del ejemplo 2 para un condensador cilndrico se calculan los factores geomtricos de
cada condensador y despus, para hallar la capacitancia de cada uno de ellos se utiliza la ecuacin 6.14.
Los factores geomtricos son:
G1 =
ln(b a )
G2 =
( ) L
ln (b a )
C1 = 0 G1 =
C 2 = 0G2 =
0 L
ln(b a )
0 ( ) L
ln(b a)
( ) L
ln(b a)
C = C1 + C 2 =
0L
ln(b a)
( + ( )) = 0 L ( (1 ) + )
ln(b a )
6.8 DESPLAZAMIENTO
v ELECTRICO.
Se define el desplazamiento D en cualquier punto
v
v
vector polarizacin P y del producto 0 E como:
v v
v
D = P + 0E
Pero
6.16
v
v
v
v
v
P = 0 e E = 0 ( 1) E = ( 0 0 ) E = ( 0 ) E , de modo que en el dielctrico
v
v
D = E
En el vaco
v
P = 0,
6.17
v
v
D = 0E
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Figura 6.15
La integral de superficie de E para la superficie gaussiana de la figura 6.15, formada por un cilindro una de
cuyas bases se encuentra en la placa metlica, y la otra, en el dielctrico. Dentro de la placa metlica
v
E = 0.
v
v
1
n
dA
=
E
ndA = (q L q P )
La integral de superficie de
v
E
6.18
neta interior a la superficie, incluyendo tanto las cargas libres como las de polarizacin.
De la ecuacin 6.18 se obtiene el campo elctrico dentro del dielctrico, que es:
E=
L qL
1
=
=
(q L q P )
A 0 A
1
q P = 1 q L =
q L
6.19
Esta expresin muestra que la carga superficial inducida qP es siempre menor en magnitud que la carga libre
qL
E ndA =
S
v
v
0 E ndA = E ndA =q L
S
6.20
Esta relacin es importante, aunque se ha derivado para un condensador de placas paralelas, es aplicable en
todos los casos.
Si en la ecuacin 6.20 se reemplaza la ecuacin 6.17 se obtiene:
v
D
ndA =q L
6.21
Que es la ley de Gauss para el vector desplazamiento elctrico y es aplicable cuando hay dielctricos.
Desarrollando la ecuacin 6.21 para la gaussiana de la figura 6.15, se tiene que:
D =L
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En forma general la ecuacin 6.16 y 6.21 son de validez general y puede extenderse a conductores de
cualquier forma.
En general para cualquier conductor, la densidad de carga se puede escribir como:
L = D n = D cos
6.22
Donde es el ngulo formado por el vector normal a la superficie y el vector desplazamiento elctrico.
Ejemplo 9. Una esfera conductora de radio R, que tiene una carga qL, se introduce en un dielctrico lquido
de constante dielctrica como se muestra en la figura 6.16. Cul es la fuerza que ejerce sobre una carga
puntual q situada en el lquido a una distancia r del centro de la esfera?.
Figura 6.16
Se construye una superficie gaussiana de radio r, como en la figura. De la ecuacin 6.21 y condiciones de
simetra se tiene:
D ndA = DA = D(4 r
D=
Pero
(1 4 0 )(q L
r2
1 qL
4 r 2
E=
) =q L
=
qL
4 0 r 2
1
) es la intensidad del campo elctrico E que produce en el vaco las cargas libres de
0
la esfera; o sea,
E=
E0
F = qE =
qE0 =
1 1 qq L
,
4 0 r 2
de modo que el efecto del dielctrico es reducir la carga neta por el factor
v
D
1.
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ambas placas descargadas, y que despus se saca repetidamente pequeas cargas positivas de una de ellas
y se pasa a la otra. En un tiempo t ha pasado una carga q(t) de una placa a la otra. La diferencia de
potencial V(t) entre las placas es q(t)/C. Para incrementar la carga en una cantidad dq, la cantidad de
trabajo necesaria para llevarla requiere un trabajo adicional dado por:
q
dW = Vdq = dq
C
Si se contina el proceso hasta cargar completamente el condensador con una carga q, el trabajo requerido
para ello es:
W =
q
1 q2
dq =
C
2 C
6.23
Que queda como energa almacenada U en el condensador y es devuelta, de ordinario, en forma de chispa,
cuando el condensador se descarga.
Un condensador cargado es el equivalente elctrico de un resorte estirado, cuya energa potencial elstica es
igual (1/2)Kx2. La carga q es anloga a la elongacin x, y 1/C, a la constante elstica K.
Tambin, se puede escribir la energa almacenada en el condensador cuando se reemplaza q=CV en la
ecuacin 6.23 as:
U=
1
CV 2
2
6.24
U0 =
1
C 0V02
2
6.25
C = C o
V=
V0
y, por consiguiente,
2
1
1
1 1
V
1
U = CV 2 = C 0 0 = C 0V02 = C 0
2
2
2
6.26
W = U0 U =
1
1
1
C 0V02 1 = U 0 1
2
6.27
Si el dielctrico se introduce sin ningn esfuerzo y si no hay prdidas por friccin, el dielctrico oscila de un
lado al otro entre las placas del condensador.
Ejemplo 10. Un condensador de placas planas paralelas con un rea A=L2 y una separacin d. Una batera
carga las placas comunicndoles una diferencia de potencial V0. Entonces se desconecta la batera, y se
introduce un bloque dielctrico de espesor d y constante dielctrica como se muestra en la figura 6.17.
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Hallar, como funcin de x, a) la capacitancia equivalente del sistema, b) la energa del sistema, c) la fuerza
ejercida sobre el bloque y d) la fuerza promedio necesaria para introducir todo el bloque dielctrico.
Figura 6.17
a) Para la situacin de la figura 6.17 hay dos condensadores en paralelos con una capacidad equivalente
dada por:
C ( x) = C L x + C x =
C ( x) =
0
d
(L( L x) + Lx ) = 0 L
0A L x
d L
L x x
+
d L
L
2
L x x
+
= C0
L
L
L
( 1) x
C ( x ) = C 0 1 +
U ( x) =
C
1 q2
1 C0 q 2
=
= U0 0
2 C ( x) 2 C o C ( x)
C ( x)
( 1) x
U ( x ) = U 0 1 +
c) En la figura 6.17 se muestra como se producen las fuerzas sobre la placa dielctrica en funcin de la
atraccin entre la carga libre de las placas y las cargas superficiales inducidas que aparecen en el
dielctrico cuando este se introduce en el condensador. Para que el dielctrico penetre sin aceleracin hay
que sostenerlo con una fuerza como se muestra en la figura. Esto significa que se tiene que hacer trabajo
negativo sobre el dielctrico, o, considerando a la inversa, que el sistema condensador + dielctrico tiene
que hacer trabajo positivo. Este trabajo para introducir el dielctrico una cantidad x en el condensador es el
dado por U(x). Por lo tanto la fuerza para cualquier posicin a lo largo de x es:
Fx =
1
1
dU ( x)
d (k 1)
d ( 1)
= U 0 1 +
x = U 0 1 +
dx
dx
L
dx
L
( 1) ( 1) x
Fx = U 0
1 +
L
L
U 0 ( 1) L
(L + ( 1) x )2
d) La fuerza promedio para introducir completamente el condensador entre las placas se puede hallar de dos
maneras, a saber:
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Apuntes de fsica II
W = F prom L = U 0 1
Entonces la fuerza promedio es:
Fprom =
W U0
=
L
L
1 U 0 ( 1)
1 =
L
F porm =
Haciendo
F prom , como:
L
1 L
1 L U 0 (k 1) L
( 1)
F
dx
dx
U
dx
=
=
0
x
2
0
0
0
L
L (L + ( 1) x )
( L + ( 1) x) 2
u = L + ( 1) x
du = ( 1) , se tiene que
F prom = U 0
L
du
1 1
= U 0 u 2 du = U 0
2
L
u
L L
F prom =
U0
L
1 U 0 ( 1)
1 =
L
C=
0A
d
A
d
V = Ed
La energa almacenada en este condensador esta dada por
U=
1
1 0A
1
( Ed ) 2 = 0E 2 ( Ad )
CV 2 =
2
2 d
2
U=
1 2
E ( Ad )
2
6.28
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u=
(1 2)E 2 ( Ad )
U
=
volumen
Ad
u=
1 2 1
E = 0E 2
2
2
6.29
Esta ecuacin, aunque se deriv para un condensador de placas paralelas se puede aplicar de forma general
u=
1 r v 1 v v 1 D2
E E = D E =
2
2
2
Ejemplo 11. Un condensador esfrico est conformado por una esfera concntrica a un cascaron esfrico de
radios a y b respectivamente como se muestra en la figura 6.18, con
b a
=1.
a) Hallar la energa
ar b
Figura 6.18
del centro de la esfera y para la superficie gaussiana mostrada por
E0 =
v
E0
es:
q
4 0 r 2
u=
k = 1 , o sea,
1
1
q2
0 E02 =
2
32 2 0 r 4
La energa dU que hay en un cascaron esfrico entre los radios r y r+dr es:
dU = (4 r 2 dr )u =
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q 2 dr
8 0 r 2
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U=
q2
8 0
dr
q2 1 1
=
a r 2 8 0 b a
b
U=
q2
8 0
ba
ab
b) La capacitancia de este condensador esfrico se halla igualando la ecuacin 6.23 con la energa
encontrada en el numeral anterior as:
U=
q2 b a
1 q2
=
2 C 8 0 ab
1
1 ba
=
C 4 0 ab
ba
C = 4 0
ab
c) U de la energa obtenida en a) se iguala a la energa entre a y R0 como:
1
q2
U=
2
16 0
q2
ba
=
ab 8 0
R0
dr
r2
1 b a R0 a
; R0 (b a ) = 2b( R0 a)
=
2 ab aR0
De donde se obtiene, despus de hacer algunas operaciones,
R0 =
Apuntes de fsica II
2ba
b+a
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