Tomografia Bioimpedancia

U NIVERSIDADE DE S O PAULO
FACULDADE DE F ILOSOFIA , C INCIAS E L ETRAS DE R IBEIRO P RETO

P ROGRAMA DE F SICA A PLICADA M EDICINA E B IOLOGIA
Mtodo dos Elementos de Contorno para

Tomografia de Impedncia Eltrica
Olavo Henrique Menin
Ribeiro Preto
2009
U NIVERSIDADE DE S O PAULO
FACULDADE DE F ILOSOFIA , C INCIAS E L ETRAS DE R IBEIRO P RETO
P ROGRAMA DE F SICA A PLICADA M EDICINA E B IOLOGIA
Mtodo dos Elementos de Contorno para

Olavo Henrique Menin
Dissertao submetida ao Programa de Ps-Graduao em Fsica Aplicada

Medicina e Biologia da Faculdade de Filosofia, Cincias e Letras de
Ribeiro Preto da Universidade de So Paulo como parte dos requisitos
para a obteno do ttulo de Mestre em Fsica Aplicada Medicina e
Biologia.
Orientador: Prof. Dr. Alexandre Souto Martinez
Ribeiro Preto, 2009.
AUTORIZO A REPRODUO TOTAL OU PARCIAL DESTE DOCUMENTO, POR

MEIO CONVENCIONAL OU ELETRNICO PARA FINS DE ESTUDO E PESQUISA, DESDE
QUE CITADA A FONTE.
Menin, Olavo H.
Mtodo dos Elementos de Contorno para Tomografia de Impedncia Eltrica / Olavo Henrique
Menin; orientador Prof. Dr. Alexandre Souto Martinez. Ribero Preto/SP, 2009.
71 p.
Dissertao (Mestrado Programa de Ps-Graduo em Fsica Aplicada Medicina e
Biologia) Faculdade de Filosofia, Cincias e Letras de Ribeiro Preto da Universidade de
So Paulo.
Imagem Mdica, Tomografia de Impedncia Eltrica,
torno, Problema Direto
Mtodo dos Elementos de Con-
Resumo
MENIN, OLAVO H.. Mtodo dos Elementos de Contorno para Tomografia de Impedncia
Eltrica. Dissertao (Mestrado) Faculdade de Filosofia, Cincias e Letras de Ribeiro Preto,
Universidade de So Paulo, Ribeiro Preto, 2009.
A Tomografia de Impedncia Eltrica (TIE) uma tcnica relativamente nova e que tem se
mostrado bastante promissora na obteno de imagens do interior de um corpo explorando as
diferenas entre as propriedades eltricas (condutividade e permissividade) dos diferentes materiais que o constituem. A tcnica se baseia na aplicao de um perfil de potencial eltrico ou
de corrente eltrica no contorno da seo do corpo e na medio da resposta. A partir da relao
entre os dados da excitao e da resposta, estima-se a distribuio de condutividade no interior
do dominio, o que pode ser traduzido, computacionalmente, como uma imagem dessa seo.
Apesar de promissora, a TIE ainda apresenta dificuldades, principalmente no que se refere
resoluo da imagem e ao elevado tempo computacional necessrio para sua reconstruo. A
reconstruo de uma imagem na TIE uma tarefa realizada em duas etapas: primeiro deve-se
resolver o problema direto, que se resume na determinao dos potencias eltricos no interior do
domnio e das respostas no contorno a partir dos dados da excitao; segundo, deve-se resolver
o problema inverso, que a determinao da condutividade dos pontos internos do domnio a
partir da relao entre os dados de excitao e resposta no contorno. Dependendo do mtodo
utilizado para a resoluo do problema inverso, deve-se resolver o problema direto iterativamente inmeras vezes, onerando computacionalmente o processo. Esse trabalho se prope a
aplicar o Mtodo dos Elementos de Contorno (MEC) como tcnica de resoluo numrica do
problema direto. A vantagem que o MEC requer apenas a discretizao do contorno e no de
todo o domnio, como ocorre com os outros mtodos. Essa reduo na dimenso do problema
diminui consideravelmente o tamanho do sistema linear a ser resolvido a cada resoluo do
problema direto, o que pode reduzir satisfatoriamente o tempo computacional empregado na
reconstruo de cada imagem. Para isso, foi implementado um programa em linguagem C que
resolve o problema direto da TIE, especificamente para um domnio bidimensional, utilizando o
MEC. O programa, a princpio, aceita formas genricas de geometria do domnio e de condies
de contorno. Foram realizados testes com domnios quadrado e circular e com diferentes tipos
e valores para as condies de contorno. Os resultados obtidos foram comparados tanto com
resultados analticos como obtidos na literatura e foram bastante satisfatrios.
Palavras-chave: Imagem Mdica, Tomografia de Impedncia Eltrica, Mtodo dos Elementos

de Contorno, Problema Direto
Abstract
MENIN, OLAVO H.. Boundary Element Method for Electrical Impedance Tomography.
Dissertation (Master) Faculdade de Filosofia, Cincias e Letras de Ribeiro Preto, Universidade de So Paulo, Ribeiro Preto, 2009.
The Electrical Impedance Tomography (EIT) is a quite new technique and has proved to be
promising in obtaining inner body images exploring the differences between electric qualities
(conductivity and permissity) of different materials that constitute it. The technique is based
on applying an electric potential profile or electric current on the boundary of the body section
and by measuring the response. From the relation of data of excitement and response, the
distribution of conductivity in the interior of the dominion is assessed, what may be translated,
computationally, as an image of that section. Although being promising, the EIT still presents
difficulties, especially regarding image definition and the long time taken to its reconstruction.
A EIT image reconstruction is a task done in two phases: first, one must solve the direct problem
which is basically the determination of electrical potentials in the interior of the dominion and
the responses on the boundary from the excitation data; second, the inverse problem must be
solved, which is the determination of conductivity of the inner points of the dominion from the
relation between the excitation data and the response on the boundary. Depending on the method
used to solve the inverse problem, the direct problem must be iterative solved countless times,
burdening the process computationally. This work has the purpose of applying the Boundary
Element Method (BEM) as numeric resolution technique of the direct problem. The advantage
is that the BEM requires only the discretization of the boundary and not of the whole dominion,
as it occurs with the other methods. This decrease in the problem dimension reduces the size
of the linear system to be solved at each resolution of the direct problem, what may reduce
satisfactory the computational time employed on the reconstruction of each image. For that, a
C language program was implemented, which solves the direct problem of the EIT, particularly
for a two dimensional dominion, using the BEM. The program, at first, accepts generic forms
of the dominion geometry and of boundary conditions. Tests were performed with square and
circular and with different types and values for the boundaries conditions. The obtained results
were compared to analytic results as well as the ones obtained from literature and were quite
satisfactory.
Keywords: Medical Image, Electrical Impedance Tomography, Boundary Element Method,

Direct Problem
DEDICATRIA
Ao incio, meus pais Gilberto e Alice,

ao presente, minha esposa Carol,
e eternidade, meus filhos Thales e Sofia
Meu desenho no representava um chapu. Represetava uma jibia digerindo um elefante.

Desenhei ento o interior da jibia, a fim de que as pessoas grandes pudessem entender.
("O Pequeno Prncipe" de Antoine de Saint-Exupry)
Agradecimentos
Agradeo primeiramente a Deus e aos meus pais, Gilberto e Alice, por me concederem o milagre da vida.
minha esposa e companheira de sempre e para sempre, Carol, pelo amor, apoio e compreenso
nos momentos difceis.
Aos meus filhos, Thales e Sofia, por toda felicidade que proporcionaram durante as fases mais
rduas do trabalho e por dar sentido minha vida.
s minhas irms, Rita, Joslia e Adriana, companheiras desde que me conheo por gente e das
quais me orgulho e me espelho.
Ao meu orientador Prof. Dr. Alexandre Souto Martinez, que me acolheu como orientando e
sempre confiou no meu trabalho.
Prof. Dra. Vanessa Rolnik Artioli, fundamental em tudo que foi realizado neste trabalho.
todos professores e professoras que at hoje contribuiram para minha educao.
Aos colegas da ps-graduaao, Leandro, Juliana, Breno, Marcelo, Rafael, Matheus, entre outros
pela ajuda que prestaram durante as dificulades.
Nilza e todos do DFM pela ajuda e pelos esclarecimentos.
Ao colega Andr Botelho, que me incentivou a iniciar esse projeto.
Aos coordenadores das escolas em que trabalho, Gula, Denise, David, Ruth, Regina, Samuel e
Andr pelos galhos quebrados durante esses dois anos.
s minhas funcionrias, Ftima, Simone e Larissa, por darem a estrutura necessria em casa
para a realizao do trabalho.
Sumrio
Resumo
p. 1
Abstract
p. 2
Lista de Abreviaes
p. 8
Lista de Figuras
p. 9
Lista de Tabelas
p. 11
1 Introduo
p. 12
2 Imageamento em Medicina
p. 15
2.1
Raio-X . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 16
2.2
Tomografia Computadorizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 17
2.3
Ressonncia Magntica Nuclear . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 18
2.4
Ultra-sonografia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 19
2.5
Tomografia de Impedncia Eltrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 21
3 Formulao Matemtica da TIE
p. 27
3.1
A equao principal da TIE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 27
3.2
As condies de contorno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 30
3.3
Problema direto e problema inverso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 33
4 O Mtodo dos Elementos de Contorno

4.1
O MEC aplicado a TIE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 39
p. 39
Sumrio
4.2
A formulao matemtica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 41
4.3
A equao integral sobre o contorno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 44
5 Discretizao e Implementao Computacional
p. 47
5.1
A discretizao do problema . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 47
5.2
O sistema linear . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 49
5.3
A soluo analtica de F1 e F2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 51
5.4
Implementao computacional . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 53
6 Simulaes Numricas e Resultados
p. 56
7 Concluses
p. 66
Referncias
p. 68
Lista de Abreviaes
T IE
MEC
Mtodo dos Elementos de Contorno
MDF
Mtodo da Diferenas Finitas
MEF
Mtodo dos Elementos Finitos
TC
Tomografia Computadorizada
US
Ultra-sonografia
RMN
Ressonncia Magntica Nuclear
T EP
Tomografia por Emisso de Psitron
EDP
Equao Diferencial Parcial
CC
Condies de Contorno
PVC
Problema de Valor de Contorno
Lista de Figuras
2.1
Imagem por raio-X da mo da esposa de Rntgen . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 16
2.2
Esquema da Tomografia Computadorizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 17
2.3
Ressonncia Magntica Nuclear . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 19
2.4
Esquema de um exame clnico de ultrasonografia . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 20
2.5
Esquema de um exame usando Tomografia de Impedncia Eltrica . . . . . . . . .
p. 22
2.6
Tipos de campo de sensoriamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 25
3.1
Domnio do problema da TIE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 30
3.2
Principais padres de excitao/resposta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 32
3.3
Metodos numricos para resoluo de EDP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 34
3.4
Modos de discretizao do domnio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 36
3.5
Esquema de otimizao do funional de erro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 38
4.1
Duas abordagens para o problema da TIE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 40
4.2
Domnio simples do MEC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 41
5.1
Domnio discretizado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 48
5.2
Domnio discretizado com incluso interna
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 55
6.1
Domnio quadrado de lado unitrio discretizado pelo MDF . . . . . . . . . . . . .
p. 57
6.2
Domnio dos PVCs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 59
6.3
Relao entre o erro relativo e o nmero de elementos de contorno . . . . . . . . .
p. 60
6.4
Posio real da incluso no interior do domnio
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 61
6.5
Perfil triangular de potencial aplicado sobre o contorno . . . . . . . . . . . . . . .
p. 62
6.6
Deslocamento da incluso de prospeco ao longo da diagonal do domnio . . . . .
p. 62
6.7
Valor normalizdo do funcional de erro e para as oito posies da incluso de prospeco p. 63
Lista de Figuras
10
6.8
Posio da incluso de prospeco que minimiza o funcional de erro . . . . . . . .
p. 63
6.9
Perfil duplamente triangular de potencial aplicado sobre o contorno . . . . . . . . .
p. 64
6.10 Tempo de execuo do programa em funo do nmero de elementos de contorno . .
p. 65
6.11 Tempo de execuo do programa em funo do nmero de pontos internos avaliados
p. 65
6.12 Tempo de execuo do programa por ponto interno avaliado . . . . . . . . . . . .
p. 65
11
Lista de Tabelas
2.1
Impedncia acstica de alguns materiais e tecidos biolgicos . . . . . . . . . . . .
p. 21
2.2
Comparao entre a resistividade eltrica e o coeficiente de atenuao de raio-X . . .
p. 23
3.1
Unidades principais do problema da TIE no S.I. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 31
6.1
Distribuio de temperaturas calculada pelo MDF . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 57
6.2
Distribuio de temperaturas calculada pelo MEC . . . . . . . . . . . . . . . . .
p. 57
6.3
Decrscimo do erro relativo com o nmero de elementos de contorno . . . . . . . .
p. 59
12
Introduo
No uma tarefa fcil encontrar adjetivos que possam qualificar o grande desenvolvimento
nas reas de cincia e tecnologia ocorrido durante o sculo XX. Particularmente na rea de
sade e medicina, os avanos produziram uma grande melhora na qualidade de vida e, conseqentemente, um aumento significativo na expectativa de vida. Dentre as diversas reas da
medicina que contriburam em maior ou menor grau para essa melhora, uma de fundamental
importncia foi a de diagnsticos por imagem. Intimamente vinculadas aos desenvolvimentos
de outras reas da cincia, como a fsica, a matemtica e a computao, as tcnicas para produzir imagens mdicas tm atingido nveis de qualidade e confiabilidade surpreendentes. Como
exemplo, atualmente dispomos da Ressonncia Magntica Nuclear (RMN), Ultra-sonografia
(US), Tomografia Computadorizada (TC), Tomografia por Emisso de Psitron (TEP), entre
outras que fornecem imagens cada vez mais precisas e detalhadas de tecidos e rgos do corpo,
permitindo diagnosticar patologias e monitorar tratamentos com maior segurana.
Uma tcnica que tem se mostrado bastante promissora e que tem atrado a ateno de
um nmero cada vez maior de pesquisadores nos ltimos anos a Tomografia de Impedncia
Eltrica (TIE)1 . A idia explorar as diferenas entre as propriedades eltricas (condutividade e
permissividade) dos diferentes tecidos biolgicos. Resumidamente, a tcnica se baseia na aplicao de um perfil de potencial eltrico ou de corrente eltrica atravs de eletrodos posicionados
no contorno da seo do corpo e na medio da resposta. A partir da relao entre os dados
da excitao (potencial/corrente) e da resposta (corrente/potencial), estima-se a distribuio de
condutividade no interior do domnio, o que pode ser traduzido, computacionalmente, como
uma imagem dessa seo.
Pode-se citar vrios motivos para essa expectativa em relao TIE. Primeiramente, sabese que os tecidos apresentam diferenas relativamente grandes de condutividade e resistividade
eltricas, o que, em princpio, permite uma boa diferenciao para a reconstruo da imagem.
Segundo, a TIE leva uma grande vantagem em relao a outras tcnicas por ser no invasiva
e por no necessitar de nenhum tipo de radiao ionizante, no produzindo, portanto, efeitos
1 Electrical
Impedance Tomography (EIT), em ingls
1 Introduo
13
colaterais. Tcnicas de imageamento que utilizam raio-X, como a TC, no podem ser aplicadas
com frequncia em um mesmo paciente, pois o excesso de radiao pode produzir srios danos
sua sade. J a TIE no oferece esse tipo de restrio, podendo ser aplicada dias seguidos em
um mesmo paciente, o que permite uma monitorao constante do tecido ou rgo de interesse.
Alm disso, um aparelho de TIE relativamente pequeno, o que o torna porttil, podendo
ser transportado e instalado ao lado do leito de um paciente, diferentemente dos aparelhos de
TC e RMN que so equipamentos grandes e no portteis. Finalmente, seu custo estimado
consideravelmente menor do que o de um tomgrafo computadorizado ou de um aparelho de
ressonncia magntica.
No entanto, apesar de ser uma tcnica promissora e das intensas pesquisas feitas nas ltimas
dcadas, a TIE ainda no atingiu um grau de confiabilidade a ponto de ser extensivamente
utilizada na prtica. Isso se deve principalmente baixa resoluo das imagens, o que no
permite um diagnstico seguro, e ao elevado tempo computacional exigido na reconstruo de
cada imagem.
Esses problemas aparecem porque, matematicamente, a TIE um problema inverso no
linear e intrinsecamente mal-condicionado, apresentando grande sensibilidade com relao a
erros numricos e rudos experimentais. Alm disso, nas abordagens mais comumente utilizadas, a reconstruo de uma imagem na TIE pode ser vista como um processo feito em duas
etapas: primeiramente deve-se resolver o problema direto, no qual determinam-se os potenciais
eltricos nos pontos internos do domnio e as respostas (corrente/potencial) no contorno, dado
um padro de excitao (potencial/corrente); em seguida, deve-se resolver o problema inverso,
que a determinao do contraste (condutividade ou permissividade) dos pontos internos do
domnio a partir da relao entre os dados de excitao e resposta no contorno. Essa diviso
em etapas onera computacionalmente a reconstruo da imagem pois normalmente os mtodos
utilizados para a resoluo do problema inverso so iterativos e necessitam da resoluo do problema direto inmeras vezes. Sendo assim, a resoluo rpida e eficiente do problema direto
de fundamental importncia para a TIE.
O objetivo principal deste trabalho colaborar com o desenvolvimento da TIE, especificamente no que se refere resoluo do problema direto, para o caso de um domnio bidimensional. Para isso, prope-se um estudo do Mtodo dos Elementos de Contorno (MEC) como
alternativa ao Mtodo dos Elementos Finitos (MEF), que o mais utilizado atualmente. A
principal vantagem do MEC sobre as demais tcnicas de discretizao que esse converte a
equao diferencial parcial em equaes integrais sobre a fronteira do domnio e, efetivamente,
reduz em uma dimenso o problema numrico. Em outras palavras, o MEC requer apenas a
1 Introduo
14
discretizao do contorno e no de todo o domnio, como ocorre com os outros mtodos. Essa
reduo na dimenso do problema diminui consideravelmente o tamanho do sistema linear a ser
resolvido a cada resoluo do problema direto, o que pode reduzir satisfatoriamente o tempo
computacional empregado na reconstruo de cada imagem.
Durante o trabalho, foi implementado em linguagem C um programa que utiliza o MEC
para a resoluo numrica do problema direto associado a TIE. A princpio, o programa aceita
diferentes geometrias para o domnio bem como diferentes padres de excitao (condies de
contorno do tipo Dirichlet, Neumann ou mista). Tambm permite a insero de uma ou mais
incluses ("buracos") no interior do domnio, simulando regies de no condutividade eltrica.
Foram realizados testes numricos com domnios quadrado e circular, com e sem incluses e
com diferentes condies de contorno. Para validao do mtodo, alguns testes foram realizados com condies de contorno que oferecem soluo analtica e os resultados obtidos foram
bastante satisfatrios. Outros testes, que a princpio no oferecem soluo analtica, foram
validados atravs da comparao com resultados obtidos na literatura.
O trabalho dividido da seguinte forma: no Captulo 2, faz-se uma breve discusso sobre
as principais tcnicas de imageamento mdico bem como o desenvolvimento e a situao atual
da TIE. No Captulo 3, desenvolvida a formulao matemtica da TIE, destacando a equao
diferencial parcial (EDP) que rege o potencial eltrico no interior do domnio e as condies
de contorno(CC). Tambm neste captulo, faz-se uma discusso sobre algumas caractersticas
relacionadas resoluo matemtica do problema, mostrando quais so as principais dificuldades atuais a serem sanadas. O Captulo 4 apresenta o Mtodo dos Elementos de Contorno,
sua formulao matemtica e como ele pode ser aplicado na resoluo do problema da TIE.
No Captulo 5, discute-se a discretizao do problema e como foi realizada a implementao
computacional do problema. No Capitulo 6, apresentam-se os testes e as simulaes numricas
realizadas para validao do mtodo e os resultados obtidos. Finalmente, no Captulo 7 tm-se
as discusses e concluses, bem como sugestes de trabalhos futuros.
15
Imageamento em Medicina
Pode-se considerar a medicina como uma das mais antigas cincias naturais produzidas
pelo homem. O objeto central de interesse da medicina , naturalmente, o estudo do corpo
humano, sua estrutura e funcionamento sobre as mais diversas condies, bem como no desenvolvimento de tratamentos e tcnicas de interveno para as mais diversas patologias ou estados de mau funcionamento gerados por traumas e ferimentos [HENDEE e RITENOUR, 2002].
O desenvolvimento da medicina ocorreu a taxas modestas durante praticamente toda histria.
At meados do sculo XIX, haviam poucas tcnicas disponveis para se diagnosticar possveis
doenas e to poucas para a realizao de tratamentos, tanto no caso de intervenes cirrgicas
como no caso de tratamentos farmacolgicos. A partir do final do sculo XIX e incio do sculo
XX, no entanto, as reas de sade e medicina bem como todas as reas de cincia e tecnologia
tiveram um desenvolvimento espantoso. Hoje os mdicos dispem de diversas e variadas tcnicas, tanto para obter informaes sobre o corpo humano e diagnosticar estados patolgicos
como para intervir e tratar tais patologias com alto grau de preciso e eficincia.
Particularmente na rea de diagnsticos por imagem, as tcnicas mais modernas so capazes
de gerar imagens extremamente precisas e visualmente impressionantes, tanto anatmicas como
funcionais, de rgos e tecidos do corpo humano. Essa melhora na qualidade e preciso das
imagens tem permitido produzir diagnsticos mais precisos e acompanhar com mais eficincia
determinados tipos de tratamentos, principalmente aqueles relacionados medicina do cncer.
De fato, virtualmente impossvel quantificar o nmero de pessoas que, durante as ltimas
dcadas, puderam se beneficiar de tais avanos e tiveram suas qualidades de vida melhoradas,
ou at suas vidas salvas, graas s tcnicas de imageamento mdico.
Basicamente, a produo de imagens do interior do corpo humano a partir de estmulos
e medidas externas explora as diferenas que os tecidos biolgicos apresentam para diversas
propriedades fsicas tais como, absorbncia, refletividade e transmissividade de radiaes ou
ondas sonoras, graus de magnetizao e ressonncia a estmulos eletromagnticos, diferenas
de condutividade e permissividade eltricas, entre outros. importante notar que essas propriedades podem variar no s de tecidos para tecido como tambm dependem bastante do
2.1 Raio-X
16
prprio metabolismo biolgico, permitindo produzir imagens tanto puramente anatmicas como
funcionais.
2.1 Raio-X
Historicamente, a primeira imagem do interior do corpo humano, obtida indiretamente
atravs de um estmulo fsico externo, foi feita por Wilhelm Conrad Rntgen, em 1895 atravs
da aplicao de um feixe de raios X sobre a mo de sua esposa (Fig.2.1)[RNTGEN, 1895].
Figura 2.1: Imagem por raio-X da mo da esposa de Rntgen

A imagem sobre o filme fotogrfico mostra o contraste entre os diferentes graus de absoro
e transmisso que os tecidos oferecem aos raios-X. Para quantificar essa diferena, usa-se uma
grandeza fsica conhecida como coeficiente de atenuao (), que mede o quanto que um dado
feixe de raio-X perde sua intensidade quando penetra em um certo material em funo da distncia penetrada. Matematicamente, essa perda de intensidade segue uma lei exponencial (Eq.
2.1)
I = Io ex
(2.1)
onde Io a intensidade inicial do feixe e I a intensidade final aps penetrar uma distncia x no
material. Consdiderando que o expoente x deve ser adimensional, a unidade do coeficiente de
atenuao, no Sistema Internacional, m1 .
Mesmo hoje, mais de um sculo aps a experincia de Rntgen, as imagens de raio-X
impressas diretamente em filmes fotogrficos ainda so de grande utilidade e extensamente
2.2 Tomografia Computadorizada
17
usadas em todo o mundo. De fato, pode-se dizer que muito difcil, seno impossvel, encontrar
uma pessoa em idade adulta que no tenha feito alguma radiografia, ou para detectar uma fratura
ssea ou at para avaliar a arcdea dentria em exames odontolgicos.
2.2 Tomografia Computadorizada

A partir da metade do sculo passado, com a inveo dos computadores e o surgimento
da tecnologia digital, foi possvel desenvolver tcnicas muito mais eficazes para gerao de
imagens mdicas. Uma delas a Tomografia Computadorizada (TC) que, a princpio, utiliza
as mesmas idias bsicas das imagens de raio-X comuns. No entanto, na TC faz-se medidas
de atenuao de vrios ngulos diferentes fazendo com que o aparato formado pela fonte de
raio-X e o sistema de detectores girem em torno da seo do corpo do paciente. As informaes
coletadas so ento enviadas a um computador munido de um software especfico capaz de
reconstruir a imagem detalhada de toda a seo (Fig. 2.2).
Figura 2.2: Esquema da Tomografia Computadorizada

As tcnicas de reconstruo da imagem da TC foram desenvolvidas no incio da dcada de
70 do sculo passado, por Allen M. Cormack e Godfrey N. Hounsfield, o que lhes rendeu o
Prmio Nobel de Fisiologia e Medicina de 1979 [OKUNO et al., 1982]. Para fins mdicos, o
primeiro aparelho de TC a ser utilizado clinicamente foi desenvolvido pela empresa EMI Ltda.
em 1972, que se limitava a fazer imagens para estudos da cabea. Desde ento, a qualidade
e o nmero de tomgrafos computadorizados cresceu consideravelmente em todo o mundo.
Atualmente, estima-se que apenas nos EU, existam mais de 5 mil aparelhos de TC instalados
ao custo de, aproximadamente, US$ 1 milho cada [HENDEE e RITENOUR, 2002].
2.3 Ressonncia Magntica Nuclear
18
De fato, o desenvolvimento da TC considerado um grande marco nas reas de radiologia

e diagnstico por imagem. A transio da aquisio da informao da forma analgica para
a digital possibilitou processar, armazenar e transmitir imagens com muito mais qualidade,
rapidez e eficincia. Atualmente, os tomgrafos computadorizados tambm produzem imagens
tridimensionais atravs do movimento helicoidal do sistema fonte-detectores ao longo do corpo
do paciente. Da mesma forma que na tomografia 2D, as informaes so processadas por um
computador que recostri a imagem 3D a partir das imagens planas das vrias sees varridas
durante o deslocamento do aparelho. Tambm possvel associar imagens de TC com outras
tcnicas de imageamento funcional, como a Tomografia por Emisso de Psitrons (TEP), para
produzir imagens com resoluo surpreendentes capazes de mostrar com detalhes determinados
processos metablicos.
2.3 Ressonncia Magntica Nuclear

Outra tcnica de imageamento mdico bastante utilizada atualmente a Ressonncia Magntica Nuclear (RMN). O fenmeno da ressonncia pode aparecer em diferentes fenmenos
fsicos, desde a amplificao do som emitido pela corda de um violo dentro da "caixa de
ressonncia", o aquecimento de alimentos dentro de um forno de micro-ondas, at a sintonizao de uma estao de rdio atravs do rdio-receptor. Simplificadamente, o fenmeno da
ressonncia ocorre quando um sistema recebe um estmulo externo com uma frequncia igual
sua frequncia natural de vibrao, produzindo um aumento na amplitude desta vibrao. Esse
fenmeno tambm pode ocorrer em nvel nuclear e isso que os aparelhos de RMN exploram
[WEBB, 1988].
Um aparelho de RMN constitudo basicamente de uma fonte de campo magntico e de
uma antena emissora-receptora de ondas de rdio, alm, claro, da parte computacional capaz
de receber e processar as informaes para reconstruir a imagem. Sabe-se que os ncleos atmicos produzem pequenos campos magnticos cujos vetores induo magntica ~B, naturalmente,
se orientam aleatoriamente. Quando uma amostra de um certo material (um tecido biolgico,
por exemplo) colocada sob ao de um campo magntico externo ~Bo , esses ncleos se reorientam alinhando seus campos magnticos com o campo externo. Essa interao entre os campos
faz com que os ncleos girem, executando um movimento de precesso em torno de um eixo,
paralelo direo do campo magntico externo ~Bo (Fig. 2.3a) , com uma frequncia caracterstica , que varia de elemento para elemento e at entre istopos de um mesmo elemento
[MARTINS, 1995].
2.4 Ultra-sonografia
19
Neste momento, um pulso curto de rdio-frequncia emitido pela antena criando um

campo magntico ~B perpendicular direo de ~Bo , cuja orientao varia com uma frequncia
igual frequncia caracterstica de um dado elemento da amostra. Com isso, os ncleos se
reorientam de forma que seus campos magnticos se alinhem momentaneamente na direo do
campo resultante entre ~Bo e ~B (Fig. 2.3b). Quando o pulso cessa, os ncleos voltam a se
orientar paralelamente ao campo original ~Bo e, com isso, emitem energia na forma de ondas de
rdio que so captada pela antena receptora (Fig. 2.3c).
Figura 2.3: Ressonncia Magntica Nuclear

A quantidade de um dado elemento em cada parte da amostra ir determinar a intensidade
do sinal recebido pela antena, que por sua vez enviado para o computador para a reconstruo
da imagem. Variando-se a freqncia do pulso de rdio-freqncia emitido pela antena,
pode-se escolher que tipo de elemento da amostra entrar em ressonncia com o sistema e ser
detectado para a formao da imagem.
As tcnicas de imageamento por Ultra-sonografia (US) tiveram como base o desenvolvimento do SONAR, durante a Segunda Guerra Mundial. Este aparelho, colocado sob o casco de
navios, era capaz de detectar a presena de submarinos ou de medir a profundidade do oceano a
partir da emisso, reflexo e recepo de uma onda sonora de alta-freqncia. Na rea mdica,
atualmente a ultra-sonografia extensivamente utilizada tanto em diagnsticos como em certos
tipos de tratamentos. Exames pr-natais para avaliar o desenvolvimento e a formao do beb,
deteco de cncer de mama ou de outros tipos de cncer e o ecocardiograma, que verifica o
funcionamento do corao, so alguns exemplos de aplicaes das imagens de ultra-sonografia
na medicina diagnstica.
O ser humano capaz de detectar sons numa faixa de freqncia que varia, aproximada-
20
mente, entre 20Hz e 20kHz. Ondas mecnicas sonoras com freqncia abaixo de 20Hz so
denominadas de infra-som e, acima de 20kHz, so chamadas de ultra-som. Outros animais podem ouvir sons em faixas de freqncia diferentes dos humanos como, por exemplo, os ces
que detectam sons com freqncias de at 50kHz e os morcegos que ouvem at 120kHz. J
a ultra-sonografia diagnstica utiliza freqncias ainda maiores podendo variar entre 1MHz e
30MHz [HENDEE e RITENOUR, 2002]
Figura 2.4: Esquema de um exame clnico de ultrasonografia

A idia central do imageamento por ultra-som explorar a diferena que os tecidos biolgicos apresentam para a reflexo, absoro e transmisso do som. Atravs de um transdutor
(dispositivo capaz de emitir e receber ondas mecnicas) colocado sobre a pele do paciente, um
pulso de ultra-som emitido para o interior do corpo e ao encontrar uma interface de separao
entre dois tipos diferentes de tecidos, parte do pulso transmitida e parte refletida. A parte
refletida pode retornar ao transdutor e ser detectada. A partir do intervalo de tempo entre a
emisso e a recepo, estima-se a posio da interface dentro do corpo (Fig 2.4).
Naturalmente que o processo, na prtica, bem mais complexo, pois normalmente existem
diversas interfaces produzindo vrios pulsos refletidos que devem ser analisados separadamente
para permitir a localizao de cada tecido. Alm disso, existe uma atenuao na intensidade do
som durante a propagao no interior do corpo que tambm deve ser levada em considerao
na reconstruo da imagem.
No entanto, o importante destacar que a propriedade principal que permite diferenciar os
diversos tecidos na US a impedncia acstica Z, definida como o produto da densidade do
meio pela velocidade do som v neste meio. Diferentes tecidos apresentam diferentes impedncias acsticas, como mostra a Tabela 2.1 [OKUNO et al., 1982], e essa diferena determina a
frao do ultra-som que ser refletida e a frao que ser transmitida quando existir uma inter-
2.5 Tomografia de Impedncia Eltrica
21
Tabela 2.1: Impedncia acstica de alguns materiais e tecidos biolgicos

Material
Impedncia Acstica (kgm2 s1 )
Ar
gua
Crebro
Msculo
Gordura
Osso
1, 48 106
1, 56 106
1, 64 106
1, 33 106
7, 68 106
430
face entre esses tecidos. Desta forma, quanto maior a diferena de impedncia acstica entre
dois tecidos, mais fcil ser diferenci-los na produo de uma imagem de ultra-sonografia. Por
sua vez, dois tecidos que tenham impedncias acsticas iguais ou muito prximas no sero
facilmente diferenciados.

A literatura aponta como pioneiro na produo de imagens do corpo humano a partir de suas
propriedades eltricas o trabalho de Henderson e Webster [HENDERSON e WEBSTER, 1978].
O sistema construdo por eles, denominado cmara de impedncia, baseava-se na aplicao de
uma diferena de potencial eltrico atravs de um eletrodo colocado no peito do paciente e
na medio da corrente eltrica por eletrodos localizados nas costas do mesmo. Entretanto,
o modelo matemtico aplicado na reconsntruo da imagem fazia algumas aproximaes que
acabaram por produzir imagens com baixa resoluo. De qualquer forma, o pioneirismo teve
reflexos positivos, pois a partir dessa publicao, o interesse dos pesquisadores em tcnicas
de imageamento que procuram explorar as propriedades eltricas dos tecidos biolgicos tem
aumentado consideravelmente.
Quando se fala em gerao de imagens a partir das propriedades eltricas do corpo, deve-se
entender como propriedades eltricas a condutividade e a permissividade , sendo que a primeira
mede a facilidade que um certo material oferece passagem de corrente eltrica quando submetido a uma diferena de potencial e a segunda mede a facilidade com que as cargas eltrica do
material se separam sob a ao de um campo eltrico. Diferentes materiais ou tecidos biolgicos podem apresentar diferenas tanto na condutividade como na permissividade. Portanto, a
princpio possvel construir um mapa do interior de um objeto, como o corpo de um paciente,
por exemplo, a partir das diferenas que essas propriedades apresentam para as diversas partes
do corpo [CHENEY et al., 1999].
22
Em desenvolvimento j h algumas dcadas, a TIE tem se mostrado uma tcnica bastante

promissora na obteno de imagens do interior de um objeto. Seguindo a idia de que a condutividade varia de material para material, a proposta da TIE produzir uma imagem do corpo de
tal forma que, aps o processamento e a reconstruo computuacional da imagem, cada "pixel"
desta representa a impedncia ou condutividade dos pontos internos do domnio [LIMA, 2006].
Na literatura, existem diversas propostas para possveis aplicaes da TIE, tanto na rea de
medicina diagnstica como na rea industrial. Na medicina, a TIE pode ser usada no monitoramento e controle da ventilao artificial nos pulmes, [AMATO, 2001] [LIMA, 2006], deteco de embolia pulmonar [HARRIS et al., 1988], monitoramento do funcionamento gstrico
e do processo de lavagem estomacal [MANGNALL et al., 1987], monitoramento do fluxo sanguneo e das funes cardacas [EYUBOGLU et al., 1987], monitoramento de problemas de
apnia [WOO et al., 1993] e deteco de cncer de mama [ZOU e GUO, 2003]. J em processos industriais, podemos citar o monitoramento de escoamentos multifsicos em tubulaes
[ROLNIK e SELEGHIM, 2006], ensaios no destrutivos de controle de qualidade na deteco
de corroso [KAUP et al., 1996] ou de defeitos, como fissuras ou vazios, em peas metlicas
[SANTOSA e VOGELIUS, 1991] e monitoramento e deteco de vazamentos em tanques subterrneos [RAMIREZ et al., 1993]
Na TIE, o processo de obteno da informao para a produo da imagem consiste em
posicionar eletrodos ao redor do corpo de interesse e aplicar um estmulo, que pode ser a injeo de uma corrente eltrica ou a aplicao de uma diferena de potencial eltrico, e medir
a resposta, tambm na forma de corrente ou potencial (Fig. 2.5). A partir da diferena entre o
estmulo e a resposta, pode-se estimar a distribuio de condutividade eltrica e, atravs de um
algoritmo, reconstruir computacionalmente a imagem do interior do corpo.
Figura 2.5: Esquema de um exame usando Tomografia de Impedncia Eltrica
23
No caso das aplicaes mdicas, as correntes ou tenses aplicadas so de baixa intensidade

de forma a no produzir nenhum dano ou sensao indesejvel ao paciente. Tambm deve-se
usar correntes de baixa freqncia de forma que se possa desprezar os efeitos das correntes de
deslocamento. Como exemplo, em um trabalho recente, utilizou-se dados experimentais para
produzir imagens do trax de um paciente com aplicao de uma corrente alternada de 4,33mA
e freqncia de 125kHz [HERRERA, 2007]. Em outro trabalho [EDIC et al., 1995], prope-se
um valor mximo aceitvel para a intensidade de correntes eltricas para aplicaes mdicas de
100Arms /kHz para freqncias na faixa de 1kHz at 100kHz.
A grande expectativa em relao TIE reside, entre outros motivos, no fato de que os tecidos apresentam diferenas relativamente grandes de condutividade e resistividade, o que, em
princpio, permite uma boa diferenciao para a reconstruo da imagem. Por exemplo, podemos comparar a resistividade eltrica e o coeficiente de atenuao de raio-X, que a grandeza
usada para diferenciar tecidos na TC. A resistividade do osso duas ordens de grandeza maior
do que a resistividade dos msculos ou do sangue, enquanto que o coeficiente de atenuao de
raio-X varia menos do que uma ordem de grandeza entre esses mesmos tecidos. A Tabela 2.2
[BARBER et al., 1983] mostra uma comparao entre a condutividade e o coeficiente de atenuao para alguns tecidos biolgicos. Tambm podemos fazer uma comparao com a impedncia acstica, propriedade utilizada para diferenciao de tecidos na ultra-sonografia. A Tabela
2.1 mostra que a impedncia acstica tambm varia menos do que uma ordem de grandeza
quando comparamos, por exemplo, msculo de osso. Em [BAKER, 1989] pode-se encontrar
algumas tcnicas para determinao da resistividade (condutividade) de tecidos biolgicos.
Tabela 2.2: Comparao entre a resistividade eltrica e o coeficiente de atenuao de raio-X
Tecido
Resistividade (.m)
Coef. Atenuao de raio-X (m1 )
Osso
Msculo
Sangue
Gordura
150
3.0
1.6
15.0
35.0
20.4
20.4
18.5
Outras caractersticas que fazem da TIE uma tcnica promissora referem-se segurana do
paciente, facilidade de instalao e manuteno e custo. Como se sabe, as tcnicas para produzir diagnsticos a partir do imageamento do corpo podem ser divididas, essencialmente, em
duas classes: as tcnicas invasivas, nas quais h a necessidade de se introduzir algum objeto,
como um catter ou uma sonda de visualizao, ou de que o paciente tenha que ingerir algum
contraste radioativo para posterior deteco do sinal; e as tcnicas no invasivas que se baseiam
na medio de sinais naturais emitidos pelo prprio corpo (eletrocardiograma, eletroencefalograma, etc) ou de sinais originados como respostas a estmulos externos (ressonncia magntica,
24
ultra-sonografia, raio-X, etc) [JESUS e LEMAIRE, 2005].

Nesse ponto, a TIE leva uma grande vantagem em relao as outras tcnicas, pois pode ser
classificada como uma tncnica no invasiva. De fato, na TIE no h necessidade de introduo
de nenhum objeto estranho no corpo do paciente e nem de ingesto de nenhum tipo de contraste
ou de substncia radioativa, alm, claro, de no utilizar radiao ionizante. Com isso, a
TIE pode ser aplicada por longos perodos de tempo sobre um mesmo paciente permitindo
um monitoramento constante e em tempo real. Isso especificamente til em pacientes que
necessitam de respirao artificial, pois permite uma melhor avaliao e um maior controle
da quantidade de ar que est sendo injetada, prevenindo assim possveis danos aos pulmes
[LIMA, 2006].
A portabilidade e a facilidade de manuteno so outras vantagens que a TIE oferece. Efetivamente, um tomgrafo de impedncia eltrica consiste basicamente de um sistema de sensoriamento (fonte de excitao e eletrodos) e de um computador. Sendo assim, pode ser facilmente
transportado e instalado, mesmo em locais com pouco espao, alm de oferecer facilidade de
manuteno. Tudo isso, conseqentemente, faz com que a TIE tenha um custo consideravelmente baixo comparado a outros equipamentos de imageamento mdico. Estimativas apontam
para um valor em torno de US$ 10 mil para um tomgrafo de impedncia eltrica enquanto que
o custo de um aparelho de TC pode chegar US$ 1 milho [SILVA, 2006]. Isso especialemente
importante pois permite que hospitais e clnicas, principalmente aqueles com poucos recursos,
possam adquirir aparelhos em quantidade suficiente para atender satisfatoriamente um nmero
maior de pacientes.
Contudo, a TIE ainda precisa amadurecer bastante para ganhar confiana e ser mais amplamente utilizada. De fato, existem muitos problemas que devem ser resolvidos, principalmente
no que se refere baixa resoluo das imagens e ao excessivo tempo computacional empregado
na reconstruo de cada imagem. As dificuldades aparecem principalmente no que se refere
aos algoritmos computacionais empregados para processar os dados e fazer a reconstruo da
imagem.
As primeiras tcnicas de reconstruo aplicadas TIE foram baseadas nos algoritmos de
reconstruo da TC, como o backprojection, por exemplo [BARBER e BROWN, 1984]. No entanto, as imagens obtidas no apresentavam boa resoluo, sendo insatisfatrias para aplicaes
mdicas seguras. O principal motivo para essa baixa resoluo est associado ao tipo de campo
que se estabelece no interior do corpo a ser imageado. No caso da TC, o campo estabelecido
do tipo hard field (campo duro ou no deformvel), ou seja, os caminhos seguidos pelos raios-X
no sofrem deformaes quando atravessam o corpo, ocorrendo apenas a atenuao na intensi-
25
dade da radiao. Isso permite prever a trajetria que os raios-X iro seguir desde a fonte at o
detector, que normalmente pode ser aproximada por um segmento de reta (Fig. 2.6).
Com isso, a relao (exc/resp) entre a excitao e a resposta, que na TC corresponde
relao entre a intensidade de radiao incidente (Io ) e a intensidade da radiao transmitida
(I), pode ser determinada atravs de uma integral de linha em que o caminho ` da integral
conhecido (Eq. 2.2).

Z
I
(exc/resp) = ln
= (x, y)d`
Io
(2.2)
Ou seja, a diferena entre a excitao e a resposta fica dependendo apenas do contraste (x, y),
que no caso da TC corresponde ao coeficiente de atenuao.
Figura 2.6: Tipos de campo de sensoriamento

J no caso da TIE, o campo estabelecido do tipo soft field (campo mole ou deformvel),
visto que a forma das linhas de campo sofre forte influncia dos materiais internos do corpo
sensoriado. conseqentemente, torna-se muito difcil, seno impossvel, prever o caminho exato
que o fluxo de corrente eltrica ir seguir no interior do domnio. Esse acoplamento no linear
entre o campo estabelecido e as propriedades eltricas dos materiais que constituem o corpo faz
com que o caminho da integral de linha que fornece a relao (exc/resp) entre a excitao e a
resposta no seja possvel de ser definido (Eq. 2.3).
V Vo
(exc/resp) =
=
J
(x, y)d`
(2.3)
`(?)
Em outras palavras, a relao entre a excitao, que corresponde diferena de potencial V Vo

aplicada, e resposta, que corresponde ao fluxo de corrente J medido, no fica determinada
apenas como funo da resistividade (x, y) (inverso da condutividade), visto que o prprio
26
caminho ` da integral de linha desconhecido (Fig. 2.6). Essa caracterstica intrnseca do

problema da TIE no favorece, portanto, o uso de algoritmos desenvolvidos para reconstruo
de imagens de campos duros, pelo menos no com a mesma eficincia que se obtm na TC.
Essa desvantagem da TIE pode, entretanto, ser contornada utilizando-se outros mtodos
de reconstruo que no dependam do tipo de campo estabelecido. Uma possibilidade que tem
sido bastante estudada e que est sendo mais amplamente empregada atualmente a abordagem
funcional, na qual faz-se uma comparao entre dois modelos, um computacional e outro experimental, a fim de se determinar a distribuio de contraste no interior do domnio que minimize
a diferena entre as respostas obtidas por esses modelos. Uma breve apresentao sobre essa
abordagem ser feita no prximo captulo.
Finalizando, apesar das dificulades, a TIE deve seguir o mesmo caminho que todas as modernas tcnicas de imageamento mdico trilharam: ela teve sua infncia, est passando pela
adolescncia e, com certeza, chegar fase adulta. Conta a lenda que, no sculo XIX, quando
Michael Faraday estava fazendo uma demonstrao sobre sua mais nova descoberta, a induo
eletromagntica, foi perguntado por um dos presentes: "Mas, para que serve tudo isso?". Faraday prontamente respondeu: "Para que serve uma criana recm-nascida?".
27
Formulao Matemtica da TIE
O modelo matemtico aplicado ao problema da TIE corresponde a uma equao diferencial

parcial (EDP), derivada das equaes do eletromagnetismo, que fornece o potencial eltrico no
interior do domnio, vinculada s condies de contorno, que simulam os dados de excitao/resposta. Neste captulo, ser discutido o desenvovimento desse modelo matemtico, incluindo
as formas bsicas de aplicao das condies de contorno (Dirichlet, Neumann ou mista). Finalizando, ser discutida a diviso do problema da TIE em problema direto e problema inverso,
com uma breve apresentao da abordagem funcional para a resoluo do problema inverso.
3.1 A equao principal da TIE

A impedncia eltrica (Z) uma grandeza normalmente usada em circuitos eltricos definida
como a razo entre a voltagem efetiva (Ve f ) aplicada no circuito e a corrente eltrica efetiva (Ie f )
que o atravessa (Eq. 3.1)
Z=
Ve f
Ie f
(3.1)
No Sistema Internacional de Unidades (S.I.), a impedncia eltrica medida em (ohms), que

corresponde razo VA (volt/ampre).
Conceitualmente, a impedncia eltrica mede a oposio total que um dado circuito apresenta passagem da corrente eltrica [MARTINS, 1973]. Ela tambm pode ser expressa como
o inverso da admitncia (), sendo que, para uma circuito resistivo e capacitivo de corrente
alternada, essa pode ser expressa como a soma de dois termos, uma parte real representando
o termo resistivo e uma parte complexa representando o termo capacitivo, como mostra a Eq.
(3.2).
28
1
= (x, ) = (x, ) + (x, )i
Z
(3.2)
em que x representa a posio, a condutividade eltrica, a permissividade eltrica e a

freqncia angular da corrente eltrica [CHENEY et al., 1999] [BORCEA, 2002]. A freqncia
angular , por sua vez, dada em funo da freqncia f por = 2 f , sendo f medida em Hz,
no Sistema Internacional.
Portanto, na Tomografia de Impedncia Eltrica possvel construir uma imagem interna
de um corpo tanto a partir de sua condutividade como a partir de sua permissividade
[FIGUEROA E SELEGHIM, 2001]. No presente trabalho, consideraremos o meio como puramente condutivo, de forma que se possa desprezar os efeitos capacitivos e, conseqentemente,
o termo correspondente persmissividade eltrica da Eq. (3.2). Sendo assim, o imageamento
ser feito exclusivamente a partir da diferena que os materiais internos do corpo apresentam
em relao a condutividade .
Considerando-se um domnio fechado atravs de um contorno , a formulao matemtica da TIE corresponde, essencialmente, a uma equao diferencial parcial (EDP) que rege o
potencial eltrico no interior desse domnio e de condies de contorno (CC) adequadas que
representam o processo de estmulo e resposta realizado pelos eletrodos colocados no contorno
[CAROSIO, 2008]. A derivao da EDP se faz a partir das equaes de Maxwell (Eq. 3.3).
E =
B
E =
t
B = 0
E
B = J
(3.3)
t
em que E o campo eltrico, B o campo magntico, J a densidade de corrente eltrica,
a densidade de carga eltrica, a permissividade eltrica e a permeabilidade magntica.
A fim de reduzir a complexidade do modelo, possvel fazer algumas aproximaes. Uma
delas desprezar os possveis efeitos da induo eletromagntica, visto que as freqncias
das correntes/tenses aplicadas so relativamente baixas. Segundo Rolnik [ROLNIK, 2003],
a freqncia do sinal de excitao deve ser maior do que 1kHz para minimizar os possveis
fenmenos eletroqumicos no contato dos eletrodos com o corpo e menor do que 1MHz para
evitar os efeitos das correntes de deslocamento. Sendo assim, podemos igualar a zero todas as
derivadas em relao ao tempo das equaes de Maxwell, permitindo aproximar o problema
29
para uma distribuio quasi-esttica de cargas [TRIGO, 2001]. Outra simplificao que no
problema da TIE no se considera a existncia de fontes internas de campo magntico. Portanto,
as equaes acabam se resumindo na relao entre o campo eltrico E e a densidade de carga
eltrica (Eq. 3.4).
E =
(3.4)
Por sua vez, sabe-se que o vetor campo eltrico E pode ser dado pelo gradiente do potencial
eltrico com sinal invertido (Eq. 3.5).
E =
(3.5)
Tambm podemos expressar o campo eltrico em funo do fluxo de corrente J e da condutividade , atravs da lei de Ohm, para um ponto qualquer no interior do domnio (Eq.3.6).
J = E
(3.6)
Substituindo a Eq. (3.5) na Eq. (3.6), obtemos uma relao entre o fluxo de corrente J, o
potencial eltrico e a condutividade (Eq.3.7).
J = ()
(3.7)
Considerando que no h fontes internas de corrente eltrica, pode-se afirmar que na fronteira do domnio o divergente do fluxo de corrente eltrica nulo (Eq.3.8).
J = 0
(3.8)
Portanto, a partir da condio dada pela Eq. (3.8), a Eq. (3.7) se resume na equao
principal do problema da TIE (Eq.3.9).
() = 0
em
(3.9)
A Eq. (3.9) uma equao diferencial parcial que rege o potencial eltrico (x, y, z) no
interior do domnio , sendo (x, y, z) a condutividade eltrica dos pontos internos do domnio
(Fig. 3.1).
3.2 As condies de contorno
30
Figura 3.1: Domnio do problema da TIE

importante notar que a condutividade (x, y, z) depende das coordenadas (x, y, z) dos pontos do domnio (no caso de um domnio tridimensional), ou seja, ela pode variar de ponto para
ponto dependendo dos materiais ou tecidos biolgicos que constituem o corpo (Fig. 3.1). Desta
forma, esse acoplamento que acontece entre e faz da Eq (3.9) uma equao no linear e
lidar com essa caracterstica uma das principais dificuldades que aparacem no problema da
TIE.

Matematicamente, existe um nmero ilimitado de solues para a Eq. (3.9), ou seja, existem
infinitas distribuies de valores possveis para e que satisfazem essa EDP. Para restringir
o nmero de solues, deve-se impor as condies de contorno (CC) que, no problema da
TIE, correspondem aos valores de corrente/potencial aplicados e dos valores correspondentes
de potencial/corrente obtidos como resposta no contorno do domnio. Matematicamente, as
condies de contorno so dadas pelas seguintes equaes
=J
n
em
(3.10)
em
(3.11)
onde e J representam, respectivamente, o potencial eltrico e a componente normal ao contorno do fluxo de corrente eltrica na fronteira . A imposio adequada das condies de
contorno far com que o problema tenha uma nica soluo, ou seja, no haver duas dis-
31
tribuies de condutividade diferentes que satisfaam o problema de valor de contorno (PVC)

dado por (3.9), (3.10) e (3.11) [HANKE e BRHL, 2003].
Naturalmente que as grandezas envolvidas no problema podem, na prtica, serem medidas
em diversas e diferentes unidades, dependendo do que se considerar mais conveniente. Entretanto, apenas como referncia, a Tabela (3.1) mostra as unidades, no Sistema Internacional, que
devem ser utilizadas para as grandezas que aparecem nas equaes (3.9), (3.10) e (3.11).
Tabela 3.1: Unidades principais do problema da TIE no S.I.
Grandeza
Potencial eltrico ()
Condutividade eltrica ()
Fluxo de corrente (J)
Unidade no S. I.
volt
(ohm.metro)1
ampre/metro2
Smbolo
V
(.m)1
A/m2
Em relao forma de excitao e resposta na fronteira , na prtica, tm-se dois tipos

bsicos possveis bem como uma combinao dos dois. Primeiramente, pode-se impor (excitao) potenciais eltricos e medir as correntes eltricas resultantes (resposta). Neste caso, a
Eq. (3.10) corresponde excitao, chamada condio de contorno do tipo Dirichlet (D) e a
Eq. (3.11) corresponde resposta, chamada condio de contorno do tipo Neumann (N). Esse
padro de excitao/resposta gera uma relao do tipo D N (Dirichlet para Neumann). No
segundo tipo, injetam-se correntes eltricas (excitao) e medem-se os potenciais resultantes
(resposta). Com isso, a Eq. (3.11) (condio de Neumann) corresponde excitao e a Eq.
(3.10) (condio de Dirichlet) representa a resposta. Neste caso, tem-se uma relao N D
(Neumann para Dirichlet). Tambm possvel misturar esses dois tipos de forma que em partes
do contorno aplicam-se potenciais e medem-se as correntes resultantes e nas partes complementares faz-se o oposto, injetam-se correntes e medem-se os potenciais resultantes. Como
veremos nos prximos captulos, o programa desenvolvido neste trabalho aceita os trs tipos de
excitao/resposta.
Outra questo que deve ser discutida sobre os tipos de excitao/resposta diz respeito aos
diferentes padres possveis de se aplicar o potencial eltrico ou de se injetar a corrente eltrica
e fazer a correspondente medio das respostas. Na prtica, o contorno da seo do corpo a
ser imageado ser envolvido por um nmero limitado de eletrodos, escolhido arbitrariamente a
fim de que se obtenha uma quantidade suficiente de informao para se reconstruir a imagem.
Normalmente, esses eletrodos so distribudos uniformemente atravs da seo por meio de uma
cinta que envolve corpo. Os padres de excitao/resposta sero definidos a partir da escolha
de quais eletrodos sero usados para a excitao (aplicao de potencial ou injeo de corrente)
e quais sero usados para medir as respostas.
32
Os dois padres mais comuns de carregamento (excitao/resposta) so o adjacente e o

diametral [MELLO e SILVA, 2006]. Considere, por exemplo, que se tenha 12 eletrodos (e1 ,
e2 , ... , e12 ) igualmente espaados ao redor do contorno do domnio. No caso do padro
adjacente, usam-se dois eletrodos vizinhos, e1 e e2 , por exemplo, para a aplicao da excitao
e medem-se as respostas nos outros eletrodos. J no padro diamentral, dois eletrodos localizados em posies diamentralmente opostas, e1 e e7 , por exemplo, so usados para a excitao,
medindo-se as respostas nos demais (Fig.3.2). importanto notar que tambm possvel medir
respostas nos prprios eletrodos que esto sendo usados na excitao.
Figura 3.2: Principais padres de excitao/resposta

Tambm no caso do padro adjacente, existem algumas variaes nas quais prope-se pular
um ou dois eletrodos para a aplicao da excitao, ou seja, ao invs de usar os eletrodos e1 e
e2 , usam-se os eletrodos e1 e e3 ou e1 e e4 para realizar a excitao [HERRERA, 2007].
Outros protoclos de excitao/resposta que tambm foram estudados so o do tipo Dirac
e o padro triangular [FIGUEROA E SELEGHIM, 2001]. No padro Dirac, aplica-se um potencial eltrico (10V, por exemplo) em um nico eletrodo aterrando-se os demais (0V). J no
padro triangular, aplica-se um potencial eltrico em um eletrodo (10V) e aterra-se o eletrodo
diametralmente oposto (0V), sendo que nos demais so aplicados potenciais que variam linearmente entre 0V e 10V. Este padro bastante interassante pois faz com que dois eletrodos
vizinhos apresentem uma pequena diferena de potencial entre si, enquanto que dois eletrodos
em posies opostas do corpo ficam submetidos a uma grande diferena de potencial. Essa caracterstica fora o fluxo de corrente a atravessar todo o domminio o que, a princpio, aumenta
3.3 Problema direto e problema inverso
33
a sensibilidade do sistema.

Como j foi mencionado na introduo, o processo da reconstruo de uma imagem na TIE
realizado em duas etapas [DONG et al., 2005]. Primeiramente deve-se resolver o problema
direto, que corresponde determinao dos potenciais eltricos no interior do domnio e da
resposta, ou J, no contorno, supondo-se conhecidas a distribuio de condutividade e a
excitao, J ou , aplicada neste contorno. Como exemplo, consideremos um mapa do tipo D
N. Neste caso, aplica-se um perfil de potencial eltrico no contorno , ou seja, admite-se
conhecidos os valores de . Podemos ento denotar os potenciais aplicados como aplic . Com
isso, pode-se resolver as equaes (3.9), (3.10) e (3.11), gerando como resposta os valores dos
fluxos de corrente J medidos no contorno, que pode ser denotado por Jmed . Matematicamente,
a resoluo do problema direto pode ser vista como uma transformao dada atravs do seguite
operador
(aplic , ) = Jmed
(3.12)
que representa o processo de transformar as informes dadas por aplic e na resposta dada
por Jmed .
Por sua vez, no problema da TIE, no se conhece a distribuio de condutividade no
interior do domnio . As nicas informaes que podem ser acessadas so os dados de excitao/resposta no contorno do domnio. Portanto, deve-se agora tratar o problema como um
problema inverso. Considerando-se novamente o caso D N, o problema inverso consiste na
inverso do operador dado pela Eq.(3.12), ou seja, dados os valores do potencial aplic aplicado
e do fluxo de corrente Jmed medido, determina-se a distribuio de condutividade no interior
do domnio (Eq. 3.13).
1 (aplic , Jmed ) =
(3.13)
Resumindo, o problema direto corresponde resoluo da Eq. (3.9) considerando-se conhecidas a distrituio de condutividade no interior do domnio e uma das condies de contorno
(Eq. 3.10 ou Eq. 3.11). J o problema inverso consiste em resolver a Eq. (3.9) considerando-se
conhecidas as duas condies de contorno (Eq. 3.10 e Eq. 3.11), mas desconhecida a distribuio da condutividade no interior do domnio [ROLNIK, 2003].
34
A resoluo do problema direto, na maioria dos casos, no pode ser feita analiticamente.
Isso s possvel para domnios com geometria e condies de contorno relativamente simples.
Na prtica, portanto, deve-se utilizar mtodos numricos de discretizao como, por exemplo,
o Mtodo das Diferenas Finitas (MDF), o Mtodo dos Elementos Finitos (MEF) e o Mtodo
dos Elementos de Contorno (MEC)1 . Cada uma dessas tcnicas, dependendo das condies do
problema, pode apresentar vantagens e desvantagens. De qualquer forma, atualmente o MEF
o mtodo mais empregado na resoluo de problemas de fsica e engenharia que necessitem de
uma tcnica de discretizao. A Fig. (3.3) ilustra um esquema de soluo do problema da TIE,
destacando os trs mtodos mais utilizados para a resoluo numrica da EDP.
Problema
Fsico
Modelo
Matemtico
(EDP)
Resoluo
Numrica
MDF
MEF
MEC
Figura 3.3: Metodos numricos para resoluo de EDP

A diferena fundamental entre os trs mtodos de discretizao citados refere-se ao modo
como o domnio discretizado. No MDF, o domnio dividido em um nmero finito de pontos
distintos nos quais so determinados os valores da varivel dependente do problema (Fig. 3.4).
Neste caso, o espaamento entre os pontos e, conseqentemente, o nmero de pontos da malha
ir definir o refinamento da soluo. Por outro lado, quanto maior o refinamento maior ser
o sistema de equaes a ser resolvido, visto que o valor desconhecido da varivel dependente
em cada ponto interno da malha corresponde a uma incgnita do sistema. Em outras palavras,
uma malha que contenha, por exemplo, 500 pontos internos nos quais se deseja determinar o
valor da varivel dependente produz um sistema linear 500 500. Uma vantagem do MDF
1 Em
ingls, Finite Diference Method (FDM), Finite Element Method (FEM) e Boundary Element Method
(BEM), respectivamente.
35
que computacionalmente um mtodo simples de ser implementado. Por outro lado, ele
requer geometrias simples para o domnio, no sendo facilmente adaptado para geometrias mais
complexas.
J no caso do MEF, o domnio dividido em elementos geomtricos (Fig. 3.4), por exemplo, tringulos ou quadrilteros 2 , sendo que a varivel dependente calculada sobre os vrtices
de cada elemento. Tambm neste caso, o refinamento da malha acarreta no aumento no tamanho
do sistema linear a ser resolvido, pois significa dividir o domnio em um nmero maior de elementos e, conseqentemente, numa quantidade maior de vrtices nos quais se deve determinar
o valor da varivel dependente. O MEF tem a vantagem de aceitar domnios com geometrias
complexas alm de permitir um maior refinamento da malha apenas em certas regies crticas.
Por outro lado, como j mencionado, ele tambm pode gerar sistemas demasiadamente grandes,
dependendo do refinamento desejado.
Mesmo sendo relativamente novo, o MEC tem se desenvolvido bastante nas ltimas dcadas sendo atualmente visto como uma poderosa tcnica para resolver problemas de valor
de contorno nas reas de engenharia e fsica. Segundo Ang [ANG, 2007], em 1985 menos
de 200 publicaes poderiam ser encontradas com o termo Boundary Element Method
no
ttulo. J em 2006, ultrapassou-se facilmente a casa de 1000 publicaes. A grande vantagem do MEC que ele necessita que somente o contorno do domnio seja discretizado
[BREBBIA, 1978][BREBBIA e DOMINGUEZ, 1992]. Isso feito dividindo o contorno em
segmentos ao longo dos quais deve-se determinar o valor da varivel dependente ou de sua
derivada na direo normal, dependendo de qual condio de contorno aplicada em cada elemento (Fig. 3.4). A partir dos valores obtidos sobre o contorno, pode-se determinar o valor da
varivel dependente em qualquer ponto no interior do domnio.
A grande vantagem do MEC , desta forma, a reduo da dimenso do problema. Em
outras palavras, para um domnio bidimensional, por exemplo, o MEF ou o MDF requer a
discretizao de toda a superficie do domnio gerando sistemas lineares de dimenses proporcionais ao nmero de pontos ou elementos desta superfcie nos quais se deseja determinar o
valor da varivel dependente. J no MEC, deve-se discretizar apenas o contorno, que no caso
bidimensional, uma linha, gerando um sistema linear correspondente ao nmero de elementos
utilizados na sua discretizao.
Outra vantagem do MEC, principalmente no que se refere ao problema da TIE, que ao
2 Para
o caso de um domnio bidimensional (2D). Para domnios tridimensionais (3D), os elementos podem ser
tetraedros, paralelepipedos, etc.
3 O termo Boundary Element Method (BEM) foi usado pela primeira vez em um trabalho de 1977
[BREBBIA e DOMINGUEZ, 1977]
36
Figura 3.4: Modos de discretizao do domnio

se resolver o sistema linear obtm-se automaticamente os valores dos fluxos e dos potenciais
nos elementos do contorno, sem a necessidade de se determinar os potenciais nos pontos internos do domnio. Ou seja, conhecendo-se os dados da excitao (potencial ou corrente), a
discretizao do contorno e a resoluo sistema gerado fornece os valores das correspondentes
respostas (corrente ou potencial). Isso, de fato, reduz consideravelmente a quantidade de operaes que devem ser realizadas computacionalmente, o que pode gerar uma economia de tempo
na reconstruo de uma imagem. De fato, existem atualmente diversos trabalhos que aplicam o
MEC especificamente para o problema da TIE [ECKEL e KRESS, 2007], [CLERC et al., 2005]
e [BABAEIZADEH e BROOKS, 2007].
Para finalizar esse captulo, faz-se til fazer uma breve discusso sobre a resoluo do problema inverso, especificamente sobre as tcnicas que utilizam a abordagem funcional. Apesar
do objetivo desse trabalho ser a resoluo do problema direto, especificamente utilizando-se
o MEC, para algumas discusses que sero feitas nos prximos captulos necessrio que se
conhea algumas caractersticas sobre a resoluo do problema inverso.
A abordagem funcional para resoluo do problema inverso consiste em confrontar os dados obtidos a partir de dois modelos diferentes, um numrico, implementado computacionalmente, e outro experimental, obtido a partir de medidas reais. Para isso, cria-se um funcional
de erro que mede a diferena entre as informaes obtidas pelos dois modelos e que deve ser
minimizado atravs de um processo de otimizao, tais como os Algoritmos Genticos (AG)
[ROLNIK, 2003], o Mtodo de Otimizao Topolgica (MOT) [LIMA, 2006] e o Simulated
Annealing (SA) [HERRERA, 2007].
O funcional de erro deve ser construdo de forma a ser capaz de detectar as discrepncias
geradas entre os valores das respostas (medida experimentalmente e calculada numericamente),
quando se altera a distribuio de concondutividade no interior do domnio. Por exemplo,
37
denotando por Jreal o vetor cujas componentes correspondem aos valores dos fluxos de corrente
medidos experimentalmente nos eletrodos e por Jcalc o vetor cujas componentes correspondem
aos valores dos fluxos de corrente calculados numericamente, pode-se definir o funcional de
erro e() da seguinte forma
e() = kJreal Jcalc k
(3.14)
que representa a mxima diferena entre os valores das compontentes do vetor Jreal e os valores
das compontentes do vetor Jcalc . Deve-se destacar que essa definio para o funcional de erro
uma escolha possvel entre outras. Pode-se, por exemplo, definir o funcional de erro como
sendo o quadrado da norma do mximo entre os vetores Jreal e Jcalc ou como uma outra funo
qualquer que seja capaz de expressar a diferena entre os modelos nmerico e experimental.
A partir da definio do funcional de erro, o processo de otimizao consiste em procurar
a distribuio de condutividade no interior do domnio que produza o mnimo global para o
valor de e(). Para isso, deve-se utilizar um algoritmo de busca que, em geral, consiste em
propor uma distribuio inicial para a condutividade (aprox ) no interior do domnio com a qual
resolve-se as Equaes (3.9), (3.10) e (3.11), determinando uma resposta para Jcalc . Em outras
palavras, dada uma distribuio de aprox , resolve-se o problema direto. O valor encontrado
para Jcalc ento confrontado com o valor de Jmed medido pelos eletrodos colocados na fronteira do corpo, gerando um valor para o funcional de erro e(). Em seguida o processo deve
ser repetido para diferentes distribuies de condutividade aprox at que se encontre o mnimo
global de e(). No final do processo, a distribuio de condutividade que produzir o mnimo
global do funcional de erro dever corresponder quela que mais se aproxima da distribuio
real de condutividade real no interior do domnio e, portanto, representa a imagem procurada.
Numa situao ideal, por exemplo, a imagem procurada deve corresponder distribuio de
aprox que anule o funcional de erro.
e() = 0
Jreal = Jcalc
aprox = real
(3.15)
A Figura (3.5) mostra o esquema da resoluo do problema direto, o clculo do funcional

de erro e o processo de busca pelo mnimo de e() para a produo de uma imagem. importante notar que essa abordagem requer que o problema direto seja resolvido a cada iterao do
processo, ou seja, a cada alterao que o algoritmo de busca realizar na distribuio da condutividade aprox , at que o mnimo global de e() seja atingido. Essa sistemtica normalmente
demanda um elevado tempo computacional, sendo essa uma das grandes desvantagens que a
38
TIE apresenta atualmente. Portanto, o desenvolvimento de mtodos mais robustos e rpidos

para resolver o problema direto de fundamental importncia [LIONHEART, 2004]. nesse
contexto que h uma perspectiva promissora para o MEC pois, ao apresentar um sistema linear
relativamente pequeno, demanda menos tempo computacional para a resoluo do problema
direto do que os outro mtodos de discretizao. Sendo assim, possivel realizar um nmero
maior de avaliaes do funcional de erro e() na busca do mnimo global, sem acarretar aumento significativo no tempo computacional para a reconstruo de cada imagem.
Figura 3.5: Esquema de otimizao do funional de erro
39
O Mtodo dos Elementos de Contorno
Na prtica, a grande maioria dos problemas de fsica, engenharia e outras reas das cincias exatas so demasiadamente complexos para serem tratados analiticamente. De fato, os
modelos matemticos utilizados em tais reas so normalmente equaes diferenciais parciais,
muitas vezes no lineares, contendo um grande nmero de varveis e condies de contorno
nada simples. Para esses casos, portanto, deve-se recorrer aos mtodos de soluo numrica.
Neste captulo ser apresentado o Mtodo dos Elementos de Contorno (MEC) e sua formulao
matemtica, especificamente para o caso de um domnio bidimensinal (2D), destacando-se a
equao principal que relaciona os potenciais e fluxos no contorno com os potenciais no interior do domnio. Deve-se mencionar que todo o desenvolvimento matemtico realizado neste
captulo e a implementao computacional que ser feita no prximo captulo so baseados no
livro A Beginners Course in Boundary Element Methods [ANG, 2007].
4.1 O MEC aplicado a TIE

Pode-se abordar o problema da TIE de duas formas diferentes. Na primeira, considera-se
que a condutividade no interior do domnio no constante, ou seja, o valor de varia de ponto
para ponto do domnio. Neste caso, adota-se como contorno do domnio apenas o contorno
externo, no qual se aplica a excitao e se obtm a resposta. Desta forma, a resoluo do
problema consistir em determinar os valores de em cada ponto ou regio interna do corpo
(Fig. 4.1a).
Uma segunda possibilidade tratar o domnio com condutividade constante, mas contendo
algumas regies com condutividade nula, como se fossem bolhas de ar ou de outro material
isolante no interior de uma soluo condutora. Neste caso, considera-se como contorno do
problema tanto o contorno externo como os contorno internos que separam as regies de no
condutividade das regies condutoras. Com isso, o problema se resume na determinao das
posies e dos tamanhos das regies internas de no condutividade(Fig. 4.1b). Esse caso especialmente interessante pois simplifica a Eq. (3.9). De fato, sendo a condutividade constante,
4.1 O MEC aplicado a TIE
40
Figura 4.1: Duas abordagens para o problema da TIE

ela pode ser eliminada da equao de forma a se obter simplesmente o laplaciano do potencial
eltrico (Eq. 4.1) 1 .
2 =
2 2
+
=0
x2 y2
(4.1)
Neste trabalho, escolheu-se aplicar o MEC para esse caso especfico, em que considerase a condutividade constante no interior do domnio. Portanto, pode-se dizer que o objetivo
especfico resolver numericamente a Eq. (4.1) atravs do Mtodo dos Elementos de Contorno,
de forma a se obter os potenciais eltricos nos pontos internos do domnio e os potenciais e
fluxos sobre o contorno. Primeiramente, isso ser feito com um domnio simples, sem incluses
de regies de condutividade nula, e em seguida ser considerado o caso com incluses.
Como j mencionado, a formulao do MEC e o programa implementado neste trabalho
aceita condies de contorno de ambos os tipos, Dirichlet (potencial imposto) e Neumann (fluxo
imposto), bem como o caso misto (Dirichlet em uma parte do contorno e Neumann na parte
complementar). Considere, portanto, o caso mais geral em que se tem um domnio delimitado
por uma curva fechada composta de duas curvas 1 e 2 , tal que 1 2 = (Fig
4.2).
Desta forma, pode-se impor condies de contorno de tipos diferentes em cada parte do contorno (Eq. 4.2 e Eq. 4.3).
1 Para
um domnio bidimensinal (2D)
4.2 A formulao matemtica
41
Figura 4.2: Domnio simples do MEC
= (x, y)
para
(x, y) 1
(4.2)
= J(x, y)
para (x, y) 2
(4.3)
n
onde e J so, respectivamente, os potenciais eltricos sobre 1 e a componente normal dos
fluxos de corrente sobre 2 , e ~n o vetor unitrio normal ao contorno apontando para fora do
domnio.

A idia principal do MEC transformar a equao diferencial parcial (Eq. 4.1) que atua
sobre todo o domnio em uma equao integral que atua somente sobre o contorno do
domnio. Essa transformao feita atravs da chamada soluo recproca, que basicamente
uma relao entre duas solues quaisquer, 1 e 2 , da EDP e suas derivadas na direo normal,
1 /n e 2 /n, sobre o contorno.
A obteno da soluo recproca pode ser feita, de forma relativamente simples, atravs do
teorema da divergncia do clculo diferencial e integral. Considere, por exemplo, que F seja
uma funo vetorial que atua sobre o domnio dada por
F = Fxi + Fy j
e que n = nxi + ny j seja o vetor unitrio normal ao contorno . O teorema da divergncia
42
afirma que
ZZ
F n ds =
Fdxdy
que equivale igualmente a

ZZ
(Fx nx + Fy ny ) ds =
Fx Fy
dxdy
+
x
y
(4.4)
Considerando que 1 e 2 sejam duas solues quaisquer da Eq. (4.1), tm-se

2 1 2 1
+ 2 =0
x2
y
(4.5)
2 2 2 2
+ 2 =0
x2
y
(4.6)
Multiplicando a Eq. (4.5) por 2 e a Eq. (4.6) por 1 , e tirando a diferena obtm-se
2 2
2 1
2 2
2 1
=0
1
2
1
x2
x2
y2
y2
que corresponde ao resultado de
1
2
1
2
2
1
+
2
1
=0
x
x
x
y
y
y
(4.7)
Integrando a Eq. (4.7) em todo o domnio , obtm-se

ZZ
2
2
1
1
1
2
+
2
dxdy = 0
x
x
x
y
y
y
(4.8)
Por sua vez, comparando a Eq. (4.8) com o teorema da divergncia dado por (4.4), pode-se
dizer que
Fx = 2
2
1
1
x
x
Fy = 2
1
2
1
y
y
43
Portanto, aplicando o teorema da divergncia, obtemos

Z

1
2
1
2
2
1
nx + 2
1
ny ds = 0
x
x
y
y
cujo desenvolvimento produz

Z
1
1
2
2
2
nx + 2
ny 1
nx + 1
ny ds = 0
x
y
x
y
(4.9)
Considerando que
2
1
1
1
nx + 2
ny = 2
x
y
n
2
2
2
nx + 1
ny = 1
x
y
n
a Eq. (4.9) produz a soluo recproca.
1
2
2
1
ds(x, y) = 0
n
n
(4.10)
Como mencionado, a soluo recproca (Eq.4.10) fornece uma relao entre duas solues
quaisquer 1 e 2 da Eq.(4.1). Sendo assim, pode-se afirmar que, caso se conhea pelo menos
uma das solues, a outra pode, a princpio, ser determinada a partir de soluo recproca.
Seguindo essa idia, portanto, se faz necessria agora a determinao de uma soluo particular
para a EDP(4.1).
Uma forma de se fazer isso convertendo as coordenadas retangulares (x, y) para coordenadas polares (r, ) tal que x = r cos e y = r sin . Com isso, pode-se definir uma nova funo
(r, ) = (x, y) de forma que a Eq.(4.1) adquire a forma
1 2
=0
r
+ 2
r r
r
r
2
No caso em que a funao no depende de , ou seja, quando for funo apenas de r a
equao acima se reduz a uma equao diferencial ordinria
4.3 A equao integral sobre o contorno
44
d
d
r [(r)] = 0
dr dr
para
r 6= 0
Neste caso, uma possvel soluo analtica pode ser dada por
1
(r) = ln(r)
2
(4.11)
Considerando que o centro do sistema de coordenadas seja (, ), pode-se escrever o valor

p
de r como r = (x )2 + (y )2 . Portanto, a Eq. (4.11) pode ser dada, em coordenadas
retangulares por
1
(x, y) =
ln
2
q
(x )2 + (y )2
que, por sua vez, produz a chamada soluco fundamental
(x, y; , ) =
1
ln[(x )2 + (y )2 ]
4
para
(x, y) 6= (, )
(4.12)

A partir de agora, com as equaes (4.12) e (4.10) pode-se determinar a equao integral
do MEC que permite resolver o problema de valor de contorno (PVC) dado por (4.1), (4.2) e
(4.3). Considere que 1 = (x, y; , ) seja a soluo fundamental dada pela Eq. (4.12) e que
2 = seja a soluo procurada do PVC. Ento, usando a Eq. (4.10), tm-se
(x, y) ((x, y; , )) (x, y; , ) ((x, y)) ds(x, y) = 0

n
n
para
(, )
/ (4.13)
Deve-se notar que a Eq. (4.13) vale para pontos (, ) que no pertencem ao domnio
nem ao contorno . Naturalmente que esta restrio, a princpio, inviabiliza a resoluo do
problema. No entanto, possvel contorn-la de forma a se determinar duas equaes diferentes,
uma que aceita pontos no interior do domnio e outra que pode ser aplicada em pontos do
45
contorno . O desenvolvimento matemtico para isso demasiadamente extenso e pode ser

encontrado na referncia [ANG, 2007].
Resumidamente, para o caso em que (, ) localiza-se no interior de , a Eq.(4.13) produz
(, ) =
(x, y) ((x, y; , )) (x, y; , ) ((x, y)) ds(x, y)

n
n
para
(, ) (4.14)
J para o caso em que (, ) localiza-se no contorno a Eq.(4.13) produz
1
(, ) =
2
(x, y) ((x, y; , )) (x, y; , ) ((x, y)) ds(x, y)

n
n
para(, ) (4.15)
De fato, as Eqs. (4.14) e (4.15) fornecem as ferramentas necessrias para resolver o PVC
dado por (4.1), (4.2) e (4.3). Primeiramente, deve-se lembrar que na parte do contorno onde
se impe o potencial (Eq. 4.2), no se conhece o valor de /n. Por outro lado, na parte
onde se impe o fluxo J, desconhece-se o valor do potencial . Sendo assim, primeiramente
deve-se usar a Eq. (4.15) para determinar os valores desconhecidos de e /n nos pontos do
contorno .
Neste ponto, importante notar o quanto que a Eq.(4.15) de fundamental importncia,
especificamente para o problema da Tomografia de Impedncia Eltrica. De fato, na TIE a
nica regio acessvel para troca de informao (excitao/resposta) com o corpo sensoriado
atravs do contorno externo, onde so acoplados os eletrodos. Sendo assim a aplicao da Eq.
(4.15) fornece toda relao entre excitao (potencial ou fluxo) e resposta (fluxo ou potencial)
sobre o contorno, sem a necessidade de se determinar os potenciais nos pontos internos do
domnio.
De qualquer maneira, uma vez conhecidos os valores de e /n em todos os pontos
do contorno, pode-se usar a Eq. (4.14) para calcular os valores do potencial em qualquer
ponto (, ) do domnio , caso seja necessrio. Naturalmente que a formulao apresentada
considera o domnio e o contorno como regies contnuas, contendo infinitos pontos. J a
resoluo numrica do problema, no entanto, requer que tanto as equaes (4.14) e (4.15), como
46
o contorno tenham que ser discretizados. A discusso sobre a discretizao do problema e

a implementao computacional o assunto do prximo captulo.
47
Discretizao e Implementao
Computacional
Neste captulo, ser discutida e implementao computacional do Mtodo dos Elementos de

Contorno para resolver o problema direto da TIE. Para isso, primeiramente ser mostrado como
feita a discretizao do problema (equaes integrais e contorno). Em seguida, apresentam-se
os passos necessrios para a implementao computacional que, particularmente neste trabalho,
foi realizada em linguagem C.
5.1 A discretizao do problema

O processo de discretizao necessrio para a utilizao do MEC na resoluo de um PVC
feito em duas etapas. Primeiramente deve-se discretizar o domnio, que no caso do MEC,
significa discretizar apenas o contorno do domnio. Em seguida, feita a discretizao das
equaes (4.14) e (4.15), aproximando-se as integrais para um somatrio de um nmero finito
de termos.
Considere, portanto, um domnio fechado atravs de um contorno . A discretizao
do contorno realizada aproximando-o de um polgono de N lados (1) , (2) , ..., (N1) e
(N) , tal que

= (1) (2) ... (N1) (N)
Os vrtices P1 , P2 , ..., PN e PN+1 do polgono so definidos por suas coordendas (x(1) , y(1) ),
(x(2) , y(2) ), ... , (x(N1) , y(N1) ) e (x(N) , y(N) ), sendo que, como garantia de que o polgono seja
fechado, por conveno define-se (x(N+1) , y(N+1) ) = (x(1) , y(1) ) (Fig. 5.1).
Segundo [BREBBIA e DOMINGUEZ, 1992], os valores de e /n em cada elemento
podem ser tratados de trs modos diferentes: i) consideram-se os valores constantes ao longo
de todo o elemento; ii) considera-se que os valores variam linearmente ao longo do elemento;
5.1 A discretizao do problema
48
Figura 5.1: Domnio discretizado

iii) considera-se que os valores variam quadraticamente ao longo do elemento. Para o presente
trabalho, considerou-se o caso i), chamado de elementos constantes, por apresentar uma soluo
analtica para as integrais da soluo fundamental que devero ser calculadas ao longo de cada
elemento. Portanto, pode-se assumir que em cada elemento (lado do polgono) os valores de
e /n so constantes e dados por
(k)
(x, y)
=
em que
(k)
(x, y) (k)
=p
n
para
(x, y) (k)
(k = 1, 2, ..., N)
e p(k) so os valores de e /n no ponto mdio (x(k) , y(k) ) do elemento (k) ,
respectivamente.
Realizada a discretizao do contorno , pode-se agora discretizar as equaes integrais,
transformando-as em somatrios. No caso da Eq. (4.14), definida para pontos (, ) no interior
do domnio, obtm-se
i
h
(k) (k)
(k) (k)
F
(,
)
p
F
(,
)
2
1
N
(, ) =
(5.1)
k=1
e para o caso da Eq. (4.15), definida para pontos (, ) sobre o contorno (que agora devem ser
5.2 O sistema linear
49
pontos sobre os elementos de contorno), obtm-se

i
N h
1
(k) (k)
(k)
(, ) = F2 (, ) p(k) F1 (, )
2
k=1
(k)
(5.2)
(k)
sendo que F1 (, ) e F2 (, ) correspondem integral da soluo fundamental e integral

da derivada na direo normal da soluo fundamental, respectivamente, sobre cada elementos
de contorno (k) , considerando-se um ponto(, ) em relao ao qual deseja-se resolver as
equaes (5.1) e (5.2).
Z
(k)
F1 (, ) =
(x, y; , )ds(x, y)
(5.3)
[(x, y; , )]ds(x, y)
n
(5.4)
(k)
(k)
F2 (, ) =
(k)

Analisando as Eqs. (5.1) e (5.2), deve-se notar que para cada k dado,
(k)
ou p(k) co-
nhecido, mas no ambos. Fisicamente falando, significa que para cada elemento (k) , sabe-se
o valor do potencial eltrico imposto (Dirichlet), mas no se conhece o fluxo de corrente resultante (Neumann), ou vice-versa, conhece-se o valor do fluxo de corrente imposto, mas no
se sabe o valor do potencial. Portanto, tm-se N valores desconhecidos que devero ser determinados a partir da gerao de um sistema linear de N equaes atravs da Eq. (5.2). Para
isso, deve-se considerar (, ) como sendo o ponto mdio (x, y) de cada elemento, de forma a
obter-se
i
N h
1 (m)
(k) (k) (m) (m)
(k) (k) (m) (m)
= F2 (x , y ) p F1 (x , y )
2
k=1
para
m = 1, 2, ...N (5.5)
Considerando que tanto como p podem ser incgnitas na Eq.(5.5), dependendo de qual
elemento (k) se considera, pode-se generalizar denotando por z(k) as incgnitas do sistema e
escrev-lo da seguinte forma
50
a(mk)z(k) =
k=1
b(mk)
para
m = 1, 2, ..., N
(5.6)
k=1
que tambm pode ser expresso como

a(11) z(1) + a(12) z(2) + ... + a(1N) z(N) = b(11) + b(12) + ... + b(1N)
a(21) z(1) + a(22) z(2) + ... + a(2N) z(N) = b(21) + b(22) + ... + b(2N)
.
a(N1) z(1) + a(N2) z(2) + ... + a(NN) z(N) = b(N1) + b(N2) + ... + b(NN)
onde a(mk) , b(mk) e z(k) so definidos como

(
a(mk)
(k)
(k)
[F2 (x(m) , y(m) ) + 12 (mk) ] se

(k)
p(k) F1 (x(m) , y(k) )
(mk) =
(k)
se
(k)
definido sobre
/n
definido sobre
(k)
(k)
(5.7)
0 se m 6= k
1 se m = k
(
=
definido sobre
(k)
z(k)
se
F2 (x(m) , y(k) ) 12 (mk) se /n definido sobre

(
b(mk)
(k)
F1 (x(m) , y(m) )
p(k) se
(k)
se
definido sobre
/n
(k)
definido sobre
(k)
Deve-se notar que a dimenso do sistema linear corresponde ao nmero N de elementos de

contorno que se adota para a discretizao. Neste ponto, aparece uma das vantagens do MEC
em relao ao MEF, por exemplo, pois neste, a necessidade de discretizao de todo o domnio
gera um sistema consideravelmente maior. Alm disso, a resoluo do sistema dado por (5.6)
fornece todos os valores do potencial e do fluxo J sobre o contorno sem a necessidade de se
calcular os potenciais eltricos no interior do domnio. Como j mencionado, essa caracterstica
especialemente interessante para a TIE, visto que as informaes so obtidas apenas sobre o
contorno do objeto a ser imageado.
De qualquer maneira, aps resolver o sistema e obter todos os valores de e J sobre os elementos do contorno, pode-se usar a Eq. (5.1) para determinar os valores de nos pontos (, )
5.3 A soluo analtica de F1 e F2
51
pertencentes ao interior do domnio . Tambm neste ponto, deve-se notar outra vantagem
do MEC. Aps a resoluo do sistema uma nica vez, o clculo do potencial pode ser feito
em qualquer e em quantos pontos forem necessrios do interior do domnio, diferentemente do
MEF e do MDF nos quais a resoluo do sistema fornece o potencial em apenas alguns pontos especficos (pontos pertencentes rede). Por sua vez, no MEC, para cada ponto (, ) do
interior do domnio no qual se deseja calcular o potencial , deve-se fazer um somatrio de
h
i
(k) (k)
(k)
F2 (, ) p(k) F1 (, ) sobre os N elementos do contorno.

O clculo dos potenciais e dos fluxos nos pontos do contorno a partir da Eq.(5.2) e dos potenciais nos pontos internos do domnio a partir da Eq.(5.1) necessitam dos valores de F1 (, ) e
F2 (, ), dados pelas equaes (5.3) e (5.4). Isso pode ser feito a partir da integrao numrica
das equaes (5.3) e (5.4), como por exemplo a partir da regra da quadratura de Gauss, mtodo
usado em [BREBBIA e DOMINGUEZ, 1992]. De qualquer maneira, outras tcnicas de integrao numrica podem ser econtradas em [PRESS et al., 1992] e [BURDEN e FAIRES, 2008].
Particularmente neste trabalho, por considerar os valores de e /n constantes ao longo
de cada elemento, foi possvel utilizar solues analticas para as integrais (5.3) e (5.4). Os
desnvolvimentos matemticos para a determinao dessas solues so extensos e podem ser
encontrados na referncia [ANG, 2007].
Para os clculos de F1 (, ) e F2 (, ) a partir das solues analticas, se faz necessria a
determinao do vetor unitrio normal n = nxi + ny j a cada elemento do contorno apontando
para fora do domnio, sendo
nx =
y(k+1) y(k)
`(k)
ny =
x(k) x(k+1)
`(k)
(5.8)
sendo `(k) o comprimento de cada elemento (k) do contorno. Deve-se notar que a Eq.(5.8)
garante que o vetor normal aponta para fora do domnio somente se a numerao dos pontos
do contorno e, conseqentemente de suas coordenadas, for feita no sentido anti-horrio, como
mostra a Fig.(5.1).
Com isso, define-se os seguintes parmetros
52
A(k) = (`(k) )2
(k)
(k)
B(k) (, ) = [ny (x(k) ) + (y(k) )nx ](2`(k) )

E (k) (, ) = (x(k) )2 + (y(k) )2
Finalmente, as solues analticas das integrais dadas pelas Eqs. (5.3) e (5.4) so
(k)
F1 (, ) =
B(k) (, )
`(k)
B(k) (, )
)
ln
|1
+
|
{ln(`(k) ) + (1 +
2
2A(k)
2A(k)
B(k) (, ) B(k) (, )
ln |
| 1}
2A(k)
2A(k)
para
(k)
F1 (, ) =
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2 = 0 (5.9)
`(k)
B(k) (, ) E (k) (, )
ln |
|
{2[ln(`(k) 1)]
4
2A(k)
A(k)
B(k) (, )
B(k) (, ) E (k) (, )
+ (1 +
) ln |1 +
+
|
(K)
2A
A(k)
A(k)
q
+
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2

A(k)
[arctan( q
2A(k) + B(k) (, )
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2

B(k)
arctan( q
)]}
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2
para
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2 > 0 (5.10)
para
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2 = 0 (5.11)
(k)
F2 (, ) = 0
5.4 Implementao computacional
(k)
F2 (, ) =
(k)
53
(k)
`(k) [nx (x(k) ) + ny (y(k) )]

q
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2
2A(k) + B(k) (, )
[arctan( q
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2

B(k) (, )
arctan( q
)]
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2
para
4A(k) E (k) (, ) [B(k) (, )]2 > 0 (5.12)

Uma implementao computacional do mtodo foi realizada usando a linguagem C. O
programa foi testado para vrios exemplos considerando-se dois domnios diferentes (quadrado
e circular). Em cada teste variou-se o nmero de elementos de contorno, o tipo (Dirichlet,
Neumann ou mista) e o valor das condies de contorno bem como o refinamento da rede
interna dos pontos nos quais se calculou o valor de . Independente da geometria do domnio,
a espinha dorsal do programa divide-se nas seguintes partes:
1. declarao de variveis e definio de parmetros globais do programa (nmero N de
elementos de contorno, dimenses do domnio, contadores, etc);
2. definio das coordenadas (x(k) , y(k) ) dos pontos correspondentes ao inicio de cada elemento k do contorno1 ;
3. definio do tipo (Dirichlet ou Neumann) e do valor da condio de contorno para cada
elemento k do contorno;
4. construo do sistema linear;
clculo dos pontos mdios (x(k) , y(k) ) e dos vetores unitrios normais [nx , ny ] para
cada elemento k do contorno;
clculo das funes F1 e F2 pelas Eqs. (5.9), (5.10), (5.11) e (5.12) considerando
(, ) como o ponto mdio (x(k) , y(k) ) dos elementos;
1 Deve-se
lembrar de adotar (x(N+1) , y(N+1) ) = (x(1) , y(1) )
54
construo das equaes do sistema usando a Eq.(5.6) considerando as condies

dadas por (5.7)
5. resoluo do sistema linear 2 ;
6. clculo do potencial nos pontos internos do domnio
definio do ponto (, ) do domnio no qual se deseja calcular o valor de ;
clculo da funes F1 e F2 pelas Eqs. (5.9), (5.10), (5.11) e (5.12) condiderando
(, ) como o ponto onde deseja-se determinar valor de ;
clculo do valor de (, ) a partir da Eq.(5.1)
7. sada dos resultados.
Novamente vale destacar algumas caractersticas fundamentais do MEC quando implementado computacionalmente. Primeiramente, a matriz de coeficientes do sistema linear (5.6) no
depende das coordenadas (, ) dos pontos internos onde ser calculado valor de . Por sua
vez, ela depender dos pontos que definem os elementos de contorno e, conseqentemente,
dos pontos mdios e dos vetores unitrios normais de cada elemento. Uma das conseqncias
importantes dessa caracterstica est no fato de que o tamanho N da matriz do sistema linear
depende exclusivamente do nmero de elementos de contorno e no depende da quantidade de
pontos da rede interna nos quais de deseja calcular o valor de . Em outras palavras, o nmero
de pontos da rede interna pode ser consideravelmente grande, gerando um refinamento bastante
satisfatrio, mesmo que o tamanho da matriz, definido pela quantidade de elementos de contorno, seja relativamente pequeno. Alm disso, o sistema linear necessita ser resolvido uma
nica vez pois, determinados os valores de e J sobre todos os elementos do contorno, podese deterinar o valor de em qualquer ponto do interior do domnio, independente de quantos
sejam, sem que seja necessrio resolver o sistema novamente.
A implementao tambm pode ser feita de forma a considerar regies no condutoras
no interior do domnio. Para isso, considera-se como contorno do problema tanto o contorno
externo ext como os contornos internos int . Por sua vez, nos contornos internos o vetor
unitrio normal deve apontar para dentro da regio de no condutividade, pois esta corresponde
ao exterior do domnio. Matematicamente, isso pode ser feito fazendo a numerao dos pontos
no sentido horrio, contrrio de como realizada no contorno externo, como mostra a Fig.(5.2).
Tambm deve-se atentar, durante a implentao, para a passagem do contorno externo
para o contorno interno, ou de maneira geral, para a passagem de um contorno qualquer para
2 No
programa implementado foi usado o Mtodo de Eliminao da Gauss
55
Figura 5.2: Domnio discretizado com incluso interna

outro. De fato, os clculos do ponto mdio (x, y), do vetor unitrio normal [nx , ny ] bem como a
definio da condio de contorno para cada elemento de contorno, que por fim so utilizados
na gerao do sistema linear, devem ser realizados seguindo uma certa regra. Por exemplo,
considere a Fig. (5.2), na qual o contorno externo ext dividido em 6 elementos de contorno e o contorno interno int , tambm em 6 elementos de contorno, gerando um total de
12 elementos. Para o contorno externo ext , os clculos associados ao elemento (1) , devem ser feitos utilizando-se os pontos (x(1) , y(1) ) e (x(2) , y(2) ), para o elemento (2) , os pontos
(x(2) , y(2) ) e (x(3) , y(3) ) e para o elemento (k) , os pontos (x(k) , y(k) ) e (x(k+1) , y(k+1) ). Por
sua vez, considerando o contorno interno int , a relao muda pois, para os clculos associados ao elemento (7) devem ser usados os pontos (x(8) , y(8) ) e (x(9) , y(9) ), para o elemento
(8) , os pontos (x(9) , y(9) ) e (x(10) , y(10) ) e para o elemento (k) , os pontos (x(k+1) , y(k+1) ) e
(x(k+2) , y(k+2) ).
Esse procedimento necessrio, pois entre o ltimo ponto de um contorno e o primeiro
ponto do prximo contorno, a princpio, existe um "elemento virtual" que no pode ser levado
em considerao durante a gerao do sistema linear. No caso da Fig. (5.2), por exemplo,
esse "elemento virtual" est compreendido entre os pontos P7 (x(7) , y(7) ) e P8 (x(8) , y(8) ). Naturalmente que o procedimento descrito acima pode ser realizado considerando-se mais do que
uma incluso interna. O importante que ele seja feito sempre que houver a passagem de um
contorno para outro.
56
Simulaes Numricas e Resultados
Neste captulo, so apresentados os testes e simulaes numricas bem como os resultados

obtidos pelo programa discutido no captulo anterior. Os testes e simulaes foram realizados
considerando-se dois tipos de domnio: quadrado e circular. Tambm foram aplicadas diversos
tipos e com variados valores de condies de contorno, tanto no caso em que os potenciais so
impostos (condio de Dirichlet), como no caso em que os fluxos so impostos (condio de
Neumann) e tambm no caso misto, em que parte do contorno recebe condio de Dirichlet e a
parte complementar recebe condio de Neumann. Para os testes foi utilizado um computador
com processador Intel Core(TM)2Duo de 2,5GHz e 2GB de RAM.
Teste 1.
O primeiro problema a ser testado consiste em um domnio quadrado de lado unitrio L = 1
definido no plano cartesiano como a regio 0 < x < 1 e 0 < y < 1, com as seguintes condies
de contorno
= 75
para
x=0
e 0<y<L
= 100 para
x=L
0<y<L
= 50
para
y=0
0<x<L
=0
para
y=L
0<x<L
Esse exemplo foi retirado da referncia [FORTUNA, 2000]. No livro, o problema foi proposto considerando uma chapa plana bidimensional com condutibilidade trmica uniforme e
constante onde as condies de contorno correspondem s temperaturas, consideradas constantes, que cada lado da chapa submetido. Sendo um regime estacionrio e no havendo
fontes trmicas internas, a temperatura no interior da chapa pode ser descrita pelo laplaciano da
temperatura T (6.1).
2 T = 0
(6.1)
57
A resoluo apresentada no livro baseia-se no Mtodo das Diferenas Finitas (MDF). Foi
escolhida uma malha interna de 9 pontos (3x3) nos quais a temperatura T foi calculada.
Figura 6.1: Domnio quadrado de lado unitrio discretizado pelo MDF

O sistema linear foi resolvido utilizando o Mtodo de Gauss-Seidel e os resultados obtidos
esto mostrados na Tab. (6.1).
Tabela 6.1: Distribuio de temperaturas calculada pelo MDF
0, 00
75, 00 42, 85
75, 00 58, 70
75, 00 60, 71
50, 00
0, 00
37, 72
56, 24
59, 15
50, 00
0, 00
51, 78 100, 0
69, 41 100, 0
69, 64 100, 0
50, 00
O teste com o MEC foi realizado utilizando um total de 16 elementos de contorno (4 elementos por lado do domnio) e resoluo do sistema linear atravs de Mtodo de Eliminao
de Gauss. Como forma de comparao com o resultado obtido pelo MDF, tambm foi escolhida uma rede interna de 9 pontos (3x3) (os mesmos pontos escolhidos no teste com o MDF),
lembrando que ela poderia ser maior e mais refinada, caso fosse necessrio, no acarretando
aumento no tamanho do sistema linear. Os resultados obtidos pelo MEC esto mostrados na
Tabela (6.2).
Tabela 6.2: Distribuio de temperaturas calculada pelo MEC
0, 00 0, 00
75, 00 42, 58 36, 46
75, 00 59, 28 56, 25
75, 00 60, 81 58, 81
50, 00 50, 00
0, 00
51, 69 100, 0
70, 45 100, 0
69, 92 100, 0
50, 00
58
Nota-se que os resultados obtidos pelo MEC esto muito prximos daqueles obtidos pelo
MDF. Esse primeiro teste considerou apenas condio de contorno do tipo Dirichlet, na qual as
temperaturas T so impostas sobre o contorno. Apesar de ser um teste simples, foi a primeira
validao do programa realizda aps sua implementao.
Teste 2.
Esse teste foi realizado com trs problemas de valor de contorno (6.2), (6.3) e (6.4) que
possuem solues analticas, pois assim pode-se fazer uma comparao mais eficiente para validar os resultados numricos obtidos pelo MEC. O PVC I corresponde a um domnio quadrado
com condies de contorno impostas somente do tipo Dirichlet. O PVC II tambm corresponde a um domnio quadrado, com condies de contorno mista. Finalmente, o PVC III s
aplica condies de contorno do tipo Dirichlet, porm corresponde a um domnio circular. Os
domnios para os trs PVCs esto mostrados na Fig. (6.2).
2 = 0
(x, 0) = 0
(PVC I) (0, y) = 0
(x, 1) = x
(1, y) = y
(x, y) = [0, 1] [0, 1]

para
x [0, 1]
para
y [0, 1]
para
x [0, 1]
para
y [0, 1]
(6.2)
Cuja soluo analtica (x, y) = x.y
2 = 0
(0, y) = 0
(PVC II)
para
y [0, 1]
(1, y) = cos( y)
para
y [0, 1]
n (x, 0) = 0
n (x, 1) = 0
para
x [0, 1]
para
x [0, 1]
Cuja soluo analtica (x, y) =

(
(PVC III)
(x, y) = [0, 1] [0, 1]

(6.3)
senh( x)cos( y)
senh()
2 = 0
(x, y) = {(x, y) R2 ; x2 + y2 1}
(x, y) = x + y
(x, y) = {(x, y) R2 ; x2 + y2 = 1}
Cuja soluo analtica (x, y) = x + y.
(6.4)
59
PVC III
PVC II
PVC I
Figura 6.2: Domnio dos PVCs

Para o PVC I e o PVC II, o programa calculou a soluo numrica em 400 pontos internos
uniformemente distribudos uma rede 20 20. Para o PVC III, o programa gerou uma rede
de 23 23 pontos centrada na origem do sistema cartesiando (que coincide com o centro do
domnio circular) e as solues numricas foram calculadas somente nos pontos da rede localizados no interior do domnio. Com isso, o nmero de pontos internos avaliados no PVC III
varia dependendo do nmero de elementos de contorno escolhido, pois o polgono que resulta
da discretizao pode se aproximar mais ou menos da geometria cirucular do domnio. Um erro
relativo ER dado pela Eq. (6.5), foi usado para comparar os resultados numricos aprox com
os resultados analticos real , em cada ponto avaliado pelo programa.
ER =
|real aprox |
|max{real } min{real }|
(6.5)
O programa foi rodado para os trs problemas (6.2), (6.3) e (6.4) e para diferentes nmeros
N de elementos de contorno. O erro relativo para cada ponto avaliado foi ento calculado
e, enfim, determinou-se o maior erro relativo encontrado em cada um dos PVC e para cada
nmero diferente de elementos de contorno. Os resultados encontrados esto na Tab.(6.3).
Tabela 6.3: Decrscimo do erro relativo com o nmero de elementos de contorno
N
PVC I
PVC II
PVC III
N
PVC I
PVC II
BVP III
8
0.126272
0.130794
0.041643
64
0.000200
0.001191
0.001540
16
0.034791
0.028879
0.020570
72
0.000095
0.001073
0.002017
24
0.011614
0.008681
0.013420
80
0.000037
0.000904
0.000953
32
0.003459
0.005049
0.004693
120
0.000001
0.000495
0.000587
40
0.000897
0.002642
0.005977
160
0.000004
0.000321
0.000073
48
0.000419
0.002062
0.002567
200
0.000002
0.000228
0.000110
56
0.000315
0.001393
0.003557
240
0.000001
0.000172
0.000037
60
Os valores obtidos tambm foram colocados em um grfico no qual o eixo com os erros
relativos mximos est em escala logaritmica (Fig. 6.3). Pode-se notar que o erro relativo
decresce significativamente quando se aumenta o nmero de elmentos de contorno atingindo
valores consideravelmente baixos quando N > 200. O programa tambm foi rodado para os
trs PVC com N > 240. No entando, os resultados encontrados no apesntaram variaes
significativos no erro relativo.
PVC I
Erro (escala logaritmica)
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0
40
80
120
160
200
240
160
200
240
160
200
240
PVC II
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0
40
80
120
N
PVC III
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0
40
80
120
N
Figura 6.3: Relao entre o erro relativo e o nmero de elementos de contorno
61
Teste 3.
Esse teste procura avaliar a sensibilidade do mtodo em relao aos valores de resposta
no contorno quando uma incluso (regio de no condutividade) deslocada, mundando de
posio no interior do domnio. O domnio considerado novamente um quadrado de lado
unitrio definido pela regio [0, 1] [0, 1] e a incluso simulando a regio de no condutividade
tambm um quadrado definido pelo intervalo [0.61, 0.72] [0.61, 0.72] (Fig. 6.4).
Figura 6.4: Posio real da incluso no interior do domnio

O contorno externo foi discretizado em 80 elementos iguais (20 elementos por lado) e
o contorno interno em 16 elementos iguais (4 elementos por lado), gerando um total de 96
elementos de contorno. O perfil de potencial aplicadado no contorno (excitao) foi o triangular,
ou seja, foi imposto um potencial de 10V no elemento localizado na quina superior direita do
domnio e 0V no elemento localizado na quina diametralmente oposta sendo que nos outros
eletrodos os potenciais impostos variam linearmente entre 0V e 10V (Fig. 6.5). Como j foi
mencionado, a vantagem deste perfil que ele fora o fluxo de corrente a atravessar todo o
domnio produzindo uma maior sensibilidade s variaes da posio da incluso. J para o
contorno da incluso, foi imposto condio de contorno de Neumann com fluxo nulo (J = 0),
visto que se trata de uma regio no condutora.
O teste foi baseado na referncia [FIGUEROA E SELEGHIM, 2001]. A posio da incluso de prospeco alterada de forma que ela se desloca sobre a diagonal do quadrado
na qual exista o maior gradiente de potencial, ou seja, do canto inferior esquerdo at o canto
superior direito. Avaliou-se 8 posies sucessivas nas quais as coordenadas do canto inferior esquerdo da incluso assumiram os valores (0, 1; 0, 1), (0, 2; 0, 2), (0, 3; 0, 3), (0, 4; 0, 4),
(0, 5; 0, 5), (0, 6; 0, 6), (0, 7; 0, 7) e (0, 8; 0, 8), como mostra a Fig. (6.6).
62
Figura 6.5: Perfil triangular de potencial aplicado sobre o contorno
Figura 6.6: Deslocamento da incluso de prospeco ao longo da diagonal do domnio

Neste caso, o funcional de erro foi definido da mesma forma que a Eq. (3.14), ou seja, ele
compara os componentes de Jreal , que o vetor que contm os fluxos resultates nos elementos quando a incluso est em sua posio real, e os componentes de Jcalc , que corresponde
aos fluxos calculados numericamente pelo MEC para cada posio da incluso de prospeco
durante seu deslocamento ao longo da diagonal.
e = kJreal Jcalc k
(6.6)
Os resultados obtidos para o funcional de erro podem ser visto na Fig. (6.7) que corresponde ao grfico do valor de e, devidamente normalizado, para cada posio da incluso. O
grfico mostra que o mnimo para o funcional de erro e acontece para a posio 6 da incluso
de prospeco (Fig. 6.8). De fato, comparando com a Fig.(6.4) verifica-se que h uma boa
63
aproximao entre a posio real da incluso com a posio que minimiza o funcional de erro,
mostrando que o mtodo satisfatoriamente sensvel.
Figura 6.7: Valor normalizdo do funcional de erro e para as oito posies da incluso de prospeco
Figura 6.8: Posio da incluso de prospeco que minimiza o funcional de erro
64
Teste 4.
Por ltimo, realizou-se um teste para avaliar o tempo computacional empregado na execuo do programa. Para isso, escolheu-se um domnio quadrado de lado unitrio, sem incluses internas, com condio de contorno de Dirichlet definida por um perfil duplamente
triangular, no qual o potencial eltrico varia linearmente entre 0V no primeiro elemento localizado na quina inferior esquerda e 10V no elemento localizado na quina superior direita e, a
partir desta, varia novamente entre 0V at atingir 10V no ltimo elemento, localizado na quina
inferior esquerda (Fig. 6.9).
Figura 6.9: Perfil duplamente triangular de potencial aplicado sobre o contorno
Numa primeira etapa do teste, variou-se o nmero N de elementos de contorno e mediuse o tempo de execuo do programa considerando apenas o clculo das respostas (fluxos)
no contorno, sem considerar o clculo dos potenciais nos pontos internos do domnio. Os
resultados obtidos esto mostrados na Fig. (6.10).
Neste caso, notou-se que o tempo de processamento, como de se esperar, aumenta com o
aumento do nmero N de elementos de contorno. De qualquer forma, mesmo para um nmero
relativamente grande de elementos de contorno (N = 300), o tempo de processamento ficou
abaixo de 0, 5s.
Numa segunda etapa, fixou-se o nmero de elementos de contorno em N = 300 e variouse o nmero de pontos internos avaliados, nos quais foram calculados os potenciais eltricos,
medindo-se o tempo de execuo. Os resultados esto mostrados na Fig. (6.11). Tambm
foi calculado o tempo de execuo por ponto avaliado, ou seja, a razo entre o tempo total de
execuo e o nmero de pontos avaliados (Fig. 6.12).
65
Figura 6.10: Tempo de execuo do programa em funo do nmero de elementos de contorno
Figura 6.11: Tempo de execuo do programa em funo do nmero de pontos internos avaliados
Figura 6.12: Tempo de execuo do programa por ponto interno avaliado

Neste caso, pde-se notar que o tempo de processamento aumenta linearmente com o
nmero de pontos internos avaliados. Por sua vez, o tempo de execuo por ponto diminui
quando se aumenta o nmero total de pontos avaliados.
66
Concluses
Sem dvidas, existem atualmente inmeras tcnicas, j muito bem estabelecidas e extensivamente utilizadas, para imageamento em medicina. Na grande maioria, as imagens produzidas apresentam resoluo e preciso impressiontantes, o que permite fazer diagnsticos cada
vez com mais segurana. Mesmo assim, algumas dessas tcnicas necessitam de equipamentos
relativamente grandes e que so, normalmente, excessivamente caros. Alm disso, em muitos
casos utilizam algum tipo de radiao ionizante ou necessitam que o paciente tenha que ingerir
alguma soluo de contraste. Com isso, o desenvolvimento de novas tcnicas que consigam evitar essas restries sempre ser muito bem-vindo. A Tomografia de Impedncia Eltrica (TIE),
certamente, uma dessas novas tcnicas e tem se mostrado muito promissora nas ltimas dcadas. Alm de no utilizar nenhum tipo de radiao ionizante e no necessitar a ingesto de
nenhum contraste, requer um equipamento relativamente pequeno e barato.
No entanto, a TIE ainda necessita ser muito pesquisada, principalmente no que se refere
aos algoritmos computacionais para a reconstruo da imagem. De fato, as imagens obtidas
atualmente ainda no apresentam resoluo suficinte para um diagnstico mdico seguro, alm
de consumir um elevado tempo computcional para sua reconstruo. Uma das possibilidades
para se tentar sanar essas restries desenvolver mtodos numricos mais robustos e rpidos
para a resoluo do problema direto, que a determinao dos potencias eltricos no intrior do
domnio e das respostas (potencial/fluxo) no contorno. O Mtodo dos Elementos de Contorno
(MEC) tem sido considerado um bom candidato para isso. A no obrigatoriedade de se discretizar todo o domnio e sim apenas o contorno faz com que o MEC seja vantajoso em relao
s tcnicas atualmente mais usadadas, pois produz um sistema linear consideravelmente menor.
A implementao do MEC feita neste trabalho teve como objetivo validar o mtodo na resoluo do problema direto associado TIE. Para isso, considerou-se domnios bidimensionais
(2D) de duas formas: quadrado e circular. Alguns testes foram feitos, primeiramente, adotandose um domnio simples, ou seja sem incluses de regies no condutoras e outros, por sua vez,
consideraram tais regies. As condies de contorno variaram tanto em valor como em tipo
(Dirichlet, Neumann e mista).
7 Concluses
67
O Teste 1, realizado como uma primeira validao do mtodo, mostrou resultados bastante
satisfatrios. Os valores encontrados pelo MEC diferenciaram-se em dcimos ou at menos
dos valores calculados pelo MDF, para os mesmos pontos do domnio. No entanto, o MDF, da
forma em que a malha foi definida, fica limitado a determiar a soluo somente nos pontos que
pertencem essa malha. Caso se deseje determinar a soluo em mais pontos deve-se refinar
a malha, o que aumenta o tamanho do sistema linear. J o MEC permite o clculo da soluo
em qualquer ponto do interior do domnio, sem necessariamente acarretar em um aumento no
tamanho do sistema.
No Teste 2 foram escolhidos trs problemas de valor de contorno (PVC I, PVC II e PVC III)
que possuim soluo analtica. Isso permitiu validar a preciso das solues numricas obtidas
pelo MEC. De fato, primeiramente pode-se verificar que o erro relativo entre a soluo analtica
e a numrica diminui fortemente com o aumento do nmero N de elementos em que o contorno
discretizado. Tambm verificou-se que para valores de N maiores do que 120, o erro relativo
foi satisfatoriamente pequeno, atingindo patamares na ordem de 106 para o PVC I, 104 para
o PVC II e 105 para o PVC III, quando N = 240.
O Teste 3 testou a sensibilidade do mtodo em relao s respostas calculadas sobre o
contorno, quando uma incluso interna de condutividade nula muda de posio no interior do
domnio. Neste caso, o resultado tambm foi considerado bom, pois o mnimo do funcional de
erro, que compara os valores das respostas no contorno calculados numericamente com aqueles
obtidos na situao real (quando a incluso est em sua posio real), foi atingido quanto a
incluso de prospeco estava numa posio consideravelmente prxima da posio real.
Finalmente, o Teste 4 avaliou o tempo computacional empregado na execuo do programa.
Verificou-se, primeiramente, que o tempo de execuo aumenta com o aumento do nmero de
elementos de contorno, o que de se esperar, pois aumenta-se o tamanho do sistema linear a ser
resolvido. No entanto, mesmo com um nmero relativamente grande de elementos de contorno
(N = 300), o tempo de execuo foi satisfatrio, ficando abaixo de 0,5 segundo.
Sendo assim, a perspectiva para o uso do MEC no problema da TIE muito boa. Trabalhos
futuros devem ser feitos de forma a considerar-se domnios tridimensionais (3D) e que possuam
vrias regies internas com condutividades direntes. Tambm fundamental o desenvolvimento
de mtodos mais robustos e rpidos para a resoluo do problema inverso, de forma a melhorar
a resoluo e diminuir o tempo computacional empregado na reconstruo das imagens.
68
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U NIVERSIDADE DE S O PAULO

FACULDADE DE F ILOSOFIA , C INCIAS E L ETRAS DE R IBEIRO P RETO

Mtodo dos Elementos de Contorno para

Olavo Henrique Menin

Mtodo dos Elementos de Contorno para

Olavo Henrique Menin

Dissertao submetida ao Programa de Ps-Graduao em Fsica Aplicada

Orientador: Prof. Dr. Alexandre Souto Martinez

Ribeiro Preto, 2009.

AUTORIZO A REPRODUO TOTAL OU PARCIAL DESTE DOCUMENTO, POR

Mtodo dos Elementos de Con-

Palavras-chave: Imagem Mdica, Tomografia de Impedncia Eltrica, Mtodo dos Elementos

Keywords: Medical Image, Electrical Impedance Tomography, Boundary Element Method,

Ao incio, meus pais Gilberto e Alice,

Meu desenho no representava um chapu. Represetava uma jibia digerindo um elefante.

Ressonncia Magntica Nuclear . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Tomografia de Impedncia Eltrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3 Formulao Matemtica da TIE

A equao principal da TIE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Problema direto e problema inverso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4 O Mtodo dos Elementos de Contorno

O MEC aplicado a TIE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

A equao integral sobre o contorno . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5 Discretizao e Implementao Computacional

6 Simulaes Numricas e Resultados

Tomografia de Impedncia Eltrica

Mtodo dos Elementos de Contorno

Mtodo da Diferenas Finitas

Mtodo dos Elementos Finitos

Ressonncia Magntica Nuclear

Tomografia por Emisso de Psitron

Equao Diferencial Parcial

Problema de Valor de Contorno

Imagem por raio-X da mo da esposa de Rntgen . . . . . . . . . . . . . . . . .

Esquema da Tomografia Computadorizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Ressonncia Magntica Nuclear . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Esquema de um exame clnico de ultrasonografia . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Esquema de um exame usando Tomografia de Impedncia Eltrica . . . . . . . . .

Tipos de campo de sensoriamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Domnio do problema da TIE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Principais padres de excitao/resposta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Metodos numricos para resoluo de EDP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Modos de discretizao do domnio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Esquema de otimizao do funional de erro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Duas abordagens para o problema da TIE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Domnio simples do MEC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Domnio discretizado com incluso interna

Domnio quadrado de lado unitrio discretizado pelo MDF . . . . . . . . . . . . .

Domnio dos PVCs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Relao entre o erro relativo e o nmero de elementos de contorno . . . . . . . . .

Posio real da incluso no interior do domnio

Perfil triangular de potencial aplicado sobre o contorno . . . . . . . . . . . . . . .

Deslocamento da incluso de prospeco ao longo da diagonal do domnio . . . . .

Valor normalizdo do funcional de erro e para as oito posies da incluso de prospeco p. 63

Posio da incluso de prospeco que minimiza o funcional de erro . . . . . . . .

Perfil duplamente triangular de potencial aplicado sobre o contorno . . . . . . . . .

6.10 Tempo de execuo do programa em funo do nmero de elementos de contorno . .

6.11 Tempo de execuo do programa em funo do nmero de pontos internos avaliados

6.12 Tempo de execuo do programa por ponto interno avaliado . . . . . . . . . . . .

Impedncia acstica de alguns materiais e tecidos biolgicos . . . . . . . . . . . .

Comparao entre a resistividade eltrica e o coeficiente de atenuao de raio-X . . .

Unidades principais do problema da TIE no S.I. . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Distribuio de temperaturas calculada pelo MDF . . . . . . . . . . . . . . . . .