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JFET CON POLARIZACIN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE

Como se puede ver en la entrada del circuito, ahora hay dos resistencia, las
cuales sern de gran ohmiaje del orden de los mega ohmios, esto es para no
perder la alta impedancia de entrada de los JFET en los circuitos de
amplificacin, entre las dos forman un divisor de tensin, por lo cual la tensin
de la compuerta VG tendr un valor positivo.

JFET CON POLARIZACIN MEDIANTE DIVISOR DE


VOLTAJE

JFET CON POLARIZACIN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE

VG = R2 VDD/(R1 + R2)
VGS = VG IDRS
VDS =VDD - ID(RD + RS)

JFET

(VGSQ = 0 V)

VGSQ = 0 v
IDQ = Iss

JFET (RD = 0 )

VGSQ = -IDRS
VD = VDD
VS = IDRS
VDS =VDD - IDRS

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO METAL XIDO


SEMICONDUCTOR. (MOSFET)
existen dos tipos de transistores MOSFET.
MOSFET de acumulacin ,enriquecimiento o incremental.
MOSFET de deplexin, empobrecimiento o decremental.

CONTACTOS
METALICOS

MATERIAL
AISLANTE

SIMBOLOGIA MOSFET DE ACUMULACION,


ENREQUESIMIENTO O INCREMENTAL

POLARIZACION DEL MOSFET DE ACUMULACION O


ENREQUECIMIENTO

FUNCIONAMIENTO MAS HABITUAL

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
EFECTO DE VGS =0

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
EFECTO DE VGS >0

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
EFECTO DE VGS >o
MODULACION DE ANCHURA
DEL CANAL

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
CON VGS PODEMOS MODULAR LA ANCHURA DEL CANAL CON UNA TENSION (+)
PERO DEBE SUPERAR UN DETERMINADO NIVEL DE TENSION VT (TENSION DE THRESHOLD)
VALOR MINIMO DE TENSION PARA QUE EL CANAL EXISTEN PERMITA LA CIRCULACION DE ID

La tensin VGS modula la anchura del canal. El dispositivo se comporta como


una resistencia controlada por voltaje.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
EFECTO DE VDS VDS =VGS - VGD
AL SER VDS > 0
VGS > VGD

Caracterstica ID-VDS para un valor de VGS constante

CURVA CARACTERISTICA DEL MOSFET


Limite de la regin

Zona de corte o de no conduccin ID= 0 y para valores de VGS V T

ZONA OHMICA O DE NO SATURACION


Zona hmica o de no saturacin

VDS VGS - VT Valores de VDS inferiores al de saturacin


Para VDS < VDSsat el MOSFET se comporta como una resistencia variable con
VGS.

ZONA DE SATURACIN O DE CORRIENTE CONSTANTE

Se de para valores VDS > VDSat siendo VDSat = VGS - V T


Es una fuente de corriente controlada por el voltaje VGS
ID no crece hasta que VGS > V T

ZONA DE SATURACIN O DE CORRIENTE CONSTANTE

Para valores VGS > V T la corriente de drenaje est relacionada a VGS mediante
la siguiente relacin no lineal:

ZONA DE RUPTURA

EJEMPLO PARA CURVA DE TRANSFERENCIA

VGS(TH) = V T

CARACTERISTICAS DE LAS ZONAS DE TRABAJO


Zona de corte o de no conduccin ID= 0 y para valores
de VGS V T
Zona hmica VDS VGS - VT
Lmite entre la zona hmica y saturacin VDS = VGS - V T
Zona saturacin VDS VGS - VT

TRANSISTORES MOSFET DE DEFLEXION,


EMPOBRECIMIENTO O DECREMENTAL

Estructura bsica del MOSFET de deplexin canal n.

SIMBOLO

CIRCUITO DE POLARIZACION

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

para valores VGS > 0 el MOSFET de deplexin tiene un comportamiento de


acumulacin.
A valores VGS < 0 disminuye la anchura del canal. En definitiva,
volvemos a tener de nuevo un efecto de modulacin de la anchura de un
canal en funcin de una tensin aplicada VGS .

CURVAS CARACTERSTICAS

MOSFET DE TIPO DECREMENTAL


La similitud que hay entre las curvas de transferencia de los JFET y el MOSFET
decremental permite un anlisis similar en el dominio de DC.
El MOSFET de tipo decremental permite valores positivos de VGS y niveles de ID
que excedan IDSS.
Para las configuracin hechas para los JFET si se reemplaza por un MOSFET
DECREMENTAL, EMPOBRECIMIENTO O DEFLEXION el anlisis es el
mismo.
Lo que falta definir la forma como graficar la ecuacin de Shockley para
valores positivos de VGS y valores mayor de IDSS.

PARAMETROS COMERCIALES
Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores
JFET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:
IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se encuentra en
configuracin de fuente comn y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0).
En la prctica marca la mxima intensidad que puede circular por el transistor.
Conviene tener en cuenta que los transistores JFET presentan amplias
dispersiones en este valor.
VP (Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al igual
que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.
RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal. Este
valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensin de
estrangulamiento.
BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura entre fuente y
drenaje. Tensiones ms altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID.
BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura de la unin
entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores
mayores de BVGS provocan una conduccin por avalancha de la unin.