Professional Documents
Culture Documents
I.U.T.A
SEDE PUERTO LA CRUZ EDO. ANZOTEGUI
TRANSISTORES
PROFESORA:
ANA SIMONS
BACHILLER:
LEZAMA, YONDER
SOTO, JHONATAN
VSQUEZ, OMAR
PADRON, ALEX
MATERIA:
ELECTRONICA BASICA
C.I.: 20.635.671
C.I.: 25.056.461
C.I.: 25.478.994
C.I.
ESPECIALIDAD:
INSTRUMENTACIN
INSTRODUCCIN.
Los sistemas electrnicos en su mayora tienen la necesidad de amplificar las seales. Los
Amplificadores tienen como funcin variar la relacin entre la corriente y el voltaje.
Los amplificadores se pueden clasificar en clase A, .B y C. Siendo los de clase A los que
consumen corrientes continuas altas desde su fuente de alimentacin y los de clase B y C se
caracterizan por tener intensidad casi nula a travs de sus transistores cuando no hay seal
en la entrada del circuito.
El circuito colector comn se deriva del hecho de que el colector es comn tanto a la
entrada como a la salida de la configuracin.
Clases de amplificadores.
Clase A
Son amplificadores que consumen corrientes continuas altas de su fuente de alimentacin,
independientemente de la existencia de seal en la entrada. Esta amplificacin presenta el
inconveniente de generar una fuerte y constante cantidad de calor, que ha de ser disipada.
Esto provoca un rendimiento muy reducido, al perderse una parte importante de la energa
que entra en l. Tiene una corriente de polarizacin igual a aproximadamente la mitad de
la corriente de salida mxima que pueden entregar. Los amplificadores de clase A a menudo
consiste en tres transistores de salida, conectado directamente un terminal a la fuente de
alimentacin y el otro a la carga.
Clase B
Se caracterizan por tener intensidad casi nula a travs de sus transistores cuando no hay
seal en la entrada del circuito. sta es la que polariza los transistores para que entren en
zona de conduccin, por lo que el consumo es menor que en la clase A, aunque la calidad es
algo menor debido a la forma en que se transmite la onda. Se usa en sistemas telefnicos,
transmisores de seguridad porttiles, y sistemas de aviso, aunque no en audio.
Clase C
Son conceptualmente similares a los de clase B en que la etapa de salida ubica su punto de
trabajo en un extremo de su recta de carga con corriente de polarizacin cero. Sin embargo,
su estado de reposo (sin seal) se sita en la zona de saturacin con alta corriente, o sea el
otro extremo de la recta de carga
Teniendo en cuenta a que a= 1; IC= IE, por lo tanto las caractersticas en colector comn
seran casi idnticas a las de emisor comn. Es por ello que como se ha dicho
anteriormente, para el diseo de circuito de transistores en colector comn, se utilizan las
caractersticas de emisor comn.
La regin activa
La unin colector-emisor se polariza inversamente, mientras que la unin base-emisor se
polariza directamente. Esta es la regin ms importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como amplificador.
La corriente de emisor, que es la corriente de salida, est formada por la suma de la
corriente de base y la de colector: IE = IC + Bien la configuracin EC, tambin se mantiene
la relacin siguiente que se us en la configuracin BC: IC = IE
La Regin de Corte
Tanto la unin base-emisor como la unin colector-emisor de un transistor tienen
polarizacin inversa.
La IC no es igual a cero cuando IB es cero. Para propsitos de amplificacin lineal (la
menor distorsin), el corte para la configuracin EC se definir mediante: IC = ICEO Para
IB = 0A La regin por debajo de IB = 0A debe evitarse si se requiere una seal de salida
sin distorsin
Regin de Saturacin
Tanto la unin base-colector como la unin base-emisor de un transistor tienen polarizacin
directa.
Cuando VCE es 0.2V (Silicio) la IC cae a cero debido a que las uniones estn en
polarizacin directa, las corrientes sea nula .Un transistor est saturado cuando: (IC = IE = I
Mxima)
Ganancias de Corriente
Emisor Base Comn Ganancia (alfa) (Beta)
(beta) La ganancia de corriente se encuentra dividiendo la corriente de salida (IC) entre la
de entrada (IB) = La ganancia de corriente en un transistor es grande, debido a que
la corriente de salida (IC) es mayor que la corriente del entrada (IB). Suele tener un rango
entre 40 y 400, con la mayora dentro del rango medio.
(beta) es un parmetro importante porque ofrece una relacin directa entre los niveles
de corriente de los circuitos de entrada y los de salida en EC. = Y dado que IE = IC
+ IB IE = IB + IB Se tiene que = + 1
Relaciones entre y
Es posible establecer una relacin entre y utilizando las relaciones dadas anteriormente.
= = +1 1 La ganancia es proporcionada por el fabricante y tambin es conocida
como hFE
Ganancia de Voltaje
Los amplificadores con emisor a tierra pueden proporcionar ganancias de voltaje y de
potencia mucho mayores que los de base comn. = =
Caractersticas Generales
Baja impedancia de entrada (ZIN), entre 700 y 1000. Un poco ms que la Base Comn.
Alta impedancia de salida (ZOUT), entre (50k). Ms baja que la de Base Comn.
Alta ganancia de corriente entre 20 y 300
Alta ganancia de voltaje.
Aplicaciones Configuracin EC
Es la configuracin ms usada, puesto que amplifica tanto corriente como voltaje.
El ms usado para circuitos de baja frecuencia, debido a la alta impedancia de entrada.
Usado en amplificadores de audio y de altas frecuencias de radio.
Curvas caractersticas
Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis parmetros para
determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y tres corrientes. Aplicando las
leyes bsicas de resolucin de circuitos pueden presentarse dos ecuaciones:
Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que relacionan VBE con IB
y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son facilitadas por los fabricantes.
Caractersticas VBE-IB
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de la
tensin de polarizacin VBE sobre la corriente de base IB. Estas grficas reciben el nombre
de curvas caractersticas de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy similares a la
de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prcticamente constantes, por lo que sern de gran ayuda para
localizar averas en circuitos con transistores.
La funcin que liga VBE con IB es la caracterstica de un diodo, y puede aplicarse dado
que la unin base - emisor, es una pin normal, igual que la de diodo, y al polarizarla,
seguir el mismo comportamiento que aquel.
La curva representada en la figura sigue la expresin:
Caractersticas VCE-IC
Estas caractersticas tambin son conocidas como familia de colector, ya que son las
correspondientes a la tensin e intensidad del colector. En la siguiente figura, se muestran
una familia de curvas de colector para diferentes valores constantes de la corriente base.
Idealmente, en la Regin Activa, la corriente de colector depende exclusivamente de la de
base, a travs de la relacin IC=+IB. Por lo tanto, en el plano VCE-IC la representacin
estar formada por rectas horizontales (independientes de VCE) para los diversos valores
de IB (en este caso se ha representado el ejemplo para =100).
Evidentemente, no se dibujan ms que unos valores de IB para no emborronar el grfico.
Para IB=0, la corriente de colector tambin debe ser nula. La regin de corte est
representada por el eje de abscisas. Por contra, para VCE=0 el transistor entra en
saturacin, luego esta regin queda representada por el eje de ordenadas.
Hasta aqu se presenta la caracterstica ideal, pero como era de esperar, la realidad es un
poco ms compleja, y las curvas quedarn como representa la siguiente figura:
Las diferencias son claras:
En la Regin Activa la corriente del colector no es totalmente independiente de la tensin
colector-emisor. Para valores altos de la corriente cobra importancia la resistencia interna
del transistor.
La regin de saturacin no aparece bruscamente para VCE=0, sino que hay una transicin
gradual. Tpicamente se suele considerar una tensin de saturacin comprendida entre 0.1V
y 0.3V.
Estas curvas representan, en cierto modo, la forma de funcionamiento del transistor. Se
puede comprobar que, para una tensin constante de colector-emisor, si se producen
pequeas variaciones de la corriente de base (del orden de A) esto origina unas
variaciones en la corriente de colector mucho ms elevadas (del orden de mA), de lo cual se
deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes.
Observa que, en la mayor parte de las curvas, la tensin VCE afecta muy poco a la
corriente de colector IC. Si se aumenta VCE demasiado (por encima de VCEO), la unin
del colector entra en la regin de ruptura y ste puede llegar a destruirse. Sin embargo, si la
tensin VCE es muy pequea (por debajo de los 0.7V), la corriente de colector ser muy
dbil, obtenindose una ganancia de corriente muy baja. En conclusin, para conseguir que
el transistor trabaje como amplificador de corriente, la tensin de polarizacin inversa VCE
debe mantenerse por encima de 0.7V y por debajo de la tensin de ruptura.
Para dibujar esta recta sobre la cruva caracterstica, lo primero que hay que hacer es
encontrar sus extremos (IC=0 y VCE=0).
Para VCE=0
Para IC=0
Por ltimo, hay que indicar que, cuando se disea un circuito para un transistor, se tiene que
procurar que el transistor nunca opere por encima de la curva de potencia mxima. Esto se
consigue eligiendo valores adecuados de la tensin de fuente VCC y de la resistencia de
carga RL, de tal forma que la recta de carga trazada con dichos valores, est siempre por
debajo de la curva de potencia mxima.
Ecuacin Beta
Hemos de tener en cuenta que punto de funcionamiento se encuentra trabajando el
transistor, es decir, la tensin que se le est aplicando al mismo, y con ello, la ganancia
calculada, ser para esa tensin de trabajo, siendo para otra, otra ganancia diferente de la
calculada en otro punto.
Luego la curva de potencia mxima para este transistor ser tal que el producto
VCEIC=0.3W.
En la figura de la derecha, se muestran las curvas correspondientes a la familia de colector
del transistor BC107, y en las que se ha aadido la curva de potencia mxima
La hiprbola divide a la caracterstica en dos zonas diferenciadas: la zona prohibida de
funcionamiento, que queda por encima de la misma (sombreado con naranja), en la cual la
potencia es mayor de 300mW y, por lo tanto, es donde el transistor corre peligro de
destruccin por la accin del calor; y la zona de trabajo, que queda por debajo de la
hiprbola, y en la cual la potencia es inferior a 300mW.
En el caso de que la temperatura ambiente fuese superior habra que encontrar la potencia
mxima de funcionamiento para que el transistor trabaje dentro de sus lmites de
temperatura admisibles. En algunas hojas de especificaciones tcnicas aparece la curva de
reduccin, como la que se encuentra en la figura de la derecha.
Esta curva, nos indica que para una temperatura ambiente de 25C, la potencia mxima es
de 125mW. Sin embargo, para 55C, la potencia mxima disminuye a 50mW.
En el caso de que se desee aumentar la potencia de un transistor, se puede acoplar un
disipador de calor, o aleta de refrigeracin en la superficie de la cpsula del mismo, de esta
forma, se consigue que el calor se evace con mayor facilidad hacia el aire exterior.
CONCLUSIONES.
BIBLIOGRAFIA
https://es.wikipedia.org/wiki/Amplificador_electr%C3%B3nico.
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/9%20Circuitos
%20Amplificadores.pdf.
http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/eltransistorcomoamplificad
or.html.