DIMENSIONAMENTO E AVALIAO DE ESTGIOS DE POTNCIA DE

AMPLIFICADORES DE UDIO CLASSES A, B, AB, G E H,

ASSISTIDO POR ANLISE COMPUTACIONAL
Rosalfonso Bortoni1,2, Sidnei Noceti Filho1 e Rui Seara1
1 LINSE: Circuitos e Processamento de Sinais
Universidade Federal de Santa Catarina
www.linse.ufsc.br
2 STUDIO R Eletrnica Ltda.
www.studior.com.br
Sumrio - Este artigo apresenta um procedimento de
anlise, dimensionamento e avaliao de estgios de
potncia de amplificadores de udio operando nas
Classes A, B, AB, G e H com cargas reativas. Esse
estudo considera um sinal de excitao senoidal e
tecnologias BJT, IGBT e MOSFET. So utilizados
modelos eletro-mecano-acsticos de alto-falantes e
caixas acsticas cujos parmetros so obtidos pelo
modelo Thiele-Small [3], e um modelo eletro-trmico
equivalente do sistema transistor-dissipadorambiente associado s potncias mdia e instantnea
dissipadas.
1. INTRODUO
Com o surgimento da vlvula triodo (1906), a
msica pde ser transmitida pela primeira vez via
rdio freqncia (1907). A partir de 1915 comearam
a surgir os primeiros sistemas de amplificao de voz
e, posteriormente, msica para grandes pblicos [1].
Surgiu, ento, o amplificador de udio.
Desde ento, a necessidade de potentes sistemas de
reprodues de voz e de msica tem levado ao estudo
de novas tcnicas de sonorizao e de concepo de
novas estruturas de amplificadores de udio. Devido
grande quantidade de caixas acsticas [2], de sua
baixa eficincia [3], e da grande quantidade de
potncia eltrica requerida, tem sido procurado obter,
cada vez mais, para os amplificadores de potncia,
maior rendimento, dentre outras melhorias. Desde
ento, tm surgido diversas classes de operaes.
As classes de operaes so caracterizadas pelo
ponto de operao e/ou modo de operao do estgio
de sada do circuito amplificador de potncia. Neste
trabalho sero abordadas as Classes A, B, AB, G e H.
Na literatura encontram-se outras classes de
operaes, como as Classes C, D, E, F, I e S [4,6,7,8].
As classes A, B, AB, G e H sero analisadas e
tratadas sob as mesmas consideraes de operao,
utilizando-se cargas resistivas e reativas (esta ltima,
representando as estruturas de alto-falantes e caixas
acsticas usualmente empregadas); nesse caso so
utilizados os modelos eletro-mecano-acsticos
apresentados em [3].
O objetivo deste trabalho fornecer os parmetros
de anlise do funcionamento do estgio de sada, no
que se refere s correntes envolvidas, s tenses do
estgio, s potncias e ao desempenho trmico da

etapa sob diversas situaes e condies de operao.

Todos esses parmetros so obtidos, considerando-se
um sinal de excitao senoidal, de forma genrica,
independentemente da tecnologia do transistor
empregada (BJT, IGBT ou MOSFET).
At ento, a quase totalidade de estudos realizados
so dedicados a classes de operaes distintas, sob
condies bastante especficas. Para se ter uma viso
mais abrangente do estado-da-arte de amplificadores
de udio vamos, agora, fazer uma breve reviso
bibliogrfica destas estruturas amplificadoras.
Os amplificadores Classe A so os de menor
rendimento, porm so os que apresentam menor
distoro; no entanto, so discutidos apenas para fins
de comparao [1,5,6,7,8].
De um modo geral, a maioria das anlises so
desenvolvidas para cargas resistivas [5,6,7,8,9,11,12,
13,14,15], e quando cargas reativas so consideradas a
classe de operao utilizada fica, quase sempre,
restrita Classe B (ou Classe AB, considerando-se
pequena corrente de polarizao) [16,17,18,19]. Isto
se deve por este tipo de classe apresentar um
equacionamento mais simples (neste caso utilizado
cargas com o mdulo da impedncia constante,
variando-se apenas a fase). Em alguns casos so
tambm considerados modelos comerciais de caixas
acsticas [20,21,22].
As Classes G e H operam com diferentes tenses de
alimentaes no estgio de potncia. Elas foram
equacionadas e comumente descritas e analisadas
apenas para dois estgios [9,11,12,13,23,24]; no foi
encontrado na literatura expresses para as Classes G
e H com mais de dois estgios; algumas citaes so
mencionadas para trs e quatro estgios [1,9,10]. Alm
disso, todas as anlises so feitas para tecnologias de
transistores distintas (BJT ou MOSFET) e o
dimensionamento nessas etapas superficialmente
abordado [10].
Em face pouca ou insuficiente quantidade de
informaes e/ou falta de generalizao dos
tratamentos matemticos encontrados na literatura,
relativos aos estgios de potncia, prope-se neste
trabalho:
! uma anlise unificada das Classes A, B, AB, G
e H, tanto para cargas resistivas quanto para cargas
reativas;
! uma expresso genrica para as Classes G e H

Todos os direitos reservados.

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de mltiplos estgios;
! uma generalizao da expresso do rendimento
para as Classes A, B, AB, G e H;
! um equacionamento para as diferentes classes
levando em conta as tecnologias BJT, IGBT e
MOSFET;
! uma metodologia para o dimensionamento da
etapa de potncia a partir das potncias mdia e
instantnea dissipadas, e do modelo eletro-trmico do
sistema transistor-dissipador-ambiente, considerandose carga reativa.
2. CARGA RESISTIVA
2.1 Classes A, B e AB.
A Fig. 1 mostra o diagrama de uma etapa de sada
(estgio complementar), a qual constitui a clula
bsica de amplificadores Classes A, B e AB.

Fig. 2 - Correntes nos coletores dos transistores

Q1 e Q2 e na carga.
A potncia mdia na carga, PL , dada por
PL = VL2 / (2 RL ) , sendo VL a tenso de pico na carga.
Definindo-se o fator como = I man / I L max e
considerando que I L max = VL max / RL , pode-se obter o
rendimento = PL / PS , por:
=

1 VL

2 VL max

1
1

.
V
V
+
+
1
(
/
)
1
2
CEsat
L
max

(3)

A equao (3) nos mostra que o rendimento terico

mximo para operao em Classe A 50%, isto
considerando VCEsat = 0 , I man = 0 e VL = VL max . Esta
equao vlida tambm para dispositivos IGBT.
Pode ser mostrado que no caso de dispositivos
MOSFET, a razo VCEsat VL max em (3) agora dada
por RDSon / RL , onde RDSon a resistncia de conduo
entre dreno e a fonte do MOSFET [15]. Assim,

Fig. 1 Etapa de sada de amplificadores

Classes A, B e AB.
Para essas classes, a potncia mdia total fornecida
pelas duas fontes ( VCC1 e VCC 2 ) de alimentao
PS = PS + + PS = 2 VCC I C , uma vez que as potncias
mdias fornecidas por cada uma das fontes de
alimentao PS + e PS so iguais. Para a Classe A,
I C a corrente quiescente I Q no transistor Q1 . Para a
Classe B, I C a corrente mdia, I S , em Q1 , que
conduz apenas um semi-ciclo por perodo, e, para a
Classe AB, I C a corrente mdia I S (Q ) , funo da
corrente de polarizao, I Q , e da corrente fornecida
carga, iL (ver Fig. 3). Nas trs classes, tem-se que
VCC = VL max + VCEsat .
A Fig. 2 mostra as correntes de coletor e a corrente
na carga de um estgio de sada Classe A. Nesta
figura, I man , definida como corrente de manuteno,
a corrente necessria para garantir que o transistor
opere na regio ativa direta para as condies
extremas de excurso do sinal. Nesse caso tem-se que
I
I Q = L max + I man ,
2

(1)

PS = 2 (VL max + VCEsat ) L max + I man .

2

(2)

ento,

1 VL

2 VL max

1
1

.
R
R
+
+
1
(
/
)
1
2
DSon
L

(4)

No caso de Classe B, deve-se considerar VBIAS = 0 .

Como I S = I L / e I L = VL / RL , pode-se mostrar que:
V
PS = 2 VL max 1 + CEsat
VL max

IL

.

(5)

Sabendo-se que = PL / PS , obtm-se:

=

VL
1
.

4 VL max 1 + (VCEsat / VL max )

(6)

A equao (6) nos mostra que o rendimento terico

mximo para operao em Classe B 78,5%, isto
considerando VCEsat = 0 e VL = VLmax . De forma anloga
ao que foi obtido para os amplificadores Classe A,
para dispositivos MOSFET, obtm-se:
=

VL
1

.
4 VL max 1 + ( RDSon / RL )

(7)

No caso de Classe AB, deve-se considerar VBIAS

maior do que zero, porm menor do que a necessria
tenso para operao em Classe A (Fig. 1). Na Fig. 3,
esto representadas as correntes de polarizao, I Q , e

a fornecida carga, i L , e as correntes nos coletores,

2
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iC1 e iC 2 , funo do ngulo . Baseando-se nesta

figura, pode-se mostrar que a corrente mdia I S ( Q )

funo da potncia de sada, parametrizada pelo o

fator , dado por = 2 I Q / I L max . Com isso, obtm-se

dada por:

a transio entre a Classe B ( I Q = 0 ) e a Classe A

I S ( Q ) = I Q Q

2 IL
+
cos Q ,

(8)

( I Q = I L max / 2 ), para I man = 0 .

100

=0,00

90

(Classe B)
80

=0,10

Rendimento - %

70

=0,30

60

=0,50

50
40

=1,00

30

(Classe A)

20
10
0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

PL/PLmax

Fig. 4 - Rendimentos dos amplificadores Classe AB.

2.2 Classes G e H de mltiplos estgios
Fig. 3 - Correntes nos coletores dos transistores
e na carga.
onde I Q < I L max 2 e Q o ngulo de transio entre
a operao em Classe A e Classe AB. Esse ngulo
pode ser expresso em funo dos parmetros de
projeto como mostrado a seguir. Com base na Fig.
3,
pode-se
obter
ou,
I Q = ( I L max / 2) sen Q
alternativamente, Q = sen 1 ( 2 I Q / I L max ) , e, atravs de
(8), determinar uma expresso para I S (Q ) em funo
apenas de Q e I L . Assim,
I S ( Q ) =

I L max
I
Q sen Q + L cos Q .

(9)

Para Q = 0 , I S (Q ) = I L , opera-se em Classe B.

Para Q = 2 , I S ( Q ) = I L max 2 , opera-se em Classe
A (com I man = 0 ). Caso 0 < Q < / 2 , tem-se a
polarizao Classe AB [5]. Assim, pode-se mostrar
que:
PS =

2VL max
RL

V
1 + CEsat
VL max

VL max Q sen Q + VL cos Q ,

VL max
1

.
VCEsat
V
Q sen Q + L cos Q
1+
VL max
VL max

(13)

onde I Si ( i = 1,..., N ) so as correntes mdias

fornecidas pelas fontes VCCi . Na Fig. 6, Ti
( i = 1,..., N ) o ngulo de transio correspondente
entrada em operao do i-simo estgio e
VCCi = i VL max + i VCEsat

, i = 1,..., N .

PS = 2 ( i VL max + i VCEsat ) I Si .
i =1

(14)

(15)

Isolando i em (14) e considerando que N = 1 ,

obtm-se:

VL
VL

4 VL max

PS = 2 VCC1 I S 1 + 2 VCC 2 I S 2 + ... + 2 VCCN I SN

Substituindo (14) em (13), obtm-se:

(10)

e o rendimento ( = PL / PS ):

As definies para as Classes G e H adotadas neste

trabalho esto de acordo com as encontradas nas
referncias [1,10,13,23,24].
Na Fig. 5, so mostradas as estruturas bsicas dos
estgios de sada dos amplificadores de potncia
Classe G (Fig. 5a) [13,23] e Classe H (Fig. 5b,c)
[1,10,24] de mltiplos estgios. Nessas estruturas, as
etapas de sada podem ser polarizadas em Classe A, B
ou AB. Neste trabalho, considera-se, inicialmente,
polarizao Classe B; posteriormente, faz-se as
consideraes para as polarizaes Classes A e AB.
Analisando o circuito da Fig. 5a, pode-se escrever
(desconsiderando as perdas nos diodos):

(11)

i =

VCCi i VCEsat
.
VCCN N VCEsat

(16)

Para dispositivos MOSFET, obtm-se:

V
= L
4 VL max

VL
VL max
1

.
R
V
1 + DSon Q sen Q + L cos Q
VL max
RL

(12)

A Fig. 4 mostra, para VCEsat = 0 , o rendimento em

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Com base na Fig. 6, pode-se escrever:

T (i 1) = sen 1 L max i 1 ,
V
L

T 0 = 0 e TN =

VL

< i
i 1 V
L
max

0 = 0
= 1
N
i = 1, 2 , ... , N

(17)

A corrente I Si dada por:

I Si =

(a)

I L T (i )
sen d , i = 1,...N .

(18)

T ( i 1)

Resolvendo (18) e substituindo em (15), resulta em:

PS =

2 VL N

Ai ,
RL i =1

(19)

onde Ai = (i i 1 + VL max VCEsat ) cos T (i 1) .

Substituindo (19) em = PL / PS , obtm-se o
rendimento do amplificador Classe G com N estgios:
=

VL
1

4 VL max N
Bi

(20)

i =1

(b)

onde Bi = (i i 1 + VL max VCEsat ) cos T (i 1) .

Para dispositivos MOSFET, possvel mostrar que
o rendimento dado por:
=

VL
1

N
4 VL max
Ci

(21)

i =1

onde Ci = (i i 1 + RDSon RL ) cos T (i 1) .

Analisando os circuitos da Fig. 5b,c, pode-se
escrever (desconsiderando as perdas nos diodos e nas
chaves SW):
PS = 2 VCC1 I S1 + 2 VCC 2 I S 2 + ... + 2 VCCN I SN

(22)

e
VCCi = i VL max + VCEsat .

(23)

Substituindo (23) em (22), obtm-se:

(c)
Fig. 5 - Estgio de sada de amplificadores de
mltiplos estgios: (a) Classe G e (b,c) Classe H.

i =1

(24)

Comparando as equaes (24) e (15), nota-se que a

diferena entre elas o fator i que multiplica VCEsat .
Esse fator no aparece em (24) porque os transistores
esto associados em uma configurao diferente.
Considerando-se os mesmos parmetros de projeto
do item anterior, pode-se escrever as seguintes
expresses para o rendimento da etapa empregando
dispositivos BJT (ou IGBT):
=

Fig. 6 ngulos de transio.

PS = 2 ( i VL max + VCEsat ) I Si .

VL
1

4 VL max VCEsat N
+ Di
VL max i =1

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(25)

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onde Di = (i i 1 ) cos T ( i 1)
MOSFET:
=

e, para dispositivos

VL
1

4 VL max RDSon N
+ Ei
RL
i =1

(26)

onde Ei = (i i 1 ) cos T (i 1) .
Para VCEsat = 0 , as equaes (25) e (26) tornam-se
idnticas s (20) e (21), respectivamente.
A Fig. 7 apresenta os rendimentos das Classes G e
H para diferentes valores de N, considerando
polarizao Classe B.
100

N=100

90

N=10

80

N=4

Rendimento - %

70

N=2

60

N=1

50
40
30
20
10

2.3 Comparao entre os rendimentos

A Fig. 9 mostra uma comparao entre os
rendimentos das diversas classes estudadas. Para essa
comparao, foram adotados os seguintes valores dos
parmetros: VCEsat / V L max = 0,03 (para todas as
classes), = 0,10 (Classes A), = 0,02 (Classe AB),
= 0,55 (Classes G e H de 2 estgios, polarizao
Classe B). O menor rendimento foi obtido para a
configurao Classe A, com um rendimento mximo
de 40,6%. O maior foi para a configurao Classe H
cujo valor mximo foi de 82,2%. Os rendimentos
mximos obtidos para as configuraes Classes B e
AB so aproximadamente 76,2% e 76,1%,
respectivamente. A pequena diferena observada entre
as curvas atribuda pequena corrente de
polarizao do estgio Classe AB. Como esperado, os
rendimentos das Classes G e H so idnticos at o
ponto de transio. A partir desse ponto, ocorre uma
diferena causada pelas topologias particulares. O
rendimento mximo para a configurao Classe G foi
de 80,1%.

0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

100

PL/PLmax

90

Fig. 7 - Classes G e H para mltiplos estgios,

com VCEsat = 0 e polarizao Classe B.

Rendimento - %

60

40

20
10
0
0

0.1

0.2

0.3

H - max = 88.87%

90

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

PL/PLmax

Fig. 9 - Comparao entre o rendimentos das

Classes A, B, AB, G e H.

80

G - max = 84%

70

AB

50

30

100

Rendimento - %

70

Consideremos, agora, um caso prtico em que

VCEsat 0 . As Figs. 8a,b apresentam, respectivamente,
os rendimentos das Classes G e H para
VCEsat / VL max = 0,025 e N=4; VCEsat / VL max = 0,015 e N=6.

60
50

VCEsat/VLmax=0,025
N=4
1=0,5
2=0,707
3=0,866

40
30
20

2.4 Sntese

10
0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

PL/PLmax

(a)

Uma expresso unificada para os rendimentos das

Classes A, B, AB, G e H pode ser obtida comparandose as equaes (3), (6), (11), (20) e (25). Assim, podese escrever:
=

100

H - max = 92.17%

90
80

G - max = 86.9%

70

Rendimento - %

80

60

40
30
20
10

VL
VL max
X ( Q ) =
,
V
Q sen Q + L cos Q
VL max

0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

(27)

onde,

VCEsat/VLmax=0,015
N=6
1=0,408
2=0,577
3=0,707
4=0,817
5=0,913

50

VL

X ( Q ) Y ( N ) Z ( )
4 VL max

PL/PLmax

Y (N ) =

(b)
Fig. 8 - Exemplos de rendimentos das Classes G e H:
(a) N=4 e (b) N=6.

VCEsat N
V
(1 k )
+ i 1 + k CEsat cos T ( i 1)
VL max i =1 i
VL max

(28)

(29)

e
Z () =

1
.
1 + 2

(30)

O termo X (Q ) determina a classe de operao em

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AB ( 0 < Q < 2 ).
As equaes (27), (28) e (30) so vlidas para
dispositivos BJT, IGBT e MOSFET sendo que a
equao (29) vlida somente para dispositivos BJT e
IGBT; substituindo o termo VCEsat VL max por
RDSon RL , tem-se a equao (29) vlida tambm para
dispositivos MOSFET.

I L max =

VL max
Z L () min

(33)

onde I L a corrente de pico na carga, e VL max e I L max

so os mximos valores de VL e I L , respectivamente.
A Fig. 11 mostra a potncia na carga reativa, cuja
impedncia mostrada na Fig. 10, considerando um
amplificador que capaz de fornecer 100 watts em
uma carga de 8.

PL()

funo da polarizao: Classes A, B e AB; o termo

Y (N ) determina a classe de operao em funo do
modo de operao: Classes G ( k = 1 ) e H ( k = 0 ); o
termo Z ( ) funo de para a polarizao Classe A
e igual a 1 para as demais classes.
Atravs de (27) obtm-se diretamente as Classes G
e H com polarizao Classe A ( Q = 2 e 0 ) ou

3. CARGA REATIVA
3.1 Potncia mdia na carga
Na prtica, de maneira diferente de como
considerado na maioria dos estudos, os amplificadores
de udio-freqncia so carregados com alto-falantes
ou caixas acsticas de uma (alto-falante + gabinete
acstico) ou mais vias (alto-falantes + gabinete
acstico + divisor passivo de freqncias). Altofalantes e caixas acsticas tm uma impedncia
complexa [3] e, portanto, dependem da freqncia.
Assim, a potncia na carga da forma:
PL () =

VL2
cos ()
2 Z L ()

(31)

onde Z L () e () so, respectivamente, a magnitude

e a fase da impedncia de carga. Veja exemplo na Fig.
10 (Apndice B).
Magnitude

Fig. 11 Potncia na carga reativa (Fig. 10).

3.2 Rendimento
Refazendo as anlises descritas na Seo 2, agora
considerando as Eqs. (31), (32) e (33), obtm-se a
expresso do rendimento () (considerando cargas
reativas), para as Classes A, B, AB, G e H, usando
dispositivos BJT e IGBT. Para MOSFET, basta
substituir a razo VCEsat VL max por RDSon Z L () min .
( ) =

VL

X ( Q ) Y ( N ) Z ( ) R( ) cos ( )
4 VL max

ohms

(34)

onde,
R() =

Z L ( ) min
Z L ()

(35)

O termo R() funo de Z L () para a

polarizao Classe A e igual a 1 para as demais
classes; os demais termos so definidos no item 2.4.

graus

Fase

3.3 Potncia mdia dissipada

Freqncia - Hz

Fig. 10 Magnitude e fase da impedncia de carga

(caixa band-pass de 6a ordem).
Na anlise que segue, estudado o efeito de Z L ()
no comportamento das classes em questo. Assim,
VL
IL =
Z L ()

PL

Hz

(32)

A potncia mdia dissipada, PD () , pode ser

determinada a parir da potncia mdia na carga
( PL () ) e do rendimento ( () ), atravs da seguinte
expresso:
1

PD () = PL ()
1

(
)

(39)

Substituindo as expresses dos rendimentos em

(39), juntamente com (31), calcula-se as potncias
mdias dissipadas para cada uma das classes em
questo.

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3.4 Potncia instantnea dissipada

4.1 Limitaes dos transistores

A potncia instantnea dissipada em um dos braos

da etapa push-pull, Pd (t ) , pode ser determinada
atravs do produto da corrente instantnea, i (t ) , pela
tenso instantnea, v (t ) (ambas no mesmo brao).
Assim,

As limitaes dos transistores so dadas atravs da

"rea de Operao Segura" (SOA Safe Operating
Area) fornecida pelo fabricante, onde so dadas as
limitaes de corrente ( ICMAX ou I DMAX ), de tenso
( VCEMAX ou VDSMAX ) e de potncia ( PDMAX ), para uma
determinada temperatura ambiente ( TA ) ou de case
(invlucro, TC ) [28,29].
Desta forma, deve-se ter que,

Pd (t ) = i(t ) v(t )

(40)

VL max

i (t ) = Z ( ) F , i (t ) 0
i(t ) =
L
0 , i (t ) < 0

(41)

onde

para operao nas Classes A, B, AB, G e H, sendo

F=

sen Q (1 + a 2 sen(t )) + sen(t ) cos Q ,

a = 1 quando polarizado em Classe A e a = 0 quando

polarizado em Classe B ou AB, e

V
v(t ) = VL max i + b CEsat sen(t + ( ))
V
L max

(42)

sendo b = 1 e i = 1 , para Classes A, B e AB; b = 1 e

para sen(t + ()) 0 e b = i para
i = 1
i 1 < sen(t + ( )) i , para Classe G; b = 1 para
i 1 < sen(t + ()) i , para Classe H (Fig. 5b);
b = 1 e i = 1 para sen(t + ()) 0 e b = 1 para

i 1 < sen(t + ( )) i , para Classe H (Fig. 5c);

i = 1,2,..., N .

4. DIMENSIONAMENTO
Os transistores devem operar dentro de limitaes
impostas pelo fabricante (dados de manuais) para que
se obtenha um correto funcionamento. Em [25], [26] e
[27], um mtodo para dimensionamento via anlise do
comportamento trmico da juno do transistor,
assumindo que a forma de onda do sinal da potncia
dissipada um trem de pulsos, simulando a operao
em regime de "comutao" (chaveando), apresentado
e discutido. Contudo, o esforo da etapa de sada
funo da classe de operao (que, aqui, no opera em
regime de comutao), da polarizao, das perdas e da
carga (funo da freqncia); de forma que o
dimensionamento baseado em um trem de pulsos, no
corresponde complexidade dos esforos envolvidos.
Assim, da mesma forma que em [10], usou-se
modelar o efeito trmico desejado pela filtragem do
sinal de potncia instantnea dissipada ( Pd (t ) ) atravs
de um sistema linear invariante (equivalente trmico)
representando o sistema transistor-dissipadorambiente. Dessa forma, pode-se obter as temperaturas
mdia e instantnea de juno ( TJ e TJ (t ) ) do(s)
transistor(es) envolvido(s) no processo.

i(t ) max < I CMAX ou I DMAX

(43)

v(t ) max < VCEMAX ou VDSMAX

(44)

PD max < PDMAX

(45)

TJ max < TJMAX

(46)

TJ (t ) max < TJpk

(47)

onde TJ max e TJ (t ) max so as temperaturas mdia e

instantnea mximas de juno e TJMAX e TJpk so as
temperaturas mdia e de pico mximas permitidas na
juno (dados fornecidos pelo fabricante).
4.2 Circuito equivalente eletro-trmico
O
circuito
eltrico
equivalente
trmico,
simplificado, de um sistema transistor-dissipadorambiente apresenta na Fig. 12 [30]. Essa
configurao foi escolhida por possibilitar a obteno
das temperaturas de interesse para este trabalho:
temperaturas mdia ( TJ ) e instantnea ( TJ (t ) ) de
juno, a temperatura no case ( TC ) e a temperatura
ambiente ( TA ); sendo a primeira a nica que no
medida diretamente.

Fig. 12 Circuito eltrico equivalente trmico.

O circuito eletro-trmico da Fig. 12 comum aos
dispositivos BJT, IGBT e MOSFET.
Para anlise do valor mdio da temperatura, as
capacitncias trmicas passam a apresentar uma
reatncia infinita, considerando-se apenas as
resistncia trmicas. Assim,
TJ = PD (RJC + RCD + RDA ) + TA

(48)

ou ainda

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Assistido por Anlise Computacional.

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TJ = PD RJC + TC

(49)

Que so as expresses para o clculo de TJ em

regime permanente de operao, a partir dos dados de
projeto ( PD , RJC , RCD , RDA , TC e TA , onde RJC , RCD e
RDA so as resistncias trmicas entre juno e case,
case e dissipador, dissipador e ambiente,
respectivamente).

(Fig. 12 e Apndice A), obtida pela transformada

inversa de Laplace [31].
Atribuindo valores aos componentes do circuito da
Fig. 12 ( RJC = RCD = RDA = 1 oC W , C J = 0,01 J oC ,
CC = 1 J

C , C D = 100 J

C , TA = 2 oC e TJMAX = 3 oC ),

constatou-se que TJ (t ) PD (RJC + RCD + RDA ) + TA = TJ

(Fig. 14), e que TJ (t ) s ser igual TJ em t ,
onde TJ (t ) o valor mdio de TJ (t ) [32].

4.3 Associao de transistores

A Fig. 13 mostra o circuito da Fig. 12 adaptado para
NT transistores, para a qual pode-se escrever:
Pd (t )
NT

(50)

= RDA N T
RDA

(51)

Pd (t ) = 2

e
C D =

CD
NT

(52)

Onde Pd (t ) a potncia instantnea dissipada em

cada transistor, RDA e CDA so, respectivamente, a
resistncia trmica e a capacitncia trmica do
dissipador "vistas" por cada transistor, e NT o
nmero de transistores associados.

Fig. 14 ltimo ciclo de TJ (t ) para 1200 s de

simulao.

Fig. 15 Demonstrao de TJ (t ) calculada a partir

de (54).

Fig. 13 Circuito eltro-trmico para um transistor,

em associao com NT transistores.
Aqui, foram considerados transistores casados e a
associao feita de modo a permitir uma distribuio
uniforme da potncia. Na prtica, dois procedimentos
so usados para promover o casamento entre os
transistores. O primeiro a seleo prvia dos
transistores (parmetros semelhantes) e o segundo a
introduo de uma pequena realimentao negativa no
circuito (resistores de emissor/fonte).
4.4 Clculo da temperatura instantnea de juno
A temperatura instantnea de juno, TJ (t ) ,
calculada atravs do produto convoluo entre a
potncia instantnea dissipada, Pd (t ) , e a resposta ao
impulso do sistema, ZT (t ) . Desta forma:
TJ (t ) = Pd (t ) * Z T (t )

(53)

Portanto,

calculando-se

TJ 0 (t )

( TJ (t )

TA = 0 C ) para o primeiro perodo de

o

para

Pd (t )

e
sobrepondo TJ 0 (t ) TJ , obtida a partir de (48),
determina-se o valor de TJ (t ) para t (Fig. 15),
pois na prtica C J << CC << C D . Assim,
TJ (t ) t = TJ 0 (t ) TJ 0 (t ) + TJ

(54)

1
TJ 0 (t ) dt ,
T T

(55)

e
TJ 0 ( t ) =

T = perodo de Pd (t )

onde TJ (t ) t a temperatura instantnea de juno

para t ; TJ 0 (t ) a temperatura instantnea de
juno para o primeiro ciclo de Pd (t ) e TA = 0 oC ; e
TJ 0 (t ) o valor mdio de TJ 0 (t ) .

onde ZT (t ) a resposta ao impulso do sistema ZT (s)

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Assistido por Anlise Computacional.

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5. AVALIAO
O objetivo desta Seo fazer uma comparao
entre os esforos de uma etapa de sada quando esta
projetada considerando-se carga resistiva (mtodo
convencional) e carga reativa (proposta deste
trabalho).
Dimensionou-se uma etapa de sada, operando em
Classe B, de modo a se obter 100 watts em uma carga
resistiva de valor igual a 8; em seguida, foram
calculadas as potncias, o rendimento, as tenses, as
correntes e as temperaturas envolvidas, considerandose a carga reativa da Fig. 10 (Apndice B) (o que,
teoricamente, deveria ter em uma impedncia nominal
de 8). Para efeito de comparao, fez-se o mesmo
(carga reativa) para uma etapa de sada operando em
Classe H (Fig. 5c) com 4 estgios e s iguais aos da
Fig. 8a.
Os dados de projeto so: PL = 100 W , RL = 8 ,
I CMAX = 10 A ,
VCEMAX = 140 V ,
VCEsat = 3 V ,
PDMAX = 125 W ,

RJC = 1.0 o C W ,

RDA = 0.2 o C W ,
CD = 100 J

C J = 0.01 J

RCD = 0.7 o C W ,
C,

CC = 1 J

C,

C , TJMAX = TJpk = 150 C e T A = 40 C .

o

Com esses dados, para respeitar todos os critrios

estabelecidos na Seo 4, foi necessrio 1 par de
transistores (configurao push-pull), resultando num
total de 2 transistores ( N T = 2 ). Na Tabela 1 esto
apresentados os resultados dos esforos das etapas de
sada Classes B e H, para cargas resistiva e reativa.

NT
PD () max
PL () max
% () max
iC (t ) max
vCE (t ) max

Pd (t ) max
TJ max
TJ 0 (t ) max
TJ (t ) max
TC max
VCC1
VCC 2
VCC 3
VCC 4

Classe B
Resistiva
2
46,8 W
100 W
73,06 %
5,0 A
83,0 V
57,8 W
84,5 oC
31,9 oC
104,3 oC
61,1 oC
43,0 V

Classe B
Reativa
2
56,1 W
108 W
73,06 %
5,4 A
83,0 V
126,6 W
93,3 oC
66,4 oC
142,2 oC
65,2 oC
43,0 V

Classe H
Reativa
2
39,5 W
108 W
84,11 %
5,4 A
63,0 V
70,2 W
77,5 oC
35,9 oC
104,4 oC
57,8 oC
23,0 V
31,3 V
37,6 V
43,0 V

Tabela 1 Resumo comparativo dos esforos para

cargas resistiva e reativa.
Na prtica, o dimensionamento de uma etapa de
potncia comumente realizado considerando-se
apenas carga resistiva; atribuda uma margem de
segurana e testa-se o circuito. Desta forma, no h
qualquer garantia de que a etapa de potncia seja bem

dimensionada, podendo tornar o projeto tecnicamente

ou comercialmente invivel.
As Figs 16 a 22 (a,b,c), resumem o que foi
apresentado e discutido nesse trabalho: as figuras com
ndice "a" ilustram o caso Classe B com carga resistiva
e as figuras com ndice "b" e "c" ilustram os casos
Classes B e H com carga reativa, respectivamente.
Nota-se que, mesmo para valores "mdios" (carga
resistiva), o esforo da etapa de potncia bastante
significativo (predominante) para freqncias abaixo
de 20 Hz; para valores "instantneos" (cargas
resistivas e reativas), esse esforo ainda mais
acentuado. Garantindo-se que no haver sinal com
freqncias abaixo de 20 Hz (que teoricamente no
so audveis) consegue-se uma otimizao no
dimensionamento, sem com isso prejudicar a
qualidade dos resultados.
Um outro ponto importante a se comentar so os
mnimos existentes na magnitude da impedncia da
carga reativa, que atingem valores menores que a
impedncia nominal do alto-falante (8). Atravs de
anlises grficas esses mnimos so prontamente
detectados. Alm disso, as prprias cargas (altofalantes/divisores passivos/caixas acsticas) podem ser
testadas (por simulao) antes mesmo de serem
efetivamente utilizadas, principalmente, no caso de se
ter divisores passivos, pois estes, associados com os
alto-falantes, podem resultar em sistemas de 16a ordem
ou maior.
Pode-se concluir que um correto dimensionamento
obtido quando este feito considerando-se cargas
reativas, e quanto mais dedicado for o projeto (cargas
especficas) melhor ser o desempenho da etapa de
potncia.
Em casos genricos (amplificadores para fins
gerais) deve-se testar o maior nmero possvel de
configuraes de cargas para se chegar a um resultado
adequado.
6. CONCLUSES E DISCUSSES
Amplificadores de udio so dispositivos utilizados
nos mais diferentes e diversos tipos de aplicaes.
Dimension-los uma tarefa rdua devido s diversas
variveis envolvidas no projeto: condies climticas
(umidade, temperatura, etc.), tipos de aplicaes
(instalaes fixas, mveis, etc.), tipos transistores
(diferentes propriedades, tolerncia nas caractersticas
eltricas, etc.) e, principalmente, as estruturas de
caixas acsticas utilizadas.
Foi proposto neste trabalho um procedimento para o
dimensionamento de etapas de potncia de
amplificadores Classes A, B, AB, G e H, considerando
carga reativa, qualquer tipo de polarizao, modo de
operao e o tipo de dispositivo utilizado (BJT, IGBT
e MOSFET). Tambm foram desenvolvidas
expresses para a determinao de rendimentos para
as Classes G e H para um nmero arbitrrio de
estgios.
Foi demonstrada a importncia de se considerar

Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,

Assistido por Anlise Computacional.

III AES Brasil

Julho de 1999

cargas reativas, e no apenas cargas resistivas, pelo

fato de as potncias dissipadas para cargas reativas
(caso real) poderem atingir valores bem maiores do
que as potncias dissipadas para cargas resistivas. Se
menores potncias so consideradas no projeto, a
etapa de sada fica subdimensionada, fazendo com que
a temperatura de juno ultrapasse o valor mximo
permitido. At ento, o procedimento usual tem sido
considerar cargas resistivas atribuindo-se uma margem
de segurana, mas que no garante o bom
dimensionamento da etapa de sada, porque pode
tornar o projeto tecnicamente ou comercialmente
invivel. Os resultados obtidos permitem um criterioso
dimensionamento do projeto de etapas de potncia,
tanto sob o ponto de vista tcnico quanto econmico.
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Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,

Assistido por Anlise Computacional.

10

III AES Brasil

Julho de 1999

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[31] Alan V. Oppenheim, Alan S. Willsky and S.

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[32] Rosalfonso Bortoni, "Anlise, Dimensionamento
e Avaliao de Estgios de Potncia de
Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e
H," Dissertao de Mestrado, Universidade
Federal de Santa Catarica, Ps-graduao em
Engenharia Eltrica, abril de 1999.

Fig. B1 Circuito eltrico equivalente do sistema

Band-pass de 6a ordem.
N Z eq ( s )
Z vc ( s ) = RE + Red + s Le +
DZ eq ( s )
Onde:

APNDICE A
A impedncia ZT (s) vista por Pd (t ) dada por (Fig.
12):

ZT ( s) =

N Z eq ( s ) = Res

s
s4 + A s3 + B s2 + C s + D s
Qms
A=

A s2 + B s + C
s3 + D s2 + E s + F

b1 b 2
+
QL1 QL2

onde
B = b21 +

1
A=
CJ
B=

RCD + RDA
1
1
+
+

C J CD RCD RDA
C J CC RCD C J CC RJC

C=

D=

E=

RJC + RCD + RDA

C J CC C D RJC RCD RDA

C = b21

F=

C J CC C D RJC RCD RDA

APNDICE B

Para a composio da carga complexa, considerouse um sistema band-pass de 6a ordem (caixa acstica +
alto-falante) [3], cujo circuito equivalente eltrico
apresentado na Fig. B1.
Os dados do sistema so: Fs = 40 Hz , Qts = 0,4 ,
Qes = 0,42 , Vas = 120 l , RE = 6,4 , Red = 20 103 f 0,7 ,
Le = 10 103 f 0,3 H , Vb1 = 120 l , Fb1 = 40 Hz , Vb2 = 45 l ,
Fb2 = 82 Hz e Q L = 7 [3].

b 2

+ b22 b1
Q L2
QL1

D = b21 b2 2
DZ eq ( s ) = s 6 + E s 5 + F s 4 + G s 3 + H s 2 + I s + J

RCD + RDA
1
1
1
+
+
+

C D RCD RDA
CC RCD CC RJC C J RJC

1
RJC + RCD + RDA
RCD + RDA
+
+

CC C D RJC RCD RDA

C J C D RJC RCD RDA
C J CC RJC RCD

b1 b 2
+ 2b 2
QL1 QL2

E=

F = b21 +

G = b21

b 2
Q L2

I=

b1 b 2

+ b2 2 + s
QL1 QL2
Qms

+ b22

H = 2b1 2b2 +

b1 b 2

+
+ s
QL1 Q L2 Qms

b1
Q L1

b1 + b 2 + 2s (1 + 1 + 2 )
Q
Q
L2
L1

s 2

b1 + b1 b 2 + b22 + 2s b1 (1 + 2 ) + b 2 (1 + 1 )
Qms
Q L1 Q L2
Q L2

Q L1

s 2 b 2

b1
+ 2b2 b1 + 2s
Q ms
Q L2
Q L1

b21 (1 + 2 ) + b22 (1 + 1 ) + b1 b 2
Q L1 Q L2

b21 b22 + 2s b21 b 2 + b22 b1
Qms
QL2
QL1

J = 2s b21 2b 2
1 =

Vas
Vb1

2 =

Vas
Vb 2

Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,

Assistido por Anlise Computacional.

11

III AES Brasil

Julho de 1999

BIOGRAFIAS
ROSALFONSO BORTONI, nasceu em So
Loureno, MG, em 1965. Iniciou seu trabalho no
udio aos treze anos de idade, animando festas dos
colegas de escola com Som e Luz. Aos dezesseis
entrou na Escola Tcnica de Eletrnica F.M.C., em
Santa Rita do Sapuca, MG, onde comeou sua
pesquisa em circuitos de udio; nesse perodo tambm
estudou violo clssico (1982 1985). Freqentou a
escola de msica CLAM Centro Livre de
Aprendizagem Musical, em So Paulo, SP, onde
estudou Harmonia e Improvisao e teve grande
influncia do Jazz (1986 1988); atuou como tcnico
de som e guitarrista profissional no perodo de 1987 a
1989. Entrou para o curso de Engenharia Eltrica
(nfase em Eletrnica e Telecomunicaes) do
INATEL Instituto Nacional de Telecomunicaes de
Santa Rita do Sapuca, MG, onde desenvolveu e
apresentou vrios projetos de udio (1988 1993).
Foi professor da Escola Tcnica de Eletrnica
F.M.C. no perodo de 1990 a 1995, onde tambm
fabricou caixas acsticas, amplificadores de potncia e
o TS-1 - Analisador de Parmetros Thiele-Small,
quando da implantao da Incubadora de Empresas.
Em 1996 iniciou seus estudos em ps-graduao na
UEL Universidade Estadual de Londrina, PR, onde
obteve o ttulo de Engenheiro de Segurana (1996) e,
posteriormente, fez Mestrado em Engenharia Eltrica
na UFSC Universidade Federal de Santa Catarina,
Florianpolis, SC, onde obteve o ttulo de Mestre em
Engenharia Eltrica com a Dissertao intitulada
Anlise, Dimensionamento e Avaliao de Estgios
de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B,
AB, G e H (1997 1999). Em 1999 iniciou seu
Doutorado, tambm na UFSC, com o tema em
Sistemas de udio. Desde 1990 vem atuando
profissionalmente como consultor e projetista de
equipamentos de udio e autor de vrios artigos
publicados em revistas tcnicas. Atualmente
consultor da STUDIO R, colaborador do Instituto de
udio e Vdeo (IAV) e membro da Audio Engineering
Society (AES).
E-mail: rosalfonso@hotmail.com

circuitos integrados. Suas publicaes incluem 1 livro

intitulado Filtros Seletores de Sinais, 1 Dissertao
de Mestrado, 1 Tese de Doutorado, 55 trabalhos em
congressos nacionais e internacionais e 8 trabalhos em
revistas internacionais.
E-mail: sidnei@linse.ufsc.br
RUI SEARA, nasceu em Florianpolis, SC, em
1951. Graduou-se em Engenharia Eltrica pela
Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC),
Florianpolis, SC, em 1975. Obteve o ttulo de Mestre
em Cincias de Engenharia Eltrica pela UFSC, em
1980. Especializou-se em Instrumentao-Metrologia
pela Ecole Suprieure d'Electricit de Paris, Frana,
em 1982. Obteve o ttulo de Doutor em Engenharia
Eltrica pela Universit Paris Sud de Paris, Frana, em
1984. Foi Chefe do Laboratrio de Eletrnica do
Departamento de Engenharia Eltrica da UFSC de
1978 a 1981. Foi Subchefe do Departamento de
Engenharia Eltrica da UFSC de 1992 a 1993. Foi
Coordenador de Pesquisa do Departamento de
Engenharia Eltrica da UFSC de 1992 a 1997.
Atualmente Supervisor do Laboratrio de
Instrumentao Eletrnica: Circuitos e Processamento
de Sinais (LINSE) da UFSC, cargo que ocupa desde
1985. Professor Titular do Departamento de
Engenharia Eltrica da UFSC, onde leciona disciplinas
de graduao e ps-graduao bem como orienta
alunos em dissertaes de mestrado e teses de
doutorado. Possui vrios artigos publicados em
peridicos nacionais e internacionais bem como
participao em diversos congressos nacionais e
internacionais. Efetua pesquisas nas reas de:
Processamento de Voz e Imagem, Filtros Digitais,
Filtros Adaptativos, Filtragem Analgica e
Instrumentao Eletrnica.
E-mail: seara@linse.ufsc.br

SIDNEI NOCETI FILHO, atualmente Professor

Titular do Departamento de Engenharia Eltrica da
Universidade Federal de Santa Catarina, UFSC.
Concluiu seu curso de graduao em Engenharia
Eltrica na UFSC em 1975 e ingressou na carreira
acadmica em 1976. Obteve o ttulo de Mestre em
Cincias em Engenharia Eltrica pela UFSC em 1980
e obteve o ttulo de Doutor em Engenharia Eltrica rea de Eletrnica na COPPE/Universidade Federal
do Rio de Janeiro, RJ em 1985. pesquisador do
CNPq e desenvolve seus trabalhos de pesquisa no
Laboratrio de Instrumentao Eletrnica: Circuitos e
Processamento de Sinais (LINSE), nas reas de: filtros
analgicos contnuos e amostrados, instrumentao
eletrnica, processamento de sinais e projeto de
Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,
Assistido por Anlise Computacional.

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Julho de 1999

TJ

PD()

III AES Brasil

PL

Hz

PL

Hz

(a)

TJ

PD()

(b)

PL

Hz

PL

Hz

(b)

(c)

%()

PD()

Fig. 21 Temperatura mdia de juno: (a) Classe B,

carga resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H,
carga reativa.

PL

Hz

(c)
Fig. 16 Potncia mdia dissipada: (a) Classe B, carga
resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H, carga
reativa.

PL

Hz

TJ

%()

(a)

PL

Hz

(a)

PL

Hz

(b)

Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,

Assistido por Anlise Computacional.

13

Julho de 1999

Pd(t)

%()

III AES Brasil

PL

Hz

Hz

(c)

(a)

i(t)

Pd(t)

Fig. 17 Rendimento: (a) Classe B, carga resistiva; (b)

Classe B, carga reativa; (c) Classe H, carga reativa.

Hz

(b)
v(t)

Hz

i(t)

Pd(t)

(a)

Hz

(c)
v(t)

Hz

TJ0(t)

i(t)

(b)

Fig. 19 Potncia instantnea dissipada: (a) Classe B,

carga resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H,
carga reativa.

v(t)

Hz

Hz

(c)
Fig. 18 Linhas de carga: (a) Classe B, carga resistiva; (b)
Classe B, carga reativa; (c) Classe H, carga reativa.

(a)

Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,

Assistido por Anlise Computacional.

14

Julho de 1999

TJ0(t)

TJ(t)max

III AES Brasil

Hz

(b)

PL

Hz

(c)

TJ0(t)

Fig. 22 Temperatura mxima de juno: (a) Classe B,

carga resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H,
carga reativa.

Hz

(c)

TJ(t)max

Fig. 20 Temperatura instantnea de juno: (a) Classe B,

carga resistiva; (b) Classe B, carga reativa; (c) Classe H,
carga reativa.

PL

Hz

TJ(t)max

(a)

PL

Hz

(b)

Dimensionamento e Avaliao de Estgios de Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G e H,

Assistido por Anlise Computacional.

15