Instituto Tecnolgico de Tijuana.

Departamento de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Ingeniera Electrnica.

Materia.

Clave.

Fsica de semiconductores.

4IE4.

Practica # 2
Formacin de la unin PN
Integrantes.

Nombres.

Nmero de control.

Meza Rojas Enrique

14211335

Olvera Vzquez Scarlett

14211908

Zavala Vega Rodolfo Marcelo

14211349

Maestro:

MC. Carlos Edgar Vzquez Lpez.

Tijuana, BC, a 19 de Abril 2016

ndice general.

ndice de imgenes. ........................................................................................................... iv

I.

Objetivos ...................................................................................................................... vi

II.

Unin PN ...................................................................................................................... 7

2.1

Estructura bsica de la unin P-N. ....................................................................... 7

2.2

Electrosttica de la unin P-N en equilibrio......................................................... 8

Regin de Agotamiento .................................................................................... 9
Campo elctrico. .............................................................................................. 10
Potencial de contacto. .................................................................................... 12
Anchura de la carga espacial. ....................................................................... 14
Diodo PIN.......................................................................................................... 16

2.3

Unin P-N en desequilibrio. ................................................................................. 17

Condiciones de polarizacin. ......................................................................... 17
Polarizacin directa. ........................................................................................ 17
Polarizacin inversa. ....................................................................................... 18
Campo elctrico y anchura de la carga espacial. ...................................... 19

2.4

Corriente de la unin P-N. .................................................................................... 20

Relacin ideal de corriente-voltaje. .............................................................. 20
Corriente de unin P-N polarizado inversamente. ..................................... 20

2.5

Fenmenos de ruptura.......................................................................................... 22
Ruptura por avalancha ................................................................................... 22
Ruptura por efecto tnel ................................................................................. 23

III. Material y equipo. ......................................................................................................... 25

IV. Applets........................................................................................................................... 26
4.1

Unin PN en equilibrio. ......................................................................................... 26

4.1.1

Unin PN y su diagrama de bandas de energa. ....................................... 26

4.1.2

Campo elctrico y zona de la carga espacial de la unin PN .................. 29

ii

4.1.3

Aproximacin al equilibrio de la unin PN ................................................... 33

4.1.4

Diodo de unin PIN: diagrama de bandas de energa .............................. 38

4.1.5

Diodo de unin PIN: carga espacial y campo elctrico ............................. 41

4.2

Bandas de energa y portadores de carga ........................................................ 45

4.2.1

Unin polarizada: diagrama de bandas de energa y corrientes. ............ 45

4.2.2

Carga espacial y campo elctrico en la unin PN polarizada. ................. 49

4.2.3

Diodo de unin PN con C-V y I-V. ................................................................ 51

4.2.4

Corriente vs Voltaje y los diodos PN y Schottky. ....................................... 53

4.3

Proceso de fabricacin de una unin P-N. ........................................................ 55

4.3.1

Produccin de la oblea ................................................................................... 55

4.3.2

Crecimiento epitexial ....................................................................................... 56

4.3.3

Oxidacin .......................................................................................................... 56

4.3.4

Primer proceso litogrfico .............................................................................. 57

4.3.5

Difusin ............................................................................................................. 59

4.3.6

Metalizacin...................................................................................................... 59

4.3.7

Segundo proceso litogrfico .......................................................................... 60

V. Conclusiones ................................................................................................................. 61
VI. Bibliografa .................................................................................................................... 63
VII. Cibergrafa ................................................................................................................... 63

iii

ndice de imgenes
Seccin 2.1
Figura 2.1 Unin PN y diagrama de bandas [1].8
Seccin 2.2
Figura 2.2 Difusin y arrastre de portadores[2]..9
Figura 2.3 Regin de agotamiento en la unin PN[2]..10
Seccin 2.3
Figura 2.4 (a) Voltaje de polarizacin directa V aplicado a la unin p-n, y (b) la estructura de bandas
de energa resultante. [b][3]18
Figura 2.5 (a) Voltaje de polarizacin inversa V, aplicado a la unin p-n, y (b) la estructura de
bandas de energa resultante. [b][5] 19
Figura 2.6. Vista lateral en la que se ha aumentado la capa de carga espacial. [a] ...19
Seccin 2.4
Figura 2.7 Caractersticas corriente-voltaje de un diodo p-n. La corriente de saturacin inversa io,
es igual a Jo multiplicado por el rea de seccin transversal de la unin. [b] ..22
Seccin 2.5
Figura 2.8 Esquema de la formacin de los pares de electrn hueco mediante: a) ionizacin por
impacto y posterior multiplicacin en avalancha, y b) efecto tnel desde la banda prohibida de
valencia a la de conduccin (ntese el estrechamiento de la banda prohibida como consecuencia
de la aplicacin de un campo elctrico elevado).24
Seccin 4.1
Figura 4.1 Resultados del problema desplegados en el simulador 1..27
Figura 4.2 Los 3 casos: (a) Na>Nd, (b) Na<Nd y (c) Na=Nd28
Figura 4.3 Los 2 casos extras: (a) Na>>Nd y (b) Na<<Nd.29
Figura 4.4 Resultados del problema desplegados en el simulador 2..30
Figura 4.5 Na=Nd.30
Figura 4.6 Na<Nd.31
Figura 4.7 Na>Nd.31
Figura 4.8 Na>>Nd.32
Figura 4.9 Na<<Nd. ..32
Figura 4.10 Resultados del problema desplegados en el simulador 3..34
Figura 4.11 Na=Nd.34
Figura 4.12 Diagrama de semiconductor en equilibrio cuando Nd>Na..35
Figura 4.13 Diagrama de semiconductor en equilibrio cuando Na>Nd..36
Figura 4.14 Diagrama de semiconductor en equilibrio cuando Na>>Nd37
Figura 4.15 Diagrama de semiconductor en equilibrio cuando Nd>>Na...37
Figura 4.16 a) Diagrama bandas de energa unin PN b) Diagrama bandas de energa unin PIN39
Figura 4.17 a) Na<Nd b) Na<<<Nd c) Na>Nd d) Na>>>Nd e) Na=Nd........41
Figura 4.18 a) Na<Nd b) Na<<<Nd c) Na>Nd d) Na>>>Nd e) Na=Nd .......44
Figura 4.19a) Polarizacin directa b) Polarizacin inversa............46
Seccin 4.2
Figura 4.20. Diagramas de carga y Campo Elctrico.50
Figura 4.21 Capacitancia-Voltaje y corriente-Voltaje51
Figura 4.22 Polarizacin Inversamente ..52
Figura 4.23 Incremento del Voltaje aplicado en el diodo Schottky.54
Figura 4.24 Incremento del Voltaje aplicado en el diodo de Unin PN54

iv

Seccin 4.3
Figura 4.25 Lingote de silicio.....55
Figura 4.26 Oblea de silicio..55
Figura 4.27 Formacin del sustrato tipo n+.........55
Figura 4.28 Reaccin qumica y formacin del sustrato tipo........56
Figura 4.29 Reaccin qumica y formacin de la capa de SiO2.. ......57
Figura 4.30 a) Aplicacin del fotosensibilizador b) Pelcula uniforme del fotosensibilizador y
proceso de curacin.....58
Figura 4.31 a) Instalacin de la mscara de cromo e irradiacin de luz ultravioleta b) Retiro de
residuos con HF c) Colocacin de la oblea en el reactor a 210C d) Retiro del SiO2 expuesto y foto
sensibilizador por completo..........59
Figura 4.32 Proceso de dopaje con vapor de B.....59
Figura 4.33 Proceso de metalizacin con vapor de aluminio .....60
Figura 4.34 a) Instalacin de la mscara de cromo e irradiacin de luz ultravioleta b) Retiro de
residuos con HF c) Colocacin de la oblea en el reactor a 210C d) Contactos mejorados y
dispositivo listo..61

I.

Objetivos

1.

Definir cada uno de los elementos de la electrosttica de una unin PN en

equilibrio.

2.

Analizar y comprender los efectos que se produce al aplicar voltaje en una

unin PN.

3.

Analizar el proceso adecuado de fabricacin de una unin PN.

vi

II.

Unin PN
La unin de un semiconductor P y uno N es conocida como P-N, por lo que

en este documento se habla sobre las propiedades de esta unin, lo cual nos
ayudara a entender el comportamiento de los electrones y huecos. Es muy
importante ya que este es la base de la electrnica moderna, ya sea transistores,
procesadores, etc., estn compuestos de uniones P-N o N-P.

2.1

Estructura bsica de la unin P-N.

Muchos dispositivos semiconductores contienen por lo menos una unin

entre un semiconductor extrnseco tipo P y un tipo N. Es importante saber que el

semiconductor entero es un material cristalino, en cada regin es dopado con
tomos de impureza aceptadora para formar la regin P y la regin adyacente es
dopado con tomos donadores para formar la regin N, como se muestra en la
figura 2.1.
Para simplificar vamos a suponer el caso en que el lmite entre las regiones
P y N represente una unin escaln o unin abrupta. En este tipo de unin la
transicin entre las regiones P y N tiene lugar en una distancia extremadamente
pequea. Por lo tanto, hay un cambio brusco en el dopaje yendo desde P hasta N.
Aunque en los casos prcticos la unin es de tipo gradual, es decir, la
concentracin de portadores dentro de la unin vara con respecto a la distancia.

Figura 2.1 Unin PN y diagrama de bandas

2.2

Electrosttica de la unin P-N en equilibrio.

En la unin p-n se presenta un gradiente de densidad grande tanto en las

concentraciones de huecos como de los electrones a travs de esta unin. Al

hacer la unin habr una difusin de huecos de la regin P a la N, y otra difusin
de electrones de la regin N a la P.
Los huecos difundidos fuera del lado tipo p dejan atrs un descubierto o
aceptor ionizado debido a esto, se crea una capa de carga con espacios
negativos dentro del lado tipo p cercano a la unin. De manera similar, los
electrones difundidos dentro del lado tipo p, dejan una capa de carga, con
espacios positivos de donadores ionizados.
La direccin del campo elctrico en la unin es tal que puede inhibir la
difusin de portadores mayoritarios, sin embargo, tal difusin no se evita por
completo.
Esto se debe a que el campo elctrico intercambiara portadores minoritarios
a travs de la unin, originando una derivacin de corriente de electrones desde el
lado tipo p al tipo n, y los huecos desde el lado del tipo n al tipo p, la cual es de
direccin opuesta a la corriente de difusin. En la figura 2.2 se muestra la
direccin del arrastre y de la difusin de portadores con respecto al campo
elctrico.
8

Figura 2.2 Difusin y arrastre de portadores

El campo en la unin se mantiene as, hasta que estos dos flujos de

corriente son iguales, en cuyo estado el nivel de Fermi es constante a travs de la
unin, como en todo el cristal, de esta manera no hay flujo de corriente en la red y
se tiene el equilibrio, es decir, Las corrientes de difusin y de arrastre se
equilibran:
() + () = 0

(2.2-1)

() + () = 0

(2.2-2)

Regin de Agotamiento
El hecho de unir ambos tipos de material provoca un elevado gradiente de
concentracin de portadores en las proximidades de la unin. De hecho, lo que se
observa es por un lado, una corriente de difusin de huecos de la regin P hacia la
regin N y por otro, una corriente de difusin de electrones de la regin N hacia la
P. Pero adems, la marcha o difusin de estos portadores de su regin inicial a la
otra deja al descubierto algunos iones fijos en la red cristalina, iones aceptores
negativos Na en la regin P e iones dadores positivos en la regin N, + Nd. Dicha
zona es llamada zona de agotamiento o regin espacial de carga y es una regin
en que no existen ni electrones ni huecos pero contiene tomos dadores ionizados
positivamente a un lado y tomos aceptores ionizados negativamente al otro lado.
En consecuencia, se forma una zona de con cargas negativas fijas en la cara P de
9

la unin y una zona con cargas positivas fijas en la cara N. La presencia de estas
cargas fijas da lugar a la aparicin de un fuerte campo elctrico cuyas lneas de
campo se dirigen desde la zona N hacia la zona P. En la figura 2.3 se puede
apreciar la regin de agotamiento y la concentracin de portadores.

Figura 2.3 Regin de agotamiento en la unin PN

Campo elctrico.
La presencia de estas cargas fijas da lugar a la aparicin de un fuerte
campo elctrico cuyas lneas de campo se dirigen desde la zona N hacia la zona
P, es decir, desde la zona de carga positiva a la zona de carga negativa. La
orientacin, por tanto, de este campo elctrico es siempre en contra de la corriente
de difusin del portador de carga considerado.
Si recordamos la definicin de campo elctrico, este se define como la
fuerza ejercida sobre la unidad de carga positiva. Cuando un campo elctrico se
aplica al semiconductor, dicho campo realiza una fuerza -q sobre cada electrn,
donde q es el valor de la carga del electrn. Tambin sabemos que dicha fuerza
ejercida es igual al valor negativo del gradiente de la energa potencial:
= = ( ) (2.2-3)
Sabemos que el valor inferior de la banda de conduccin Ec corresponde a
la energa potencial de un electrn. Como estamos interesados en el gradiente de
10

la energa potencial, podemos utilizar cualquier parte del diagrama de bandas que
sea paralelo a Ec. Es conveniente utilizar Ei pues dicha magnitud es ampliamente
utilizada en el caso de uniones P-N. Por tanto y para el caso unidimensional:
=

(2.2-4)

Ya se calcul el valor de dicho campo elctrico para el caso de un semiconductor

de tipo N sujeto a una diferencia de potencial constante.
El potencial electrosttico, , se define como aquella magnitud cuyo
gradiente negativo iguala al campo elctrico. Por tanto, para el caso
unidimensional:

( = )

(2.2-5)

Con lo que:

(2.2-6)

La ecuacin de Poisson para el caso unidimensional:

2

{ 2

(2.2-7)

nos permite relacionar el potencial electrosttico, la energa potencial y el campo

elctrico para una unin p-n.
Movindonos desde cualquiera de las dos regiones neutras hacia la unin
p-n aparecen distintas zonas. En una primera zona, la carga aportada por los
iones de las impurezas es parcialmente compensada con la carga de los
portadores mviles, es una regin estrecha de poco espesor y recibe el nombre de
regin de transicin.
Ms all de esta regin aparece la regin espacial de carga. Para uniones
p-n tpicas, la anchura de la regin de transicin es pequea comparada con la de
la regin espacial de carga, de forma que puede despreciarse dicha regin de
11

transicin y aproximar la regin espacial de carga por una distribucin espacial

donde xp y xn representan las anchuras de esta regin en las zonas P y N
respectivamente.
En las regiones de transicin, la distribucin espacial de carga vendr dada
a partir de la contribucin de todas las cargas que intervienen:
2
2

( + )

(2.2-8)

En el caso general de una unin abrupta, en el semiconductor de tipo N

pueden coexistir ambos tipos de impurezas cumplindose la relacin Na >> Nd e
igualmente en el semiconductor de tipo P se cumplir N a >> Nd. En la prctica
vamos a suponer que la concentracin de impurezas aceptoras Na en el
semiconductor de tipo N es nula al igual que la concentracin de impurezas
dadoras Nd en el de tipo P:
2
2
2
2

= =

= =

0
0

(2.2-9)
(2.2-10)

Potencial de contacto.
Tal y como se ha comentado, a travs de la unin se establece un campo
elctrico y una diferencia de potencial, y las bandas de energa tanto en la regin
N como en la P se presentan un desnivel de valor qV0. Tambin se ha visto como,
aunque Ec, Ev y Ei presentan dicho desnivel, el nivel de Fermi E F permanece
constante. En este apartado se va a responder a la pregunta de cul es la
magnitud de dicho desnivel o, dicho de otra forma, cual es la diferencia de
potencial a travs de la unin. Dicha diferencia de potencial aparece a travs de la
regin espacial de carga, la cual se ha supuesto que est enteramente constituida
por tomos dadores o aceptores ionizados. En realidad, hay una pequea
cantidad de portadores de carga (electrones y huecos) que estn continuamente

12

atravesando dicha regin, pero su concentracin es despreciable comparada con

las concentraciones de impurezas ionizadas.
Como los valores del nivel de Fermi intrnseco (Ei) son diferentes en la
zona P y en la zona N mientras que el nivel de Fermi (E F) es constante en la
regin espacial de carga se definen los potenciales electrostticos de las regiones
P y N con respecto al nivel de Fermi de la siguiente manera:
1

= ( )| ( )

(2.2-11)

= ( )| ( )

(2.2-12)

En la regin P, Ei es mayor que EF por lo que p es negativo, mientras que,

en la regin N, EF est por encima de Ei por lo que n es positivo.
Para la regin neutra de tipo P:

( )

( )

= ( ) ( )

(2.2-13)

donde se ha hecho uso de que p = NA >>ni. Y por tanto:

1

= ( ) =

ln( )

(2.2-14)

De forma similar podemos obtener el potencial electrosttico de la regin de

tipo N con respecto al nivel de Fermi teniendo en cuenta que, para dicha regin, n
= ND >>ni:
1

= ( ) =

ln( )

(2.2-15)

Como EF es constante la separacin total existente entre los niveles de

Fermi intrnsecos en las zonas neutras de tipo P y de tipo N vendr dado por n
+| p |y corresponde al valor del potencial de contacto o altura de la barrera de
potencial. Las lneas de Ec, Ei y Ev estn curvadas en una cantidad qV0.

13

0 = + | | =

ln(

1 2

(2.2-16)

Otra forma de calcular la barrera de potencial es integrando el campo

elctrico, dado que la magnitud del potencial en x=xn es igual a la barrera de
potencial lo cual est dado por la siguiente formula:

0 = |( = )| = 2 ( 2 + 2 )

(2.2-17)

En la figura 2.

Anchura de la carga espacial.

Despus de que se llevase a cabo la unin de ambas regiones, los
electrones y huecos mayoritarios se recombinan en el lado opuesto, originando
una regin de carga espacial o zona de vaciamiento en las proximidades de la
unin (positiva del lado n y negativa del lado p). La regin de carga espacial est
asociada a la carga de las impurezas ionizadas que quedan sin compensar a cada
lado de la unin. En esta regin prcticamente no existe carga libre y por esta
razn se le denomina tambin regin de agotamiento.
La condicin de neutralidad de carga en el conjunto del semiconductor
requiere que el rea positiva y el rea negativa encerradas por la distribucin
espacial de carga sea la misma, es decir:
=

(2.2-18)

Se puede determinar la distancia de la regin de carga espacial extendida

dentro de la regin N y P de la regin metalrgica. Se puede escribir como:
=

(2.2-19)

Si se realiza la sustitucin de la ecuacin 2.2-19 en 2.2-18 se obtiene una

ecuacin la cual al resolver para xn da como resultado:
2 0

= {

( )

1
2

(2.2-20)

14

Donde xn representa la anchura de la carga espacial dentro de la regin N.

As mismo para obtener la anchura de la carga espacial dentro de la regin P se
realizan los mismos pasos anteriores, resolvemos 2.2-19 para xn y se sustituye en
la ecuacin 2.2-18 la cual da como resultado la siguiente ecuacin:
2 0

= {

( )

1
2

(2.2-21)

La anchura total de carga espacial est dada por la suma de ambas

componentes:
= +

(2.2-22)

Por lo que al sustituir las ecuaciones 2.2-13 y 2.2-14 en la ecuacin 2.2-15 se

puede calcular la anchura total con una sola ecuacin:
={

2 0 +

1
2

)}

(2.2-23)

Con el valor de W podemos calcular xn y xp con mayor facilidad utilizando las

formulas:

(2.2-24)

(2.2-25)

Adems, una vez que obtenemos la anchura total de la regin de

agotamiento se puede llegar a calcular el campo elctrico mximo de la unin P-N
con la siguiente formula:
2

= 0 = 20 +

(2.2-26)

15

Diodo PIN
La introduccin de una capa intrnseca entre dos semiconductores de tipo p
y n, diodos p-i-n, tiene indudables ventajas en diversas aplicaciones de los diodos,
entre ellas la posibilidad de soportar potenciales de ruptura mucho ms elevados.
Efectivamente la presencia de la regin intrnseca, hace que en los diodos p-i-n, la
distribucin de la carga espacial a lo largo de la unin cuando los semiconductores
se encuentran en equilibrio sin tensin aplicada. La carga espacial positiva y
negativa se sita a ambos lados de la regin intrnseca. Ello es debido al traspase
de huecos de la regin p a la regin intrnseca y de electrones de la regin n a la
intrnseca. As mismo, desde la regin intrnseca existe un traspase de electrones
a la regin p, y de huecos a la regin n.
En la regin intrnseca el campo elctrico se mantendr constante, y por
tanto, la variacin del potencial es lineal. Se puede decir que los diodos p-i-n son
similares a un diodo p-n, pero con una regin de agotamiento muy amplia. Como
se mencion el diodo p-i-n es muy parecido a los diodos p-n, por lo que las
formulas del campo elctrico, potencial de contacto y de la anchura de la carga
espacial sern muy parecidas, solo que se aadir el termino d que representara
la longitud del intrnseco aadido.
El clculo del campo elctrico ser:
=

( )

(2.2-25)

El potencial de contacto se calculara por medio de la ecuacin:

1

0 = 2 ( + )

(2.2-26)

La anchura de la carga espacial, xn y xp se calculan con las siguientes formulas.

= [

2 ( + )0

=
=

+ 2]

+
+
( )
+

1
2

= +

(2.2-27)
(2.2-28)
(2.2-29)
16

2.3

Unin P-N en desequilibrio.

Si se conecta una batera a los terminales exteriores de la unin PN. La

tensin aplicada aumentara o disminuir el campo en las aproximaciones de la

unin, segn sea a polaridad de dicha tensin. La capa dipolar se dilata o se
contrae para ajustar el nuevo campo, y cambiara el nmero de portadores
mayoritarios que atraviesan la unin en unidad de tiempo. Como el campo no
influye en la circulacin de portadores minoritarios a travs de la unin, se
producir un desequilibrio, y aparecer en consecuencia, una corriente.

Condiciones de polarizacin.
Para que un diodo pueda conducir la corriente elctrica, hay que eliminar en
todo o en parte la zona desrtica, lo que quiere decir que hay que disminuir la
barrera. Esto se realiza con la aportacin de una fuente externa de tensin
elctrica, lo que supone ofrecer a las cargas una energa determinada para que
logren liberarse de sus enlaces y as puedan moverse. Este proceso se denomina
polarizacin. La polarizacin puede ser de dos tipos: directa o inversa.

Polarizacin directa.
Se dice que la unin esta polarizada directamente si la regin p se conecta
a la terminal positiva de la fuente de voltaje externo, conectando el otro extremo a
la parte n. En estas condiciones, el campo externo se orienta hacia la derecha, y
por tanto se contrapone al interno. Esto origina un desequilibrio que favorece el
paso de huecos hacia la derecha y de electrones hacia la izquierda, es decir se
favorece la corriente de difusin frente a la de arrastre.
Esto tiene el efecto de disminuir la altura de la barrera de potencial a (Vo-V) como
muestra la Figura 2.4. En consecuencia, los portadores mayoritarios, son capaces
de vencer la barrera de potencial mucho ms fcilmente, que el caso del equilibrio,
as que la corriente de difusin resulta ser mucho ms grande que el sentido de la
corriente. Ahora hay una red de corriente de la regin p a la n en sentido directo
convencional y un flujo de portadores desde el circuito externo para restaurar el

17

equilibrio dentro de la regin de carga. Se puede apreciar que, con la aplicacin de

un potencial externo, los niveles de Fermi no estn alineados a travs de la unin.

a)

b)

Figura 2.4 (a) Voltaje de polarizacin directa V aplicado a la unin p-n, y (b) la estructura de bandas de
energa resultante. [b][3]

Polarizacin inversa.
En este caso la polarizacin externa aplicada a la regin p se conecta a la
terminal negativa de la fuente de voltaje como se observa en la Figura 2.5. Esto
tiene el efecto de incrementar la altura de la barrera de potencial a Vo + V (Figura
**B), con lo cual origina un desequilibrio entre las corrientes de arrastre y difusin,
en concreto favorece la corriente de arrastre, que es la debida al campo elctrico.
En resumidas cuentas, el desequilibrio originado por el campo externo obliga a un
movimiento neto de huecos hacia la izquierda y electrones hacia la derecha. Sin
embargo, los electrones y huecos que se pueden mover son muy escasos en las
zonas de origen, por ejemplo, en la zona p hay muy pocos electrones que puedan
viajar hacia la derecha. Se dice que la corriente est formada por portadores
minoritarios, porque son minora en sus zonas de origen, y como son pocos la
corriente es pequea. Estos pocos portadores minoritarios, por ejemplo, los
electrones en la zona p, no se originan por introduccin de impurezas, sino por el
proceso de generacin de pares electrn-hueco, que es tanto ms intenso cuanto
mayor sea la temperatura (se da ms energa), por eso esta corriente depende de
la temperatura.

18

a)

b)

Figura 2.5 (a) Voltaje de polarizacin inversa V, aplicado a la unin p-n, y (b) la estructura de
bandas de energa resultante. [b][5]

Campo elctrico y anchura de la carga espacial.

La capa de carga espacial se llama as porque los iones aceptadores
centralizar de lado P constituyen una delgada capa de carga negativa, mientras
que los iones donantes sin neutralizar del lado N constituyen una delgada capa de
carga positiva. Se le da, a veces, el nombre de regin de empobrecimiento y a la
hiptesis de que las densidades de portadores son pequeas frente a las de
contaminantes, aproximacin de empobrecimiento. Esta aproximacin suele ser
muy aceptable en el caso de las uniones polarizadas inversamente al igual que en
las uniones que estn en equilibrio.
El campo elctrico de la carga espacial se puede determinar aplicando el teorema
de Gauss, que es una ecuacin fundamental de la teora del campo elctrico.

Figura 2.6. Vista lateral en la que se ha aumentado la capa de carga espacial. [a]

19

2.4

Corriente de la unin P-N.

Cuando un voltaje de polarizacin es aplicado a una unin P-N, una

corriente es inducida en el dispositivo. Inicialmente se consider una discusin

cualitativa de cuantas cargas fluyen en una unin P-N y entonces se consider la
derivada matemtica de la relacin entre voltaje-corriente.

Relacin ideal de corriente-voltaje.

La relacin ideal de corriente-tensin de una unin P-N se deriva sobre la
base de seis supuestos. Estos son:
1. Aplicacin de la aproximacin de la capa abrupta de agotamiento. Las regiones
de carga espacial tienen lmites abruptos y el semiconductor es neutral fuera de la
regin de agotamiento.
2. Aplicacin de la aproximacin de Maxwell-Boltzmann para las portadoras
estticas.
3. Aplicacin del concepto de inyeccin baja.
4. La corriente total es una constante en toda la estructura P-N.
5. Las corrientes de electrones y huecos individuales son funciones continuas a
travs de la estructura P-N.
6. Las corrientes de electrones y huecos individuales son constantes en toda la
regin de agotamiento.

Corriente de unin P-N polarizado inversamente.

La corriente total en la unin es la suma de las corrientes individuales de los
electrones y huecos que son constantes a travs de la regin de agotamiento. Los
gradientes en las concentraciones de portadores minoritarios, producen corrientes
de difusin, y ya que se est suponiendo que el campo elctrico es cero en los
bordes de carga espacial, se puede omitir cualquier componente minoritario de las
portadoras de corriente de arrastre.

20

Podemos calcular la densidad de corriente de difusin de huecos portadores

minoritarios:

(2.4-1)
La densidad de corriente de hueco para esta condicin de polarizacin directa es
en la direccin +x, que es de la P a la regin N. Del mismo modo se puede
calcular la densidad de corriente de difusin de electrones:

(2.4-2)
La densidad de corriente de electrones es tambin en la direccin +x. La densidad
de corriente total en la unin P-N es entonces:

(2.4-3)
Esta ecuacin es la relacin ideal de corriente-tensin de una unin P-N. Se
puede definir un parmetro de Js como:

(2.4-4)
Entonces la ecuacin 2.5-9 se puede simplificar como:

(2.4-5)
La ecuacin 2.4-5 se representa grficamente en la figura 2.7 como una funcin
de la tensin de polarizacin directa.

21

Figura 2.7 Caractersticas corriente-voltaje de un diodo p-n. La corriente de saturacin

inversa io, es igual a Jo multiplicado por el rea de seccin transversal de la unin. [b]

2.5

Fenmenos de ruptura
En polarizacin inversa la corriente a travs del diodo es muy pequea, y

por ello existe apenas existe calentamiento. De todos modos, para voltajes inversa
suficientemente

elevados

existen

procesos

que

limitan

severamente

el

funcionamiento del diodo. Estos procesos, denominados avalancha y tnel, dan

lugar a un aumento considerable de la corriente cuando el voltaje inverso aplicado
alcanza un valor crtico. Veamos en que consiste cada uno de estos procesos.

Ruptura por avalancha

Cuando se aplican al diodo voltajes inversos cada vez ms elevados, los
electrones minoritarios del lado p y los minoritarios del lado n que entran en la
regin de agotamiento adquieren velocidades cada vez ms elevadas como
consecuencia del alto campo elctrico presente en esta regin. Cuando el voltaje
es suficientemente elevado los portadores adquieren una energa cintica capaz
de ionizar por impacto a los tomos que se encuentran en reposo dentro de la
regin de carga espacial. En este proceso de interaccin, en el que los electrones
ionizan los tomos de la red, se originan nuevos electrones en la banda de
conduccin y huevos en la banda de valencia. As pues, despus de cada
ionizacin existen, adems del electrn primario, dos nuevos portadores,
sealados como e* y h* en la figura 2.8 a) que se mueven en direcciones
22

opuestas. Tanto el electrn primario como el electrn y el huevo generados

pueden sufrir nuevas colisiones por lo que el resultado final es una avalancha de
electrones en el extremo derecho de la regin de agotamiento y de huevos en el
extremo opuesto. La corriente a travs del diodo adquiere en estas condiciones
una proporcin enorme con un valor mucho ms elevado que el previste en el
proceso de difusin. Debido a que el campo elctrico es ms intenso justo en el
centro de la unin, este proceso de generacin de pares de electrn-hueco tiene
mayor importancia en la parte central de agotamiento.

Ruptura por efecto tnel

Este proceso se presenta cuando el campo externo aplicado es
suficientemente alto por si solo para arrancar directamente electrones de la red de
tomos en la regin de carga espacial, sin mediacin de colisiones (efecto Zener).
Esto puede ocurrir cuando el estrechamiento de banda prohibida por efecto del
campo aplicado es tal que los electrones en la banda de valencia rompen su
enlace con los tomos y pasan por efecto tnel a un estado vaco en la banda de
conduccin. Este fenmeno se explica por la naturaleza ondulatoria de los
electrones, los cuales tienen una funcin de onda asociada de varias decenas de
angstrom de extensin. Cuando la banda de energa prohibida se estrecha por
debajo de este limite la probabilidad de ionizacin por efecto tnel es muy alta
dando lugar a un aumento considerable a la corriente a travs de la unin (fig. 2.8
b).

23

Figura 2.8 Esquema de la formacin de los pares de electrn hueco mediante: a) ionizacin por
impacto y posterior multiplicacin en avalancha, y b) efecto tnel desde la banda prohibida de
valencia a la de conduccin (ntese el estrechamiento de la banda prohibida como consecuencia
de la aplicacin de un campo elctrico elevado).

El efecto tnel es competitivo con el de multiplicacin por avalancha de forma

que solamente ser aparente cuando la anchura de la regin de agotamiento sea
ya de partida muy estrecha. Esto ocurre por ejemplo cuando los semiconductores
que componen la unin p-n tienen un dopaje muy elevado. Por el contra, para un
campo elctrico dado la multiplicacin por avalancha ser tanto mayor cuanto ms
ancha sea la regin de agotamiento ya que el nmero de colisiones ionizantes
ser tambin mayor. En cualquier caso, el campo elctrico requerido para que
aparezca alguno de estos dos procesos est en el rango de 106 1 o mayor.
A menudo se aprovecha el aumento de corriente en polarizacin inversa
como consecuencia de la ruptura por avalancha o tnel para ciertas aplicaciones
tales como la de estabilizacin de fuentes de tensin utilizando los denominados
diodos Zener, o la generacin de potencias microondas con los diodos IMPATT,
En ambos casos se trata de diodos especiales que trabajan en la ruptura por
avalancha. Este tipo de aplicaciones exige un diseo especial del diodo para
maximizar el aumento de corriente como consecuencia de los fenmenos de
avalancha o tnel.
24

III. Material y equipo.

1.

Computadora con acceso a internet

2.

Equipo de impresin

3.

Libros

4.

Memoria USB

25

IV. Applets
4.1

Unin PN en equilibrio.
En esta seccin retomaremos cada punto estudiado en el marco terico,

pero ahora enfocado a analizar la unin p-n, al variar los distintos parmetros en 5
casos

distintos.

Para

esto,

utilizaremos

simuladores

que

mostraran

el

comportamiento de la unin p-n. Cada uno de estos simuladores se utilizaran con

el Silicio, como todos los materiales semiconductores se comportan de manera
similar, solo utilizaremos un material para tener resultados similares en cada
simulador.

4.1.1 Unin PN y su diagrama de bandas de energa.

Este simulador tiene como propsito mostrar el diagrama de bandas de
energa de una unin p-n. Lo utilizaremos para observar y analizar las diferencias
entre 5 casos distintos en los que se puede encontrar.
Antes de empezar el anlisis del simulador, utilizaremos el siguiente
problema para verificar si el simulador opera de manera correcta.

Calcular los parmetros de la unin P-N: Para un diodo de unin P-N

de Si con Na=1017/cm3, Nd=1016/cm3 y T=300 K.
a) Encuentre el potencial de contacto, Vo
Utilizando la ecuacin 2.2-16, donde

= 0.026, nos quedara:

(1017 3 ) (1016 3 )
0 = (0.026) ln (
) = (0.026)(1013 ) = .775
2
1
(1010 3 )

b) La anchura de la regin de agotamiento, W

Utilizando la ecuacin 2.2-23, = 1.04 1012 , nos quedara:

=

1
2 (1.04 1012 ) (. 775) (1017 3 )
{
(
1.6 1019
17 1

(10

16

+ (10

) (1016

1
3
1

1
2

)}

= 333.66 107

26

c) La distancia que la regin de agotamiento se extiende a la regin

N y a la regin P, xn and xp.
Utilizando las ecuaciones 2.2-24 y 2.2-25, nos quedara:
=

(333.66 107 )1016 3

= 30.332 107 = 30.332
1017 3 + 1016 3

(333.66 107 )1017 3

= 303.32 107 = 303.32
1017 3 + 1016 3

Los resultados obtenidos se verificaran con el simulador correspondiente.

La figura 4.1 muestra los resultados del problema anterior, y se puede apreciar
que los resultados calculados son muy aproximados a los resultados que muestra
el applet, por lo que podemos asegurar que el simulador funciona correctamente.

Figura 4.1 Resultados del problema desplegados en el simulador 1.

Para comenzar, analizaremos el comportamiento de la unin p-n en

3 casos generales, cuando Na es mayor a la cantidad de Nd, cuando ambos
valores son iguales y cuando Nd es mayor Na. La figura 4.2 muestra cada uno de
estos 3 casos.

27

Figura 4.2 Los 3 casos: (a) Na>Nd, (b) Na<Nd y (c) Na=Nd

Podemos observar que cada uno de los casos anteriores se ven similares, pero
podemos notar que el caso c (Na=Nd) el potencial de contacto es menor que en los
otros dos casos, esto se debe a que el tener cantidades similares de portadores
(iguales en este caso) hace que los niveles de Fermi de la regin n y la regin p se
igualen con mayor facilidad, ya que, ambos estarn cerca uno del otro. Mientras
que al tener una mayor diferencia entre la concentracin de portadores en ambas
regiones llevara a que los niveles de Fermi de ambas regiones tengan una
separacin mayor entre ellos, la cual se compensara y creara un potencial de
contacto ms grande.

28

Figura 4.3 Los 2 casos extras: (a) Na>>Nd y (b) Na<<Nd

En la imagen 4.3 se muestran los casos en los que la concentracin de

portadores de una regin es mucho mayor que las de la otra regin. En este caso
suceder algo parecido a lo que se vio en los casos anteriores, solo que estos son
a mayor escala, se crea un potencial de contacto ms grande en ambas
situaciones debido a que los niveles de Fermi estarn mucho ms separados.

4.1.2 Campo elctrico y zona de la carga espacial de la unin PN

Este simulador tiene como propsito el mostrar el campo elctrico de la
unin p-n en relacin con la zona de agotamiento. Debemos verificar el simulador
antes de comenzar a analizar los distintos casos. Verificaremos el simulador con
los mismos datos que utilizamos en el simulador anterior.

Calcular el campo elctrico mximo, para un diodo de unin P-N de Si

con Na=1017/cm3, Nd=1016/cm3, T=300 K y ni=1.5*1010cm-3.
1

(1017 3 ) (1016 3 )
0 = (0.026) ln (
) = .757
1 2
10
(1.5 10 3 )

={

2 (1.04 1012 ) (. 757)

1.6 1019

1
2

1017 3 + 1016 3

(
(1017

1
3

) (1016

1
3

)}

= 329.01 107

. 757 = 4.59 104

7
329.01 10

29

Los resultados obtenidos por medio de los clculos concuerdan con los
datos que el simulador entrega con los datos del problema. La figura 4.4 muestra
los resultados que da el simulador.

Figura 4.4 Resultados del problema desplegados en el simulador 2.

Para empezar, tomaremos el caso en el que Na=Nd, la figura 4.5 muestra el

capo elctrico para este caso. En el caso de tener ambas concentraciones iguales
el campo elctrico se encuentra en la regin n y la regin p de manera similar,
donde el campo llegara a su mxima capacidad justo donde las 2 regiones estn
en contacto (x=0). Comparemos este caso con los siguientes 2, cuando Na>Nd y
cuando Nd>Na.

Figura 4.5 Na=Nd.

30

Como sabemos al tener una mayor concentracion de portadores en una de

las dos regiones, habra potencial de contacto mayor en la union, ademas la
concentracion de la carga espacial estara en la region con menos portadores. Esto
es a mayor cantidad de portadores la carga espacial se almacenara en la otra
region, esto lleva a que el campo electrico se desplace de manera similar.. En las
figuras 4.6 y 4.7 se observan los casos cuando Na<Nd y Na>Nd, respectivamente.

Figura 4.6 Na<Nd.

Figura 4.7 Na>Nd.

Para terminar tenemos los casos en los que Na>>Nd y viceversa, en estos
casos,la concentracion de la carga puntual se da unicamente en una de las
regiones, lo cual lleva a que el campo electrico se concentre junto a la carga
31

puntual del lado contrario al que tenia la alta concentracion de portadores. En las
figuras 4.8 y 4.9 se dan los casos en los que Na>>Nd y Nd>>Na.

Figura 4.8 Na>>Nd.

Figura 4.9 Na<<Nd.

Conclusin del applet

Este applet, al igual que el anterior, puede mostrar varios escenarios que pueden
afectar al campo elctrico que se genera dentro de la unin P-N. Nos permite observar la
variacin de dicho campo junto con la carga puntual mientras nosotros modificamos los

32

valores de Na y Nd. Esto nos permiti comprender como se comporta el campo elctrico
dentro de la unin.

4.1.3 Aproximacin al equilibrio de la unin PN

Este simulador tiene como propsito el mostrar las cargas puntuales en la
unin p-n y los fenmenos de arrastre y de difusin con respecto a un campo
elctrico, adems de ver los temas anteriores en conjunto. Debemos verificar el
simulador antes de comenzar a analizar los distintos casos. Verificaremos el
simulador con los mismos datos que utilizamos en el simulador anterior.

Calcular el campo elctrico mximo, para un diodo de unin P-N de Si

con Na=1017/cm3, Nd=1016/cm3, T=300 K y ni=1.5*1010cm-3.
1

(1017 3 ) (1016 3 )
0 = (0.026) ln (
) = .757
1 2
(1.5 1010 3 )

={

2 (1.04 1012 ) (. 757)

1.6 1019

1017 3 + 1016 3

1
2

(
)}
1
1
(1017 3 ) (1016 3 )

= 329.01 107

. 757 = 4.59 104

7
329.01 10

Los resultados obtenidos por medio de los clculos concuerdan con los
datos que el simulador entrega con los datos del problema. La figura 4.10 muestra
los resultados que da el simulador.

33

Figura 4.10 Resultados del problema desplegados en el simulador 3.

En este simulador analizaremos los temas de los dos simuladores

anteriores, pero de manera colectiva, puesto que podemos ver las regiones de la
unin, los espacios de carga puntual y el diagrama de bandas del diodo. La figura
4.11 muestra La unin cuando Na=Nd.

Figura 4.11 Na=Nd.

34

Ambas regiones se han dopado de la misma cantidad de impurezas para

tener una idea un tanto ms clara del proceso a comparacin.
El diagrama a destacar es el ltimo ya que se puede observar de una
manera ms simple el proceso ocurrido tanto en la difusin y arrastre de los
electrones y huecos en el semiconductor. Cada regin tiene un papel fundamental
ya que en la regin tipo-P, donde se ubican una mayor cantidad de huecos es
compensado con la regin tipo-N donde se encontramos a comparacin mayores
electrones en la energa de conduccin que huecos en la energa de valencia.
Al aumentar la cantidad de densidad de impurezas en el material, los
valores para alcanzar el equilibrio son diferentes, las cargas puntuales cambian, el
campo elctrico le sucede lo mismo y la densidad en huecos y electrones, segn
sea el caso, tendrn una diferencia considerable unas con otras. En las figuras
4.12 y 4.13 se hace notar que al cambiar la concentracin de portadores en una
regin, que al tener

}
Figura 4.12 Diagrama de semiconductor en equilibrio cuando Nd>Na

35

Figura 4.13 Diagrama de semiconductor en equilibrio cuando Na>Nd

Los ltimos casos, es decir, Na>>Nd y Nd>>Na, se difunden los portadores

mayoritarios, pero como su cantidad es tan grande que se recombinan con los
portadores de la otra regin creando la regin de agotamiento en la otra regin, lo
que lleva a que el campo elctrico y la carga puntual se creen en la regin P, en el
caso de Nd>>Na, o en la regin N, en el caso de que sea Na>>Nd.
En las figuras 4.14 y 4.15 se muestra el diodo con unin P-N cuando tiene
Na>>Nd o Nd>>Na.

36

Figura 4.14 Diagrama de semiconductor en equilibrio cuando Na>>Nd

Figura 4.15 Diagrama de semiconductor en equilibrio cuando Nd>>Na

37

Conclusin del applet

El applet de esta seccin funciono como la unin del 1er y 2do applet, pues
este nos mostraba en una sola pantalla el campo elctrico, el potencial de
contacto, las cargas puntuales y agrego unos nuevos datos que fueron el arrastre
y la difusin de portadores. Lo cual nos ayud a comprender la funcin del campo
elctrico, de la difusin y el arrastre de portadores, pues todo esto lleva a la unin
al equilibrio.

4.1.4 Diodo de unin PIN: diagrama de bandas de energa

Cuando se forma una unin PIN compuesta por un tipo p, un intrnseco y un
tipo n, los niveles de fermi de estos tres semiconductores se igualarn, y de igual
forma que en unin PN sencilla, formarn un escaln, pero este es ms ancho
debido a la existencia del semiconductor intrnseco. Al tener una concentracin
mayoritaria de Na, Xp disminuir, caso contrario si Nd es mayor Xn ira
disminuyendo. Todo lo antes mencionado de acuerdo a la seccin 4.X del marco
terico.
Para validar este applet se utilizaron los siguientes parmetros:
= 1017 3 = 1023 3
= 1016 3 = 1022 3
= 1010 3
= 11.7
0 = 8.851014

= 25.9
Empleando las formulas mencionadas en la seccin 2.6:
(1016 3 )(1017 3 )

0 = ln ( 2 ) = (0.0259 ) ln (
) = 0.7752
(1010 3 )2

2 0 1
1
( + ) + 2

38

2(11.7)(8.851014 )(0.7752 )
1
1

=
( 17 3 + 16 3 ) + (104 )2
19
1.6 10
10
10
= 1.04932 104
=
=

+
+

(1017 3 )(1.04932 104 ) + (1016 3 )(104 )

1017 3 + 1016 3
= 1.0448 104 = 1.0448 106

El applet muestra como .

=
=

( )
+

1016 3 (1.0448 104 104 )

= 4.4836 107
1017 3 + 1016 3
= 4.4836 109

Los resultados del applet son vlidos ya que coinciden con los obtenidos a
travs del anlisis matemtico. Vase figura 4.X b).

Figura 4.X a) Diagrama bandas de energa unin PN b) Diagrama bandas de energa unin PIN

Debido al material intrnseco entre los materiales de tipo p y n en una unin

PIN al ser la regin de agotamiento (W) ms grande se tiene una carga menor en
39

la unin, adems de un campo elctrico ms grande, una capacitancia mayor, por

tal razn se puede utilizar como resistencia variable o conmutador ya que se pude
variar mediante procesos de dopaje y polarizacin el ancho de la regin de
agotamiento a un valor deseado. El potencial de contacto se conserv su valor en
ambas combinaciones.

40

Figura 4.X a) Na<Nd b) Na<<<Nd c) Na>Nd d) Na>>>Nd e) Na=Nd

Conclusin del applet

Este diodo acta como resistencia variable cuando es polarizado
inversamente. La resistencia directa de la regin intrnseca disminuir cuando se
aumente la corriente, ya que su resistencia se puede manipular variando la
polarizacin.
El ancho de la regin de agotamiento ser mayor debido al material
intrnseco contenido en medio de la unin, pero al aumentar considerablemente
las concentraciones de impurezas, las regiones xn y xp sern modificadas en
proporcin y estas regiones tomarn parte del ancho del semiconductor intrnseco
ubicado en el centro, esto debido a la alta concentracin de portadores contenida
en el semiconductor.

4.1.5 Diodo de unin PIN: carga espacial y campo elctrico

De acuerdo a la seccin 4.X del marco terico en un diodo pin la regin
intrnseca se invade con portadores de carga de las regiones N y P. El diodo
conducir corriente una vez que los electrones y huecos invadidos lleguen a un
punto de equilibrio, donde el nmero de electrones ser igual al nmero de huecos
en la regin intrnseca. Cuando el diodo es polarizado directamente la
concentracin de portadores inyectada es mucho ms alta que la concentracin de
portadores presentes en el nivel intrnseco. Debido a esta inyeccin de alto nivel
41

que a su vez est relacionada con las regiones de agotamiento el campo elctrico
se extender profundamente en la regin.
Para validar este applet se utilizaron los siguientes parmetros:
= 1017 3 = 1023 3
= 1016 3 = 1022 3
= 1010 3
= 11.7
0 = 8.851014

= 25.9
Empleando las formulas mencionadas en la seccin 2.6:
(1016 3 )(1017 3 )

0 = ln ( 2 ) = (0.0259 ) ln (
) = 0.7752
(1010 3 )2

2 0 1
1
( + ) + 2

2(11.7)(8.851014 )(0.7752 )
1
1

=
( 17 3 + 16 3 ) + (104 )2
19
1.6 10
10
10
= 1.04932 104
=
=

+
+

(1017 3 )(1.04932 104 ) + (1016 3 )(104 )

1017 3 + 1016 3
= 1.0448 104 = 1.0448 106

El applet muestra como .

=
=

( )
+

1016 3 (1.0448 104 104 )

= 4.4836 107
1017 3 + 1016 3
42

 = 4.4836 109
=
=

2
+

2(0.775)

=
7.565
(1.04932 104 + 104 )

Los resultados del applet son vlidos ya que coinciden con los obtenidos a
travs del anlisis matemtico. Vase figura 4.X a).

43

Figura 4.X a) Na<Nd b) Na<<<Nd c) Na>Nd d) Na>>>Nd e) Na=Nd

Analizando este applet con el anterior llegamos a que en el diodo de unin

PIN es posible manejar intensidades de corriente ms alta ya que esta tardara
ms tiempo en llegar de una regin a otra debido a el material intrnseco. Se
visualiza como se ve alterado el campo elctrico de la unin debido al material
intrnseco entre los materiales tipo p y n. La intensidad del campo elctrico se
mantiene constante durante el recorrido de la corriente a travs del material
intrnseco que se encuentra en el centro de la unin.
Conclusin del applet
La regin de agotamiento ser casi por completo la regin intrnseca para
un diodo de unin PIN, y a lo largo de esta regin el campo elctrico ser
constante debido a que se trata de un material intrnseco sin variaciones
relacionadas a cargas inicas espaciales y aumentara el volumen en que los pares
electrn-hueco pueden ser generados ya que esta regin casi constante en
tamao independientemente de la polarizacin inversa aplicada.
Ya que este diodo tiene una regin de agotamiento ms ancha provocada
por el material intrnseco le da propiedades resistivas en funcin de la corriente y
tendr una capacitancia ms baja por la separacin que este implica sobre las
regiones de carga espacial.

44

4.2

Bandas de energa y portadores de carga

Un semiconductor extrnseco se altera la concentracin de portadores de

carga dentro del material sin introducir alguna densidad de carga considerable. Es
posible porque que pueden presentarse simultneamente dos tipos de portadores
de carga, huecos y electrones. Por otra parte, en los metales no es posible alterar
la concentracin de los portadores de carga libres. Solo se puede introducir un
exceso de portadores, pero induciendo una carga.

4.2.1 Unin polarizada: diagrama de bandas de energa y corrientes.

Cuando se polariza directamente una unin PN intrnseca, las corrientes de
difusin de huecos como de electrones sern mayoritarias en comparacin de las
corrientes de arrastre y se producir el efecto de recombinacin provocado por el
desplazamiento de huecos en la banda de valencia. nicamente habr corriente
de arrastre cuando la unin es polarizada inversamente, y se ve reflejado en el
aumento del ancho de la regin de agotamiento, est corrientes es muy pequea,
pero existe cuando algunos electrones llegan a ganar algo de energa suficiente
para atravesar la unin. Todo en base a lo visto en la seccin 2.3 del marco
terico.
Para validar este applet se utilizaron los siguientes parmetros:
= 1017 3
= 1016 3
= 1010 3
= 11.7
0 = 8.851014

= 25.9
= 0.2
Empleando las formulas mencionadas en la seccin 2.3:

0 = ln (

(1016 3 )(1017 3 )

(0.0259
)
=
)
ln
(
) = 0.7752
(1010 3 )2
2

45

2
20 ( 0 )
1
= [
( )(
)]

2(8.851014 )(11.7)(0.7555
[
1.6 1019

0.2 ) 1017 3
1
)]
( 16 3 ) ( 17 3
10
10 + 1016 3

1
2

= 2.5732 105
1

2
20 ( 0 )
1
= [
( )(
)]

2(8.851014 )(11.7)(0.7555
[
1.6 1019

0.2 ) 1016 3
1
)]
( 17 3 ) ( 17 3
10
10 + 1016 3

1
2

= 2.5732 106

Los resultados del applet son vlidos ya que coinciden con los obtenidos a
travs del anlisis matemtico. Vase figura 4.X a).

Figura 4.X a) Polarizacin directa b) Polarizacin inversa.

46

Figura 4.X a) Na<Nd b) Na<<<Nd c) Na>Nd d) Na>>>Nd e) Na=Nd

47

Cuando la unin es polarizada directamente, esta empuja los electrones y

huecos hacia la unin provocando una reduccin en el ancho de la regin de
agotamiento y esto hace mucho ms fcil que los electrones libres y huecos se
desplacen a travs de la unin con una mnima cantidad de energa trmica y se
obtiene una corriente fija a travs del diodo.
Cuando la unin PN es polarizada inversamente, esta arrastrar portadores
hacia los extremos y producir un aumento en el ancho de la regin de
agotamiento. Donde ser casi imposible tanto para los electrones como huecos el
cruzar la regin de agotamiento. Algunos electrones y huecos podran ser
excitados con suficiente energa trmica para desplazarse a travs de la unin, la
corriente en polarizacin inversa no ser cero, sino muy muy pequea.
En funcin de la polarizacin aplicada, los niveles de fermi se separarn,
debido a la inyeccin de portadores a cada lado de la unin. Al polarizar directa o
inversamente, el nivel de fermi dejar de ser constante, pero solo cuando se
polariza directamente existir una mayor difusin de portadores en la unin.
Cuando se polariza una unin asimtrica, ocurrir tambin un aumento o
disminucin de la regin de agotamiento, pero los anchos para el lado p y n
disminuirn o aumentarn proporcionalmente de acuerdo a las concentraciones
dopantes que se tengan en el material.
Conclusin del applet
La regin de agotamiento aumenta cuando un diodo de unin PN es
polarizado inversamente, por lo tanto, el potencial de contacto tambin,
dificultando as la movilidad electrnica en la estructura cristalina.
La regin de agotamiento disminuye Cuando un diodo de unin PN es
polarizado directamente, por lo tanto, el potencial de contacto tambin, facilitando
as la movilidad electrnica en la estructura cristalina.

48

Las impurezas dopantes estn directamente relacionadas con la magnitud

de portadores involucrados en las corrientes de difusin y arrastre, afectando Na
densidad de huecos y Nd la densidad de electrones.

4.2.2 Carga espacial y campo elctrico en la unin PN polarizada.

Este simulador tiene como finalidad mostrar el diagrama de densidad de
carga y campo elctrico generado al aplicar una diferencia de potencial sobre las
terminales del diodo.
Para comprobar que el campo elctrico que se generada al aplicar un
diferencial de potencial utilizaremos la Ecuacin calcularemos la regin de
agotamiento Xn.
2 (0 )
1
=
( )(
)

2 (1.04 1012 ) (0.718 0.41) 1016 3

1

=
( 16 3 ) (
)
19
16
(20 3 )
1.6 10
10
Enseguida se ilustra la ecuacin para calcular el Emax:
=
=

( )( )

(1.6 1019 )(1 1016 3 )(1.38 105 )

(1.04 1012 )
= 2.123076 104

Con este resultado le validamos los datos mostrados por el simulador.

El espacio densidad de carga distinto de cero en la regin de agotamiento
da lugar a un campo elctrico. La densidad de carga de la figura central, muestra
que el campo elctrico apunta desde la carga positiva hacia la carga negativa, el
campo E apunta hacia la izquierda (valor negativo). Valor absoluto mximo del
campo elctrico se produce en la unin fsica (entre el lado p y n- lado)
49

Figura 4.20. Diagramas de carga y Campo Elctrico.

V (V)
0.72V
0.69
0.61
0.49
0.29
0
-0.12
-0.52
-1.1
-2

V0 (V)
0.718
0.718
0.718
0.718
0.718
0.718
0.718
0.718
0.718
0.718

Xn (cm)
1.05E-6
1.05E-6
7.63E-6
1.16E-5
1.64E-5
2.14E-5
2.31E-5
2.83E-5
3.41E-5
4.23E-5

Xp (cm)
1.05E-6
1.05E-6
7.63E-6
1.16E-5
1.64E-5
2.14E-5
2.31E-5
2.83E-5
3.41E-5
4.23E-5

W (cm)
2.1E-6
2.1E-6
1.526E-5
2.32E-5
3.28E-5
4.28E-5
4.62E-5
5.66E-5
6.82E-5
8.46E-5

(V/cm)
0
-1.59E4
-1.16E4
-1.77E4
-2.5E4
-3.27E4
-3.53E4
-4.32E4
-5.2E4
-6.42E4

Tabla 4.1 Comparacin de regiones de agotamiento.

Conclusin del applet

Con los datos obtenidos queda comprobada la hiptesis planteada en el
marco terico. Donde dice que al aplicar un diferencial de voltaje a un diodo se
genera un campo elctrico y una carga en el espacio si el voltaje aplicado es de
forma inversa la regin de agotamiento aumenta al igual que el campo Elctrico, y
si el voltaje aplicado es de forma directa se demuestra que al llegar a un
diferencial de potencial mayor a 0.7 V la regin de agotamiento tiende a cero y el
diodo empieza a funcionar. As como tambin validamos con los clculos
50

matemticos obtenidos de = 2.123076 104 , con la cercana con el dato

proporcionado con el applet mostrando una pequea diferencia de error con: =

2.11 104 .

4.2.3 Diodo de unin PN con C-V y I-V.

.

Este simulador (capacitancia Vs voltaje) se requiere entender sus

magnitudes relativas en una condicin de tendencia dada. Tambin en este

simulador se demuestra el modelo matemtico del comportamiento de la
capacitancia dependiendo del voltaje aplicado en nuestro semiconductor; como se
muestra en la Figura 4.21.

Figura 4.21 Capacitancia-Voltaje y corriente-Voltaje.

En donde la parte superior derecha muestra la curva de CapacitanciaVoltaje y debajo de ella la curva Corriente-Voltaje en el semiconductor. En la parte
superior izquierda se muestra el semiconductor polarizado directamente con
portadores mayoritarios tipo P y portadores minoritarios tipo N, debajo de ello se

51

muestra la grfica donde se puede examinar la carga espacial y el perfil de cargas

minoritarias inyectadas.
En el siguiente caso se muestra el semiconductor polarizado inversamente
y sus comportamientos al ir aumentando su voltaje y con portadores igualados. En
donde en polarizacin inversa baja la capacidad de transicin aumenta con
respecto a la capacidad que se encuentra en polarizacin directa, en su contrario
la capacidad de difusin baja en polarizacin inversa con respecta a la
polarizacin directa como se muestra en la Figura 4.22, y por consecuente de la
polarizacin la corriente vista en polarizacin inversa es negativa y en directa es
positiva.

Figura 4.22 Polarizacin Inversamente

Conclusin del applet

Al cambiar las concentraciones de portadores donde Na es mayor que Nd,
el ancho de la zona de transicin aumentara, dndose a notar que el voltaje de
polarizacin debe ser mayor, del mismo modo como en el ejemplo anterior la
capacidad de difusin aumenta y la capacidad de transicin disminuye. En cambio,
con la polarizacin inversa disminuye la corriente cambiando los parmetros.

Por otra parte, tenemos cuando la concentracin de portadores es Na es menor a

Nd, se observa que la zona de transicin es mayor. Mencionando que se necesita
52

un mayor voltaje de polarizacin directa para que la corriente comience a subir, o

en otras palabras que rompa la barrera de potencial. De la capacidad de difusin
aumenta a medida que el voltaje aumenta y por lo contrario la capacidad de
transicin desaparece a medida que el voltaje aumenta. De misma forma con una
polarizacin inversa la corriente disminuye llegando a la conocida corriente de
saturacin, la capacidad de transicin aumenta y la capacidad de difusin
disminuye, y co ello comprobamos la teora mencionada en el marco teorico.

4.2.4 Corriente vs Voltaje y los diodos PN y Schottky.

En el marco terico se define que una polarizacin directa de una unin PN
con un voltaje positivo provocara una disminucin en la regin de agotamiento
debido a que la barrera de potencial decae permitiendo una mayor difusin de
portadores.
Un metal en contacto con un semiconductor moderadamente dopado puede
formar un contacto rectificante llamado diodo de barrera Schottky. El mecanismo
de corriente en el diodo Schottky es diferente que en el caso de un diodo de
juntura PN, y es debido al flujo de portadores mayoritarios. Muchos metales
pueden ser usados para crear barreras Schottky sobre semiconductores de silicio
(Si) o arseniuro de galio (GaAs).
Ahora observaremos la polarizacin del diodo Schottky y la curva
caracterstica. Donde se puede observar que el diodo Schottky responde ms
rpidamente al voltaje aplicado que al diodo de unin PN como se muestra en las
Figuras 4.23 y 4.24.

53

Figura 4.23 Incremento del Voltaje aplicado en el diodo Schottky.

Para demostrar o anteriormente planteado compararemos el diodo Schottky

con la simulacin del diodo PN y conforme se aumenta el voltaje la grfica nos
muestra como aumenta la corriente dependiendo el diodo.

Figura 4.24 Incremento del Voltaje aplicado en el diodo de Unin PN.

Conclusin del applet

Con ello se concluye que el diodo Schottky es ms sensible a la polarizacin y
alcanza corrientes ms grandes con menor energa que el diodo de unin PN, esto
debido a su funcionalidad y procesos de difusin de portadores mayoritarios la
magnitud de Vo y la magnitud del campo elctrico es mayor porque hay mayor
movilidad electrnica.
54

4.3

Proceso de fabricacin de una unin P-N.

4.3.1 Produccin de la oblea

Se obtiene un lingote de silicio de unos 10 cm de dimetro y 50 cm de
longitud con un proceso llamado CZOCHRALSKI o simplemente CZ.

Figura 4.X Lingote de silicio

El lingote se corta en obleas circulares de un espesor aproximado de 0,2

mm que forma el sustrato tipo n+. Una de las caras de la oblea se lapida y pule
para eliminar las imperfecciones superficiales antes de proseguir con el siguiente
paso. Vase figura 4.X.

Figura 4.X Oblea de silicio

Figura 4.X Formacin del sustrato tipo n+

55

4.3.2 Crecimiento epitexial

Se emplea el proceso de vaporizacin de fase epitexial (VPE) para formar
una capa tipo n- de 5 a 25 m. En este proceso se introducen las obleas de silicio
en un reactor y se lleva a cabo una reduccin de gases con H y SiCl4. Vase
figura 4.X.

Figura 4.X Reaccin qumica y formacin del sustrato tipo n-

Existe un aparato para el control preciso y fcil de impurezas que consiste

en un tubo largo de cuarzo envuelto por una bobina de induccin a
radiofrecuencia. Las obleas se colocan en un soporte de grafito y este se introduce
en el reactor calentado hasta unos 1100 a 1200C. Un puesto de control introduce
y elimina los gases requeridos para acrecentar debidamente las capas epitexiales.

4.3.3 Oxidacin
Se deposita una capa de SiO2 sobre la superficie del silicio. La oxidacin
trmica del silicio se lleva a cabo en presencia de vapor de agua. La reaccin
qumica es:

56

Figura 4.X Reaccin qumica y formacin de la capa de SiO2

El espesor de las capas de SiO2 es generalmente comprendida 1500

Angstroms de este espesor influyen varios factores tales como la temperatura del
proceso, la concentracin de impurezas y el tiempo de procesado.

4.3.4 Primer proceso litogrfico

Se procede con un proceso fotolitogrfico que comienza con el recubrimiento
de la oblea con una pelcula uniforme de foto-sensibilizador de aproximadamente
3 m de espesor. Para lograr una aplicacin uniforme la oblea fue girada a 3,000
rpm. Posteriormente la oblea es colocada en el reactor a 210C nuevamente
durante un lapso de tiempo corto para que se endurezca la pelcula de fotosensibilizador se endurezca un poco. Vase figura 4.X.

Figura 4.X a) Aplicacin del fotosensibilizador b) Pelcula uniforme del fotosensibilizador y proceso
de curacin

57

Se instala una mscara de cromo con un diseo definido y se irradia con luz
ultravioleta provocando la descomposicin de las zonas expuestas. Despus los
residuos irradiados son retirados con HF, se coloca nuevamente en el reactor a
210C para despus eliminar el SiO2 expuesto. Finalmente, en este paso se retira
el foto-sensibilizador por completo. Vase figura 4.X.

Figura 4.X a) Instalacin de la mscara de cromo e irradiacin de luz ultravioleta b) Retiro de

residuos con HF c) Colocacin de la oblea en el reactor a 210C d) Retiro del SiO2 expuesto y foto
sensibilizador por completo

58

4.3.5 Difusin
En este paso calienta en un horno a 950C donde la capa n- es dopada con
vapor de B convirtindose en p. Vase figura 4.X.

Figura 4.X Proceso de dopaje con vapor de B

4.3.6 Metalizacin
La metalizacin se emplea para formar las interconexiones entre los
componentes del chip. Consiste en calentar aluminio hasta que se evaporice, las
molculas gaseosas formadas irradian uniformemente en todas direcciones y
cubren completamente la superficie de la oblea. Esta capa tiene un grosor
aproximado de 1500 angstroms, el mismo grosor de la capa de SiO2 obtenida en el
proceso de oxidacin. Vase figura 4.X.

Figura 4.X Proceso de metalizacin con vapor de aluminio

59

4.3.7 Segundo proceso litogrfico

Aqu se repite el proceso fotolitogrfico utilizando el lquido fotosensibilizador, es colocada la mscara de cromo con otro grabado, se irradia con
luz ultravioleta, son retirados los residuos del lquido foto-sensibilizador expuesto y
por ltimo se hornea esta vez a 475C y se retira una parte del aluminio para
mejorar los contactos. En este momento el dispositivo est listo para ser probado.
Vase figura 4.X.

Figura 4.X a) Instalacin de la mscara de cromo e irradiacin de luz ultravioleta b) Retiro de

residuos con HF c) Colocacin de la oblea en el reactor a 210C d) Contactos mejorados y
dispositivo listo

60

Conclusin del applet

La fabricacin de un semiconductor PN consta bsicamente de siete etapas
ya que en la ltima se repiten los pasos anteriores, pero cambiando el patrn en el
proceso litogrfico. El tipo de semiconductor lo definir el control de impurezas al
que fue sometido en funcin del espesor de cada capa, por la tanto el proceso
variara de acuerdo a las necesidades que deba cumplir el dispositivo. Cabe
mencionar que el material de elaboracin en el proceso de fabricacin del
semiconductor estar reflejado en su costo y este podr funcionar correctamente
en condiciones ms complicadas.

V. Conclusiones
5.1 Unin PN en equilibrio
El analizar una unin PN, nos lleva a observar reacciones fsicas y
electroqumicas, tal es el caso del potencial de contacto, la regin de vaciamiento,
la carga almacenada y el campo elctrico. Al poner estos conceptos de manera
prctica, notamos que el potencial de contacto depende tanto del elemento como
de la cantidad de portadores, al ser una unin altamente dopada el potencial de
contacto aumenta su valor, por lo que cuando el dopaje es ligero el escaln es
ms pequeo, este valor vario comnmente entre 0.5-0.8.
La anchura de la regin de vaciamiento es otro factor que se puede apreciar
en los simuladores y calcular mediante mtodos matemticos, apreciando que la
regin es simtrica cuando las concentraciones son iguales y asimtrica cuando
un dopaje es mayor, haciendo ms delgada su anchura dependiendo que tipo de
dopaje sea N o P.
Por otra parte, al saber que fuerza de arrastre y de difusin son los vectores
de movimiento que interactan al formarse la unin, donde sus corrientes son
mayores cuando existen dopajes altos. Y a la vez se pueden manipular los
portadores haciendo ms amplia la regin de vaciamiento para poder disminuir la
difusin con la ayuda de materiales intrnsecos haciendo que la unin clsica P-N
se nombre unin PIN.
61

5.2 Diodo de unin PN bajo la aplicacin de voltaje

Al aplicar un voltaje a una unin PN es una excitacin que tiene
consecuencia el aumento o disminucin en el movimiento de los portadores de
carga. Se demostr que al polarizar una unin PN directa o inversamente, se
produce una cada o un aumento en la barrera de potencial lo cual produce una
mayor o una menor difusin de portadores segn sea el caso y esto a su vez
provoca un aumento o una disminucin en la regin de agotamiento. Si la unin es
intrnseca el aumento en la regio se dividir uniformemente en las dos subregiones
Xp y Xn, pero si no es as el aumento o diminucin se efectuara sobre el la regin
inicialmente menos dopada. Al aumentar la regin de agotamiento la difusin se
vuelve ms lenta e inversamente si disminuimos dicho regio la conduccin se da
en instantes.
5.3 Proceso de fabricacin
El proceso de fabricacin de un diodo es muy delicado, y puede llegar a ser
muy costoso dependiendo de los materiales que se utilicen para la fabricacin. Es
por esto que esta secuencia de pasos se encuentra mecanizada casi en su
totalidad por lo que la mayora ms no todos los diodos se fabrican del mismo
modo solo cambiando su elemento principal y/o dopante. Se logr identificar los
pasos esenciales para la fabricacin de un diodo, desde la extraccin de materia
prima hasta el grabado del dispositivo. Durante el proceso se utiliza un material
especfico con la propiedad de ser muy fotosensible, este es el principal
catalizador de la descomposicin de las reas de silicio primero y aluminio
respectivamente. Este material tiene la propiedad de que al exponerlo a los rayos
ultravioleta se descompone dejando sobre el material debajo un resistente acido
capas de corroer dicho material, y apoyndose en un patrn de pelcula protectora
de rayos ultravioleta es posible eliminar espacios indeseados minsculos. El
proceso ms importante es el recubrimiento con una pelcula protectora para que
solo unos puntos del material se oxiden y lo dems quede protegido, formndose
las capas de dopajes distintos.

62

VI. Bibliografa
[a] Charles A. Holt. (1989). Circuitos Electrnicos Digitales y Analgicos. Espaa:
Editorial REVERTE,S. A...
[b]

UNIONpn.pdf fsica de semiconductores, Unidad II. MC. Carlos Edgar

Vzquez Lpez
[c] S. M. Sze Kwok K. NG. (2002). Physics of semiconductor devices. Estados
Unidos: Wiley.
[d] Mckelvey, J. P. (1991). Fsica del estado slido y de semiconductores. Mxico:
Limusa.

VII. Cibergrafa

[1] http://www.gayatlacomulco.com/tutorials/electronica/tem4_1_.htm
[2] http://personales.upv.es/jquiles/prffi/semi/ayuda/hlppn.htm
[3] http://www.matematicasypoesia.com.es/monografias/Union_PN02.ht
m
[4] http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/imgsol/diod1.gif
[5] http://riuma.uma.es/xmlui/bitstream/handle/10630/4891/Disp_Mat_RI
UMA.pdf?sequence=1
[6] https://encryptedtbn3.gstatic.com/images?q=tbn:ANd9GcT_LHXL10InpwWsCPSpI4b
UG6aObhsclc2VgOE4h0NdUgjTFy8r
[7] http://jas.eng.buffalo.edu/

63