POLARIZACIN DEL BJT Y JFET

Rojas Venegas Vagner (a), Garay Valverde Orlando (b)

(a,b)Alumnos de la escuela de fsica (VIII ciclo) de la universidad nacional de Trujillo
Laboratorio de electrnica, Departamento de fsica, Facultad de Ciencias Fsicas y Matemticas, UNT.
Av. Juan Pablo II s/n, La Libertad, Trujillo, Per.

RESUMEN
En el presente informe de laboratorio se llevara a cabo el estudio y anlisis de los circuitos de
polarizacin tanto en BJT y JFET. Para esto es necesario obtener primeramente los parmetros del JFET,
as como la fuente de entrada realizada anteriormente, con ello determinamos el punto de operacin de las
respectivas configuraciones. Esto fue posible con los materiales e instrumentos proporcionados en el
laboratorio como; transistores, resistencias, fuente de voltaje variable, un VOM, protoboard y cables de
conexin. Finalmente se registr las respectivas mediciones pertinentes.
Palabras claves: Colector comn, drenador, malla compuerta, Transistor BJT, JFET, Punto de operacin.

1. OBJETIVOS

Comprobar experimentalmente el funcionamiento de las distintas configuraciones de

Polarizacin con BJT y JFET.
Familiarizarse con los BJT y JFET; la identificacin de sus terminales y la forma como se
emplean en circuitos prcticos.
Determinar el punto de operacin de las configuraciones de polarizaciones con BJT y JFET.

2. FUNDAMENTO TEORICO
El trmino polarizacin que aparece en el ttulo de este informe es un trmino totalmente inclusivo de la
aplicacin de voltajes de cd para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para amplificadores con
transistores, la corriente y voltaje de cd resultantes establecen un punto de operacin en las caractersticas
que definen la regin que se emplear para amplificar la seal aplicada. [1]
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de salida en
respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Tres formas populares de polarizar un transistor son:

Polarizacin fija de base

Polarizacin por emisor
Polarizacin por divisor de voltaje

El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, como se ilustra en la figura 1a, en tanto que
el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje, como se muestra en la figura 1b.

Figura1. Amplificadores: (a) controlado por corriente y (b) controlado por voltaje.

El JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre las
otras dos.
[1]
La construccin bsica del JFET de canal n se muestra en la figura 2. Observe que la parte principal de la
estructura es el material tipo n, el cual forma el canal entre las capas incrustadas de material p.

Figura 2. Transistor de efecto de campo de unin (JFET).

2.1 Polarizacin por divisor de voltaje

La configuracin de polarizacin por medio del divisor de voltaje de la figura 3 es esa red.

Figura3. Configuracin de polarizacin

por medio del divisor de voltaje.

[1]

Figura3.1 Componentes de cd de la
Configuracin del divisor de voltaje.

2.2 Configuracin de Autopolarizacin

La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de dos fuentes de cd. El voltaje de control de
la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a travs de un resistor
introducido en la rama de
la fuente de la configuracin como se muestra en la figura 4.
Para el anlisis de cd, de nueva cuenta, los capacitores pueden ser reemplazados por circuitos abiertos y
el resistor
por un equivalente de cortocircuito, puesto que
. El resultado es la red de la figura 5
para el importante anlisis de cd.
[1]
Para la malla indicada de la figura 5, vemos que

El nivel de
se determina aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff al circuito de salida (malla de
drenador), con el resultado:

Figura 4. Configuracin de autopolarizacin de JFET.

Figura 5. Anlisis de cd de la configuracin

de autopolarizacin.

3. MATERIALES E INSTRUMENTOS
Fuente de tensin AC de 6.3v y 12.6v
Fuente de tensin variable de 0-10v
Un multmetro digital
Un transistor BJT 2N3904
Un transistor JFET K373
7 resistencias( 470 ,680 ,2.2k ,10k ,4.7k ,1.5k ,330k )
condensadores(0.1 F , 470 F de 25v)
Cables de conexin.
1 protoboard.

4. METODO Y ESQUEMA EXPERIMENTAL

Disponer el equipo experimental(materiales e instrumentos)

Parte 1: Polarizacin por divisor de voltaje

Armar el circuito de la figura 7, luego conectar la fuente de trabajo

de 11.84v y medir las
tensiones en todos los puntos que considere de inters a fin de comprobar su funcionamiento y
lo registramos los resultados en la tabla N1.

Parte 2: configuracin para JFET.

Antes de armar el circuito de la figura 8, realizamos la medicin de los parmetros del JFET
proporcionado, para ello sobre la base del circuito 8, realizaremos los cambios para poder
realizar su medicin.
En el circuito de la fig. 8 cambiamos por 1.5k y
las reemplazamos por cortocircuito,
y procedemos a la medicin de
. Ver figura 9.
Al circuito de la figura 9, reemplazamos el cortocircuito de la compuerta fuente (G,S) y
conectamos la fuente variable, colocamos medidores de voltmetro para
y ampermetro para
, como se muestra en la figura10; variando la tensin de la fuente hasta reducir a cero, con
lo cual determinaremos .
[3]
habiendo determinado
, procedemos armar el circuito de la figura 8 y medimos tanto los
voltajes como las corrientes de inters a fin de establecer el punto de trabajo. Anotando los
datos obtenidos en la tabla N2.

Figura 6: materiales e instrumentos y conexiones sobre el protoboard.

Fig.7 Circuito por divisor de voltaje para BJT.

Fig.9 circuito para medir

Fig.8 circuito de configuracin para JFET.

fig.10 circuito para medir

5. DATOS EXPERIMENTALES
Tabla N1: Para polarizacin por divisor de voltaje del BJT.

11.84

7.23

1.49

5.74

Puntos de operacin

1.0

Tabla N2: Configuracin para JFET.

8.01

0.81

7.2

1.72

Puntos de operacin

-0.8

(mA)

Tabla N3: Parmetros del JFET.

5.29

-1.75

6. DISCUSION Y RESULTADOS
Veamos el caso de polarizacin por divisor de voltaje para BJT, y cuyas mediciones estn en la Tabla
N1. Veamos algunas comprobaciones.
Sabemos que por malla colector-emisor:

si:

LVK:

()
Usando la figura del circuito 7, y la ley de LVK, se tiene:

11.84Ahora para

()

- =0
, si

de (, )

Ahora veamos la configuracin para JFET, cuyas mediciones estn en la Tabla N2.
Veamos primero los parmetros del JFET. Para ello se realiz dos circuitos, primero hallando
usando el siguiente circuito:

Se escogi el valor de acuerdo con esta ecuacin ( ), es decir buscar una

resistencia adecuada; qu al ser medida en el ampermetro, se menor que la
ecuacin .
( )
Entonces se registr,

Ahora hallando el

, se utiliz el siguiente circuito:

En este caso dicho valor se obtuvo, variando el voltaje hasta

que el ampermetro instalado simultneamente registre 0
Con lo cual se obtuvo:

Veamos algunas comprobaciones.

Usando la figura del circuito 8 y la ley de LVK, se tiene:
;

Tambin para
;

Para hallar el punto de trabajo se realiz por el mtodo grfico:

Obteniendo:

7. CONCLUSIONES

En este laboratorio es importante tener en cuenta el uso de la resistencia a usar.

Al comenzar es preferible obtener los parmetros de del JFET. de los cuales se obtuvo,
y
La diferencia principal entre las un JFET y un BJT es el hecho de que el BJT es un dispositivo
controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.
Una de las principales caractersticas de un JFET es que no se puede polarizar en inversa. Las
regiones de trabajo de un JFET es la regin de saturacin.

8. REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
[1] Robert L. Boylestad. Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Dcima edicin. Mxico (2009)
[2] http://es.slideshare.net/MarxSimpson/tercer-laboratorio-de-electronica
[3] Gua de laboratorio.