ESTUDIO DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor convencional o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento

intervienen corrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga
negativa. Otros dispositivos como los FET se denominan monopolares porque slo
hay corrientes de un tipo.
Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La
base es el terminal que est unido a la zona intermedia del transistor. Las tres
partes del transistor se diferencian por el distinto nivel de dopaje; la zona de menor
dopaje es la base, a continuacin se encuentra el colector y por ltimo el emisor.
Estudio de las corrientes
El anlisis del transistor se realizar para una estructura NPN, y es anlogo para
el PNP.
Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposicin, y no
existen corrientes notables circulantes por l. Si se polariza, aparecen tres
corrientes distintas, la corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por ltimo la
corriente de colector, IC. En la figura siguiente estn dibujadas estas corrientes
segn convenio, positivas hacia adentro:

Corriente en un transistor.

De estas tres corrientes, la del emisor es la ms grande, puesto que ste se

comporta como fuente de electrones. La corriente de base es muy pequea, no
suele llegar al 1% de la corriente de colector.

Aplicando la ley de Kirchhoff se tiene la siguiente relacin:

IB + IC - IE = 0 ; IE = IB + IC
Existen dos parmetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa
para continua, a, y la ganancia de corriente beta, b.
El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de emisor. Su
valor nunca ser superior a la unidad y da idea de hasta qu punto son iguales
estas corrientes.
a = IC / IE
El valor de a suele ser superior a 0,95, y en muchos casos es mayor de 0,99, por
ello para mayor simplicidad
de clculos se suele tomar a = 1.
El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la
corriente de colector y la de base.
b = IC / IB
Para transistores de baja potencia b tiene valores entre 100 y 300.
Relacin entre a y b. Partiendo de la ecuacin de las corrientes, I E = IB + IC, si se
divide ambos trminos por IC, se tiene que:
IE / IC = 1 + (IB / IC) teniendo en cuenta que IC / IB = b y IC / IE = a se tiene 1 / a = 1 +
1/b
despejando b de la ecuacin anterior:
b = a / 1-a
Configuraciones
Dependiendo de cul sea el terminal comn a la entrada y a la salida del
transistor, se distinguen tres tipos de configuraciones:
Configuracin en base comn. La base constituye el terminal comn a la
entrada y a la salida, se encuentra unida a masa. La ganancia en corriente de este
circuito es la unidad, pero sin embargo la ganancia en tensin puede ser muy alta
y, por lo tanto, tambin la ganancia en potencia. Esta configuracin presenta muy
poca realimentacin entre la entrada y la salida, por lo que se emplea
especialmente en circuitos de frecuencias altas o muy altas.

Configuracin en emisor comn. El emisor est unido a tierra. La ganancia en

corriente es alta (la Beta del transistor), la ganancia en tensin y en potencia
(dependiente de la carga de colector) es igualmente alta. Es la configuracin ms
utilizada.

Configuracin en colector comn. En este caso, el terminal que est conectado

a masa es el colector. La entrada se aplica a la base, como en las configuraciones
anteriores y la carga entre el emisor y masa. Esta configuracin tiene una
ganancia en corriente de la beta del transistor, la ganancia en tensin es muy
parecida, pero inferior a la unidad, y la ganancia en potencia es aproximadamente
la beta del transistor. Esta configuracin se llama tambin seguidor de emisor; se
emplea para aislar o adaptar impedancias, ya que el circuito de base ofrece a la
seal una impedancia beta veces inferior a la que se encuentra en el emisor. Se
conoce como seguidor de emisor porque la tensin en el emisor "sigue" a la de
base.

Configuraciones bsicas de empleo de un transistor.

Curvas caractersticas
Un transistor en rgimen esttico se encuentra, solamente, bajo la accin de las
tensiones continuas que se le aplican para polarizarle. Una forma de resumir este
funcionamiento es utilizar las curvas caractersticas del transistor, que relacionan
las tensiones y las corrientes. Las tensiones y corrientes que se utilizan dependen
de la configuracin del transistor, pero independientemente de sta, se distinguen
dos tipos de curvas: la caracterstica de entrada y la caracterstica de salida.

a) Caractersticas de entrada
La caracterstica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de
salida. En el caso de la configuracin en emisor comn se tiene la corriente de
base en funcin de la tensin base-emisor, para distintos valores de tensin
colector- emisor. La corriente de base y la tensin base-emisor son variables de
entrada, mientras que la tensin colector-emisor es una magnitud de salida.
Si se tiene una configuracin en base comn, su caracterstica de entrada
relacionar la corriente del emisor con la tensin emisor-base, utilizando la tensin
colector-base como parmetro. La corriente de emisor y la tensin emisor-base
con las magnitudes de entrada.
La figura muestra las diferentes caractersticas de entrada de dos transistores
NPN de germanio y silicio respectivamente en funcin del voltaje base-emisor para
dos valores del voltaje colector. emisor.

Caractersticas tpicas de transistores.

b) Caractersticas de salida
La caracterstica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al
circuito de salida. Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y
la tensin emisor-colector son caractersticas de salida en configuracin emisorcomn, mientras que las que relacionan la corriente de emisor, la de colector y la

tensin colector-base son las curvas correspondientes a una configuracin en

base comn.

Familia de curvas de corriente colector.

Zonas de funcionamiento
Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes dependiendo de la
polarizacin que tengan las dos uniones, base-emisor y base-colector. Estas
zonas se pueden observar en la familia de curvas caractersticas de salida de un
transistor como se muestra en la figura.
Zona de corte. Para un transistor de silicio, Vbe es inferior a 0,6 V ( para
germanio 0,2 V), ambas uniones estn polarizadas en sentido inverso y las
intensidades en los terminales se pueden considerar despreciables. En otras
palabras, la tensin de base no es lo suficientemente alta para que circule
corriente por la unin base emisor, por lo que la corriente de colector es
igualmente despreciable.
Zona activa. La unin base-emisor est polarizada en sentido directo ( Vbe > 0,6
V) y la unin colectora lo est en sentido inverso, la corriente inversa que circula
en la unin de colector es beta veces la corriente que circula en sentido directo
base emisor. Esta zona es muy importante, puesto que el transistor funciona en
ella cuando se utiliza para amplificar seales.
Zona de saturacin. Ambas uniones, emisora y colectora, estn polarizadas en
sentido directo. La corriente base-emisor es muy grande, por lo que la corriente de

colector lo es igualmente grande. Se dice que ha entrado en saturacin si el

voltaje del colector es inferior a la tensin base-emisor.
Limites de los transistores
En la hoja de caractersticas de un transistor aparecen una serie de valores que
deben ser respetados si no se quiere que el transistor se destruya o pierda sus
propiedades. Aunque estas caractersticas estn comentadas para los transistores
bipolares, las de los transistores unipolares son muy similares.
Corriente mxima de colector
Esta corriente viene limitada por la superficie de la unin y por los conductores que
conectan los terminales del transistor con los terminales exteriores. En algunos
componentes se especifican los valores que puede soportar un dispositivo de
manera continua. Estos valores que estn condicionados por problemas trmicos
pueden excederse durante tiempos muy cortos si exceder los valores promedio sin
grandes contratiempos.

Mxima potencia disipada

La potencia que puede disipar un transistor esta condicionada por la mxima
temperatura que puede soportar la unin semiconductora colector-base, ya que
como en todo diodo la corriente inversa crece con la temperatura. Para que la
temperatura de esta unin no supere los valores permitidos, que suele estar hacia
125 C en el silicio y los 85 C en el germanio, debe proveerse de dispositivos que
extraigan al exterior el calor generado en las uniones. Los pequeos transistores
discretos de silicio que se utilizan en circuitera electrnica, tienen una superficie
semiconductora de 1 o 2 mm2 y pueden llegar a disipar 0,25 W de calor sin que la
temperatura de la unin supere los valores permitidos. Acoplando un pequeo
radiador unido trmicamente a la carcasa del transistor puede llegarse hasta 1 W.
Los transistores de media potencia (de 1 a 25 w) suelen ser de mayor tamao ( 4
a lo mm2 ) y disponen de tornillos para acoplarse trmicamente a radiadores. Los
transistores de altas potencias (125 W y ms) tienen superficies de semiconductor
del orden de 25 mm2, soldadas a gruesas lminas de cobre con tornillos para una
robusta fijacin al radiador.
El las caractersticas de los transistores de potencia se suele sealar una curva
llamada rea segura de trabajo, una combinacin de voltaje y corriente colector
emisor que en caso de superarse supone la destruccin del dispositivo.
Tensin mxima
Es la mxima tensin de polarizacin inversa que puede aplicarse al transistor.
Este valor tiene que estar indicado para evitar que el transistor entre en la zona de
ruptura, en la cual el dispositivo sera destruido por un exceso de tensin. Antes de
que el transistor entre en la zona de ruptura, algunos transistores manifiestan un
fenmeno singular conocido como avalancha. El transistor soporta sin grandes
fugas una alta tensin mientras no circula corriente de base. Pero en el momento

que comienza a circular una pequea corriente por la base el transistor entra en
conduccin total. Si no existe limitacin el la corriente de colector el transistor es
destruido. Por el contrario, este fenmeno con limitacin de corriente puede
aprovecharse para obtener altos valores de corriente en generadores de pulsos
para diodos lser y otras aplicaciones sofisticadas.
Frecuencia de transicin (Ft)
Es una caracterstica del comportamiento del transistor respecto a la frecuencia.
La frecuencia de transicin tambin llamado producto de ganancia por ancho de
banda, determina el punto al cual la ganancia en corriente del transistor para esa
frecuencia (bf) es la unidad. En otras palabras la frecuencia hasta la cual puede
obtenerse ganancia de potencia del transistor cuando se emplea como
amplificador. Con este parmetro se especifica la capacidad del transistor para
trabajar a altas frecuencias.
Tiempo de conmutacin
En circuitos lgicos o digitales, el transistor generalmente se encuentra en uno de
dos estados, corte (no conduce) y saturacin (conduce totalmente). El paso de un
estado a otro no es instantneo porque el transistor no es un dispositivo ideal, sino
que requiere un tiempo. Cuanto menores son los tiempos para cambiar de estado,
mas rpido es el transistor.

TRANSISTORES UNIPOLARES
El funcionamiento de los transistores bipolares expuesto anteriormente est
basado en el movimiento de dos tipos de cargas, electrones y huecos, de ah el
prefijo bi-; adems, las uniones PN se polarizan en sentido directo e inverso.
Otro tipo de transistores muy importante son los unipolares que se basan en el
movimiento de un solo tipo de cargas, electrones o huecos, por ello el prefijo uni. En este tipo de transistor, las uniones PN se polarizan siempre en inverso. El
funcionamiento de estos transistores es significativamente diferente a los
bipolares.
Los transistores unipolares se dividen en dos grupos, los transistores de unin de
efecto de campo, JFET o FET, que a su vez se dividen en transistores de canal N
y transistores de canal P, y los transistores metal-xido-semiconductor de efecto
de campo o MOSFET. Dentro de este grupo se distinguen dos subgrupos,
MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento, que se dividen al
igual que los FET en canal N y canal P. La figura a continuacin muestra la
simbologa para los diferentes tipos de transistores.

Smbolos de diferentes transistores de efecto de campo.

Transistores JFET
Este transistor est formado por una pastilla de semiconductor tipo N, en la cual se
difunden dos zonas de semiconductor tipo P. La difusin puede hacerse utilizando
una sola cara, o bien, utilizando ambas. En la figura siguiente se observa la
estructura esquemtica de este transistor. Si en lugar de utilizar una pastilla de
semiconductor tipo N se utiliza una de P y se difunden dos zonas N, se obtiene un
transistor FET de canal P.

Esquema de un transistor de efecto de campo.

Este transistor posee, al igual que el bipolar, 3 terminales, que se denominan

fuente (source), drenaje (drain) y puerta (gate).

Drenaje y fuente: Son los terminales que estn unidos a la pastilla de

semiconductor (N o P). Los portadores mayoritarios salen por el drenaje y entran
por la fuente. Se denominan por las letras D y S respectivamente. La conduccin
entre estos dos terminales se comporta como la de una resistencia cuyo valor esta
controlado por la tensin de puerta.
Puerta: Se corresponde con las zonas difundidas. Se comporta como la de un
diodo polarizado en inverso, por lo tanto presenta una alta resistencia de entrada y
casi no circula corriente por ella. Si estn las dos unidas interiormente y se tiene
accesible un solo terminal, se tiene un FET de una puerta, y si estn separadas,
un transistor FET de dos puertas. La puerta se representa por la letra G del ingls
gate.
Los transistores FET tienen un comportamiento muy similar a las vlvulas de
vaco; se suele decir que son dispositivos de transconductancia en los que la
corriente esta controlada por la tensin de puerta. Los componentes discretos se
emplean en etapas de entrada de amplificadores operacionales por su alta
impedancia de entrada, linealidad y bajo ruido. Los dispositivos de potencia se
usan ventajosamente para sustituir transistores convencionales en las etapas de
potencia ya que son mas rpidos, mas robustos y carentes de fenmenos de
embalamiento trmico. Se emplean en conmutacin de potencia debido a sus
bajas resistencias internas de conduccin.
Transistores MOSFET
La construccin y estructura de estos dispositivos es muy similar al FET e
igualmente sus electrodos se denominan puerta, drenaje y fuente. La diferencia se
encuentra en que la puerta est aislada del canal mediante una capa de xido de
silicio (SiO2). Estos transistores reciben, tambin, el nombre de IGFET (del ingls
insulated gate, puerta aislada).
MOSFET de empobrecimiento. La estructura de este tipo de MOSFET est
representada en la siguiente figura. En una pastilla de material N, se difunde una
zona p denominada sustrato. En este caso se tiene un MOSFET canal P, si se
hace a la inversa se obtendr un MOSFET canal N. Este tipo de transistor apenas
se utiliza, pero su importancia radica en que fue el primer paso para el MOSFET
de enriquecimiento, de gran importancia en electrnica digital y en los
ordenadores.

Mosfet de empobrecimiento.

MOSFET de enriquecimiento. La diferencia con el transistor de empobrecimiento

esta en que en la pastilla de semiconductor N se difunden dos zonas tipo P, para
el transistor de canal P.

Corte esquemtico de un transistor Mosfet.

Los transistores MOSFET, se emplean ventajosamente en etapas amplificadoras y

mezcladoras de radiofrecuencia. Dispositivos construidos con arseniuro de galio
como material base se emplean en amplificadores de potencia en radiofrecuencia
hasta frecuencias de ms de 35 Ghz. Los pares complementarios CMOS
constituyen el elemento bsico de los circuitos integrados digitales de las familia
lgica CMOS. Con esta tecnologa se fabrican actualmente la mayora de los
circuitos digitales de los ordenadores personales.
Transistor uniunin
ste es dispositivo muy peculiar relativamente poco utilizado, porque slo
encuentra aplicacin en los osciladores de relajacin. Consta de una barrita de
material semiconductor tipo N (aunque este es el caso tpico puede darse la
configuracin inversa) con dos terminales en sus extremos denominados base 1 y
base 2. Aproximadamente en la mitad se realiza una unin de tipo P con otro
terminal de salida denominado emisor. La barita semiconductora tiene pocos
portadores y ofrece mucha resistencia al paso de la corriente mientras la unin
est polarizada en sentido inverso lo que ocurre cuando el voltaje del emisor es
inferior a 1/2 (Vb2-Vb1 0,65 V). Cuando el voltaje del emisor supera este umbral,
intecta portadores hacia la base, con lo cual aumenta la conductividad de la barita
y del diodo emisor-base1. Esta situacin se mantiene en tanto no se corte la
corriente a travs de este diodo.
Circuitos con transistores
Circuitos de polarizacin de transistores
Para que un transistor funcione, bien en la zona de amplificacin, en la de corte o
en la de saturacin, debe estar polarizado adecuadamente. Existen dos tipos de

polarizacin, la de base y la de emisor. La polarizacin de base se utiliza en

circuitos digitales, en los cuales el transistor trabaja en corte o en saturacin. La
polarizacin de emisor se utiliza en circuitos amplificadores.
Polarizacion de base
La polarizacin de base se corresponde a un circuito como el de la figura 1 a). En
este circuito se estn utilizando dos fuentes de alimentacin, pero usualmente slo
se dispone de una, con lo que el circuito pasa a tomar la forma representada en la
figura 1 b).

Fig 1. Polarizacin simplificada de un transistor