CONTENIDO DETALLADO:

1. Diodos y aplicaciones con diodos.

1.1 Introduccin a los diodos y diodo ideal.
1.2 Materiales semiconductores tipo N y tipo P.
1.3 Curvas caractersticas (ideal, real y aproximadas) de un diodo.
1.4 Algunas imperfecciones del diodo y sus hojas de especificaciones.
1.5 El diodo Zener, el diodo emisor de luz (LED) y otros tipos de diodos.
1.6 Comportamiento de CC de un diodo.
1.7 El rectificador de media onda.
1.8 El rectificador de onda completa.
1.9 Recortadores y sujetadores.
1.10 Multiplicadores de voltaje.

1.1 Introduccin a los diodos y

diodo ideal.
Las dcadas que siguieron a la introduccin del transistor en los aos cuarenta
han atestiguado un cambio sumamente drstico en la industria electrnica. La
miniaturizacin que ha resultado nos maravilla cuando consideramos sus lmites.
En la actualidad se encuentran sistemas completos en una oblea miles de veces
menor que el ms sencillo elemento de las primeras redes. Las ventajas asociadas
con los sistemas semiconductores en comparacin con las redes con tubos de los
aos anteriores son , en su mayor parte, obvias: ms pequeos y ligeros, no
requieren calentamiento ni se producen prdidas trmicas (lo que s sucede en el
caso de los tubos), una construccin ms resistente y no necesitan un periodo de
calentamiento.
La miniaturizacin de los ltimos aos ha producido sistemas semiconductores
tan pequeos que el propsito principal de su encapsulado es proporcionar

simplemente algunos medios para el manejo del dispositivo y para asegurar que
las conexiones permanezcan fijas a la oblea del semiconductor. Tres factores
limitan en apariencia los lmites de la miniaturizacin: la calidad del propio
material semiconductor, la tcnica del diseo de la red y los lmites del equipo de
manufactura y procesamiento.
El primer dispositivo electrnico que se presentar se denomina diodo. Es el ms
sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempea un papel vital en
los sistemas electrnicos, con sus caractersticas que se asemejan en gran medida
a las de un sencillo interruptor. Se encontrar en una amplia gama de
aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente complejas.
Aparte de los detalles de su construccin y caractersticas, los datos y grficas
muy importantes que se encontrarn en las hojas de especificaciones tambin se
estudiarn para asegurar el entendimiento de la terminologa empleada y para
poner de manifiesto la abundancia de informacin de la que por lo general se
dispone y que proviene de los fabricantes.
Antes de examinar la construccin y caractersticas de un dispositivo real,
consideremos primero un dispositivo ideal, para proporcionar una base
comparativa. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que tiene el
smbolo y las caractersticas que se muestran en la figura 1.1a y b,
respectivamente.

(a)

(b)
Figura 1.1 Diodo ideal: (a)smbolo; (b) caracterstica.

En forma ideal, un diodo conducir corriente en la direccin definida por la

flecha en el smbolo y actuar como un circuito abierto para cualquier intento de
establecer corriente en la direccin opuesta. En esencia:
Las caractersticas de un diodo ideal son las de un interruptor que
puede conducir corriente en una sola direccin.

En la descripcin de los elementos que sigue, un aspecto muy importante es la

definicin de los smbolos literales, las polaridades de voltaje y las direcciones
de corriente. Si la polaridad del voltaje aplicado es consistente con la que se
muestra en la figura 1.1.a, la parte de las caractersticas que se consideran en la
figura 1.1.b, se encuentra a la derecha del eje vertical. Si se aplica un voltaje
inverso, las caractersticas a la izquierda son pertinentes. En el caso de que la
corriente a travs del diodo tenga la direccin que se indica en la figura 1.1.a, la
parte de las caractersticas que se considerar se encuentra por encima del eje

horizontal, en tanto que invertir la direccin requerir el empleo de las

caractersticas por debajo del eje.
Uno de los parmetros importantes para el diodo es la resistencia en el punto o
regin de operacin. Si consideramos la regin definida por la direccin de ID y
la polaridad de VD en la figura 1.1.a (cuadrante superior derecho de la figura
1.1.b), encontraremos que el valor de la resistencia directa RF, de acuerdo a como
se define con la ley de Ohm es

(corto circuito)

donde VF es el voltaje de polarizacin directo a travs del diodo e IF es la

corriente en sentido directo a travs del diodo.
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la regin
de conduccin.
Si consideramos la regin del potencial aplicado negativamente (tercer
cuadrante) de la figura 1.1.b,
(circuito abierto)

donde VR es el voltaje de polarizacin inverso a travs del diodo e IR es la

corriente inversa en el diodo.
El diodo ideal, en consecuencia, es un circuito abierto en la regin
en la que no hay conduccin.

En sntesis, se aplican las condiciones que se describen en la figura 1.2.

Figura 1.2 Estados (a) de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal.

En general, es relativamente sencillo determinar si un diodo se encuentra en la

regin de conduccin o en la de no conduccin observando tan solo la direccin
de la corriente ID establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional
(opuesto al de los electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma
direccin que la de la flecha del mismo elemento, ste opera en la regin de
conduccin. Esto se representa en la figura 1.3a. Si la corriente resultante tiene la
direccin opuesta, como se muestra en la figura 1.3b, el circuito abierto
equivalente es el apropiado.

Figura 1.3 (a) Estado de conduccin y (b) de no conduccin del diodo ideal
determinados por la direccin de corriente de la red aplicada.

Como se indic con anterioridad, el propsito principal de esta seccin es el de

presentar las caractersticas de un dispositivo ideal para compararlas con las de
las variedades comerciales.

1.2 Materiales semiconductores

tipo N y tipo P.
Configuracin Electrnica de los elementos Semiconductores:
Elemento _electrones

1S

2S 2P 3S 3P 3d

4S 4P 4d 4f

5S 5P

Boro _____ B __ 5

2_1

Carbono __ C __ 6

2_2

Aluminio __ Al __13

2_6 2_1

Silicio ____ Si __ 14

2_6 2_2

Fsforo ___ P __15

2_6 2_3

Galio ____ Ga __31

2 _ 6 2 _ 6 _ 10

2_1

Germanio__Ge __32

2 _ 6 2 _ 6 _ 10

2_2

Arsnico __As __33

2 _ 6 2 _ 6 _ 10

2_3

Indio _____In __ 49

2 _ 6 2 _ 6 _ 10

2 _ 6 _ 10

2_1

Estao ____Sn__ 50

2 _ 6 2 _ 6 _ 10

2 _ 6 _ 10

2_2

Antimonio__Sb_ 51

2 _ 6 2 _ 6 _ 10

2 _ 6 _ 10

2_3

Electrones por
Nivel (2

18

32

Enlace covalente: En este tipo de enlace los electrones se comparten, pero no se

transfieren. Un enlace covalente consiste en un par de electrones (de valencia)
compartidos por dos tomos.
El mtodo ms sencillo para liberar los electrones de valencia ligados consiste en
calentar e cristal. Los tomos efectan oscilaciones cada vez ms intensas que
tienden a romper los enlaces y liberar as los electrones. Cuanto mayor sea la
temperatura de un semiconductor, mejor podr conducir.

Material Intrnseco
Cristal de Silicio

Material Intrnseco Tipo N

Cristal de Silicio "dopado" con tomos de Arsnico. tomos "Donadores"

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se denominan tomos

donadores.
Los materiales tipo N se crean aadiendo elementos de impureza (tomos) que
tengan cinco electrones de valencia, "Pentavalentes".

Material Extrnseco Tipo P

Cristal de Silicio "Dopado" con tomos o impurezas de Galio. tomos "Aceptores"

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se denominan tomos

aceptores.
Los materiales tipo P se crean aadiendo elementos de impurezas (tomos) que
tengan tres electrones de valencia.

Por las razones antes expuestas, en un material tipo N el electrn se denomina

portador mayoritario y el hueco, portador minoritario.
Cuando el quinto electrn (electrn sobrante) de un tomo donador abandona al
tomo padre, el tomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a ste se
le conoce como ion donador y se representa con un circulo encerrando un signo
positivo. Por razones similares, el signo negativo aparece en el ion aceptor.
Tipo N

Iones Donadores (tomos de impurezas con 5 electrones).

- Portadores Mayoritarios.
+ Portador Minoritarios.
(Huecos generados cuando algunos electrones de tomos de silicio adquieren
suficiente energa para romper el enlace covalente y convertirse en electrones
libres y/o portadores Mayoritarios).
Tipo N

Tipo P

- Iones Aceptores (tomos de impurezas con 3 electrones).

+ Portadores Mayoritarios.
- Portadores minoritarios.
(electrones libres generados cuando estos adquieren suficiente energa para
romper el enlace covalente, el hueco que dejan se convierte en portado
mayoritario).

Tipo P

Diodo Semiconductor

El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los

cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser
Ge o Si.
Las dimensiones de los bloques de material tipo N y tipo P, as como las tcnicas
y tecnologas que se utilizan para unirlos no son parte de los objetivos del curso y
por esa razn no se abordar el tema, si alguien desea saber un poco ms de esto,
puede consultar el captulo 13, 20 y/o 21 del libro de texto.

Regin de Agotamiento
En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los
electrones y los huecos que estn en , o cerca de, la regin de "unin", se
combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como
mayoritarios como minoritarios) en la regin cercana a la unin. Esta regin de
iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Regin de
Agotamiento por la ausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a travs de las terminales del

diodo:
- No hay polarizacin (VD = 0 V).
- Polarizacin directa (VD > 0 V).

- Polarizacin inversa (VD < 0 V).

VD = 0 V. En condiciones sin polarizacin, los portadores minoritarios (huecos)
en el material tipo N que se encuentran dentro de la regin de agotamiento
pasarn directamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de
polarizacin aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier direccin es
cero para un diodo semiconductor.

La aplicacin de un voltaje positivo "presionar" a los electrones en el material

tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la
frontera y reducir la anchura de la regin de agotamiento hasta desaparecerla
cuando VD 0.7 V para diodos de Silicio.
ID = Imayoritarios - IS

Condicin de Polarizacin Inversa (VD < 0 V). Bajo esta condicin el nmero de
iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento del material tipo N
aumentar debido al mayor nmero de electrones libres arrastrados hacia el
potencial positivo del voltaje aplicado. El nmero de iones negativos
descubiertos en el material tipo P tambin aumentar debido a los electrones
inyectados por la terminal negativa, las cuales ocuparn los huecos.

El fenmeno explicado anteriormente, en ambos tipos de material N y P,

provocar que la regin de agotamiento se ensanche o crezca hasta establecer una
barrera tan grande que los portadores mayoritarios no podrn superar, esto
significa que la corriente ID del diodo ser cero.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que estarn entrando a la
regin de agotamiento no cambiar, creando por lo tanto la corriente IS.
La corriente que existe bajo condiciones de polarizacin inversa se denomina
corriente de saturacin inversa, IS.
El trmino "saturacin" proviene del hecho que alcanza su mximo nivel (se
satura) en forma rpida y no cambia significativamente con el incremento en el
potencial de polarizacin inversa, hasta que al valor VZ o VPI, voltaje pico
inverso.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse antes de entrar

en la regin Zener se denomina Voltaje Pico Inverso o VPI nominal.
Los diodos de silicio tienen generalmente valores nominales de VPI y de
corriente ms altos e intervalos de temperatura ms amplios que los diodos de
germanio.

1.3 Curvas caractersticas

(ideal, real y aproximadas) de
un diodo.
La curva de un diodo semiconductor (o diodo real) se puede definir por la
siguiente ecuacin:
-------- K = 11,600/--------1 para Ge

TK = TC + 273 ----------------------------------------------- para Si

Para un diodo de silicio la corriente de saturacin inversa IS aumentar cerca del

doble en magnitud por cada 10 C de incremento en la temperatura.
Debido a la forma que tiene la curva caracterstica del diodo, mostrada
anteriormente, y la forma compleja de la ecuacin, con frecuencia se utiliza un
modelo simplificado:

El modelo simplificado se puede utilizar siempre que la resistencia de la red y/o

de los dispositivos junto a los cuales se conectar el diodo sea mucho mayor que
la resistencia promedio del diodo rd, la cual se podra calcular como rd, en
promedio, la resistencia de un diodo de pequea seal es de 26. Red >> rd

1.4 Algunas imperfecciones del

diodo y sus hojas de
especificaciones.
Los dispositivos electrnicos (entre ellos los semiconductores) son sensibles a
frecuencias muy elevadas. En los diodos se presentan dos efectos principales a
altas frecuencias:

Capacitancias parsitas de Transicin y de Difusin.

Tiempo de recuperacin en Sentido Inverso.

En la regin de polarizacin inversa se presenta principalmente la capacitancia de

la regin de agotamiento (CT), en tanto que en la de polarizacin directa se
presenta principalmente la capacitancia de difusin o de almacenamiento (CD).

El tiempo de recuperacin en sentido inverso se representa por trr. Cuando el

diodo est polarizado directamente y el voltaje aplicado se invierte
repentinamente, idealmente se debera observar que el diodo cambia en forma
instantnea del estado de conduccin al de no conduccin. Sin embargo, debido a
un nmero considerable de portadores minoritarios en cada material, el diodo se
comportar como se muestra en la siguiente figura:

ts - Tiempo de almacenamiento. Tiempo requerido para que los portadores

minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material
opuesto.
tt - Intervalo de Transicin. Tiempo requerido para que la corriente inversa se
reduzca al nivel asociado con el estado de no conduccin.
5ns trr1 s en diodos de recuperacin muy rpida (trr 150 Pseg.)

Hojas de especificaciones del diodo.

1. El voltaje directo VF (a una corriente u temperatura especfica).
2. Mxima Corriente Directa IF (Temp. especfica).
3. Corriente de Saturacin Inversa IR (voltaje y temperatura especficos).
4. Voltaje inverso Nominal VPI o VBR (Temperatura).
5. Mximo nivel de disipacin de Potencia PDmx (Temperatura).
6. Capacitancias parsitas.
7. Tiempo de recuperacin en sentido inverso trr.
8. Intervalo de temperatura de operacin.

1.5 El diodo Zener, el diodo

emisor de luz (LED) y otros
tipos de diodos.
DIODOS ZENER
La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la d un diodo
polarizado directamente.
El diodo Zener es un diodo que ha sido diseado para trabajar en la regin Zener.

De acuerdo con la definicin, se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado
para trabajar con voltajes negativos (con respecto a l mismo).
Es importante mencionar que la regin Zener (en un diodo Zener) se controla o
se manipula variando los niveles de dopado. Un incremento en el nmero de
impurezas agregadas, disminuye el potencial o el voltaje de Zener VZ.
As, se obtienen diodos Zener con potenciales o voltajes de Zener desde -1.8 V a
-200 V y potencias de 1/4 a 50 W.
El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha alcanzado su
potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o interruptor que se
activa con VZ volts. Se aplica en reguladores de voltaje o en fuentes.

En el circuito que se muestra, se desea proteger la carga contra sobrevoltajes, el

mximo voltaje que la carga puede soportar es 4.8 volts. Si se elige un diodo
Zener cuyo VZ sea 4.8 volts, entonces este se activar cuando el voltaje en la
carga sea 4.8 volts, protegindola de esta manera.

EL DIODO EMISOR DE LUZ (LED)

El LED es un diodo que produce luz visible (o invisible, infrarroja) cuando se
encuentra polarizado.
El voltaje de polarizacin de un LED vara desde 1.8 V hasta 2.5 V, y la corriente
necesaria para que emita la luz va desde 8 mA hasta los 20 mA.
Principio de Funcionamiento:
En cualquier unin P-N polarizada directamente, dentro de la estructura y
principalmente cerca de la unin, ocurre una recombinacin de huecos y
electrones (al paso de la corriente). Esta recombinacin requiere que la
energa que posee un electrn libre no ligado se transfiera a otro estado. En todas
las uniones P-N una parte de esta energa se convierte en calor y otro tanto en
fotones. En el Si y el Ge el mayor porcentaje se transforma en calor y la luz
emitida es insignificante. Por esta razn se utiliza otro tipo de materiales para
fabricar los LED's, como Fosfuro Arseniuro de de Galio (GaAsP) o fosfuro de
Galio (GaP).

Otros diodos son:

Diodos Schottky (Diodos de Barrera).

Diodos Varactores o Varicap.

Diodos Tunel.

Fotodiodos.

Diodos emisores de luz infrarroja.

Diodo de inyeccin lser (ILD).

Los diodos emisores de luz se pueden conseguir en colores: verde, rojo, amarillo,
mbar, azul y algunos otros.
En este punto del curso vale la pena tomar en cuenta los siguiente comentarios:
- Qu tan vlido es utilizar las aproximaciones ?
- Qu tan exacto puede ser un clculo y/o una medicin realizada en el
laboratorio ?

Hay que tener en cuenta que las caractersticas obtenidas de las hojas de
especificaciones pueden ser distintas para los diodos (p. e. 1N4001) aunque
ambos hayan sido producidos en el mismo lote.
Tambin hay que tener en cuenta otro tipo de tolerancias como los resistores, uno
marcado de 100 puede ser realmente de 98 o de 102 o tal vez si ser exacto,
y una fuente "ajustada" a 10V puede estar ajustada realmente a 9.9V o a 10.1V o
tal vez a 10V.

1.6 Comportamiento de CC de
un diodo.
ANLISIS POR RECTA DE CARGA
La carga o la resistencia de carga (RL o R) aplicada a un circuito, tendr un efecto
importante sobre el punto de regin de operacin de un dispositivo (en este caso
el diodo).

Si se aplica la ley de voltajes de Kirchoff:

V - VD - VL = 0
V = VD + IDRL
Si se realiza un anlisis en esta malla, de tal manera que pueda trazarse una lnea
recta sobre la curva de caractersticas del diodo, entonces la interseccin de stas
representar el punto de operacin de la red o punto Q.

Ntese que la recta de carga queda determinada en sus extremos por RL y V, de

tal manera que representa las caractersticas de la red. Si se modifica el valor de
V o de RL o de ambos, entonces la recta de carga cambiar tambin.
Los extremos de la recta de carga se obtienen buscando las intersecciones con los
ejes (ID = 0 y despus VD = 0):
Si VD = 0:

V = IDRL ID = V / RL
Si ID = 0:

V = VD VD = V
Como se mostr anteriormente, una lnea recta trazada entre estos dos puntos
define la recta de carga.
Es muy vlido tambin utilizar para el diodo, en lugar de la curva real, la curva
del modelo simplificado. En este caso, el punto Q no cambiar o cambiar muy
poco.

Si en lugar del modelo simplificado se utilizara el modelo del diodo ideal,

entonces s cambiara mucho el punto Q.

COMPORTAMIENTO DE CC DE UN DIODO

En esta seccin se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del

diodo para analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en
paralelo con entradas de CD.
Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el estado de cada
diodo (Conduccin o No Conduccin). Despus de determinar esto se puede
poner en su lugar el equivalente adecuado y determinar los otros parmetros de la
red.
En lo subsecuente, se utilizar el modelo simplificado, o modelo aproximado del
diodo para analizar el comportamiento en diversas configuraciones en serie y en
paralelo con entradas de CC (Corriente Continua, Corriente Directa).
A continuacin se abordarn algunos puntos y conceptos a tomar en cuenta
previos y para el anlisis de un circuito con diodos:
1.- Un diodo estar en estado activo si VD = 0.7V para el Si y VD =
0.3 para el Ge.
2.- Para cada configuracin o circuito debe determinarse primero el
estado de cada diodo (conduccin o no conduccin).
3.- Despus de verificar el punto anterior, en ocasiones es
conveniente poner en lugar del diodo, el circuito equivalente
adecuado y posteriormente determinar los otros parmetros de la
red.
4.- Hay que tener en cuenta que:
o

Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a

travs de sus terminales (hasta VPI en el caso de un
diodo), pero la corriente siempre es cero (IS en el caso
de un diodo, aunque IS0).

Un corto circuito tiene una cada de cero volts a travs

de sus terminales (0.7 volts para un diodo de Si, 0.3
volts para un diodo de Ge, 0 volts para un diodo ideal)
y la corriente estar limitada por la red circundante.

En los diversos circuitos que se muestran a continuacin, determine VD, ID y VR.

1.-

Con V = 12 volts
Realizando la malla:
V - VT - VR = 0
12 - 0.7 - IR = 0
Despejando I de la ecuacin anterior:
I = (12 - 0.7)/1.2 k = 9.42 mA

Si en el ejemplo anterior se invierte el diodo:

2.-

Con el diodo invertido la corriente por l

ser cero (si se utiliza el modelo simplificado)
y entonces I = 0.
12 - VD - VR = 0, donde VR = IR = 0
VD = 12 volts

I = ID = 0 A

3.-

En este caso, aunque la polaridad del voltaje de la

la fuente es adecuada para polarizar el diodo, el nivel de voltaje es insuficiente para activar al diodo
de silicio y ponerlo en el estado de conduccin.

De acuerdo con la grfica ID = 0

0.4 - 0.4 - VR = 0

0.4 - 0.4 - IR = 0
I = 0 VR = 0
4.-

12 - VTSi - VTGe - IDR = 0 , si ID = I

12 - 0.7 - 0.3 - I (5.6k) = 0
I = 11V / 5.6k = 1.96 mA
VR = (1.96 mA)(5.6 k) = 11
Vo = VR = 11V

5.-

6.-

V1 - VR1 - VD - VR2 + V2 = 0
10 - IR1 -0.7 - IR2 + 5 = 0
14.3 - I(R1 + R2) = 0
I = 14.3 / (4.7k + 2.2k) = 2.1 mA
Vo = VR2 - V2 = (4.56 - 5)v = -0.44v
VR2 = (2.1 mA)(2.2k) = 4.56v

7.-

10 - VR - 0.7 = 0
10 - (I)(R) - 0.7 = 0
I = 9.3 / 3.3k = 2.8 mA
VR = (I)(R) = (2.8m)(3.3k) = 9.3 v

8.-

9.-

10.-

-VR2 + 20 - VD1 - VD2 = 0

1.7 El rectificador de media

onda.

El Vprom o Vcd de esta seal rectificada es:

, pero f y f =
1/T

Si Vm es mucho mayor que VT Vcd 0.318Vm

Vpp = Valor pico a pico = 2Vp

Vp = Valor pico
Vpromedio = 0

Ejemplo: Dibuje la salida Vo y calcule el nivel de cd para la siguiente red.

a) con Vi = 20 sen t volts y con diodo ideal.

Con el diodo conectado de esta manera, ste conducir nicamente en la parte
negativa de Vi.
Vcd = -0.318Vm = -0.318(20)
Vcd = -6.36 volts

b)Repita el inciso anterior si el diodo se sustituye por uno de silicio.

Vcd = - 0.318(Vm - VT)

Vcd = - 0.318(20 -0.7)
Vcd = - 6.14V

c) Repita el inciso a) si el diodo ideal se sustituye por uno de silicio y Vi = 179.6

sen t volts.

d) Repita el inciso anterior con diodo ideal.

El voltaje pico inverso del diodo es de fundamental importancia en el diseo de

sistemas de rectificacin.
El VPI del diodo no debe excederse (Vm < VPI) ya que de lo contrario, el diodo
entrara en la regin de avalancha o regin Zener.
La mayor parte de los circuitos electrnicos necesitan un voltaje de c.d. para
trabajar. Debido a que el voltaje de lnea es alterno, lo primero que debe hacerse

en cualquier equipo electrnico es convertir o "rectificar" el voltaje de alterna

(c.a.) en uno de directa (c.d.).
La tarea de la "fuente" o fuente de alimentacin de cualquier equipo o aparato
electrnico es obtener el o los niveles adecuados de c.d. a partir del voltaje de
linea (127 VRMS).

El transformador es un dispositivo que se utiliza para elevar o reducir el voltaje

de CA, segn como sea necesario.

donde:
V1 = Voltaje en el devanado primario
V2 = Voltaje en el devanado secundario
N1 = # de vueltas en devanado primario
N2 = # de vueltas en el devanado secundario

P.e. Si la razn de vueltas es 6:1 y Vin es el voltaje de la lnea:

1.8 El rectificador de onda

completa (R.O.C.)
Se conocen y se utilizan dos configuraciones para rectificadores de onda
completa. La primera de ellas es el "Puente" rectificador de onda completa:

Rectificador de onda completa utilizando Transformador con Derivacin Central

Para diodos reales: Vprom = Vcd = 0.636 (Vm-VT)

Para cada diodo: VPI 2Vm