UNIVERSIDAD CAPITAN GENERAL GERARDO BARRIOS

TAREA:
Conceptos de Semiconductores Extrnsecos e Intrnsecos.

MATERIA:
Principios de Electrnica.

DOCENTE:
Ing. Josu Hernndez.

ALUMNOS:
Enoc Isa Saravia Molina.
Gregorio Isaac Machuca Santos.

Semiconductores intrnsecos
Cristales de silicio: Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo
hacen formando una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces
Covalentes", que son las uniones entre tomos que se hacen
compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas
que mantiene unidos los tomos de silicio.
Enlaces covalentes: Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con
los tomos vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia. La
fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan
(aunque sean compartidos) con cada tomo, gracias a esta caracterstica los enlaces
covalentes son de una gran solidez. Los 8 electrones de valencia se llaman electrones
ligados por estar fuertemente unidos en los tomos.
El aumento de la temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio vibren dentro
de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que un electrn se puede
liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer otro electrn, etc... A 0
K, todos los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones libres. Esta
unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre la
creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida. Enlace
covalente roto: Es cuando se tiene un hueco, esto es una generacin de pares electrn
libre-hueco.
Saturacin de Valencias: Cada tomo en un cristal de silicio tiene 8 electrones en su
orbital de valencia. Estos 8 electrones producen una estabilidad qumica que dan como
resultado un cuerpo compacto de material de silicio. Nadie est seguro por qu el
orbital exterior de todos los elementos tiene una predisposicin a tener 8 electrones.
Cuando no existen 8 electrones de forma natural en un elemento, ste tiende a
combinarse y a compartir electrones con otros tomos para obtener 8 electrones en el
orbital exterior. Hay ecuaciones matemticas complicadas que explican parcialmente
por qu 8 electrones producen estabilidad qumica en diferentes materiales, pero no se
sabe la razn intrnseca por la cual el nmero 8 es tan especial. Se trata de una ley
experimental, como la ley de la gravedad, la de Coulomb y otras leyes que observamos
pero que no podemos explicar completamente. Establecindolo como una ley tenemos:
- Saturacin de valencia: n = 8 Dicho de otro modo, el orbital de valencia no puede
soportar ms de 8 electrones. Adems, los ocho electrones de valencia se llaman
electrones ligados por encontrarse fuertemente unidos a los tomos. Debido a estos
electrones ligados, un cristal de silicio es casi un aislante perfecto a temperatura
ambiente, aproximadamente 25 C.
Hueco:
Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la
red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos
similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma
carga que el electrn pero con signo positivo.
El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los
siguientes fenmenos:
- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el
polo positivo de la pila.

- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo
de la pila.
- Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado,
siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de
silicio.
- Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor
exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.
Recombinacin: En un cristal de silicio puro se crea igual nmero de electrones libres
que de huecos debido a la energa trmica (calor). Los electrones libres se mueven de
forma aleatoria a travs del cristal. En ocasiones, un electrn libre se aproximar a un
hueco, ser atrado caer hacia l. Esta unin de electrn libre y de un hueco se llama
recombinacin.
Tiempo de Vida: El tiempo que transcurre entre la creacin y la desaparicin de un
electrn libre recibe el nombre de tiempo de vida, que vara desde unos cuantos
nanosegundos a varios microsegundos, segn la perfeccin del cristal y otros factores.
Dopaje: En un semiconductor intrnseco las concentraciones de huecos y de
electrones pueden alterarse mediante la adicin de pequeas cantidades de elementos
llamados impurezas o dopantes, a la composicin cristalina. Es esta caracterstica de
los semiconductores la que permite la existencia de circuitos electrnicos integrados.
Semiconductores Extrnsecos
Semiconductor tipo N: Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra
en la red cristalina del silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se
precisan para llegar al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace mucho
mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice
que es de tipo N.
Semiconductor tipo P: En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red
cristalina del silicio, se forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio
vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando
un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes
se dice que es de tipo P.
Unin PN: Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P
por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN.
Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en sta,
producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha regin. En la
regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones negativos. Por el hecho
de formar parte de una red cristalina, los iones mencionados estn interaccionados
entre s y, por tanto, no son libres para recombinarse.
Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa
en la regin P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece
una barrera de potencial que repele los huecos de la regin P y los electrones de la
regin N alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN no conectada a un circuito
exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a temperatura constante.