Tecnicas de Alta Tensu00E3o-Apontamentos (6-02-2015) PDF

[Type here]
Instituto Superior Politcnicode Songo
TCNICA DE ALTA
TENSO
Curso de Licenciatura em Engenharia Elctrica
[Type here]
Preparado por, Eng. Luis Simone

Verso L01- 2012
Instituto Superior Politcnico de Songo

Apontamentos de Tcnica de Alta Tenso
Apresentao
Estemanual tem como objectivo servir de referncia para a disciplina tcnica de alta tenso
do curso de licenciatura em engenharia elctrica do Instituto Superior Politcnico de Songo
Retrata de forma clara e simplificada os tpicos do plano temtico, dando todas ascondies
para que o aluno entenda e pratique os fundamentos bsicosnecessrios para a anlise de
sistemas de ALTA TENSO
Todavia,deixa-se claro ao leitor, que no um trabalho indito, mas umacolectnea de
assuntos fundamentais que, alguns, foram transcritos da bibliografia citadapara no perder a
qualidade e no descaracterizar a escrita do autor e que, outros foramacrescentados e
aperfeioados para dar uma melhor apresentao didctica.A bibliografia citada no final,
oferece condies ao leitor para aprofundaroutros assuntos de interesse especfico sobre a
matria.
O Autor
Eng. Lus Simone
(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

ndice
Captulo 1
Aplicao da Alta Tenso
Gerao e Transmisso de Energia Elctrica
Sobretenses
Tenses de Testes ou Ensaios
Ensaios com Tenses Frequncia da Rede
Ensaios com Tenso de Impulso Atmosfrico
Ensaios com Tenso de Impulso de Manobra
Comutao de Correntes Indutivas
Comutao de Circuitos Capacitivos
Ensaios com Tenso Contnua
Ensaios com Tenso em Baixa Frequncia
Captulo 2
Gerao de Alta Tenso
Gerao de Alta Tenso Contnua
Converso AC Para DC
Circuito de Rectificao Simples (Meia Onda)
Rectificador de Onda Completa
Circuitos em Cascata ou Duplicadores de Tenso
Duplicador de Tenso com Transformadores em Cascata
Gerao de Alta Tenso Alternada
Circuitos Ressonantes
Gerao de Alta Tenso de Impulso
Circuito Simples para a Gerao de Alta Tenso de Impulso
Captulo 3
Medio de Alta Tenso
Medio da Alta Tenso de Pico com Recurso a Fendas de Centelhamento
Elctrodos Esfricos
Elctrodos de Campos Uniformes
Elctrodos em Haste
Voltmetros Electrostticos
Ampermetros em Srie com Altas Resistncias hmicas e Divisores de Tenso
Voltmetros Geradores
Medio de Alta Tenso de Impulso
Eng. Lus Simone

Captulo 4
Campo Elctrico
Noes Gerais
Lei de Coulomb
Campo Elctrico
Campo Elctrico de uma Distribuio Contnua
Linhas de Campo Elctrico
Lei de Gauss
Fluxo Elctrico
Aplicaes da Lei de Gauss a Isolantes Carregados
Distribuio de Campo Elctrico e Ruptura de Material Isolante
Campo Elctrico em Material Isolante Homogneo
Campos Elctricos Uniformes
Campos Elctricos em Elctrodos Cilndricos-Coaxiais e Esfricos
Campos Elctricos em Arranjos Elctrodos Esfera-Esfera ou Esfra-Plano
Campos Elctricos em Dois Elctrodos Cilndricos Paralelos
Campos Elctricos em Materiais com Mais de Um Dielctrico
Captulo 5
Ruptura em Dielctricos Gasosos
Introduo
Factor de Dissipao, Factor de Potncia e Permissividade Relativa
Ruptura em Dielctricos Gasosos
Lei Fundamental dos Gases
Processos de Ionizao
Primeiro Coeficiente de Ionizao de Townsend ()
Segundo Coeficiente de Ionizao de Townsend ()
Transio Entre as Descargas no Sustentadas ao Rompimento
O Mecanismo de Townsend
Mecanismos de Ignio de Fluxo ou Canal Piloto de Electres
A Lei de Paschen
Intensidade do Campo Elctrico de Ruptura (Eb)
Descargas Parciais ou Efeito de Coroa
Descargas com Polaridade Positiva
Descargas com Polaridade Negativa
Gases Isolantes
O Ar Atmosfrico
Nitrognio
O Gs SF6
Captulo 6
Ruptura em Dielctricos Slidos e Lquidos
Ruptura em Dielctricos Slidos
Tenso de Ruptura em Cavidades
Eng. Lus Simone

Camada de Condensadores
Ruptura em Dielctricos Lquidos
Captulo 7
Ensaios no Destrutivos
Medio do ndice de Polarizao
Transformadores de Potncia
Medio da Resistncia de Isolamento
Envelhecimento Trmico do Papel Isolante
Envelhecimento Trmico do leo Isolante
Mtodos No Invasivos Globais
Furfural (2FAL)
Tenso de Retorno RVM (RecoveryVoltage Meter)
Tenso de Retorno VS Grau de Polimerizao
RVM VS Outros Ensaios Dielctricos
Gerador
Componentes do Sistema de Isolamento
Degradao Trmica
Efeito da Polaridade na Localizao das DPS
Efeito Inverso () das DPS com a Temperatura
Efeito Proporcional (+) das DPS com a Temperatura
Tenso Aplicada CC Hy-Pot
Ensaios em Capacitores
A) Capacitncia Potncia Reactiva
B) Isolamento
Resistncia de Isolamento entre Isoladores de Travessia
Levantamento das Caractersticas de um Gerador
Saturao em Transformadores de Corrente
Captulo 8
Sobretenses, e Coordenao de Isolamento
Captulo 9
Concepo e Teste de Isoladores Para Uso Exterior
Tipos de Isoladores
Solicitaes Mecnicas
Solicitaes Elctricas
Os Isoladores so Produzidos de:
Porcelana Vitrificada
Vidro
Polmeros
Suportabilidade Dielctrica
Formao de Arcos Em Isoladores Poludos
Efeitos dos Arcos Sobre os Isoladores
Corroso Atmosfrica/Galvnica
Corroso Elctrica
Eng. Lus Simone

Avaliao da Formao de Arcos em Ambiente Tropical

Perodo Hmido
Perodo Seco
Operao em Ambiente Poludo
Mitigao dos Fenmenos de Poluio
Melhorar a configurao
Limpeza peridica
Aplicao de Gel/Graxa
Aplicao de RTV
Esmalte Resistivo
Bibliografia
Eng. Lus Simone

Captulo1
Aplicao da Alta Tenso
Gerao e Transmisso de Energia Elctrica
Os potenciais benefcios da energia elctrica fornecida a um nmero de consumidores a partir
deum sistema comum de gerao foram reconhecidos logo aps o desenvolvimento do
'Dnamo', comummente conhecido como o gerador.
A primeira central de gerao pblica foi posta em servio em 1882 em Londres (Holborn).
Logo em seguida uma srie de outros fornecimentos pblicos de electricidade foram
desenvolvidos em muitos outros pases.
Os primeiros sistemas produziam energia em corrente contnua e em baixa tenso, mas o seu
fornecimento limitava-se a reas localizadas e fundamentalmente para iluminao elctrica.
As limitaes dos sistemas de transmisso DC a baixa tenso tornavam-se cada vez mais
evidentes.
Por volta de 1890 a pesquisa e desenvolvimento de sistemas de gerao e transmisso de
energia em corrente alternada chegou a um ponto tal que superaram os sistema de gerao e
transmisso em corrente contnua
A primeira grande central de gerao em AC foi posta em servio em 1890 em Depford
alimentando a cidade de Londres situada a 28km de distncia e a uma tenso de 10kV
Desde a mais antiga central elctrica at aos dias de hoje percebeu-se que para um
aproveitamento econmico dos sistemas de produo de energia elctrica os respectivos
sistemas de transmisso devero funcionar em sistemas integrados e interligados
formandosistemas robustos de transporte e distribuio de energia elctrica.
Alm disso, as fortes possibilidades de desenvolvimento de centrais de energia hdrica e a
necessidade de transportar esta energia por longas distncias ataos grandes centros de
consumo tornaram-se mais evidentes.O transporte de energia para a alimentao de grandes
centros de consumo, quer no contexto de interligao de sistemas ou transferncias de
grandes massas de energia, levou os projectistas a invariavelmente a pensarem em termos de
tenses muito elevadas.
A figura abaixo lista alguns dos principais sistemas de transmisso em AC em ordem
cronolgica de suas instalaes
A potncia elctrica transmitida por uma linha area proporcional ao quadrado da tenso da
linha dividida pela impedncia natural da mesma P=
2
Z
. Por exemplo para uma linha cuja
impedncia natural de 250, teremos:
V (kV)
Eng. Lus Simone
400
700
1000
1200
1500

P (MW)
640
2000
4000
5800
9000
Lista dos principais sistemas de transmisso em AC e em ordem cronolgica de suas

instalaes
O rpido crescimento dos nveis de tenso nos sistemas de transmisso nas ltimas dcadas
resultado da crescente demanda por energia elctrica, aliada ao desenvolvimento de grandes
centrais hdricas em locais muito afastadas dos grandes centros de consumo o que leva a
necessidade de transporte de energia elctrica por longas distncias.
No entanto, limitaes ambientais sobre a expanso das linhas de transporte de energia
resultaram na necessidade de se utilizarem melhor os sistemas de transmisso existentes
levando ao desenvolvimento de sistemas de transmisso flexveis em AC, FACTS FlaxibleAC TransmissionSystems, que consistiram no desenvolvimento de dispositivos
semicondutores de potncia tais como GTO e IGBT melhorando os sistemas de transferncia
de potncia numa rede elctrica.
Todavia, a transmisso de energia elctrica pelo mundo fora continua a ser feita
maioritariamente atravs de sistemas de alta tenso alternada (HVAC) e alta tenso contnua
(HVDC) por meio de linhas areas, cabos submarinos ou sistemas back-to-back
Os sistemas HVDC permitema transferncia de uma maior densidade de potncia, em
comparao com os sistemas de transmisso HVAC, permitem tambm a mitigaodas
barreiras ambientais impostas e, revelando-se mais econmicos e teis na interligao de
sistemas assncronos.
Eng. Lus Simone

A figura abaixo fornece uma ilustrao grfica de como os sistemas de transmisso HVDC se
desenvolveram e os respectivosnveis de tenso.
Ilustrao grfica daevoluo dos sistemas de transmisso HVDC

Sobretenses
Regra geral a tenso do regime normal de funcionamento no constitui perigo para os
sistemas de isolamento dos equipamentos de potncia mas sim apenas em circunstncias
especiais, como por exemplo em condies de poluio, estas tenses podem causar
problemas para os sistemas de isolamento. No entanto, o nvel de tenso de funcionamento
determina as dimenses do sistema de isolamento que constitui parte dos equipamentos de
gerao, transmisso e distribuio de energia elctrica. As sobretenses nos sistemas de
energia podem ter origem interna ou externa
Sobretenses de origem externa, provenientes das descargas atmosfricas e que no
dependem do nvel de tenso de explorao, entretanto as sobretenses de origem
atmosfricas tornam-se menos severas quanto maior for o nvel de tenso de explorao do
sistema
Sobretenses de origem interna, provenientes das alteraes nas condies de explorao, tais
como manobra de disjuntores, avarias ou variaes bruscas de carga ou nas fontes de
geradoras.
A magnitude das sobretenses depende do nvel de tenso nominal de explorao, do instante
em que ocorre a manobra e a complexidade do sistema. Uma vez que a alterao das
condies do sistema geralmente associada a operaes de comutao, essas sobretenses
so geralmente referidas como sobretenses de comutao.
Na concepo dos sistemas de isolamento tm-se em ateno os seguintes aspectos:
As sobretenses que o sistema de isolamento deve suportar
A capacidade de resposta do isolamento quando submetido a estas sobretenses
Eng. Lus Simone

O balano entre as sobretenses elctricas sobre o isolamento e a capacidade do material

dielctrico deste sistema de isolamento cai no mbito da coordenao de isolamento e que
ser matria de anlise no captulo 8.
Tenses de Testes ou Ensaios

Os equipamentos nos sistemas de energia devemsuportar no s tenso nominal (Vn),que
corresponde tenso mais elevada de um determinado sistema, mas tambm as
sobretensesque surgem durante a explorao do sistema.
Consequentemente, necessrio testar os equipamentos durante a suafase de
desenvolvimento e antes da colocao do mesmo em servio. A magnitude e o tipo detenso
de ensaio varia de acordo com a tenso nominal do aparelho. Os mtodos padro de medio
de altas tenses e as tcnicas de aplicao dos respectivos equipamentos quer para tenso
alternada, tenso contnua e tenso de impulso de manobra e atmosfrica encontram-se
descritas nas normas nacionais e internacionais, relevantes.
Segundo MORGAN (1988), ensaio em alta tenso qualquer ensaio no qual ogradiente
docampo elctrico suficiente para avaliar as propriedades do sistema deisolamento e a
suainfluncia no desempenho do equipamento.A partir dessa definio os objectivos dos
ensaios podem ser vistos de formasimplificada como:
Avaliar o sistema de isolamento do equipamento - por exemplo, medio do factor de
perdas dielctricas;
Avaliar o desempenho da funo a que este equipamento se destina por exemplo, um
transformador de tenso (TT) tem a funo de prover a um instrumento (rel,
ampermetro, medidor de energia, entre outros) um sinal de tenso, de amplitude reduzida
por um factor conhecido. Num ensaio deve-se avaliar o erro que existe na relao de
transformao do TT e compar-lo com sua especificao.
Ensaios com Tenses Frequncia da Rede
Para se determinar capacidade de sustentao do sistema de isolamento de um determinado
equipamento sujeito tenso e frequncia da rede submete-se o mesmo ao teste 1 minuto sob
a frequncia de 50Hz ou 60Hz consoante a frequncia da mesma rede. A tenso de teste
dever ser maior que a tenso de servio esperada do equipamento de modo que se simulem
esforos acima dos esperados durante o tempo de servio normal. Para equipamentos
somente de aplicao interior dever ser assegurado um ambiente de teste sem influncia da
humidade e para equipamentos de aplicao exterior dever ser assegurado um ambiente de
teste com chuva (pior cenrio).
Ensaios com Tenso de Impulso Atmosfrico
As descargas atmosfricas quando incidem sobre as linhas de transmisso provocam nestas
uma sobretenso e ondas viajantes ao longo das mesmas susceptveis de danificarem o
respectivo sistema de isolamento. A magnitude destas sobretenses atinge, regra geral,
centenas de quilovolts, dependendo da performance do sistema de isolamento. Estudos
mostraram que as sobretenses de origem atmosfrica so de curta durao caracterizadas por
uma frente de onda com uma durao na subida at ao pico, de 1,2s e uma durao, na
Eng. Lus Simone
10

descida at a meia amplitude de 50s, os valores podem atingir 4 a 5 vezes a tenso nominal.
Este tipo de ensaio maioritariamente empregue em laboratrios quando se pretende
determinar mecanismos de disrupo elctrica em funo do tempo.
Basicamente a descarga atmosfrica caracteriza-se pela propagao de uma frente de onda de

corrente, em micro segundos, que provoca uma elevao de potencial na zona de descarga
conforme exemplificado figura abaixo.
Normalmente as descargas atmosfricas atingem o cabo de guarda podendo em determinadas

situaes, por falha da blindagem da linha, atingirem o cabo condutor. As descargas de maior
potencial directas ao cabo condutor so mais nefastas que as descargas no cabo de guarda,
dado que as possibilidades de escoamento da corrente de descarga so mais limitadas no cabo
condutor.
As descargas no cabo de guarda provocam a elevao do potencial no apoio mais prximo.
Caso essa elevao de potencial no seja suficiente para ultrapassar a capacidade de
isolamento imposta pela cadeia de isoladores, tudo regressa ao normal sem provocar qualquer
incidente na linha
Eng. Lus Simone
11

Caso a elevao de potencial no apoio seja de tal forma que provoque a quebra do isolamento
(ver I na figura seguinte), criado um caminho alternativo para a corrente de descarga (ver II
na figura seguinte). Nesse momento d-se o contornamento inverso dos isoladores
provocando a circulao da corrente do cabo condutor para o apoio (ver III na figura
seguinte), que s se extingue quando os disjuntores nos extremos na linha se abrem.
Normalmente estes incidentes esto relacionados com as fracas terras dos apoios e a elevada
potncia da descarga atmosfrica
Ensaios com Tenso de Impulso de Manobra

Transitrios de tenso provenientes de alteraes repentinas nos sistemas de potncia, por
ligao ou desligao de circuitos ou por avarias, so denominadastenses de impulso de
manobra. Estudos mostraram que as tenses de impulso de manobra desempenham um papel
muito importante na concepo e seleco dos sistemas de isolamento no transporte e
distribuio de energia elctrica para nveis de tenso de servio acima de 300kV. Pelo que as
vrias normas internacionais determinam que equipamentos com tenses de servio iguais ou
maiores de 300kV sejam sujeitos aos testes de impulso de manobra. As sobretenses de
manobra so directamente proporcionais tenso da rede e, por isso, ao invs das
sobretenses atmosfricas que no dependem da tenso da rede, tornam-se o factor de
limitao na coordenao de isolamento para redes de tenso, sobretudo mais altas, uma vez
que nessas o nvel de isolamento entre condutores melhorado. As sobretenses de manobra
so de mais longa durao do que as sobretenses de descargas atmosfricas (uma onda tpica
tem a forma 250/2500s, ou seja, frente de onda de choque, com durao at ao pico de250s
e a durao de meia amplitude de 2500s). A durao dessas oscilaes limitada ao perodo
de funcionamento do disjuntor e , em geral, inferior a 20ms.
Eng. Lus Simone
12

Tem um efeito mais constrangedor para o material (transformadores, cabos, ) do que as

sobretenses devidas s descargas atmosfricas. Os valores podem atingir 2 a 3 vezes a
tenso nominal e, excepcionalmente, valores mais elevados.
Comutao de correntes indutivas

Quando se estabelecem ou interrompem circuitosindutivos podem produzir-se impulsos de
grande amplitude com tempos de subidamuito curtos. Assim, fontes tpicas destas
sobretenses so o comando de motoreselctricos e transformadores, a energizao de linhas
de transmisso.
Comutao de circuitos capacitivos
Dado que as redes elctricas so normalmenteindutivas, a presena de capacidades
(condensadores ou simplesmente linhas em vazio),constitui um circuito ressonante LC. As
manobras produzem ento sobretenses de tipooscilatrio que podem atingir cerca de 3 pu.
Fontes tpicas destas sobretenses so acomutao de bancos de condensadores utilizados na
regulao da tenso nas redes ecorreco do factor de potncia.
Ensaios com Tenso Contnua
No passado os ensaios com tenso contnua eram usados apenas para pesquisas cientficas. A
aplicao industrial limitava-se aos testes de cabos com elevada capacitncia, que consumiam
elevadas correntes quando testados com tenses alternadas e nos testes de isolamentos
Eng. Lus Simone
13

quando fosse susceptvel a ocorrncia de descargas internas que levassem a degradao

material isolante. Nos ltimos anos com o crescente interesse na transmisso de energia
elctrica com recurso aos sistemas de alta tenso em corrente contnua HVDC, um elevado
nmero de laboratrios tm vindo a se apetrecharem com sistemas de gerao de tenses
contnuas.
Ensaios com Tenso em Baixa Frequncia
No perodo em que nos sistemas de distribuio de energia elctrica eram empregues cabos
isolados a papel impregnado eram habituais ensaios com tenses contnuas (DC), com nveis
que variavam entre 4 a 4,5V0. Estes testes permitiam detectar cabos defeituosos sem o risco
de causar danos em cabos em bom estado. Com o aparecimento de cabos isolados com
materiais de alta capacidade dielctrica os valores de teste passaram para 5 a 8V 0.
Captulo 2
Gerao de Alta Tenso
Gerao de Altas Tenses
Geralmente geradores de altas tenses comercialmente disponveis so empregues em
laboratrios de alta tenso para testes de rotina de equipamentos tais como; transformadores,
isoladores de travessia, cabos, Capacitores, disjuntores, etc. Testes desta natureza devero ser
capazes de confirmar a eficincia e a confiabilidade dos equipamentos testados e, por
conseguinte os testes de alta tenso devero estudar o comportamento do sistema de
isolamento sob todas as condies que o equipamento susceptvel de encontrar. As
amplitudes e os tipos de tenso de ensaio, que sempre mais elevada do que a tenso normal
ou nominal do equipamento em teste, em regra so determinados por normas nacionais ou
internacionais ourecomendaes dos fabricantes e, portanto, no h muita liberdade na
selecodo equipamento de teste em alta tenso.
A maiorparte dos circuitos de testes de alta tenso podem ser alterados para aumentarem os
nveis de tenso de sada. Por conseguinte,at mesmo a seleco do tipo de rotina de testes de
equipamentos deve sempre consideraruma futura extenso das suas capacidades.
Gerao de Alta Tenso Contnua
A alta tenso contnua utilizada principalmente para trabalhos de investigao cientfica
pura e para testes de equipamentos relacionados a sistemas de transmisso HVDC. Tem
aplicao de relevo nos testes de cabos para transmisso de energia em corrente alternada
devido a grande Capacitncia que estes apresentam o que levaria ao consumo de grandes
quantidades de corrente.Emboratais ensaios de alta tenso contnua em cabos para circuitos
de corrente alternada sejam relativamente mais econmicos, a validadedos mesmossofre
influncia da distribuio de tenses dentromaterial isolanteo que pode ser consideravelmente
Eng. Lus Simone
14

diferente das condies normais de funcionamento encontradas no terreno quando transmitem

potncia a baixa frequncia.
Exemplo para o teste de cabos de alta tenso (de polietileno), os ensaios de alta tenso DC
no so mais usados, pois tais testes no podem confirmar aqualidade do isolamento do
cabo.Nas normas IEC 60-1 e IEEE 4-1995 o valor da tenso DC de teste dado pela sua
mdia aritmtica
Onde T o perodo, f=1/T a frequncia de oscilao

As tenses de testes aplicadas aos objectos a testar sofrem um desviorelativamente ao valor
mdio significando a presena de uma ondulao na mesma. A amplitude da ondulao V
definida como a metade dadiferena entre os valores mnimos e mximos, ou seja
O factor de ondulao a relao entre a amplitude de ondulao e a mdia aritmtica,

ouV/Vmed. Para tenses de teste este factorde ondulao no deve exceder 3%.
As tenses DC so geralmente obtidas por meio de circuitos de rectificaoaplicada a tenso
alternada AC ou por meio de geradores electrostticos.
Converso AC Para DC
A rectificao de correntes alternadas o meio mais eficaz de obteno de correntes DC.
A rectificao monofsica pode ser feita atravs de simples rectificadoressemicondutores,
sempre construdos em Silcio, que normalmente no suportamtenses reversas maiores que
2500V, porm, sem apresentar problemas emrelao a conexo destes dispositivos em srie
at atender a condio desejada
Circuito de Rectificao Simples(Meia Onda)
Para uma melhor compreenso doscircuitos monofsicos de converso AC/DC sero vistos a
seguir os sistemas de rectificao de meiaonda com suavizao de tenso. Ser desprezada a
reactncia do transformador e a impedncia dos dodos durante a conduo. O Capacitor C
ser carregado at a tenso mxima V mx, ou seja sempre que V <V t (Vt tenso no
transformador). Se I = 0, isto ; Rl = (infinito) a tenso DC no Capacitor C permanecer
constante Vmx, e a Vt oscilar entre o Vmx.
Se uma carga for ligada nos terminais a tenso no Capacitor no permanecer constante.
Eng. Lus Simone
15

Rectificador de meia onda
Representao grfica tenso e corrente

Durante um perodo T=1/f uma carga Q transferida para a carga Rl representada por
Onde I o valor mdio da corrente de carga iL(t) e V(t) a tenso DC que inclui o factor de
ondulao.
Se da equao V = 0,5(Vmx - Vmin) introduzirmos o factor de ondulao, teremos que a
tenso V(t) ter a seguinte variao
A carga Q tambm fornecida pelo transformador num tempo de conduo tc=T durante
cada ciclo, assim tambm teremos Q
Eng. Lus Simone
16

Sendo T<T, as correntes no transformador e no dodo tero a forma representada na figura

acima cujas amplitudes sero maiores que a da corrente contnua iLI
O factor de ondulao poder ser calculado exactamente para este circuito baseando-sena
rampa exponencial deV(t) durante o perodo de descarga T(1 - ). No entanto, paracircuitos
prticos asquedas de tenso dentro do transformador e rectificadores devem ser tomadas em
conta. Assumiremos que = 0. Assim V ser facilmente calculado a partir da carga Q
transferida para a carga, ou seja
Esta relao mostra a interaco entre o factor de ondulao, a corrente de carga, a frequncia
e a Capacitncia do sistema.
O valor mdio da tenso na carga ser influenciada por V mesmo tendo uma fonte constante
AC, V(t), e um rectificador sem perdas
Rectificadorde Onda Completa
Rectificador de onda completa

No circuito rectificador de onda completa mostrado na figura. No meio ciclo positivo, o
rectificadorA conduz e carrega o capacitor comVmx, no meio ciclo negativorectificadorB
conduz e carrega o capacitor com 2Vmx.
Eng. Lus Simone
17

Circuitosem Cascata ou Duplicadores de Tenso
Duplicador de tenso
Duplicador de tenso em cascata

Tanto o rectificador de onda completa como o de meia onda produzem a sada uma tenso
DC menor que a mxima tenso AC de entrada (alimentao). Caso seja necessrio produzir
tenses mais elevadas recorre-se aos duplicadores de tenso ou associao de rectificadores
em cascata. O diagrama esquemtico de duplicadores de tenso dadonas figuras acima.
No circuito duplicador de tenso mostrado na figura (a), o condensador C1 carregado
atravs de rectificador R a uma tenso de polaridade conforme mostrado na figura durante a
fase negativa de meio ciclo
Eng. Lus Simone
18

A tenso no transformador ao atingir o valor mximo, no semi-ciclopositivo subsequente, o

potencial no terminal do condensador C1 passa a 2Vmx. Tanto os rectificadorescomo os
condensadores so dimensionados de tal forma que suportem a Tenso de 2Vmx
De acordo com a figura acima percebe-se que a ideia utilizar Capacitorescomo dobradores
detenso a fim de se obter uma tenso de sada DCmaior que a amplitude da fonte sinodal
deentrada.O procedimento o seguinte: se os terminais do circuito esto inicialmenteabertos,
no primeiro semi-ciclo positivo Cn carrega a Vmax, e no semi-ciclo seguintenegativo atinge
2Vmax, se, inicialmente o ponto n est aterrado, o capacitorCn tambm carregado com 2V max,
no prximo semi-ciclo positivo o ponto n atingenovamente Vmaxe ento o CapacitorCn-s
carregado com Vmax e assimsucessivamente at o estgio desejado
As formas de onda podem ser observadas de forma lgica, de acordo com a figura seguinte
Formas de onda de um dobrador de n estgios.
Eng. Lus Simone
19

Deve-se observar que os potenciais dos ns esquerda oscilam de formasenoidal,

respondendo a tenso da fonte de alimentao, os potenciais doscapacitores da direita se
mantm constantes em relao ao terra, e commagnitude de 2Vmax cada observe que
somente se soma 2Vmax por estgio -com excepo de Cn que submetido a no mximo
Vmax, os diodos devem serprojectados para suportar no mnimo 2V max - tenso a qual
esto submetidos - e, a tenso obtida na sada, na condio de idealidade,
2.n.Vmax.Quando uma carga colocada nos terminais do gerador, no entanto, essa tenso
sempre menor que 2nV max, pela queda de tenso causada pelacorrente que percorre a carga
DV0 - e pelo ripple existente 2.d.V.Para o clculo do ripple, supe-se que uma
quantidade de electres q transmitida carga pelos capacitores, igual a q = I/f = IT,
assim, o ripple deveser igual somatria da energia transferida por todos os Capacitores a
carga,porm, como Capacitores menores seriam submetidos a tenses muito elevadasse a
carga fosse rompida, os Capacitores so projectados para serem todos iguais.A queda de
tenso DV0 pode ser analisada considerando a queda doprimeiro estgio, n. Supondo que
os elementos de circuito so idias, Cncarregar com Vmax, mas devido a descarga desse
CapacitorCn ser carregadocom
Onde n.q a descarga do capacitor. Da mesma forma, Cn carrega Cn-1, que estsujeito
ao mesmo efeito de descarregamento. E assim sucessivamente, de forma que, se os
Capacitores tiverem a mesma Capacitncia as quedas de tenso atravs de cada estgio ser
aproximadamentesabendo que q = I/f, encontramos:
Apesar de os menores Capacitores serem responsveis por todo o DV0 como no caso do
ripple, Capacitores no valor de Cn so usados porconvenincia, diminuindo DV n numa
quantidade de 0.5.nq/c por estgioresultando finalmente em
De onde para casos onde n for maior ou igual a 4, o termo n/6 pode ser desprezado.
Duplicador de Tenso com Transformadores em Cascata

Os circuitos multiplicadores de tenso em cascata do tipo CockcroftWalton demonstraram
limitaes na tenso de sada DC. Esta desvantagem pode ser suprida com a colocao de
sistemas de rectificao de onda simples ou completa, cada um tendo a sua prpria fonte de
alimentao AC.
Eng. Lus Simone
20

Todos os transformadores por estgio so constitudos de um enrolamento primrio de baixa

tenso, um enrolamento secundrio de alta tenso e um enrolamento tercirio de baixa tenso
onde o ltimo dos quais excita o enrolamento primrio do prximoestgio superior
Como nenhum dos enrolamentos secundrios de alta tensotem o potencial referenciado
terra, necessrioque se estabelea um isolamento da tenso DC dentro de cada
transformador (T1, T2, etc.).Cada enrolamento de alta tenso alimentadois rectificadores de
meia onda.
Embora existam limitaes quanto ao nmero de estgiose como os transformadores dos
nveis inferiores tem de fornecer energia para os transformadores dos nveis superiores, este
tipo de sistema, fornece uma fonte de gerao de tenses de ensaios DC econmica
apresentado factoresde ondulao com valores moderados.
Gerao de Alta Tenso Alternada

Com, nos dias que correm, a transmisso e distribuio de energia elctrica
predominantemente em corrente alternada, a forma mais prtica de testas equipamentos
envolvidos nestes sistemas por meio de alta tenso alternada. Tornando-se bvio que a
pesquisa de materiais isolantes para redes AC dever ser feita sob este tipo de tenso.
Para tenses de teste inferiores a 300kV, um nico transformador suficiente para este
propsito. Entretanto para tenses superiores a 300kV este modelo mostra-se inadequado pois
apresenta custos elevados de instalao e de isolamento. A soluo passa por ligar vrios
transformadores idnticos em srie ou em cascata
Eng. Lus Simone
21

Representao esquemtica de um transformador de teste
Corte transversal de um transformador de teste

O enrolamento primrio regra geral de baixa tenso (1kV) com possibilidade de ser
subdividido em dois ou mais posteriormente ligados em srie ou em paralelo de forma a
melhorar a regulao do sistema. O ncleo e um dos enrolamentos do transformador so
aterrados
Eng. Lus Simone
22

Representao esquemtica de transformadoresem cascata

V1 Tenso de alimentao; V2 Tenso de sada; aa - L.V. enrolamento primrio;
bb- H.V. enrolamento secundrio; cc- enrolamento de excitao; bd enrolamento de medio (200
to 500); g suporte isolador;V - Voltmetro
Na figura acima o primeiro transformador encontra-se aterrado, o Segundo transformador

encontra-se suspenso em isoladores e ao potencial V2 (sada do primeiro estgio), o
enrolamento de alta tenso do primeiro estgio est ligado ao tanque do segundo
transformador
Circuitos Ressonantes
Estes circuitos surgiram para colmatar o efeito negativo da ressonncia susceptvel de
aparecer nos circuitos de teste. Se considerarmos um circuito de teste a um estgio e com um
capacitor como objecto de teste, o respectivo circuito equivalente ser:
Onde (r1 +jL1) as impedncias do regulador de tenso do primrio do transformador, L

representa a impedncia shunt do transformador, geralmente maior que L 1 e L2, podendo ser
Eng. Lus Simone
23

desprezado (r2 + jL2) representa a impedncia do secundrio do transformador e, 1/C

representa a impedncia da carga.
Se por hiptese (L1 +L2) = l/C alcanada a condio de ressonncia que poder ser
extremamente perigosa para a fonte de alimentao pois valores instantneos de tenso na
ordem de 20 vezes podero ser alcanados
Admitindo que poder ocorrer uma ressonncia no circuito de tal modo que
, L1 L2 1/ C. Nestas condies a corrente no objecto de teste ser elevada e somente
limitada pela resistncia do circuito. A magnitude da tenso no objecto de teste ser dada por
Onde R a resistncia srie total do sistema

Com regulao de frequncia (Para minimizar fenmenos da ressonncia)
O sistema comporta um conversor de frequncia que alimenta o enrolamento de baixa tenso

de um transformador, uma indutncia equivalente Ln que representa o somatrio de todas
indutncias do sistema, uma Capacitncia Ct, que representa o somatrio de todas as
Capacitncias do sistema incluindo o objecto de teste e as Capacitncias para o ajuste da
frequncia, cuja mesma ser;
Eng. Lus Simone
24

A indutncia nominal Ln ser seleccionada de acordo com a Capacitncia nominal Cn = Ct

que representa a maior Capacitncia possvel de testar submetida a tenso mxima V = Vn do
circuito e sob a frequncia nominal fn, que ser a menor frequncia do sistema. Da equao
acima obtm-se:
Outro critrio para a seleco da indutncia nominal Ln com base na corrente nominal I =
Inque sobreaquece a bobine ou satura o ncleo do transformador. Uma vez que as perdas
hmicas so pequenas tal que R << Ln estas podero ser desprezadas assim a corrente Inser
resultado da queda de tenso na indutncia Lnque ser aproximadamente o valor nominal Vn,
ou do facto de que em todos os ciclos a energia magntica armazenada na indutncia ser igual
a energia elctrica na Capacitncia de teste Ctassim
Para objectos de teste cuja Capacitncia Ct diferente de Cn a respectiva frequncia ser

tambm diferente de fn, tal que
Para situaes em que Ct Cn, a indutncia Ln poder ser submetida tenso mxima do
sistema Vn, a relao das correntes ser
Para situaes em que Ct> Cn, o circuito merecer alguma ateno na sua aplicao, onde se a
tenso V = Vn dever se reduzida de tal forma que a corrente permanea no seu valor nominal
In. Sendo a corrente I proporcional a tenso de teste vem que
Eng. Lus Simone
25

Limitando I = In podemos obter a seguinte relao
Das relaes V/Vn, I/In, f/fn, vem
Caracterstica de operao segundo a figura
Eng. Lus Simone
26

Gerao de Alta Tenso de Impulso

Circuito Simples para a Gerao de Alta Tenso de Impulso
Dois circuitos bsicos de gerao de alta tenso de impulso so mostrados na figura (abaixo)
onde o capacitor C1 lentamente carregado at ao rompimento da fenda de centelhamento G.
Esta fenda de centelhamento age como um limitador de tenso em que o tempo da frente de
onda muito baixo e determinado pelo valor da resistncia R1, o valor de R2 determinar a
meia amplitude ou o tempo de cauda. O capacitor C2 representa a carga ou objecto de teste.
Antes de se proceder a anlise faz-se referncia ao parmetro mais significativo no que

respeita a gerao de alta tenso de impulso, ou seja, a energia mxima armazenada na
Capacitncia C1. Dado que o capacitor C1 maior que C2 este determina de certa forma o
custo do gerador.
Eng. Lus Simone
27

Para o circuito da figura acima (a) a tenso no objecto de teste ser dada por
Onde
Substituindo as grandezas vem que
Onde
Para o circuito da figura (b) teremos, a partir da equao geral V(s) com as seguintes
constantes
Para ambos os circuitos obtm-se no domnio do tempo
Eng. Lus Simone
28

Onde 1 e 2 so as solues da equao
Ou
Assim, a tenso de sada ser o resultado da sobreposio de duas funes exponenciais de

sinais contrrios. De acordo com a equao (1 e 2), a raiz negativa resulta na maior
constante de tempo 1/1, comparativamente a raiz positiva 1/2. O grfico resultante
mostrado na figura
Fica evidente a possibilidade de gerao de ambos tipos de alta tenso de impulso com base
nestes circuitos. Todavia pode-se assumir que estes circuitos so similares, podendo diferir no
rendimento, ou seja
Onde Vpvalor de pico da tenso de sada, como indicado na figura acima. O mesmo pode ser
calculado comeando por definir o tempo mximo para que V(t) atinja o seu valor de pico
tmx a partir de dV(t)/dt=0. V0 tenso na fonte.
Eng. Lus Simone
29

Substituindo em () teremos
Para ambos circuitos as diferenas dos respectivos rendimentos provem do valor de k=R 1C2
Para a figura (b) teremos
Para C2C1 e 21 vem que
Substituindo em () vem que
Esta equao evidencia o facto de C1 ter que ser maior que C2

Para a figura (a) teremos, substituindo 1 e 2partindo e da relao R1/R2 = f(C2/C1)
Geralmente os valores de C1 e C2 so conhecidos de fbrica, sendo necessrio o clculo das

resistncias R1 e R2, para circuito da figura (a)
Eng. Lus Simone
30

Para o circuito da figura (b)
Note que em todas as equaes est presente a constante de tempo 1/1 e 1/2, dependem da
forma de onda. Para determinadas formas de onda vlida a tabela
Devido a dificuldades construtivas os circuitos so simplificados de tal forma que tm-se em

considerao uma combinao de uma indutncia total com as Capacitncias C 1-C2 (figura
abaixo) ignorando a posio da resistncia de cauda, pois esta tem pouca influncia. Assim
Eng. Lus Simone
31

Onde
Circuitos em Cascata
A obteno de alta tenso de impulso com recurso a um nico estgio mostra-se
economicamente invivel, da o recurso aos circuitos multiestgios sugeridos por MARX que
consiste num arranjo de condensadores em paralelo submetidos a uma carga atravs de
resistncias hmicas e posteriormente descarregados em srie atravs de fendas de
centelhamento
Eng. Lus Simone
32

Na figura os condensadores C1 so carregados atravs de resistncias de carga R e de

descarga R2 (onde R>>R2).Aps findo o perodo de carga os pontos A, B, F estaro ao
potencial da fonte de alimentao ou seja (-V) e os pontos G, H, N estaro ao potencial da
terra (a queda de tenso em R2 durante o processo de carga desprezado).
O processo de centelhamento do gerador tem incio em G 1 ao que se seguem todas as
restantes fendas de centelhamento. Ou seja, quando a primeira fenda conduz o potencial no
ponto A passa de -V para 0 e por conseguinte o potencial em H passa para +V. Uma vez que
o potencial em B permanece -V, uma tenso 2V aparecer no ponto G2 causando a conduo
desta fenda elevando o potencial do ponto I para +2V criando uma diferena de potencial de
3V na fenda G3 se mais uma vez assumir-se que o potencial em C permanecer em -V o que
na prtica pouco provvel. O processo de centelhamento continua at que o ponto N atinja a
tenso 6V ou nV, onde n o nmero de estgios.
Este facto ultrapassa-se assumindo a existncia de Capacitncias C, C, C onde C
(capacitncia entre o 1 e 2 estgio), C (capacitncia da fenda de centelhamento), C
(capacitncia entre 1 e o 3 estgio). Depois de algumas simplificaes teremos
Assim a tenso na fenda G2 ser
Eng. Lus Simone
33

Captulo 3
Medio de Altas Tenses
A medio de altas tenses alternadas, contnuas e de impulso, envolve problemas ou
aspectos no usuais na indstria elctrica, que vo crescendo medida que o nvel de tenso
aumenta. A escolha do mtodo para medio de altas tenses depender de entre outros
aspectos do nvel de tenso, das condies construtivas, do meio envolvente, do valor a medir
(valor de pico, valor mdio, valor mdio quadrtico), etc.
Medio da Alta Tenso de Pico com Recurso a Fendas de Centelhamento
Elctrodos Esfricos
Dois metais esfricos adjacentes de igual dimetro cuja separao limitada formam fendas
de centelhamento para medir altas tenses DC ou AC. O processo baseia-se na teoria de
ruptura de gases dielctricos (a abordar no captulo 5)
Fenda de centelhamento vertical 1 suporte e isolador, 2 suporte da esfera, 3 mecanismo de

elevao, 4 mecanismo de ligao a resistncias em srie, P esfera de centelhamento, A
distncia ao plano aterrado, B Espao de segurana.
Eng. Lus Simone
34

Distncias mnimas de A e B em funo do dimetro das esferas

Elctrodos de Campos Uniformes
As dificuldades surgidas na medio de alta tenso por meio de elctrodos esfricos podero
ser ultrapassadas com recurso elctrodos de placas paralelas que produziro campos
elctricos uniformes. A tenso entre as placas dada por
Onde
T e P temperatura e presso de teste, T0 e P0 temperatura e presso a 20C. K/C constante =

45kV/cm2. - Densidade relativa do ar, S - cumprimento da fenda em (cm)
Eng. Lus Simone
35

Elctrodos em Haste
Onde S - distncia entre os elctrodos em (cm), - densidade relativa do ar, h - humidade

absoluta g/m3. Esta equao emprica limitada a 4<h20g/m3. Sendo
A=20kV, B=5,1kV/cm (polaridade positiva)
A=15kV, B=5,45kV/cm (polaridade negativa)
De um modo geral investigaes concluiram que a tenso desruptiva pode ser obtida pela
equao
Onde U0 em (kV) e d a distncia entre os elctrodos em (mm),

Voltmetros Electrostticos
A lei de Coulomb define o campo elctrico como um campo de foras e como campos
elctricos so produzidos por tenses ento a medio destas tenses pode ser relacionada a
medio das respectivas foras. Assim teremos
Eng. Lus Simone
36

Onde - permissividade do meio, S - distncia entre os elctrodos, A rea entre os

elctrodos
Ampermetros em Srie com Altas Resistncias hmicase Divisores de Tenso
A lei de Ohm permite reduzir altas tenses para valores passveis de serem medidos. O
mtodo consiste em colocar um micrmetro em serei com uma resistncia R de valor
suficientemente alta.
Medio de alta tenso DC e AC por meio de um ampermetro em srie com uma resistncia,
R1, R2 divisores de tenso
Voltmetros Geradores
Consiste de um elctrodo de alta tenso que excita um campo electrosttico num meio
isolante (gs). Um conjunto de elctrodos aterrados A, G e M esto dispostos de modo que as
linhas de campo que neles terminam transportem cargas cuja densidade dependem do
gradiente do campo elctrico (E). Para efeitos de medio de interesse a densidade de carga
em (A) sendo os outros elctrodos usados para efeitos de regulao.
De tal forma que; (a) = E(a)
Eng. Lus Simone
37

Medio de Alta Tenso de Impulso
Condutor cilndrico
Aps a carga do capacitor Cs1 este transfere a sua carga para um segundo capacitor Cs2.
Sendo Cs2Cs1 a tenso de sada Vm torna-se relativamente baixa de tal forma que um
voltmetro normal possa ser aplicado para a sua medio
Captulo 4
Campo Elctrico
Como consequncia da grande demanda em energia elctrica, o recurso a sistemas de alta
tenso para o transporte e distribuio da mesma tornou-se inevitvel, todavia os altos custos
envolvidos levaram os fabricantes de equipamentos elctricos a pesquisarem produtos
econmicos e tecnicamente viveis.
Eng. Lus Simone
38

Estas pesquisas s se tornaram possveis com um vasto domnio das propriedades dos
materiais isolantes, da gerao de campos elctricos e do comportamento dos mesmos
quando sujeitos a campos electrostticos. Este captulo dedica-se a anlise do comportamento
de campos elctricos como pr-requisito para perceber o comportamento dos materiais
isolantes.
Noes Gerais
Lei de Coulomb
A lei de Coulomb foi uma lei estabelecida com base nos seguintes dados experimentais:
A fora elctrica entre duas cargas tem a direco da linha que as une,
inversamente proporcional ao quadrado da distncia entre elas,
proporcional ao produto das cargas,
atractiva quando as cargas tm sinais contrrios e repulsivos, quando tm sinais iguais.
Matematicamente, a lei expressa atravs da relao
E 0 a permissividade do vcuo = 8,85x10-12 C2/Nm2

Campo Elctrico
O campo elctrico definido pela razo entre a fora elctrica que actua sobre uma carga de
prova positiva colocada num determinado ponto do espao e o valor dessa carga.
Tendo em conta esta definio, facilmente se conclui que:

O campo tem sempre a direco e sentido da fora.
O campo independente da partcula de prova, dependendoapenas das cargas que lhe do
origem.
O campo existe mesmo na ausncia da carga de prova.
A carga de prova deve ser topequena quanto possvel, para queno interfira no campo
que est estabelecido.
Campo Elctrico de uma Distribuio Contnua
Considera-se uma distribuio contnua quando a distncia entre as cargas muito menor do
que a distncia ao ponto de medida.
Para o clculo do campo elctrico produzido por uma distribuio contnua de cargas, utilizase o estratagema dedividir o volume total em volumes infinitesimais correspondentesa cargas
q
Eng. Lus Simone
39

Nesse caso o campo ser dado por:
Na abordagem contnua, surgem conceitos importantes como as densidades de carga

volmica, superficial e linear:
Vlidas para distribuies uniformes de carga, de um modo mais geral, ter-se-
Como exemplo ilustrativo, pode considerar-se o campo elctrico criado por uma barra
carregada:
Linhas de Campo Elctrico

As linhas de campo elctrico relacionam-se com este da seguinte forma:
O vector campo elctrico tangente s linhas de campo.
O n de linhas de campo por unidade de rea que atravessam uma superfcie
perpendicular ao campo proporcional amplitude do campo nessa regio.
Eng. Lus Simone
40

Propriedades das linhas de campo:

As linhas comeam nas cargas positivas e terminam nas negativas (ou ento comeam ou
acabam no infinito se a carga total no for nula).
O n de linhas que chegam ou partem de uma carga proporcional sua amplitude.
As linhas no se cruzam.
Lei de Gauss
A lei de Gauss uma forma alternativa de calcular o campo elctrico criado por uma
distribuio de cargas
Fluxo Elctrico
O fluxo elctrico numa determinada superfcie definido como o n de linhas de campo que a
atravessam. Ento, o fluxo elctrico atravs de uma superfcie fechada vai ser proporcional
carga no seu interior e no ir depender da forma dessa superfcie.
Comece-se por calcular o fluxo elctrico numa situao simples considere-se um campo
elctrico uniforme E, e uma superfcie A que lhe perpendicular. O fluxo vem dado por
Se a superfcie no for perpendicular ao campo, temos:
No caso mais geral em que o campo elctrico varia em redor da superfcie tem-se:
E no caso de uma superfcie fechada, obtm-se:
Sendo Ena componente do campo normal superfcie.

A Lei de Gauss fornece uma relao entre o fluxo calculadoatravs de uma superfciefechada
e a carga existente no seuinterior.
O clculo do fluxo atravs de uma esfera que envolve umacarga Qpositiva vem dado por:
Eng. Lus Simone
41

Na verdade, mesmo que a superfcie considerada no seja esfrica, o fluxo ser igual, uma
vez que proporcional ao nmero de linhas de campo.
Quanto ao fluxo de um campo criado por cargas no exterior da superfcie considerada,
facilmente se verifica que nulo.
Combinando os dois resultados e admitindo, uma vez mais, a sobreposio dos campos:
O fluxo atravs de qualquer superfcie fechada igual carga no seu interior dividida pela
Constante
Nos problemas em que a Lei de Gauss utilizada, deve ter-se em ateno o seguinte:
A superfcie considerada no tem, necessariamente, realidade fsica.
Esta uma abordagem muito til para casos em que seja evidente um elevado nvel de
simetria.
A escolha da superfcie crucial.
Aplicaes da Lei de Gauss a Isolantes Carregados
Calcule-se o campo criado por uma esfera isolante com densidade de carga r e carga total
positiva Q. (considere-se pontos no interior e no exterior da esfera).
Calcule-se o campo criado por um fio infinito com densidade de carga linear, , constante:
Calcule-se o campo criado por um plano infinito com densidade de carga superficial,
s,constante:
Eng. Lus Simone
42

Distribuio de Campo Elctrico e Ruptura de Material Isolante

Por definio a tenso entre dois elctrodos poder ser regulada por colocao entre os
mesmos de um material de propriedade isolante conhecida E b, cuja distncia de separao
ser dada por d=V/Eb
Na figura acima a distncia entre os elctrodos (d) e a densidade do ar permanecem

invariveis. O dimetro (D) do elctrodo cilndrico varivel conforme mostra a figura. Por
conseguinte duas intensidades de campo elctrico sero definidas que ser a intensidade
mxima do campo (Emx) na extremidade do elctrodo e intensidade mdia do campo dada
por (Emedio=V/d), donde resulta a eficincia da intensidade do campo elctrico
Se a ruptura do dielctrico causada apenas por (Emx) ento a tenso ser dada por:
Esta equao ilustra o conceito de factor de eficincia da intensidade do campo elctrico.

Dado que 1 0 para qualquer distribuio da intensidade de campo elctrico, fica
evidente que para campos no uniformes a tenso de ruptura ser inferior.
Eng. Lus Simone
43

Campo Elctrico em Material Isolante Homogneo

A maior parte do material isolante aplicado na indstria de carcter homogneo e de
propriedades isotrpicas, isto , o vector campo elctrico (E) paralelo distncia (d) e a
permissividade () do meio ser uma grandeza escalar que relaciona (d) e (E) onde d=E.
Campos Elctricos Uniformes
O uso de placas paralelas para criao de campos elctricos uniformes traz consigo
problemas tais como o surgimento de campos elctricos infinitamente grandes nas respectivas
bordas ou quinas. Na anlise destes problemas torna-se imperioso o recurso a sistemas
tridimensionais quando se est na presena de placas circulares. ROGOWISK props a
anlise destes campos com recurso as equaes de MAXWELL, tal que,
Onde Z e W so as coordenadas dum plano tridimensional, substituindo (z = x + iy) e (w = u

+ iv) e separando a parte real da imaginria teremos
Estudos mostraram que para duas placas paralelas infinitas dispostas ao longo do plano W as
respectivas linhas de campo estaro distribudas ao longo do plano Z de tal forma que
O mdulo de (Ez) ser dado por
Ou
Onde
Eng. Lus Simone
44

Depois do clculo da intensidade de campo temos de coordenar esta intensidade com as

dimenses reais e a tenso aplicada utilizando um factor de escala E w .
EW = U/(2-1) ou EW = U/(2-1)
Onde 1, 2 , 1e 2 so as linhas equipotenciais dos elctrodos. A intensidade do campo
elctrico ser
Ez = |Ez|.Ew[kV/cm]
Campos Elctricos em Elctrodos Cilndricos-Coaxiais e Esfricos
Seces transversais de elctrodos cilindros coaxiais e esfricos so apresentadas nas figuras
abaixo. Tendo como referencia os eixos centrais do cilindro e da esfera a distribuio do
campo elctrico ser sempre simtrica. Nos dois casos a intensidade do campo elctrico (E)
ser radial aos eixos e depende unicamente da distncia (x).
Se uma tenso (V) aplicada aos elctrodos, o cilindro uniformemente carregado por
unidade de comprimento (Q/l) e a esfera por uma carga Q. Pela lei de GAUSS a intensidade
do campo elctrico ser dada para um cilindro coaxial
Cilindro coaxial
Para uma esfera coaxial
Eng. Lus Simone
45

Esfera coaxial
Como a intensidade de campo elctrico mxima para x=r 1 e x=R1 respectivamente para o
cilindro e esfera teremos
Para um cilindro coaxial
Para uma esfera coaxial
Para um arranjo laboratorial como mostra a figura abaixo onde tem-se um cilindro com
terminao esfrica teremos a relao (na prtica temos como exemplo um bushing e sua
terminao)
Eng. Lus Simone
46

Campos Elctricos em Arranjos Elctrodos Esfera-Esfera ouEsfra-Plano

Na prtica o arranjo esfera-esfera empregue na medio de alta tenso (esferas de
centelhamento) sendo que o arranjo esfera-plano mais empregue no estudo de tenses
disruptivas.
Na figura acima duas esferas de dimetros iguais (2R) separadas por uma distncia (b) so
submetidas a uma diferena de potencial (+V) e (V) respectivamente, de forma que a
distribuio da intensidade do campo elctrico ser simtrica relativamente a um plano
imaginrio (P) colocado entre os dois elctrodos e com uma diferena de potencial igual
a(0V).
Do arranjo acima onde para uma carga Q0 aplicada ao centro das esferas
Teremos as seguintes cargas de compensao Q1 e Q2
Sendo
Sendo
Eng. Lus Simone
47

Campos Elctricos em Dois Elctrodos Cilndricos Paralelos

A escolha desta configurao de elctrodospermitir estabelecer uma comparao com a
distribuio de campo obtida entre duas esferas opostamente carregadas como acima tratado.
Se dois ou mais condutores cilndricos estiveremao mesmo potencial com refernciaa terra e
afastados de outros condutores paralelos, formada a chamada configurao defeixes de
condutores, um sistema extensivamenteaplicado em linhas de transmisso de energia
elctrica em alta tenso.Devido interaco entre os dois condutores a intensidade de campo
elctrico mximaser inferior comparativamente a um sistema com um nico condutor de
forma que o feito corona seja relativamente baixo.
Para efeitos comparativos os dois condutores cilndricos sero carregados com o mesmo valor
de tenso e de sinais opostos. Assim a distribuio do campo elctrico poder ser calculado
assumindo uma carga Q/l = lao longo dos condutores (figura abaixo) onde em qualquer
ponto do plano (P) o potencial p poder ser calculado pelo princpio da sobreposio. Dado
que a intensidade do campo elctrico dada por E(r) = /(2 r) onde (r) a distncia at ao
ponto da carga, o potencial ser obtido pela integrao de E(r)
(k Constante para as condies de fronteira)
Dada a figura
Eng. Lus Simone
48

Para r1=r2= r teremos
Para condutores mais estreitos pode-se determinar a distribuio da intensidade do campo

elctrico para a regio de maior densidade de fluxo ou seja entre os pontos B e C. O potencial
ao longo desta regio com incio em B(y=0) dada pela equao
Onde (A) uma constante dada pelas condies de fronteira e (S) a distncia entre os
condutores.
Assim a intensidade de campo elctrico ser dada por
Eng. Lus Simone
49

A distribuio do campo elctrico simtrica para Y=S/2. Por convenincia a distncia

[b=f(a,r)] pode ser expressa em termos de (S), ento
A distribuio do campo entre dois condutores pode ser vista relacionando E(y)e a
intensidade mxima do campo elctrico para Y=0
Sendo que o valor mnimo da intensidade do campo elctrico alcanado no ponto Y=S/2 a
relao Emin/Emx ser
Campos Elctricos em Materiais com Mais de Um Dielctrico

Grande parte do sistema de isolamento dos equipamentos de alta tenso, exemplo em
transformadores de potncia, composta de diferentes materiais isolantes, cuja
permissividade () difere de um para outro. A disposio de duas placas paralelas, contendo
dois materiais isolantes de permissividade (1)e (2) representa a configurao mais comum
Eng. Lus Simone
50

deste sistema. Na figura abaixo os vectores de deslocamento D 1 e D2 so iguais e sabendo

que D=Ea relao das intensidades dos campos elctricos ser
Dado que a intensidade do campo elctrico permanece uniforme nas duas camadas, a tenso
V ou diferena de potencial entre as duas placas ser dada por
Onde d1 e d2 representam as espessuras dos dois dielctricos. Aplicando a equao (acima)

teremos para as duas intensidades de campo elctrico
Para E1
Para E2
Para um cabo coaxial ou um capacitor coaxial com vrios materiais dielctricos impregnados
como ilustra a figura abaixo
Eng. Lus Simone
51

Cabo coaxial com diferentes materiais dielctricos (diferentes valores de permissividade)
Distribuio do campo elctrico (para 1r1 = 2r2 = nrn = Constante)

A respectiva intensidade de campo elctrico ser dada pela equao abaixo
Para X rn e X rn teremos consequentemente dois valores de intensidade de campo

elctrico. Sabe-se tambm que valores mximos de E(X) existiro sempre para X r n sendo
possvel manter este valor constante ao longo de todas as camadas de dielctricos sempre que
se verificar a condio xrx = constante
Ainda para o cabo coaxial acima, a capacitncia da camada X (desprezando o efeito de
bordo) ser
Eng. Lus Simone
52

2
ln ( + 1)/
Na distribuio da tenso total pelas Capacitncias singulares temos de considerar que cada
capacitncia tem a mesma carga Q
= . = .
A tenso para a camada X
=
.
Cx
Cx.
=1 Ck
rx +1
x/ln
[ rx ].
=1
ln [ rk +1 /rk ]
k
Captulo5
Ruptura Em Dielctricos
Introduo
Dielctrico: o meio no qual possvel produzir e manter um campo elctricocom pequeno
ou nenhum fornecimento de energia de fontes externas. A energiarequerida para produzir o
campo elctrico pode ser recuperada, no total ou em parte,quando o campo elctrico
removido.
Capacitncia: a propriedade de um capacitor ou de um sistema decondutores e dielctricos
que permite armazenar cargas separadas electricamente,quando existem diferenas de
potencial entre os condutores.
Capacitor: um dispositivo constitudo por dois condutores, cada um tendouma determinada
superfcie exposta ao outro, separados por um meio isolante. Umadiferena de potencial entre
os dois condutores acarreta em armazenamento decargas iguais em intensidade e de
polaridades opostas. Os dois condutores sochamados de elctrodos.
Eng. Lus Simone
53

Dielctrico perfeito: um dielctrico no qual toda a energia requerida paraestabelecer um

campo elctrico no mesmo recuperada quando o campo ou atenso aplicada removida.
Desta forma, possui condutibilidade nula.
Dielctrico imperfeito: aquele no qual uma parte da energia requerida paraestabelecer um
campo elctrico no dielctrico no retorna ao sistema elctrico quandoo campo removido. A
energia dissipada no dielctrico, em forma de calor.
Absoro dielctrica: o fenmeno que ocorre em dielctricos imperfeitos peloqual cargas
positivas e negativas so separadas e acumuladas em certasregies dentro do volume do
dielctrico. Este fenmeno se manifesta, por si prprio,como uma corrente que decresce
gradualmente com o tempo, aps a aplicao deuma corrente contnua e constante.
Corrente de conduo: A corrente de conduo atravs de uma superfcie num dielctrico
imperfeito aquela proporcional ao gradiente de potencial. Ela no depende do tempo
durante o qual o campo elctrico aplicado ao dielctrico.
Constante dielctrica: A constante dielctrica (relativa) de qualquer meio a razo entre a
capacitncia de uma dada configurao de elctrodos, tendo tal meio como dielctrico, para a
capacitncia da mesma configurao, considerando-se o vcuo como dielctrico.
Comportamento dos materiais isolantes: Como mencionado, um material dielctrico
electricamente isolante eapresenta, ou pode ser feito para apresentar, uma estrutura de dpolo
elctrico, ouseja, h uma separao de entidades electricamente carregadas positiva e
negativamente, num nvel atmico ou molecular. Como resultado destas interaces entre o
dpolo e campo elctrico, os materiais dielctricos so utilizados emcapacitores. Um
capacitor um dispositivo largamente utilizado em circuitos electrnicos capazes de
armazenar cargas elctricas
Capacitncia: Quando uma voltagem aplicada atravs de um capacitor (tipo placa),
constitudo de duas placas condutoras paralelas de rea A separadas por uma distncia onde
existe o vcuo, uma das placas torna-se positivamente carregada, e a outra negativamente,
com o correspondente campo elctrico aplicado dirigido do terminal positivo para o negativo.
Uma carga Q0 acumulada em cada placa do capacitor e directamente proporcional
tenso aplicada e a rea das placas e inversamente proporcional distncia entre elas
Aqui o parmetro 0 chamado de permissividade do vcuo (ou constante dielctricado

vcuo) uma constante universal tendo o valor 8,85x10-12F/m. C0 acapacitncia do sistema
cujas unidades so Coulomb por Volt, ou Farads (F). Um material contendo cargas altamente
polarizveis quando colocado entreas placas de um capacitor na presena de um campo
elctrico, influenciaracentuadamente as cargas que esto entre as placas. Com este material
dielctricoinserido na regio entre as placas (como leo mineral ou plstico) mantendo-se
amesma tenso aplicada V, o que acontece ento com a capacitncia? Algumapolarizao
Eng. Lus Simone
54

pode ocorrer no material permitindo um adicional de cargasarmazenadas no mesmo.A

variao na capacitncia C o reflexo directo da constante dielctrica domaterial.
Onde Q a carga armazenada (em Coulomb) e V a tenso atravs doscondutores (ou

placas).Assim com o material dielctrico uma carga maior Q, acumulada entre as
placas,neste caso
d a permissividade do meio dielctrico e ser maior em magnitude que 0. A relao entre

as Capacitncias do sistema com o vcuo e com o dielctrico ser
A relao d/0 a permissividade relativa r, que frequentemente chamada constante

dielctrica k, maior que a unidade, para qualquer dielctrico r>1, e representa o incremento
na capacidade de armazenamento de carga pela insero de um meio dielctrico entre as
placas. A constante dielctrica, k, uma propriedade do material e, deve ser uma das
primeiras caractersticas a serem consideradas noprojecto de um capacitor.
Factor de Dissipao, Factor de Potncia e Permissividade Relativa
Existe uma relao entre o factor de dissipao, o factor de potncia e a permissividade ou
constante dielctrica. Todos eles dizem respeito s perdas dielctricas num meio isolante
quando sujeito a um campo elctrico alternado.A permissividade representada como uma
quantidade complexa da seguinte forma: (* = - j) onde * a permissividade complexa,
a permissividade real ou medida e a permissividade imaginria.
Na presena de um campo elctrico alternado surge uma corrente capacitiva e uma corrente
resistiva desfasadas a 90,uma em relao a outra. A soma vectorial destas duas correntes
representa a corrente total do sistema e o ngulo entre o vector da corrente capacitiva e a
resultante definido como o ngulo de perdas. Sendo a relao entre a parte imaginria e a
parte real da permissividade considerada de tangente de (tg =/), definido como factor
de dissipaoe representa a perda dielctrica no meio isolante. O factor de potncia ser
obtido pela determinao do seno do ngulo de perdas (sen )
O factor de perda dielctrica prende-se com a incapacidade das molculas do material
isolante de se reorientar quando sujeitos a um campo elctrico alternado. Esta capacidade
dependente da temperatura, do tamanho das molculas envolvidas,da respectiva polaridade e
da frequncia do campo elctrico.
Eng. Lus Simone
55

O factor de dissipao e a permissividade so afectados de algum modo pelo tamanho

molecular, composio e orientao relativa de grupos funcionais dentro das molculas. Em
geral dentro de uma srie de molculas semelhantes, a permissividade aumentar medida
que o peso molecular aumenta.
Os factores descritos acima, so caractersticas elctricas de materiais isolantes e podem ser
usados para a monitorizaoda qualidade dos mesmos relativamente deteriorao por uso e
quanto presena de contaminantes.
As propriedades dielctricas dos materiais isolantes tambm podem ser medidas e
quantificadasno domnio da frequncia, ou seja, com tenses alternadas como uma funo da
frequncia. A transio do domnio do tempo para o domnio da frequncia pode ser
obtidapor meio da transformada de Laplace ou transformada de Fourier. De onde resulta
aps vrias transformaes
Ou seja do ponto de vista da susceptibilidade
A parte real representa a capacitncia do objecto de teste sendo a parte imaginria

representativa das respectivas perdas.
Assim o factor de dissipao ser dado por;
Ou, para uma condutividade 0 = 0
tg = r()/ r()
Na equao abaixo;
r() = 1 + () j[() + 0/0 ]
Assumindo nula a componente imaginria, teremos para a susceptibilidade
() = r() 1
Eng. Lus Simone
56

Ruptura Em Dielctricos Gasosos

Lei Fundamental dos Gases
A lei fundamental dos gases estabelecida por BOYLE E MARIOTE diz que para uma
determinada quantidade de gs a uma temperatura constante o produto entre a presso (p) e o
volume (V) constante
Se a presso for constante ento os volumes (V) e (V 0) estaro relacionadas as respectivas

temperaturas absolutas em KELVIN (T) e (T0) pela lei de GAY-LUSSAC
Para temperatura expressa em graus clsius
De acordo com a equao (V/V0) a constante C na equao (pV) estar relacionada a uma
temperatura T0 para um dado volume V0
Substituindo V0 na equao (V/V0) teremos
A razo C0/T0 denominada constante universal dos gases e designada de R, assim a

equao (acima) ficar
Eng. Lus Simone
57

Numericamente R=8,314Joules/kmol. Se considerar-se n como o nmero de moles, teremos
Esta equao descreve o estado de um gs ideal, assumido que R uma constante e

independente do tipo de gs. A equao acima pode ser escrita em termos da densidade de
gs (N), num volume (V) contendo (N1) molculas. Fazendo N1=NA onde
NA=6,02x1023molculas/mole (nmero de AVOGADRO), ento teremos
A constante k=R/NA a constante universal de BOLTZMAN [=1,380410 -23] Joules/k e (N)

o nmero de molculas no gs.
Se dois gases com volumes iniciais (V1) e (V2) so misturados mesma temperatura e
presso, ento o novo volume ser dado por V=V1+V2 ou no geral
Combinando as equaes acima teremos
Ou
Ou ainda (equao das presses parciais)
Eng. Lus Simone
58

Onde p1, p2, , pn so as presses parciais dos gases 1, 2, , n

As equaes acima podem ser deduzidas directamente da teoria cintica dos gases
desenvolvida por MAXWELL.
A equao fundamental que resulta da teoria cintica dos gases deduzida assumindo-se que
O gs consiste de molculas esfricas de mesma massa
As molculas esto em movimento aleatrio
As colises so elsticas
A distncia mdia entre molculas maior que os respectivos dimetros
As foras entre as molculas e as paredes do recipiente so desprezveis
Considere um recipiente cbico (figura abaixo) de lado (l) com (N1) molculas de
massa (m) e uma velocidade (u). No plano tridimensional as componentes da
velocidade sero ux, uy, uz onde u2= ux2 + uy2 + uz2. Supondo uma molcula de massa
(m) movimentando-se no eixo (x) com a velocidade (ux)no instante em que esta colide
com o plano YZ repelida com a velocidade (-ux) de modo que, a variao do
momento de inrcia ser
Para o cubo acima de lado () o nmero de colises por segundo e por molculaser dada por
(Ux/2), assim
Entretanto a mesma molcula experimentar na parede oposta uma variao no momento de

inrcia igual de tal forma que;
Eng. Lus Simone
59

m/sec/molecule=2mUx2/
Para um sistema tridimensional obter-se- a fora por partcula dada por:
Sendo a energia cintica de uma partcula dada por

W=1/2mU2, F=4W/
Para N1 partculas a energia resultante de diferentes velocidades (u) ser a energia mdia do
sistema de tal forma que
Sabendo-se que a fora (F) resultar numa presso (P) e tendo em considerao a rea total
do cubo (A=6l2)
Para 3=V (volume), das equaes (5.8 e 5.12) tem-se
Comparando as equaes (5.12 e 5.1) nota-se que as mesmas so idnticas para temperatura
constante e de (5.8) vem
Que resulta na equao da energia mdia por molcula
Processos de Ionizao
Eng. Lus Simone
60

Durante colises inelsticas uma grande fraco de energia cintica transformada em

energia potencial, causando, por exemplo, a ionizao das respectivas molculas. A ionizao
por coliso de electresem campos elctricos de maior intensidade representa o maior e o
mais importanteprocesso que conduz ruptura dos gases dielctricos. A eficcia do processo
de ionizao por coliso de electres depende da quantidade de energia que um electro pode
adquirir ao longo do caminho mdio livre que este percorre na direco das linhas do campo.
Se o valor mdio do caminho mdio livre que este percorre na direco das linhas do
campo de intensidade (E) ento a energia ganha ao longo deste percurso ser W = eE. Para
que ocorra a ionizao durante a coliso a energia W dever ser no mnimo igual a energia
de ionizao da molcula (eVi)
Primeiro Coeficiente de Ionizao de Townsend ()
Na ausncia da intensidade do campo elctrico o processo de formao de ies positivos e
negativos num determinado gs entra em equilbrio. TOWNSEND demonstrou que a
variao da corrente num gs entre dois elctrodos formados por duas placas paralelas
funo da tenso aplicada entre estes elctrodos, onde no incio a corrente cresce
proporcionalmente tenso aplicada, permanecendo de seguida relativamente constante na
magnitude (i0) que corresponde corrente de saturao e para tenses mais elevadas a
corrente (i0) cresce de forma exponencial, como mostra a figura abaixo.
TOWNSEND atribuiu o crescimento da corrente para alm de V2 como resultado do processo

de ionizao por coliso entre electres.Os electres tornam-se cada vez mais velozes
medida que a intensidade do campo elctrico cresce, at ao ponto de adquirirem energia
suficiente para causarem ionizao por coliso com as molculas ou tomos do gs
De forma a explicar o crescimento da corrente TOWNSEND introduziu o factor ()
denominado coeficiente de ionizao de Townsend definido como a quantidade de electres
produzidos por unidade de comprimento por um electro ao percorrer o caminho mdio livre,
na direco do campo elctrico.
Se assumir-se que (n) a quantidade de electres distncia (x) do ctodo na direco do
campo elctrico (figura abaixo) a taxa de crescimento de electres na distncia (dx) ser dada
por;
dn = ndx
Eng. Lus Simone
61

Integrando em funo da distncia (d), vem
Onde (n0) o nmero inicial de electres gerados no ctodo. Se (I 0) for a corrente inicial do
ctodo ento teremos
O termo [ed)] designado de avalanche de electres erepresenta a quantidade de electres

produzidos por um electro que se desloca do ctodo ao nodo. O processo de multiplicao
de electres no processo de avalanche representado na figura abaixo (b)
[Avalanche: Processo cumulativo, pelo qual, partculas carregadas e aceleradas por um
campo elctrico, produzem partculas carregadas adicionais, atravs da coliso com
molculas de gs natural ou tomos]
sabido que para um determinado gs e temperatura constante a distribuio de energia

W depende unicamente de (E/p). E tambm para uma certa distribuio de energia a
probabilidade de ocorrer a ionizao depender da densidade ou presso do gs, assim;
Segundo Coeficiente de Ionizao de Townsend ()

No grfico da corrente em funo da distncia entre os elctrodos dever resultar uma linha
recta de inclinao () se para uma dada presso (p) a intensidade do campo elctrico (E)
permanecer constante, como mostra a figura abaixo
Eng. Lus Simone
62

TOWNSEND para explicar esta linearidade do grfico considerou que um segundo

mecanismo de ionizao estaria a afectar o comportamento da corrente ou seja, primeiro
estaria a ocorrer a libertao de electres por coliso de ies positivos e posteriormente a
libertao de electres a partir do ctodo por bombardeamento de ies positivos.
Se considerar-se (n quantidade de electres que alcanam o nodo por segundo), (n0
quantidade de electres emitidos pelo ctodo), (n+ quantidade electres emitidos pelo
ctodo por bombardeamento de ies), ( quantidade de electres emitidos pelo ctodo por
ies incidentes), ento;
Eliminando n+
Ou para correntes no regime estacionrio
A frmula originria deduzida por TOWNSEND
Eng. Lus Simone
63

Onde () representa a quantidade de pares de ies produzidos por um io positivo ao

percorrer (1 centmetro, na direco das linhas do campo elctrico), (, d, I e I0, primeiro
coeficiente de TOWNSEND, distncia entre os elctrodos, corrente instantnea de ionizao
e corrente inicial de ionizao, respectivamente).
Transio Entre as Descargas no Sustentadas ao Rompimento

O Mecanismo de Townsend
medida que a tenso aplicada entre dois elctrodos aumenta, a respectiva corrente no nodo
crescer de acordo com a equao
Ou pela equao (/p) e fazendo (E=V/d)
At que num determinado ponto ocorra uma transio repentina dacorrente de ionizao para
uma descarga auto-sustentvel, ponto no qual a corrente (I) torna-se indeterminada e o
denominador torna-se igual a zero, isto ;
Quando esta igualdade se verifica, a quantidade de pares de ies produzidos no intervalo (d)
pela passagem de uma avalanche de electres suficientemente enorme de modo que os ies
resultantes, por bombardeamento do ctodo, criem condies para que se liberte um electro
secundrio capaz de causar a repetio do processo de avalancha. Assim a descarga torna-se
autosustentada e pode prosseguir na ausncia da corrente inicial de ionizao (I 0), de tal
forma que a igualdade acima citada pode ser considerada de ponto de ignio do processo de
avalanche.
Para a condio
Significa que a ionizao produzida por sucessivos processos de avalanche cumulativa e

que os processos de rompimento so mais acelerados.
Para a condio
Eng. Lus Simone
64

Significa que a corrente (I) no autosustentada, ou seja, na ausncia da fonte primria da

corrente inicial de ionizao (I0) esta cessa de fluir.
Mecanismosde Ignio de Fluxo ou Canal Piloto de Electres
Com base em experincias laboratoriais RAETHER desenvolveu uma expresso analtica que
traduz o critrio do mecanismo de ignio fluxo de electres
Onde (Er) a intensidade de campo elctrico da avalanche de electres (no interior dos
elctrodos), (E) a intensidade de campo elctrico externo aplicado ao sistema figura abaixo
A resultante da intensidade do campo elctrico na frente da avalanche ser obtida por (E + Er)
ao passo que na regio de ies positivos a resultante ser (E Er).
Assume-se que condio para que ocorra a transio da avalanche para o mecanismo de
ignio do fluxo deelectres que as intensidades de campo elctrico tenham valores
aproximados (EEr), assim a equao acima (xc) torna-se;
O valor mnimo de ruptura pelo mecanismo de ignio de fluxo de electres obtido

assumindo que a transio de avalanche para ignio do fluxo de electres ocorre logo que a
avalanche tiver completado o percurso (d), assim a equao ter a seguinte forma;
Eng. Lus Simone
65

Por conseguinte a ruptura pelo mecanismo de ignio do fluxo de electres ocorre apenas
quando o percurso crtico maior ou igual a (d), (X c d). Da condio, Xc = d, obtm-se o
menor valor de () que desencadeia o mecanismo deignio do fluxo de electres
A Lei de Paschen
A deduo de uma equao analtica para o clculo da tenso de ruptura para campos
uniformes em funo da distncia entre os elctrodos e a presso pode ser obtida,
expressando o coeficiente de ionizao como funo da intensidade do campo elctrico e da
presso do gs, ou seja;
Obtm-se
Ou
Para campos uniformes (Vb=Ed), onde (Vb) a tenso de ruptura

5.23
Ou
Donde depreende-se que a tenso de ruptura para um campo uniforme unicamente funo
do produto da presso pela distncia de separao dos elctrodos. As equaesacima
representam a Lei de Paschen. A relao entre a tenso de ruptura (Vb) e o produto (pd) est
representada na figura abaixo
Eng. Lus Simone
66

Das relaes((med)/p) e ((med)d) e sabendo que (V=Ed) resulta no grfico abaixo
Na figura acima (Vb/pd) no existe interseco entre a curva (1) e a recta 4 significando que
para valores baixos de tenso no ocorre a ruptura no dielctrico
Eng. Lus Simone
67

Intensidade do Campo Elctrico de Ruptura(Eb)

Para arranjos uniformes a intensidade de campo elctrico de ruptura num gs pode ser obtida
a partir da equao (xc) dividindo a mesma pelo produto (pd) teremos
Da qual depreende-se que para uma presso constante (p) a intensidade de ruptura (Eb)
decresce de forma uniforme com a distncia (d). E que a intensidade de campo (E b) para uma
distncia (d) constante cresce com a presso (p).
Relao entre o coeficiente de ionizao () e a intensidade de campo elctrico de ruptura

para diferentes valores de (pd)
Relao entre a intensidade de campo de ruptura (E b) e o produto entre a presso e a distncia

entre os elctrodos (pd).
Eng. Lus Simone
68

Descargas Parciais ou Efeito de Coroa

Nas cavidades com intensidades de campos no uniformes usual o aparecimento de vrios
fenmenos tais como descargas luminosas e audveis antes que a ruptura dielctrica ocorra
por completo. Estas descargas so conhecidas como descargas de coroa, responsveis por
considerveis perdas de potncia nos sistemas de transmisso de energia elctrica em alta
tenso, deteriorao do sistema de isolamento e interferncias nos sistemas de comunicaes.
O gradiente de tenso na superfcie de um condutor no ar necessrio para produzir um efeito
de coroa luminoso obtido aproximadamente pela equao (Ec/), onde (Ec) expresso em
[kV/cm], (r) em [cm] e () a densidade relativa do ar.
O aspecto visual das descargas por efeito de coroa distinto em funo da polaridade da
tenso aplicada. Na polaridade positiva aparece na forma de uma bainha branco-azulada ao
longo de toda superfcie do condutor. Na polaridade negativa aparece na forma de manchas
avermelhadas e brilhantes distribudas ao longo do condutor, que aumentam com a corrente.
Descargas com Polaridade Positiva
Observaes mostraram que quando um pulso positivo de tenso aplicado a uma ponta de
elctrodo, a primeira ionizao detectada tem a forma de um filamento, como mostrado na
figura (a)
medida que a tenso cresce o canal de ignio de fluxo de electres tambm cresce quer no
nmero de ramificaes como no seu cumprimento figura (b) e (c). Entretanto a respectiva
velocidade decrescer medida que for penetrando regies de baixo valor de intensidade do
campo elctrico.
Eng. Lus Simone
69

A figura acima mostra a velocidade do fluxo de ignio de electres para diferentes nveis de
tenso
A figura acima representa os vrios modos de descarga medida que a distncia entre os
elctrodos aumenta.
Descargas com Polaridade Negativa
Para a polaridade negativa aplicada a um arranjo de elctrodos ponta e plano, sob condies
estacionrias, pulsos de corrente fluirosob forma regular como ilustra a figura abaixo. Esta
natureza de pulsos so designados por pulsos de Trichel, a frequncia dos pulsos cresce
com o aumento da tenso aplicada e dependem do raio do ctodo, da distncia (d) e da
presso (p) no gs. A relao entre a frequncia e a tenso aplicada para diferentes distncias
entre os elctrodos e para um elctrodo de ponta de 0,75mm de raio mostrada na figura
abaixo
Eng. Lus Simone
70

A figura abaixo mostra a tenso de incio de descarga de corona como funo da distncia de
separao dos elctrodos, para um caso particular de um elctrodo de ponta de 0,75mm de
raio. A curva inferior mostra a tenso de incio de descarga com pouca influncia da distncia
entre os elctrodos. Eventualmente para nveis de tenso mais altos descargas constantes e
com brilho podero ser observadas, mas a zona de transio de pulsos de Trichel para
descargas com brilho no est claramente definida, caracterizando-se apenas como uma vasta
regio de transio.
Para nveis de tenso ainda maior as descargas com caractersticas brilhantes persistiro at
que a ruptura ocorra.Refira-se que a ruptura do dielctrico sob polaridade negativa ocorre
para nveis de tenso mais elevados quando comparado com dielctricos submetidos a
tenses de polaridade positiva, excepto para regies com baixos nveis de presso, portanto
quando o dielctrico submetido a uma tenso alternada a ruptura dielctrica para campos
no uniformes ocorre invariavelmente no meio ciclo positivo da onda de tenso.
Eng. Lus Simone
71

Gases Isolantes
O Ar Atmosfrico
As caractersticas isolantes do ar atmosfrico variam com a humidade relativa.Quando seco
suas, propriedades se aproximam muito com as do vcuo. Nasproximidades de um condutor
sujeito a uma diferena de potencial o ar se ioniza,resultando em gs condutor. Se a
renovao do ar no se efectuar ou se a diferenade potencial crescer, rapidamente o poder
dielctrico do ar poder ser rompido,causando assim uma perfurao do isolamento. o ar o
isolante natural, entre oscondutores de uma linha area, fora dos apoios.
Nitrognio
um gs de elevada estabilidade qumica, bom poder dielctrico. utilizadopara manter a
presso interna dos tanques de transformadores, reactores e outrosequipamentos, acima da
presso atmosfrica e dessa forma evitar a penetrao de humidade. Dada sua elevada
estabilidade qumica pouco reagente, no afectando,pois, os demais meios isolantes.
O Gs SF6
Sintetizado pela primeira vez no ano de 1900, em Paris, teve suas pesquisaspara aplicao
industrial iniciadas em 1937. Em 1939, o uso em cabos e capacitoresfoi patenteado. Pesquisas
para sua utilizao como meio interruptor so de 1950 eequipamentos blindados e isolados
SF6 surgiram a partir de 1970.O SF6 gs um dos gases de maior densidade (6,16 kg/m),
quase 5 vezesmaior que a do ar. um gs incolor, inodoro, no txico, quimicamente inerte
eestvel e no inflamvel.
O gs apresenta propriedades trmicas e elctricas notveis:
Elevada rigidez dielctrica: a 1 atmosfera, mais que 2 vezes a do ar ou do nitrognio, e a
3 atmosferas igual ao do leo isolante.
Alta eficcia como supressor de arco: comparativamente ao ar 10 vezes mais eficiente,
num tempo 100 vezes menor.
Produz enorme reduo do nmero de electres livres (grande afinidade electrnica do
flor), restabelecendo a rigidez dielctrica.
Quanto decomposio do SF6, tem-se que:
Aps arco o gs SF6 tem grande capacidade de recombinao:
SF6 _ S + 6F
No entanto ocorre decomposio acima de 500C e principalmente sob arcoelctrico.
Os principais subprodutos so gasosos e slidos.
A presena de humidade e os compostos cidos (HF).
Ahumidade no gs SF6 pode ser proveniente de:
Permeabilidade da gua atravs de orings;
Difuso atravs de vazamentos;
Difuso atravs da micro-porosidade do alumnio;
Absoro de gua pelos materiais orgnicos (graxas, haste de accionamento, isoladores
polimricos).
Eng. Lus Simone
72

Captulo6
Ruptura em Dielctricos Slidos e Lquidos
O rompimento dos dielctricos uma grande preocupao no caso de equipamentos de alta
tenso. Eles so responsveis pelo desgaste dos sistemas de isolamento, e indicadores de
possveis defeitos futuros, no deixando de se levar em conta um defeito mais grave.
Ruptura em Dielctricos Slidos
Os materiais slidos para alm de providenciarem um isolamento das partes condutoras
(activas) dos circuitos elctricos permitem tambm um suporte mecnico das mesmas. Da, a
grande importncia de se estudarem os mecanismos de falha dos dielctricos slidos.
Porm, mesmo como facto de que foram formuladas vrias teorias no sculo passado
tentandoexplicar o rompimento dos isoladores slidos, essa teoria ainda se encontrabastante
crua e no conclusiva. Isso porque, isoladores slidos sofrem a aco de correntes que,
aocontrrio dos gases, vm de vrias fontes de polarizao, inica, electrnica e por
movimento de dpolos, que muito lenta, e, essascorrentes no apresentam diferenas do
ponto de vista de medio, dificultandoo estudo de cada tipo separadamente. A condutividade
nos slidos em funo da temperatura dada pela equao, onde (A) e (u) so constantes
empricas.
A temperatura um factor relevante, quando se refere ao isolamento nascermicas,

principalmente nos vidros, que provavelmente so de origem electrnica ou inica. Acreditase que a conduo d-se pelo facto de ocorrer injeco de electres na banda proibida dos
tomos do material isolante, atravs dos portadores nos elctrodos ou do prprio acmulo de
electres provenientes da polarizao,sendo ejectados pelo efeito de emisso Schottky,
permitindo assim, a conduoatravs do isolador slido.
Se o material for homogneo e as condies de temperatura foremrigorosamente controladas,
so observadas tenses elctricas muito elevadas,que surgem com tenses abaixo do limite de
isolamento do material isolante, dependentes da tenso aplicada e datemperatura e so
conhecidas como foras elctricas intrnsecas. Isso explicado,supondo que o stress numa
regio determinada do dielctrico maiorque nas outras
Eng. Lus Simone
73

As descargas por avalanche seguem um processo similar s descargas poravalanche nos

gases, isto , um electro ou io livre ganha energia atravs daaco do campo elctrico e
perde energia na coliso com electres dos demaistomos, se a energia absorvida for maior
que a perdida nas colises, e a energiadas colises for suficiente para retirar electres das
bandas adjacentes de seustomos, este processo pode desencadear uma avalanche. O
rompimento mecnico caracterstico daqueles slidos que podem sedeformar
significantemente, de forma a alterar a sua configurao mecnica, semque haja uma fractura.
Isso acontece devido a que a presso mecnica exercidasobre o isolante pode ser muito alta,
devido a atraco dos elctrodos.
Segundo Stark e Garton, a espessura inicial, chamada mdulo de Young Y, decresce para
um valor igual a d [m] quando uma tenso de mdulo igual a V aplicada de acordo com
a equao;
Onde o primeiro quociente representa as permissividades do ar e relativarespectivamente,d 0

a espessura inicial de um espcime de material Young,que decresce a uma espessura d
depois da descarga. Quando um isolante percorrido por correntes de fuga, devido
apolarizao, a condutividade(s) normalmente aumenta com o aumento de temperatura,
podendo ocasionardescargas trmicas. Estas descargas so representadas por uma certa
instabilidade, ou seja, huma tendncia de desencadear cada vez mais electres, pois a
conduo de um electro aumenta um pouco mais a temperatura formando uma reaco em
cadeia.A teoria das descargas elctricas explicada sob a teoria de condutividadecalorfica
dos materiais, a capacidade de dissipao e o sistema de refrigeraode tais sistemas
Quando um dielctrico slido tem uma falha, como, por exemplo, uma bolha de ar na sua
construo, h uma tendncia de que sobre essa bolha aintensidade de campo seja aindamaior
que no dielctrico em si, sendo uma fontebastante grande de descargas, conhecidas por
descargas por eroso.
Eng. Lus Simone
74

Tenso de Ruptura em Cavidades
Cavidade num meio isolante slido e o respectivo circuito equivalente
As respectivas Capacitncias sero dadas por
A tenso de ruptura na cavidade ser dada por
A tenso no dielctrico que envolve a cavidade e que iniciar a ruptura na cavidade ser dada
por;
Na prtica assume-se que a cavidade tem uma forma esfrica, cuja intensidade dos campo
elctrico ser, para r>> rc;
Eng. Lus Simone
75

Camada de Condensadores
Em vrios arranjos de sistemas de isolamento existem conexes srie de Capacitncias que
originam distribuies no lineares de tenses. Um exemplo tpico a cadeia de isoladores
numa linha area de transporte de energia elctrica.
X
U
C1
Cadeia de suspenso com 5 isoladores singulares

A distribuio no linear da tenso tem origem nas Capacitncias parasitas entre a linha e a
terra
Capacitncias de terra C1E e de linha C2L do isolador numa linha de alta tenso
Eng. Lus Simone
76

Circuito equivalente da cadeia de isoladores
Supondo elementos infinitamente pequenosteremos as equaes diferenciais
Eng. Lus Simone
77

Com as abreviaes
E o princpio de soluo
Teremos
Ruptura Em Dielctricos Lquidos

O mecanismo de ruptura nos lquidos ainda mais obscuro e desconhecidodo que o
mecanismo nos gases ou mesmo nos slidos. Das vrias teoriassurgidas atravs dos anos,
muitas so contraditrias, de forma que no se podeainda formar uma teoria conclusiva aos
lquidos.
Dois ramos de teorias diferentes, no entanto, podem ser citados: umexplica a ruptura dos
dielctricos lquidos como uma extenso da teoria dosgases, baseado na avalanche de
electres ocasionada atravs da ionizao dostomos causada pela coliso de electres com
muita energia nestes.
Esta teoria se mostra razovel para lquidos de extrema pureza, onde a polarizao electrnica
e inica. Quando h, no entanto, uma quantidade muitogrande de impurezas, o lquido tende a
ter uma corrente crescente com o campo,que depois estabilizada, e por final, quando o
campo aplicado muito elevado,tende a uma instabilidade, ocorrendo da a avalanche.
O outro ramo de pensamento tenta explicar fisicamente o comportamentodos lquidos,
partindo da para a explicao das razes e das caractersticas daconduo nos lquidos.
Muitos cientistas da actualidade tm publicado vriostrabalhos a respeito, mas essa teoria
ainda se apresenta bastante incerta.Sabe-se, entretanto, que nos lquidos, existe a ruptura
electrnica, e que preferencial a ruptura trmica. Ela depende, do campo elctrico aplicado
E, docaminho livre do electro , e do quanta de energia h perdido na ionizaoda
molculaeE=ch
Eng. Lus Simone
78

Impurezas slidas, suspensas nos lquidos tambm causam rupturasdielctricas. Isso porque
estas podem ter cargas lquidas, e originar avalanches.Uma explicao plausvel e aceite, a
de que essa partcula carregada levadaao lugar onde o campo elctrico maior e grad E
igual a zero. Outras partculasslidas carregadas so levadas a essa regio, que por possuir o
campo maiselevado, tm um campo praticamente uniforme. Nesse campo, as partculas vose
alinhando, formandocertas pontes no dielctrico, podendo seguir da a ruptura do
dielctrico.
Um outro tipo de ruptura conhecido como ruptura de cavidade causadopor incluses de
gases dentro dos dielctricos lquidos, na forma de bolhas. Essasbolhas causam mudanas na
temperatura e na presso do dielctrico, dissociaode lquidos em slidos devido coliso
dos electres e vaporizao do lquidodevido as descargas do tipo coroa, nos pontos de
irregularidade dos elctrodos. A equao abaixo representa como esse processo se torna uma
descarga
Onde E0 a fora de ruptura, e o quociente igual permissividade dolquido somada e

dois.Da equao acima quando Eb se torna igual ao campo de ionizao do gs,descargas
vo ocorrer, podendo causar a decomposio do lquido e levandoassim, ao rompimento do
isolante.
Captulo7
Ensaios No Destrutivos
Muitos testes, so actualmente utilizados pelas empresas detentoras de sistemas de gerao,
transporte e distribuio de energia elctrica para a determinao das condies dos sistemas
de isolamento dos respectivos equipamentos.Maioritariamente estes testes so em off-line,
isto ; com os equipamentos fora de servio.
Refira-se que a resistncia de isolamento uma funo do tipo dos materiais empregues, bem
como da tcnica de aplicao dos mesmos. Em geral, a resistncia de isolamento
directamente proporcional a espessura do material isolante e inversamente proporcional a
rea da superfcie do condutor.
Segundo Rocha e Ayupe (2010), o isolamento elctricopode ser modelado como um circuito
com quatroramos paralelos, por onde podem circular quatrocorrentes diferentes quando uma
tenso aplicada,conforme figura abaixo. Estas correntes so as correntesde fuga pela
superfcie (leakage IL), de capacitnciageomtrica (Ic), de condutncia (Ig) e de absoro
oupolarizao (Ia). Estas correntes somadasrepresentam a corrente total que atravessa
oisolamento (It), conforme grfico abaixo. Arelao entre a tenso aplicada e a corrente
totalmedida fornece a resistncia doisolamento.
Eng. Lus Simone
79

Circuito equivalente com quatroramos paralelos
Representao grfica das correntes do circuito equivalente
Medio do ndice de Polarizao (IP)

A medio do ndice de polarizao tem por finalidade verificar as condies da resistncia
de isolamento, medindo o isolamento do equipamento em relao massa metlica do
equipamento. O valor de IP ser tanto maior quanto mais limpo estiver o equipamento
Para efectuar a medio recorre-se ao uso de um Megger, aplicando-se uma tenso contnua
de 2,5kV ou de acordo com a capacidade do aparelho e aps 1 minuto R 1 anota-se o valor da
resistncia. Repete-se a medio e anota-se o valor da resistncia aps 10 minutos R10.
O ndice de polarizao dado pela frmula
IP = R10/R1
ndice de Polarizao (IP)
1 >IP
IP <1,5
1,5 <IP <2
2 <IP <3
3 <IP <4
IP> 4
Eng. Lus Simone
Avaliao do Isolamento
Mau
Alarmante
Regular
Bom
Muito bom
ptimo
80

Transformadores de Potncia
Falha prematura de transformadores de potncia
Taxa de envelhecimento em funo da humidade
Movimento da humidade do leo para o papel
Eng. Lus Simone
81

Movimento da humidade do papel para o leo
Movimento da humidade do leo para o papel
Eng. Lus Simone
82

Medio da Resistncia de Isolamento

Testes de resistncia de isolamento podem ser usados para determinar a integridade de
circuitos e cabos em motores, transformadores, chaves de distribuio e instalaes elctricas.
O mtodo de teste determinado pelo tipo de equipamento a ser testado e a razo para o
teste. Por exemplo, ao testar-se a cablagem elctrica ou chave de distribuio (equipamentos
de baixa capacitncia), as correntes de fuga capacitiva dependentes do tempo e de fuga de
absoro tornam-se insignificantes e decrescem a zero quase instantaneamente
A resistncia de isolamento varivel no tempo. Num processo de medio ela estabiliza
antes dos 10 minutos em sistemas mais comuns, como papel e leo.
A resistncia RI, depende da temperatura do isolamento.No caso de transformadores,

considera-se que o seu valor cai para ametade a cada 10C de aumento na temperatura. Os
valores geralmente so referidos a 75C.
Relao de Absoro, RA = R1min / R15seg
ndice de Polarizao, IP = R10min / R1min
A anlise de resultados comparativa, ao longo da vida do equipamento, e dos equipamentos
da mesma famlia. Para transformadores pequenos, o IP prximo de 1 (IEEE std 62-1995),
estudos comparativos entre RI, IP, FP e outros tm sido objecto de anlise ultimamente
incluindo a humidade.
Eng. Lus Simone
83

Caractersticas dielctricas em corrente alternada
Factor de dissipao = Ir/Ic

Factor de potncia cos = Ir/I
Exemplo para = 10 = 90-10 = 80 (tang10 = 0,1763, cos80 = 0,1763) para ngulos
pequenos entre Ic e I, o factor de potncia aproximadamente igual ao factor de dissipao.
Eng. Lus Simone
84

De um modo geral o factor de potncia varia com a:

Temperatura (os valores so referidos, normalmente a 20C)
Humidade (nem sempre de forma sensvel ou conhecida)
Frequncia (mtodo tang vs frequncia)
Envelhecimento Trmico do Papel Isolante
Material: Celulose, um composto orgnico polimrico, cujas molculasconsistem em
longascadeias de anis de glicose (monmeros). A respectiva resistncia mecnica
proporcional ao comprimento das cadeias.
O grau de polimerizao (GP) mede o nmero mdio de anis de glicose

namolcula.Tipicamente varia entre 1000 e 1400 para um papel novo.Devido aos processos
de secagem em fbrica, o GP do isolamento de umtransformador menor comparativamente
a um papel novo e geralmentedetermina-se 800 como sendo o valor mnimo admissvel. Para
valores entre 100 e 250 considera-se o equipamento no fim da respectiva vida til.
Constituem mecanismos de envelhecimento a hidrlise, a oxidao e a pirlise.
Envelhecimento Trmico do leo Isolante
Durante a fase inicial de oxidao dos leos isolantes so formados compostos polares no
cidos, tais como lcoois, aldedos, cetonas, etc. medidas que o processo avana formam-se
cidos e sedimentos. Com a sedimentao, o transformador sofre aquecimento adicional,
devido a dois factores:
a) Obstruo dos canais de circulao de leo nosenrolamentos e nos radiadores;
b) Isolamento trmico.
Para garantir a qualidade do leo isolante, comum a adio deinibidores que retardam
avelocidade do processo de oxidao, almda realizao de tratamentos peridicos
Mtodos No Invasivos Globais
Furfural (2FAL)
O 2Fal o mais representativo de uma famlia de furfuraldedos queresultamespecificamente
da degradao do papel. Representa ocomportamento global, a partir da amostra de uma
pequena quantidadede leo do transformador.H estudos que correlacionam o GP com o
2Fal. A anlise inicialmente era feita em funo da sua concentrao noleo, com a relao
miligramas de (2Fal) / litros de leo [ppm]. Mais recentemente, a relaoconsiderada mais
Eng. Lus Simone
85

significativa a concentrao de 2Fal com relao massa de papel do transformador, ou

seja, miligramas de (2Fal) / kg papel [ppm]. Actualmente, o 2Fal includo nos diagnsticos
de fim-de-vida de transformadores de potncia das principais concessionrias. No se aplica
directamente aos casos em que o leo do transformador tenha sido filtrado ou substitudo.
Tenso de Retorno RVM (Recovery Voltage Meter)
Experimentalmente, o processo de polarizao de materiais dielctricos ocorre num dado
intervalo de tempo aps a aplicao do campo de polarizao. Da mesma forma, aps a
retirada do campo de polarizao seguido de um breve curto-circuito, tambm se observa um
intervalo de tempo para ocorrer uma completa despolarizao do material.
Aps o curto-circuito da amostra, inicia-se a despolarizao de diferentes mecanismos
envolvidos no processo de polarizao. Como resultado da soma das despolarizaes destes
diferentes mecanismos, verificado o retorno de uma tenso, em funo do tempo.
Originalmente denominada tenso de regenerao, o surgimento desta tenso fez parte de
um conjunto de fenmenos descritos como anomalias. Tambm, denominada de after-efect,
ou efeito posterior, este fenmeno actualmente conhecido como tenso de retorno, return
voltage.O processo para realizao de uma medida de tenso de retorno compreende trs
etapas, representadas esquematicamente pelas posies da chave S no circuito da figura
1. Aplicao de uma tenso de carga (U0) sobre a amostra durante um determinado perodo
(tc - tempo de carga).
2. Curto-circuito da amostra durante um determinado perodo (t d tempo de descarga).
3. Medio da tenso de retorno.
Eng. Lus Simone
86

Formas das tenses resultantes durante estas etapas.

A tenso aplicada (etapa 1) leva ao carregamento da capacitncia geomtrica, com
consequente polarizao do dielctrico. Do ponto de vista macroscpico, as cargas nos
elctrodos podem ser consideradas compostas de cargas livres e cargas ligadas pelo processo
de polarizao.
Na etapa 2, a retirada da tenso remove o campo aplicado sobre o dielctrico, e a aplicao
do curto-circuito tem por objectivo remover as cargas livres presentes nos elctrodos do cabo.
iniciado o processo de despolarizao do material dielctrico, resultando numa corrente de
deslocamento.A despolarizao continua durante o processo de medida (etapa 3) sendo que
as cargas previamente ligadas tornam-se cargas livres nos elctrodos. Devido ao acumular
destas cargas livres nos elctrodos que torna possvel a medio da tenso de retorno
O aumento da tenso de retorno com o tempo o resultado de um decrscimo gradual da
polarizao, isto , da relaxao dos dpolos excitados. Sem outras influncias adicionais,
ocorre um aumento contnuo da tenso de retorno. Com o aumento da tenso, processos de
descarga externos devido conduo em componentes resistivos internos ou externos se
tornam importantes e levam a posterior reduo da tenso de retorno. Ento, aps alcanar
um valor mximo, a tenso de retorno comea a diminuir.
As informaes directamente obtidas de uma curva de tenso de retorno so: o valor mximo
da tenso de retorno (Um) e o tempo para se atingir este mximo (t m). Os valores destes
parmetros possuem uma dependncia directa com as caractersticas do material analisado,
bem como dos valores adoptados para a tenso de carga, tempo de carga e tempo de descarga.
A primeira aplicao de medidas de tenso de retorno, RVM Return Voltage Measurement,
como mtodo de diagnstico foi na avaliao da presena de humidade no isolamento de
papel impregnado com leo utilizado nos transformadores. Na dcada de 90 esta tcnica
comeou a ser utilizada como mtodo de diagnstico preditivo para avaliar a presena de
arborescncias em gua no interior do isolamento de cabos de potncia extrudados
O isolamento de cabos com arborescncias em gua apresenta uma resposta dielctrica no
linear, explicada pelas seguintes teorias:
As arborescncias so formadas por micro-lacunas, contendo gua, interligadas por canais
delgados de natureza isolante. Quando sob o efeito de campos elctricos intensos, os
Eng. Lus Simone
87

dimetros destes canais so alargados devido presena de gua e tornam-se condutores,

resultando em maiores perdas.
Tem sido explicado, tambm, que a tenso de retorno nos cabos isolados em polietileno
com arborescncia influenciada pelo aumento da injeco de cargas devido presena
de humidade ou pelo nmero de transportadores inicos pr-existentes e deslocamento de
carga espacial.
O mtodo de medida de tenso de retorno distingue-se dos outros mtodos de diagnstico que
so focados no fenmeno de descargas parciais e na existncia de arborescncias elctricas.
Como qualquer mtodo novo a medida de tenso de retorno tem evoludo muito em termos
de conhecimento e experincia. Comparada com outras tcnicas de diagnstico no domnio
do tempo como, por exemplo, medidas de corrente de relaxao, a medida de tenso de
retorno apresenta a vantagem de ser menos sensvel a rudos, o que um importante factor
para medidas em campo
Exemplo
Para se comprovar a eficincia do processo, foi utilizado um transformador de 345kV,
133MVA de fabricoIEBB, com valores de humidade de papel inicialmente de 2,09%,
medidos atravs do RVM. A inteno era efectuarum processo de secagem suficientemente
lento de forma a permitir que a humidade contida no isolamento slido fossetransferida para
o leo isolante, auxiliada pela temperatura de operao do transformador, quepermaneceria
em operao. A entrada de leo para o sistema de filtragem foi feita a partir da vlvula
inferior e o retornopela vlvula superior. O vcuo foi aplicado em todo o sistema (filtros,
mangueiras e bomba de leo).
.
Ensaio de RVM inicial, antes do incio do processo de secagem
Eng. Lus Simone
88

Ensaio de RVM final, depois do processo de secagem
Antes
Depois
tc
98,35
260,56
Urmx (V)
217,48
121,5
H2O (%)
2,09
1,6
Tcrit (C)
84,7
95
O resultado final de RVM mostra que o valor de humidade da parte activa decresceu de 2,09
para 1,6% e apresenta-se uniformemente distribudo pelo isolamento, comprovando a
eficincia do processo de secagem
Repetindo este procedimento para vrios tempos de carga emantendo-se uma relao t c/td=2,
obtm-se uma famlia de curvas detenso de retorno. A envoltria dos picos chamada de
espectro de polarizao. O pico desta envoltria representa uma resposta globaldominante
para o isolamento e tambm um determinado teor de humidade.
Espectros de polarizao e tenses de retorno

Quando a superfcie isolante exposta humidade ambiente apareceum segundo pico. O
mtodo permite avaliar a qualidade dos processosde manuteno e recuperao de
transformadores, onde o isolamento fica exposto ao ambiente por tempo prolongado.Um pico
extra na regio mais rpida indicativo de leo isolante em mau estado.
Eng. Lus Simone
89

Espectro de polarizao tpico de um transformador
Tenso de Retorno VS Grau de Polimerizao
Envelhecimento acelerado de papel kraft a 120C (Tenso de retorno a 60C)

RVM VSOutros Ensaios Dielctricos
Os ensaios de RI, IP, tg (50 Hz) e tg (0,1 mHz a 1 kHz) so poucosensveis para teores de
humidade inferiores a 1%, cuja respostadominante da ordem de centenas de segundos
(sistema papel-leo).
Eng. Lus Simone
90

IP vs Teor de humidade do Papel, para vrias temperaturas
Gerador
Componentes do Sistema de Isolamento
Isolamento entre condutores
Isolamento entre espiras
Isolamento para a terra
Camada semicondutora (grafite)
Camada de silcio
Degradao Trmica
A degradao trmica no sistema de isolamento de um gerador ocorre regra geral devido a
Perda da rigidez mecnica por aquecimento prolongado
Afrouxamento do isolamento entre camadas, vibrao de condutores, falhas por descargas
parciais que conduzem facilmente a defeitos massa do isolamento
Sobreaquecimento de devido a sobrecarga, falha na refrigerao, correntes de inrush,
desbalanceamento de tenses.
Eng. Lus Simone
91

Circuito equivalente do sistema de isolamento

Quando Ear = Var /dar > 3 kV/mm ocorrem descargas parciais
Eng. Lus Simone
92

Efeito da Polaridade na Localizao das DPS
Efeito Inverso () das DPS com a Temperatura

(Quando as DP Diminuem Com o Aumento da Temperatura)
O tamanho do espao varia inversamente com a temperatura. O cobre e o material
isolamento aumentam de tamanho, diminuindo os espaos entre o isolamento e o ncleo,
e, portanto, as DP
Este efeito mais significativo para isolamentos de polister e asflticos, mas tambm
pode ser observado em enrolamentos isolados em epoxi
De notar que a temperatura do cobre ou das camadas internas do isolamento no so
reflectidas com rapidez pelos RTDs.
Efeito Proporcional (+) das DPS com a Temperatura
(Quando as DP Aumentam Com o Aumento da Temperatura)
Indicativo da deteriorao da tinta semicondutora com o aumento da temperatura, a
existncia deste material cresce aumentando o nvel de DP positivas
Este um mecanismo de falhas muito lento, porm pode levar ao aparecimento de zonas
de elevada produo de ozono
Eng. Lus Simone
93

Tenso Aplicada CC Hy-Pot

A medio da tenso aplicada tem por finalidade verificar se existem falhas de isolamento
com fuga de corrente massa. um ensaio que visa garantir que o isolamento de um
determinado equipamento oferea segurana aos operadores e aplicao a que est
destinada. Conforme normas internacionais deve-se aplicar a um equipamento novo.
A aplicao da tenso de teste denominada HY-POT obedece a determinados critrios de
entre os quais se destacam
Tenso de prova: Up (mxima) = (2.Unom) + 1
Acima de 26kV o efeito corona influi fortemente: faixa inadequada
Primeiros 10 minutos: degrau inicial 0,3.Up (mximo de 10kV). Nos degrausseguintes
acrscimos de 20%
Ajuste para 90 ~ 95% do valor (a tenso sobe, por efeito capacitivo)
Tempo de durao de cada degrau: Mtodo de Schleif. Consiste emajustar os tempos
deaplicao dos degraus para conseguir uma recta
Leitura da corrente de fuga para 1, 3 e 10 minutos
Clculos:
C = [(I1 x I10) I32] / (I1 + I10 2I3)
Relao de Absoro (N) = (I1 C) / (I10- C)
Esquema simplificado para ensaio Hi-pot
Eng. Lus Simone
94

Ensaios em Capacitores
A) Capacitncia Potncia Reactiva
C = (I.106) / (E.)
Onde:
C = Capacitncia [F]
I = Corrente [A]
= Frequncia, 2f
E = Tenso aplicada [V]
Potncia reactiva, Q
Q = V2..C.10-3
Onde:
Q = Potncia reactiva [kVar]
V = Tenso nominal do capacitor [kV]
C = Capacitncia [F]
Critrios:
A diferena entre as capacitncias de duas unidades de mesmaespecificao pode ser at 15
%
A potncia obtida atravs da capacitncia medida no deve diferir da potncia nominal em:
-5% a +10% para unidades capacitores
0% a +10% para bancos de capacitores
Eng. Lus Simone
95

B) Isolamento
RESISTNCIA DE ISOLAMENTO TOTAL: COM 2,5kVCC, (>1 G)
Circuito de medio (proceder leitura aps 1 minuto)
Resistncia de Isolamento entre Isoladores de Travessia
Circuito de medio (proceder leitura aps 1 minuto)
Eng. Lus Simone
96

Levantamento das Caractersticas de um Gerador
Saturao em vazio Circuito de medio
Recta de curto-circuito - circuito de medio
Relao de curto-circuito = I (Un) / I (In)

Reactncia sncrona de eixo directo, no saturada = AC/BC, saturada = ED/FD
Eng. Lus Simone
97

Saturao em Transformadores de Corrente

Os dispositivos crticos nos sistemas de proteco so os transformadores de corrente (TC) e
como todo materialferro magntico, o mesmo trabalha com uma curva de histerese. Para o
seu correcto funcionamento, os TCs sodimensionados para que trabalhem na faixa linear
desta curva, entretanto, existem situaes de difcil estimativaque causam sua saturao,
como o nvel DC da corrente de curto-circuito e o fluxo residual do TC. O dispositivode
proteco deve detectar este fenmeno para evitar actuao indevida da proteco diferencial.
Na figura ilustrado o circuito simplificado de um TC, onde i1/n a corrente secundria total
(corrente primria dividida pela relao de transformao), ie a corrente de excitao do
ncleo e i2 a corrente disponvel no terminal secundrio, que alimenta a carga R. O valor de
i2 dado pela equao i2 = (i1/n) ie.Xm, Rme Zmrepresentam, respectivamente, a indutncia,
a resistncia e a impedncia do ramo de magnetizao
A corrente de excitao est sempre presente, porm seu valor muito pequeno em condies
normais, pois a impedncia do ramo de magnetizao grande. Sendo assim, o erro causado
devido ie muito pequeno. Contudo, quando ocorre a saturao, o valor de Zm cai
drasticamente, e a maior parte da corrente passa pelo ramo de magnetizao, causando
distoro na forma de onda do sinal recebido pela carga do TC.
Durante a saturao do TC, a impedncia vista por rels de distncia (Z=V/I) pode ser maior
do que o valor esperado, promovendo assim um problema de desbalanceamento neste tipo de
proteco
As principais causas da saturao dos TCs so ascomponentes unidireccionais das correntes
de curto-circuito, ofluxo magntico remanescente no ncleo e a carga do TC.Alm disso, um
TC mal dimensionado pode saturar por noacomodar o fluxo magntico gerado durante
eventos comocurto-circuitos. Uma soluo para esse caso seria odimensionamento do TC
com um ncleo maior, entretanto,isso aumentaria o custo do transformador de corrente.
Por esses motivos, vm sendo estudados mtodos quevisem detectar os intervalos de
saturao dos TCs, para entoprovidenciar a correco dos sinais de corrente distorcidos em
virtude desse fenmeno. Assim, garante-se ofuncionamento adequado dos esquemas de
proteco
Eng. Lus Simone
98

Conceito de Saturao em Materiais Magnticos

Quando o TC satura, a forma de onda do terminalsecundrio distorcida, conforme mostra a
figura. Devido grande variao de corrente entre o primeiro ponto da regiosaturada e o
ltimo ponto da regio no saturada, os inciosdos intervalos de saturao encontram-se
dentro dos picosmaiores presentes na curva das diferenas de i2. Da mesma forma, os fins de
saturao so caracterizadospor valores dentro dos picos de menor intensidade.
Forma de onda da corrente no terminal secundrio de um TC no saturado
Forma de onda da corrente no terminal secundrio de um TC saturado
Eng. Lus Simone
99

Onde:
Vs = Tenso de saturao (Ver tabela de cargas nominais)
F = Factor de sobrecorrente (ASA, ANSI, NBR 6856 = 20 IN)
IN = Corrente secundria nominal (5A, com raras excepes)
RI = Resistncia do enrolamento secundrio a 75C
RC = Resistncia da carga nominal
XI = Reactncia do enrolamento secundrio
XC = Reactncia da carga nominal
Cargas nominais para TC de proteco
Captulo 9
Concepo e Teste de Isoladores Para Uso Exterior
Para o isolamento de linhas de transmisso so necessrios dispositivos especialmente
desenhados (isoladores). O isolador deve apresentar, alm de apreciveis caractersticas
dielctricas, ptimas caractersticas mecnicas, tendo em vista a natureza severa do trabalho
que ir realizar. O isolador deve suportar altas tenses de compresso, deve ser duro e
apresentar a superfcie altamente polida.
O seu desenho dever ser tal que minimize a acumulao de linhas de fluxo electrostticas, o
que no permitir o rompimento de arcos elctricos na sua superfcie. O seu desempenho
electromecnico deve-se manter estvel em quaisquer condies de humidade, temperatura,
chuva, neve, poeira, gases, etc.
Tipos de Isoladores
Com relao aos condutores, os isoladores tm a funo de
Suspenso
Ancoragem
Separao
Eng. Lus Simone
100

Eng. Lus Simone
101

Os isoladores so sujeitos a solicitaes mecnicas e elctricas.

Solicitaes Mecnicas
Foras verticais pelo peso dos condutores
Foras horizontais axiais para suspenso
Foras horizontais transversais pela aco dos ventos
Solicitaes Elctricas
Tenso nominal e sobretenso em frequncia industrial
Oscilaes de tenso de manobra
Transitrios de origem atmosfrica
Os isoladores devem oferecer uma alta resistncia para correntes defuga de superfcie e ser
suficientemente espesso para prevenir rupturasob as condies de tenso que devem
suportar.Para aumentar o caminho de fuga e, portanto a resistncia de fuga, osisoladores so
construdos com curvas e saias.
Os Isoladores so Produzidos de
Porcelana vitrificada
Vidro temperado
Polmeros em borracha de
o EPDM (Etileno Propileno Dieno Monomrico)
o Silicone Porcelana vitrificada
o Vidro temperado
Eng. Lus Simone
102

Porcelana Vitrificada
Os materiais cermicos caracterizam-se, em geral, pelo baixo preo, por um processo de
fabrico relativamente simples, e porcaractersticas elctricas ou dielctricas, trmicas e
mecnicasvantajosas que podem apresentar quando o processo de fabrico bem cuidado
Composio da cermica
Argila
Quartzo componente que influi termicamente; quanto maior sua percentagem, maior a
temperatura suportada pela porcelana.
Feldspato componente que define o comportamento isolante como rigidez dielctrica,
factor de perdas, etc.
O revestimento com verniz, cuja base a mesma da porcelana, destina-se a vitrificar a
superfcie externa da porcelana que, embora noporosa, apresenta certa rugosidade que pode
ser prejudicial durante ouso da porcelana em corpos isolantes, sujeitos deposio de
humidade, poeira, etc. O verniz ao recobrir o corpo da porcelana o tornaliso e brilhante,
elevando a resistncia superficial do isolador.
Vidro
O vidro basicamente composto de xido de silcio e xido de boro,nas formas SiO 2 e B2O3;
acrescenta-se a esses dois uma grande sriede aditivos, tais como os xidos alcalinos K2O
eNa2O, que influem,sobretudo no valor da temperatura de fuso do material.Os
diversoscomponentes do vidro variam as caractersticas do vidroem funo da composio.
Tambm tratamentos trmicos posteriores(tmpera) influem acentuadamente em particular no
que se refere asuas caractersticas mecnicas. A tmpera do vidro adquireimportncia
particular na rea dos isoladores, tipo disco e pedestal,devido presena de esforos
mecnicos acentuados. Pela tmpera,a camada externa do vidro sofre uma contraco
acentuada, o que faz predominarem na casca externa, os esforos de compresso
Polmeros
Caractersticas dos Polmeros:
Excelente hidrofobicidade.
Excelente resistncia ao trilhamento elctrico (tracking).
Excelente desempenho sob poluio o perfil e a maior distncia de escoamento do
isolador permitem reduzir a corrente de fuga e, portanto as perdas de energia Resistente
ao efeito de eroso mesmo quando o isolador estiver submetido a uma forte poluio.
Impenetrabilidade - podem ser lavados sob alta presso.
Resistncia ao envelhecimento devido aos raios ultravioleta, temperatura, poluio,
ozono, com alta durabilidade.
Resistente ao arco elctrico.
A maleabilidade das aletas de borracha, associada elevada resistncia do ncleo central
e a silhueta delgada garante incomparvel desempenho destes isoladores em regies de
vandalismo.
Instalao rpida, simples e de menor custo.
Pesa at 13 vezes menos que uma cadeia de isoladores convencionais.
Eng. Lus Simone
103

Comparao entre isoladores de vidro, porcelana e polimrico
Suportabilidade Dielctrica
A suportabilidade dielctrica de uma superfcie isolante reduz substancialmente quando
submetida a determinadas condies climticas como chuva ou alta humidade. Tal reduo
pode se tornar mais acentuada quando a superfcie isolante exposta a uma atmosfera
poluda . Entende-se como atmosfera poluda, do ponto de vista elctrico, uma atmosfera
que, num certo perodo de tempo, propicia a formao, sobre a superfcie isolante, de uma
camada constituda por substncias que dissolvidas em gua, produzem solues condutoras.
No ocorre variao no comportamento dielctrico da superfcie se a camada se mantm seca,
quando comparada com a superfcie limpa. Entretanto, se ocorre um processo de
humidificao que dissolva mas no remova os sais contidos na camada, parcial ou
totalmente, ocorre a formao de arcos sobre a superfcie iniciando um processo que poder
culminar com uma descarga disruptiva. Alm disso, os arcos formados geram ozono (agente
oxidante) e um dos responsveis pela corroso elctrica nos isoladores
Basicamente, o dimensionamento do isolamento paralocalidades poludas realizado em
duas etapas:
Levantamento do grau de contaminao da localidade,
Determinao das caractersticas do isolamento atravs de ensaios em laboratrio.
Inicialmente, ser mostrado o resultado de uma pesquisa bibliogrfica mostrando o processo
de formao de arcos em superfcies isolantes e seus efeitos e, em seguida, a metodologia
para levantamento do grau de contaminao e os ensaios de laboratrio a serem realizados.
Formao de Arcos Em Isoladores Poludos
A sequncia de eventos a seguir mostra a influncia da poluio na formao de arcos na
superfcie de isoladores:
1. O isolador est coberto com uma camada de poluio seca, contendo sais solveis ou
cidos diludos ou lcalis.
2. A superfcie do isolador poludo humidificada, completamente ou parcialmente, por
nvoa, chuva fina ou nevoeiro, fazendo com que a camada de poluio se torne
condutora.
3. Assim que a camada poluente que cobre o isolador energizado se torna condutora, as
correntes de fuga superficiais aparecem e o aquecimento por elas provocado comea a
secar parte da camada poluente.
4. A secagem da camada poluente sempre no uniforme, fazendo com que a camada
poluente hmida seja cortada por bandas secas que interrompem o fluxo da corrente
de fuga.
Eng. Lus Simone
104

5. A tenso aplicada nas bandas secas, as quais podem ter somente poucos centmetros
de largura, causa uma descarga no ar e a banda seca atravessada por arcos que esto,
electricamente, em srie com a resistncia da parte no seca da camada de poluio.
Se a resistncia da parte seca da camada de poluio formuito baixa, os arcos que ultrapassam
as bandas secasno se extinguem e, pelo contrrio, aumentam suaextenso ao longo da
superfcie do isolador. Este facto,por sua vez, diminui a resistncia elctrica em sriecom os
arcos, aumentando a corrente e permitindo aumentar, ainda mais sua extenso at que toda a
superfcie do isolador esteja coberta ocasionando, assim, uma descarga disruptiva.
Efeitos dos Arcos Sobre Os Isoladores
Mesmo no causando uma descarga, uma das consequncias mais importantes da formao
dos arcos gerao de ozono, que pode acelerar a corroso atmosfrica/galvnica e a
ocorrncia de corroso elctrica em isoladores.
Corroso Atmosfrica/Galvnica
A corroso atmosfrica corresponde a oxidao directa entre o metal e suas vizinhanas, e a
galvnica ocorre quando se coloca dois metais de electronegatividades diferentes em contacto
(por exemplo: Fe + Zn), ocorrendo ento a doao de electres do mais electronegativo para o
menos electronegativo. O ozono oxida o Zn acelerando a corroso branca, que gradualmente
se desprende da superfcie, expondo o ferro. O ozono combina-se com o nitrognio,
formando dixido de nitrognio, que hidratado, produz cido ntrico. O cido ntrico ataca o
ferro, gerando hematita e magnetita, ou seja, a corroso vermelha (ferrugem).
Corroso Elctrica
Esse o principal factor de corroso que corresponde corroso electroltica devido no s
corrente de fuga sobre a superfcie hmida dos isoladores poludos, como tambm
subsequente actividade elctrica de arcos (corroso por arcos) que aparece atravs da
superfcie mais resistiva do isolador poludo e/ou nas interfaces dos materiais componentes
do isolador. Esse tipo de corroso o mais severo em reas poludas de clima tropical.
Corroso electroltica: quando o isolador est poludo e hmido, uma corrente de fuga
aparece sobre a superfcie isolante, entre as partes metlicas de cada isolador. Os efeitos da
corrente de fuga aumentam com o grau de poluio (quantidade de sais), e com a tenso
elctrica aplicada sobre os isoladores;
Corroso por arcos: estes arcos e descargas sobre as partes mais resistivas da superfcie
hmida aparecem durante a condensao. Os arcos so mais frequentes nas regies da cadeia
de isoladores onde a densidade de corrente e o campo elctrico so mais intensos. Desta
forma, muitos arcos tm mais frequentemente suas razes sobre a campnula e sobre o pino
dos isoladores do lado fase da cadeia. Estes arcos tambm induzem a formao de ozono, que
como j observado podem acelerar a corroso. A prtica tem mostrado efectivamente a
ocorrncia de corroso precoce em isoladores instalados em sistemas com tenso maior ou
igual a 345kV.
Avaliao da Formao de Arcos Em Ambiente Tropical
Em condies hmidas, a amplitude das descargas e arcos dependem essencialmente dos
depsitos poluentes sobre a superfcie do isolador (severidade e distribuio). Os distrbios
causados pelas descargas e arcos variam proporcionalmente com a tenso aplicada sobre as
Eng. Lus Simone
105

unidades de isoladores da cadeia e so mais importantes quando as cadeias de isoladores no

so equipadas com ferragens de proteco. Durante os longos perodos sem chuva num
ambiente tropical, as condies ambientais de um dia podem ser esquematizadas por dois
principais perodos sucessivos, o seco e o hmido. Durante o perodo hmido, desde o pr at
ao nascer do sol, depsitos de condensao aparecem sobre a superfcie do isolador, a
humidade relativa do ar atinge valores de acima de 80%.
Para avaliar o desempenho de cadeias de isoladores em ambiente tropical, foram realizados
ensaios sobre cadeias de isoladores levemente poludos. Todos os isoladores das cadeias
foram poludos da mesma maneira, para reproduzir uma poluio leve. Entretanto, de
maneira a reproduzir mais fielmente o depsito de poluio natural observado no campo, a
poluio no foi aplicada uniformemente. A nvoa, gerada por um gerador de vapor, no foi
aplicada directamente sobre a cadeia de isoladores. A nvoa foi continuamente mantida
durante duas horas - perodo hmido - e foi interrompida repentinamente. O ensaio ento
continuou durante o perodo seco. A anlise dos resultados feita conforme os dois perodos
distintos.
Perodo Hmido
As unidades isolantes da cadeia apresentam o fenmeno de actividade elctrica de arcos. Este
perodo corresponde corrente de fuga mais alta e mais alta humidade relativa. Os
fenmenos so praticamente definidos pelo depsito de poluentes sobre a superfcie do
isolador e no pelo projecto da cadeia de isoladores.
Durante o perodo hmido, a corroso electroltica, devido a passagem permanente de uma
corrente de fuga mais alta, mais importante e mais uniforme.
Perodo Seco
Durante o perodo seco, os arcos e as descargas esto concentrados somente nos isoladores
electricamente mais solicitados e o fenmeno mais importante corresponde corroso por
arcos.
Durante este perodo, a durao de actividade elctrica reduzido quando a cadeia de
isolador equipada com um anel de proteco. Em comparao, as descargas e arcos
continuam actuando depois de 3 horas sobre cadeias sem anis de proteco e param depois
de 30 minutos sobre cadeias com anis de proteco
Operao em Ambiente Poludo
No caso de isoladores poludos o campo elctrico em torno do mesmo apresenta-se distorcido
pela presena de partculas condutoras na superfcie do isolador. Figura abaixo representa o
esquema equivalente de uma cadeia de isoladores, Cglass representa a capacidade do disco, Cair
a capacidade do ar e Rpol a camada condutora resultante da poluio
Eng. Lus Simone
106

Para um isolador cilndrico a tenso de disrupo devido a poluio dada por
Onde N, A en so as constantes do arco elctrico e rpo quociente entre a resistncia total

resultante da poluio e a distncia de segurana. No geral as constantes tomam os seguintes
valores N=80, A=10 e n=0,5. Para um isolador com superfcie irregular rp ser obtido por
Onde F factor de formaL a distncia de segurana e s a condutividade da superfcie
Onde r(s) o raio na posio s.
Eng. Lus Simone
107

Ou para o cone da figura abaixo
Considerando o cone superior
Considerando o cone superior e inferior
Considerando um formato cilndrico, com comprimento L e raio R
A tenso de disrupo do isolador ser
Onde Vc em kV, L em mm e s em S
Eng. Lus Simone
108

Mitigao dos Fenmenos de Poluio

Existem vrios mtodos empregues para mitigar ou eliminar por completo o efeito da
poluio em isoladores cermicos, onde se destacam
Melhorar a Configurao
A distncia de fuga de um isolador pode ser ajustadade forma a mitigar os fenmenos
ambientais. Geralmente as configuraes so optimizadas aerodinamicamentepara facilitar a
auto-limpeza atravs da aco do vento e da chuva.
Limpeza Peridica
Em muitas instalaes so utilizados sistemas de jacto de gua a alta presso para a limpeza
da superfcie de isoladores, sendo de longe o mais barato.
Aplicao de Gel/Graxa
O processo de revestimento das superfcies do isolador com gel ou graxas utilizado em reas
de contaminao severa. Na maior parte dos casos,a remoo e aplicao da graxa uma
operao manual. Sendo um processo lento e que requer paralisaes de circuito.
Aplicao de RTV
Revestimentos de silicone (RTV) so cada vez mais aplicados com maior frequncia em
subestaes e cadeias de isoladores. Estudos mostraram que este tipo de revestimento de
grande eficcia no combate aos fenmenos de poluio.
Esmalte Resistivo
Isoladores de esmalte resistivo so frequentemente utilizados paraaliviar osfenmenos de
poluioem regies com altos ndices de poluio. A sua utilizao resulta num campo
elctrico de distribuio uniforme que leva ao aquecimento da respectiva superfcie, inibindo
a formao de humidade.
Eng. Lus Simone
109

Bibliografia
[01] M. S. Naidu & V. Kamaraju, High Voltage Engineering, Tata McGraw Hill, 1996
[02] E. Kuffel & W. S. Zaengl, High Voltage Engineering: Fundamentals, Pergamon Press,
1992.
[03] Jonas Roberto Pesente Fundamentos de Tcnicas de Alta Tenso, Foz do Iguau, 2004
[04] Dr. Eng. D. Gorgius, Tcnica de Alta Tenso, U. E. Mondlane 1984
[05] Dr. Ing. Klaus Nowaski, Tcnica de Alta Tenso, U. E. Mondlane 1984
[06] Eng. Joo Mamede Filho, Manual de Equipamentos Elctricos, Rio de Janeiro, LTC
2005
Eng. Lus Simone
110

Tecnicas de Alta Tensu00E3o-Apontamentos (6-02-2015) PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Tecnicas de Alta Tensu00E3o-Apontamentos (6-02-2015) PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

[Type here]

Instituto Superior Politcnicode Songo

Curso de Licenciatura em Engenharia Elctrica

Preparado por, Eng. Luis Simone

Instituto Superior Politcnico de Songo

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

Avaliao da Formao de Arcos em Ambiente Tropical

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

. Por exemplo para uma linha cuja

impedncia natural de 250, teremos:

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

Lista dos principais sistemas de transmisso em AC e em ordem cronolgica de suas

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

Ilustrao grfica daevoluo dos sistemas de transmisso HVDC

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

O balano entre as sobretenses elctricas sobre o isolamento e a capacidade do material

Tenses de Testes ou Ensaios

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

Basicamente a descarga atmosfrica caracteriza-se pela propagao de uma frente de onda de

Normalmente as descargas atmosfricas atingem o cabo de guarda podendo em determinadas

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

Ensaios com Tenso de Impulso de Manobra

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

Tem um efeito mais constrangedor para o material (transformadores, cabos, ) do que as

Comutao de correntes indutivas

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

quando fosse susceptvel a ocorrncia de descargas internas que levassem a degradao

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo

diferente das condies normais de funcionamento encontradas no terreno quando transmitem

Onde T o perodo, f=1/T a frequncia de oscilao

O factor de ondulao a relao entre a amplitude de ondulao e a mdia aritmtica,

Eng. Lus Simone

(Material sujeito a alteraes sem aviso prvio)Tcnica de Alta Tenso

Instituto Superior Politcnico de Songo