Harmônicos e Fator de Potência

Harmnicos e Fator de Potncia: um Curso de Extenso
Apresentao
Este texto foi preparado para o curso de extenso "Influncia dos
Harmnicos nas Instalaes Eltricas Industriais" promovido pelo
Departamento de Engenharia Eltrica da Universidade Federal de Mato
Grosso do Sul, ministrado nos dias 17, 18 e 19 de junho de 1997. Trata-se de
um curso voltado para profissionais atuantes no setor eltrico e interessados
em acompanhar as inovaes tecnolgicas decorrentes da evoluo da
Eletrnica de Potncia, especialmente as possibilidades do condicionamento
de energia eltrica visando aprimorar a qualidade do produto Energia Eltrica.
Inicialmente, no captulo 1, faz-se uma discusso sobre Fator de Potncia e
Harmnicas, vinculando-os em termos da influncia das harmnicas sobre o
fator de potncia de um sistema. A seguir, no captulo 2, so apresentadas
algumas normas e regulamentaes que limitam a contaminao harmnica de
um sistema ou a emisso de uma carga. No captulo 3 so apresentados os
componentes semicondutores de potncia que so utilizados em conversores
estticos que, em ltima instncia, so os responsveis pelo aumento da
distoro presente na rede. Paradoxalmente, so estes mesmos conversores
que permitem a compensao das distores quando adequadamente
empregados. No captulo 4 so apontados os efeitos sobre os componentes de
um sistema eltrico e as causas da distoro harmnica. Nos captulos 5, 6 e 7
so apresentadas solues para a minimizao da distoro harmnica,
iniciando com correes passivas, passando para as ativas, como os prreguladores de fator de potncia e os filtros ativos.
Este um material que deve sofrer constantes atualizaes, em funo da
constante evoluo tecnolgica na rea da Eletrnica de Potncia, alm do
que, o prprio texto pode ainda conter eventuais erros, para os quais pedimos
a colaborao dos estudantes e profissionais que eventualmente fizerem uso
do mesmo, no sentido de enviarem ao autor uma comunicao sobre as falhas
detectadas. Os resultados experimentais includos no texto referem-se a
trabalhos executados pelo autor, juntamente com estudantes e outros
pesquisadores e foram motivo de publicaes em congressos e revistas,
conforme indicado nas referncias bibliogrficas.
Textos semelhantes foram, ou esto sendo produzidos referentes s
disciplinas de "Fontes de Alimentao com Correo de Fator de Potncia"
"Fontes Chaveadas" e "Eletrnica de Potncia". Arquivos em formato .PS
esto disponveis a cada captulo.Cursos de Extenso sobre estes assuntos
so oferecidos sob demanda atravs da Escola de Extenso da UNICAMP.
Ao final desta page esto os respectivos arquivos em formato HTML.
Campinas, 26 de Julho de 1997
Contedo
1. FATOR DE POTNCIA E DISTORO HARMNICA
1.1 FATOR DE POTNCIA
1.1.1 Definio de Fator de Potncia
1.1.2 Caso 1: Tenso e corrente senoidais
1.1.3 Caso 2: Tenso senoidal e corrente distorcida
1.1.4 Caso 3: Tenso e corrente no-senoidais, mas de mesma freqncia.
1.2 DESVANTAGENS DO BAIXO FATOR DE POTNCIA (FP) E DA ALTA DISTORO DA
CORRENTE
1.2.1 Perdas
1.2.2 Capacidade de transmisso
2. NORMAS RELATIVAS CORRENTE DE LINHA: FATOR DE POTNCIA E
HARMNICAS DE BAIXA FREQNCIA
2.1 FATOR DE POTNCIA
2.2 NORMA IEC 1000-3-2: LIMITES PARA EMISSO DE HARMNICAS DE CORRENTE (<16 A
POR FASE)
2.3 RECOMENDAO IEEE PARA PRTICAS E REQUISITOS PARA CONTROLE DE
HARMNICAS NO SISTEMA ELTRICO DE POTNCIA: IEEE-519
3. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA
3.1 DIODOS DE POTNCIA
3.2 TIRISTOR
3.2.1 Princpio de funcionamento
3.2.2 Maneiras de disparar um tiristor
3.2.3 Parmetros bsicos de tiristores
3.2.4 Circuitos de excitao do gate
3.2.5 Redes Amaciadoras
3.2.6 Associao em Paralelo de Tiristores
3.2.7 Associao em srie de tiristores
3.2.8 Sobre-tenso
3.2.9 Resfriamento
3.3 GTO - GATE TURN-OFF THYRISTOR
3.3.2 Parmetros bsicos do GTO
3.3.3 Condies do sinal de porta para chaveamento
3.3.4 Circuitos amaciadores (snubber)
3.3.5 Associaes em srie e em paralelo
3.4 TRANSISTOR BIPOLAR DE POTNCIA (TBP)
3.4.2 rea de Operao Segura (AOS)
3.4.3 Conexo Darlington
3.4.4 Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento
3.5 MOSFET
3.5.1 Princpio de funcionamento (canal N)
3.5.2 Caracterstica de chaveamento - carga indutiva
3.6 IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
3.7 MCT - MOS-CONTROLLED THYRISTOR
3.7.2 Comparao entre P-MCT e N-MCT
4. EFEITOS E CAUSAS DE HARMNICAS NO SISTEMA DE ENERGIA ELTRICA

4.1 EFEITOS DE HARMNICAS EM COMPONENTES DO SISTEMA ELTRICO
4.1.1 Motores e geradores
4.1.2 Transformadores
4.1.3 Cabos de alimentao
4.1.4 Capacitores
4.1.5 Equipamentos eletrnicos
4.1.6 Aparelhos de medio
4.1.7 Rels de proteo e fusveis
4.2 CAUSAS DE DISTORO HARMNICA
4.2.1 Conversores
5. FILTROS PASSIVOS
5.1 FILTROS PASSIVOS APLICADOS A UM CONJUNTO DE CARGAS
5.2 FILTROS PASSIVOS APLICADOS CARGA
5.2.1 Exemplos monofsicos
6. CONDICIONAMENTO DA CORRENTE ABSORVIDA: PR-REGULADORES DE FATOR
DE POTNCIA - PFP
6.1 RETIFICADORES MONOFSICOS: ESTUDO DO CONVERSOR ELEVADOR DE TENSO
(BOOST)
6.2 O CONVERSOR ELEVADOR DE TENSO (BOOST) COM ENTRADA CC
6.2.1 Conduo contnua
6.2.2 Conduo descontnua
6.2.3 Conversor boost operando como PFP em conduo descontnua
6.2.4 Conversor boost operando como PFP em conduo crtica
6.2.5 Conversor Boost operando como PFP em conduo contnua
6.2.6 Conversor Boost operando em conduo contnua e controle por histerese
6.3 RETIFICADOR TRIFSICO A DIODOS
6.3.1 Conversor trifsicos com entrada indutiva como PFP
6.3.2 Conversor com chaveamento em baixa freqncia
7. FILTROS ATIVOS DE CORRENTE
7.1 SNTESE DE FORMAS DE ONDA UTILIZANDO INVERSORES
7.1.1 Tcnicas de modulao
7.1.2 Sntese de correntes em inversor com acmulo indutivo
7.1.3 Sntese de correntes em inversor com acmulo capacitivo
7.1.4 Sntese de tenses
7.1.5 Modulao vetorial
7.2 FILTROS ATIVOS TRIFSICOS
7.2.1 Gerao de referncias de corrente utilizando a teoria da potncia instantnea de Akagi-Nabae
7.2.2 Estudo de caso com carga desequilibrada
7.2.3 Estudo de caso com alimentao desequilibrada
7.2.4 Estudo de tenses equilibradas, com harmnicas
7.2.5 Produo de compensao de tenso
7.2.6 Consideraes sobre as teorias de potncia
7.3 FILTRO ATIVO MONOFSICO
7.3.1 Estrutura de controle do filtro
7.3.2 Consideraes sobre o filtro de sada e o sistema de controle
7.3.3 Resultados experimentais
7.4 FILTROS HBRIDOS
CAPTULO 1
FATOR DE POTNCIA E DISTORO HARMNICA
Fator de Potncia
Consideremos, para efeito das definies posteriores o esquema da figura 1.1.
Figura 1.1 Circuito genrico utilizado nas definies de FP e tringulo de potncia.
Definio de Fator de Potncia

Fator de potncia definido como a relao entre a potncia ativa e a potncia aparente
consumidas por um dispositivo ou equipamento, independentemente das formas que as
ondas de tenso e corrente apresentem. Os sinais variantes no tempo devem ser
peridicos e de mesma frequncia.
(1.1)
Caso 1: Tenso e corrente senoidais

Em um sistema com formas de onda senoidais, a equao 1.1 torna-se igual ao
cosseno da defasagem entre as ondas de tenso e de corrente (). Analisando em termos
das componentes ativa, reativa e aparente da energia, pode-se, a partir de uma descrio
geomtrica destas componentes, mostrada na figura 1.1, determinar o fator de potncia
como:
(1.2)
A figura 1.2 mostra sinais deste tipo, com defasagem nula. O produto das senides d
como resultado o valor instantneo da potncia. O valor mdio deste produto a
potncia ativa, e tambm est indicada na figura. Em torno deste valor mdio flutua o
sinal da potncia instantnea. O valor de pico deste sinal numericamente igual
potncia aparente. Quando a defasagem nula o produto (potncia instantnea) ser
sempre maior ou igual a zero.
Considerando os valores utilizados na figura, os valores de pico das ondas senoidais so

de 200V e 100A, o que conduz a valores eficazes de 141,4V e 70,7A, respectivamente.
O valor calculado da potncia aparente de 10kW. Estes resultados so consistentes
com os obtidos pela figura 1.2.
A figura 1.3 mostra situao semelhante mas com uma defasagem de 90 graus entre os
sinais. A potncia instantnea apresenta-se com um valor mdio (correspondente
potncia ativa) nulo, como de se esperar. A amplitude da onda de potncia
numericamente igual potncia aparente.
Na figura 1.4 tem-se uma situao intermediria, com uma defasagem de 45 graus.
Neste caso a potncia instantnea assume valores positivos e negativos, mas seu valor
mdio (que corresponde potncia ativa) positivo. Utilizando a equao (1.2), a
potncia ativa ser de 7,07kW, o que equivale ao valor indicado na figura.
Figura 1.2 Potncia com sinais senoidais em fase.
Figura 1.3 Potncia em sinais senoidais defasados de 90 graus.
Figura 1.4 Potncia em sinais senoidais.
Caso 2: Tenso senoidal e corrente distorcida

Quando apenas a tenso de entrada for senoidal, o FP expresso por:
(1.3)
A figura 1.5 mostra uma situao em que se tem uma corrente quadrada (tpica, por
exemplo, de retificador monofsico com filtro indutivo no lado cc). Observe que a
potncia instantnea no mais uma onda senoidal com o dobro da freqncia da
senide. Neste caso especfico ela aparece como uma senide retificada.
Neste caso, a potncia ativa de entrada dada pelo produto da tenso (senoidal) por
todas as componentes harmnicas da corrente (no-senoidal). Este produto nulo para
todas as harmnicas exceto para a fundamental, devendo-se ponderar tal produto pelo
cosseno da defasagem entre a tenso e a primeira harmnica da corrente. Desta forma, o
fator de potncia expresso como a relao entre o valor RMS da componente
fundamental da corrente e a corrente RMS de entrada, multiplicado pelo cosseno da
defasagem entre a tenso e a primeira harmnica da corrente.
Os valores eficazes de tenso e de corrente so, respectivamente, 141,4V e 100A. Logo,
a potncia aparente de 14,14kW. No entanto, a potncia mdia de 12,7kW. Este valor
corresponde ao produto dos valor eficaz da tenso pelo valor eficaz da componente
fundamental da onda de corrente, j que a defasagem nula. O valor de pico da
componente fundamental de 127,3 A, correspondendo a um valor eficaz de 90 A.
A figura 1.6 mostra uma decomposio da onda quadrada, indicando as componentes
harmnicas (at a de stima ordem). Note que se for feito o produto da onda
fundamental por qualquer das harmnicas, o valor mdio ser nulo, uma vez que se
alternaro intervalos positivos e negativos de mesma rea.
Figura 1.5 Potncia em sistema com tenso senoidal e corrente no-senoidal.
Figura 1.6 Decomposio harmnica (srie de Fourier) de onda quadrada.

A figura 1.7 mostra uma situao em que a corrente est "defasada" da tenso. esta
forma de onda tpica, por exemplo, de retificadores controlados (tiristores), com filtro
indutivo no lado cc. Nesta situao, a componente fundamental da corrente (que est
"em fase" com a onda quadrada) apresenta uma defasagem de 36 graus em relao ao
sinal de tenso. Fazendo o clculo do FP pela equao (1.3) chega-se ao valor de 10,3
kW, que corresponde ao valor obtido da figura. Note que no h alterao no valor da
potncia aparente.
Figura 1.7 Potncia com onda de corrente no-senoidal.

A relao entre as correntes chamada de fator de forma e o termo em cosseno
chamado de fator de deslocamento
Por sua vez, o valor RMS da corrente de entrada tambm pode ser expresso em funo
das componentes harmnicas:
(1.4)
Define-se a Taxa de Distoro Harmnica (TDH) como sendo a relao entre o valor
RMS das componentes harmnicas da corrente e a fundamental:
(1.5)
Assim, o FP pode ser reescrito como:
(1.6)
evidente a relao entre o FP e a distoro da corrente absorvida da linha. Neste
sentido, existem normas internacionais que regulamentam os valores mximos das
harmnicas de corrente que um dispositivo ou equipamento pode injetar na linha de
alimentao.
Caso 3: Tenso e corrente no-senoidais, mas de mesma

frequncia.
O clculo do FP, neste caso, deve seguir a equao (1.1), ou seja, necessrio obter o
valor mdio do produto dos sinais a fim de se conhecer a potncia ativa. Num caso
genrico, tanto a componente fundamental quanto as harmnicas podem produzir
potncia, desde que existam as mesmas componentes espectrais na tenso e na corrente,
e que sua defasagem no seja 90 graus.
A figura 1.8 mostra sinais de tenso e de corrente quadrados e "defasados". Os valores
eficazes so, respectivamente, 200 V e 100 A. O que leva a uma potncia aparente de
20kW.
Os valores eficazes das componentes fundamentais so, respectivamente, 180 V e 90 A.
A defasagem entre elas de 36 graus. Se o clculo da potncia ativa for feito
considerando apenas estes componentes, o valor obtido ser de 13,1 kW. No entanto, a
potncia mdia obtida da figura, e que corresponde potncia ativa, de 11,9 kW. O
motivo da discrepncia devido ao valor mdio a ser produzido por cada componente
harmnica presente tanto na tenso quanto na corrente. Valores mdios negativos so
possveis desde que a defasagem entre os sinais seja superior a 90 graus. o que ocorre
neste exemplo, levando a uma potncia ativa menor do que aquela que seria produzida
se apenas as componentes fundamentais estivessem presentes.
Figura 1.8 Potncia para formas de onda quaisquer.
Desvantagens do baixo fator de potncia (FP) e da alta

distoro da corrente
Esta anlise feita partindo-se de 2 situaes. Na primeira supe-se constante a
potncia ativa, ou seja, parte-se de uma instalao ou carga dada, a qual precisa ser
alimentada. Verificam-se algumas conseqncias do baixo FP. Na segunda situao,
analisando a partir dos limites de uma linha de transmisso, verifica-se o ganho na
disponibilizao de energia para o consumo.
Podem ser citadas como desvantagens de um baixo FP e elevada distoro, dentre

outros, os seguintes fatos:
A mxima potncia ativa absorvvel da rede fortemente limitada pelo FP;
As harmnicas de corrente exigem um sobredimensionamento da instalao

eltrica e dos transformadores, alm de aumentar as perdas (efeito pelicular);
A componente de 3a harmnica da corrente, em sistema trifsico com neutro,
pode ser muito maior do que o normal;
O achatamento da onda de tenso, devido ao pico da corrente, alm da distoro
da forma de onda, pode causar mau-funcionamento de outros equipamentos
conectados mesma rede;
As componentes harmnicas podem excitar ressonncias no sistema de potncia,
levando a picos de tenso e de corrente, podendo danificar dispositivos
conectados linha.
Perdas
As perdas de transmisso de energia eltrica so proporcionais ao quadrado da corrente
eficaz que circula pelos condutores. Assim, para uma dada potncia ativa, quanto menor
for o FP, maior ser a potncia reativa e, conseqentemente, a corrente pelos
condutores. A figura 1.9 mostra o aumento das perdas em funo da reduo do FP.
Figura 1.9 Aumento das perdas devido reduo do FP (com potncia ativa constante).
A tabela I.1 mostra um exemplo de reduo de perdas devido elevao do FP. Toma-se
como exemplo uma instalao com consumo anual de 200MWh, na qual supe-se uma
perda de 5%. e se eleva o FP de 0,78 para 0,92. Observa-se uma reduo nas perdas de
28,1%.
Tabela I.1 Anlise comparativa da reduo de perdas devido ao aumento do FP
Situao 1
Situao 2
Fator de potncia
0,78
0,92
Perdas globais (%)
3,59
Perdas globais (MWh/ano)
10
7,18
Reduo das perdas
28,1%
Uma outra questo relevante, e que ser discutida mais detalhadamente em outros
captulos deste texto, refere-se a se fazer a correo do FP em cada equipamento
individualmente ou apenas na entrada de uma instalao. A referncia [1.2] estuda o

caso de um edifcio comercial com uma instalao de 60 kVA. Verifica o efeito de uma
compensao em quatro situaes (em termos do posicionamento do compensador): no
primrio do transformador; no secundrio do transformador de entrada (o que elimina as
perdas adicionais neste elemento); em centrais de cargas (sub-painis); e em cada carga.
A compensao em cada carga faz com que a corrente que circula em todo o sistema
seja praticamente senoidal (FP~1). Fazendo-se a compensao de um grupo de cargas,
as harmnicas circulao por trechos reduzidos de cabos. Com a compensao no
secundrio do transformador, a corrente ser distorcida em toda a instalao, mas no no
transformador. Com uma compensao na entrada, apenas o fornecedor de energia ser
beneficiado.
A tabela I.2 mostra resultados deste estudo.
Tabela I.2 Economia (potencial) de energia com compensao de harmnicos em
diferentes alocaes
Primrio Secundrio
Central EquipaPosicionamento da compensao
trafo de
trafo de
de cargas mento
entrada
entrada
Perdas totais sem compensao (W)
8148
8148
8148
8148
Perdas totais com compensao (W)
8125
5378
4666
3346
% total de perdas com compensao
13,54
8,96
7,78
5,58
23
2770
3482
4802
0,04
4,62
5,8
8,0
10
1213
1523
2101
Reduo de perdas para carga de 60kVA

(W)
% de reduo de perdas / 60kVA
Economia por ano (US$)
Capacidade de transmisso
Analisemos agora o caso do sistema de transmisso, para o qual a grandeza constante
a potncia aparente, uma vez que ela que define a capacidade trmica das linhas.
Uma anlise fasorial s pode ser aplicada para grandezas senoidais e de mesma
freqncia. Assim, o tringulo de potncia pode ser usado em anlises dentro destas
condies, ou seja, quando as ondas de tenso e/ou de corrente so no-senoidais a
anlise s ser correta se for feita uma combinao de fasores relativos a cada
componente harmnica.
Um baixo FP significa que grande parte da capacidade de conduo de corrente dos
condutores utilizados na instalao est sendo usada para transmitir uma corrente que
no produzir trabalho na carga alimentada. Mantida a potncia aparente (para a qual
dimensionada a instalao), um aumento do FP significa uma maior disponibilidade de
potncia ativa, como indicam os diagramas da figura 1.10.
Figura 1.10 Efeito do aumento do FP na ampliao da disponibilidade de potncia ativa.

Uma anlise anloga pode ser feita em termos de uma instalao existente, a qual
poderia ser utilizada para alimentao de uma carga de maior potncia, ou para uma
quantidade maior de cargas.
Consideremos aqui aspectos relacionados com o estgio de entrada de fontes de
alimentao. As tomadas da rede eltrica domstica ou industrial possuem uma corrente
(RMS) mxima que pode ser absorvida (tipicamente 15A nas tomadas domsticas).
A figura 1.11 mostra uma forma de onda tpica de um circuito retificador alimentando
um filtro capacitivo. Notem-se os picos de corrente e a distoro provocada na tenso de
entrada, devido impedncia da linha de alimentao. O espectro da corrente mostra o
elevado contedo harmnico.
Figura 1.11 Corrente de entrada e tenso de alimentao de retificador alimentando

filtro capacitivo. Espectro da corrente.
Tabela 1.3 Comparao da potncia ativa de sada
Convencional
PF corrigido
Potncia disponvel
1440 VA
1440 VA
Fator de potncia
0,65
0,99
Eficincia do corretor de FP
100%
95%
Eficincia da fonte
75%
75%
Potncia disponvel
702 W
1015 W
Nota-se que o baixo fator de potncia da soluo convencional (filtro capacitivo) o

grande responsvel pela reduzida potncia ativa disponvel para a carga alimentada.
Referncias bibliogrficas
[1.1] "Manual de orientao aos consumidores sobre a nova legislao para o

faturamento de energia reativa excedente". Secretaria executiva do Comit de
Distribuio de Energia Eltrica - CODI, Rio de Janeiro, 1995.
[1.2] T. Key and J-S. Lai: "Costs and Benefits of Harmonic Current Reduction for
Switch-Mode Power Supplies in a Commercial Office Building". Anais do IEEE
Industry Application Society Annual Meeting - IAS'95. Orlando, USA, Outubro de
1995, pp. 1101-1108.
[1.3] J. Klein and M. K. Nalbant: "Power Factor Correction - Incentives. Standards and
Techniques". PCIM Magazine, June 1990, pp. 26-31.
CAPTULO 2
NORMAS RELATIVAS CORRENTE DE LINHA: FATOR DE
POTNCIA E HARMNICAS DE BAIXA FREQNCIA
Fator de potncia
A atual regulamentao brasileira do fator de potncia [2.1] estabelece que o mnimo
fator de potncia (FP) das unidades consumidoras de 0,92. A partir de abril de 1996 o
clculo do FP deve ser feito por mdia horria. O consumo de reativos alm do
permitido (0,425 VArh por cada Wh) cobrado do consumidor. No intervalo entre 6 e
24 horas isto ocorre se a energia reativa absorvida for indutiva e das 0 s 6 horas, se for
capacitiva.
Conforme foi visto anteriormente, as componentes harmnicas da corrente tambm
contribuem para o aumento da corrente eficaz, de modo que elevam a potncia aparente
sem produzir potncia ativa (supondo a tenso senoidal). Assim, uma correta medio
do FP deve levar em conta a distoro da corrente, e no apenas a componente reativa
(na freqncia fundamental).
Norma IEC 1000-3-2: Limites para emisso de

harmnicas de corrente (<16 A por fase)
Esta norma [2.2] refere-se s limitaes das harmnicas de corrente injetadas na rede
pblica de alimentao. Aplica-se a equipamentos eltricos e eletrnicos que tenham
uma corrente de entrada de at 16 A por fase, conectado a uma rede pblica de baixa
tenso alternada, de 50 ou 60 Hz, com tenso fase-neutro entre 220 e 240 V. Para
tenses inferiores, os limites no foram ainda estabelecidos (1996).
Os equipamentos so classificados em 4 classes:
Classe A: Equipamentos com alimentao trifsica equilibrada e todos os demais no
includos nas classes seguintes.
Classe B: Ferramentas portteis.

Classe C: Dispositivos de iluminao, incluindo reguladores de intensidade (dimmer).
Classe D: Equipamento que possua uma corrente de entrada com a forma mostrada na
figura 2.1. A potncia ativa de entrada deve ser inferior a 600W, medida esta feita
obedecendo s condies de ensaio estabelecidas na norma (que variam de acordo com
o tipo de equipamento). Um equipamento includo nesta classe se a corrente de
entrada, em cada semi-perodo, se encontra dentro de um envelope como mostrado na
fig. 1.2, num intervalo de pelo menos 95% da durao do semi-perodo. Isto significa
que formas de onda com pequenos picos de corrente fora do envelope so consideradas
dentro desta classe.
Figura 2.1. Envelope da corrente de entrada que define um equipamento como classe D.
Independentemente da forma da corrente de entrada, se um equipamento for enquadrado
nas classes B ou C, ele no ser considerado como de classe D. Isto tambm vale para
aparelhos que contenham motor ca nos quais se faa ajuste de velocidade por controle
de fase (SCR ou Triac).
Estes limites no se aplicam (ainda esto em estudo) a equipamentos de potncia maior
do que 1kW, utilizados profissionalmente.
Para as harmnicas de ordem superior a 19, observa-se globalmente o espectro. Se este
estiver dentro de um envelope com decaimento monotnico, ou seja, se suas
componentes diminuirem com o aumento da frequncia, as medies podem ser restritas
at a 19a harmnica. As correntes harmnicas com valor inferior a 0,6% da corrente de
entrada (medida dentro das condies de ensaio), ou inferiores a 5 mA no so
consideradas.
A Tabela II.1 indica os valores mximos para as harmnicas de corrente, com o
equipamento operando em regime permanente. Para o regime transitrio, as correntes
harmnicas que surgem na partida de um aparelho e que tenham durao inferior a 10 s
no devem ser consideradas.
J para as harmnicas pares entre a 2a e a 10a e as mpares entre a 3a e a 19a, valores at

1,5 vezes os dados pela tabela so admissveis para cada harmnica, desde que
apaream em um intervalo mximo de 15 segundos (acumulado), em um perodo de
observao de 2 minutos e meio.
Os valores limites para a classe B so os mesmos da classe A, acrescidos de 50%.
Para tenses menores sugere-se usar a seguinte expresso para encontrar o novo valor
dos limites das harmnicas [2.3]:
(2.1)
Tabela II.1
Limites para as Harmnicas de Corrente
Classe C
Classe A
Classe B
Ordem da Harmnica
(>25W)
Mxima
Mxima
n
% da
corrente [A] corrente[A]
fundamental
Classe D
(>10W,
<300W)
[mA/W]
Classe D
[A]
Harmnicas mpares
3
2,30
3,45
30.FP
3,4
2,3
1,14
1,71
10
1,9
1,14
0,77
1,155
1,0
0,77
0,40
0,60
0,5
0,40
11
0,33
0,495
0,35
0,33
13
0,21
0,315
0,296
0,21
3,85/n
2,25/n
15<n<39
Harmnicas Pares
2
1,08
1,62
0,43
0,645
0,3
0,45
8<n<40
FP: fator de potncia
Recomendao IEEE para prticas e requisitos para

controle de harmnicas no sistema eltrico de
potncia: IEEE-519
Esta recomendao (no uma norma) produzida pelo IEEE [2.4] descreve os
principais fenmenos causadores de distoro harmnica, indica mtodos de medio e
limites de distoro. Seu enfoque diverso daquele da IEC, uma vez que os limites
estabelecidos referem-se aos valores medidos no Ponto de Acoplamento Comum (PAC),
e no em cada equipamento individual. A filosofia que no interessa ao sistema o que
ocorre dentro de uma instalao, mas sim o que ela reflete para o exterior, ou seja, para
os outros consumidores conectados mesma alimentao.
Os limites diferem de acordo com o nvel de tenso e com o nvel de curto-circuito do
PAC. Obviamente, quanto maior for a corrente de curto-circuito (Icc) em relao
corrente de carga, maiores so as distores de corrente admissveis, uma vez que elas
distorcero em menor intensidade a tenso no PAC. medida que se eleva o nvel de
tenso menores so os limites aceitveis.
A grandeza TDD (Total Demand Distortion) definida como a distoro harmnica da
corrente, em % da mxima demanda da corrente de carga demanda de 15 ou 30
minutos. Isto significa que a medio da TDD deve ser feita no pico de consumo.
Harmnicas pares so limitadas a 25% dos valores acima. Distores de corrente que
resultem em nvel cc no so admissveis.
Tabela II.2
Limites de Distoro da Corrente para Sistemas de Distribuio (120V a 69kV)
Mxima corrente harmnica em % da corrente de carga (Io - valor da componente
fundamental)
Harmnica mpares:
Icc/Io
<11
11<n<17
17<n<23
23<n<35
35<n
TDD(%)
<20
1,5
0,6
0,3
20<50
3,5
2,5
0,5
50<100
10
4,5
1,5
0,7
12
100<1000
12
5,5
15
>1000
15
6
2,5
1,4
20
Tabela II.3
Limites de Distoro da Corrente para Sistemas de Sub-distribuio (69001V a 161kV)
Limites para harmnicas de corrente de cargas no-lineares no PAC com outras cargas
Harmnica mpares:
Icc/Io
<11
11<n<17
17<n<23
23<n<35
35<n
TDD(%)
<20
0,75
0,3
0,15
2,5
20<50
3.5
1,75
1,25
0,5
0,25
50<100
2,25
0,75
0,35
100<1000
2,75
2,5
0,5
7,5
>1000
7.5
3,5
3
1,25
0,7
10
Tabela II.4
Limites de distoro de corrente para sistemas de alta tenso (>161kV) e sistemas de
gerao e co-gerao isolados.
Harmnica mpares:
Icc/Io
<11
11<n<17
17<n<23
23<n<35
35<n
THD(%)
<50
0,75
0,3
0,15
2,5
>50
1,5
1,15
0,45
0,22
3,75
Para os limites de tenso, os valores mais severos so para as tenses menores (nvel de
distribuio). Estabelece-se um limite individual por componente e um limite para a
distoro harmnica total.
Tabela II.5
Limites de distoro de tenso
Distoro individual
THD
69kV e abaixo
3%
5%
69001V at 161kV
1,5%
2,5%
Acima de 161kV
1%
1,5%
Bibliografia:
[2.1] Mauro Crestani, "Com uma terceira portaria, o novo fator de potncia j vale em
Abril". Eletricidade Moderna, Ano XXII, n 239, Fevereiro de 1994
[2.2] IEC 1000-3-2: "Electromagnetic Compatibility (EMC) - Part 3: Limits - Section 2:
Limits for Harmonic Current Emissions (Equipment input current < 16A per phase)".
International Electrotechnical Commision,, First edition 1995-03.
[2.3] Ivo Barbi e Alexandre F. de Souza, Curso de "Correo de Fator de Potncia de
Fontes de Alimentao". Florianpolis, Julho de 1993.
[2.4] IEEE Recommended Practices and Requirements for Harmonic Control in Electric
Power System. Project IEEE-519. Outubro 1991.
CAPTULO 3
COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA
Diodos de Potncia
Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de
corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de
funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos
para componentes de maior potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir
maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A

figura 3.1 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.
Figura 3.1 Estrutura bsica de um diodo semicondutor

Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na
regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito
maior que a do restante do componente (devido concentrao de portadores).
Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tenso negativa no
anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N), mais portadores positivos (lacunas)
migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio
aumenta, elevando a barreira de potencial.
Por difuso ou efeito trmico, uma certa quantidade de portadores minoritrios penetra
na regio de transio. So, ento, acelerados pelo campo eltrico, indo at a outra
regio neutra do dispositivo. Esta corrente reversa independe da tenso reversa aplicada,
variando, basicamente, com a temperatura.
Se o campo eltrico na regio de transio for muito intenso, os portadores em trnsito
obtero grande velocidade e, ao se chocarem com tomos da estrutura, produziro novos
portadores, os quais, tambm acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o
aumento na corrente, sem reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico
de potncia que destri o componente.
Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e reduo da
barreira de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor natural da barreira, cerca
de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N sero atrados pelo
potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o componente conduo.
Na verdade, a estrutura interna de um diodo de potncia um pouco diferente desta
apresentada. Existe uma regio N intermediria, com baixa dopagem. O papel desta
regio permitir ao componente suportar tenses mais elevadas, pois tornar menor o
campo eltrico na regio de transio (que ser mais larga, para manter o equilbrio de
carga).
Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa

caracterstica resistiva quando em conduo, a qual se torna mais significativa quanto
maior for a tenso suportvel pelo componente. As camadas que fazem os contatos
externos so altamente dopadas, a fim de fazer com que se obtenha um contato com
caracterstica hmica e no semi-condutor.
O contorno arredondado entre as regies de anodo e catodo tem como funo criar
campos eltricos mais suaves (evitando o efeito de pontas).
No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um capacitor, cuja
carga aquela presente na prpria regio de transio.
Na conduo no existe tal carga, no entanto, devido alta dopagem da camada P+, por
difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-. Alm disso, medida que
cresce a corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons
venham da regio N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se uma
carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar) para permitir
a passagem para o estado bloqueado do diodo.
O comportamento dinmico de um diodo de potncia , na verdade, muito diferente do
de uma chave ideal, como se pode observar na figura 3.2. Suponha-se que se aplica uma
tenso vi ao diodo, alimentando uma carga resistiva (cargas diferentes podero alterar
alguns aspectos da forma de onda).
Durante t1, remove-se a carga acumulada na regio de transio. Como ainda no houve
significativa injeo de portadores, a resistncia da regio N- elevada, produzindo um
pico de tenso. Indutncias parasitas do componente e das conexes tambm colaboram
com a sobre-tenso. Durante t2 tem-se a chegada dos portadores e a reduo da tenso
para cerca de 1V. Estes tempos so, tipicamente, da ordem de centenas de ns.
No desligamento, a carga espacial presente na regio N- deve ser removida antes que se
possa reiniciar a formao da barreira de potencial na juno. Enquanto houver
portadores transitando, o diodo se mantm em conduo. A reduo em Von se deve
diminuio da queda hmica. Quando a corrente atinge seu pico negativo que foi
retirado o excesso de portadores, iniciando-se, ento, o bloqueio do diodo. A taxa de
variao da corrente, associada s indutncias do circuito, provoca uma sobre-tenso
negativa.
Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto
nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos.
O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato
de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobretenses
produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal
corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos "softrecovery", nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso
gerados.
Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula no se observa o fenmeno da
recombinao reversa.
Figura 3.2. Estrutura tpica de diodo de potncia.e

Formas de onda tpicas de comutao de diodo de potncia.
Tiristor
O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em
regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa
sequncia p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestvel.
O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio),
usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto,
possuem basicamente uma mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), tambm
chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional),
DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutvel pela porta), MCT (Tiristor
controlado por MOS).
Princpio de funcionamento
O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-n-p-n,
possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou gate)
que, a uma injeo de corrente, faz com que se estabelea a corrente andica. A figura
3.3 ilustra uma estrutura simplificada do dispositivo.
Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro
diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada. No
haver conduo de corrente at que a tenso Vak se eleve a um valor que provoque a
ruptura da barreira de potencial em J2 [3.1].
Se houver uma tenso Vgk positiva, circular uma corrente atravs de J3, com
portadores negativos indo do catodo para a porta. Por construo, a camada P ligada
porta suficientemente estreita para que parte destes eltrons que cruzam J3 possuam
energia cintica suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo
ento atrados pelo anodo.
Figura 3.3 Funcionamento bsico do tiristor e seu smbolo.

Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua diferena de potencial
diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e catodo, que poder persistir
mesmo na ausncia da corrente de porta.
Quando a tenso Vak for negativa, J1 e J3 estaro reversamente polarizadas, enquanto
J2 estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3 intermedia regies de alta
dopagem, ela no capaz de bloquear tenses elevadas, de modo que cabe juno J1
manter o estado de bloqueio do componente.
comum fazer-se uma analogia entre o funcionamento do tiristor e o de uma associao
de dois transistores, conforme mostrado na figura 3.4.
Figura 3.4 Analogia entre tiristor e transistores

Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik crescero. Como Ic2 = Ib1, T1
conduzir e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentar Ic2 e assim o dispositivo evoluir at
a saturao, mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos
transistores forem maior que 1. O componente se manter em conduo desde que, aps
o processo dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um
valor superior ao limite IL, chamado de corrente de "latching".
Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que a corrente por ele caia abaixo do
valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial
em J2. Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma tenso
negativa entre anodo e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento
por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no
garante, sozinha, o desligamento.
Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao
reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um
comportamento dos GTOs, como se ver adiante.
Maneiras de disparar um tiristor

Podemos considerar cinco maneiras distintas de fazer com que um tiristor entre em
conduco:
a) Tenso
Quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tenso de polarizao aplicada
sobre a juno J2. O aumento da tenso Vak leva a uma expanso da regio de transio
tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente. Mesmo na
ausncia de corrente de gate, por efeito trmico, sempre existiro cargas livre que
penetram na regio de transio (no caso, eltrons), as quais so aceleradas pelo campo
eltrico presente em J2. Para valores elevados de tenso (e, consequentemente, de
campo eltrico), possvel iniciar um processo de avalanche, no qual as cargas
aceleradas, ao chocarem-se com tomos vizinhos, provoquem a expulso de novos
portadores, os quais reproduzem o processo. Tal fenmeno, do ponto de vista do
comportamento do fluxo de cargas pela juno J2, tem efeito similar ao de uma injeo
de corrente pelo gate, de modo que, se ao se iniciar a passagem de corrente for atingido
o limiar de IL, o dispositivo se manter em conduo.
b) Ao da corrente positiva de porta
Sendo o disparo atravs da corrente de porta a maneira mais usual de ser ligado o
tiristor, importante o conhecimento dos limites mximos e mnimos para a tenso Vgk
e a corrente Ig, como mostrados na figura 3.6.
O valor Vgm indica a mnima tenso de gate que garante a conduo de todos os
componentes de um dado tipo, na mnima temperatura especificada.
O valor Vgo a mxima tenso de gate que garante que nenhum componente de um
dado tipo entrar em conduo, na mxima temperatura de operao.
A corrente Igm a mnima corrente necessria para garantir a entrada em conduo de
qualquer dispositivo de um certo tipo, na mnima temperatura.
Para garantir a operao correta do componente, a reta de carga do circuito de
acionamento deve garantir a passagem alm dos limites Vgm e Igm, sem exceder os
demais limites (tenso, corrente e potncia mximas).
Figura 3.5 Caracterstica esttica do tiristor.
Figura 3.6 Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta.
c) Taxa de crescimento da tenso direta
Quando reversamente polarizadas, a rea de transio de uma juno comporta-se de
maneira similar a um capacitor, devido ao campo criado pela carga espacial.
Considerando que praticamente toda a tenso est aplicada sobre a juno J2 (quando o
SCR estiver desligado e polarizado diretamente), a corrente que atravessa tal juno
dada por:
(3.1)
Onde Cj a capacitncia da juno.
Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta
de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a
corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo.
Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor.
Observe-se que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (Vak >
0). A taxa de crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes
que circulam pelas junes J1 e J3, em tal situao, no tem a capacidade de levar o
tiristor a um estado de conduo.
Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o
objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles.
d) Temperatura
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada dobra
aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevao da temperatura pode levar
a uma corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo.
e) Energia radiante
Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal,
produz considervel quantidade de pares eltron-lacuna, aumentando a corrente de fuga
reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos
LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde
a isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos.
Parmetros bsicos de tiristores

Apresentaremos a seguir alguns parmetros tpicos de tiristores e que caracterizam
condies limites para sua operao [3.2]. Alguns j foram apresentados e comentados
anteriormente e sero, pois, apenas citados aqui.
a) Tenso direta de ruptura (VBO)
b) Mxima tenso reversa (VBR)
c) Mxima corrente de anodo (Ia max): pode ser dada como valor RMS, mdio, de pico
e/ou instantneo.
d) Mxima temperatura de operao (Tj max): temperatura acima da qual, devido a um
possvel processo de avalanche, pode haver destruio do cristal.
e) Resistncia trmica (Rth): a diferena de temperatura entre 2 pontos especificados

ou regies, dividido pela potncia dissipada sob condies de equilbrio trmico. uma
medida das condies de fluxo de calor do cristal para o meio externo.
f) Caracterstica I2t: o resultado da integral do quadrado da corrente de anodo num
determinado intervalo de tempo, sendo uma medida da mxima potncia dissipvel pelo
dispositivo. dado bsico para o projeto dos circuitos de proteo.
g) Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt).
h) Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt): fisicamente, o incio do
processo de conduo de corrente pelo tiristor ocorre no centro da pastilha de silcio, ao
redor da regio onde foi construda a porta, espalhando-se radialmente at ocupar toda a
superfcie do catodo, medida que cresce a corrente. Mas se a corrente crescer muito
rapidamente, antes que haja a expanso necessria na superfcie condutora, haver um
excesso de dissipao de potncia na rea de conduo, danificando a estrutura
semicondutora. Este limite ampliado para tiristores de tecnologia mais avanada
fazendo-se a interface entre gate e catodo com uma maior rea de contato, por exemplo,
'interdigitando" o gate. A figura 3.7 ilustra este fenmeno.
i) Corrente de manuteno de conduo (IH): a mnima corrente de anodo necessria
para manter o tiristor em conduo.
j) Corrente de disparo (IL): mnima corrente de anodo requerida para manter o SCR
ligado imediatamente aps ocorrer a passagem do estado desligado para o ligado e ser
removida a corrente de porta.
k) Tempo de disparo (ton): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado desligado
e atingir a plena conduo.
l) Tempo de desligamento (toff): o tempo necessrio para a transio entre o estado de
conduo e o de bloqueio. devido a fenmenos de recombinao de portadores no
material semicondutor.
m) Corrente de recombinao reversa (Irqm): valor de pico da corrente reversa que
ocorre durante o intervalo de recombinao dos portadores na juno.
A figura 3.8 ilustra algumas destas caractersticas.
Figura 3.7 Expanso da rea de conduo do tiristor a partir das vizinhanas da regio
de gate.
Figura 3.8: Caractersticas do tiristor
Circuitos de excitao do gate

a) Conduo
Conforme foi visto, a entrada em conduo de um tiristor controlada pela injeo de
uma corrente no terminal da porta, devendo este impulso estar dentro da rea delimitada
pela figura 3.6. Por exemplo, para um dispositivo que deve conduzir 100 A, um
acionador que fornea uma tenso Vgk de 6V com impedncia de sada 12 ohms
adequado. A durao do sinal de disparo deve ser tal que permita corrente atingir IL
quando, ento, pode ser retirada.
Observamos ser bastante simples o circuito de disparo de um SCR e, dado o alto ganho
do dispositivo, as exigncias quando ao acionamento so mnimas.
b) Comutao
Se, por um lado, fcil a entrada em conduo de um tiristor, o mesmo no se pode
dizer de sua comutao. Lembramos que a condio de desligamento qua a corrente
de anodo fique abaixo do valor IH. Se isto ocorrer, juntamente com a aplicao de uma
tenso reversa, o bloqueio se dar mais rapidamente.
No existe uma maneira de se desligar o tiristor atravs de seu terminal de controle,

sendo necessrio algum arranjo ao nvel do circuito de anodo para reduzir a corrente
principal.
b.1) Comutao Natural
utilizada em sistemas de ca nos quais, em funo do carter ondulatrio da tenso de
entrada, em algum instante a corrente tender a se inverter e ter, assim, seu valor
diminudo abaixo de IH, desligando o tiristor. Isto ocorrer desde que, num intervalo
inferior a toff, no cresa a tenso direta Vak, o que poderia lev-lo novamente
conduo.
A figura 3.8.1 mostra um circuito de um controlador de tenso ca, alimentando uma
carga RL, bem como as respectivas formas de onda. Observe que quando a corrente se
anula a tenso sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs est em
conduo.
Figura 3.8.1 Controlador de tenso ca com carga RL e formas de onda tpicas.

b.2) Comutao por ressonncia da carga
Em algumas aplicaes especficas, possvel que a carga, pela sua dinmica prpria,
faa com que a corrente tenda a se inverter, fazendo o tiristor desligar. Isto ocorre, por
exemplo, quando existem capacitncias na carga as quais, ressoando com as indutncias
do circuito produzem um aumento na tenso ao mesmo tempo em que reduzem a
corrente. Caso a corrente se torne menor do que a corrente de manuteno e o tiristor
permanea reversamente polarizado pelo tempo suficiente, haver o seu desligamento.
A tenso de entrada pode ser tanto ca quanto cc. A figura 3.8.2 ilustra tal
comportamento. Observe que enquanto o tiristor conduz a tenso de sada, vo(t) igual
tenso de entrada. Quando a corrente se anula e S1 desliga, o que se observa a tenso
imposta pela carga ressonante.
Figura 3.8.2 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga.

b.3) Comutao forada
utilizada em circuitos com alimentao cc e nos quais no ocorre reverso no sentido
da corrente de anodo.
A idia bsica deste tipo de comutao oferecer corrente de carga um caminho
alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tenso reversa sobre ele, desligando-o.
Antes do surgimento dos GTOs, este foi um assunto muito discutido, buscando-se
topologias eficientes. Com o advento dos dispositivos com comutao pelo gate, os
SCRs tiveram sua aplicao concentrada nas aplicaes nas quais ocorrem comutao
natural ou pela carga.
A figura 3.8.3 mostra um circuito para comutao forada de SCR e as formas de onda
tpicas. A figura 3.8.4 mostra detalhes de operao do circuito auxiliar de comutao.
Em um tempo anterior a to, a corrente da carga (suposta quase constante, devido
elevada constante de tempo do circuito RL) passa pelo diodo de circulao. A tenso
sobre o capacitor negativa, com valor igual ao da tenso de entrada.
Em t1 o tiristor principal, Sp, disparado, conectando a fonte carga, levando o diodo
Df ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada por Sp, Cr, D2 e Lr, a
qual permite a ocorrncia de uma ressonncia entre Cr e Lr, levando inverso na
polaridade da tenso do capacitor. Em t1 a tenso atinge seu mximo e o diodo D2
desliga (pois a corrente se anula). O capacitor est preparado para realizar a comutao
de Sp.
Quanto o tiristor auxiliar, Sa, disparado, em t2, a corrente da carga passa a ser
fornecida atravs do caminho formado por Lr, Sa e Cr, levando a corrente por Sp a zero,
ao mesmo tempo em que se aplica uma tenso reversa sobre ele, de modo a deslig-lo.
Continua a haver corrente por Cr, a qual, em t3, se torna igula corrente da carga,
fazendo com que a variao de sua tenso assuma uma forma linear. Esta tenso cresce
(no sentido negativo) at levar o diodo de circulao conduo, em t4. Como ainda
existe corrente pelo indutor Lr, ocorre uma pequena oscilao na malha Lr, Sa, Cr e D2
e, quando a corrente por Sa se anula, o capacitor se descarrega at a tenso Vcc na

malha formada por Cr, D1, Lr, fonte e Df.
Figura 3.8.3 Topologia com comutao forada de SCR e formas de onda tpicas.
Figura 3.8.4 Detalhes das formas de onda durante comutao.
Redes Amaciadoras
O objetivo destas redes evitar problemas advindos de excessivos valores para dv/dt e
di/dt, conforme descrito anteriormente.
a) O problema di/dt
Uma primeira medida capaz de limitar possveis danos causados pelo crescimento
excessivamente rpido da corrente de anodo construir um circuito acionador de gate
adequado, que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a
expanso da rea condutora.
Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o crescimento da corrente
de anodo durante a entrada em conduo do dispositivo.
Alm deste fato tem-se outra vantagem adicional que a reduo da potncia dissipada
no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tenso Vak ser reduzida
pela queda sobre a indutncia.
O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso

mais longo de disparo, ou ainda a uma sequncia de pulsos, para que seja assegurada a
conduo do tiristor.
b) O problema do dv/dt
A limitao do crescimento da tenso direta Vak, usualmente feita pelo uso de circuitos
RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 3.9.
(a) (b) (c)

Figura 3.9: Circuitos amaciadores para dv/dt
No caso mais simples (a), quando o tiristor comutado, a tenso Vak segue a dinmica
dada por RC que, alm disso desvia a corrente de anodo facilitando a comutao.
Quando o SCR ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no
tiristor, limitado pelo valor de R.
No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os
processos de carga e descarga de C. No 3o caso, o pico limitado por L, o que no traz
eventuais problemas de alto di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em
conduo do tiristor, uma vez que se soma corrente de anodo proveniente da carga.
A energia acumulada no capacitor praticamente toda dissipada sobre o resistor de
descarga.
Associao em Paralelo de Tiristores

Desde o incio da utilizao do tiristor, em 1958, tm crescido constantemente os limites
de tenso e corrente suportveis, atingindo hoje faixas de 5000 V e 4000 A. H, no
entanto, diversas aplicaes nas quais necessria a associao de mais de um destes
componentes, seja pela elevada tenso de trabalho, seja pela corrente exigida pela carga.
Quando a corrente de carga, ou a margem de sobre-corrente necessria, no pode ser
suportada por um nico tiristor, essencial a ligao em paralelo. A principal
preocupao neste caso a equalizao da corrente entre os dispositivos, tanto em
regime, como durante o chaveamento. Diversos fatores influem na distribuio
homognea da corrente, desde aspectos relacionados tecnologia construtiva do
dispositivo, at o arranjo mecnico da montagem final.
Existem duas tecnologias bsicas de construo de tiristores, diferindo basicamente no

que se refere regio do catodo e sua juno com a regio da porta. A tecnologia de
difuso cria uma regio de fronteira entre catodo e gate pouco definida, formando uma
juno no-uniforme, que leva a uma caracterstica de disparo (especialmente quanto ao
tempo de atraso e sensibilidade ao disparo) no homognea. A tecnologia epitaxial
permite fronteiras bastante definidas, implicando numa maior uniformidade nas
caractersticas do tiristor. Conclui-se assim que, quando se faz uma associao (srie ou
paralela) destes dispositivos, prefervel empregar componentes de construo epitaxial
[3.3].
Em ligaes paralelas de elementos de baixa resistncia, um fator crtico para a
distribuio de corrente so variaes no fluxo concatenado pelas malhas do circuito,
dependendo, pois, das indutncias das ligaes. Outro fator importante relaciona-se com
a caracterstica do coeficiente negativo de temperatura do dispositivo, ou seja, um
eventual desequilbrio de corrente provoca uma elevao de temperatura no SCR que,
por sua vez, melhora as condies de condutividade do componente, aumentando ainda
mais o desequilbrio, podendo lev-lo destruio [3.4].
Uma primeira precauo para reduzir estes desbalanceamentos realizar uma
montagem de tal maneira que todos os tiristores estejam a uma mesma temperatura, o
que pode ser feito, por exemplo, pela montagem em um nico dissipador.
No que se refere indutncia das ligaes, a prpria disposio dos componentes em
relao ao barramento afeta significativamente esta distribuio de corrente. Arranjos
cilndricos tendem a apresentar um menor desequilbrio.
Estado estacionrio
Alm das consideraes j feitas quanto montagem mecnica, algumas outras
providncias podem ser tomadas para melhorar o equilbrio de corrente nos tiristores:
a) Impedncia srie
A idia adicionar impedncias em srie com cada componente a fim de limitar o
eventual desequilbrio. Se a corrente crescer num ramo, haver aumento da tenso, o
que far com que a corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores
implica no aumento das perdas, uma vez que dado o nvel elevado da corrente, a
dissipao pode atingir centenas de watts, criando problemas de dissipao e eficincia.
Outra alternativa o uso de indutores lineares.
b) Reatores acoplados
Conforme ilustrado na figura 3.10, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que
por SCR2, uma fora contra-eletro-motriz aparecer sobre a indutncia,
proporcionalmente ao desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR3. Ao
mesmo tempo uma tenso induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a
corrente por SCR2. As mais importantes caractersticas do reator so alto valor da
saturao e baixo fluxo residual, para permitir uma grande excurso do fluxo a cada
ciclo.
Figura 3.10: Equalizao de corrente com reatores acoplados

Disparo
H duas caractersticas do tiristor bastante importantes para boa diviso de corrente
entre os componentes no momento em que se deve dar o incio da conduo: o tempo de
atraso (td) e a mnima tenso de disparo (Vonmin).
O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicao do sinal de
porta e a real conduo do tiristor.
A mnima tenso de disparo o valor mnimo da tenso direta entre anodo e catodo
com a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da
caracterstica esttica do tiristor, que quanto menor a tenso Vak, maior deve ser a
corrente de gate para levar o dispositivo conduo.
Diferenas em td podem fazer com que um componente entre em conduo antes do
outro. Com carga indutiva este fato no to crtico pela inerente limitao de di/dt da
carga, o que no ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Alm disso, como Vonmin
maior que a queda de tenso direta sobre o tiristor em conduo, possvel que nem
seja factvel ao outro dispositivo entrar em conduo.
Esta situao crtica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo minimizada
atravs dos dispositivos de equalizao j descritos e ainda por sinais de porta de
durao maior que o tempo de atraso.
Desligamento
Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga
manter o equilbrio de corrente mesmo que haja diferentes caractersticas entre os
tiristores (especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitncia
do circuito amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do
tiristor que comea a desligar.
Circuito de disparo
A corrente de porta deve ser alvo de atenes. O uso de um nico circuito de comando
para acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Alm disso,
deve-se procurar usar nveis iguais de corrente e tenso de porta, uma vez que influem
significativamente no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das diferenas
nas junes porta-catodo de cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou
indutor em srie com a porta, para procurar equalizar os sinais. importante que se
tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada do pulso de porta, o que pode
levar necessidade de circuitos mais elaborados para fornecer a energia necessria.
Uma seqncia de pulsos tambm pode ser empregada.
Associao em srie de tiristores

Quando o circuito opera com tenso superior quela suportvel por um nico tiristor,
preciso associar estes componentes em srie, com precaues para garantir a
distribuio equilibrada de tenso entre eles. Devido a diferenas nas correntes de
bloqueio, capacitncias de juno, tempos de atraso, quedas de tenso direta e
recombinao reversa, redes de equalizao externa so necessrias, bem como
cuidados quanto ao circuito de disparo.
A figura 3.11 indica uma possvel distribuio de tenso numa associao de 3 tiristores,
nas vrias situaes de operao.
Durante os estados de bloqueio direto e reverso (I e VI), diferenas nas caractersticas
de bloqueio resultam em desigual distribuio de tenso em regime. Ou seja, o tiristor
com menor condutncia quando bloqueado ter de suportar a maior tenso.
interessante, ento, usar dispositivos com caractersticas o mais prximas possvel.
Os estados de conduo (III e IV) no apresentam problema de distribuio de tenso.
Estados II e V representam um desbalanceamento indesejado durante os transientes de
disparo e comutao. No estado II o tempo de atraso do SCR1 consideravelmente
mais longo que o dos outros e, assim, ter que, momentaneamente, suportar toda a
tenso. O estado V resulta dos diferentes tempos de recombinao dos componentes. O
primeiro a se recombinar suportar toda a tenso.
Figura 3.11: Tenses em associao de tiristores sem rede de equalizao.

Estado estacionrio
O mtodo usual de equalizar tenses nas situaes I e VI colocar uma rede resistiva
com cada resistor conectado entre anodo e catodo de cada tiristor. Estes resistores
representam consumo de potncia, sendo desejvel usar os de maior valor possvel. O
projeto do valor da resistncia deve considerar a diferena nos valores das correntes de
bloqueio direta e reversa.
Disparo
Um mtodo que pode ser usado para minimizar o desequilbrio do estado II fornecer
uma corrente de porta com potncia suficiente e de rpido crescimento, para minimizar
as diferenas relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve ser tal que garanta a
continuidade da conduo de todos os tiristores.
Desligamento
Para equalizar a tenso no estado V um capacitor ligado entre anodo e catodo de cada
tiristor. Se a impedncia do capacitor suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante
de tempo necessria, o crescimento da tenso no dispositivo mais rpido ser limitado
at que todos se recombinem. Esta implementao tambm alivia a situao no disparo,
uma vez que realiza uma injeo de corrente no tiristor, facilitando a entrada em
conduo de todos os dispositivos.
Mas se o capacitor providencia excelente equalizao de tenso, o pico de corrente
injetado no componente no disparo pode ser excessivo, devendo ser limitado por meio
de um resistor em srie com o capacitor. interessante um alto valor de R e baixo valor
de C para, com o mesmo RC, obter pouca dissipao de energia. Mas se o resistor for de
valor muito elevado ser imposta uma tenso de rpido crescimento sobre o tiristor,
podendo ocasionar disparo por dv/dt. Usa-se ento um diodo em paralelo com o resistor,
garantindo um caminho de carga pra o capacitor, enquanto a descarga se faz por R. O
diodo deve ter uma caracterstica suave de recombinao para evitar efeitos indesejveis
associados s indutncias parasitas das ligaes. Recomenda-se o uso de capacitores de
baixa indutncia parasita. A figura 3.12 ilustra tais circuitos de equalizao.
Figura 3.12. Circuito de equalizao de tenso em associao srie de tiristores.

Circuito de disparo
Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o circuito de
comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum
dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores ticos.
a) Transformador de pulso
Neste caso, tem-se transformadores capazes de responder apenas em alta frequncia,
mas que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de
microsegundos), aps o que o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais
largo, ele poder ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro
passa-baixas no lado de sada. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de
limitao de tenso no secundrio (onde est conectado o gate), a fim de evitar
sobretenses.
Quando se usar transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a
tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir
cosideravelmente entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com a
porta para evitar que um tiristor com menor impedncia de porta drene o sinal de
disparo, impedindo que os demais dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia
em srie pode ser um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento
do pulso de corrente.
b) Acoplamento luminoso
O acoplamento tico apresenta como principal vantagem a imunidade a interferncias
eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos bsicos de acopladores
so usados: os opto-acopladores e as fibras ticas. No primeiro caso tem-se um
dispositivo onde o emissor e o receptor esto integrados, apresentando uma isolao
tpica de 2500V. J para as fibras ticas, o isolamento pode ser de centenas de kV.
A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para alimentar o
emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e outra para o lado do
receptor. Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador

(ou rede de equalizao), atravs de um transformador de corrente, pode fornecer a
energia para o lado do receptor, a partir da corrente que circula pelo tiristor, assegurando
potncia durante todo o perodo de conduo [3.5].
Figura 3.13: Circuitos de acionamento de pulso.
Sobre-tenso
As funes gerais da proteo contra sobre-tenso so: assegurar, to rpido quanto
possvel, que qualquer falha em algum componente afete apenas aquele tiristor
diretamente associado ao componente; aumentar a confiabilidade do sistema; evitar
reaes na rede (como excitao de ressonncias). Estas sobre-tenses podem ser
causadas tanto por aes externas como por distribuio no homognea das tenses
entre os dispositivos.
Em aplicaes onde as perdas provocadas pelos resistores de equalizao devem ser
evitadas, a distribuio de tenso pode ser realizada pelo uso de retificadores de
avalanche controlada, que tambm atuam no caso de sobre-tenses. Uma possvel
restrio ao uso de supressores de sobre-tenso (geralmente de xido metlico, os
varistores), que a falha em um certo componente (um curto em um tiristor) pode levar
a uma sobrecarga nos demais supressores, provocando uma destruio em cascata de
todos.
A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da
tenso, superando o limite de dv/dt ou o valor da mxima tenso direta de bloqueio,
deve-se manter uma polarizao negativa no terminal da porta, aumentado o nvel de
tenso suportvel.
Resfriamento
As caractersticas do tiristor so fornecidas a uma certa temperatura da juno. O calor
produzido na pastilha deve ser dissipado, devendo transferir-se da pastilha para o
encapsulamento, deste para o dissipador e da para o meio de refrigerao (ar ou
lquido) [3.6].
Este conjunto possui uma capacidade de armazenamento de calor, ou seja, uma
constante de tempo trmica, que permite sobrecargas de corrente por perodos curtos.
Tipicamente esta constante da ordem de 3 minutos para refrigerao a ar.
A temperatura de operao da juno deve ser muito menor que o mximo especificado.
Ao aumento da temperatura corresponde uma diminuio na capacidade de suportar
tenses no estado de bloqueio. Tipicamente esta temperatura no deve exceder 120oC.
O sistema de refrigerao deve possuir redundncia, ou seja, uma falha no sistema deve
pr em operao um outro, garantindo a troca de calor necessria. Existem vrias
maneiras de implementar as trocas: circulao externa de ar filtrado, circulao interna
de ar (com trocador de calor), refrigerao com lquido, etc. A escolha do tipo de
resfriamento influenciada pelas condies ambientais e preferncias do usurio.
GTO - Gate Turn-Off Thyristor

O GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60 [3.7], por problemas de
fraco desempenho foi pouco utilizado. Com o avano da tecnologia de construo de
dispositivos semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais
componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas
de elevada potncia, uma vez que esto disponveis dispositivos para 5000V, 4000A.
O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, tpica dos componentes da famlia dos
tiristores. Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em conduo e
bloquear atravs de comandos adequados no terminal de gate.
O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado,
quando a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte
de tais portadores, como a camada de gate suficientemente fina, desloca-se at a
camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atrados pelo
potencial do anodo, dando incio corrente andica. Se esta corrente se mantiver acima
da corrente de manuteno, o dispositivo no necessita do sinal de gate para manter-se
conduzindo.
A figura 3.14 mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos processos
de entrada e sada de conduo do componente.
A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao
desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do
dispositivo so atrados pelo gate, fazendo com que seja possvel o reestabelecimento da
barreira de potencial na juno J2.
Figura 3.14. Smbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO.

Aparentemente seria possvel tal comportamento tambm no SCR. As diferenas, no
entanto, esto no nvel da construo do componente. O funcionamento como GTO
depende, por exemplo, de fatores como:
facilidade de extrao de portadores pelo terminal de gate - isto possibilitado

pelo uso de dopantes com alta mobilidade
desaparecimento rpido de portadores nas camadas centrais - uso de dopante
com baixo tempo de recombinao. Isto implica que um GTO tem uma maior
queda de tenso quando em conduo, comparado a um SCR de mesmas
dimenses.
suportar tenso reversa na juno porta-catodo, sem entrar em avalanche - menor
dopagem na camada de catodo
absoro de portadores de toda superfcie condutora - regio de gate e catodo
muito interdigitada, com grande rea de contato.
Diferentemente do SCR, um GTO pode no ter capacidade de bloquear tenses

reversas.
Existem 2 possibilidades de construir a regio de anodo: uma delas utilizando apenas
uma camada p+, como nos SCR. Neste caso o GTO apresentar uma caracterstica lenta
de comutao, devido maior dificuldade de extrao dos portadores, mas suportar
tenses reversas na juno J3.
A outra alternativa, mostrada na figura 3.15, introduzir regies n+ que penetrem na
regio p+ do anodo, fazendo contato entre a regio intermediria n- e o terminal de
anodo. Isto, virtualmente, curto-circuita a juno J1 quando o GTO polarizado
reversamente. No entanto, torna-o muito mais rpido no desligamento (com polarizao
direta). Como a juno J3 formada por regies muito dopadas, ela no consegue
suportar tenses reversas elevadas. Caso um GTO deste tipo deva ser utilizado em
circuitos nos quais fique sujeito a tenso reversa, ele deve ser associado em srie com
um diodo, o qual bloquear a tenso.
Parmetros bsicos do GTO

Os smbolos utilizados pelos diversos fabricantes diferem [3.8], embora as grandezas
representadas sejam, quase sempre, as mesmas.
Vdrxm - Tenso de pico, repetitiva, de estado desligado: sob condies dadas,

a mxima tenso instantnea permissvel, em estado desligado, que no
ultrapasse o dv/dt mximo, aplicvel repetidamente ao GTO.
It - Corrente (RMS) de conduo: mxima corrente (valor RMS) que pode
circular continuamente pelo GTO.
Itcm - Corrente de conduo repetitiva controlvel: mxima corrente repetitiva,
cujo valor instantneo ainda permite o desligamento do GTO, sob determinadas
condies.
I2t: escala para expressar a capacidade de sobrecorrente no-repetitiva, com
respeito a um pulso de curta durao. utilizado no dimensionamento dos
fusveis de proteo.
di/dt: taxa de crescimento mxima da corrente de anodo.
Vgrm - Tenso reversa de pico de gate repetitiva: mxima tenso instantnea
permissvel aplicvel juno gate-catodo.
dv/dt: mxima taxa de crescimento da tenso direta de anodo para catodo.
IH - corrente de manuteno: Corrente de anodo que mantm o GTO em
conduo mesmo na ausncia de corrente de porta.
IL - corrente de disparo: corrente de anodo necessria para que o GTO entre em
conduo com o desligamento da corrente de gate.
tgt - tempo de disparo: tempo entre a aplicao da corrente de gate e a queda da
tenso Vak.
tgq - tempo de desligamento: tempo entre a aplicao de uma corrente negativa

de gate e a queda da corrente de anodo (tgq=ts+tf)
ts - tempo de armazenamento
Condies do sinal de porta para chaveamento

Desde que, geralmente, o GTO est submetido a condies de alto di/dt, necessrio
que o sinal de porta tambm tenha rpido crescimento, tendo um valor de pico
relativamente elevado [3.9]. Deve ser mantido neste nvel por um tempo suficiente (tw1)
para que a tenso Vak caia a seu valor de conduo direta. conveniente que se
mantenha a corrente de gate durante todo o perodo de conduo, especialmente se a
corrente de anodo for pequena, de modo a garantir o estado "ligado". A figura 3.16
ilustra as formas de corrente recomendadas para a entrada em conduo e tambm para
o desligamento.
Durante o intervalo "ligado" existe uma grande quantidade de portadores nas camadas
centrais do semicondutor. A comutao do GTO ocorrer pela retirada destes portadores
e, ainda, pela impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao anodo e ao
catodo, de modo que a barreira de potencial da juno J2 possa se reestabelecer.
O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores. A taxa de
crescimento desta corrente relaciona-se com o temo de armazenamento, ou seja, o
tempo decorrido entre a aplicao do pulso negativo e o incio da queda (90%) da
corrente de anodo. Quanto maior for a derivada, menor o tempo.
Quando a corrente drenada comea a cair, a tenso reversa na juno gate-catodo cresce
rapidamente, ocorrendo um processo de avalanche. A tenso negativa de gate deve ser
mantida prxima ao valor da tenso de avalanche. A potncia dissipada neste processo
controlada (pela prpria construo do dispositivo). Nesta situao a tenso Vak cresce e
o GTO desliga.
Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tenso reversa de porta pode ser
mantida durante o intervalo de bloqueio do dispositivo.
O ganho de corrente tpico, no desligamento, baixo (de 5 a 10), o que significa que,
especialmente para os GTOs de alta corrente, o circuito de acionamento, por si s,
envolve a manobra de elevadas correntes.
Figura 3.16. Formas de onda tpicas do circuito de comando de porta de GTO.
Circuitos amaciadores (snubber)

Desligamento
Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento da barreira de potencial na
juno reversamente polarizada, a corrente de anodo vai se concentrando em reas cada
vez menores, concentrando tambm os pontos de dissipao de potncia. Uma limitao
da taxa de crescimento da tenso, alm de impedir o gatilhamento por efeito dv/dt,
implicar numa reduo da potncia dissipada nesta transio.
O circuito mais simples utilizado para esta funo uma rede RCD, como mostrado na
figura 3.17.
Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o GTO, o capacitor se
carrega com a passagem da corrente da carga, com sua tenso vaiando de forma
praticamente linear. Assim, o dv/dt determinado pela capacitncia. Quando o GTO
entrar em conduo, este capacitor se descarrega atravs do resistor. A descarga deve
ocorrer dentro do mnimo tempo em conduo previsto para o GTO, a fim de assegurar
tenso nula inicial no prximo desligamento. A resistncia no pode ser muito baixa, a
fim de limitar a impulso de corrente injetado no GTO.
Figura 3.17 Circuito amaciador de desligamento tipo RCD.

A energia armazenada no capacitor ser praticamente toda dissipada em R.
Especialmente em aplicaes de alta tenso e alta freqncia, esta potncia pode
assumir valores excessivos. Em tais casos deve-se buscar solues ativas, nas quais a
energia acumulada no capacitor seja devolvida fonte ou carga [3.10].
A potncia a ser retirada do capacitor dada por:
(3.2)
onde V a tenso de alimentao e fs a freqncia de chaveamento.
Como exemplo, suponhamos um circuito alimentado em 1000V, operando a 1kHz com
um capacitor de 1F. Isto significa uma potncia de 500W!
Entrada em conduo
A limitao de di/dt nos GTOs muito menos crtica do que para os SCR. Isto se deve
interdigitao entre gate e catodo, o que leva a uma expanso muito mais rpida da
superfcie em conduo, no havendo significativa concentrao de corrente em reas
restritas.
O problema relacionado ao crescimento da corrente refere-se, para um GTO,
principalmente, potncia dissipada na entrada em conduo do dispositivo. Com carga
indutiva, dada a necessria existncia de um diodo de livre-circulao (e o seu
inevitvel tempo de desligamento), durante alguns instantes em que o GTO j se
encontra conduzindo, sobre ele tambm existe uma tenso elevada, produzindo um pico
de potncia sobre o componente. Este fato agravado pela corrente reversa do diodo e
ainda pela descarga do capacitor do snubber de desligamento (caso exista). A figura
3.18 ilustra este comportamento.
Para reduzir este efeito, um circuito snubber para o disparo pode ser necessrio, com o
objetivo de reduzir a tenso sobre o GTO em sua entrada em conduo, pode-se utilizar
um circuito amaciador formado, basicamente, por um indutor com ncleo saturvel, que
atue de maneira significativa apenas durante o incio do crescimento da corrente, mas
sem armazenar uma quantidade significativa de energia.
Associaes em srie e em paralelo

Nas situaes em que um componente nico no suporte a tenso ou a corrente de uma
dada aplicao, faz-se necessrio associar componentes em srie ou em paralelo. Nestes
casos os procedimentos so similares queles empregados, descritos anteriormente, para
os SCRs.
Figura 3.18 GTO acionando carga indutiva e amaciador para desligamento.
Transistor Bipolar de Potncia (TBP)

Embora seja um dispositivo tecnologicamente ultrapassado, os TBP representaram um
importante passo no desenvolvimento de componentes de mdia potncia, atingindo
tenses de bloqueio da ordem de 1000V, conduzindo correntes de 500A. Embora estes
valores no permitam sua aplicao direta (mesmo quando associados) em dispositivos
FACTS, so suficientes para uma srie de outros conversores para condicionamento de
energia eltrica. O desenvolvimento posterior dos MOSFET e dos IGBT ocupou o
espao de aplicao dos TBP.
A velocidade de chaveamento dos dispositivos de maior potncia era relativamente
baixa, limitando a frequncia de chaveamento a poucos kHz.
A figura 3.19 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar.
Figura 3.19. Estrutura bsica de transistor bipolar

A operao normal de um transistor feita com a juno J1 (B-E) diretamente
polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada [3.11].
No caso NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base. Esta
camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha
energia cintica suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2,
sendo, ento, atrados pelo potencial positivo do coletor.
O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com
Ic pelo ganho de corrente do dispositivo.
Na realidade, a estrutura interna dos TBPs diferente. Para suportar tenses elevadas,
existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso
de bloqueio do componente.
A figura 3.20. mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potncia. As
bordas arredondadas da regio de emissor permitem uma homogenizao do campo
eltrico, necessria manuteno de ligeiras polarizaes reversas entre base e emissor.
O TBP no sustenta tenso no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor
provoca a ruptura de J1 em baixas tenses (5 a 20V).
Figura 3.20. Estrutura interna de TPB e seu smbolo

O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o
que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas,
reduzindo, principalmente, os tempos de comutao do componente.
rea de Operao Segura (AOS)

A AOS representa a regio do plano Vce x Ic dentro da qual o TBP pode operar sem se
danificar. A figura 3.21 mostra uma forma tpica de AOS.
medida que a corrente se apresenta em pulsos (no-repetitivos) a rea se expande.
Para pulsos repetitivos deve-se analisar o comportamento trmico do componente para
se saber se possvel utiliz-lo numa dada aplicao, uma vez que a AOS, por ser
definida para um nico pulso, uma restrio mais branda. Esta anlise trmica feita
com base no ciclo de trabalho a que o dispositivo est sujeito, aos valores de tenso e
corrente e impedncia trmica do transistor, a qual fornecida pelo fabricante.
Figura 3.23. Aspecto tpico de AOS de TBP

A: Mxima corrente contnua de coletor
B: Mxima potncia dissipvel (relacionada temperatura na juno)
C: Limite de segunda ruptura
D: Mxima tenso Vce
Conexo Darlington
Como o ganho dos TBP relativamente baixo, usualmente so utilizadas conexes
Darlington (figura 3.22), que apresentam como principais caractersticas:
- ganho de corrente = 1(+1)+
- T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre reversamente polarizada
- tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais. No disparo, T1 liga primeiro,
fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes,
interrompendo a corrente de base de T2.
Os tempos totais dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princpio, as
perdas de chaveamento.
Figura 3.22. Conexo Darlington.
Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento

Um ponto bsico utilizar uma corrente de base adequada. As transies devem ser
rpidas, para reduzir os tempo de atraso. Um valor elevado Ib1 permite uma reduo de
tri. Quando em conduo, Ib2 deve ter tal valor que faa o TBP operar na regio de
quase-saturao. No desligamento, deve-se prover uma corrente negativa, acelerando
assim a retirada dos portadores armazenados.
Para o acionamento de um transistor nico, pode-se utilizar um arranjo de diodos para
evitar a saturao, como mostrado na figura 3.24. Comutaes de transistores bipolares
quando operando na regio de saturao se tornam muito mais lentas devido maior
quantidade de portadores a ser extrado pela base.
Figura 3.23 Forma de onda de corrente de base recomendada para acionamento de TBP.
Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib desviado
por D3. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.
Figura 3.24. Arranjo de diodos para evitar saturao.
MOSFET
Atualmente no existem transistores MOSFET para aplicaes em potncias mais
elevadas. Os componentes disponveis tem caractersticas tpicas na faixa de:
1000V/20A ou 100V/200A. Sua principal vantagem a facilidade de acionamento, feita
em tenso, e a elevada velocidade de chaveamento, tornando-o indicado para as
aplicaes de freqncia elevada (centenas de kHz).
Princpio de funcionamento (canal N)

O terminal de gate isolado do semicondutor por SiO2. A juno PN- define um diodo
entre Source e Drain, o qual conduz quando Vds<0. A operao como transistor ocorre
quando Vds>0. A figura 3.25 mostra a estrutura bsica do transistor [3.12].
Quando uma tenso Vgs>0 aplicada, o potencial positivo no gate repele as lacunas na
regio P, deixando uma carga negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso
atinge um certo limiar (Vth), eltrons livres (gerados principalmente por efeito trmico)
presentes na regio P so atrados e formam um canal N dentro da regio P, pelo qual
torna-se possvel a passagem de corrente entre D e S. Elevando Vgs, mais portadores
so atrados, ampliando o canal, reduzindo sua resistncia (Rds), permitindo o aumento
de Id. Este comportamento caracteriza a chamada "regio resistiva".
A passagem de Id pelo canal produz uma queda de tenso que leva ao seu afunilamento,
ou seja, o canal mais largo na fronteira com a regio N+ do que quando se liga
regio N-. Um aumento de Id leva a uma maior queda de tenso no canal e a um maior
afunilamento, o que conduziria ao seu colapso e extino da corrente! Obviamente o
fenmeno tende a um ponto de equilbrio, no qual a corrente Id se mantm constante
para qualquer Vds, caracterizando a regio ativa do MOSFET. A figura 3.26 mostra a
caracterstica esttica do MOSFET,
Figura 3.25. Estrutura bsica de transistor MOSFET.

Uma pequena corrente de gate necessria apenas para carregar e descarregar as
capacitncias de entrada do transistor. A resistncia de entrada da ordem de 1012
ohms.
Estes transistores, em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior
velocidade de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s
lacunas.
A mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso. Os MOSFETs no
apresentam segunda ruptura uma vez que a resistncia do canal aumenta com o
crescimento de Id. Este fato facilita a associao em paralelo destes componentes.
A tenso Vgs limitada a algumas dezenas de volts, por causa da capacidade de

isolao da camada de SiO2.
Caracterstica de chaveamento - carga indutiva

a) Entrada em conduo (figura 3.27)
Ao ser aplicada a tenso de acionamento (Vgg), a capacitncia de entrada comea a se
carregar, com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar de conduo
(Vth), aps td, comea a crescer a corrente de dreno. Enquanto Id<Io, Df se mantm em
conduo e Vds=Vdd. Quando Id=Io, Df desliga e Vds cai. Durante a reduo de Vds
ocorre um aparente aumento da capacitncia de entrada (Ciss) do transistor (efeito
Miller), fazendo com que a variao de Vgs se torne muito mais lenta (em virtude do
"aumento" da capacitncia). Isto se mantm at que Vds caia, quando, ento, a tenso
Vgs volta a aumentar, at atingir Vgg.
Figura 3.26. Caracterstica esttica do MOSFET.

O que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena corrente
do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia dentre
dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno.
A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de
acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que
Cgd esteja descarregado.
b) Desligamento
O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso
de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da
capacitncia de entrada.
Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de
armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.
Figura 3.27 Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga indutiva.
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

O IGBT alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em
conduo dos TBP. Sua velocidade de chaveamento superior dos transistores
bipolares. Os limites atuais de tenso e corrente em dispositivos nicos esto em torno
de 2kV e 1000A, o que indica que tal componente pode ser utilizado (quando associado
em srie ou em paralelo) em aplicaes de mdia potncia [3.13].
A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+
que forma o coletor do IGBT, como se v na figura 3.28.
Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio
N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a
partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior
condutividade produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET
similar.
O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma
polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por
tenso.
A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1
(polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um
IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente.
Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que
evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas
regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos

componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.
Figura 3.28. Estrutura bsica de IGBT.

A entrada em conduo similar ao MOSFET, sendo um pouco mais lenta a queda da
tenso Vce, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+.
Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. Nos TBPs isto se
d pela drenagem dos portadores via base, o que no possvel nos IGBTs, devido ao
acionamento isolado. A soluo encontrada foi a incluso de uma camada N+, na qual a
taxa de recombinao bastante mais elevada do que na regio N-. Desta forma, as
lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita rapidez, fazendo com que, por
difuso, as lacunas existentes na regio N- refluam, apressando a extino da carga
acumulada na regio N-, possibllitando o restabelecimento da barreira de potencial e o
bloqueio do componente.
MCT - Mos-Controlled Thyristor

MCT (MOS-Controlled Thyristor) um novo tipo de dispositivo semicondutor de
potncia que associa as capacidades de densidade de corrente e de bloqueio de tenso
tpicas dos tiristores, com um controle de entrada e de sada de conduo baseado em
dispositivos MOS. Isto , enquanto um GTO tem o gate controlado em corrente, o MCT
opera com comandos de tenso [3.14].
Os MCTs apresentam uma facilidade de comando muito superior aos GTOs. Relembrese o baixo ganho de corrente que um GTO apresenta no desligamento, exigindo um
circuito de comando relativamente complexo. No entanto, os MCTs ainda (1995) no
atingiram nveis de tenso e de corrente comparveis aos dos GTOs, estando limitados a
valores da ordem de 2000V e 600A.
O fato do MCT ser construdo por milhares de pequenas clulas, muito menores do que
as clulas que formam os GTOs, faz com que, para uma mesma rea semicondutora, a
capacidade de corrente dos MCTs seja menor do que um GTO equivalente. Mas esta
uma limitao tecnolgica atual, associada capacidade de constuirem-se maiores
quantidades de clulas com certeza de funcionamento correto.
Considerando o modelo de 2 transistores para um tiristor, um MCT pode ser
representado como mostrado na figura 3.29. Nesta figura tambm se mostra uma seco
transversal de uma clula do dispositivo. Um componente formado pela associao em
paralelo de milhares de tais clulas construdas numa mesma pastilha [3.15].
Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsvel pela entrada em conduo do
tiristor (on-FET) tambm de canal P, sendo levado conduo pela aplicao de uma
tenso negativa no terminal de gate. Estando o anodo positivo, a conduo do on-FET
realiza uma injeo de portadores na base do transistor NPN, levando o componente
conduo. Uma vez que o componente formado pela associao de dezenas de
milhares de clulas, e como todas elas entram em conduo simultaneamente, o MCT
possui excelente capacidade de suportar elevado di/dt.
O MCT permanecer em conduo at que a corrente de anodo caia abaixo do valor da
corrente de manuteno (como qualquer tiristor), ou ento at que seja ativado o offFET, o que se faz pela aplicao de uma tenso positiva no gate.
A conduo do off-FET, ao curto-circuitar a juno base-emissor do transistor PNP (
possvel tambm uma estrutura que curto-circuita as junes base-emissor de ambos os
transistores), reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao
bloqueio do MCT. A queda de tenso deve ser menor que Vbe.
O MCT no apresenta o efeito Miller, de modo que no se observa o patamar de tenso
sobre o gate, o qual pode ser modelado apenas como uma capacitncia.
Esta capacidade de desligamento est associada a uma intensa interdigitao entre o offFET e as junes, permitindo absorver portadores de toda superfcie condutora do
anodo (e do catodo).
Assim como um GTO assimtrico, o MCT no bloqueia tenso reversa acima de poucas
dezenas de volts, uma vez que as camadas n+ ligadas ao anodo curto-circuitam a juno
J1, e q juno J3, por estar associada a regies de dopagem elevada, no tem capacidade
de sustentar tenses mais altas. possvel, no entanto, faz-los com bloqueio simtrico
[3.16], tambm sacrificando a velocidade de chaveamento.
O sinal de gate deve ser mantido, tanto no estado ligado quanto no desligado, a fim de
evitar comutaes (por "latch-down" ou por dv/dt) indesejveis.
Na figura 3.30 mostra-se uma comparao entre a queda de tenso entre os terminais
principais, em funo da densidade de corrente, para componentes (MCT, IGBT e
MOSFET).
Nota-se que o MCT apresenta tenses muito menores do que os transistores, devido
sua caracterstica de tiristor. Ou seja, as perdas em conduo deste dispositivo so
consideravelmente menores, representando uma de suas principais caractersticas no
confronto com outros componentes.
Figura 3.29 Circuito equivalente de MCT canal P; corte transversal de

uma clula
e smbolo do componente.
Mantendo o off-FET operando durante o estado bloqueado, tem-se que a corrente de

fuga circula por tal componente auxiliar, resultando numa melhoria na capacidade de
bloqueio, mesmo em altas temperaturas. Devido a este desvio da corrente atravs do
MOSFET, o limite de temperatura est associado ao encapsulamento, e no a
fenmenos de perda da capacidade de bloqueio. Isto significa que possvel oper-los
em temperaturas bem mais elevadas do que os outros componentes como, por exemplo,
250 oC.
Devido elevada densidade de corrente, e conseqente alto limite de di/dt, suportvel
pelo MCT, circuitos amaciadores devem ser considerado basicamente para o
desligamento, podendo ser implementados apenas com um capacitor entre anodo e
catodo, uma vez que sua descarga sobre o MCT no momento de entrada em conduo
deste, no problemtico.
Figura 3.30
Comparao entre componentes para 600V, com 1us de tempo
de desligamento, desprezando a resistncia do encapsulamento.
Comparao entre P-MCT e N-MCT
Figura 3.31 Circuito equivalente de MCT canal N; corte transversal de

uma clula
e smbolo do componente.
Este componente entra em conduo quando um potencial positivo aplicado ao gate,

desligando com uma tenso negativa. Como o anodo est em contato apenas com uma
camada P, este dispositivo capaz de sustentar tenses com polarizao reversa.
Sabe-se que um MOSFET canal N mais rpido e apresenta menor queda de tenso do
que um MOSFET canal P.
Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N capaz de comutar uma
corrente de anodo 2 a 3 vezes maior do que a que se obtm em um N-MCT. Em
contraposio, por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em conduo mais
lenta do que a que se tem em um N-MCT.
possvel construir MCTs que so ligados por um MOSFET de canal N, e desligado
por um MOSFET de canal P, como mostrado na figura 3.33.
A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TBP no conduza.
Esta queda de tenso se d com a passagem da totalidade da corrente de anodo pelo
MOSFET.
Referncias Bibliogrficas
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General Electric, 6o ed., 1979, USA.
[3.2] SCR Designers Handbook
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[3.9] Understanding GTO data as an aid to circuit design
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[3.10] Ultra Low-loss Non-linear Turn-off Snubbers for Power Electronics Switches
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[3.11] Advancing Power Transistors and Their Applications to Electronic Power
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Fuji Electric Co., Ltd., 1981
[3.12] MOSPOWER Semiconductor
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Power Conversion International, Junho/Julho/Agosto/Setembro 1982
Artigo Tcnico Siliconix TA82-2
[3.13] Evolution of MOS-Bipolar Power Semiconductos Technology
B. Jayant Baliga
Porceedings of the IEEE, vol 76, no. 4, Abril 1988, pp. 409-418
[3.14] Advances in MOS-Controlled Thyristor Technology
V. A. K. Temple
PCIM, Novembro 1989, pp. 12-15.
[3.15] Power Electronics - Converters, Applications and Design

N. Mohan, T. M. Undeland and W. P. Robbins
John Wiley & Sons, Inc., Second Ed., 1995
[3.16] MCT User's Guide
Harris Semiconductors
CAPTULO 4
4.Efeitos e causas de harmnicas no sistema de energia eltrica
A anlise aqui feita baseia-se no texto da recomendao IEEE-519 [4.1] que trata de
prticas e requisitos para o controle de harmnicas no sistema eltrico de potncia. No
referido texto so identificadas diversas referncias especficas sobre os diferentes
fenmenos abordados.
1.Efeitos de harmnicas em componentes do sistema eltrico
O grau com que harmnicas podem ser toleradas em um sistema de alimentao
depende da susceptibilidade da carga (ou da fonte de potncia). Os equipamentos menos
sensveis, geralmente, so os de aquecimento (carga resistiva), para os quais a forma de
onda no relevante. Os mais sensveis so aqueles que, em seu projeto, assumem a
existncia de uma alimentao senoidal como, por exemplo, equipamentos de
comunicao e processamento de dados. No entanto, mesmo para as cargas de baixa
susceptibilidade, a presena de harmnicas (de tenso ou de corrente) podem ser
prejudiciais, produzindo maiores esforos nos componentes e isolantes.
Motores e geradores
O maior efeito dos harmnicos em mquinas rotativas (induo e sncrona) o aumento
do aquecimento devido ao aumento das perdas no ferro e no cobre. Afeta-se, assim, sua
eficincia e o torque disponvel. Alm disso, tem-se um possvel aumento do rudo
audvel, quando comparado com alimentao senoidal.
Outro fenmeno a presena de harmnicos no fluxo, produzindo alteraes no
acionamento, como componentes de torque que atuam no sentido oposto ao da
fundamental, como ocorre com o 5o , 11o, 17o, etc. harmnicos. Isto significa que tanto o
quinto componente, quanto o stimo induzem uma sexta harmnica no rotor. O mesmo
ocorre com outros pares de componentes.
O sobre-aquecimento que pode ser tolerado depende do tipo de rotor utilizado. Rotores
bobinados so mais seriamente afetados do que os de gaiola. Os de gaiola profunda, por
causa do efeito pelicular, que conduz a conduo da corrente para a superfcie do

condutor em freqncias elevadas, produzem maior elevao de temperatura do que os
de gaiola convencional.
O efeito cumulativo do aumento das perdas reflete-se numa diminuio da eficincia e
da vida til da mquina. A reduo na eficincia indicada na literatura como de 5 a
10% dos valores obtidos com uma alimentao senoidal. Este fato no se aplica a
mquinas projetadas para alimentao a partir de inversores, mas apenas quelas de uso
em alimentao direta da rede.
Algumas componentes harmnicas, ou pares de componentes (por exemplo, 5a e 7a,
produzindo uma resultante de 6a harmnica) podem estimular oscilaes mecnicas em
sistemas turbina-gerador ou motor-carga, devido a uma potencial excitao de
ressonncias mecnicas. Isto pode levar a problemas de industriais como, por exemplo,
na produo de fios, em que a preciso no acionamento elemento fundamental para a
qualidade do produto.
Transformadores
Tambm neste caso tem-se um aumento nas perdas. Harmnicos na tenso aumentam as
perdas ferro, enquanto harmnicos na corrente elevam as perdas cobre. A elevao das
perdas cobre deve-se principalmente ao efeito pelicular, que implica numa reduo da
rea efetivamente condutora medida que se eleva a frequncia da corrente.
Normalmente as componentes harmnicas possuem amplitude reduzida, o que colabora
para no tornar esses aumentos de perdas excessivos. No entanto, podem surgir
situaes especficas (ressonncias, por exemplo) em que surjam componentes de alta
freqncia e amplitude elevada.
Alm disso o efeito das reatncias de disperso fica ampliado, uma vez que seu valor
aumenta com a freqncia.
Associada disperso existe ainda outro fator de perdas que se refere s correntes
induzidas pelo fluxo disperso. Esta corrente manifesta-se nos enrolamentos, no ncleo, e
nas peas metlicas adjacentes aos enrolamentos. Estas perdas crescem
proporcionalmente ao quadrado da freqncia e da corrente.
Tem-se ainda uma maior influncia das capacitncias parasitas (entre espiras e entre
enrolamento) que podem realizar acoplamentos no desejados e, eventualmente,
produzir ressonncias no prprio dispositivo.
Cabos de alimentao
Em razo do efeito pelicular, que restringe a seco condutora para componentes de
freqncia elevada, tambm os cabos de alimentao tm um aumento de perdas devido
s harmnicas de corrente. Alm disso tem-se o chamado "efeito de proximidade", o
qual relaciona um aumento na resistncia do condutor em funo do efeito dos campos
magnticos produzidos pelos demais condutores colocados nas adjacncias.
A figura 4.1 mostra curvas que indicam a seo transversal e o dimetro de condutores
de cobre que devem ser utilizados para que o efeito pelicular no seja significativo
(aumento menor que 1% na resistncia). Note que para 3kHz o mximo dimetro
aconselhvel aproximadamente 1 ordem de grandeza menor do que para 50Hz. Ou
seja, para frequncias acima de 3 kHz um condutor com dimetro maior do que 2,5 mm
j comea a ser significativo em termos de eleito pelicular.
Alm disso, caso os cabos sejam longos e os sistemas conectados tenham suas
ressonncias excitadas pelas componentes harmnicas, podem aparecer elevadas sobretenses ao longo da linha, podendo danificar o cabo.
Na figura 4.2 tem-se a resposta em freqncia, para uma entrada em tenso, de um cabo
de 10 km de comprimento, com parmetros obtidos de um cabo trifsico 2 AWG, 6 kV.
As curvas mostram o mdulo da tenso no final do cabo, ou seja, sobre a carga (do tipo
RL). Dada a caracterstica indutiva da carga, esta comporta-se praticamente como um
circuito aberto em frequncias elevadas. Quando o comprimento do cabo for igual a
do comprimento de onda do sinal injetado, este "circuito aberto" no final da linha
reflete-se como um curto-circuito na fonte. Isto repete-se para todos os mltiplos
mpares desta freqncia. As duas curvas mostradas referem-se resposta em freqncia
sem e com o efeito pelicular. Nota-se que considerando este efeito tem-se uma reduo
na amplitude das ressonncias, devido ao maior amortecimento apresentado pelo cabo
por causa do aumento de sua resistncia.Na figura 4.3 tem-se a perfil do mdula da
tenso ao longo do cabo quando o sinal de entrada apresentar-se na primeira freqncia
de ressonncia. Observe que a sobre-tenso na carga atinge quase 4 vezes a tenso de
entrada (j considerando a ao do efeito pelicular). O valor mximo no ocorre
exatamente sobre a carga porque ela no , efetivamente, um circuito aberto nesta
freqncia de aproximadamente 2,3 kHz.
Figura 4.1 rea de seo e dimetro de fio de cobre que deve ser usado em funo da
freqncia da corrente para que o aumento da resistncia seja menor que 1%.
Figura 4.2 Resposta em freqncia de cabo trifsico (10 km).
Figura 4.3 Perfil de tenso ao longo do cabo na freqncia de ressonncia.
Na figura 4.4 tem-se a resposta no tempo de uma linha de 40 km (no incluindo o efeito
pelicular), para uma entrada senoidal (50Hz), na qual existe uma componente de 1% da
harmnica que coincide com a freqncia de ressonncia do sistema (11a). Observe
como esta componente aparece ampificada sobre a carga.
medida que aumenta o comprimento do cabo a ressonncia se d em freqncia mais
baixa, aumentando a possibilidade de amplificar os harmnicos mais comuns do
sistema.
Figura 4.4 Resposta no tempo de cabo de transmisso a uma entrada com componente
na freqncia de ressonncia.
Capacitores
O maior problema aqui a possibilidade de ocorrncia de ressonncias (excitadas pelas
harmnicas), podendo produzir nveis excessivos de corrente e/ou de tenso. Alm
disso, como a reatncia capacitiva diminui com a freqncia, tem-se um aumento nas
correntes relativas s harmnicas presentes na tenso.
As correntes de alta freqncia, que encontraro um caminho de menor impedncia
pelos capacitores, elevaro as suas perdas hmicas. O decorrente aumento no
aquecimento do dispositivo encurta a vida til do capacitor.
A figura 4.5 mostra um exemplo de correo do fator de potncia de uma carga e que
leva ocorrncia de ressonncia no sistema. Na figura 4.6 so mostradas as figuras
relativas tenso e s correntes da fonte nos diferentes circuitos.
Considere o circuito (a), no qual alimentada uma carga do tipo RL, apresentando um
baixo fator de potncia. No circuito (b), inserido um capacitor que corrige o fator de
potncia, como se observa pela forma da corrente mostrada na figura 4.6
(intermediria). Suponhamos que o sistema de alimentao possua uma reatncia
indutiva, a qual interage com o capacitor e produz uma ressonncia srie (que conduz a
um curto-circuito na frequncia de sintonia). Caso a tenso de alimentao possua uma
componente nesta freqncia, esta harmnica ser amplificada. Isto observado na
figura 4.6 (inferior), considerando a presena de uma componente de tenso de 5a
harmnica, com 3% de amplitude. Observe a notvel amplificao na corrente, o que
poderia produzir importantes efeitos sobre o sistema.
(a) (b) (c)

Figura 4.5 Circuitos equivalentes para anlise de ressonncia da linha com capacitor de
correo do fator de potncia.
Figura 4.6 Formas de onda relativas aos circuitos da figura 4.5: (a) - superior; (b) intermedirio; (c) - inferior.
Equipamentos eletrnicos
Alguns equipamentos podem ser muito sensveis a distores na forma de onda de
tenso. Por exemplo, se um aparelho utiliza os cruzamento com o zero (ou outros
aspectos da onda de tenso) para realizar alguma ao, distores na forma de onda
podem alterar, ou mesmo inviabilizar, seu funcionamento.
Caso as harmnicas penetrem na alimentao do equipamento por meio de
acoplamentos indutivos e capacitivos (que se tornam mais efetivos com a aumento da
freqncia), eles podem tambm alterar o bom funcionamento do aparelho.
Aparelhos de medio
Aparelhos de medio e instrumentao em geral so afetados por harmnicas,
especialmente se ocorrerem ressonncias que afetam a grandeza medida.
Dispositivos com discos de induo, como os medidores de energia, so sensveis a
componentes harmnicas, podendo apresentar erros positivos ou negativos, dependendo
do tipo de medidor e da harmnica presente. Em geral a distoro deve ser elevada
(>20%) para produzir erro significativo.
Rels de proteo e fusveis
Um aumento da corrente eficaz devida a harmnicas sempre provocar um maior
aquecimento dos dispositivos pelos quais circula a corrente, podendo ocasionar uma
reduo em sua vida til e, eventualmente, sua operao inadequada.
Em termos dos rels de proteo no possvel definir completamente as respostas
devido variedade de distores possveis e aos diferentes tipos de dispositivos
existentes.
A referncia [4.2] um estudo no qual se afirma que os rels de proteo geralmente
no respondem a qualquer parmetro identificvel, tais como valores eficazes da
grandeza de interesse ou a amplitude de sua componente fundamental. O desempenho
de um rel considerando uma faixa de freqncias de entrada no uma indicao de
como aquele componente responder a uma onda distorcida contendo aquelas mesmas
componentes espectrais. Rels com mltiplas entradas so ainda mais imprevisveis.
Causas de distoro harmnica
Sero apresentados a seguir equipamentos e fenmenos que produzem contominao
harmnica no sistema eltrico. Quando se fizer referncia ao termo ideal, significa que
est sendo desconsiderada os efeitos indutivos do sistema de alimentao, ou seja,
considera-se a alimentao feita a partir de uma fonte ideal.
Conversores
Sero vistos aqui alguns casos tpicos de componentes harmnicas produzidas por
conversores eletrnicos de potncia, tais como retificadores e controladores CA.
Formas de onda em conversores ideais
A figura 4.7 mostra um retificador a diodos alimentando uma carga do tipo RL, ou seja,
que tende a consumir uma corrente constante, caso sua constante de tempo seja muito
maior do que o perodo da rede.
Na figuras 4.8 tem-se a forma de tenso de sada do retificador, numa situao ideal.
Supondo uma corrente constante, sem ondulao sendo consumida pela carga, a forma
de onda da corrente na entrada do retificador mostrada na figura 4.9.
As amplitudes das componentes harmnicas deste sinal sinal seguem a equao (4.1)
(4.1)
onde:
h a ordem harmnica;
k qualquer inteiro positivo;
q o nmero de pulsos do circuito retificador (6, no exemplo).
Figura 4.7 Circuito retificador trifsico, com carga RL.
Figura 4.8 Tenso de sada de retificador ideal.
Figura 4.9 Tenses e corrente de entrada com carga indutiva ideal e espectro da
corrente.
A comutao
Uma forma de corrente retangular como a suposta na figura 4.9 pressupe a no
existncia de indutncias em seu caminho, ou ento uma fonte de tenso infinita, que
garante a presena de tenso qualquer que seja a derivada da corrente.
Na presena de indutncias, como mostrado na figura 4.10, no entanto, a transferncia
de corrente de uma fase para outra no pode ser instantnea. Ao invs disso, existe um
intervalo no qual estaro em conduo o diodo que est entrando e aquele que est em
processo de desligamento. Isto configura um curto-circuito na entrada do retificador. A
durao deste curto-circuito depende de quo rapidamente se d o crescimento da
corrente pela fase que est entrando em conduo, ou seja, da diferena de tenso entre
as fases que esto envolvidas na comutao.
Figura 4.10 Topologia de retificador trifsico, no-controlado, com carga indutiva .

Formas de onda tpicas, indicando o fenmeno da comutao.
A figura 4.11 mostra um resultado experimental relativo a um retificador deste tipo.
Neste caso a corrente no plana, mas apresenta uma ondulao determinada pelo filtro
indutivo do lado CC. Mesmo neste caso pode-se notar que as transies da corrente de
entrada no so instantneas e que durante as transies, nota-se uma perturbao na
tenso na entrada do retificador. O valor intantneo desta tenso a mdia das tenses
das fases que esto comutando, supondo iguais as indutncias da linha. Este
"afundamento" da tenso chamado de "notching".
Como se nota, a distoro na tenso ocorre devido distoro na corrente associada

reatncia da linha.
Figura 4.11 Distoro na tenso devido ao fenmeno de comutao.

Reator controlado a tiristores (RCT)
A figura 4.12 mostra o circuito de um RCT, elemento utilizado para fazer controle de
tenso no sistema eltrico. Isto feito pela sntese de uma reatncia equivalente, que
varia entre 0 e L, em funo do intervalo de conduo do par de tiristores. A forma de
onda da corrente, bem como seu espectro esto mostrados na figura 4.13. Observe a
presena de harmnicos mpares. medida que o intervalo de conduo se reduz
aumenta a THD da corrente.
Figura 4.12 Diagrama eltrico de RCT.
Figura 4.13 Formas de onda e espectro da corrente em

RCT.
A corrente obedece seguinte expresso:
(4.2)
o ngulo de disparo do SCR, medido a partir do cruzamento da tenso com o zero.

Vi o valor de pico da tenso.
As componentes harmnicas (valor eficaz) so dadas pela equao (4.3), existindo para
todas as componentes mpares. A figura 4.14 mostra o comportamento de algumas
harmnicas em funo do ngulo. Note que a terceira componente pode atingir quase
14% do valor da fundamental.
(4.3)
Figura 4.14 Variao do valor eficaz de cada componente harmnica em relao

fundamental.
Forno de arco
As harmnicas produzidas por um forno de arco, usado na produo de ao, so
imprevisveis devida variao aleatria do arco. A corrente do arco no-peridica e
sua anlise revela um espectro contnuo, incluindo harmnicas de ordem inteira e
fracionria. Entretanto, medies indicam que harmnicas inteiras entre a 2a e a 7a
predominam sobre as demais, sendo que sua amplitude decai com a ordem.
Quando o forno atua no refino do material, a forma de onda se torna simtrica,
desaparecendo as harmnicas pares. Na fase de fuso, tipicamente, as componentes
harmnicas apresentam amplitude de at 8% da fundamental, enquanto no refino
valores tpicos so em torno de 2%.
Retificadores com filtro capacitivo
Conforme j foi visto, a grande parte dos equipamentos eletrnicos possuem um estgio
de entrada constitudo por um retificador monofsico com filtro capacitivo. este tipo de
circuito produz na rede correntes de forma impulsiva, centrados aproximadamente no
pico da onda senoidal. O circuito est mostrado na figura 4.15. Na figura 4.16 tem-se
formas de onda da tenso e da corrente, obtidas por simulao, bem como o espectro da
corrente. Nota-se a grande amplitude das harmnicas, produzindo, certamente, uma
elevada THD.
Situao semelhante ocorre com entrada trifsica, quando so observados 2 impulsos de
corrente em cada semi-ciclo, como mostra a figura 4.17. Nota-se, mais uma vez, a
significativa distoro que pode ocorrer na forma da tenso devido queda de tenso
que ocorre na reatncia da linha.
Figura 4.15 Retificador monofsico com filtro capacitivo.
(a) (b)
Figura 4.16 (a)Corrente de entrada e tenso de alimentao de retificador
alimentando filtro capacitivo. (b) Espectro da corrente.
Figura 4.17 Tenso na entrada (superior) e corrente de linha (inferior) em

retificador trifsico com filtro capacitivo.
Referncias bibliogrficas
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Electric Power Systems." Project IEEE-519. October 1991.
[4.2] "Sine-wave Distortions in Power Systems and the Impact on Protective Relaying."
Report prepared by the Power System Relaying Committee of the IEEE Power
Engineering Society. Novembro 1982.
CAPTULO 5
5. Filtros passivos
A soluo clssica para a reduo da contaminao harmnica em sistemas
eltricos o uso de filtros sintonizados (LC conectados em srie) em derivao.
Outra possibilidade a melhoria do comportamento de cada carga
individualmente, tambm utilizando apenas componentes passivos (indutores e
capacitores). Estas alternativas sero apresentadas neste captulo e discutidas.
1. Filtros passivos aplicados a um conjunto de cargas

A estrutura tpica de um filtro passivo de harmnicas de corrente
mostrado na figura 5.1 [5.1]. As vrias clulas LC srie so sintonizadas
nas freqncias que se deseja eliminar, o que, via de regra, so as
harmnicas de ordem inferior. Para as freqncias mais elevadas usado,
em geral, um simples capacitor.
Na figura 5.2 tem-se a resposta em freqncia de um filtro sintonizado na
quinta harmnica (em relao a 50Hz). Note que nesta freqncia a
impedncia da clula se reduz, caindo a um valor determinado pelo fator
de qualidade da clula. Ainda na mesma figura tem-se a resposta de um
filtro composto (quinta, stima, dcima-primeira e passa-altas). Observe
que mantm-se a mnima impedncia nas frequncias projetadas.
Entretanto surgem ressonncias paralelas entre os elementos de
filtragem, o que se observa pelo fato da impedncia crescer. Caso
existam componentes harmnicas nestas freqncias elas produziro um
ganho em tenso, sendo amplificadas.
Na freqncia da rede os diferentes filtros apresentam uma reatncia
capacitiva, de modo que contribuem para a correo do fator de potncia
(na freqncia fundamental), supondo que a carga alimentada seja de
caracterstica indutiva.
Uma vez que o fator de qualidade das clulas no infinito, ou seja,
mesmo na ressonncia existe uma resistncia no caminho da corrente,
isto faz com que a compensao no seja ideal e, mais do que isso, que
exista uma componente distorcida tambm na tenso do barramento.
De maneira oposta, se a rede j possuir componentes harmnicas na
tenso, elas produziro correntes pelos filtros que podero assumir
valores muito elevados.
Assim, pode-se concluir que a presena de vrios filtros numa mesma
rede produz interferncias mtuas, com o resultado que cada filtro pode
facilmente ser influenciado pela presena dos outros filtros e outras
cargas.
Figura 5.1 Filtragem passiva de corrente em carga no-linear.
Figura 5.2 Impedncia de filtro de quinta ordem (superior) e de filtro

composto (inferior).
A existncia de uma reatncia de linha, em geral desconhecida, afeta o

desempenho do filtro, como pode ser verificado pela figura 5.3. Ali se
mostra a resposta de um filtro de terceira harmnica, supondo uma
reatncia de linha desprezvel (como foi feito na simulao da figura
5.2). Observe que a impedncia mnima em 150Hz. Quanfo se introduz
uma reatncia em srie com a fonte de alimentao a freqncia da
ressonncia srie se desloca para um valor mais baixo, comprometendo a
eficcia do filtro na freqncia desejada. Conclui-se que para uma
operao tima dos filtros passivos importante um conhecimento
preciso das caractersticas da linha de alimentao.
Figura 5.3 Efeito da reatncia de linha sobre a resposta em freqncia do

filtro.
A figura 5.4 mostra um sistema simulado, com uma carga no-linear, que
absorve uma corrente aproximadamente quadrada. Insere-se um filtro de
terceira ordem, cujo resultado observa-se na figura 5.5 (superior).
Quando se utilizam tambm filtros de quinta e stima ordem, alm de um
capacitor para correo do fator de potncia, obtm-se o resultado
mostrado na parte inferior da mesma figura. Note a significativa
melhoria na forma de onda.
Na prpria simulao possvel verificar como facilmente podem
ocorrer ressonncias entre a impedncia da rede e este capacitor de
correo do FP. Alm disso importante que os filtros possuam
atenuao de modo a que os transitrios (que excitam as ressonncias)
sejam rapidamente atenuados.
Figura 5.4 Sistema simulado para verificao do comportamento de

filtros passivos.
Figura 5.5 Formas de onda da tenso da fonte (antes do indutor) e da

corrente:
com filtro de 3a ordem (superior) e com filtros de 3a, 5a e 7a ordem e
correo de FP.
Uma maneira de reduzir a interao entre filtros e a rede fazer o

acoplamento dos filtros com o barramento atravs de uma indutncia,
procurando isolar eletricamente (em alta freqncia) os diversos
sistemas. Esta soluo, no entanto, custosa e aumenta as perdas e a
queda de tenso para a carga. Alm disso, tal indutncia deve ser includa
no clculo dos filtros, uma vez que ela altera as ressonncias do sistema.
Um outro problema que existe o de adequar a potncia do filtro
efetiva condio da carga. Teoricamente, se cada filtro tivesse um fator
de qualidade infinito, o filtro absorveria toda a componente harmnica.
Na prtica, verifica-se que melhor limitar a corrente absorvida ao nvel
necessrio para obter a filtragem desejada.
Isto pode ser feito apenas de modo discretizado, dividindo cada filtro em
estgios, cada um com capacidade de conduo de parte da corrente. A
entrada ou sada de mdulos seria feita em funo da distoro produzida
pela carga, que pode variar. Este procedimento, alm de caro de difcil
implementao.
2. Filtros passivos aplicados carga
Solues passivas para a correo do FP [5.2] [5.3] [5.4] oferecem caractersticas como
robustez, alta confiabilidade, insensibilidade a surtos, operao silenciosa. No entanto,
existem diversas desvantagens, tais como:
So pesados e volumosos (em comparao com solues ativas);

Afetam as formas de onda na freqncia fundamental;
Alguns circuitos no podem operar numa larga faixa da tenso de entrada (90 a
240V);
No possibilitam regulao da tenso;
A resposta dinmica pobre;
O correto dimensionamento no simples.
A principal vantagem, bvia, a no-presena de elementos ativos.
1. Exemplos monofsicos
A figura 5.6 mostra um retificador monofsico com um filtro LC no lado cc.
A colocao de um filtro indutivo (sem capacitor) na sada do retificador produz uma
melhoria significativa do FP uma vez que absorvida uma corrente quadrada da rede, o
que leva a um FP de 0,90, contra um FP tipicamente de 0,7. Apesar da melhoria do fator
de potncia os limites de harmnicas estabelecidos pela IEC 1000-3-2 so superados.
Como grandes indutncias so indesejveis, um filtro LC pode permitir ainda o mesmo

FP, mas com elementos significativamente menores [5.2]. A presena do indutor em
srie com o retificador reduz o valor de pico com que se carrega o capacitor, uma vez
que h uma queda de tenso sobre ele. O valor da tenso mdia sobre o capacitor ser
cerca de 72% do valor obtido sem o indutor, num projeto otimizado [5.2].
Figura 5.6 Filtro LC de sada
A figura 5.7 mostra as formas de onda relativas s correntes de entrada com filtro
capacitivo e com filtro LC. Pelos espectros de tais correntes nota-se a reduo
significativa no contedo harmnico da "onda quadrada" em relao "onda
impulsiva". Note ainda a maior amplitude da componente fundamental obtida no
circuito com filtro capacitivo, devido sua defasagem em relao tenso da rede.
Figura 5.7 Formas de onda e espectro da corrente de retificador monofsico com filtro
capacitivo e com filtro LC.
Outra alternativa, e que no reduz significativamente a tenso disponvel para o

retificador, o uso de filtros LC paralelo sintonizados (na 3a harmnica, por exemplo)
na entrada do retificador [5.3]. Com tal circuito, mostrado na figura 5.8, no se permite
que as componentes selecionadas circulem pela rede. Obviamente necessrio oferecer
um caminho para elas, o que feito com a adio de um capacitor.
Com este mtodo, supondo ainda uma corrente quadrada na entrada do retificador,
chega-se a FP elevado (0,95). As harmnicas no bloqueadas pelo filtro sintonizado
podero ainda circular pela rede, mas encontraro um caminho alternativo pelo
capacitor. A figura 5.9 mostra as formas de onda na entrada do retificador e na rede,
bem como seus respectivos espectros.
Figura 5.8 Filtro LC sintonizado de entrada.
Figura 5.9 Correntes na rede e na entrada do retificador e respectivos espectros.
1. Referncias bibliogrficas
[5.1] L Malesani, P. Mattavelli, A. Zuccato, L. Bisiach and N. Balbo:

"Riduzione dell'impato delle Armoniche: Filtri Attivi ed Hibridi.
Situazione e Prospettive". Anais do Convegno su La Qualit del prodotto
Elettricit Interfacciamento Distributore-Utente, Associazione

Elettrotecnica ed Elettronica Italiana, Verona, 25-26 novembre 1993.
[5.2] S. B. Dewan: "Optimum Input and Output Filters for a SinglePhase Rectifier Power Supply". IEEE Trans. On Industry Applications,
vol. IA-17, no. 3, May/June 1981
[5.3] A. R. Prasad, P. D. Ziogas and S. Manlas: "A Novel Passive

Waveshaping Method for Single-Phase Diode Rectifier". Proc. Of
IECON 90, pp. 1041-1050
[5.4] R. Gohr Jr. and A. J. Perin: "Three-Phase Rectifier Filters

Analysis". Proc. Of Brazilian Power Electronics Conference, COBEP
91,Florianpolis - SC, pp. 281-286.
CAPTULO 6
Condicionamento da corrente absorvida: Pr-reguladores de Fator de
Potncia - PFP
Veremos neste captulo alguns mtodos de condicionar o estgio de entrada de um

conversor, de modo a faz-lo absorver uma corrente com forma de onda que maximize o
fator de potncia, ou seja, que tenha a mesma forma da tenso da rede qual est
conectado.
Retificadores monofsicos: estudo do conversor elevador de tenso (boost)
Este tipo de conversor tem sido o mais utilizado como PFP em funo de suas vantagens
estruturais como [6.1]:
a presena do indutor na entrada bloqueia variaes bruscas na tenso de rede

("spikes"), alm de facilitar a obteno da forma desejada da corrente (senoidal).
Energia armazenada mais eficientemente no capacitor de sada, o qual opera
em alta tenso (Vo>E), permitindo valores relativamente menores de
capacitncia.
O controle da forma de onda mantido para todo valor instantneo da tenso de

entrada, inclusive o zero.
Como a corrente de entrada no interrompida (no modo de conduo
contnuo), as exigncias de filtros de IEM so minimizadas.
O transistor deve suportar uma tenso igual tenso de sada e seu acionamento
simples, uma vez que pode ser feito por um sinal de baixa tenso referenciado
ao terra.
Como desvantagens tem-se:
O conversor posterior deve operar com uma tenso de entrada relativamente

elevada.
A posio do interruptor no permite proteo contra curto-circuito na carga ou
sobre-corrente.
No possvel isolao entre entrada e sada.
Outras topologias tambm podem ser utilizadas como PFP, mas no sero discutidas
neste captulo, o qual tem como objetivo indicar algumas possibilidades gerais de
melhoria na forma de onda fornecida pela rede a uma carga qualquer.
O Conversor elevador de tenso (boost) com entrada CC
Consideremos inicialmente um conversor elevador de tenso com entrada CC (fig. 6.1).

As formas de onda tpicas esto mostradas na figura 6.2.
Quando o transistor ligado (intervalo t1=.T), a tenso E aplicada ao indutor. O
diodo fica reversamente polarizado (pois Vo>E). Acumula-se energia em L, a qual ser
enviada ao capacitor e carga quando T desligar. A corrente de sada, Io, sempre
descontnua, enquanto Ii (corrente de entrada) pode ser contnua ou descontnua.
Figura 6.1 Conversor elevador de tenso com entrada CC.
Figura 6.2 Formas de onda tpicas de conversor elevador

de tenso com entrada CC
Conduo contnua
Com o transistor ligado, a corrente pelo indutor cresce linearmente. O diodo est
reversamente polarizado (Vo>E) e a carga alimentada apenas pelo capacitor Co.
Quando o interruptor S aberto, a corrente da indutncia tem continuidade pela
conduo do diodo. A energia armazenada em L transferida para a sada, recarregando
o capacitor e alimentando a carga. No modo contnuo, ao se iniciar o ciclo seguinte,
ainda existe corrente pelo indutor.
Quando o transistor conduz (intervalo T), a tenso sobre a indutncia igual tenso
de alimentao, E. Durante a conduo do diodo de sada, esta tenso se torna (Vo-E).
Do balano de tenses, obtm-se a relao esttica no modo contnuo:
(6.1)
Teoricamente a tenso de sada vai para valores infinitos para ciclos de trabalho que
tendam unidade. No entanto, devido principalmente s perdas resistivas da fonte, dos
semicondutores e do indutor, o valor mximo da tenso fica limitado, uma vez que a
potncia dissipada se torna maior do que a potncia entregue sada.
Conduo descontnua
Caso, durante a conduo do diodo de sada, a energia armazenada na indutncia
durante a conduo do transistor se esgote, ou seja, se a corrente vai a zero, tem-se
caracterizado o modo de conduo descontnuo.
Neste caso tem-se um terceiro intervalo, chamado tx na figura 6.2, no qual no existe
corrente pelo indutor. A caracterstica esttica escrita como:
(6.2)
O limiar para a passagem de uma situao de conduo contnua para a descontnua

ocorre quando a ondulao da corrente (Ii) igual ao dobro da corrente mdia de
entrada, Ii. Esta situao implica num limite inferior para a indutncia, a qual depende
de um valor mnimo para a corrente de sada. Para permitir conduo contnua a
indutncia deve ser:
(6.3)
No modo de conduo descontnua o transistor entra em conduo com corrente zero e

o diodo desliga tambm com corrente nula, o que colabora para reduzir as perdas da
topologia. Por outro lado, para obter uma mesma corrente mdia de entrada os valores
de pico da corrente devem ser maiores, aumentando as perdas em conduo.
Conversor boost operando como PFP em conduo descontnua
Consideremos o circuito da figura 6.3, a qual mostra um conversor elevador de tenso
funcionando como PFP monofsico [6.2].
Consideremos que o conversor opera em conduo descontnua, ou seja, a cada perodo

de chaveamento a corrente pelo indutor vai a zero.
Com freqncia constante e modulao por largura de pulso, com o tempo de conduo
determinado diretamente pelo erro da tenso de sada, o valor do pico da corrente no
indutor de entrada diretamente proporcional tenso de alimentao. A figura 6.2
mostra formas de onda tpicas, indicando a tenso de entrada (senoidal) e a corrente
pelo indutor (que a corrente absorvida da rede), a qual apresenta um variao, em
baixa freqncia, tambm senoidal.
Figura 6.3 Conversor elevador de tenso operando como pr-regulador de fator de

potncia
Seja a tenso de entrada dada por:
(6.4)
A corrente de pico em cada perodo de chaveamento :
(6.5)
Figura 6.4 Formas de onda de conversor boost, operando como PFP no modo de
conduo descontnua.
Para se ter conduo descontnua durante todo semi-perodo de rede deve-se estabelecer
o mximo ciclo de trabalho, o qual determinado quando a tenso de entrada mxima
(Vp). O intervalo de diminuio da corrente :
(6.6)
Existe uma mximo ciclo de trabalho que permite ainda conduo descontnua, o qual
determinado no pico da tenso de entrada, e vale:
(6.7)
Caracterstica de sada
A corrente de sada existe durante a conduo do diodo. Seu valor mdio, em cada
perodo de chaveamento vale:
(6.8)
Sejam:
(6.9)
(6.10)
Utilizando as equaes
anteriores tem-se
(6.11)
A corrente mdia de sada

em um semi-perodo da
rede :
(6.12)
onde
(6.13)
A figura 6.5 mostra a variao da corrente de sada (normalizada em relao a K) para

diferentes valores de (relao de tenses entrada/sada), em funo do ciclo de
trabalho.
Figura 6.5 Variao da corrente mdia de sada (normalizada em relao a K), em

funo do ciclo de trabalho, para diferentes relaes de tenso
Indutncia de entrada
O mximo ciclo de trabalho obtido anteriormente define uma mxima corrente de sada
a qual, para uma certa tenso de sada, implica na mxima potncia para o conversor.
Esta potncia dada por:
(6.14)
Com (6.12) e (6.14) determina-se a mxima indutncia de entrada para a qual ocorre
operao no modo descontnuo:
(6.16)
A figura 6.6 mostra o valor da indutncia mxima (parametrizada em relao a K") em

funo da relao de tenses.
Figura 6.6 Mxima indutncia de entrada (parametrizada) em funo de

Caracterstica de entrada
A corrente de entrada tem uma forma triangular. Seu valor mdio, calculado em cada
ciclo de chaveamento, dado por:
(6.1
6)
A corrente mdia de entrada, calculada em um semi-perodo da rede ser:
(6.17)
Note-se que a corrente mdia de entrada no senoidal! Isto ocorre porque no intervalo
t2 a reduo da corrente depende tambm da tenso de sada, que constante, e no
apenas da tenso senoidal de entrada. Quanto maior for Vo, menor ser t2. Assim, a
corrente mdia depender mais efetivamente apenas de i(t), tendendo a uma forma
senoidal.
A corrente eficaz de entrada, calculada a partir da expresso para a corrente mdia de
entrada dada por:
(6.
18)
(6.19)
A potncia ativa de entrada :
(6.20)
O fator de potncia dado por:
(6.21)
A figura 6.7 mostra a variao do FP e da TDH com a tenso de sada.
Figura 6.7 Variao do fator de potncia e da taxa de distoro harmnica
O FP menor do que a unidade porque a corrente de entrada no-senoidal. Quando

tende a zero, a corrente mdia tende a ser senoidal e, assim, o fator de potncia tende a
1.
Como estes resultados so obtidos a partir da expresso da corrente mdia de entrada,
eles ignoram o efeito advindo do chaveamento em alta freqncia sobre o valor eficaz
da corrente e sobre o fator de potncia. Em outras palavras, estes valores para o Fator de
Potncia seriam os obtidos com a incluso de um filtro passa-baixas na entrada do
conversor, de modo que a corrente absorvida da rede fosse apenas a sua componente
mdia, ficando as harmnicas de alta freqncia sendo fornecidas pela capacitncia
deste filtro. Na figura 6.7.a tem-se resultados de simulao, mostrando a corrente no
indutor interno e na rede (aps a filtragem)
Figura 6.7.a Corrente no indutor (superior) e na rede (inferior), aps filtragem.

Conversor boost operando como PFP em conduo crtica
A fim de reduzir a corrente eficaz pelos interruptores, que relativamente elevada em
funo da operao no modo descontnuo, pode-se fazer o circuito operar no modo de
conduo crtico [6.3], ou seja, fazendo o transistor entrar em conduo no momento em
que a corrente atinge o zero. Desta forma se mantm a caracterstica de fazer o
desligamento do diodo e a entrada em conduo do transistor sob corrente nula. Como
no existe o intervalo de corrente zero, naturalmente a corrente eficaz de entrada
menor do que a do caso anterior.
A obteno de um elevado FP feita naturalmente, definindo-se um tempo de conduo
constante para o transistor. Isto faz com que os picos da corrente de entrada
naturalmente sigam uma envoltria senoidal. O tempo desligado varivel, o que faz
com que a freqncia de funcionamento no seja fixa.
O circuito, tambm aqui, tem necessidade apenas da malha de tenso, que determina a
durao do tempo de conduo. O controle pode ser feito por CIs dedicados os quais
detectam o momento em que a corrente se anula, levando nova conduo do transistor.
Consideremos a corrente do indutor como mostrada na figura 6.8.
Figura 6.8 Corrente no indutor no modo de

conduo crtico
Do balano de tenso sobre a indutncia,

obtm-se uma expresso para o ciclo de
trabalho:
(6.22)
Os picos de corrente na entrada so obtidos

de:
(6.23)
A corrente mdia de entrada em cada

perodo de chaveamento dada por:
(6.24)
A corrente mdia de entrada, que segue um comportamento senoidal, tem seu valor
mximo coincidente com o pico da tenso. Isto leva a um fator de potncia unitrio.
Novamente aqui se pressupe um filtro passa-baixas na entrada o qual fax com que
apenas a corrente mdia (60Hz) venha da linha. Todas as componentes de alta
freqncia so fornecidas pela capacitncia do filtro.
Do ponto de vista dos nveis de IEM conduzida, uma topologia que opere com
freqncia varivel , em princpio, mais interessante, uma vez que o espectro aparece
distribudo em torno da freqncia mdia e no concentrado na freqncia de
chaveamento [6.4], reduzindo a amplitude. Por outro lado, a variao da freqncia
obriga dimensionar os componentes para a mnima freqncia, de modo que, em valores
mais elevados tem-se um super-dimensionamento.
Conversor Boost operando como PFP em conduo contnua
O conversor elevador de tenso operando no modo contnuo tem sido a topologia mais
utilizada como PFP devido s suas vantagens, especialmente o reduzido ripple presente
na corrente de entrada. Alm disso os componentes ficam sujeitos a menores valores de
corrente (em relao s solues apresentadas anteriormente). Por outro lado, exige,
alm da realimentao da tenso de sada (varivel a ser controlada), uma medida do
valor instantneo da tenso de entrada, a fim de permitir o adequado controle da
corrente absorvida da rede. Problemas de estabilidade tambm so caractersticos,
devido no-linearidade do sistema.
Princpio de operao
Consideremos com exemplo o funcionamento da topologia utilizando um circuito
integrado tpico, o qual opera a freqncia constante, com controle tipo MLP.
O CI produz uma corrente de referncia que acompanha a forma da tenso de entrada.
Esta referncia formada pela multiplicao de um sinal de sincronismo (que define a
forma e a freqncia da corrente de referncia) e de um sinal da realimentao da tenso
de sada (o qual determina a amplitude da referncia de corrente).
Mede-se a corrente de entrada, a qual ser regulada de acordo com a referncia gerada.
Gera-se um sinal que determina a largura de pulso a ser utilizada para dar corrente a
forma desejada. A figura 6.9 mostra o diagrama geral do circuito e do controle.
Figura 6.9 Diagrama de blocos do conversor elevador de tenso, com circuito de

controle por corrente mdia.
O ciclo de trabalho varia com o valor instantneo da tenso de entrada. Dada a eq. (6.1),
o valor da largura de pulso, para cada semi-ciclo da rede, obtido de:
(6.25)
A figura 6.10 mostra uma forma de onda tpica da corrente no conversor.
Figura 6.10 Formas de onda tpicas da corrente pelo indutor e no interruptor

Conversor Boost operando em conduo contnua e controle por histerese
Neste caso, a ondulao da corrente de entrada mantida constante, fazendo-se com que
seu valor mdio siga uma referncia senoidal. Como o ripple constante, a freqncia
de chaveamento varia em funo da tenso de entrada. A figura 6.11 mostra o diagrama
esquemtico do sistema.
Como I constante, pode-se escrever:
(6.26)
O valor do ciclo de trabalho obtido de (6.26):
(6.27)
De (6.26) e (6.27) pode-se obter uma expresso para a freqncia de chaveamento:
(6.28)
Em relao ao mtodo anterior, uma vantagem a melhor estabilidade do sistema, dada

a robustez do controle por histerese. A variao da freqncia um inconveniente para
um dimensionamento timo dos elementos de filtragem.
A figura 6.12 mostra resultado de simulao. Nota-se que a ondulao da corrente se
mantm constante para qualquer tenso de entrada.
Figura 6.11 Diagrama do circuito controlado via histerese
Figura 6.12 Simulao de conversor elevador de tenso operando como PFP, com
controle por histerese.
Retificador trifsico a diodos
A seguir so mostrados 2 exemplos de conversores com entrada trifsica e retificador a
diodos.
Conversor trifsicos com entrada indutiva como PFP
A figura 6.13 mostra a topologia de um conversor Cuk com uma entrada trifsica e
retificador a diodos [6.5]. A indutncia de entrada colocada no lado alternado, dividida
entre as 3 fases. A tenso sobre C1 aproximadamente igual tenso retificada somada
tenso de sada.
O funcionamento como PFP ocorre com o circuito operando em freqncia e ciclo de
trabalho constantes e com a corrente de entrada, em cada indutncia de entrada,
descontnua. A figura 6.14 mostra uma situao deste tipo. A corrente mdia obedece a
uma variao aproximadamente senoidal. J quando esta corrente de entrada contnua
(figura 6.15), o circuito no emula uma carga resistiva. A figura 6.16 mostra resultados
experimentais.
Figura 6.13 Conversor Cuk com entrada trifsica
O elevado contedo harmnico, na freqncia de chaveamento, pode ser minimizado

pela incluso de filtros capacitivos a montante das indutncias de entrada, de modo que
da rede absorva-se apenas a corrente mdia (componente em 60Hz).
Figura 6.14 Tenso e corrente de entrada

em conduo descontinua (na indutncia
de entrada)
Figura 6.15 Tenso e corrente de entrada

com conduo contnua (na indutncia de
entrada).
Figura 6.16 Tenso (50V/div) e corrente de

fase (1A/div) Horiz.: 4ms/div
Conversor com chaveamento em baixa freqncia
Os circuitos vistos anteriormente baseiam-se no aproveitamento de topologias de
conversores CC-CC existentes. Industrialmente, no entanto, a grande maioria das fontes
de tenso so constitudas por simples retificadores a diodo alimentando um filtro
capacitivo, como j visto anteriormente. Circuitos que permitam, sem alteraes
significativas, elevar o FP destes conversores, com baixo custo, so de grande interesse
[6.6].
A idia forar a existncia de uma corrente na fase que estaria desenergizada. Tal
corrente circula inicialmente apenas pela alimentao, no alterando o comportamento
da sada. Este conversor prov uma melhoria no fator de potncia utilizando uma
tcnica de chaveamento em baixa freqncia.
Neste circuito existe um caminho para a corrente presente nos indutores quando a chave
abre. A continuidade se d pela conduo dos diodos da ponte retificadora trifsica,
passando pelos capacitores de filtro.
Como mantm-se o chaveamento em baixa freqncia, as perdas de comutao nos
interruptores mnima. Os indutores possuem, tipicamente, ncleo de ferro e, embora
de baixo custo e fcil realizao, so pesados e potencialmente fonte de rudo acstico.
Uma variao nos tempos de conduo dos interruptores permite ainda um pequeno
ajuste na tenso de sada, funcionando como uma espcie de conversor boost operando
em baixa freqncia.
Os interruptores so implementados com chaves bidirecionais em tenso e corrente,
como mostrado na figura 6.17.
A figura 6.18 mostra 2 resultados de simulao, com carga elevada e carga leve.
As TDH em cada caso so, respectivamente, 11,4% e 39,4%. No primeiro caso a

defasagem da componente fundamental da corrente em relao tenso de apenas
0,7o, enquanto no segundo caso de 26,3o. Os fatores de potncia so, respectivamente
0,994 e 0,834.
A figura 6.19 mostra os espectros da corrente de entrada para ambos os casos, sendo
evidente o bom comportamento no caso de corrente elevada.
Figura 6.17 Conversor Curi.
Figura 6.18 Corrente de entrada de conversor Curi para

corrente alta e baixa.
Figura 6.19 Espectro das correntes de entrada.

Referncias Bibliogrficas
[6.1] B. Mammano and L. Dixon: "Choose the Optimum Topology for High Power
Factor Supplies". PCIM, March 1991, pp. 8-18.
[6.2] I. Barbi e A. F. De Souza: Curso de "Correo de Fator de Potncia de Fontes de
Alimentao". Florianpolis, Julho de 1993.
[6.3] J. H. Alberkrack and S. M. Barrow: "Power Factor Controller IC Minimizes
External Components". PCIM, Jan. 1993, pp. 42-48.
[6.4] J. M. Bourgeois: "Circuits for Power Factor Correction with Regards to Mains
Filtering". Application Note SGS-Thomson, April 1993.
[6.5] L. Malesani, L. Rossetto, G. Spiazzi, P. Tenti, I. Toigo and F. del Lago: "SingleSwitch Three-Phase AC/DC Converter with High Power Factor and Wide Regulation
Capability". Proc. of INTELEC '92, Washington, USA, 1992, pp. 279-285.
[6.6] E. L. de M. Mehl and I. Barbi: "The Curi Circuit: A High Power Factor and Low
Cost Three-Phase Rectifier". Proc. Of 3th COBEP, So Paulo, Dec. 1995.
CAPTULO 7
Filtros Ativos de corrente
Filtragem ativa de uma carga nica, ou um conjunto delas, uma opo a fazer-se a
correo do fator de potncia no estgio de entrada de cada equipamento, utilizado os
chamados pr-reguladores de fator de potncia.
O objetivo da filtragem da corrente obter uma forma de onda que siga a forma da
tenso, ou seja, que o conjunto carga + filtro represente uma carga resistiva,
maximizando o fator de potncia, o que vale dizer, minimizando a corrente eficaz
absorvida da fonte, mantida a potncia ativa da carga.
Sntese de formas de onda utilizando inversores
Abordaremos diferentes maneiras de sintetizar correntes ou tenses, com forma,

freqncia e amplitude arbitrrias, de maneira a ser possvel a utilizao de topologias
inversoras no condicionamento da energia eltrica.
Tais circuitos podem operar como Filtros Ativos, para os quais deve-se produzir uma
forma de corrente (ou tenso) que compense as distores presentes no sistema.
Quando a energia transferida para o sistema no contm parcela ativa, a fonte que
alimenta o inversor pode ser realizada apenas com elementos de acmulo de energia,
como capacitores ou indutores. Devido s menores perdas produzidas pelos capacitores,
seu uso mais difundido. No entanto, a tecnologia de supercondutores j permite
(embora com custos elevados) o armazenamento de grandes quantidades de energia sem
perdas, nos chamados SMES (Superconductive Magnetic Energy Storage) [7.1],
tornando este tipo de circuito mais indicado para eventuais aplicaes em potncia
elevada.
A figura 7.1 mostra estrutura de inversores trifsicos que podem sintetizar diferentes
formas de corrente em seus terminais.
Se, em regime, tais conversores no fornecem potncia ativa, eles no necessitam de

uma fonte de potncia em sua alimentao. O circuito deve operar de maneira a manter
sob controle o valor da corrente no indutor ou da tenso do capacitor de armazenamento
de energia. Uma descrio do mtodo de controle ser feita posteriormente.
Figura 7.1. Topologias de inversores trifsicos.
Note-se que para o inversor de corrente, as chaves semicondutores devem ser

unidirecionais em corrente. O diodo em srie protege o transistor em situaes de
polarizao reversa. Uma vez que a linha ca apresenta uma caracterstica indutiva, a fim
de evitar surtos de tenso na sada do inversor, deve-se inserir elementos capacitivos,
capazes de absorver as diferenas instantneas das correntes. Alm disso realizam uma
filtragem de alta freqncia, de modo que a corrente que flui para a linha apenas o
valor mdio da corrente sintetizada pelo inversor. A presena deste filtro capacitivo
pode levar ao surgimento de ressonncias entre a linha e o filtro, as quais devem ser
evitadas e/ou amortecidas adequadamente. Neste tipo de circuito, para que haja um
caminho fechado para a corrente, necessariamente deve estar em conduo uma chave
de cada semi-ponte.
De maneira anloga, em um inversor de tenso (acmulo capacitivo), o acoplamento
com a rede exige a presena de elementos indutivos, uma vez que as tenses do
barramento cc (capacitor) e da rede no so iguais. As chaves semicondutoras devem ser
bidirecionais em corrente e unidirecionais em tenso. A operao correta do circuito
exige que nunca conduzam 2 chaves de um mesmo ramo do inversor, pois isso colocaria
em curto o capacitor.
bvio que para que seja possvel o controle das formas de onda (seja de corrente ou de
tenso), os valores de Io ou de Vcc devem ser maiores do que os valores de pico
mximos, respectivamente de corrente e de tenso, presentes no sistema.
Tcnicas de modulao
Diferentes tcnicas de modulao podem ser empregadas. As mais usuais so a MLP e a
por histerese (quando se trata de controle de corrente). Outras possibilidades so, por
exemplo, modos deslizantes (sliding mode), lgica nebulosa (fuzzy), etc.
Modulao por Largura de Pulso - MLP
Uma maneira de obter um sinal alternado de baixa frequncia atravs de uma
modulao em alta frequncia.
possvel obter este tipo de modulao ao comparar uma tenso de referncia (que seja
imagem da tenso de sada buscada), com um sinal triangular simtrico cuja frequncia
determine a frequncia de chaveamento. A frequncia da onda triangular (chamada
portadora) deve ser, no mnimo 20 vezes superior mxima frequncia da onda de
referncia, para que se obtenha uma reproduo aceitvel da forma de ondadesejada,
aps efetuada a filtragem. A largura do pulso de sada do modulador varia de acordo
com a amplitude relativa da referncia em comparao com a portadora (triangular).
Tem-se, assim, uma Modulao por Largura de Pulso.
A tenso de sada formada por uma sucesso de ondas retangulares de amplitude igual
tenso de alimentao CC e durao varivel.
A figura 7.2 mostra a modulao de uma onda senoidal, produzindo na sada uma tenso
com 2 nveis, na frequncia da onda triangular.
possvel ainda obter uma modulao a 3 nveis (positivo, zero e negativo). Este tipo
de modulao apresenta um menor contedo harmnico. A produo deste sinal de 3
nveis ligeiramente mais complicado para ser gerado analogicamente.
Quando se trata de um inversor trifsico, 2 arranjos podem ser feitos: utilizando 3
inversores monofsicos (o que exige 12 transistores, e chamado de ponte completa) ou
um arranjo chamado de semi-ponte, com 6 transistores, como o mostrado na figura 7.3.
Figura 7.2 Sinal MLP de 2 nveis.
Figura 7.3 Topologias de inversor em ponte completa e em semi-ponte.
Em termos do conversor em semi-ponte, o sinal de comando enviado a cada ramo do

inversor do tipo 2 nveis (quando um transistor liga, o complementar desliga). Assim,
a tenso de fase apresenta-se em 2 nveis. No entanto, a tenso de linha (entre 2 fases)
apresenta-se de 3 nveis, como se observa na figura 7.4. Alm disso, a frequncia de
chaveamento da tenso de linha apresenta o dobro da frequncia da onda triangular,
como se nota no espectro.
O obteno de uma onda senoidal que recupere a onda de referncia facilitada pela
forma do espectro. Note-se que, aps a componente espectral relativa referncia,
aparecem componentes nas vizinhanas da frequncia de chaveamento. Ou seja, um
filtro passa baixas com frequncia de corte acima e 50/60 Hz perfeitamente capaz de
produzir uma atenuao bastante efetiva em componentes na faixa dos kHz. Na figura
7.4 tem-se tambm as formas de onda filtradas (filtro LC, 2mH, 20F). Uma reduo
ainda mais efetiva das componentes de alta frequncis obtida com o uso de filtro de
ordem superior.
O uso de um filtro no amortecido pode levar ao surgimento de componentes
oscilatrias na frequncia de ressonncia, que podem ser excitadas na ocorrncia de
transitrios na rede ou na carga. Em regime elas no se manifestam, uma vez que o
espectro da onda MLP no as excita. O uso de filtros amortecidos pode ser indicado em
situaes em que tais transitrios possam ser problemticos, com a inevitvel perda de
eficincia do filtro.
Figura 7.4 Formas de onda da tenso de fase e de linha em inversor trifsico em semiponte. Indica-se ainda os respectivos sinais MLP filtrados. Espectro dos sinais MLP de
2 e 3 nveis.
Modulao MLP com frequncia de portadora varivel

Uma alternativa que apresenta como vantagem o espalhamento do espectro o uso de
uma frequncia de chaveamento no fixa, mas que varie, dentro de limites aceitveis, de
uma forma, idealmente, aleatria. Ista faz com que as componentes de alta frequncia
do espectro no estejam concentradas, mas apaream em torno da frequncia base,
como se observa na figura 7.5. Note-se que a referncia, neste caso um nvel contnuo,
no sofre alterao.
Figura 7.5. Espectro de sinal MLP (referncia cc) com portadora de frequncia varivel.
Modulao por limites de corrente - MLC (Histerese)
Neste caso, so estabelecidos os limites mximo e/ou mnimo da corrente, fazendo-se o
chaveamento em funo de serem atingidos tais valores extremos. O valor instantneo
da corrente, em regime, mantido sempre dentro dos limites estabelecidos e o
conversor comporta-se como uma fonte de corrente.
Tanto a freqncia como o ciclo de trabalho so variveis, dependendo dos parmetros
do circuito e dos limites impostos. A figura 7.6 mostra as formas de onda para este tipo
de controlador.
MLC s possvel em malha fechada, pois necessrio medir instantaneamente a
varivel de sada. Este tipo de modulao usado, principalmente, em fontes com
controle de corrente e que tenha um elemento de filtro indutivo na sada.
Figura 7.6. Formas de onda de corrente e da tenso instantnea de sada com controle
MLC.
A obteno de um sinal MLC pode ser conseguida com o uso de um comparador com
histerese, atuando a partir da realimentao do valor instantneo da corrente. A
referncia de corrente dada pelo erro da tenso de sada (atravs de um controlador
integral). A figura 7.7 ilustra este sistema de controle. Na figura 7.8 v-se a forma de
onda da tenso de sada, aplicada carga e o respectivo espectro. Note-se o
espalhamento devido ao fato de a frequncia no ser constante.
Figura 7.7 Controlador com histerese.
Figura 7.8 Forma de onda e espectro de sinal MLC (referncia cc).

Sntese de correntes em inversor com acmulo indutivo
A figura 7.9 mostra as tenses de entrada e referncias de corrente a serem seguidas.
Consideremos, sem perda de validade para uma anlise geral, que as referncias de
corrente a serem seguidas esto em fase com as tenses da rede. Em cada perodo da
rede existem 6 intervalos, que se iniciam nos cruzamentos das referncias de corrente.
Cada intervalo corresponde a um modo de funcionamento distinto.
Consideremos o intervalo (t1 - t2). A referncia ira a maior positiva e irb a maior
negativa. Considerando que a corrente de sada Io perfeitamente contnua, o
interruptor S1 pode ser acionado de acordo com uma lei de modulao senoidal, m1, de
modo que a corrente ia siga a referncia ira em termos dos componentes de baixa
freqncia do espectro.
Da mesma forma, uma lei de modulao m5 pode ser adotada para S5, fazendo com que
ib siga a referncia irb.
Figura 7.9 Tenses de entrada e referncia de corrente.
Quando a chave S1 aberta, uma outra chave da semi-ponte superior deve ser fechada
para permitir a continuidade da corrente. Quando S5 aberta, outro interruptor da semiponte negativa deve entrar em conduo. Para estas funes, S3 e S6 so usadas, uma
vez que elas no alteram as correntes pelas fases a e b. A forma senoidal desejada para a
fase c resultado do fato que a soma das correntes nas 3 fases nula. Quando S3 e S6
conduzirem simultaneamente, cria-se um caminho de livre-circulao para a corrente cc.
A figura 7.10 mostra os sinais de comando para os interruptores e a forma de onda da
tenso instantnea sobre o indutor cc, a qual apresenta um comportamento de 3 nveis.
Uma vez que a freqncia de chaveamento deve ser muito maior do que a freqncia da
rede, pode-se considerar que, dentro de cada ciclo de chaveamento as tenses da rede
so constantes.
As formas de onda mostradas correspondem ao intervalo t1<t<t2, no qual va>vb, em
mdulo e, conseqentemente, a>b.
Figura 7.10. Sinais de comando para os interruptores e tenso instantnea no lado cc.
As correntes instantneas pelas fases tem forma retangular, com amplitude dada pela
corrente cc e largura determinada pela lei de modulao (figura 7.11). Simultaneamente
haver corrente apenas por 2 das 3 fases, uma vez que a existncia de 3 correntes
simultneas colocaria em curto 2 das fases. A corrente injetada na rede acompanhar o
valor mdio desta corrente.
Figura 7.11 Forma de onda instantnea das correntes no lado CA.

Equaes bsicas
Seja x(t) uma funo lgica que descreve o estado de uma chave genrica S.
Correspondentemente, a lei de modulao m(t) pode ser definida como uma funo
contnua dada pelo contedo de baixa freqncia de x(t). Como x(t) assume apenas
valores 0 e 1, m(t) limitada entre 0 e 1.
O fato de apenas um interruptor estar fechado em cada semi-ponte ao mesmo tempo, faz
com que apenas um x(t), relacionado a cada semi-ponte, a cada instante, possa ser 1
[7.2]:
(7.1)
A tenso instantnea no lado cc :
(7.2)
Desprezando as componentes de alta freqncia no espectro de x(t), as equaes (7.1)e

(7.2) podem ser rescritas como:
(7.3)
(7.4)
No intervalo t1 - t2, dadas as amplitudes das tenses da rede, as seguintes condies

devem ser satisfeitas:
(7.5)
Para obter as correntes senoidais de entrada tem-se (note que estamos supondo corrente
em fase com a tenso, mas esta anlise vale para qualquer tipo de corrente):
(7.6)
onde M o ndice de modulao que determina a amplitude das correntes.
De (7.3) e (7.6) tem-se:
(7.7)
Assim, desde que a corrente de sada seja perfeitamente contnua, as correntes de

entrada desejadas sero obtidas.
Procedendo analogamente para a expresso da tenso mdia do lado cc, e considerando
as tenses de entrada senoidais, simtricas e em fase com as referncias de corrente, a
tenso mdia do lado cc apresenta-se constante, sendo dada por:
(7.8)
onde Vp a valor de pico das tenses de alimentao (fase - neutro).

Ou seja, a tenso cc no afetada por componentes de baixa freqncia.
O ndice de modulao, M, determina tanto a amplitude da tenso mdia do lado cc
quanto a amplitude das correntes alternadas do lado ca.
Observe-se ainda que a sntese da corrente desejada pode ser feita em malha aberta, ou
seja, preciso apenas que se disponha da referncia adequada.
Absoro de reativos
Esta tcnica de controle pode ser estendida variando-se a fase entre a tenso de entrada
e as respectivas correntes, permitindo assim a circulao de uma quantidade controlvel
de potncia reativa.
Para este objetivo, as referncias de corrente, ir, devem estar defasadas das tenses de
entrada de uma fase adequada, . As equaes das correntes no sofrem alteraes,
enquanto a tenso de sada passa a ser expressa por:
(7.9)
Note que se o inversor fornece apenas energia reativa a tenso mdia no lado cc nula,
como de se esperar, j que se trata de um elemento puramente indutivo.
Generalizando um pouco mais, qualquer forma de corrente pode ser absorvida da rede,
desde que uma referncia adequada seja utilizada, o que torna esta topologia bastante
prpria para a implementao de filtros ativos de potncia.
Controle da corrente cc
Numa situao de regime, para que no haja mudana na corrente cc, a tenso mdia
sobre o indutor deve ser nula, como mostrado na equao (7.9). Como o indutor possui
perdas, ou ainda, porque transitoriamente houve uma absoro (ou entrega) de potncia
ativa, possvel que ocorra uma variao no nvel da corrente cc. O controle do
conversor deve prever um modo de manter, em regime, a corrente no valor Io desejado.
Isto pode ser feito alterando a fase das referncias de corrente. Se a defasagem entre
tenso e corrente for 90o, o inversor s trabalha com energia reativa. Se a fase for menor
do que 90o, isto significa que o inversor est entregando ao resto do sistema um pouco
de potncia ativa, o que faz com que a corrente Io tenda a diminuir (aparece uma tenso
mdia positiva no lado cc). Fazendo com que a defasagem seja maior do que 90o o
inversor absorve potncia ativa do sistema, levando ao crescimento da corrente Io. Uma
vez atingido o valor Io desejado, o controle deve retornar referncia de regime. O
mesmo efeito pode ser obtido controlando-se a amplitude do sinal de referncia em
funo do erro da corrente cc.
Sntese de correntes em inversor com acmulo capacitivo
Neste caso, a corrente mdia de sada determinada pela diferena entre as tenses
mdias da rede e da sada do inversor. Tal diferena aplicada sobre os indutores de
filtro, definindo, assim, a corrente. As diferenas instantneas determinam a ondulao
da corrente na freqncia de chaveamento.
Como no se faz uma sntese direta da corrente, a correta operao desta topologia
necessita da realimentao da corrente, a ser comparada com a referncia, gerando um
sinal de erro que, se necessrio, corrige a largura de pulso.
Esta realimentao da corrente permite, tambm para este conversor, a sntese de
qualquer forma de corrente.
Controle da tenso cc
A tenso presente no capacitor, numa situao de regime na qual o inversor fornea
apenas energia no ativa ao sistema, constante. Transitoriamente, no entanto,
possvel que esta tenso varie em funo de mudanas na carga ou na rede.
A correo do erro de tenso feita controlando-se a amplitude do sinal de referncia de
corrente. Por exemplo, caso a tenso cc diminua, o circuito de controle deve produzir
um ajuste na amplitude da corrente em relao tenso da rede de modo a absorver
potncia ativa, elevando a tenso do capacitor. O ajuste da fase da referncia tambm
permite a correo da tenso cc.
O valor da tenso cc deve ser maior do que o valor de pico da tenso da rede,
permitindo, assim, a sntese de corrente mesmo em condies de mnima diferena de
tenso aplicada sobre a indutncia de sada.
Sntese de tenses
As mesmas topologias que so capazes de produzir formas arbitrrias de corrente,
podem tambm faz-lo em relao tenso sintetizada em suas sada, valendo aqui as
mesmas observaes relativas ao tipo de elemento de armazenamento de energia, isto ,
caso o inversor fornea apenas energia reativa, ele no precisa de uma fonte de potncia,
podendo operar a partir apenas de elementos de armazenamento de energia.
O estgio de sada deve ser adaptado de modo a ser obtida uma tenso filtrada dos
componentes relativos freqncia de chaveamento, obtendo-se apenas a tenso mdia
sintetizada pelo inversor.
As figuras 7.12 e 7.13 mostram tais conversores.

A tenso CA que aparece sobre os capacitores de filtro, Cf, representam o valor mdio
da tenso de sada sintetizada pelo filtro. Esta tenso est aplicada ao primrio dos
transformadores, os quais transferem a tenso rede, de modo que a tenso aplicada
carga seja a soma da tenso inicial da rede com a tenso de compensao.
Dependendo da fase entre a corrente da carga e esta tenso tem-se que o inversor pode
ou no estar entregando (ou absorvendo) potncia ativa. No caso de compensao
reativa pura, as tenses sintetizadas devem estar defasadas de 90 graus das correntes,
como mostrado na figura 7.14, na qual o compensador est sintetizando um capacitor.
Na tenso nota-se a presena de componentes de alta freqncia, enquanto a corrente,
por efeito da carga simulada, surge melhor filtrada.
Figura 7.12 Inversor trifsico, com acmulo capacitivo, para sntese de tenso.
Figura 7.13 Inversor trifsico, com acmulo indutivo, para sntese de tenso.
De maneira similar ao que se viu para os sintetizadores de corrente, neste caso o circuito
com acmulo capacitivo pode operar em malha aberta (em relao tenso mdia
produzida). J no inversor com acmulo indutivo, como a tenso resultado da
passagem da corrente pelos capacitores de filtro, necessrio fazer uma realimentao
desta tenso para certificar-se que ela acompanha a referncia.
Figura 7.14 Formas de onda sintetizadas de tenso, caracterizando elemento capacitivo.

Modulao vetorial
Existem diferentes tcnicas de gerao dos padres MLP em um inversor trifsico. O
mtodo analgico consiste em comparar a referncia de cada fase com uma onda
triangular na frequncia de chaveamento. Seu inconveniente propriamente a gerao
dos sinais analgicos de referncia, com defasagens e amplitudes corretas.
Outra modo de determinar as larguras de pulso dos interruptores da ponte inversora

pela chamada modulao vetorial, que se baseia num modelo fasorial no plano [7.3]
[7.4].
Consideremos a ttulo de exemplo, mas sem perda de generalidade um inversor trifsico
de corrente com acmulo indutivo. Como j foi dito, a produo de uma forma qualquer
de corrente, neste circuito, pode, em princpio, ser feita em malha aberta, desde que seja
utilizada a referncia correta.
Como visto anteriormente, devem estar em conduo simultaneamente um interruptor
de cada semi-ponte. O par que conduzir determina o valor da tenso instantnea
aplicada no lado cc e a corrente instantnea de sada (+Io, -Io ou 0).
O conversor pode assumir 9 diferentes estados, os quais podem ser representados no
plano por um vetor, como indicado no diagrama da figura 7.15. A transformao
das correntes das fases a,b,c para o plano feita segundo o sistema (7.10)
(7.10)
Para esta anlise, representa-se cada corrente ca (em p.u.,sendo Io a base) por um vetor
unitrio (j que, instantaneamente as correntes ca s podem assumir este valor ou serem
nulas) na direo dos eixos a,b,c.
Por exemplo, quando a corrente ia for igual a +Io, ela ser representada pelo vetor +1
sobre o eixo a. Sua representao ser -1, sobre o mesmo eixo quando ia=-Io e ser o
vetor nulo quando ia=0.
Os vetores obtidos pela adio de todos os pares de vetores no-nulos podem ser usados
para representar o estado do conversor. Como resultado tem-se 6 vetores de estado, j1 a
j6, mais o vetor zero (o vetor zero corresponde a estados de livre-circulao, quando
conduzem interruptores do mesmo ramo).
Figura 7.15 Representao das correntes do conversor em vetores espaciais.
O hexgono definido por estes vetores de estado incluem todas as referncias de

corrente (no plano ) que podem ser reproduzidas pela modulao das chaves do
conversor. Por exemplo, o estado j1 corresponde a uma situao em que ia>0 e ib<0, ou
seja esto conduzindo S1 e S5. O estado j6 definido para ic>0 e ib<0, ou seja,
conduzem S3 e S5. Observe que entre estados adjacentes o estado de um dos
interruptores comum.
Os padres de modulao podem ser obtidos de acordo com tcnicas de modulao
vetorial [7.5] [7.6].
Consideremos inicialmente o diagrama vetorial mostrado na figura 7.16, que se refere a
uma operao normal (sem saturao). Dado um vetor de referncia i*, suas
componentes i' e i", projetadas nos vetores adjacentes (j1, j6) so computadas. As
projees (em p.u.) determinam os ciclos de trabalho ' e ", e , portanto, os intervalos
de tempo em que o conversor deve ser mantido nos estados correspondentes. Para o
restante do perodo o conversor mantido no estado zero (livre-circulao). Os ciclos de
trabalho so:
(7.11)
(7.12)
(7.13)
Figura 7.16 Modulao vetorial em condies normais.
H diferentes maneiras de fazer o comando dos interruptores. Neste caso, por exemplo,
o interruptor S5, por ser comum aos dois estados adjacentes, fica sempre ligado.
Durante ', S1 mantido ligado. Ao ser desligada essa chave, S3 entra em conduo,
durante ". Ao se encerrar este intervalo, desliga-se S3 e liga-se S2, realizando o
intervalo de livre-circulao (durante o). Observe que neste estratgia de comando dos
interruptores h uma comutao a menos do que a obtida na estratgia indicada na
figura 7.10, o que contribui para reduzir as perdas de comutao do conversor.
Na situao mostrada na figura 7.16 o vetor sintetizado i coincide com a referncia i*.
Isto no ocorre em situaes saturadas, como mostrado na figura 7.17. Entende-se por
saturao o fato de no ser possvel sintetizar exatamente a corrente de referncia.
Quando o vetor de referncia, i*, est fora do hexgono, a maior componente, i',
mantida constante (i'=i*'), enquanto a outra, i", reduzida at trazer o vetor sintetizado,
i, para o limite do hexgono. O estado nulo desaparece. O vetor sintetizado difere da

referncia em fase e magnitude. Os ciclos de trabalho so:
(7.14)
(7.15)
(7.16)
A figura 7.17 mostra tambm uma situao de saturao profunda, que ocorre quando a
maior das componentes de i* resulta fora do hexgono. Neste caso esta componente
feita igual ao vetor mais prximo (j1, no exemplo) e a corrente de sada do conversor se
torna quadrada. Os ciclos de trabalho so:
(7.17)
(7.18)
(7.19)
Figura 7.17 Modulao vetorial nos casos de a) saturao e b) saturao profunda.
Esta maneira de tratar a saturao intermediria entre outra que ou mantm a

amplitude da referncia ou a sua fase e possui algums interessantes propriedades:
permite sobre-modulao; realiza uma passagem suave entre um sinal MLP e a
operao em onda quadrada; o erro de corrente (i'-i*) menor que nas outras tcnicas;
sua implementao simples.
A figura 7.18 mostra a passagem entre os diferentes modos de operao.
Figura 7.18 Corrente de sada do inversor e corrente filtrada, passando de operao

normal saturada.
Filtros Ativos trifsicos
Analisaremos neste item maneiras de obter as referncias de corrente (ou de tenso)

necessrias compensao de fator de potncia ou de harmnicas em sistemas
trifsicos. Mtodos de, a partir de referncias dadas, gerar os sinais de comando para os
interruptores dos inversores j foram discutidos.
Gerao de referncias de corrente utilizando a teoria da potncia instantnea de
Akagi-Nabae
Consideremos inicialmente um sistema trifsico equilibrado, como mostrado na figura
7.19, com carga equilibrada. A teoria de Akagi-Nabae [7.7], realizando uma
transformao das variveis do plano abc para o plano permite determinar
expresses para as potncias ativa e reativa, identificando termos mdios e oscilatrios.
Em uma situao deste tipo a componente de seqncia zero nula.
A compensao desejada aquela que mantm a potncia mdia na carga e compensa
todos os outros termos, produzindo uma corrente senoidal, em fase com a tenso, ou
seja, produzindo um fator de potncia unitrio.
Figura 7.19 Tenses de alimentao equilibradas.
A transformao das tenses para o plano feita utilizando a matriz de

transformao:
(7.20)
Aplicando tal transformao obtm-se as tenses projetadas, mostradas na figura 7.20.
Figura 7.20 Tenses no plano

Carga com harmnicas
Consideremos uma carga que absorva uma corrente no-senoidal como, por exemplo,
um retificador trifsico com filtro LC no lado contnuo. Este conversor absorve uma
corrente semelhante mostrada na figura 7.21.
Figura 7.21 Corrente de linha.
A mesma transformao das tenses aplica-se s correntes, produzindo as correntes no

novo plano, mostradas na figura 7.22.
Figura 7.22 Correntes no plano
As potncias instantneas so dadas por:
(7.21)
(7.22)
Tais potncias esto mostradas na figura 7.23. Note que a potncia ativa possui um valor
mdio e uma parte oscilatria. J a potncia reativa tem valor mdio nulo. Isto se deve
ao fato de as correntes serem simtricas e estarem centradas em relao s respectivas
tenses. As potncias, separadas em suas componentes mdia e varivel esto mostradas
nas figuras 7.24 e 7.25. Os valores mdios so calculados tomando-se um intervalo
mnimo de 1/6 de perodo da rede.
Figura 7.23 Potncias instantneas ativa e reativa.
Figura 7.24 Separao da potncia ativa em seus termos mdio e varivel.
Figura 7.25 Separao da potncia reativa em seus termos mdio e varivel.
Utilizando estes valores de potncia e definindo uma norma de tenso, possvel

identificar as parcelas de corrente relacionadas com cada tipo de potncia:
(7.23)
(7.24)
(7.25)
(7.26)
(7.27)
As figuras 7.26 e 7.27 mostram tais componentes.
Figura 7.26 Decomposio da corrente i
Figura 7.27 Decomposio da corrente i
O filtro ativo deve ser capaz de compensar todos os elementos de potncia, exceto a
potncia ativa mdia, que a que, efetivamente, est realizando trabalho junto carga.
Utilizando os termos de potncia a serem compensados, as equaes anteriores
permitem obter as correntes de compensao no plano .
(7.28)
(7.29)
Aplicando-se a transformao inversa a, obtm-se as correntes nas fases abc que devem
ser geradas para compensar a corrente:
(7.30)
A corrente de compensao necessria para a fase a est mostrada na figura 7.28. Este
sinal deve servir de referncia para produzir o padro MLP para o inversor. A figura
7.29 mostra a tenso da fase a, a corrente da carga e a corrente fornecida aps a
compensao. Observa-se que o fator de potncia resultante unitrio e que todas as
harmnicas foram compensadas.
Figura 7.28 Corrente de compensao da fase a.
Figura 7.29 Tenso da fase a, corrente de carga e corrente compensada.

Cargas reativas passivas
Verificaremos agora o comportamento desta teoria tratando de cargas reativas
(equilibradas), mas sem harmnicas. Um exemplo de correntes est mostrado na figura
7.30, para cargas com caracterstica indutiva.
Figura 7.30 Correntes de linha para carga tipo RL.
As figura 7.31 mostra as correntes no plano , que tambm possuem amplitudes iguais
e so senoidais.
Figura 7.31 Correntes no plano .
As potncias ativa e reativa instantneas calculadas esto mostradas na figura 7.32.

Como no h componentes harmnicas estas potncias no apresentam as componentes
variveis. Como tem-se presente apenas os valores mdios, a obteno de seu valor
instantnea, ou seja, no preciso integrar p(t) ou q(t) para obter os termos mdios. O
produto instantneo dado pelas equaes (7.21) e (7.22) j fornecem o valor desejado.
Figura 7.32 Potncias ativa e reativa instantneas.
As figura 7.33 mostra as correntes em decompostas em seus termos ativos e

reativos.
Figura 7.33 Decomposio das correntes em parcelas ativa e reativa.
A figura 7.34 mostra a corrente de compensao da fase a, e na figura 7.35 tem-se as

formas de onda da tenso desta fase, juntamente com a corrente da carga e a da linha (j
compensada). Nota-se o fator de potncia unitrio.
Figura 7.35 Tenso, corrente da carga e corrente compensada na fase a.

Estudo de caso com carga desequilibrada
Veremos nesta situao uma alimentao equilibrada alimentando uma carga resistiva
desequilibrada, cujas correntes de linha esto mostradas na figura 7.36.
Figura 7.36 Correntes de linha com carga (resistiva) desequilibrada.
Como se nota na figura 7.37, como as tenses so equilibradas, as projees no plano

tambm o so, e no h componente de seqncia zero.
Figura 7.37 Tenses no plano .
Uma vez que o sistema a 3 fios, tambm no existe corrente de seqncia zero, como
se v na figura 7.38.
As potncias instantneas esto mostradas na figura 7.39. Observa-se que, dado o

desequilbrio, aparecem componentes variveis tanto na potncia ativa quanto na
reativa. Como a carga suposta resistiva, o valor mdio da potncia reativa nulo. Para
se obter uma medida das potncias mdias preciso fazer uma integrao com durao
de de perodo.
Figura 7.39 Potncias instantneas.
As componentes ativa e reativa das correntes no plano esto mostradas nas figuras
7.40 e 7.41. Observa-se que estas correntes so no-senoidais.
Figura 7.40 Componentes ativa e reativa da corrente i
Figura 7.41 Componentes ativa e reativa da corrente i
A corrente de compensao para a fase a est mostrada na figura 7.42. Ela senoidal e
leva compensao da corrente de linha, como mostrado na figura 7.43. Observa-se que
possvel compensar o desequilbrio e obter um fator de potncia unitrio.
Figura 7.43 Tenso, corrente de carga e da rede nas fases a e b, aps compensao.
Estudo de caso com alimentao desequilibrada
Temos aqui tenses de entrada desequilibradas e uma carga resistiva equilibrada. As
tenses esto mostradas na figura 7.44.
A figura 7.45 mostra as tenses no plano . Note-se a presena de tenso de
seqncia zero. As tenses de linha so mostradas na figura 7.46, e tambm apresentam
desequilbrio.
Figura 7.44 Tenses desequilibradas de entrada.
Figura 7.45 Tenses transformadas para o plano .
Figura 7.46 Correntes de linha.
As correntes no plano esto na figura 7.47. Por ser um sistema a 3 fios, no tem-se
corrente de seqncia zero.
A figura 7.48 mostra as potncias instantneas. Observe que tanto a potncia reativa
quanto a de seqncia zero so nulas. Temos apenas potncia ativa, com um valor
mdio e uma parcela varivel. A obteno do valor mdio exige uma integrao por
ciclo.
A figura 7.49 mostra as componentes ativa e reativa no plano . Como a potncia

reativa nula, suas componentes tambm o so.
Figura 7.48 Potncias instantneas.
Figura 7.49 Componentes ativa e reativa das correntes no plano .
Como h uma parcela varivel de potncia ativa a ser compensada, este mtodo produz
uma corrente de compensao, mostrada na figura 7.50 para a fase a. Esta corrente
no-senoidal e, portanto, introduzir distoro harmnica na corrente da rede, aps a
compensao. Na figura 7.51 tem-se as correntes compensadas nas fases a e b,
juntamente com as tenses de fase e as correntes de carga.
Figura 7.51 Tenso, corrente na carga e na linha (aps compensao), nas fases a e b.
O uso deste mtodo, como se nota, no se aplica a sistemas com alimentao

desequilibrada, uma vez que seu objetivo o de compensar todas as parcelas de
potncia exceto a potncia ativa mdia. Como se v na figura 7.52, este objetivo
conseguido, mas isto no significa que se tenha o mximo fator de potncia, como
evidenciam as formas de onda mostradas em 7.51.
Figura 7.52 Potncia ativa antes e depois da compensao.

Estudo de tenses equilibradas, com harmnicas
Consideremos um sistema com tenses equilibradas, mas com uma 5a harmnica
superposta, como mostrado na figura 7.53. Supondo carga resistiva e equilibrada, as
correntes tero a mesma forma das tenses.
Figura 7.53 Tenso de entrada com distoro harmnica.
Sendo o sistema equilibrado, e para a 5a harmnica, no h corrente de seqncia zero,

como se v na figura 7.54. Na figura 7.55 tm-se as correntes no plano .
Figura 7.54 Tenses no plano .
Sendo a carga resistiva, no h potncia reativa. A potncia ativa apresenta um valor

mdio e uma parte varivel, como mostrado na figura 7.56.
Figura 7.56 Potncias ativa, reativa e de seqncia zero.
A corrente de compensao produzida para a fase a est mostrada na figura 7.57. Sua
injeo no sistema leva s formas de onda mostradas na figura 7.58. Note-se que, sem
compensao, a corrente da fase a segue a mesma forma da tenso, dado que a carga
equilibrada e resistiva. A ao da corrente de compensao distorce a corrente
resultante, de modo que a rede no mais v uma carga resistiva. A figura 7.41 mostra
que o objetivo do mtodo, que o de obter apenas a potncia ativa mdia foi atingido.
Figura 7.58 Tenso, corrente da carga e corrente compensada das fases a e b.
Figura 7.59 Potncia ativa instantnea antes e depois da compensao.

Produo de compensao de tenso
Todos os exemplo mostrados tratam de compensao de corrente. Esta , de fato, a
aplicao mais usual destes compensadores.
No entanto, plenamente possvel utilizar o mesmo mtodo para fazer a compensao
de tenses, bastando para isso gerar os sinais de compensao utilizando as equaes
(7.21) a (7.27), identificando tenses vp, vq, vp, vq, a partir das correntes i e i.
Consideraes sobre as teorias de potncia
No enfoque de compensao, ou seja, quando se buscam medidas de variveis eltricas
para identificar componentes nas correntes que devam ser compensadas para que se
obtenha o mximo fator de potncia possvel, as atuais teorias no fornecem resultados
satisfatrios para sistemas nos quais as tenses de entrada no seja senoidais, simtricas
e equilibradas. Isto vale para as teorias de Akagi, Tenti [7.8], etc.
Os mtodos de medida de potncia que so baseados no domnio da freqncia ou que

apenas tratem com valores mdios (e no instantneos) no possibilitam a identificao
de grandezas temporais, de modo que no se aplicam no caso de compensao de
componentes harmnicas.
As matrizes de transformao usadas na teoria de Akagi-Nabae advm de uma hiptese
de tenses simtricas e, portanto, no so vlidas para sistemas em que as fases no
estejam defasadas de 120o. Por outro lado, como seu paradigma a compensao das
potncias reativa e ativa varivel, isto no significa, como j foi dito, que o fator de
potncia seja mximo em situaes de desequilbrio.
Um paradigma mais geral, e que garante o fator de potncia unitrio, qualquer que
sejam as tenses (incluindo distores harmnicas), de sintetizar uma carga resistiva.
No entanto, ainda no se dispe de um mtodo instantneo que permita a um
compensador agir segundo este paradigma em sistemas trifsicos.
O caso monofsico
A sntese de uma corrente senoidal, mesmo na presena de distores na tenso,
apresenta alguns inconvenientes que so discutidos a seguir.
Caso o sistema apresente uma tenso senoidal e nenhuma no-linearidade, realizar uma
compensao que emule uma carga resistiva ou que absorva uma corrente senoidal seria
equivalente.
Como o sistema apresenta distores e a tenso nunca perfeitamente senoidal, sempre
existiro elementos harmnicos capazes de excitar ressonncias. Os elementos que
introduzem amortecimento no sistema so, essencialmente, as cargas, uma vez que as
perdas prprias das linhas e transformadores so baixas. Assim, um sistema sem carga
tende a ver amplificadas as possveis ressonncias presentes.
Quando um filtro ativo leva absoro apenas de uma corrente senoidal, isto significa
que a rede v uma carga aberta para as outras freqncias, ou seja, a carga deixa de
atuar como fator de amortecimento para as eventuais ressonncias do sistema.
Alm disso, essa corrente senoidal absorvida no minimiza a corrente eficaz e,
conseqentemente, no maximiza o fator de potncia.
A defesa desta ltima tcnica feita com o argumento de que a absoro de correntes
senoidais melhoraria a forma da tenso da rede. Isto verdade, mas tambm ocorre com
o mtodo de sintetizar uma carga resistiva, sem as desvantagens da perda de
amortecimento.
A figura 7.60 mostra resultados de simulao com ambos mtodos aplicados. A fonte de
entrada possui uma 9a harmnica com 1% de amplitude da fundamental. O indutor
(20mH) e o capacitor (6.25uF) produzem uma ressonncia nesta 9a harmnica. Quando
tem-se uma carga resistiva, devido ao amortecimento introduzido, praticamente no se
observa o efeito desta harmnica, pois ela continua afetando as tenses em um nvel
muito baixo.
Quando se fora a carga a absorver uma corrente apenas na freqncia fundamental

(50Hz), nota-se a ressonncia e a conseqente distoro na tenso.
Figura 7.60 Formas de onda e circuitos simulados para cargas resistiva e "senoidal".
Filtro ativo monofsico
Filtros ativos monofsicos podem ser utilizados na correo do fator de potncia de
cargas de pequena e mdia potncia. As aplicaes restringem-se tipicamente a
potncias de 4kVA (para alimentao em 220V), dado que cargas maiores possuem
entrada trifsica [7.9].
A figura 7.61 mostra resultados de simulao em um filtro monofsico (acmulo
capacitivo) com controle MLP. As formas de onda de uma carga no-linear (prxima
que se tem em um retificador monofsico com filtro capacitivo) e a corrente a ser
produzida pelo filtro para compens-la so mostradas. Como esta simulao foi feita em
malha aberta, no se tem um controle mais preciso da corrente na linha, o que explica
algumas oscilaes decorrentes da excitao de ressonncias do sistema.
A figura 7.62 mostra a corrente obtida aps o filtro de sada. Observe que o circuito no
conseguiu fazer uma compensao perfeita, devido aos problemas citados. O espectro
est mostrado na figura 7.63, onde se v que a corrente no senoidal e que restam
componentes na freqncia de chaveamento. De qualquer forma, a distoro harmnica
da corrente caiu de 155% (sem o filtro ativo) para 7,5%.
De maneira anloga, a figura 7.64 mostra uma corrente "trapezoidal" a ser compensada,
bem como a corrente a ser produzida pelo filtro. Na figura 7.65 tem-se a corrente de
linha aps a filtragem. Nota-se aqui uma melhor forma de onda, o que se justifica por 2
fatores. O primeiro que a corrente da carga apresenta um espectro mais concentrado
nas harmnicas de baixa ordem, facilitando a compensao pelo filtro. A segunda que
as maiores variaes ocorrem quando a tenso da rede baixa, ou seja, quando a
diferena entre a tenso da rede e a tenso contnua do barramento do filtro grande,
havendo uma grande folga de tenso para a imposio da corrente desejada. O espectro
das correntes da carga e da rede (aps a filtragem) esto mostradas na figura 7.66.
Figura 7.61 Forma de onda na carga e corrente do filtro necessria para compens-la.
Figura 7.62 Corrente da rede com atuao do filtro ativo.
Figura 7.63 Espectro da corrente de sada do filtro.
Figura 7.64 Formas de onda da corrente da carga e do filtro.
Figura 7.65 Forma de onda da corrente da rede aps filtragem.
Figura 7.66 Espectro da corrente da carga e da rede (filtrada).

Estrutura de controle do filtro
A figura 7.67 mostra uma possvel estrutura do sistema de controle para um filtro de
acmulo capacitivo operando em MLP. A forma da referncia da corrente obtida da
prpria tenso. A amplitude desta referncia modulada de modo a manter a tenso cc
no valor desejado. O sinal do erro da tenso cc, passado por um compensador tipo PI
(que anula o erro em regime para uma entrada constante) uma das entradas do bloco
multiplicador. Sendo um valor contnuo (que varia muito mais lentamente do que a
referncia de corrente, que varia na freqncia da rede), funciona como fator de
escalonamento da forma da corrente. A corrente da rede realimentada, produzindo, em
relao referncia de corrente, um erro o qual, passando por um compensador
(tipicamente tipo P) produz a tenso de controle, que comparada com a portadora
MLP, gerando os pulsos para o comando dos transistores.
Figura 7.67 Diagrama de controle de filtro ativo paralelo.
Retornando questo do controle da tenso Vcc, consideremos este caso a ttulo de

exemplo.
Supondo que a tenso no barramento no se altere significativamente, a corrente
absorvida pela carga tem uma forma tpica e estvel.
A diferena instantnea entre ir e ic deve fluir pelo filtro. Se a amplitude da corrente da
rede for tal que a potncia ativa absorvida da rede for maior do que a consumida pela
carga, seu nico caminho circular pelo filtro ativo, acumulando energia na
capacitncia (subindo a tenso). O erro de tenso eventualmente produzido leva, sendo
multiplicado pela "forma" da corrente, a uma reduo da referncia da corrente
restabelecendo o balano de potncia e, conseqentemente, retornando ao valor correto
de referncia, Vcc.
Consideraes sobre o filtro de sada e o sistema de controle
O filtro de sada o responsvel pela atenuao das componentes de alta freqncia
advindas do chaveamento. O fato do filtro estar dentro da malha de controle indica que,
em princpio, qualquer anomalia por ele introduzida (ressonncias, defasagens, etc.)
podem ser corrigidas pelo sistema, pois o objetivo sempre ter uma corrente "senoidal"
sendo consumida da rede. No entanto, caso estas perturbaes ocorram em freqncias
elevadas, o sistema possivelmente no ter capacidade de compens-las adequadamente.
Este limite poderia ser, em primeira anlise, limitado a freqncias 10 vezes menores do
que o valor da freqncia de chaveamento.
Outro aspecto muito importante que o filtro no deve, idealmente, apresentar
amortecimento. A razo para isso que, como a tenso Vcc deve ser maior do que a
tenso de pico presente na rede, o conversor deve atuar, nos momento de acmulo de
energia no capacitor, como um elevador de tenso. Conforme j foi dito, isto se d pelo
aumento da corrente absorvida da rede, a qual flui para o filtro. Caso o filtro passivo
apresente amortecimento, esta potncia adicional poder ser dissipada nos elementos
resistivos, impedindo sua efetiva transferncia para o capacitor. Obviamente a eficincia
de um filtro com amortecimento comprometida, tanto no aspecto energtico, devido s
maiores perdas, como na resposta em freqncia, pois reduz a ordem resultante.
Desprezando as perdas nos conversores, o nico fator de amortecimento que resta a
prpria carga. Conclui-se que, quanto maior a potncia (ativa) consumida pela carga,
mais amortecido se mostrar o sistema como um todo, e vice-versa. Ou seja, deve-se
prever uma estratgia de superviso do filtro para evitar instabilidades em vazio.
Desta forma, como o filtro de sada apresenta ressonncias, elas devem ser devidamente
atenuadas pelo circuito de controle, garantindo a estabilidade do sistema.
Considerando o diagrama mostrado na figura 7.68, um dos blocos capaz de realizar esta
funo o chamado "condicionador de sinal", que atua na realimentao da corrente.
O comportamento deste "condicionador" vital para o bom desempenho do filtro. Dado
que ele atua sobre a forma real da corrente da linha, um bom resultado na compensao
da corrente s ocorre se o sinal realimentado for fiel corrente da linha. Uma vez que,
em princpio, deseja-se fazer a compensao total das harmnicas, a faixa de passagem
deste bloco deveria apresentar um ganho constante e uma defasagem nula na faixa at
3kHz (50a harmnica). Alm desta freqncia deve-se atenuar o sinal de modo que, nas
freqncias de ressonncia do filtro o ganho (em malha aberta) do sistema seja menor
do que 0dB (condio de estabilidade).
Via de regra esta no uma condio simples de ser satisfeita, visto que para ter uma
atenuao adequada na freqncia de chaveamento (digamos em 20kHz), a freqncia
de ressonncia do filtro de sada estar na faixa dos kHz, ou mesmo inferior,
dependendo da ordem deste filtro.
Conclui-se assim que o filtro de sada (tipicamente numa estrutura LC) deve ser de
ordem mais elevada, o que vem permitir usar componentes de menor valor
(individualmente), e tambm produzir ressonncias em valores elevados de freqncia.
Quanto ao condicionador de sinais, ele, em princpio, no deve ser um simples filtro
passa-baixas, uma vez que para satisfazer ao papel de atenuar as ressonncias, teria que
possuir uma freqncia de corte bastante baixa, o que implica em produzir defasagens
importantes na faixa de interesse para a corrente da linha. Deve-se, assim, buscar
circuitos que mantenham o ganho, no alterem a fase e atenuem satisfatoriamente os
sinais fora desta faixa.
Figura 7.68 Circuito de teste para verificao da resposta em freqncia do sistema.

Resultados experimentais
Os resultados a seguir foram obtidos em um prottipo de baixa potncia [7.2]. A carga
no-linear um retificador monofsico. A malha de realimentao conta com um
compensador com avano de fase. O filtro de sada de quarta ordem.
A figura 7.69 mostra correntes da rede quando se emprega um filtro indutivo no lado cc
de retificador. Mostra tambm a tenso da rede e a corrente aps a atuao do filtro.
Ao ser ligado o filtro observa-se uma efetiva melhora na corrente fornecida pela rede.
Nota-se que as distores presentes na tenso tambm so observadas na corrente,
indicando que o sistema est se comportando como uma carga resistiva. A oscilao
observada na corrente deve-se impossibilidade do sistema responder a um degrau de
carga, como ocorre neste caso.
Na figura 7.70 tem-se os resultado com um filtro capacitivo no lado cc do retificador.
Neste caso, como as transies de corrente so mais suaves, a corrente compensada
apresenta-se praticamente sem distores de alta freqncia.
A diminuio no valor eficaz da corrente deveria ser proporcional (inversamente) ao
aumento do fator de potncia (que sobe de 0,7 a 1). No entanto, como o filtro ativo
apresenta perdas, a rede tem que fornecer uma potncia ativa suplementar. Este efeito
muito marcante em baixas potncias. Quando se eleva a potncia da carga a parcela
dissipada no inversor se torna relativamente menor, aumentando a eficincia do sistema.
Figura 7.69 Tenso da rede (superior - 150V/div.), corrente aps compensao

(intermedirio - 5A/div.) e corrente sem compensar (inferior - 5A/div.)
Figura 7.70 Figura 7.14 Tenso da rede (superior - 150V/div.), corrente aps
compensao (intermedirio - 5A/div.) e corrente sem compensar (inferior - 5A/div.)
A figura 7.71 mostra a corrente de sada do filtro, aps ser filtrada pelo filtro passivo,
para o caso do retificador com filtro capacitivo.
Figura 7.71 Corrente (filtrada) de sada do filtro ativo.
A figura 7.72 mostra os espectros da corrente da linha antes e depois do atuao do

filtro. Nota-se a expressiva melhoria, representada pela reduo da amplitude das
harmnicas. A diminuio na 5a componente no to significativa porque esta uma
harmnica presente na tenso e que, portanto, deve tambm surgir na corrente
compensada.
Figura 7.72 Espectros da corrente da rede antes e depois da ao do filtro.
A figura 7.73 mostra a corrente de sada do inversor antes de passar pelo filtro passivo e
em um estgio intermedirio.
Um dos parmetros a ser utilizado no dimensionamento deste filtro respeitar os limites
impostos pelas normas de Interferncia Eletromagntica (IEM) conduzida, uma vez que,
do ponto de vista da rede, o filtro faz parte da carga.
Figura 7.73 Corrente de sada do inversor e aps o primeiro estgio do filtro passivo.
Na figura 7.74 mostra-se a resposta dinmica do sistema a uma variao em degrau na

carga. Observe que ao ser aumentada a carga ocorre uma reduo na tenso do
barramento cc, uma vez que a energia consumida vem, inicialmente, dos capacitores
que alimentam o inversor. Uma vez detectada esta reduo, o circuito de controle atua
no sentido de aumentar a corrente absorvida da rede visando recuperar o valor de
referncia. Ocorre uma sobre-corrente que serve para repor a carga do capacitor do
barramento.
Figura 7.74 Resposta do sistema a variaes da carga: Tenso no barramento cc

(superior -50 V/div.) e corrente de linha (inferior - 5 A/div.).
Filtros hbridos
A fim de reduzir a potncia a ser manobrada pelo filtro ativo possvel utiliz-lo em
associao com filtros passivos, de maneira que a parte ativa deve atuar apenas sobre as
componentes no corrigidas pelo filtro passivo [7.11].
A figura 7.75 ilustra o princpio de um filtro hbrido monofsico. Na figura tem-se o
esquema geral, considerando a existncia de uma fonte de tenso na freqncia
fundamental (Vs) e uma fonte de tenso que representa a distoro harmnica da tenso
(Vsh). A carga modelada como uma fonte de corrente (IL), a qual tambm possui
componente harmnica (Ilh). Existe uma reatncia da fonte, (Zs) e um filtro LC srie
sintonizado na freqncia da harmnica de interesse. O filtro ativo modelado como
uma fonte de corrente.
Observe-se que a componente harmnica a ser drenada pelo filtro passivo no ter que
circular pelo filtro ativo, de modo que tem-se uma reduo na corrente eficaz a ser
controlada pela parte ativa. Entretanto, no h diminuio na tenso de projeto do filtro
ativo.
Figura 7.75 Esquema simplificado de filtro hbrido monofsico de corrente.
Na figura 7.76 tem-se uma outra alternativa topolgica, na qual o filtro ativo colocado
em srie com um filtro passivo. Na verdade podem estar colocados diversos filtros
passivos, sintonizados ou passa-altas.
Figura 7.76 Princpio de operao de filtro hbrido de corrente: (a)Esquema geral;

(b) Operao na freqncia fundamental; (c) Operao na freqncia de sintonia do
filtro; (d) Operao nas demais harmnicas.
O sistema de controle do filtro ativo tal que ele absorve uma componente de corrente
na freqncia fundamental com tal valor que produza sobre a parte passiva do filtro uma
queda de tenso igual tenso da rede,Vs, como indica a figura (b). Isto faz com que a
tenso a ser suportada pelo estgio ativo seja somente a tenso relativa s componentes
harmnicas.
Alm desta componente, o filtro absorve uma corrente igual ao contedo harmnico da
carga, de modo que pela fonte circule apenas uma corrente na freqncia fundamental.
Na freqncia de ressonncia do filtro passivo a parte ativa dever suportar uma tenso
aproximadamente igual parcela distorcida da tenso da rede (figura (c)). Nas demais
freqncias a tenso harmnica divide-se entre o filtro passivo e o ativo (figura (d)).
Referncia Bibliogrficas
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Reactive Power in Three-Phase Circuits. "Proc. of the International Power Electronics
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Considering Harmonics and EMI Standards". Proc. of IEEE International Symposium
on Industrial Electronics, Guimares, Portugal, Julho de 1997.
[7.10] N. Baldo, D. Sella, P. Penzo, G. Bisiach, D. Cappellieri, L. Malesani and A.
Zuccato: "Hybrid Active Filter for Parallel Harmonic Compensation". European Power
Electronics Conference, EPE'93, Brighton, England, vol. 8, pp. 133-138.
www.dsce.fee.unicamp.br

Harmônicos e Fator de Potência

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Harmnicos e Fator de Potncia: um Curso de Extenso

4. EFEITOS E CAUSAS DE HARMNICAS NO SISTEMA DE ENERGIA ELTRICA

FATOR DE POTNCIA E DISTORO HARMNICA

Figura 1.1 Circuito genrico utilizado nas definies de FP e tringulo de potncia.

Definio de Fator de Potncia

Caso 1: Tenso e corrente senoidais

Considerando os valores utilizados na figura, os valores de pico das ondas senoidais so

Figura 1.2 Potncia com sinais senoidais em fase.

Figura 1.3 Potncia em sinais senoidais defasados de 90 graus.

Figura 1.4 Potncia em sinais senoidais.

Caso 2: Tenso senoidal e corrente distorcida

Figura 1.5 Potncia em sistema com tenso senoidal e corrente no-senoidal.

Figura 1.6 Decomposio harmnica (srie de Fourier) de onda quadrada.

Figura 1.7 Potncia com onda de corrente no-senoidal.

Caso 3: Tenso e corrente no-senoidais, mas de mesma

Figura 1.8 Potncia para formas de onda quaisquer.

Desvantagens do baixo fator de potncia (FP) e da alta

Podem ser citadas como desvantagens de um baixo FP e elevada distoro, dentre

A mxima potncia ativa absorvvel da rede fortemente limitada pelo FP;

As harmnicas de corrente exigem um sobredimensionamento da instalao

Perdas globais (%)

Perdas globais (MWh/ano)

Reduo das perdas

individualmente ou apenas na entrada de uma instalao. A referncia [1.2] estuda o

Perdas totais com compensao (W)

% total de perdas com compensao

Reduo de perdas para carga de 60kVA

Figura 1.10 Efeito do aumento do FP na ampliao da disponibilidade de potncia ativa.

Figura 1.11 Corrente de entrada e tenso de alimentao de retificador alimentando

Nota-se que o baixo fator de potncia da soluo convencional (filtro capacitivo) o

[1.1] "Manual de orientao aos consumidores sobre a nova legislao para o

Norma IEC 1000-3-2: Limites para emisso de

Classe B: Ferramentas portteis.

J para as harmnicas pares entre a 2a e a 10a e as mpares entre a 3a e a 19a, valores at

Recomendao IEEE para prticas e requisitos para

maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A

Figura 3.1 Estrutura bsica de um diodo semicondutor

Esta regio de pequena densidade de dopante dar ao diodo uma significativa

Figura 3.2. Estrutura tpica de diodo de potncia.e

Figura 3.3 Funcionamento bsico do tiristor e seu smbolo.

Figura 3.4 Analogia entre tiristor e transistores

Maneiras de disparar um tiristor

Figura 3.5 Caracterstica esttica do tiristor.

Parmetros bsicos de tiristores

e) Resistncia trmica (Rth): a diferena de temperatura entre 2 pontos especificados

Figura 3.8: Caractersticas do tiristor

Circuitos de excitao do gate

No existe uma maneira de se desligar o tiristor atravs de seu terminal de controle,

Figura 3.8.1 Controlador de tenso ca com carga RL e formas de onda tpicas.

Figura 3.8.2 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga.

e, quando a corrente por Sa se anula, o capacitor se descarrega at a tenso Vcc na

Figura 3.8.4 Detalhes das formas de onda durante comutao.

O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso

(a) (b) (c)

Associao em Paralelo de Tiristores

Existem duas tecnologias bsicas de construo de tiristores, diferindo basicamente no

Figura 3.10: Equalizao de corrente com reatores acoplados

Associao em srie de tiristores

Figura 3.11: Tenses em associao de tiristores sem rede de equalizao.

Figura 3.12. Circuito de equalizao de tenso em associao srie de tiristores.

receptor. Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do circuito amaciador

Figura 3.13: Circuitos de acionamento de pulso.

GTO - Gate Turn-Off Thyristor

Figura 3.14. Smbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO.