1.2.

2 Amplificador en Emisor Comn

El amplificador en Emisor Comn se caracteriza por amplificar la seal, tanto en voltaje como en
corriente, adems el voltaje de salida es invertido con respecto al de entrada. Su impedancia de entrada
y de salida son altas.

El circuito equivalente de Corriente continua es:

Circuito equivalente de corriente alterna

RB

R L

donde

RB R1 || R2
RL' RC || RL

Si Vs es una seal pequea entonces el transistor opera en forma lineal y para efectos de anlisis el
transistor tiene un circuito lineal equivalente llamado circuito en parmetros h.
Modelo de seal pequea del BJT para la configuracin en Emisor Comn

Modelo del BJT en parmetros h (configuracin en Emisor Comn)

Significado de los parametros h

vbe hieib hre vce
ic h feib hoe vce

Estos parmetros h reciben su nombre a partir de las siguientes condiciones

A).- Corto circuito en la salida ( Vce = 0 ).

vbe (hie )ib

ic ( h fe )ib

por lo que:

hie

vbe
ib VCEQ

h fe

vce 0

ic
ib VCEQ

vce 0

hie = Impedancia de entrada con la salida en corto.

i = input.
e = emisor comn.
h fe = Ganancia de corriente en sentido directo con la salida en corto.

f = forward - directo
e =emisor comn
B).- Circuito abierto en la entrada ( ib 0 )

vbe hre ( vce )

ic hoe ( vce )

por lo que:

v
hre be
vce

hoe
I BQ
ib 0

ic
vce

I BQ
ib 0

hre = Ganancia de voltaje en sentido inverso con la entrada abierta.

r = reverse
e = emisor comn
hoe = Admitancia de salida con la salida abierta.

o = output
e = emisor comn.

Determinacin de los parmetros h

De las curvas de entrada pueden ser determinados grficamente los parmetros hie y hre

ib

VCE 19V
ib

iB
vbe vBE
hie

ib
ib

VCE 1V

VCE 20V

vBE

VBE 0
VCEQ

vBE
iB

Puede observarse que hie corresponde a la resistencia dinmica del diodo B-E

hie

VT
V
V
T h fe T
I CQ I CQ
I CQ
h fe

VBE

VCE

ib
I BQ

VBE

vBE
Puede observarse que hre corresponde un valor muy pequeo, su valor se encuentra en el rango de
1x10-4 a 3x10-4, y para efectos prcticos puede considerarse cero

hre

vbe vBE

vce vCE

VBE 0
I CQ

vBE
vCE

Los parmetros hfe y hoe se obtiene a partir de las curvas de salida y como se indican en las mismas

h fe

ic ic

ib iB

hoe

ic
i
C
vce vCE

ic 0
VCEQ

iC 0
ICQ

iC
iB

iC
vCE

Se observa que el valor de hoe es muy pequeo, un valor tpico es de aproximadamente de 100 m
siemens y para fines prcticos puede considerarse como Admitancia 0 = resistencia infinita.
Modelo del Amplificador en Emisor Comn incluyendo el modelo de seal pequea del transistor

Las impedancias de entrada y de salida pueden obtenerse fcilmente mediante observacin del circuito:
Z i R B || hie

Z o Rc

La ganancia de voltaje puede obtenerse a partir de la multiplicacin de los siguientes factores

AV

vL v L vce vbe

vs vce vbe vs

vL
1
vCE
vce h feib Rc RL
vbe hieib
R R
vce
h fe C L
vbe
hie
RB hie
vbe

vs RB hie rs
Av

RB hie
RC RL
VL
h fe
.
VS
hie
RB hie rs

Ai

i L i L ib
.
i S ib i s

RC
iL

h fe
i S RC RL
ib
RB

i S R B rs
Ai

iL
RC
RB

h fe
i S RC R L
R B rs

VL
i
RL
V rs z i
Ai L
L.
VS
iS
VS R L
rs z i

Ai Av

zi rs
RL

CONSIDERACIONES DE DISEO PARA AMPLIFICADORES DE SEAL PEQUEA:

1. Proponer la ganancia de voltaje a obtener
2. Elegir un tipo de polarizacin y establecer el punto de operacin.

El punto de operacin deber estar en la regin activa o lineal.

3. Establecer el grado de estabilidad que deber tener el punto de operacin con respecto de los
cambios de
4. Se recomienda seleccionar voltajes de alimentacin que sean estndar. (Mltiplos de 1.5 V) por
ejemplo 12V.
5. Se recomienda elegir corrientes de colector 0.5 I CQ 4mA