Laboratorio N 08: AMPLIFICADOR CON

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO FET

PRIMO FLORES ALEXANDER LUIS
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per

1.-OBJETIVO:
Analizar las caractersticas
amplificador con FET.

de

un

Clculo de la ganancia de voltaje

usando Mosfet.
Utilizar un simulador como soporte para
anlisis de los resultados obtenidos en la
prctica.

Los FETs, bsicamente son de dos

tipos:
El transistor de efecto de campo de
Juntura o JFET.
El transistor de efecto de campo con
compuerta aislada o IGFET, tambin
conocido como semiconductor de xido
de metal, MOS, o simplemente
MOSFET.

2.-Teoria:
En los transistores bipolares, una
pequea corriente de entrada (corriente
de base) controla la corriente de salida
(corriente de colector); en los casos de
los FET, es un pequeo voltaje de
entrada que controla la corriente de
salida.
La corriente que circula en la entrada es
generalmente despreciable (menos de
un pico amperio). Esto es una gran
ventaja, cuando la seal proviene de un
dispositivo tal como un micrfono de
condensador o un transductor piezo
elctrico, los cuales proporcionan
corrientes insignificantes.

CIRCUITO EQUIVALENTE FET DE

AC
El circuito equivalente de ac para un
FET se ilustra en la figura. Aqu se
muestra solo el dispositivo FET con un
voltaje de entrada de ac, Vgs.

El modelo de ac, o circuito equivalente

de ac, nicamente para el dispositivo

FET, consiste en una fuente de corriente

controlada por voltaje entre los
terminales de Drenaje y de Fuente, que
depende del valor gm del dispositivo y
del voltaje de ac de entrada Vgs, y una
resistencia de ac del dispositivo entre
los terminales de drenaje a fuente con
valor de rd (resistencia de ac de salida).
EL
AMPLIFICADOR
COMUN CS:

FUENTE

AV = VO/Vi = [- (gm.Vgs)(RD||
rd)]/Vgs
AV = - gm.(RD||rd)
Si el valor de la resistencia del
dispositivo, rd, es mucho mayor que la
resistencia del circuito, RD, la ecuacin
para la ganancia de voltaje es casi igual
a:
AV = - gm.RD

3.-RESPUESTAS A PREGUNTAS:
3.1-Obtener
de
los
manuales,
informacin sobre los dispositivos a
utilizar y presentar los datos
msimportantes.
El componente con el que se trabajara
es el jfet2N5485

Ganancia de Voltaje
La ganancia de voltaje de un
amplificador FET puede obtenerse del
circuito equivalente de ac. Del circuito
equivalente de ac se puede observar
que:
VO = - (gm.Vgs) (RD||rd)

CARACTERISTICAS
Beneficio Excelente De alta frecuencia:
Gps 13 dB (typ) 400 MHz - 5485/6
Ruido Muy Bajo: 2.5 dB (typ) 400 MHz
- 5485/6 Distorsin Muy Baja alto
Interruptor de corriente alterna /
corriente directa Fuera de aislamiento

Resolver tericamente el circuito

propuesto, obteniendo la ganancia en
pequea seal y usandolos parmetros
respectivos.
BENEFICIOS
Alto Beneficio De banda ancha Muy
Alta Sensibilidad de Sistema Alta
calidad de Amplificacin Capacidad de
Conmutacin De alta velocidad Alta
Amplificacin de Seal De bajo nivel.
APLICACIN
Amplificador/Mezclador
De
alta
frecuencia oscilador muestreo y
retencin Interruptores de Capacitancia
Muy Bajos.

3.2-SIMULACION:
DESCRIPCION

circuito 1

La serie 2N/SST5484 consiste en el

canal de n JFETs diseado para
proporcionar la amplificacin de alto
rendimiento, sobre todo en altas
frecuencias hasta y ms all de 400
MHz.

Seal de entrada

Seal de salida

Circuito 2

Seal de salida

4.-EQUIPOS Y MATERIALES:
01 Transistor JFET: 2N5485
2N5486 (CanalN).
Resistores de 1M
,

33K

10K , 5.6K ,

3.3K
1K (1/4 W)
Seal de entrada

01 Generador
TEKTRONIX

de

funciones

Condensadores:
500uf (16v)

0.1uf,

01 panel de conexiones
01 Multmetro FLUKE

10uf,

 01 Fuente de
Programable

Alimentacin

01 Osciloscopio TEKTRONIX
5.-PROCEDIMIENTO:
Armar el circuito de la figura 1.
Teniendo cuidado de verificar la
conexin del JFET, medir el
punto de operacin, tomando
lastensiones de los terminales
del transistor respecto a tierra,
las corrientes tomadas en forma
indirecta
Vrs
Irs

No tomar entre terminales del

dispositivo, ni medir las
resistencias internas con el
multmetro, pues se pueden
exceder las corrientes permitidas
en directa, conociendo que
trabaja con el Gate polarizado en
inversa.

la Ganancia de tensin midiendo

la salida 0 V = _____.
Aumentar el nivel de i V hasta
observar una distorsin en la
seal de salida
V0. La
deformacin no debe llegar a
recortar la seal, sino hasta
apreciar
una
alinealidad,
deformando las ondulaciones
positivas y negativas en distinta
proporcin) V 0 (max =
_________.
Manteniendo i V constante,
variar
la
frecuencia
del
generador llenando la tabla
adjunta.

(Verificar en cada medicin que Vi NO

VARIE)
Retirar el condensador Cs=
500uf y determinar la Ganancia
de tensin:

Armar el circuito de la figura

mostrada (fig. 2), dando el punto
Q y la ganancia de tensin.
Explicando las ventajas y desventajas
que se logra.

Con el circuito original, aplicar

una
seal
Senoidal
de
20mVoltios (pico) a una
frecuencia de 1Khz y determinar

6.-BIBLIOGRAFA:

 http://www.viasatelital.com/proy
ectos_electronicos/jfet_aplicacio
nes.htm
http://es.wikiversity.org/wiki/Tra
nsistor_JFET

http://www.unicrom.com/Tut_C
aracteristicas_electricas_JFET.as
p
http://www.infoab.uclm.es/labelec/Solar/Compo
nentes/Transistor_unipolar/JFE
T.htm