Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya conductividad se encuentra

entre la de un buen conductor y la de un aislante.

Los tres semiconductores ms frecuentemente utilizados en la construccin de dispositivos
electrnicos son Ge, Si y GaAs.
ENLACE CONVALENTE Y MATERIALES INTRINSECOS
Semiconductor intrnseco es aquel que posee solo tomos del material semiconductor (es
puro, sin impurezas que lo dopen).
Los tomos adyacentes se unan formando enlaces covalentes.
Los materiales como son silicio o germanio poseen la caracterstica de tener 4 electrones
en su banda de valencia (la rbita ms externa del tomo) y estos materiales son estables
con 8 electrones en su rbita ms externa. Esto lo consigue al unirse con los tomos
adyacentes y comparten electrones.

El trmino intrnseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido

cuidadosamente refinado para reducir el nmero de impurezas a un nivel muy bajo; en
esencia, lo ms puro posible que se pueda fabricar utilizando tecnologa actual.
Los materiales semiconductores tienen un coeficiente de temperatura negativo. A mayor
temperatura, menos resistencia, mas corriente, lo que ayuda a que aumente la
temperatura.
NIVELES DE ENERGIA
Cuanto ms alejado est un electrn del ncleo, mayor es su estado de energa y cualquier
electrn que haya abandonado a su tomo padre tiene un estado de energa mayor que
todo electrn que permanezca en la estructura atmica.

MATERIALES EXTRINSECOS: MATERIALES TIPO n Y TIPO p

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como
material extrnseco.
MATERIAL TIPO n
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando un nmero
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea
introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavalentes), como el antimonio, el arsnico y el fsforo.

Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen como tomos
donadores.
MATERIAL TIPO p
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con tomos de
impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms utilizados para este
propsito son boro (B), galio (Ga) e indio (In). El efecto de uno de estos elementos, el boro,
en una base de silicio es que genera un vaco, que se llama HUECO y se denota con un
pequeo crculo o un signo ms, para indicar la ausencia de una carga positiva. Por lo
tanto, el vaco resultante aceptar con facilidad un electrn libre.
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman tomos aceptores.
Flujo de electrones contra flujo de huecos

PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS

En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrn el minoritario. En un

material tipo n) el electrn se llama portador mayoritario y el hueco portador minoritario.

DIODO SEMICONDUCTOR
El diodo es un
dispositivo
unidireccional que
circula la corriente en
la direccin de la
flecha y bloquea en la
direccin opuesta

ZONA DE
ANODO

CATOD

A
CONDICION DE POLARIZACION INVERSA (VD<0 V)

La corriente en condiciones de polarizacin en inversa se llama corriente de saturacin en

inversa y est representada por Is. (Es muy pequea)
CONDICION DE POLARIZACION DIRECTA (VD>0 V)
La condicin de polarizacin en directa o encendido se establece aplicando el potencial
positivo
al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra en la figura 1.14.

Como ID es exponencial al polarizarle DIRECTAMENTE ( VD positivo; Voltaje en nodo

mayor que voltaje en catodo)
Entonces

ex

crece muy rpido e Io es significativa. En cambio si Vo es negativo,

ex

decrece muy rpido con lo que es Io es similar a Is (cuyo valor es muy pequeo, casi nulo)

La direccin definida de la corriente convencional en la regin de voltaje positivo

corresponde a la punta de flecha del smbolo de diodo.