Prcticas de Electrnica de Comunicaciones

PRCTICAS DE
ELECTRNICA DE
COMUNICACIONES
Guiones de laboratorio v. 2.2

Prcticas de Electrnica de Comunicaciones

Pilar MOLINA GAUD

pimolina@ieee.org

Arturo MEDIANO
a.mediano@ieee.org

Prcticas de Electrnica de Comunicaciones

Prctica 1
Resonancia y redes de
adaptacin
p
de
impedancias

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Objetivos

Entender plenamente el concepto de resonancia.

Disear una red de adaptacin transformacin de
impedancias.
Analizar los conceptos de Q (loaded y
unloaded).
A
Aprender
d a manejar
j llos osciloscopios
il
i di
digitales
it l
del laboratorio y el resto de la instrumentacin.

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Estudio previo

CONCEPTO DE RESONANCIA
Qu significa que un sistema fsico sea resonante?
Cita ejemplos de diferentes realidades fsicas donde
aparece un efecto resonante
Cules son las implicaciones matemticas de un
sistema resonante
Aplicado a circuitos, qu significa que un circuito
presente una resonancia?

CONCEPTO DE IMPEDANCIA DE SALIDA

Qu significa realmente que una fuente tenga una
determinada impedancia de salida
Cules son los efectos que produce dicha
impedancia.

CONCEPTO DE ADAPTACIN DE IMPEDANCIAS

Cul es el objetivo real de adaptar impedancias
Cita varios posibles mtodos de adaptar impedancias

CONCEPTO DE FACTOR DE CALIDAD

Q
Qu
significado
i ifi d f
fsico
i y matemtico
t ti titiene lla Q d
de un
circuito
Diferencias entre Q loaded y Qunloaded
Relacin de la Q con el ancho de banda

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Parte 1. Introduccin al
osciloscopio digital

En el generador de funciones selecciona las opciones

para obtener una onda de las siguientes caractersticas
v(t)= 0
0.25
25 + 1sen(2ft) con f=1MHz

Visualiza la forma de onda en el osciloscopio de las

siguientes formas:
Pulsa el botn INITIALIZE
En el Canal 1
1, ajustando los voltios por divisin y segundos
por divisin. Elimina el canal 2 y centra en pantalla el canal
1.
Con la sonda en x1 y en x10, hay diferencias? Asegrate
que en el men de INPUT la opcin correcta de la sonda
est seleccionada. Qu ocurre si la opcin del men no
coincide con lo real?
Opciones DC y AC del men INPUT.
Consigue que el osciloscopio mida la frecuencia, el periodo
y la amplitud de la forma de onda. Experimenta con el men
MEAS. Ajusta la entrada hasta que coincida con lo
esperado.
Cambia
C bi en ell men
TRIGGER lla entrada
t d con lla que se
hace el disparo por medio del botn LEVEL/SOURCEQu
ocurre?
Observa la FFT (SHIFT-FFT) de la seal de entrada.
Coincide el resultado con lo deseado? Experimenta
cambiando los segundos por divisin hasta obtener la
visualizacin correcta.
correcta Cambia la frecuencia y observa.
observa
Cambia a una onda triangular y luego cuadrada y observa
las diferencias.
Graba la forma de onda obtenida en un disquete en formato
TIFF (SHIFT+MENU primero para cambiar el formato de
archivo y darle un nombre, luego COPY)

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Parte 2. Impedancia de salida

Conecta al generador de funciones con

la forma de onda anterior PERO SIN
OFFSET una resistencia de 10.

Calcula previamente la tensin esperada en

la carga, Coincide el resultado con lo
esperado? Verifica que este valor no cambia
sustancialmente al cambiar la frecuencia
frecuencia.
Crees que a la salida del generador hay
verdaderamente una resistencia de 50

Tiene esto sentido?

Si lo que quieres es tener en la carga de 10

una tensin
i d
de 1V
1V, Hay
H alguna
l
fforma d
de
conseguirlo?

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Parte 3. Resonancia

Conecta el siguiente circuito con L= 10H y

C=2.2nF y una RL de 10 como en el caso anterior
Busca la frecuencia en la que la amplitud de la seal
de tensin sea mxima, hay alguna diferencia con
el caso anterior? es la esperada?
Mueve la frecuencia del generador entre decenas de
KHz y la ms alta posible
posible. Qu conclusiones
obtienes?
Cul es la relacin entre C, L y la llamada
frecuencia de resonancia?
Cul es el Qloaded y el Q de este circuito resonante
paralelo?
l l ?

Para medir con precisin el valor de la bobina a

esta frecuencia:
Aade a la entrada una resistencia de 10K y elimina
la de 10
10. Mide el valor exacto de la C con un
polmetro.

RES
ID= R1
R= 50 Ohm

ACV S
ID= V1
Mag= 4 V
Ang= 0 Deg
IND
ID= L1
L= 1 nH
L=1

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CAP
ID= C1
C= 1 pF
C

RES
ID=RL1
R=50 Ohm

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Parte 3. Resonancia (cont.)

Mide la frecuencia a la que se produce un mximo

de amplitud y calcula la L de forma exacta.
Vuelve a la versin inicial del circuito

Comprueba la respuesta del circuito de la figura

introduciendo una seal cuadrada de 1MHz y
analiza
a
a a la
a sa
salida
da sob
sobre
e la
a ca
carga.
ga

Viendo lo resultados, cmo crees que se

comporta este circuito?

Comenta lla lilimitacin

C
i i ms
iimportante d
de este
circuito

Ests consiguiendo transferir la potencia

disponible a la carga?

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Parte 4. Adaptacin de
impedancias

Monta el circuito de la figura adjunta con C1=10nF

y C2=10nF,, L=4.7H
en p
paralelo con 10H
y RL de
10
OJO! Dos Ls
en paralelo
CAP
ID= C2
C= 1 pF

C1

RES
ID=R1
R=50 Ohm

g
IND
ID= L1
L=1 nH

CAP
ID=C1
C=1 pF

C2

RES
ID=RL1
R=50 Ohm

Para qu crees que sirven C1 y C2. Mide su valor

exacto con el polmetro.
p
Comprueba la forma de onda de tensin a la entrada,
en el punto de mxima tensin cul ser la
impedancia equivalente vista por la fuente?
Anota los datos del experimento y comprueba con las
frmulas tericas de clase los datos obtenidos.
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Parte 4. Adaptacin de
impedancias
A qu frecuencias la potencia entregada por el
generador es la mitad? Determina f1 y f2
Qu valor de amplitud tiene la seal de tensin en
la entrada cuando la potencia es la mitad?
Qu se conoce como f2-f1? Qu tiene que ver con
la Q?

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Prctica 2
Amplificadores
sintonizados de
pequea seal

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Objetivos

Introducir el manejo de MICROWAVE OFFICE

como herramienta de simulacin de circuitos de RF
Guiar al alumno a travs del proceso de diseo de
una etapa amplificadora de pequea seal para
banda estrecha.
Utilizar dos redes resonantes en los circuitos de
entrada y salida
Analizar la influencia de la capacidad de Miller y
su neutralizacin

NOTA: Los puntos marcados con

requieren de
conocimientos de Microwave Office o de ayuda que ser
suministrada durante la prctica.

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Planteamiento

Se trata de disear una red para amplificacin de pequea seal,

sintonizada para trabajar en banda estrecha. La estructura se
di utilizando
disear
tili
d un transistor
t
i t JFET 2N5485 d
de Phili
Philips (H
(Hojas
j d
de
caractersticas adjuntas)
Las especificaciones de partida son las siguientes:
Impedancia de salida de la fuente, 50
Aislamiento galvnico en la red sintonizada de entrada
Frecuencia central de trabajo, 10MHz
Ancho de banda del amplificador, 200KHz
Alimentacin, +15Vdc
Ganancia en tensin, |Av|>18 @ 10MHz
Contamos con L=1H,
, Qbob=200
La estructura completa del amplificador ser la siguiente:

15V
1

R parsita
bobina

MUC2
ID=
MUC2
M1
SJFET
ID=
M2nH
PORT
CAP
L1=
1000
CAP
RES
ID=
S_2N5485_1
CAP
ACCS
P=1
ID=C4
CAP
L1=
1000 nH
RES
ID=R3
ID=C2
R1=
0.31416
Ohm
ID=C3
CGS=
2R1
2.68
68
ID=I1
ID=
I1 pF
RES
ID
ID=
ID
ID=
C1
C=250.15
pF
Z=50
Ohm
R1=
0.31416
C=0.5785
R=1
Ohm
C=1e10
pF Ohm
L2=
1000
nH
CGD=
2.28
pF
1Ohm
mA
Mag=
ID=
R2
R=
253.3
1
pF
C=
L2=
1000 nH
R2=
01.0
Ohm
AFAC=
0 Deg
Ang=
R=
1 Ohm
R2=
K1_2=
1 0 Ohm
K1_2=1

NEUTRALIZACIN

50

Cc

1
2

C1

RL

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Cin

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Hoja de caractersticas

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Estudio previo
En una primera fase, se disear nicamente
la red de salida (figura 1)
1), partiendo del
modelo de pequea seal del transistor
mostrado en la figura 2.
Dejando
j
indicados los valores de CGD, CGS y rD,
halla las frmulas para obtener la capacidad de
salida C1 y resistencia de carga RL que cumplen las
especificaciones de frecuencia y ancho de banda.

RECUERDA!
La L no es ideal
nicamente necesitas usar frmulas bsicas

De qu dependen estos valores del modelo?

Cules crees que pueden ser las formas de
obtenerlos? Trata de dar unos valores aproximados
a partir de las hojas de caractersticas.
Cmo crees que influir CGD en el amplificador?
Recuerda el teorema de Miller.
Si ell modelo
d l d
de pequea
seal
ld
dell ttransistor
i t
incorporara una CDS, cmo modificara esto el
diseo?
Para qu crees que sirve Cc? Qu valor le
daras?
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Estudio previo
15V
SJFET
PORT
RES
ID=
CAP
S_2N5485_1
ACCS
IND
P=1
RES
CAP
ID=R3
ID
R3pF
ID=C3
ID
ID=I1
ID
RES
C3
I1
CGS=
ID=L1
ID=
2R1
2.68
68
L1
ID=ID=
C1
Z=50
Ohm
ID=
R2
R=
1mA
Ohm
C=
1e10
pF
Mag=
11
CGD=
2.28
pF
L=
nH
C=R=
253.3
pF
1
Ohm
R=
Ohm
Ang=
01Deg
AFAC=
1.0

R parsita
bobina

Cc

C1

RL

Figura
g
1. Amplificador
p
simple
p
D

G
CGD

CGS

DCCSS
ID=
I1
CAP
CAP
RES
IStart=
0
ID=
C2mA
ID=
ID= R1 C1
C=
11 mA
pF
IStop=
5
C=
pF
R= 1 Ohm
IStep= 1 mA

rD

Figura 2. Modelo de pequea seal

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Parte 1. Polarizacin y modelo

equivalente

Se trata de caracterizar el transistor en el punto de

polarizacin de la figura
p
g
p
para este amplificador
p
Observando la figura 1, determina cul es el punto de
polarizacin en este caso.
En Microwave Office, crea un esquemtico para
poder determinar los valores del modelo de p
p
pequea
q
seal. Necesitars:
Modelo del transistor de la librera de Philips.
Bias-T para aislar la continua de RF
Puertos de entrada y salida DE MUY BAJA
IMPEDANCIA (1 por ejemplo).
j
l ) T
Trata
t de
d entender
t d por
qu.
Grficos donde se muestren resultados LINEALES en
este punto de polarizacin. Observa las diferentes
medidas disponibles y encuentra las adecuadas
sirvindote de la ayuda (MEAS HELP)
Adicionalmente, observa por medio de medidores de
tensin y corriente, que el punto de polarizacin es
realmente el adecuado (Grficas de Vtime, Itime)

TIENES QUE LLEGAR A OBTENER UNOS VALORES

DE CGD, CDS Y RD.
Aplica el teorema de Miller
Observa la Av (ganancia en tensin lineal) de este
circuito simple.

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Parte 2. Diseo del circuito de

salida

Haciendo uso del modelo simplificado de pequea

seal,, acaba de disear el circuito de salida del
amplificador y comprueba por medio de simulacin
que el comportamiento es el esperado.
Crea el esquemtico correspondiente.
Comprueba:
Frecuencia, ancho de banda, ganancia en tensin
Verifica que existe ganancia en potencia
Verifica las formas de onda en el tiempo se ajustan a lo
esperado.

Este amplificador presenta un problema

Observa la parte real de la impedancia de entrada del
amplificador.
Observas algo raro?
A qu puede deberse?
Qu consecuencias crees que puede tener?

Obtn el factor K de estabilidad

Cmo crees que ambos resultados se relacionan?
A qu crees que se debe este efecto?
Sabes cules son los mtodos para evitarlo?

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Parte 3. Neutralizacin
Se va a utilizar el siguiente esquema de
neutralizacin.
C
neut

L2

MUC2
ID=
MUC2
M1
SJFET
ID=M2
ID=
M2nH
PORT
CAP
L1
L1=
1000
H
CAP
ID=
S_2N5485_1
CAP
ACCS
ID=
C4
P=
11000 nH
CAP
L1=
RES
ID=
C2
0.31416
ID=
C3
R1=
CGS=
2.68
pF Ohm
ID=
I1 Ohm
ID=
C1
RES
ID=
R1
C=
250.15
Z=
50
pF
R1=
0.31416
C=
0.5785
pF Ohm
1000
nH
C=
1e10
L2=
CGD=
2.28
pF
Mag=
mA
ID=
R2
C=
253.3
pF
R=
1 11000
Ohm
L2=
nH
01.0
Ohm
R2=
AFAC=
Ang=
0 Deg
R=
1 Ohm
R2=
1 0 Ohm
K1_2=
K1_2= 1

vDS
3

ineutralizacin
vGD

1
2

3
2

Estima ese valor de condensador Cneut si L1 y L2 se

acoplan en relacin 1:1. Supn que la ganancia es
grande, y que en seales vDS es aproximadamente igual
que vDG.
Crea el esquemtico correspondiente aadiendo la red
de neutralizacin. NECESITARS:
4

Un transformador con Ls reales y acoplamiento K=1.

NOTA: El valor de la resistencia parsita en la L del
transformador viene dado por una Rserie (no Rpparalelo)
Un valor muy ajustado de Cneut.

Comprueba que el amplificador ha sido neutralizado y

funciona correctamente:
Verifica la parte real de la impedancia de entrada
Verifica la K (factor de estabilidad)
Verifica la ganancia en tensin
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Parte 4. Amplificador completo

Falta por verificar la especificacin de aislamiento a

la entrada
Para qu crees que este aislamiento puede ser
necesario?
De nuevo contamos con bobinas idnticas. Obtn el
valor de Cin.
Por qu es ahora necesario un condensador a la
entrada tambin?

Crea el esquemtico del amplificador completo y

verifica:
Ganancia en tensin
Ganancia en potencia
Formas de onda en el tiempo

Cul es la Q del circuito de entrada? Cmo

afectar al ancho de banda del circuito completo?
Prueba (con la herramienta TUNE) a observar el efecto
de variar el valor de la L de la entrada.

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Prctica 3
Osciladores de RF.
Diseo y simulacin

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Objetivos

Analizar el principio de funcionamiento de un

oscilador de RF
Disear un oscilador LC de tipo Colpitts para RF
Aprender a distinguir el circuito en seales frente al
de polarizacin en circuitos de RF
E t d ell efecto
Entender
f t de
d la
l variacin
i i d
dell punto
t d
de
polarizacin del transistor sobre la salida
Entender el efecto de la utilizacin de una
resistencia Re de emisor en este tipo de
osciladores

NOTAS: Los puntos marcados con

requieren de
conocimientos de Microwave Office o de ayuda que ser
suministrada durante la prctica.
REFERENCIA: Krauss, Bostian, Raab: Solid State
Radio Engineering. Wiley and Sons. 1980.

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Estudio previo

En esta prctica se presenta el diseo de un

oscilador Colpitts
p
de RF basado en transistor
bipolar con los siguientes parmetros de diseo.

Tensin de alimentacin 10V

Transistor NPN 2N2222A en BASE COMN
Adaptacin en potencia a una carga RL de 1K
Amplitud de la tensin de salida aproximada de unos
2V
Frecuencia de oscilacin 90MHz (FM comercial)

La topologa del oscilador completo ser la siguiente.

+10V
R
CAP
ESC AP
ND
PORT
RES
=
R3
C2
ID1=C3
IND
DRES
GBJT
P=
DID
=IN
L2
ID=
R35.4
RES
C=
R=
861
544
.1
1000
Ohm
p
F222
pF
R
CAP
ES
ID=
LC=
RES
ID=
1H
ID=
L1
ID=GP_2n
L=
Z=
5.200
0R
m 2a_ 1
ID=
R
6
1.2e6
nOh
R
1
ID
D=
R2
ID
=R4
C1
L
===17
1
nH
L=
nOhm
H
ID=
C
4
R
=.6
1e6
200
Ohm
R
1263
Ohm
C=
.1pOhm
Ohm
F
R=R=
10
09.9
C==761
3 30
pF

L1 choke
R1

Cc

RC
2

2N2222A
1

4
S

B
3

C1
RL=1k

Re
Lt
CB

R2
L2 choke
C2

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RE

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Estudio previo. Punto Q

Polarizar el transistor en un punto Q(vCB,ic) que permita la
mxima excursin de amplitud a partir de la tensin de
alimentacin disponible y utilizando la red de cuatro
resistencias de la figura. Dejad un margen de 0.5V con
respecto a la mxima excursin. Para ello:

Averiguar cul ha de ser el punto de polarizacin con

los siguientes datos:

Carga de 1K est adaptada

La excursin es mxima, con 2V de amplitud a la
salida y 0.5V de margen

Calcula una de las posibles redes de 4 resistencias

que nos den el punto de polarizacin hallado en el
apartado anterior.

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Estudio previo. Diseo

El modelo de pequea seal del transistor en base comn ser

el siguiente:
EMISOR

COLECTOR

Ie

re

Co

BASE

NOTA: Supondremos re

1
40 ICQ

y Co=4pF para los

clculos previos (durante la prctica se medirn con mayor

precisin)
Calcula:
El circuito en seales del amplificador completo. Para
ello recuerda que:
El transistor est en base comn
Las bobinas de choque presentan una impedancia muy
alta a la frecuencia de trabajo

Los valores necesarios de Lt, C1 y C2, tal que:

La frecuencia de oscilacin se acerque a la requerida
La Q del circuito de salida sea 50
Exista adaptacin de impedancias a la carga

NOTA: La RE de polarizacin calculada en el apartado

anterior se divide en dos partes RE=Re+Rresto. La Re se
mantendr en seal y tendr un valor de 100

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Parte 1. Punto de polarizacin

Simula en Microwave Office el circuito de

polarizacin bsico de 4 resistencias calculadas en
p
el estudio previo.
Utiliza V-METER e I-METER para medir tensin e
intesidad
Co
Comprueba
p ueba e
el resultado
esu ado

Para comprobar los parmetros del modelo de

pequea seal en este punto de polarizacin
necesitars aadir 2 puertos, los correspondientes
Bias-T
Bias
T y asegurar que el terminal de base en RF
est desacoplado.
Realiza el esquemtico correspondiente
Comprueba la re y la Co
Con los resultados obtenidos
obtenidos, modifica
modifica, si lo crees
necesario, los clculos del oscilador.

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Parte 2. Comprobacin del

oscilador

Simula en Microwave Office el oscilador completo.

Para ello:
Da valores a las bobinas L1 y L2 de choque, la CB y la
CC, tal que cumplan sus funciones de forma
adecuada.
Utiliza los valores del estudio p
previo. En lugar
g de una
RL, utiliza un puerto de Z=1K a la salida.
Usa el elemento de medida OSCAPROBE para
poder comprobar la frecuencia de trabajo del
oscilador.
Observa la forma de onda de la tensin de salida en
el tiempo para comprobar la especificacin de
excursin de seal en la carga.

Aade un condensador a la salida (en paralelo con

la Lt).
Para qu crees que sirve este condensador?
Modifica su valor hasta conseguir ajustar la
frecuencia del oscilador a lo requerido.
Qu otras formas puede haber de variar la
frecuencia?

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Parte 3. Modificacin polarizacin

Modifica el punto de polarizacin del oscilador de

varias formas posibles:
p
Modificando la RC
Modificando las resistencias R1 y R2

En cada caso observa los efectos que esto produce

sobre:
La frecuencia de oscilacin
La excursin de la seal a la salida

Modifica el valor de la capacidad de base CB

reducindolo.
d i d l
Observa la seal a la salida en funcin del tiempo
Por qu crees que se modifica tanto la seal?

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Parte 4. Simulacin sin Re

Elimina la Re del circuito, pero modifica

convenientemente la RE p
para q
que el p
punto de
polarizacin siga siendo el mismo que en el
oscilador original.
Verifica visualizando la grfica de tensin de salida
p el efecto que
q tiene suprimir
p
esta
en el tiempo
resistencia.
Por qu crees que se obtiene esta salida ahora?

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Pilar MOLINA GAUD

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Prctica 4
Mezclador de RF

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Objetivos
1.

2.

Presentar al alumno una perspectiva general

sobre los mezcladores en sistemas de
comunicaciones
Disear un mezclador de tipo activo basado en
un transistor bipolar

NOTAS: Los puntos marcados con

requieren de
conocimientos de Microwave Office o de ayuda que ser
suministrada durante la prctica.
REFERENCIA:MOTOROLA Semiconductor Application
Note AN238

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Estudio previo

Se va a disear un mezclador para su uso en un

sistema de comunicaciones,, que
q p
permita obtener
una frecuencia intermedia (IF) de 5MHz a partir de
una entrada de RF de 30MHz. Especificaciones:

Seal de RF de entrada de una etapa amplificadora

previa con -3dBm y 50 de impedancia.
p
p
El oscilador local proporciona 5dBm a 35MHz con
una impedancia de salida de 50
IND RES
ACVS
ID=R1
ID=
L2
ACVS
RES
ID=
V2
RES
PORT
CAP
R=
1200
CAP
CAP
PORT
CAP
L=
10000
nH Ohm
ID=
V1
ID=
R3
ID=
P=
2R4
GBJT
Mag=
1
V C3 La impedancia de carga es tambin de 50
ID=
C1
C2
ID=
C5
P=
1ID=
CAP
ID=
Mag=
1
V
ID=GP1
RES
R=
1
Ohm
R=
1
Ohm
Z=
50
Ohm
Ang=
Deg
C=
71
pF
ID=
C4
C=
130C=
pF
C=
pF
Z=
50
Ohm
3 pF
Ang=
0IND
Deg
ID=
R2
C=10e6
pF
L1 Ohm
ID=
R=
1200
((utilizando un transistor de Motorola)) tiene el
El
L=
L
250 diseo
nH
esquema siguiente:
5V

50
LO
35MHz

L2

CLO

Cc

CRF

2 C

4
S

1
B

50

Cvar
RF
30MH
30MHz
Pilar MOLINA GAUD
pimolina@ieee.org

RL

50

L1
CE

3pF

RE
1k2

Arturo MEDIANO
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-3V

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Estudio previo

Disear los valores de CLO, CRF, y L1 tal que:

La impedancia de entrada del transistor est
adaptada (a la frecuencia de RF) con la entrada de
RF.
NOTA: Considerad que a 30MHz la ZIN=36-200j
- El impedancia
p
de salida del oscilador local NO
INFLUYA para nada en la entrada (alta
desadaptacin)
NOTA: Para ello utiliza las propiedades de
transformacin entre circuitos serie-paralelo.
IMPED
Z1
ID=Z2
R=0 Ohm
X=0 Ohm

ZIN
Z

Pilar MOLINA GAUD

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Modelo del transistor

El modelo del transistor Motorola 2N5109 no

aparece
p
en las libreras de Microwave Office. Para
generar un modelo de transistor similar:
Introduce en un esquemtico un transistor BJT-NPN
genrico (Non-linear).
Edita
d ae
el modelo
ode o e introduce
oduce los
os ssiguientes
gu e es pa
parmetros
e os
en los campos secundarios:
Is=5e-12 mA
BF=90
NF=1
VAF=240
IKF=200 mA
ISE=1e-5 mA
NE=4
BR=1
NR=1
ISC=1e-5
ISC
1e 5 mA

Pilar MOLINA GAUD

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NC=4
RB=.25
RBM=.25
RE=.25
RC=1.5
CJE=10pF
p
CJC=5pF
Tf=0.1 ns
Tr=20 ns
KF=1e-15

Arturo MEDIANO
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Punto de polarizacin

Comprueba en Microwave Office, por medio del

correspondiente
p
esquemtico,
q
, el p
punto de
polarizacin del transistor.
Realiza un esquemtico con slo el transistor y los
elementos de polarizacin
U
Utiliza
a Bias-T
as e
en la
ae
entrada
ada y e
en e
el e
emisor
so ((EMISOR
SO
COMUN) para poder comprobar despus los valores
de la impedancia de entrada del transistor.

5V

DCVS
PORT
DCVS
RES
GBJT
V1
P=
1ID=
ID=
V2
BIASTEE
ID=
R1
ID=GP1
V=
3VV
ID=X1
Z=
0.1
V=
5Ohm
R=
1200
Ohm

2 C

RF
&
DC

RF
DC

4
S

1
B

3
3

BIASTEE
ID=X2
1

RF
&
DC

RF

DC
3

1200

Pilar MOLINA GAUD

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-3V

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Mezclador sin filtro a la salida

Utiliza los valores previamente diseados de

CLO
CRF
L1
Y valores adecuados para los elementos de choque y
desacoplo: L2, CE y CC
para verificar el diseo del mezclador. Comprueba:
- Los armnicos de la potencia de salida
- La ganancia de conversin del mezclador
- La
L fforma de
d onda
d d
de lla ttensin
i a lla salida
lid Te
T
parece razonable?

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Filtro de salida

Para solucionar los problemas del apartado anterior

disea un filtro de salida de BW=250KHz
Es necesario aadir alguna otra bobina a la salida
para llevar a cabo el filtrado o existe alguna otra
alternativa?
Aade el filtro de salida con los valores diseados
Comprueba:
- Ganancia de conversin del mezclador con filtro
- Formas de onda de tensin a la salida
- Armnicos de la potencia de salida

Utiliza la herramienta Tune para modificar la

resistencia de polarizacin entre 200 y 2400
Observa las diferentes ganancias de conversin

Pilar MOLINA GAUD

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Arturo MEDIANO
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