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Variac Monofsico
Puente de Diodos
Condensador
3 cargas resistivas
Marco Terico:
Disparo de un IGBT:
[1]
Un IGBT es un dispositivo semiconductor que presenta cuatro capas: PNPN. Si
estructura es similar a la de un MOSFET. Posee la caracterstica de las seales de
puerta de los transistores de efecto campo (MOSFETs) y la capacidad de alta
corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar (BJTs). Presenta una
puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor. El circuito de excitacin del IGBT es como el MOSFET, controlado por
voltaje, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.
Para que los IGBTs conduzcan es necesario generar una seal de voltaje de
alrededor de 15 V, entre puerta y emisor. Por lo tanto, al cambiar de estado los
IGBTs generan tierras flotantes en las fuentes de disparo, lo que hace necesaria la
implementacin de un circuito de disparo que sea capaz de generar los 15V,
independientemente para cada uno. Para solucionar este problema se hizo uso del
circuito integrado IR2110.
El diagrama circuital para los GateDrives es el siguiente:
9V
C1
0.01u
470
330
12V
U1
R1
PWM1
10k
OPTOCOUPLER-NAND
U3:A
1
D1
2
BAV20WS-7
7414
U4
3
10
11
9V
12
C2
R2
PWM2
0.01u
U2
2
HIN
VC
VB
COM
HO
VS
LO
SD
LIN
330
C3
C4
100n
22u
R3
7
5
1
IR2110
68
R4
TIRISTOR 1
GND 1
68
470
TIRISTOR 2
GND 2
OPTOCOUPLER-NAND
U3:B
3
V P = 2V = 2220=311.12[V ]
Por lo tanto se necesitan dos capacitores que soporten la mitad del voltaje pico.
Para la inversin:
El uso del timer0 en configuracin pwm fase correcta permiti obtener los
tiempos muertos de acuerdo a los que se necesitaba para el IGBT; adems,
debido a la configuracin interna del microcontrolador, el clculo para la
frecuencia nos daba un valor aproximado a los 5KHz, es decir 4.902KHz, lo
cual era aceptable con respecto a los requerimientos del trabajo preparatorio.
Diego Ocaa:
Samantha Toinga:
Felipe Zambrano:
Debido a que las seales que entran a cada transistor necesitan estar
referenciadas a la parte del emisor, es necesario la utilizacin de GateDrives,
cuya funcin es obtener referencias distintas y de esta manera realizar el
control y el disparo de los IGBTs o MOSFETs. Para un inversor es necesario
Bibliografa:
[1] DISEO Y CONSTRUCCIN DE UN INVERSOR TRIFSICO Design and Construction
of a Three-phase inverter. Universidad Tecnolgica de Pereira