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Escuela Politcnica Nacional

Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica


Laboratorio de Control de Mquinas
Informe #4
Tema: DISEO DE GATE DRIVERS PARA EL DISPARO DE IGBTs EN UN INVERSOR
TRIFSICO
Objetivos:
Analizar los mtodos de disparo de IGBTs en un inversor trifsico.
Disear los gate drivers para el disparo de IGBTs en un inversor trifsico
compuesto por 6 IGBTs.
Implementar y comprobar el funcionamiento de los drivers diseados.
Equipo Y Materiales:

Fuente de DC de dos salidas


Osciloscopio
2 sondas de voltaje
Sonda de corriente
Multmetro

Variac Monofsico
Puente de Diodos
Condensador
3 cargas resistivas

Marco Terico:
Disparo de un IGBT:
[1]
Un IGBT es un dispositivo semiconductor que presenta cuatro capas: PNPN. Si
estructura es similar a la de un MOSFET. Posee la caracterstica de las seales de
puerta de los transistores de efecto campo (MOSFETs) y la capacidad de alta
corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar (BJTs). Presenta una
puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como
interruptor. El circuito de excitacin del IGBT es como el MOSFET, controlado por
voltaje, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.

La topologa de un inversor trifsico en puente completo es la siguiente: (omitiendo


la parte de rectificacin)

Se componen 6 transistores IGBTs, cada uno con un diodo en conexin inversa,


empleados para conducir la corriente reactiva de retorno a la fuente. Los inversores
se dividen segn su forma de operar:
En conduccin a 180 de cada elemento, con lo cual existen 3 elementos en
conduccin al mismo tiempo, y conduccin a 120, con 2 elementos por vez. Se
pueden alimentar cargas trifsicas simtricas en delta y en estrella.

Para que los IGBTs conduzcan es necesario generar una seal de voltaje de
alrededor de 15 V, entre puerta y emisor. Por lo tanto, al cambiar de estado los
IGBTs generan tierras flotantes en las fuentes de disparo, lo que hace necesaria la
implementacin de un circuito de disparo que sea capaz de generar los 15V,
independientemente para cada uno. Para solucionar este problema se hizo uso del
circuito integrado IR2110.
El diagrama circuital para los GateDrives es el siguiente:
9V

C1
0.01u

470

330

12V

U1

R1
PWM1

10k

OPTOCOUPLER-NAND

U3:A
1

D1
2
BAV20WS-7

7414

U4

3
10
11

9V

12

C2
R2
PWM2

0.01u

U2
2

HIN

VC

VB

COM

HO
VS
LO

SD
LIN

330

C3

C4

100n

22u

R3

7
5
1
IR2110

68

R4

TIRISTOR 1

GND 1

68

470

TIRISTOR 2

GND 2
OPTOCOUPLER-NAND

U3:B
3

GND DEL CONTROL


7414

En donde se observa la parte de optoacoplamiento para aislamiento, los


disparadores Schmitt para obtener disparos verticales y el GateDrive IR2110 para
generar las tierras necesarias para el disparo de los IGBTs.
Preguntas:
1. Mostrar las formas de onda obtenidas para los puntos 1 y 2 del
procedimiento. Se debe observar al menos: t encendido y t de
apagado para cada IGBT, tiempo de retardo entre el encendido y
apagado para un par de IGBTs en un mismo ramal, asi como los
tiempos de retardo entre la seal de control y la seal de salida del
gate drive.

Formas de onda utilizando la siguiente configuracin:

Retardo en el encendido entre la seal


generada por el microprocesador y la
que llega al Gate del Transistor.
= 180 [ns]

Retardo en el apagado entre la seal


generada por el microprocesador y la que
llega al Gate del Transistor.
= 300 [ns]

Formas de onda utilizando la siguiente configuracin:

Encendido del transistor 1 y apagado del transistor


2.
Visualizacin de los tiempos muertos.

Encendido del transistor 2 y apagado del transistor


1.
Visualizacin de los tiempos muertos.

2. Presentar los diseos finales y diagramas circuitales implementados


en el laboratorio.
En el diagrama circuital se observa la parte de aislamiento control-potencia, que
consta de un optoacoplador y un disparador de Schmitt, el GateDrive IR2110 que
servir para generar las tierras para el disparo de cada IGBT y el control, de donde
se obtuvieron las seales correspondientes para el disparo de los IGBTs.

3. Realizar el diseo de hardware de un inversor trifsico alimentado a


partir de la RED elctrica trifsica (R, S, T) para un motor de HP,
220V, 1.9A. Dimensionar puente de Diodos, circuito de carga y
descarga de condensador en el lado DC, dimensionamiento de
IGBTs.
Existen 3 partes a ser dimensionadas (con sus respectivas protecciones), la parte de
rectificacin (diodos), el bus DC (capacitores) y el inversor (IGBTs, diodos de retorno
rpidos):

Para el puente rectificador


Se han utilizado los diodos FR 307
cuyas caractersticas son las
siguientes:

Es necesario adems un fusible, que ser 4 o 5 veces la corriente de nominal:


I = 5*1.9 = 9.5 [A]
Por lo tanto se ha seleccionado un fusible de 10 [A]
Para el Bus DC:
Son necesarios 2 capacitores, que soporten el voltaje de lnea pico.
VLL = 220 [V]
El voltaje pico a la salida ser:

V P = 2V = 2220=311.12[V ]
Por lo tanto se necesitan dos capacitores que soporten la mitad del voltaje pico.

Para la inversin:

Se han seleccionado los IGBTs IRG40PC50W cuyas caractersticas principales son:


I = 27 [A]
V = 600 [V]
Conclusiones y Recomendaciones:
Francisco Ayala:
o

El dimensionamiento de los tiempos de retardo fue consecuencia de la


eleccin de los semiconductores de potencia, en nuestro caso los IGBTs; para
ello, se escudri las hojas de datos para que aumentemos el tiempo de
encendido y apagado para cada uno de los IGBTs con un factor de seguridad
de 0.5.

Es importante considerar el aislamiento de las tierras de cada uno de los


circuitos para que no existan interferencias o en caso ms grave un
cortocircuito entre los elementos que se utilizan; sin embargo, al emplear el
gate driver, dicha etapa entre la entrada del driver y la potencia, no necesita

ser aislada debido a su configuracin interna y su propsito para el cual fue


creado.
o

Debido al hecho de que los IGBTs permiten soportar la conduccin de


corrientes inversas, no existe la necesidad de un diodo en antiparalelo
conectado a l. No obstante, se debe conectar un diodo para proteger al
elemento frente a alguna corriente indeseada. Adems, cuando ya se trabaja
con corrientes ms altas, es indispensable utilizar disipadores de calor junto
con micas aislantes.

El uso del timer0 en configuracin pwm fase correcta permiti obtener los
tiempos muertos de acuerdo a los que se necesitaba para el IGBT; adems,
debido a la configuracin interna del microcontrolador, el clculo para la
frecuencia nos daba un valor aproximado a los 5KHz, es decir 4.902KHz, lo
cual era aceptable con respecto a los requerimientos del trabajo preparatorio.

Diego Ocaa:

Se comprob el correcto funcionamiento de los Gate Drivers para controlar


los IGBTs.
Al analizar las formas de onda respectivas para los disparos de cada IGBT se
comprob los retardos respectivos tanto el apagado como en el encendido.
Se debe aumentar el retardo hecho en software para que no interpongan los
diparos de cada IGBT y exista un mal funcionamiento.

Samantha Toinga:

El control para el disparo de los IGBTs deba estar correctamente, es decir


que el tiempo muerto entre las el disparo del uno y del otro era importante
para que los dos no se activaran al mismo tiempo.
En el diseo del Gate Driver se utilizaron unas optonand (6N137), por
seguridad de la etapa de control. Con este se aseguraba tener una tierra para
el control y otra para la potencia. Se podra retirar las optonand una vez que
se haya asegurado que el funcionamiento del control est bien.
Una de las formas de comprobar que el control se encuentra bien, es
conectando los dos IGBTs al gate driver para que cada una de estas reciba
la seal de disparo, y se conecta un foco en serie de la fuente con el IGBT de
la parte superior; el cul no se deba encender por la ausencia de corriente.
Lo que los tiempos muertos permiten asegurar es que los dos IGBTs no se
encuentra encendidos al mismo tiempo. Sino que mientras el uno ya se
apague el otro IGBT para que reciba el disparo esperar unos micros
segundos para encenderse.

Felipe Zambrano:

Debido a que las seales que entran a cada transistor necesitan estar
referenciadas a la parte del emisor, es necesario la utilizacin de GateDrives,
cuya funcin es obtener referencias distintas y de esta manera realizar el
control y el disparo de los IGBTs o MOSFETs. Para un inversor es necesario

contar con 4 referencias diferentes, 1 para cada transistor de la parte


superior del inversor (3), y 1 para los transistores que conectan a la carga
con la parte negativa del puente de diodos.
Es primordial tener en cuenta el tiempo de encendido y apagado de los
transistores para el correcto dimensionamiento de los tiempos muertos. Ya
que de esta manera se impedir que los transistores entren en conduccin al
mismo tiempo, evitando un cortocircuito entre las lneas. Los tiempos
muertos pueden ser establecidos por software, en el programa realizado para
el control, o por hardware, aumentando retardos con compuertas o con otros
elementos.
Para tener un control ptimo y evitar posibles fallas, es necesario aislar la
parte de control de la parte de potencia, es por ello que el uso de opto
acopladores tipo NAND es fundamental para realizar dicha funcin. Adems
se han usado disparadores de Schmitt para obtener disparos verticales a la
entrada del GateDriver.

Bibliografa:
[1] DISEO Y CONSTRUCCIN DE UN INVERSOR TRIFSICO Design and Construction
of a Three-phase inverter. Universidad Tecnolgica de Pereira

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