PROFESOR:

._

DONACIANO JIMNEZ

ALUMNO:
JAVIER GARCIA PREZ

MATRCULA: 93220307
MATERIA: PROYECTO TERMINAL11
TTULO DEL PROYECTO:

Amplificadores de potencia paraRF

Fecha: 26/03/99

lndice de Contenido
1. Objetivos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2. Introduccin. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

encias
altas 3. Comunicaciones
en
RF
4.para
slido
Dispositivos
estado
de
activos

.......................................................................... 8
..........................................................

10

4.1. Dispositivos activos de tres terminales para

..................................................
RF

11

5. Transistores para HFy RF.........................................................................................

12

5.1. Teora y operacin delos transistores bipolares en RF

......................................

13

5.2. Tcnicas de fabricacin de transistores de potencia para

.............................
RF

15

6. Amplificadores de potencia para HF

y RF................................................................. 17
.....................................
6.1. Clases de operacin de los amplificadores de potencia

18

6.2. Diferencias entrelos amplificadores para HFy los amplificadores para RF

..............................................................................................................................

18

6.3. Amplificadores modulares

................................................................................... 20
6.4. Otros dispositivos de amplificacin en
...........................................................
RF

21

7. Elementos empleados en circuitos de radio frecuencia

............................................. 22
7.1. Lneas de transmisin
.........................................................................................

22

7.2. Lneas de transmisin desacopladas

.................................................................. 23
7.3. Lneas de transmisin en el dominio de la frecuencia
.........................................

23

7.4. Impedancia caracterstica

y acoplamiento..........................................................

24

7.5.Amplificadores entonados
...................................................................................

25

7.6. Osciladores
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
7.7.Mezcladores y moduladores................................................................................ 27

7.8.Multiplicadores de frecuencia
............................................................................. -28
7.9.Filtros. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.1O .

28

Detectores.................................................................................................. 28

8. Tcnicas de deteccin y medicin de potencia enHF y R F...................................... 29

8.1.Rectificacin de la seal
......................................................................................

29

8.2.Deteccin sncrona. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
8.3.Control por fuentede corriente............................................................................

29

8.4.Deteccin por seguimiento de amplitud

.............................................................. 30
.........................................................................................
8.5.Deteccin de potencia

30

8.6.Generacin y deteccin por AM .......................................................................... 31

...................................................................................
8.7.Receptor superheterodino

9. Ejemplos de aplicaciones con amplificadores de potencia para

RF

31

...................................................................................................................................

33

9.1.Modo de operacinE-A para un amplificador de potenciaen RF de alta

eficiencia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

33

9.2.Amplificador de potencia para

R F de 25kW........................................................ 34
9.3.Amplificador de potencia paraR F con transistores bipolares de quinta
e inalmbricos...........................................
generacin para telfonos celulares

35

9.3.1. Generalidades delamplificador.................................................................

35

9.3.2. Funcionamiento.........................................................................................

37

9.3.3. Acoplamiento de las impedancias............................................................. 38

9.3.4. Polarizacin del amplificador.....................................................................

38

10. Bibliografa. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

1. Objetivos
El objetivo del presente trabajo consiste en comentar, a travs de
los distintos temas, la
teora bsica que se requiere para poder entender, de manera general,los principios de
funcionamientode los sistemaselectrnicosdecomunicacionesquehacenusode
elementos activos, principalmente transistores, para la amplificacin de potencia de las
seales alasalidadeltransmisor,pertenecientesalaporcinaltasfrecuencias
y
superiores del espectro electromagntico.

Estos conceptos son importantes pues determinan como poder transmitir estas seales
a grandesdistancias, y como sonutilizadosenmuchossistemas
de comunicacin
modernos,comoen
los telfonoscelulareseinalmbricos,
los radares y enlas
comunicaciones va satlite, principalmente.

2. Introduccibn
Si decomunicacionessetratasepuede
inmediatamente
pensar
dos en
posibilidades:
comunicaciones
humanas,
:...... ...
y...:.:.:.:.,.
.::.!:
...
. ..A.i
......
.
:
estudiadas
sociologa
en
y psicologa
.
..-......
..
principalmente,
o
comunicaciones
electrnicas,quelagenteengenerallas
comprende ms como comunicaciones que
hacen uso de alguna tecnologa. Detrs de
estesegundocontextoseencuentrauna
enorme
cantidad
de
teoras
y principios
provenientes
de
las
ciencias
exactas
y
desarrollados durante muchas dcadas. El ingenio humano ha sido el responsable de
esta situacin y consecuentemente lo sigue siendo al observar la sorprendente cantidad
detecnologaquenosrodeaactualmente.
Los cuestionamientosrespecto aestas
tecnologas sobran, sin embargo no se puede negar sus beneficios.
.
..
.
.
..... . .
.
.

Los campos de la electrnica y de las ingenieras que hacen uso de esta ciencia son
extremadamenteamplios
y alparecersurgencontinuamenteespecialidadesmuy
especficas en este ramo. Una de esas ramas, tal vez la de surgimiento ms reciente,
es la delastelecomunicaciones.Dehechohaexistido,
o ms bien surgi,haceya
varias dcadas por necesidades militares principalmente como en muchos otros casos.
Pero el verdadero auge de las telecomunicaciones es el que existe actualmente ya que
setienenmuchosde
los mejoresavancestecnolgicosprcticamente
anuestro
alcance. Ejemplos de esto se encuentran en
los sistemas de comunicacin digital (o
analgica) va satlite, sistemas de radar de muchos tipos, principalmente
los que se
utilizan en sistemas de navegacin, sistemas de comunicacin personal como telfonos
celulares e inalmbricos, etc.
Las seales' transmitidas por estos equipos tiene un alcance tal que prcticamente no
existe un lugar de la tierra que no transmita
o reciba seales elctricas de distintas
clases y con distintos propsitos, pero el principal y ms importante, al igual que enlos
procesos de comunicacin humana, es el de intercambiar
y compartir informacin.
Para
transmitir
seales
elctricas
por
cualquier
medio,
como
cables
o el
aire
principalmente, se deben cumplir requisitos que le permitan llegar a su destino de forma
adecuada.Algunosrequisitosparaquelleguedeunamaneraadecuadaalreceptor
son:
J Sin distorsiones. El canal o medioporelquesepropagasiemprecontaminar
o
distorsionar las seales que viajan porl.
J Potenciaadecuada.Deestefactordepender,entreotras
cosas, quetanlejos
llegue la seal, aunque est relacionado con ms factores.
Para que se cumplan estos requisitos existe una amplia teora que describe la manera
de lograrlo. Para la inmunidad al ruido del canal, por ejemplo, han surgido tcnicas de
1

Formalmente una seal elctrica es una onda electromagntica que se propaga por
algn medio.

transmisin digitales que regeneran la seal a lo largo de su recorrido permitiendo, a

diferencia de las tcnicas analgicas, una recepcin casi libre de errores. La potencia
de un transmisor de cualquier equipo de telecomunicaciones, radar, satlites, telfonos
celulares,etc.esproporcionadaporetapasdeamplificacin,
y estasetapasestn
constituidas generalmente por transistores.
El transistor es uno delos inventos ms revolucionarios dela historia pues el desarrollo
tecnolgico actual esta basado en un sin fin de equipos, instrumentos y procesos que
hacenusodetransistores,yaseaqueestnintegradosagranescalacomoen
los
microprocesadores
de
equipos
de
cmputo,
microcontroladores
o procesadores
digitales de seales (DSP),o que se empleen individualmente; el principio fundamental
defuncionamientoeselmismocondiferenciasparticularesparacadaunode
los
cientos o tal vez miles de modelos de transistores que existen actualmente.

Los procesos de amplificacin que emplean muchos equipo electrnicos actuales son
necesarios por muchas razones:
J para que estos puedan transmitir ms lejos
J paraquelassealesseanmsinmunesalruido
y alasnterferenciasdeotras
seales
J para que las seales puedan ser entregadas a varios receptores simultneamente
lo importanteesentenderqueen
los procesosde
Existenmsrazones,pero
comunicaciones electrnicas, es decir, aquellas comunicaciones que emplean equipos
electrnicos para transmitir la informacin en forma de ondas electromagnticas, se
conjuntanmuchasespecialidades
y sehacenecesarioelcumplimientodemuchos
requisitos para ello.

Finalmentecabemencionar,enestemismombito,quelassealeselctricasde
informacinsonuncasoespecialdeondaelectromagnticaquepuedeubicarse
siempredentrodeunrangodefrecuenciasen
el espectroelectromagntico.Las
seales de radio, televisin, de radar, satelitales, etc. se les puede ubicar siempre en
algn rango de frecuencias denominado comnmente banda de frecuencias o en otros
casos simplemente ancho de banda, aligualqueotrostiposdesealesquenose
encuentran disponibleso no son tiles para fines de comunicaciones.
Para ilustrar los principales rangos de frecuencias que se manejan en comunicaciones
as comosussiglasconvencionalesquelasdistinguensemuestraunaporcindel
espectro electromagntico destinado a las frecuencias de radiodifusin conla finalidad
de ubicar el rango o espacio de frecuencias que se discutirn con mayor detalle a
lo
largo de este trabajo.

1o6
LF VLF VF ELF
300
Hz

1ob

1o4

1o3

300
kHz

1o2
1O'
1oo
1o-'
1o"
HF
VHF
UHF EHF
SHF
3
30 3
30
30
300
MHz kHz kHz
GHz
microondas

Designaciones de frecuencias

VHF
UHF
. SHF

Frecuencia de voz

Frecuencia media

Frecuencia ultra alta

Frecuencia super alta
Frecuencia extremadamente

GHz

MHz

MHz

I Rango

Abreviatura [ Descripcin

ELF
VF
VLF
LF
MF

A, m

alta

30-300 HZ Frecuencia extremadamente ba

300-3000 HZ
30-300 kHz Frecuencia muy baja
30-300 kHz Frecuencia baja
300-3000 kHz
3-30 MHz Frecuencia alta HF
30-300 MHz Frecuencia muy alta
300-3000 MHz
3-30 GHz
EHF 30-300 GHz

Tabla 1. Especificaciones de frecuenciasy designaciones

3. Comunicaciones en altas frecuencias

Las transmisiones de radio frecuencia entrelos 3 y los 30MHz son por convencin de la
ITU denominadas altas frecuencias (HF) o ondas cortas. Las comunicaciones en altas
frecuencias son el nico mtodo de la radio transmisin
o radio difusin debido a sus
peculiares caractersticas de propagacin. Este fenmeno de propagacin
lo llegan a
aprovechar inclusive simples aficionados pudiendo realizar transmisiones satisfactorias
con una potencia radiada de1 a2W.
Lasfrecuenciasde
RF o radiofrecuencias,demaneramuygeneral,sonaquellas
y las frecuencias de rayos
frecuencias que se encuentran entre las frecuencias de audio
o emisiones infrarrojo. En algunas referencias2 se definen
los lmites para la prctica de
radiofrecuenciasenellmitedeIOkHzaIOOGHz.Enesterangodefrecuenciasla
radiacin
electromagntica
puede
detectarse
ser
y amplificada
como
corrientes
elctricas en una frecuencia de onda. La transmisin de seales por medio de ondas
electromagnticas radiadas que no son luz ni calor se denomina radio transmisin y la
propagacindeunaondaderadioeslatransferenciadeenerga
o radiacin
electromagntica en radio frecuencias.
El trmino microondas se emplea para hace referenciaa las ondas de radio cercanas a
IGHz o posteriores;estanoesestrictamenteunadefinicin
y puedenencontrarse
discrepancias con otros textos especializados.

En la teora de las comunicaciones se habla de un canal de comunicaciones como un

medio por el cual se transporta informacin de un punto
a otro. Por ejemplo, el canal
podra consistir de un cableo de un enlace de fibra ptica.
Encomunicacionesderadiofrecuenciaelcanaleselespectroelectromagnticode
frecuenciaselcualseextiendedelasfrecuenciasextremadamentebajas(VLF)del
ordendeunocuantoskilohertzatravesandolasondascortasdeunoscuantos
megahertzhastadecenasdemegahertz,lasfrecuenciasmuyaltas(VHF)
y las
frecuencias ultra altas (UHF) extendindose hasta varios cientos de megahertz,
y la
regin de microondas que comienza cerca de
IGHz.
Debido a que las tcnicas de radio frecuencia (RF) encuentran su mayor aplicacin de
comunicaciones, es importante entender como pueden ser moduladas y demoduladas
lasseales y enconsecuenciacomoseusanlasradiofrecuenciasparallevarla
informacin de un lugar a otro. El mtodo de modulacin ms empleado es el de banda
lateral nica con portadora suprimida (single-sideband suppressed carrier
- SSBSC).
En este esquema de modulacin el amplificador de potencia en el transmisor eleva la
potenciadeunasealdebajonivelconelmnimoposiblededistorsin.Deesta
manera se requiere que la envolvente de la seal de salida est tan
cerca como sea
posible de ser una rplica de la seal de entrada.
Unasealdevoz,porejemplo,seenvasobreuncanalderadiofrecuenciaalser
moduladaporunaportadoraderadiofrecuencia.Comoenmuchosotroscasosde
~~

IEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms

transmisin, la voz no se transmite directamente. Las razones son las siguientes

(en RF
o en cualquier otro rango de frecuencias):
Si la informacin fuera transmitida en su banda natural de frecuencias con ondas de
radio (en este caso 3kHz, o sea en la porcin VLF del espectro), cualesquiera dos
seales podran interferirse o sobreponerse, por lo que al codificar la informacin en
portadoras pertenecientes a distintas porciones del espectro es posible multiplexar
frecuencia
en seal
lamanteniendo
esta
de
forma
muchos
canales
simultneamente.
Algunas
longitudes
de
onda
se
generan
y propagan
de
una
manera
ms
conveniente que otra. Por ejemplo, en la regin de los ~ " I za 30MHz, las seales
pueden viajar por todo el mundo mediante mltiples reflexiones en la ionosfera,
y
conantenasparafrecuenciasdemicroondasdetamaoadecuadosepueden
formar haces estrechos.
En consecuencia, la regin de altas frecuencias (HF)
o de ondas cortas se usa para
comunicacioneshorizontalesmientrasquelasmicroondasseusanpararepetidores
visibles y radares.
Losamplificadoresdepotenciausadosparacomunicacionesdealtafrecuencia
producen potencias de salida en el rango de 1OW a 1OOkW o ms. La tendencia de los
amplificadores actuales de potencia para altas frecuencias, anlos de alta potencia, es
usar mdulos de amplificacin con dispositivos de estado slido. La ventaja del uso de
estos dispositivos es que eliminan el alto voltaje3 requerido en la operacin con tubos
de vaco.

La palabra voltaje se utiliza tan frecuentemente en la literatura tcnica y cientifica en el espaol que hara pensar
que es correcta en cualquiercontexto. Sin embargolapalabracorrecta
y adecuadaquedeberaemplearse
invariablemente es tensin. En este trabajo se seguir utilizando la palabra 'voltaje' con
el fin de seguir solo los
esquemas comunes recalcando de antemano su uso arraigado e inadecuado.

4. Dispositivos activos4 de estado

slido para RF
Durantelasdosdcadaspasadas,loscircuitosactivoshanevolucionadode
los
transistores individuales de estado slido y elementos pasivos alojados en guas de
ondasconvencionalesy/olneascoaxialeshastacircuitosintegradoscompactos
incluyendo componentes activos y pasivos e interconexiones referidas genricamente
como circuitos integrados para microondas (MIC en ingls). Otras derivaciones son:
Circuitosintearadoshbridosparamicroondas(HMIC).Consistendeunpatrnde
interconexiones y un circuito de componentes impresos distribuidos sobre un substrato
apropiado.
Circuitos
intearados
monolticos
para
microondas
("IC).
En
estos
todas
las
interconexiones
componentes,
y
tanto
activos
como
pasivos,
fabrican
se
simultneamente sobre un substrato semiconductor semiaislado (usualmente arseniuro
de galio GaAs).
EltrminoMMlCseusapara
los circuitosqueoperanenlaregindelespectro
electromagntico
con
longitudes
de
ondas
milimtricas
(30-300GHz)
as
como
microondas (1-30GHz).
Los dispositivosactivosquepuedensuministrargananciasenaltasfrecuenciasy
microondassefabricandedistintosmaterialessemiconductores.
Los circuitosde
microondasqueusanestosdispositivos
se encuentranenfiltros,amplificadores,
osciladores,
atenuadores,
moduladores,
mezcladores,
registros
de
corrimiento,
interruptores y muchos otros que se utilizan en aplicaciones de transmisin
y recepcin
cubriendo las regiones mencionadas arriba.
La clasificacin de estos tipos delos dispositivos de estado slido siguiente:
1) Dispositivos activos de dos terminales
a)Diodos
i)Diodosdetnel
ii) Diodossccottky
iii) Diodos de tiempo de trnsito (IMPATT)
b) Otros dispositivos de dos terminales
i) Dispositivos de electrn transferido
ii) Varactores
2) Dispositivos activos depara microondas de tres terminales
a) Transistores de efecto de campo
i) Transistores de efecto de campo de metal semiconductor (MESFET)*
ii) Transistores de alta movilidad de electrones (HEMET)
b) Transistores bipolares (BJT) *
i) Transistores bipolares de hetero unin (HBT)

Un dispositivo activo es aquel que convierte energa proveniente de una fuente de voltaje polarizada de comente
directa a una seilal de radio frecuencia.Los dispositivos activos se requieren en osciladoresy amplifcadores.

Los
dispositivos
marcados
con
un
asterisco
(*) son los mas
empleados
para
aplicaciones de microondas tales como el radar, comunicaciones de muy diversos tipos
incluyendocomunicacionesnavales
ymilitares,ascomoarmamentointeligente,
electrnica de consumo, instrumentos de microondas, etc.,y pueden operar desde ultra
altas frecuencias hasta las denominadas ondas milimtricas.
Los quesedescribirnconmsdetalleson
los transistoresbipolaresutilizadosen
amplificadores de potencia de telfonos celulares e inalmbricos.

Dispositivos activos detres terminales paraRF

Eldesempeoenaltasfrecuenciashamejoradodramticamenteenlasltimasdos
dcadas.Hace 20 aosaproximadamente los transistoresquepodanproporcionar
gananciastilesafrecuenciassuperioresa
los IOGHzeran solo unacuriosidadde
laboratorio. Actualmente tales dispositivos ya estn totalmente disponibles adems de
los 1OOGHz. Estemejoramiento
queoperaninclusive
afrecuenciassuperioresa
dramticosehalogradopor
los avancesenelcrecimientodelatecnologade
los
materiales semiconductores aunado con mejoras en
el diseo y tcnicas de fabricacin
Los dispositivos activos para microondas pueden fabricarse como dispositivos de dos
terminales (diodos) o de tres terminales (transistores). Generalmente, se prefieren los
transistoresparalamayoradelasaplicacionesdebidoaqueproporcionanmedios
convenientes para el control del su desempeo en RF. Los elementos activos de tres
terminales permiten un aislamiento inherente entre los circuitos de entrada y salida de
RF. Los amplificadores ylos osciladores se disean fcilmente proporcionando circuitos
con caractersticas de estabilizaciny retroalimentacin propias.
La tecnologa delos materiales semiconductores contina mejorando para brindar cada
vez un mejordesempeoenaltasfrecuencias.Tantos
los transistoresdeefectode
campo
como
los bipolares
se
emplean
comnmente
en
sistemas
prcticos
de
microondas como amplificadores, osciladores y bloques de ganancia. Los transistores
hanreemplazadomuchosdispositivosdedosterminalesdebido
alasmejorasde
desempeo y fcil uso. Los transistores se han integrado fcilmente tanto en circuitos
integradostantohbridoscomomonolticostrayendocomoenconsecuenciauna
reduccin de tamao, peso y consumo de potencia de corriente directa, as como un
incremento en la fiabilidad de su uso. Estos transistores tambin se polarizan fcilmente
y laconfiguracindereddedospuertosconducenaturalmente
a unaseparacin
inherente entre las redes de entrada y salida.

5. Transistores para HF y RF
Los amplificadores, para pequea seal, que estn configurados en emisor comn con
resistordecargadecolector,muestranundecaimientodegananciaconformese
incrementa la frecuencia de la seal debiendo esto principalmente a los efectos de las
capacitancias de la cargay la junturao unin.
Lacapacitancianoeselnicofactorqueafectalareduccindelagananciadel
amplificador en altas frecuencias. La capacitancia de retroalimentacin (Ccb) desde la
entrada hasta la salida puede dominar la cada de alta frecuencia especialmente si la
impedanciadelafuentedelasealdeentradanoesbaja.Paradeterminardonde
decaer un amplificador, y que se puede hacer al respecto, se necesita introducir un
modelo de AC relativamente sencillo tanto para transistores bipolares como para FETs.
Losmodelosdeemisorcomnqueseilustranenlafigura
1 son los mssencillos
posibles para altas frecuencias y se pueden utilizar an para estimarel desempeo de
circuitos de alta velocidad.
(b)
Cab,Ccb

,""""""-"""""

Crss,Cdg

Fig. 1. Circuitos equivalentes a altas frecuenciaspara un (a) transistor bipolary para un (b) FET
"L

"
"
"
"
"
"
"
"
"
"
"
~

Enestoscasos,lacapacitanciaefectivaaumentadrsticamenteenlamedidaque
aumenta la corriente de la base, y debido a que V es cercano a Vd, tiene sentido que
incluyan el valor de Cie en las hojas de especificaciones del transistor. Sin embargo,
resultaquelacapacitanciaefectiva
Cie se
incrementaconelaumentode
IE, y
disminuyendo re, detal manera que el producto RC (r&ie) permanece casi constante.
Comoresultadolagananciadeltransistorenunafrecuenciaparticulardepende
principalmente de la razn entre la prdida de corriente enCie y la corriente que en ese
momento conduce la basey no es fuertemente dependiente de la corriente de colector.
Por lo tanto, en vez de intentar especificar Cie, el fabricante de transistores especifica
usualmente f ~ que
,
es la frecuencia a la cual la ganancia en corriente
(h&)ha cado a la
unidad.
La ecuacin para esta frecuencia es
la siguiente:

JT

=----

1
re

K i e

,para valores particulares deCie y re con alguna corriente de colector.

La principal diferencia entre los transistores que se emplean en RF y los de propsito

general que se emplean en altas frecuencias (no tan altas como las de RF) es el rango
de frecuencias en el que pueden operar. Los transistores de
RF que se ocupan para
aplicaciones de radio frecuencia tienen una
f~ (frecuencias de transicin) en el un rango
deaproximadamente SOOMHz aIOGHz,mientrasque
los transistoresdepropsito
general tienen unaf~ en el rango de 5OMHza 250MHz.
Teora y operacin delos transistores bipolares enRF
Los transistores bipolares difieren de los de efecto de campo en que en los bipolares
tanto los electronescomo los huecosparticipanen
el procesodetransportede
corriente.En los transistoresbipolaresexistendosestructurasbsicas:pnp
o npn,
dependiendo de conductividad comn en ambas uniones pn.
Un corte transversal de un transistor bipolar para microondas se muestra en la 2.
figura

I
L

Base

Emisor

Base

Base

Emisor

n-

t
colector

Fig. 2. Corte transversal de un transistor bipolar para microondas.

;
Las secciones con rayas indican electrodos metlicos Las designaciones n+,n-p,y ,n
indican el tipo de impureza aplicada
y el nivel de concentracin relativa.
Para aplicaciones de microondas la estructura npn se usa debido a que
la operacin se
controla por el flujo de electrones.
Engeneral, el transportedeelectronesesmsrpidoqueeldehuecos,y
los
transistores npn superan el desempeo en altas frecuencias comparndolos con
los de
unin pnp. En operacin, la unin pn base- emisor est polarizada en directa
y la unin
np base- colector en inversa. Cuando una seal RF
de se aplica a la unin base- emisor
la unin permite que se inyecte una corriente en la regin de la base que consiste en
portadores de carga minoritarios los cuales se difunden entonces a travs de la regin

de la base hacia la unin base- colector donde son llevado a travs de la unin por el
fuertecampoelctricodebidoalapolarizacin.
El tiempodetransmisinde
los
portadores de carga a travs de esta regin es pequeo excepto para transistores de
ondas milimtricas donde el tiempo de trnsito en la regin base- colector puede ser
una pequea fraccin del tiempo requerido por los portadores de carga que atraviesan
el emisor a travs del colector.
La operacin del transistor es primordiatmente controlada por los portadores de carga
minoritarios para difundirse a travs de esta regin. Por esta razn los transistores de
microondas se disean con regiones de base angostas con fin
el de minimizar el tiempo
requerido por los portadores para atravesar esta regin. El trnsito de la regin de la
base es generalmente un factor limitante que determina la capacidad del transistor en
altasfrecuencias.Lagananciadeltransistoresafectadasignificativamenteporel
comportamiento de los portadores minoritarios en la regin de la base. La densidad de
los portadoresminoritariosessignificativamentemenorque
la densidadde
los
portadoresmayoritarios.Lasregionesdebandaangostareducenelvolumendel
semiconductor donde la recombinacin delos dos tipos de portadores puede ocurrir con
lo que se obtieneun incremento en la ganancia.
La respuesta en frecuencia de un transistor bipolar se puede determinar por un anlisis
del tiempo total quele toma a un portador de carga viajar del emisor
al colector.
Debido a quelos transistores bipolares tienen tres terminales, estos pueden operar bajo
tres configuraciones distintas. Las ms empleadas son las configuraciones de emisor
comn y base comn aunque la de colector comn tambin se usa. Los amplificadores
apequeasealgeneralmenteutilizanlaconfiguracindeemisorcomny
los
amplificadoresdepotenciaamenudousanlaconfiguracindebasecomn.La
ganancia de corriente de un transistor que opera en colector comn se denota por p y
enbasecomnpor a, donde p > a , la cualestlimitadaavaloresmenoresquela
unidad. Paralos modernos transistores de microondas
a. -0.98-0.99 y po -50-60.
Una medida de la ganancia en potencia de
RF para el transistor es indicada por la
ganancia en potencia unilateral la cual se expresar en la ecuacin
Icomo sigue:

CJ E

a 0

"
"

(1) ganancia en potencia de RF para un transistor bipolar

donde U es la ganancia en potencia, CQ la ganancia de corriente dc en base comn, rb

es la resistencia de la base,C, es la capacitancia, Zec es tiempo de trnsito total emisor
a colector, y re es la resistencia del emisor.

La frecuencia a la cual U se reduce a la unidad (fmax)

es la mxima frecuencia a la cual
el dispositivo tendr caractersticas activas. Esta frecuencia es

Parapodermaximizareldesempeodeltransistorenaltasfrecuenciassenecesita
diseareldispositivodetalformaquetengaaltagananciaencorriente(fT),baja
resistencia de base(rb) y baja capacitancia de colector(Cc).

Tdcnicas de fabricacidn de transistores de potencia paraRF

Los transistores bipolares que operan cerca de
los 20GHz se fabrican generalmente de
silicio (Si). Estos dispositivos se fabrican fcilmente y a bajos costos y son tiles en
aplicaciones donde se requieren ganancias moderadas as como en aplicaciones de
baja a alta potencia para RF. Adems presentan niveles de ruido del orden de
Id6 a
1GHz y 4-5dB a 1OGHz.
Un transistor bipolar de alta frecuencia se puede construir usando heteroestructuras de
semiconductores
compuestos
tales
como
AIGaAs/GaAs.
La
operacin
de
los
transistores bipolares de silicio est limitada a frecuencias menores de 40GHz mientras
que en los transistores bipolares de heterounin pueden operar inclusive por arriba de
los IOOGHz.Ambosse
utilizantanto enaplicacionesderuidobajoascomoen
aplicaciones de alta potencia en
RF.
Existen, sin embargo, otras tcnicas de fabricacin de este tipo de transistores; una de
estases la tcnicadenominadadedoblecapadepolisilicon,
y es aplicadaenla
construccin de transistores bipolares de banda ancha de la quinta generacin como
el
que se incluye en los telfonos celulares digitales actuales as como en los telfonos
inalmbricos digitales. La caracterstica de los transistores fabricados bajo esta tcnica
radica en que su frecuencia de transicin se encuentra por arriba de
los 20GHz con
voltajes colector-emisor muy bajos. Las ganancias tpicas de potencia son del orden de
1I d 6 a 2GHz.
Esttcnicamejoralade
los transistoresconstruidosdeGaAscomosecoment
anteriormente. Para producir estos transistores con frecuencias de corte superiores a
los 20GHz que operen con voltajes colector-emisor (tensiones) inferiores
a los 3V, es
necesario que el ancho de
la base sea del orden delos 1OOnm (1x1O-m).

La tcnica descrita se ilustra en la figura

3.
watian del
Oxido

Base

walia&l
del
Colector

delcoledor

Fig. 3. Corte transversal de un transistor bipolar para RF

Los nuevos transistores bipolares de banda ancha estn basados en un proceso de

los 20GHz
capa oculta de doble polisilicon proporcionando frecuencias superiores a
combinadaconbajosvoltajes
VCE. El polisilicondepositadoseusatantoenlas
conexiones de la base como en las del emisor. Se requieren varios pasos de dopaje en
las regiones de la basey el emisor para crear una regin de base sumamente angosta
requerida para una alta frecuencia
de corte.
Diseosrecientesqueemplean
FETs dealtamovilidadelectrnica(HFETs)han
logradounruidotrmicode
8OK a8.5GHz.Paramedirlascaractersticasderuido
trmico(noisetemperature)enamplificadoresdemicroondasseutilizaunmtodo
llamado carga-caliente/carga-fra (hot-load/cold-load).

16

6. Amplificadores de potencia para HF v RF

Los circuitosamplificadoreshanrecibidolamximaatencineneldesarrollode
circuitosdeestadoslido.Lostransistores(dispositivosdelestadoslidodetres
terminales) requieren redes de acoplamiento de impedancias tanto para la entra como
para la salida. La configuracin bsica del dispositivo transistor de tres terminales se
muestra en la figura4.
zi

""""I
1
I
Rdde
I
I acoplamiento I
I .
I
I '
I

""""2

""""I

!-

"""_

Fig. 4. Configuracin de un amplificador con transistor para

altas frecuencias.

Algunas
de
las
caractersticas
ms
notables
de
frecuencias que utilizan transistores bipolares son:
J Baja sensibilidad al ruido
J Alta linealidad
J Ganancias en potencia altas y variables
J Ancho de banda ptimo
J Alto desempeo arriba de 4GHz
J Bajocosto

los amplificadores
para
altas

Los circuitos amplificadores de potencia contienen transistores capaces de manejar alta

potencia. Estos operan normalmente a tensiones mayores que los transistores de baja
potencia, y porlo tanto requieren a menudo de una fuente de alimentacin separada.
Algunostransistoresdepotenciapuedenexcedertensionesde450V
y 10A.Como
estos transistores necesitan disipar potencias elevadas, se disean en forma diferente
de los transistores de baja potencia, y pueden incluir circuitos de proteccin para limitar
la corriente. Las opciones ms comunes en
el diseo de amplificador en alta frecuencia
pueden ser:
1. Reducir la ganancia por etapa para reducir el efecto Miller.
2. Reducir la impedancia de la fuente de la seal de entrada.
3. Seleccionar un transistor de ms alta frecuencia.
4. Utilizarunaconfiguracinquenoseasensiblealafrecuencia,comolaBaseColector o la cascode.
Cuandolapotenciadesalidarequeridaexcedelacapacidadde
un amplificadorse
utilizan mltiples etapas o mdulos que se combinan para poder producir el resultado
requerido.Estasconfiguracionessedenominan
separadores y combinadores. El
separador divide la seal de entrada en mltiples salidas de igual amplitud y luego son
aplicadas a cada mdulo. El combinador luego recombina las salidas de los mdulos y
17

la seal queda lista para alimentar la carga. Los combinadores estn relacionados muy
de cerca conlos transformadores de banda ancha en diseo
y construccin.
Este mtodo se utiliza entonces para mejorar
la salida de potencia delos amplificadores
de potencia.
Clases de operacibn delos amplificadores de potencia

El propsito de un amplificador de potencia es proporcionar una tensin de salida con

una mxima excursin simtrica sin distorsin a una baja resistencia de carga. En la
prctica,unsistemasueleconsistirdevariasetapasdeamplificacin,tantopara
pequeasealcomopara
RF, laltimadelascualessueleserunamplificadorde
potencia. La carga alimentada por este amplificador de potencia puede ser un altavoz,
un excitador, un solenoideo algn otro dispositivo analgico.
La clasificacin delos amplificadores de potencia se lleva a cabo considerando distintas
tcnicas de polarizacin lo que conduce a distintos modos de operacin. Los modos de
operacin principales para el diseo de amplificadores de potencia los
sonsiguientes:
+ Operacin en Clase A
+ Operacin en Clase B
+ Operacin en Case AB
Operacin en Clase C

Cabe mencionar que estos amplificadores de potencia se clasifican de acuerdo con el

porcentaje del tiempo que la corriente de colector es distinta de cero. Estos modos de
operacin surgen para brindar funcionalidad a amplificadores que estn diseados para
operar a pequea seal y a bajas frecuencias por lo que toda la teora relacionada a
ellos asume invariablemente el uso de dispositivos activos y pasivos que manejen esta
clase de seales. Por otro lado se tienen las tecnologas de microondas con las que
anserequierede
los principiosdeoperacinmencionadosanteriormentepero
los
dispositivos asociados al amplificador mismo son distintos ya que estn calculados
y
construidos para operar en un espectro de frecuencias donde se presentan fenmenos
electromagnticos totalmente distintos de
los que se presentan a bajas frecuencias.
Diferencias entrelos amplificadores paraHF y los amplificadores paraRF

Por lo que se ha visto hasta aqu, cuando se habla de la operacin de un amplificador

enaltasfrecuenciasnosehaespecificadoexactamentesurangodeoperacin
(o
ancho
de
banda).
En
referencia
espectro
al
de
frecuencias
ocupadas
en
comunicaciones, estas van desdelos 30MHz hasta 30GHz. Esto lleva a suponer que en
un rangodefrecuenciastanvastoexistendistintastcnicasdefuncionamiento
y
construccin delos transistores que se empleen en equipos especficos; por ejemplo un
amplificador para 30Mz no tendr la misma configuracin que uno que se requiera para
comunicaciones va satlite en el orden de los 30GHz o ms. Se ha decidido entonces
incluir lo relacionado conlos transistores de altas frecuencias alo largo de este trabajo
paradestacartantosuimportancia,sufuncionamiento,aplicaciones,ejemplos
y
principalmente sus diferencias conlos amplificadores paraRF.

18

Enresumensepuededecirentoncesquetrabajarenmegahertzpuedediferiren
muchos aspectos de trabajar en gigahertz. De hecho en
los ejemplos ilustrados ms
adelante se mencionan tipos de transistores que no son muy conocidos debido
a que se
requieren para propsitos muy concretos en frecuencias extremadamente altas.
La parte ms importante hasta aqu es entonces diferenciar un transistor de HF
y un de
RF.
Los transistores que operan en HF son afectados en su desempeo porefecto
el miller.
Para reducir la impedancia de conduccin
o la capacitancia de retroalimentacin se
emplean distintos tipos de configuraciones, estas se ilustran en la figura
5.

A. seguidor ms amplificador

en emisor comn

B. amplificador en emisor
comn ms amplificador en

C. seguidor ms amplificador
en base comn (amplificador

(Cascode)
comn
diferencial)
base

Fig. 5. Configuraciones bsicasde amplificadores para altas frecuencias con transistores de

prop6sito general.
Enelprimercircuitoenemisorseguidorreducelaimpedanciadeconduccinvista
desdelaentradadelamplificadoremisorcomn.Estoreduceconsiderablementela
degradacin del desempeo en alta frecuencia causado por la frecuencia de transicin
fT y CcbGV. El segundo circuito es la clsica configuracin cascode en la cual la etapa
emisor comn controla la etapa de base comn eliminando de esta manera el efecto
Miller representado por CcbGv. En la tercera configuracin el seguidor conduce la etapa
de base comn eliminando el efecto Millery reduciendo la conduccin de la impedancia
al mismo tiempo. Este es el amplificador diferencial comn con resistores de colector no
balanceados y una entrada a tierra.
Otra caracterstica que debe mencionarse respecto a los amplificadores de HF es que
no son usados, como los de RF, para equipos de telecomunicaciones como los que se
hanvenidomencionandopueslapotenciarequeridasobrepasalacapacidadde
cualquier transistor convencional (de propsito general), esto es, el hecho de que se
cuente con amplificadores para altas frecuencias no implica que puedan utilizarse para
amplificacin de potencia y menos para frecuencias extremadamente altas (del orden
de 30 o msGHz).Estoserealizacontransistoresespecializadosen
los quese
emplean tcnicas de fabricacin y materiales distintos, as como configuraciones de

19

circuito que incluyen elementos que no se encuentran nunca en circuitos de HF, como
lo son lneas de transmisin, guas de onda
y transformadores. Por estas razones no se
profundizar ms en el anlisis de los amplificadores de HF pues el objetivo es analizar
los amplificadores de potencia para RF.
Amplificadores modulares

Cuando se necesita de un amplificador para RF se pensara que es requerido realizar

siempre undiseodelamplificador,unanlisisdetalladoymttiplespruebascon
mltiples configuraciones o componentes individuales, principalmente transistores. Esto
tendra
muchas
desventajas
por
cuestiones
de
estabilidad,
tamao
y costos
principalmente.Afortunadamenteexistenmdulosdeamplificadores'empaquetados'
que estn disponibles con distintos proveedores en configuraciones que satisfacen un
grancantidaddenecesidades.Dehechocasitodos
los componentesdeRFse
adquieren como mdulos. Algunos ejemplos son los osciladores, los mezcladores, los
moduladores, los atenuadores controlados por voltaje, los combinadores y divisores de
potencia, los circuladores, los acopladoresdireccionalesy los amplificadoresensus
distintas modalidades.
En su forma ms bsica el amplificador an no empaquetado es un circuito hbrido de
pelcula delgada con ganancia en un amplio rango de frecuencias. Una presentacin
comnes el paquete(circuitointegrado)de4patas(pines).Existendocenasde
amplificadores de RF disponibles en la actualidad que cumplen con distintas finalidades
y propsitos, algunos por optimizados para bajo ruido y otros para alta ganancia en
potencia o grandes
rangos
dinmicos.
Los amplificadores
individuales
pueden
disearse para operar sobre rangos de frecuencias
o sobre bandas de frecuencias muy
angostas como los que se usan en comunicaciones que sonlos ms discutidos en este
trabajo. Bajo este tipo de presentacin compactao modular se encuentra por ejemplo el
UTO-514deAvantekquepresentaunagananciade15dBsobreunrangode
frecuencias de 3 C " z a 200MHz (amplificador de HF), aunque tambin cuenta con
amplificadores con anchos de banda de hasta 2GHz. Como se ha comentado en otras
secciones, los amplificadores de banda ancha de hasta 18GHz estn fabricados usando
tecnologa GaAsFETy HEMT.
Los amplificadores que se usan sobre bandas muy angostas de frecuencias se pueden
optimizar para un desempeo de bajo ruido. Los excelentes amplificadores comerciales
que se emplean en bandas de comunicaciones, corno por ejemplo el amplificador AM4285 de Avantek, con una ganancia de 50dB (316.22watts), una banda de 3.7-4.2GHz
y
una figura de ruido de 1.5dB(1.1Watts), puede ser empleado como receptor satelital y
puedeestaralalcancedecasidecualquierapersona.ConelmodeloAM-7724se
pueden obtener ganancias de 35dB (56.23watts) en la banda de 7.25-7.75GHz.
Comoenmuchasotrareasdecomercializacindedispositivoselectrnicos,existe
una gran competencia comercial por estos mdulos amplificadores as como por otros
componentes de RF modulares.

20

En la prctica, cuando se disea un sistema de RF

y secuentaconestosmdulos
comnmentebastaconhaberelegidoatravsdecatlogos
o manualeselmdulo
apropiado y conectarlo con cable coaxial para poder armar
el sistema.

Otros dispositivosde amplificacicjn en RF

Amplificadores parambtricos
Estos
dispositivos
amplifican
variando
un
parmetro
del
circuito
entonado.
Los
amplificadores paramtricos tienen una analoga con un pndulo que oscila al ser tirado
verticalmente y con su punto de flexin inferior fijo. En el amplificador paramtrico se
puedevariarporejemplolacapacitanciadelcircuitoentonadoconunvaractor
(capacitor
de
voltaje
variable)
conducindola
con
una
seal
de
bombeo.
Los
amplificadoresparamtricosseempleanprincipalmenteenamplificacionesdebajo
ruido.
Masers
Maser eselacrnimoparaamplificacindemicroondasporemisinestimuladade
radiacin. Estos dispositivos son bsicamente amplificadores atmicos
o moleculares
dedifcilconstruccin
y usoperoson
los amplificadoresqueproducenlamenor
cantidad de ruido que ningn otro amplificador.
GaAs FETs
El ltimo tipo de amplificadores de microondas
y el ms sencillo a nivel mundial. Su
desempeo
es
comparable
con
de
el
los amplificadores
paramtricos.
Los
amplificadores comerciales disponibles actualmente de este tipo proporcionan 28dB de
gananciaa10GHzconunapotenciaderuidodetan
solo 2dB. El msreciente
amplificador del tipo GaAs FETs es el llamado HEMTs, que fue comentado y descrito
antes, y significa transistor de alta movilidad de electrones, el cual produce niveles de
ruidoextremadamentebajoafrecuenciasextremadamentealtascomoporejemplo
O. 12dB a 8.5GHz.

Klystronsy tubos de ondas viajeras

Estos amplificadores de tubos de vaco usados en frecuencias de microondas toman
ventajade los efectosdetiempodetransitodeltubo.Unavariacinconocidacomo
Mysfron de reflejo trabajacomo unoscilador al lanzarsuflujodeelectroneshacia
adentro de l.
Existen K/ystrons disponibles que pueden proporcionar continuamente una salida de
0.5W de RF a 2GHz.
Magnetrones
Estedispositivoeselcoraznde
los radares y los hornosdemicroondas.Su
funcionamiento consiste en un tubo de oscilacin de alta potencia lleno de pequeas
cavidadesresonantes y operadoenunfuertecampomagnticoquehaceque
los
electrones viajen en espiral a travs de su interior.

21

Diodos Gunn,IMPA77y PIN

Estos dispositivos se usan ampliamente en UHF
y microondas. Los diodos Gunn se
usan como osciladores de baja potencia en el rango de5-1OOGHz produciendo salidas
de potencia de 1OOmW. Evidentemente no son amplificadores de potencia pero junto
con esto desempean trabajos conjuntos.
los kylstrons con capacidades de unos cuantos
Los diodos IMPATT son anlogos a
watts a pocos gigahertz.
Los diodos PIN se comportan como resistencias de voltaje variable y se utilizan como
interruptores de seales de microondas convirtiendo un
corto circuito a travs de las
guas de onda.

7. Elementos empleados en circuitos de radio frecuencia

Aunqueeltemacentraldeestetrabajoconsisteenanalizar
la amplificacindela
potenciadelassealesde
los transmisoresdeRF,seconsideramuyimportante
comentaraquelloselementosquenosontransistores
(o amplificadores)yque
determinan en forma directa el comportamiento de
los circuitos en altas frecuencias,
radio frecuenciaso microondas.
En los circuitosderadiofrecuencia
o microondassecuentacondistintostiposde
mdulos de circuitos especializados que no tienen equivalentes en circuitos empleados
en bajas frecuencias,. Estos elementos son muy importantes en comunicaciones de RF
ya que se emplean para generar y detectar seales de RF.
Llneas de transmisin
Laslneasdetransmisinjueganunpapeldeterminanteen
los circuitosderadio
frecuencia donde se utilizan para llevar seales a traves de guas
o tuberas de un lugar
a otro dentro del circuito
y a menudo al sistema de antena.
Las lneas de transmisin proporcionan una de las excepciones ms importantes a los
principiosgeneralesdequeunafuentegeneradoraidealmentedeberateneruna
impedanciamenorcomparadaconlaimpedanciadelacargaqueestsiendo
conducida y quelacargadeberapresentarunaimpedanciadeentradamayor
comparada con la impedancia de la fuente que la conduce. La regla equivalente para
lneas de transmisin es que la carga(y posiblemente la fuente) debera presentar una
impedanciaigualalaimpedanciacaractersticadelalnea.As,lalneaestara
acoplada.
Las lneas de transmisin para seales de frecuencias medias a altas (arriba de 1GHz
por ejemplo) aparecen en dos formas distintas:
conductores paralelosy lnea coaxial.
En el dominiodeultraaltasfrecuencias(UHF)
los circuitosutilizantcnicasque
involucran lneas de transmisin de conductores paralelos como parte del circuito. Para
frecuenciassuperioresdelordendefrecuenciasdemicroondas(arribade2GHz
aproximadamente) los elementos del circuito y las lneas de transmisin se reemplazan
con tcnicas de cavidades y guas de ondasrespectivamente. Con excepcin de estas

22

frecuencias extremas, el cable coaxial comn es indudablemente la mejor eleccin para

la mayora de las aplicaciones de radio frecuencia.
En comparacin con la lnea de conductores paralelos, una lnea coaxial propiamente
acoplada tiene la ventaja de estar totalmente blindada por
lo que no hay radiacin o
captura de seales externas.

Lneas de transmisin desacopladas

Una lnea de transmisin desacoplada tiene caractersticas muy interesantes
y al mismo
tiempo muy tiles. Una lnea terminada en corto circuito produce una onda reflejada de
polaridadopuestaconuntiempoderetardodeterminadoporlalongituddelalnea
elctrica. La velocidad de propagacin de onda en las lneas coaxiales es cerca de dos
terceras partes la velocidad de la luz debido
al espaciamiento del material dielctrico.
Esta propiedad de cable cortado es explotada en ocasiones para generar un pulso corto
desde una onda de escaln. El escaln de entrada
se aplica a la entrada de un cable a
travs de una resistencia igual a Zo conel otro extremo del cable en corto. La onda a la
entrada es un pulso de ancho igual al tiempo de propagacin debido a que el escaln
reflejado cancelala entrada.
LoscablesterminadosconunaresistenciaRdistintade
Zo tambinproducen
reflexiones, aunque de menor amplitud. La onda reflejada es invertida si
Rezo y no
invertida si R>Zo. La razn de la amplitud de la onda reflejada a la amplitud de
la onda
incidente est dada por:
A,. - R - Z ,
A, R + Z ,

Las lneas de transmisin

en el dominio de la frecuencia
En el dominio de, una lnea de transmisin acoplada en su extremo lejano, se asemeja
a una impedancia de carga Zo, por lo que ta resistencia es despreciable si no existen
prdidasenlalnea.Estoescomosilalneacontuvieracualquierondaaplicaday
dirigiendo toda la potencia al resistor de acoplamiento, independiente de la longitud del
cable o la longitud de onda. Debido a que, para una longitud de lnea dada, la onda
reflejada llega de vuelta a la entrada con una fase (relativa a la seal de aplicada) que
dependedelafrecuenciaaplicada,laimpedanciaqueseobservahacialaentrada
dependedeldesacoplo
y delalongitudelctricadelalneadetransmisin,en
longitudesdeonda.
Por ejemplo,unalneaqueesunnmeropardecuartosde
longituddeondaterminadaenunaimpedancia
&ad
(impedanciadecarga)enel
extremo lejano presenta una impedancia de entrada:

23

Si la carga es resistiva, la entrada se ver resistiva. Por otro lado, una lnea que es un
nmero integral de la mitad de longitudes de onda presenta una impedancia de entrada
igual a su impedancia terminal.
Estos conceptos son muy importantes por lo que se ilustran en la figura 6 para mayor
claridad.

z,, --

--Lo

Zloud

Zin

=Z

h d

..;-

............................................................................
.............................................
........
.........................

T4-

,:.t:.

.:.:::.;.::: .;:: ....j::....::.:..: ...........

..........................................
....
..................................................
...........................................

zload

..........................................................................
....................................................................
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . .
.
.
. ...
.
.-s.<:. ......
.. .. . .. . .. .. . .. .. ... .. . . . . . .. .. .. .. .. .. . .. .. . . . .
. .......
. ;:..........
.. .~.:
...............................
.:,:,::::.:.,::.:,:~:::.:..::..::..,:
.................. .........:...:.:................................. ........
..::.:..........
............. :
+
;
;i..2
...
;
.
i......

ZlOad

h12

(elctrica)

Fig. 6. Acoplamiento de impedancia caractersticade una lnea de transmisin

La presencia de las seales reflejadas sobre la lnea de transmisin no necesariamente
es mala. Para operacin en una frecuencia particular, una lnea desacoplada puede ser
manejada(atravsde
un entonadordelnea)detalmaneraqueparaacoplarsu
impedancia
caracterstica
resultante,
menudo
a
con
una
lnea
sin
prdidas
despreciablemente mayor (debido a altos voltajes y corrientes para la misma potencia
incidente) que con la carga acoplada.
Pero una lnea tiene diferentes propiedades a diferentes frecuencias, donde la carta de
Smith puede ser usada para determinar las impedancias de las lneas de transmisiny
de la razn la onda estacionaria (standing-wave ratio- SWR), que es una medida de la
amplitud de las ondas reflejadas, hacindola indeseable para usos de banda ancha
o
multi frecuencia.
En general, se requiere de un gran esfuerzo para terminar una lnea de transmisin en
su impedancia caracterstica, al menos en su extremo final de recepcin.
Impedancia caraderistica y acoplamiento de impedancia

Una lnea de transmisin, sea cual sea su forma, posee una impedancia caracterstica
Zo que indica que una onda que se mueve a lo largo de una lnea tiene una razn de
voltaje a corriente igual aZo. Para una lnea de transmisin sin prdidas,Zo es resistiva
e igual a d(LIC) donde LCy son la inductanciay capacitancia por unidad de longitud.

24

Cuandounalneadetransmisinseusaparasealesdealtasfrecuenciases
importanteacoplarlacargadelaimpedanciacaractersticadelalnea.
Los hechos
importantes al respecto de todo esto son los siguientes:
0
Una
lnea
de
transmisin
terminada
con
una
carga
igual
su
aimpedancia
caracterstica (resistencia) transferir un pulso aplicadolaaterminal sin reflexin.
En el caso de que toda la potencia sea transferida a la carga, la impedancia que se
observahacialalneadetransmisin,acualquierfrecuencia,esigualasu
impedancia caracterstica.
Mientrasqueabajasfrecuencias(longituddeonda
>> longituddelcable)nohay
necesidad de acoplar lneas de impedancia previniendo que es relativamente sencillo
manejarlacapacitancia(tpicamente30pFporpie).
Por otraparte,sielcablees
terminado con un resistor, sorprendentemente este se convierte en una resistencia pura
para todas las frecuencias.

Amplificadores entonados

En los circuitosderadiofrecuenciaintentadosparacomunicaciones,
o paraotras
aplicaciones donde la frecuencia de operacin est confinada a una banda angosta, es
o colector.Estotiene
comnusarcircuitosLCentonadoscomocargasdedrenaje
varias ventajas:
Msaltagananciaporetapasimpledebidoaquelacargapresentaunaalta
impedancia a la frecuenciade la seal(Gv=gmZload)mientrasquepermiteuna
corriente fija arbitraria
Eliminacin de los efectos indeseables de la carga de la capacitancia debido a que
el circuito LC entona cualquier capacitancia al hacerla parte de la capacitancia del
circuito entonado
Acoplamientoentreetapassimplificadodebidoaque
el circuito LCpuedeser
acopladoportransformador,
o anconfiguradocomouna
red deacoplamiento
resonante, para lograr cualquier transformacin de impedancia deseada
Eliminacindesealesfueradebanda
y ruidopertenecientealaselectividadde
frecuencia de los circuitos entonados.
A continuacin se muestrala configuracin clsica de un amplificador entonado.

25

+1 ad

39k
I

0.1uF

1QQk

'1

LCA

VTV

P' j
O.O1 UF

"

+2w
0.0uF

SF c

+i

42 2N5179

0.01UF

Pl 3N140
I)

It"

Fig. 7. Amplificador entonado MOSFET de compuerta dual

En este amplificador se emplea un transistor FET de compuerta doble en modo de

vaciamiento o agotamiento (dual-gate depletion-mode FET) para eliminar
los problemas
causados por el efecto Miller debidoa que la entrada no est entonada.
Otro ejemplo de circuito de RF entonado se muestra en la figura 8. En este se emplea
tambin
un
circuito
entonado
LC construido
cuidadosamente
para
seleccionar
frecuencias de un oscilador. Esto se conoce como un oscilador de frecuencias variable
(VFO), y puedeserusadocomo
un elementoentonadoenalgunostransmisores
y
receptores, as como fuentes de seales de RF de frecuencia variable.

Fig. 8. Oscilador LC con transistor JFET

26

En el circuito un transistor JFET proporciona la ganancia en potencia necesaria, con

retroalimentacinpositivade la fuenteacopladaenellazodeL1.Laoscilacinse
produce ya que el lazo tiene menos vueltas que el inductor proporcionando ganancia de
voltaje y en consecuencia oscilacin.
Osciladores
De
igual
forma
que
los mdulos
de
amplificadores
que
se
han
mencionado
(amplificadoresmodulares)tambinexistenmdulosdeosciladoresconexcelentes
desempeos. Los mdulos de osciladores entonados usan varactores (capacitores de
voltajevariable)paraajustarlafrecuenciadeoperacindeunosciladorLCen
respuestaaunvoltajeaplicadoexterno.Unaversinmselegantedeoscilador
entonado
para
frecuencias
del
orden
de
gigahertz,
utiliza
una
esfera
YIG
(de
yttriun/iron/garnet)comocavidadderesonanciamagnticaentonada.Unatcnica
los
reciente para construir osciladores econmicos de buena estabilidad en el rango de
gigahertz utilizan a resonador dielctrico de pastilla como elemento de retroalimentacin
paraunosciladorGaAsFET
(o bipolar).Lososciladoresqueusanestatcnica
y estables y presentan bajo ruido.
dielctricamente estabilizada son simples
Paraunaaltaestabilidad,elmejortipodosciladorutilizacristalesdecuarzopara
seleccionar la frecuencia de operacin. Los osciladores de cristales de cuarzo estn
disponibles comercialmente en rangos de frecuencias de 10kHz a cerca de1OOMHz en
todas las variaciones mencionadas. Cuando lo que se requiere es tanto ajustabilidad
como alta estabilidad,un sintetizador de frecuencia es
la mejor eleccin.
Mezcladores y moduladores
Un circuito que forma el producto de dos seales se utiliza en una amplia variedad de
aplicaciones de RF y es llamado mezclador, modulador, detector sncronoo detector de
fase. La forma ms sencilla de modulacin es la de AM, en la cual una seal portadora
de alta frecuencia es variada en amplitud de acuerdo a las lentas variaciones de la
seal moduladora; un multiplicador es el que desempea esta tarea. Tal circuito puede
ser usado tambin como control de ganancia variable, considerando que una de las
entradas es un voltaje de dc.
Entre los mtodos empleados para realizarun mezclador estn los siguientes:
a)
Circuitos
con
elementos
no
lineales
como
transistores
o diodos
Schottky
principalmente.
b) FETs de compuerta dual con una seal aplicada a cada compuerta
c) Clsmultiplicadores.
d)Mezcladoresbalanceadosconstruidosdetransformadores
y arreglosdediodos
generalmente
disponibles
como
mezcladores
doblemente
balanceados
empaquetados.
Un mezclador es un circuito que acepta dos seales de entrada y forma un serial de
salida con la suma y diferencia de frecuencias.

27

Multiplicadores de frecuencia
Un circuito no lineal a menudo es usado para generar una seal como mltiplo de las
seales
de
entrada.
Esto
es
particularmente
conveniente
si
una
seal
de
alta
estabilidad se requiere a frecuencias muy altas por encima del rango de
los buenos
osciladores. Uno de los mtodos ms comunes es polarizar una etapa de amplificacin
para operacin altamente no lineal, entonces se usa un circuito LC entonado de salida
para algunos de los mltiplos de la seal de entrada; esto puede llevarse a cabo con
transistores bipolares, FETs, a inclusive diodos de tnel. Un multiplicador comoel 1496
puede ser usado como un eficiente duplicador a bajas radio frecuencias conectando la
seal de entrada a ambas entradas, formando as el cuadradolade
seal de entrada.
Elcuadradodeunaondasenoidalcontienefrecuencias
solo hastaelsegundo
armnico. Existen mezcladores que aceptan frecuencias desde 5MHz hasta 2400MHz
con una buena supresin tanto de la frecuencia de entrada (la frecuencia fundamental)
como de armnicos no deseados.
Un circuito multiplicador de frecuencia debera incluir un circuito de salida entonado o
deberaserseguidoporamplificadoresentonados,yaque,engeneral,muchos
armnicos de la seal de entrada son generados en el proceso no lineal.
Filtros
La selectividad de frecuencias se necesita tambin en circuitos de RF. El amplificador
LC entonado proporciona una buena medida de selectividad, con
los picos o crestas de
la respuesta ajustable va el factorQ del circuito LC. Lo ltimo depende de las prdidas
en el inductory el capacitor, as como la carga del circuito asociado. Se pueden obtener
fcilmente valores de Q del orden de centenas. En frecuencias extremadamente altas,
los circuitos LC amontonados son reemplazados por tcnicas de lnea (stripline), y en
microondasseutilizancavidadesresonantes,perolaideabsicasiguesiendola
misma. Los circuitosentonadostambinpuedenserutilizadosparareflejauna
frecuencia particular si se desea.
Para aplicaciones donde es necesario tenerun filtro que pase una banda muy angosta
de frecuencias relativamente no atenuadas, con una cada abrupta fuera de los lmites
delabanda,
unfiltropasabandasuperiorpuedehacersedeunconjuntode
resonadores piezoelctricoso mecnicos.
Los filtro en RF son muy importantes ya que permiten la selectividad hacia el receptory
la generacin de ciertos tipos de seales moduladas.
En situaciones donde los filtros pasa banda de banda angosta no se necesitan,
los
filtros pueden disearse con mltiples secciones de circuitos
LC resonantes.

Detectores
Laetapafinalparalaextraccindelainformacindeunasealde
RFmodulada
involucra la deteccin, que es el proceso de quitar la seal modulada de la portadora.
Existen varios mtodos para ello dependiendo de la forma de modulacin
(AM, FM,
SSB, etc.)

28

8. Tecnicas de deteccidn y medicidn de potencia enHF y RF

La deteccin de una seal de AM consiste simplemente en la generacin de un voltaje
proporcional a la amplitud instantnea de la seal de RF que transporta la modulacin.
En muchas otras aplicaciones como la radioastronoma, medicin de RF en laboratorio,
o la
diseodefiltros,vigilancia,etc.esimportantesercapazdemedirlaamplitud
potencia de las seales de
RF.
Rectificacin de la seal
El diododetectorsimpletiene
la ventajadetrabajarsobre
un enormerangode
frecuencias (por encima de los gigahertz, y con el nmero adecuado de diodos), pero
no es lineal a bajos niveles.
El uso de diodos Schottky ayuda en cierta manera debido a
su cada frontal inferior. Se puede mejorar este esquema si se preamplifica la seal
antes de rectificarla. Esta tcnica se emplea por ejemplo en detector de nivel UTD
1000 amplificador/diodo de Avantek); pero eso limita el rango dinmico, conduciendo a
la saturacin del amplificador. El rectificador activo, en contraste, es altamente lineal y
trabaja
bien
solo bajas
a frecuencias
como
la
mayora
de
los amplificadores
operacionales convencionales. En conclusin esta tcnica no es muy empleada.
Deteccin sjncrona
Unmtodointeresantequecombinaunrangodinmico,precisinyvelocidadesla
deteccin sncrona. En este mtodo la salida es rectificada al ser invertida durante
los
medios ciclos alternantes.
Esto requiere por supuesto de una seal limpia a la misma frecuencia que la seal que
est siendo detectada, ya sea que se produzca externamente
o internamente con un
amarrador de fase.
La deteccin sncrona trabaja bien hasta frecuencias del orden de megahertz; la gran
desventaja es la necesidad de una seal de referencia coherente.
Control por fuente de corriente
Otra solucin a la no linealidad del diodo rectificador es controlar el circuito rectificador
con
una
corriente
en
vez
de
un
voltaje;
la
salida
de
esta
manera
se
carga
resistivamente produciendo una salida de voltaje proporcional. La figura9 muestra una
buena implementacin con una fuente de corriente controlada por voltaje.
Sinunasealdeentradalasalidadelamplificadoresdesacopladadelaredde
rectificacin produciendo una alta ganancia de voltaje; de esta forma solo se necesita
una seal de entrada muy pequea para que
los diodos rectifiquen.

1
I
Fig. 9. fuente de corriente controlada por voltaje
29

En ese punto la ganancia de voltaje decae a Gv=RL/(RE+re) previniendo la saturacin.

Con amplificadores de banda ancha y diodos ms rpidos, este circuito opera hasta a
1OOMHz o ms.
Deteccin por seguimiento de amplitud
Lasnolinealidadesdeldiodo
y el offsetseeliminanusandounasealgenerada
localmente y detectada enun circuito simtrico para cancelar la corriente desconocida.
La retroalimentacin ajusta la amplitud de las seal local de baja frecuencia hasta que
el
balance
de
las
salidas
rectificadas.
La
frecuencia
de
la
seal
nula
es
lo
suficientementebajaparaquesuamplitudpuedasermedidaadecuadamentecon
rectificador de amplificador operacional de precisin.
Unabuenaimplementacindeestecircuitooperarlinealmentedebajodeunos
milivolts y arriba delos gigahertz.
Deteccin de potencia
Los mtodos descritos brevemente miden la amplitud de una seal de alta frecuencia,
no obstante, existen varias ocasiones en las cuales se requiere conocer la potencia.
Para una seal senoidalla potencia est dada por:

P=-

Y,,

De esta forma es sencillo convertir una medicin de amplitud a una de potencia. Sin
embargo, para formas de onda no senoidales, una medida real de la potencia se puede
hacer solo promediando el cuadrado de la forma de onda de voltaje actual. En trminos
de mediciones deRF se requiere de un 'detector de ley cuadrada'.
Existen numerosos mtodos disponibles para este tipo de mediciones. Para frecuencias
por arriba de unos cuantos megahertz, estos mtodos de rms de leyes cuadradas fallan
debido a amplificadores operacionales de anchos de banda inadecuados.
Sin embargo, existen otros mtodos. En la figura
10 se ilustra un circuito detector de ley
cuadrada que usa un diodo de retroceso (back diode), el cual es simplemente un diodo
de tnel.
de RF

o:?F

BD4 back diode

OP-27

470R

*
Fig. I O . Detector de diodo de retroceso de ley cuadrada.

30

Escircuitosellegaaencontrarencircuitosderadioastronomaypresentauna
extraordinaria linealidad de potencia.
Una tcnica muy interesante que utiliza el mismo principio de funcionamiento de ley
cuadrada es el mtodo balomfrico, en el cual la seal de entrada (tal ves amplificada)
se usa para impulsar un termostato cuya temperatura se mide entonces. Debido a que
esteesexactamenteproporcionala
V2, estemtodoesintrnsecamentedeley
cuadrada y banda ancha.
Con un especial cuidado en el diseo del bolmetro es posible extender el ancho de
banda a muy altas frecuencias y a un rango dinmico ms amplio. La serie 432-438 de
medidoresbolomtricosdepotenciade
HP extiendenelrangodefrecuenciasde
IOOkHz a SOGHz!, usando
conjunto
a
de
sensores
bolomtricos
de
potencia
intercambiables. Esto abarca el rango de +44dBm(25W) a -70dBm (1OOpW), o sea un
total de expansin de 114dB.

Generacidn y defeccin por

AM

Cualquier tcnica que permita controlar la amplitud de la seal con un voltaje de forma
lineal permite generar una seal de RF modulada en amplitud. Los mtodos comunes
hacenusode
la variacindeunafuentedevoltajedeamplificacinde
RF (si la
modulacin se lleva a cabo en la etapa de salida)o usando un chip multiplicacin como
el 1496. Cuando se realiza la modulacin en etapas de bajo voltaje todas las etapas
siguientes de amplificacin deben ser lineales. Se debe notar que
la formadeonda
moduladora debe estar polarizada de tal forma que nunca sea negativa.
Elreceptorde AM ms sencilloconsistedevariasetapasdeamplificadoresde
RF
entonados seguidos por un diodo detector. Las etapas de amplificacin proporcionan
selectividad contra las seales cercanas en frecuencia y luego se amplifican las seales
de entrada (las cuales comnmente son del orden de microvolts!) para el detector. Este
ltimo simplemente rectifica de la seal de
RF de esta forma recuperando la envolvente
con un filtro pasa bajas. El filtro pasa bajas debera rechazar la seal de RF mientras
que permiteel paso de audio frecuencias sin atenuacin.

Receptor superhetemdino

Un receptor que consiste de un conjunto de amplificadores de

RF entonados no es
deseable por muchas razones. La primera y ms importante de todas se debe alos
que
amplificadores individuales deben ser entonados a la misma frecuencia requiriendo de
una gran coordinacin para seguir el conjunto de circuitos LC entonados. En segundo
lugardebidoaque
la selectividaddelafrecuenciaglobalesdeterminadaporlas
respuestascombinadas de los amplificadoresindividuales,laformadelfiltropasa
bandadependerde
la precisincon la cual los amplificadoresindividualessean
entonados. Tambin debido a que la setial de RF que se est recibiendo puede estar
encualquierfrecuenciadentrodelrangode
los amplificadores,noesposiblesacar
31

ventaja de los filtros de celosa cristalina para generar una banda angosta conla cada
abrupta sobre cualquier lado que es una caracterstica pasa banda muy deseable.
Una solucin conveniente a este problema es el receptor superheterodino. La seal de
entrada es amplificada con una etapa simple de una amplificador entonado deRF que
posteriormente se mezcla con un oscilador local ajustable (LO) para producir una seal
en una frecuencia intermedia(IF), en este caso 455kHz. La entrada del amplificador de
RF debe estar entonada en conjunto con el oscilador local pero la alineacin no es
crtica. El circuito para recepcin de
RF superheterodino se ilustra a continuacin:
de la antena

entrada de RF

amplificadores de RF entonados
detector

de AM

? ? ?
,
,

amplificador de audio

D
N

entonacibn simultnea

Fig. 11. Receptor superheterodino paraRF

32

Ejemplos de aplicaciones de los amplificadores de potencia en RF

Modo de operaci&n A- para amplificador de potencia entonado de RF de alta
eficiencia
Los modos de operacin anteriores son
los principales modos de operacin bajo los
cuales han trabajado muchos circuitos desde hace varias dcadas y han dado lugar a

que
compaas
o instituciones
asociada
distintas
a
especialidades
del
diseo
electrnico formulen clases derivadas para propsitos ms especficos, como un tipo de
amplificador de potencia de alto desempeo diseado en 1975, el cual se considera
unasubclasederivadadelasclasesprincipales,denominadaClaseE-A,lacual
permiti a los creadores realizar un amplificador de potencia de alto desempeo para
altas frecuencias. Este modo de operacin propuesto en ese entonces permiti disear
RF y microondasutilizando
muchosde los circuitosqueseutilizanactualmenteen
amplificadoresqueestnbasadosenunareddecargasintetizadaparatener
respuestas transitorias que maximizen la eficiencia en potencia an si
los tiempos de
conmutacin del dispositivo activo son fracciones substanciales del ciclo de AC. Para
esteamplificador los diseadoresmidieronunporcentajedeeficienciadel
96% a
3.9MHz con una salida de 26W utilizando transistores 2N3735
TO-5 de Motorola.
Las ventajas de esta Clase (nueva en ese entonces) son su alta eficiencia, diseo a
priori,bajasensibilidadacaractersticasdedispositivosactivos
y potencialpara
operacin de alta eficiencia en altas frecuencias mejorando el desempeo de circuitos
con amplificadores operando en Clase O, que es otra derivacin que surgi por esas
mismas fechas.
El circuito con el que se implement este amplificador, que es un miembro elemental de
la Clase E-A, entrega una potencia de 20W a 10MHz con los valores mostrados en el
siguiente diagrama. Un diagrama del circuito se muestra a continuacin.
c2

Dispositivo
activo de
r-----------l

200pF

L2

carga
I
I

I
I

I
I

Entrada

Q :

I
I
I
I
I
I
I

c1

I
I

-+

I
I

I
I

a .

"

""""""

1'"

Red de carga

Fig. 12. Amplificador clase E-A

33

Amplificador de potencia para

RF de 25kW

Este amplificador emplea un triodo conectado a tierra sin polarizacin. Los tubos de
vaco an se emplean en los amplificadores alta potencia paraRF debido a que ningn
dispositivo del estado slido puede servir como acoplo para su desempeo. Un ejemplo
8973 queentrega 1.5MW a 5OMHz. Larejillaatierrano
eseltriododepotencia
requiereneutralizacin y elcircuitodesalidaeslared
pi convencionalquees
conducida por el capacitor de bloqueo
CS.CS,L4 y C ~ forman
O
la red actual con sus
valores determinados por la frecuencia de resonancia, la transformacin de impedancia
y la Q (factor de calidad5) cargada deseadas.

3CxlOOOOA7

Entrada

de 50Q

L1

35 c1

'V,Pmnm

Fig. 13. Amplificador de potencia para RF de 25kW

Q es el factor de calidad
y mide la agudeza de la resonancia.
34

Amplificador de potencia para

RF con transistores bipolares de quinta generacibn
para tel4fonos celulares e inalmbricos
Generalidades del amplificador

El empleo de los transistores bipolares requeridos para el diseo que se comentar a

continuacin es una nueva tecnologa que rivaliza con la de semiconductores GaAr (o
seahechosdegermanioyarsnico)enlasreasdetelefonacelular
y telefona
inalmbrica. Los tipos de transistores empleados en este diseo prctico pertenecen a
una nueva generacin de transistores bipolares de RF de alto desempeo hechos de
silicn cuyas frecuencias de transicin exceden inclusivelos 20GHz. Estos transistores
como ya se mencion se emplean en telefona celular y telefona inalmbrica con bajos
voltaje$. Adems de los tipos que se emplean a pequea seal en los receptores de
RF de los telfonos, estos transistores de quinta generacin de banda ancha para RF
incluyen tipos de media potencia. Esto hace que esta clase de transistores compita con
los de GaAr cuando se emplean enla amplificacin deRF en el transmisor del telfono.
Sinembargoadiferenciade
los dispositivosdeGaAr,
los bipolaresmencionados
operan con una alta eficiencia a partir de una sola fuente de suministro
lo que reduce
considerablementelacomplejidaddelcircuitopermitiendoundiseomscompacto,
ligero y en consecuencia telfonos ms portables.
La clave para la reduccin del tamao y peso es el uso de una batera ms pequea.
Paramaximizar
la densidaddeenergasignificacomnmenteusarceldasms
pequeas y en consecuencia fuentes de voltaje ms pequeas en
el orden de 3-3.6V.
Debido a que la parte de potencia ms requerida en
un telfono inalmbricoo celular se
encuentra en el amplificador de potencia de RF, es importante considerar que cualquier
movimiento a las fuentes de voltaje inferiores no resulte en prdidas significativas de
eficiencia en el amplificador de potencia. Este amplificador debera operar con bajos
voltajes con una alta eficiencia de potencia agregada o extra. Para poder mantener un
bajo costo de implementacin es conveniente usarel menor nmero posible de etapas
de ganancia y el menor nmero de perifricos posibles.
En figura se muestra el diseo para un amplificador de potencia para telfonos DECT
empleando transistores de RF de banda ancha de la quinta generacin.

35

-&

Salida R F

Entrada de RF

:c12

Figura14.Amplificadordepotenciaparauntelfonocelularusandotransistoresde
banda ancha de quinta generacin. (TL- Transmition Line)

Tabla 2.
Medida de las impedancias
de la
potencia.
Transistor Condiciones
fuente (a)
BFG425W
12+0.7j
BFG21W
9.1-9.5j

R2

R,

18

RFde

fuentey de la carga usadas en el amplificador

de
Impedancia de la Impedancia de la
carga (a)
VcE=3.0V; Ic=30mAa; F=l.SGHz
52+102j
VcE=3.6V; lc=26dBm7; F=l.SGHz
9.7-6.4j

_"

Los decibeles tambin seusan para indicar niveles de potencia absolutos agregando
una tercera letra ala notacin.
Si el nivelde referenciaes de ldiwatt la potencia se expresa en 'decibeles por encimade 1 miliwatt' (&m)
36

c
1
2

Transistores
QI

1 2p
.~

Q2
Q3

-.

Qd

BFG425W
BFG21w
PUMTI
PUMTI

~-

Lneas de transmisin
Laggo 6.5mm; ancho
0.5mm
TL1
"_
.
Largo 6.5mm;
ancho
0.5mm
TL2
..
. -~~.
Largo
6.5mm;
ancho
0.5mm
TL3
Largo 6.5mm; ancho 0.5mm
TL4
Largo 6.5mm; ancho 0.5mm
T4
Largo 6.5mm; ancho 0.5mm
TL6
~~

"
"~

Funcionamiento
El diseo opera desde 3.6V e incluye un circuito de polarizacin para el ajuste de
la
carga de potencia y un interruptor de encendido/apagado. El amplificador proporciona
26dBm' de potencia a la salida logrando una ganancia de potencia de 29dB eficiencia
50%.
de potencia agregada global que excede el
La amplificacin de potencia enRF se logra usandosolo dos de los nuevos dispositivos
de banda ancha. El transistor Q1 opera en clase A con unVCEde 3V y una corriente de
colector de 30mA. Bajo estas condiciones proporciona 18dB de ganancia y un nivel de
potencia de salida de 15dBm para una entrada deRF de -3dBm. El transistor Q2 es un
transistor de potencia media que opera en modo clase AB. Este maneja el circuito de la
antena directamente. Q2 est polarizado a un voltaje de base de0.7V el cual resulta en
una corriente fija de colector demA
1 aproximadamente. Este transistor proporciona una
ganancia de potencia de 11 dB y un nivel de salida de 26dBm.
Bajo estas condicionesla eficiencia de su colector es tpicamente del
55%.

37

Acoplamiento de las impedancias

Puesto que se est tratando de amplificacin en radio frecuencias se requiere tambin

realizaracoplamientodeimpedancias.Lasredesdeacoplodeimpedanciasdeben
proporcionar un acoplamiento uniforme de
50R en todo el amplificador.
La parte de acoplamiento de impedancias consiste de tres secciones separadas: Las
redesdeentrada,etapaintermedia
y desalida.Supropsitoespermitira
los
transistoresde RF un desempeoptimoconrespectoalagananciadepotencia,
potencia
de
salida
y la eficiencia.
Afortunadamente
los niveles
de
impedancia
inherentesde Q 1 (BFG425W) y Q:! (BFG21W)permiten unfcilacoplamiento.Ala
salida de Q 1 una red en serie formada por R2/Cll es usada para incrementar el factorK
de
la
primera
etapa
para
evitar
la
inestabilidad
potencial
debajo
de
1GHz.
El
acoplamiento de la salida se lleva a cabo con la lnea de transmisin TL3 y el capacitor
de derivacinCI2.
Polarizacidn

La parte de polarizacin del amplificador de potencia incorpora

un par de transistores
dobles pnp (Q3,4). Para definir la corriente de colector en QI, Q ~ compara
A
el voltaje a
travs de R3 con el voltaje directo de su unin base- emisor.
Si la corriente en RJ, es
decir la corriente de colector de Q1, se incrementa entonces QJAcomienza a conducir.
Esto reduce la conduccin dela base para QJBlo cual a su vez reduce la conduccin de
base haciaQ 1 consiguiendo de este modo establecer la corriente de colectorQI.de
Para que este circuito trabaje
el voltaje de controlVC se conecta a tierra. El voltaje en el
colectorde Q1 essiempre0.6Vinferiorqueeldesuministropermitiendounvoltaje
balanceadode 3V enelcolector.Labasedelaetapadesalidaclase
AB est
polarizada por una fuente de voltaje de baja impedancia formada por
Q4b. El coeficiente
de temperatura del voltaje base- emisor deQ 4 b es aproximadamente el mismo que para
Q2 manteniendo una corriente fija de aproximadamente
1mA en el colector de Q 2 a
pesar de los cambios de temperatura ambientales.
El resistor R5 previene de fugas trmicas de Q2. El transistor Q h es conducido por la
entrada de control VCpara cortar la conduccin dela base hacia Q 2 durante el intervalo
entre los pulsos de salida de RF. Cuando es usado en modo de pulsos con voltajes de
suministro y niveles de salida nominales, la carga puede estar desacoplada para una
raznvoltaje/ondaestablemenor o igualde 6:1, entodaslasfases
y sindao.El
amplificador de potencia tambin puede operar en modo CW previendo que se puede
garantizar un acoplamiento a la salida 50R
de bajo cualquier condicin.
Es posible incrementar la eficiencia global del amplificador operando el BFG425W en
modo clase- AB en vez de clase- A. Esto tambin simplifica el circuito de polarizacin.
Sin embargo tiene el efecto negativo de reducir la ganancia de potencia global lo que
resulta en la necesidad de un nivel de conduccin de RF mas alto con el propsito de
lograr la salida de potencia de 26dBm.

Conunasligerasmodificacionesesteamplificadordepotenciaesapropiadopara
usarse en telfonos PHs, aunque estos requieren una salida de potencia de RF menor
deunos 2ldBm en vezde26dBm.
No obstanteestostelfonosrequierenunmejor
desempeo lineal.

38

9.

Biblioarafa
Artculos

+
+

New rf silicon. Electronics World. Mayo de 1997. (Pags. 479-481

)

O. Soakal, Nathan. D. Sokal, Alan. Class E-A New Class of Hiah-Efficiency

Tuned Sinale Ended Switchina PowerAmplifiers.
IEEE Journal of Solid-state Circuits. Vol. SC-IO, No 3, Junio de 1975. (Pags. 168176)
Libros, enciclopedias, manuales v diccionarios.

C. Dorf, Richard. Editor en Jefe. The Hectrica/Engeneering HandBook. IEEE Press

Seccin 37.2. J. Trew, RobertActive. Microwave Devices.(Pags. 891-902)

Horowitz, Paul. Hill, Winfield.The Art of Electronics. (Cap. 13 High-Frecuency and

High-speed Techniques)
Cambridge University Press

Freeman, L. Roger. Telecomunication Transmition Handbook

Wiley series in telecomunictions. Third Edition.

lEEE Standard Dictionary of Electrical and Electronics Terms.

Savat, C.J. Diseiio electrbnico. (Secciones 6.1 y 10.9)

Addison-Wesley Iberoamericana

Restnick, Robert. Fsica. Cap. 41

Compaa Editorial Continental,S.A. de C.V

Stremler, F.G. Sistemas de cornunicaci&n. (Apndice C)

Addison-Wesley Iberoamericana

39