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Elaborado por:
Ing. Lisseth Lpez
Octubre, 2007
DEDICATORIA
NDICE GENERAL
CONTENIDO
PAG.
Preliminares
Portada
Dedicatoria
ii
ndice General
iii
ndice de Figuras
vii
3. Tipos de Semiconductores
10
11
6. Movilidad y Conductividad
11
11
14
15
17
19
21
22
25
26
26
26
28
28
29
30
30
33
33
34
34
35
36
39
42
44
46
1.3. Aplicacin
47
48
48
48
2.2. Fotodiodo
50
52
4. Diodo PIN
54
56
6. Diodo Tnel
58
60
62
62
64
68
68
68
68
4. Filtraje
69
69
5. Doblador de Tensin
74
6. Limitador de Tensin
75
76
76
78
79
83
86
96
100
2. Modos de Operacin
101
103
103
105
106
4. Curva Caracterstica
107
5. Relacin de Corrientes
109
110
110
113
116
122
123
126
BIBLIOGRAFA
128
EJERCICIOS PROPUESTOS
129
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
NDICE DE FIGURAS
FIGURA
PAG.
10
Fig. 7.-Movimiento de los huecos debido al movimiento de los electrones
13
Fig. 8. Unin PN
17
18
19
20
20
21
22
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
23
24
25
26
28
30
30
32
34
35
35
37
38
40
40
43
45
46
46
49
51
51
53
56
56
57
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
58
59
60
63
63
64
65
65
65
66
67
70
70
71
72
72
74
75
76
76
77
77
78
78
79
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
80
80
81
81
82
82
83
83
84
85
86
86
87
90
96
97
101
103
104
104
105
106
106
107
110
10
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
111
111
112
113
114
114
115
116
117
118
119
122
123
124
125
125
126
127
127
11
FUNDAMENTO DE ELECTRNICA
CAPTULO I TEORA DE
SEMICONDUCTORES
TEORA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CAPTULO I
TEORA DE SEMICONDUCTORES
1.- Semiconductor
Entre los materiales conductores, que permiten una circulacin generosa de corriente
por presentar una resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no
permiten la circulacin de corriente, nos encontramos una gama de materiales con
propiedades
propias
que
denominamos
semiconductores
ellos
tienen
una
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Elemento
Grupo
Electrones en
la ltima capa
Cd
II A
2 e-
Al, Ga, B, In
III A
3 e-
Si, Ge
IV A
4 e-
P, As, Sb
VA
5 e-
VI A
6 e-
Tabla #1
Esto hace que se forme una malla de tomos que se denomina red cristalina. El
diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de
carbono. El silicio, el germanio y el arseniuro de galio forman redes similares ver
Figuras 1a y 1b.
Un cristal est formado por un conjunto de tomos muy prximos entre s dispuestos
espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrn geomtrico.
La gran proximidad entre los tomos del cristal hace que los electrones de su ltima
capa sufran la interaccin de los tomos vecinos.
Fig. 1a.- Red Cristalina de Silicio (Si) Fig. 1b.- Red Cristalina de Arseniuro de Galio (AsGa)
Fuente: www.ele.uva.es
En estas condiciones todos los electrones tienen su lugar en la red, as que estos
materiales no permiten la movilidad de electrones y por lo tanto son aislantes.
Un aumento en la temperatura hace que los tomos en un cristal por ejemplo de
silicio vibren dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que
TEORA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
un electrn se puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez atraer
otro electrn, y as sucesivamente. En la figura 2a se puede observar un cristal de
silicio antes del aumento de la temperatura y en la figura 2b el cristal de silicio
despus de un aumento de temperatura donde se produce la creacin de el hueco y del
electrn libre por el rompimiento de los enlaces covalentes del cristal. A 0 K, todos
los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones libres.
(a)
(b)
Fig. 2a.- Cristal de Silicio (Si) antes del aumento de la temperatura. Fig. 2b.- Cristal de Silicio (Si)
despus del aumento de la temperatura.
Fuente: www.rincondelvago.com
TEORA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
banda prohibida son permite definir otra diferencia entre los semiconductores,
aislante y conductores.
En la figura 3 se puede observar la estructura de los niveles o bandas de energa
segn el tipo del material. La magnitud de la banda prohibida (Eg) de algunos
semiconductores son: para el Silicio (Si) es aproximadamente de 1,11 eV, Germanio
(Ge) de 0,67 eV, Arseniuro de Galio (AsGa) de 1,43 eV, Telurio de 0,33 eV, Galena
(SPb) de 0,37 eV, Antimoniuro de Indio (SbIn) de 0,23 eV.
Eg 1eV
Semiconductor
Banda de
Conduccin
Eg = 6eV
Aislante
Conductor
Banda de
Valencia
Banda de
Prohibida
Para que la conduccin de la electricidad sea posible es necesario que haya electrones
en la capa de conduccin, as podemos considerar tres situaciones:
Los conductores, en los que ambas bandas de energa se superponen.
Los aislantes, en los que la diferencia existente entre las bandas de energa,
del orden de 6 eV impide, en condiciones normales el salto de los electrones.
Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden de
1 eV, por lo que suministrando energa pueden conducir la electricidad; pero
adems, su conductividad puede regularse, puesto que bastar disminuir la
energa aportada para que sea menor el nmero de electrones que salte a la
TEORA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya
conductividad es constante, o ms propiamente, poco variable con la
temperatura.
Es importante notar que la conductividad elctrica de los semiconductores es
directamente proporcional a la temperatura, y por ello se afirma que su coeficiente
trmico de conductividad es positivo, a diferencia de los metales cuyo coeficiente
trmico de conductividad es negativo.
Estos coeficientes son positivos, al aumentar la temperatura la resistividad de los
metales
aumenta
o,
en
forma
equivalente,
su
conductividad
disminuye.
TEORA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
(1)
ni B * T
3/ 2
*e
(2)
Donde:
B: Constante del material semiconductor especifico
Eg: Es la magnitud del nivel de energa entre banda
T: Temperatura en grado Kelvin (K)
k : Constante de Boltzmann 86*10-6 eV/ K
La constante del material para el Silicio (Si) es 5,23*10 15 cm-3K-3/2, para el Arseniuro
de Galio (GaAs) es 2,10*1014 cm-3K-3/2 y para el Germanio (Ge) es de 1,66 cm-3K-3/2.
TEORA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 4.- Cristal de Silicio contaminado con tomos de Fsforo (Liberacin de un electrn) y tomos de
Boro (Absorcin de un electrn). Fuente: www.acapomil.cl
TEORA DE SEMICONDUCTORES
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fuente: www.cpi.uc.edu.ve
TEORA DE SEMICONDUCTORES
10
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 6.- Nivel aceptador o aceptor introducido por los tomos trivalentes
Fuente: www.cpi.uc.edu.ve
(3)
TEORA DE SEMICONDUCTORES
11
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
ND p NA n
(4)
nn N D
(5)
ni2
ND
(6)
pp NA
np
ni2
NA
(7)
TEORA DE SEMICONDUCTORES
12
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
tiempo) depender de la fuerza que acta (q*E), del nmero de portadores existentes
y de la movilidad con que estos se mueven por la red, es decir:
J n n * n * q * E
(8)
Donde:
J n : Densidad de corriente de los electrones
TEORA DE SEMICONDUCTORES
13
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
La carga neta del hueco vacante es positiva y por lo tanto, se puede pensar en el
hueco como una carga positiva movindose en la direccin del campo elctrico.
Obsrvese en la figura 7 que los electrones individuales de enlace que se involucran
en el llenado de los espacios vacantes por la propagacin del hueco, no muestran
movimiento continuo a gran escala. Cada uno de estos electrones se mueve
nicamente una vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se
mueve de forma continua en la direccin opuesta al campo elctrico.
Anlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de huecos
viene dada por:
J p p * p *q * E
(9)
Donde:
Jp
p : Concentracin de huecos
q : Carga elctrica (1,6 * 10-19 C)
E : Campo elctrico aplicado.
La movilidad p es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad
de movimiento del hueco a travs de los enlaces de la red cristalina. La "facilidad" de
desplazamiento de los huecos es inferior a la de los electrones.
Considerando ahora el caso de un semiconductor que disponga de huecos y
electrones, al que sometemos a la accin de un campo elctrico. Hemos visto cmo
los electrones se mueven en el sentido opuesto a la del campo elctrico, mientras que
los huecos lo harn segn el campo. El resultado es un flujo neto de cargas positivas
en el sentido indicado por el campo, o bien un flujo neto de cargas negativas en
sentido contrario. En definitiva, la densidad de corriente total es la suma de las
densidades de corriente de electrones y de huecos:
J Arrastre Total J n J p
(10)
TEORA DE SEMICONDUCTORES
14
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
En segundo lugar tenemos el fenmeno de difusin; por regla las cargas electrones y
huecos, se mueven en sentido del gradiente de concentracin, van de regiones de
mayor concentracin a regiones de menor concentracin para favorecer el equilibrio
de las cargas; este movimiento genera una corriente proporcional al gradiente de
concentracin.
La difusin no depende del valor absoluto de la concentracin de portadores, sino
solamente de su derivada espacial, es decir, de su gradiente la cual obedece Ley Fick
es la relacin de proporcionalidad entre la densidad de corriente y el gradiente de
concentracin de portadores de carga debido al fenmeno de la difusin.
J D * q * n
(11)
dn
dp
q * Dp *
dx
dx
(12)
15
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
n : Concentracin de electrones
p : Concentracin de huecos
q : Carga elctrica (1,6 * 10-19 C)
7.- Relacin de Einstein
Establece la relacin entre la constante de difusin (difusividad) y la movilidad de
cada portador ya que ambas son fenmenos estadsticos termodinmicas y no son
independientes. Esta relacin viene dada por la ecuacin de Einstein
Dp
Dn
VT
n
p
(12)
k *T
q
(13)
TEORA DE SEMICONDUCTORES
16
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CAPTULO II
TEORA DE DIODOS
TEORA DE DIODOS
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CAPTULO II
TEORA DE DIODOS
1.- El Diodo
Un diodo no es ms que la unin de un semiconductor tipo P con un semiconductor
tipo N a la que se le han aadido 2 terminales uno en la parte p y otro en la parte n,
para poder acoplarse a un circuito. En la figura 8 se puede observar una
representacin idealizada de la unin PN.
Ion Aceptador
Ion Donador
Hueco
Electrn
Tipo n
Tipo p
Unin
TEORA DE DIODOS
18
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
encuentran en la frontera con semiconductor tipo P donde apenas hay unos cuantos
electrones, comienzan a desplazarse hacia la zona del semiconductor tipo P.
Que ocurrira si los huecos de la zona P se dirigen a la zona N y los electrones de la
zona N se dirigen a la zona P?
Como los electrones se dirigen a un sitio con muchos huecos, se recombinan con los
huecos, y como los huecos se dirigen a un sitio con muchos electrones, tambin se
recombinan con los electrones, esto conlleva que en la zona prxima a la unin se
produzca un vaciamiento de portadores libres (electrones y huecos), quedando por lo
tanto en presencia de los iones de los semiconductores, cargada positivamente en el
semiconductor N y negativamente en el P. Ahora bien, conform se va formando esa
regin de carga espacial o tambin conocida como regin de agotamiento, entorno a
Ion Negativo
Tipo
p
Tipo
n
Electrn
Hueco
Neutro
Neutro
Hueco
Electrn
TEORA DE DIODOS
19
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Tipo p
Tipo n
Neutro
Neutro
E
Fig. 10.- Unin PN en equilibrio. Fuente El Autor
TEORA DE DIODOS
20
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
E
Tipo p
Tipo n
ED
V
D
El hecho de aplicar esa tensin VD hace que se forme un campo elctrico E D que
atraviesa toda la unin pn, y cuyo sentido es de la zona p a la zona n, ese campo se
superpone en sentido opuesto al campo elctrico que haba en la regin de carga
espacial el cual disminuir, provocando que se reanude la difusin y se generara una
corriente elctrica en el sentido de p a n, debida al flujo de huecos hacia la zona n y el
flujo de electrones hacia la zona p. En tal situacin la regin de carga espacial habr
disminuido. Ver figura 12.
E
Tipo
p
Tipo
n
Hueco
Electrn
ED
VD
TEORA DE DIODOS
21
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
E
Tipo p
Tipo n
ED
V
D
espacial, y, al ser del mismo sentido, dar como resultado que el campo elctrico E
de la regin de carga aumente; al ser el campo el elemento que se opone a la difusin,
entonces, al aumentar imposibilitara aun ms la difusin. El resultado es que, al igual
TEORA DE DIODOS
22
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
que en el equilibrio, no circulara corriente a travs de la unin, pero esta vez habr
aumentado la regin de carga espacial. Como se puede observar en la figura 14.
E
Tipo
p
Tipo
n
ED
V
D
TEORA DE DIODOS
23
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
S (e
VD
VT
1)
(14)
Esta es la expresin (VD) de una unin ideal. En una unin real, es similar pero no
del todo idntica.
Donde:
: Es la intensidad de corriente que atraviesa el diodo.
VD: Es diferencia de tensin en los extremo del diodo
S: Es la intensidad de corriente de saturacin (Es decir valores negativos de VD)
VT : Es una Constante que varia con la temperatura conocido como Voltaje
Trmico o Potencial equivalente de Temperatura y que para una temperatura de
300K tiene un valor de:
VT 0,0259V 25,9mV
TEORA DE DIODOS
24
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Si a la unin PN se le aplica una tensin inversa muy grande, entonces por ella
circular una corriente inversa considerable, debida a dos mecanismos.
Avalancha (Diodos Poco Dopados):
Si la tensin inversa es muy grande, entonces el campo elctrico que soporta la
unin tambin lo es.
Como ese campo atraviesa toda la unin, es capaz de captar tanto electrones
minoritarios de la zona P como huecos de la zona N, y acelerarlos mucho, de tal
modo que, tan grande es su energa cintica, que al colisionar con los enlaces de
la red cristalina, se llevan por delante a otros tantos electrones ( es decir, rompen
los enlaces, liberndose electrones), que, por el mismo mecanismo, pueden seguir
rompiendo mas enlaces y en consecuencia generan al final una gran cantidad de
electrones en movimientos que dan lugar a la corriente elctrica.
Efecto Zener ( Diodos muy Dopados):
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan fuertes
campos elctricos que producen la rotura de los enlaces covalentes dejando as
electrones libres capaces de establecer la conduccin y no requiere la aceleracin
de un portador de carga (huecos o electrones) debida al campo. El efecto zener es
reversible y as no es destructible cuando se limita la corriente a un valor no
demasiado elevado para que no se funda la unin.
De ese modo, la grafica real de la corriente que circula por la unin en sentido de
P hacia N en funcin de la tensin directa ser:
TEORA DE DIODOS
25
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Donde:
V: Tensin umbral.
La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.
Imax: Corriente mxima.
Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule.
Is: Corriente Inversa de Saturacin
Es la pequea intensidad de corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose
que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
Vr: Tensin de ruptura.
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.
5.- Representacin Simblica del Diodo.
Como se dijo anteriormente un diodo no es ms que una unin PN a la que se le
aaden 2 terminales externos para conectarse a un circuito, en la figura 17 se puede
observar la representacin simblica y la fsica de un diodo normal (De Propsito
General o Rectificador) con son 2 terminales nodo (Positivo) y Ctodo (Negativo).
TEORA DE DIODOS
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
RD
Vd
Id
TEORA DE DIODOS
27
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
dV
dI
Tericamente de la ecuacin (e VT 1)
S
1
dI
1 VD
IS
e
rD dV
VT VT
S e
VD
VT
rD
dI
I
dV VT
VT
I
TEORA DE DIODOS
28
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
dV
se puede determinar grficamente por
dI
rD
V
I
TEORA DE DIODOS
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE DIODOS
30
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Eg
I S B * T * e
3
El trmino
Eg
KT
k *T
T1, T2 Temperatura
Kv coeficiente de temperatura V/C (usado en termmetros)
-2,5 mV/C Germanio
-2,0 mV/C Silicio
-1,5 mV/C Schottky
TEORA DE DIODOS
31
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE DIODOS
32
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fcilmente derivando se puede hallar una expresin para Cj. Si tratamos la capa de
agotamiento como un condensador de placas planas paralelas obtenemos una
expresin idntica para Cj.
TEORA DE DIODOS
33
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Se observa de la figura 22 que cuanto mayor sea la tensin inversa, mayor es el ancho
Wagot de la regin de agotamiento o de carga espacial, y como consecuencia, menor la
capacidad Cj.
TEORA DE DIODOS
34
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE DIODOS
35
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Modelo Ideal
Modelo de cada de voltaje constante
Modelo Lineal por tramos
9.1.- Modelo Ideal
Un modelo til para una gran variedad de instancias de anlisis es el ideal, que
describe al diodo como una vlvula unidireccional, esto es, como un conductor
perfecto cuando es polarizado directamente (positivo en el nodo, negativo en el
ctodo), y como un aislador perfecto cuando es polarizado negativamente.
La figura 23 muestra la grafica el modelo ideal.
TEORA DE DIODOS
36
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE DIODOS
37
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 25 Modelo lineal por tramos de la caracterstica directa del diodo y su circuito equivalente.
3.
4.
5.
6.
TEORA DE DIODOS
38
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
7.
8.
Disipacin de Potencia.
9.
10.
TEORA DE DIODOS
39
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE DIODOS
40
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE DIODOS
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE DIODOS
42
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
El mtodo aplicado es igualmente vlido para todos los diodos sin incluir los
rectificadores de alta tensin empleados en televisores transistorizados, como por
ejemplo diodos de potencia para fuentes de alimentacin, diodos de seal, diodos
varicap, diodos zener, etc., ya sean de germanio o de silicio.
Hay que observar que cuando se utiliza un multmetro digital que tiene una posicin
para el diodo, puede llevarse a cabo una prueba dinmica de este dispositivo
semiconductor. Con un diodo en buenas condiciones, el voltaje de polarizacin
directa que despliega el mutmetro debe ser, aproximadamente, de 0,7 V. El
procedimiento anterior es la mejor prueba para verificar el estado de un diodo
a
b
Fig. 29
TEORA DE DIODOS
43
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE DIODOS
44
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Rectificador
Zener
Tunel
CAPTULO III
TIPOS DE DIODOS
Varicap
o
Varactor
Led
FotoDiodo
TIPOS DE DIODOS
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE DIODOS
46
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CAPTULO III
TIPOS DE DIODOS
Segn su construccin, se podra decir que existen dos tipos de diodos: de Contacto
por punta y de unin.
Los de contacto por punta estn formados por un cristal semiconductor montado
sobre una base de metal y por un alambre terminado en punta, la cual hace contacto a
presin con el semiconductor. Un Terminal de conexin exterior va soldado al
extremo libre del alambre y el otro a la base del metal. El alambre suele ser de
aleacin de platino, tungsteno, bronce fosforoso, etc. El cristal semiconductor, de
silicio tipo P o germanio tipo N. En realidad, no existe unin PN en este tipo de
diodo.
Los diodos de unin estn formado por la unin de dos cristales de diferentes clases
uno tipo N y otro tipo P. Los terminales de conexin exteriores van unidos a las
superficies extremas de los cristales. Este tipo de diodo trabaja con potencias ms
elevadas que los de contacto por punta.
Algunos diodos dentro de los dos tipos planteados son:
1. Diodo Zener
El diodo zener corresponde a una unin PN particular polarizada en sentido inverso
es decir que el ctodo (K) se conecta a un potencial ms elevado que el nodo (A), se
caracteriza porque conduce en la zona inversa a partir de una tensin negativa V Z.
Tiene tres zonas de funcionamiento, la zona de polarizacin en sentido directo tiene
las mismas caractersticas que el diodo rectificador o de propsito general, mientras
que en polarizacin en sentido inverso se diferencian dos zonas, una en la que el
diodo no conduce y en la que si conduce o permite la circulacin de corriente, y la
tensin tiene un valor menor o igual a la tensin Zener o de ruptura (V Z), Esta tensin
TIPOS DE DIODOS
47
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si son:
Tensiones de polarizacin inversa, conocida como Tensin Zener.- Es la
tensin que el zener va a mantener constante.
Corriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es
menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus
bornes
Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos
indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.
La mxima corriente que puede conducir un diodo Zener viene dada por la siguiente
ecuacin:
I Max
PZMAX
VZ
TIPOS DE DIODOS
48
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TIPOS DE DIODOS
49
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Modelo Ideal:
VZ VD 0
1ER Aproximacin
TIPOS DE DIODOS
50
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Bajo esta aproximacin el diodo se sustituye por una batera o fuente de tensin de
valor igual a tensin zener VZ. Esto solo es vlido entre IZmn y IZmx. Ver Figura 32
2DO Aproximacin
En esta segunda aproximacin se sustituye al diodo por una batera de valor igual a la
tensin zener en serie con una resistencia, siendo est el inverso de la pendiente de la
curva caracterstica en sentido inverso. Igualmente esto solo es vlido entre IZmn y
IZmx, I D
V VZ
V VZ . Ver figura 33.
RZ
TIPOS DE DIODOS
51
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
El modelo ms utilizado del diodo zener es el que supone que las resistencias del
diodo tanto en directo como en inverso son muy pequeas y se desprecia dicho valor,
quedando:
I D 0 V V
VZ V V I D 0
I D 0 V VZ
52
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Otro cdigo es el que utiliza Tambin tres letras y el nmero de serie del fabricante,
siendo:
1. Es un O, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor.
2. Es AZ, indica que se trata de un diodo zener
3. El numero de serie del fabricante.
Y por ultimo el cdigo americano, que al igual que los diodos rectificadores seria:
1N seguido por un nmero de serie.
1.3.- Aplicaciones
Regulador de tensin.
Tensin de referencia.
Circuito Limitador.
1.4.- Especificaciones del fabricante
En el caso de los diodos zener por lo general aparecen los siguientes parmetros en
las hojas de especificaciones.
Tipo de dispositivo con el nmero genrico o con los nmeros del fabricante.
Tensin zener nominal (tensin de temperatura por avalancha).
Tolerancia de tensin.
Mxima disipacin de potencia (a 25C).
Corriente de prueba, Izt.
Impedancia dinmica a Izt.
Corriente de vrtice.
Mxima temperatura en la unin.
Coeficiente de temperatura.
Curvas de degradacin para altas temperaturas.
TIPOS DE DIODOS
53
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TIPOS DE DIODOS
54
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
disminuirn la vida til de LED, por ello, es importante colocar en serie con el diodo
una resistencia de proteccin para que limite la corriente que circula por el LED.
Dependiendo del material de que est hecho el LED, ser la emisin de la longitud de
onda y por ende el color.
Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como el ctodo ser el
terminal ms corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el encapsulado,
normalmente de plstico, se observa un chafln en el lado en el que se encuentra el
ctodo.
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin
especfica de funcionamiento.
Ejemplos
-
En dispositivos de alarma.
TIPOS DE DIODOS
55
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Sus desventajas son que su potencia de iluminacin es tan baja, que su luz es invisible
bajo una fuente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los 30 y 60.
Este ltimo problema se corrige con cubiertas difusores de luz.
2.2.- Fotodiodo
Un fotodiodo realiza la funcin inversa al LED. Esto es, transforma la fuente de
energa lumnica en corriente elctrica. Cuando el fotodiodo es polarizado en sentido
directo, ofrece un comportamiento similar al de un diodo de propsito general pero
cuando se ilumina una unin PN polarizada inversamente se produce un aumento de
la corriente inversa que es proporcional a la intensidad de luz aplicada. Este
fenmeno se da porque los fotones de luz generan nuevos pares electrn-hueco en las
dos zonas, de forma que los portadores minoritarios puedan atravesar la unin por la
accin del potencial inverso, contribuyendo aun aumento apreciable de la corriente
inversa, a ese flujo de corriente, se denomina " fotocorriente " en el circuito externo,
que es proporcional a la intensidad de luz efectiva en el dispositivo. Este se comporta
como generador de corriente constante mientras la tensin no exceda la tensin de
avalancha.
El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante
determinada. Para esta longitud de onda, se produce la mxima cantidad de pares
huecos-electrn en la proximidad de la unin.
El mximo de la curva de respuesta espectral de un fotodiodo tpico se halla en 850
nm, aproximadamente.
La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unin a fotodiodo y un
amplificador. En la mayora de dispositivos comerciales, la corriente del fotodiodo se
halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las decenas de
microamperios, pudiendo aadirse a la pastilla un amplificador por un coste mnimo.
TIPOS DE DIODOS
56
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Composicin
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para
definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible
(longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta
aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.
Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los
infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren
refrigeracin por nitrgeno lquido.
TIPOS DE DIODOS
57
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
58
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
4. Diodo Pin
El fotodiodo PIN es el detector ms importante utilizado en los sistemas de
comunicacin ptica. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo
TIPOS DE DIODOS
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TIPOS DE DIODOS
60
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
cada de tensin en la regin sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera
igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P
de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del
material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa
simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P- e -N. En el diodo PIN la
longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin y
aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los
diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es
aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de
la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin
inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin ,
la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y
considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que
es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que
el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de
CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se
difunden el la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es
debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son
aproximadamente iguales en la regin . En la condicin de polarizacin directa la
cada de tensin en la regin es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN,
cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el
diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una
primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente
proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras ms sencillas por una
capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es
TIPOS DE DIODOS
61
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
aproximadamente
infinita,
mientras
que
en
polarizacin
inversa,
rd
es
TIPOS DE DIODOS
62
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TIPOS DE DIODOS
63
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima
tiene que ser de 1 V.
La aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de TV,
modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio.
Ventajas y desventajas
El varicap tiene, entre otras, las siguientes ventajas:
Menor tamao que los capacitores variables mecnicos.
Posibilidad de sintona remota.
La principal desventaja del varicap es la dependencia de algunos de sus parmetros de
la temperatura y por lo tanto requiere esquemas de compensacin.
TIPOS DE DIODOS
64
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
6. Diodo Tunel
El fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un
grado de contaminacin del material bsico mucho ms elevado que lo habitual
exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza
por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor
mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue
aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo
hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo
aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se
hace cada vez ms rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna
manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo
que los fsicos denominan efecto tnel, para las aplicaciones prcticas del diodo tnel,
la parte mas interesante de su curva caracterstica (ver figura 42) es la comprendida
entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada
corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un
incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se
dice entonces que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental
negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una
resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito
resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se
compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico
conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito
oscilante se transforma en un oscilador.
TIPOS DE DIODOS
65
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TIPOS DE DIODOS
66
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TIPOS DE DIODOS
67
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CAPTULO IV
APLICACIONES DE LOS
DIODOS
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CAPTULO IV
APLICACIONES DE LOS DIODOS
El
69
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
D1
T1
+
Vi
-
+
RL
Vo
-
70
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Vm 0,7V
2
Vm 0,7V
El rectificador de doble onda, tambin denominado onda completa, est formado por
dos rectificadores de media onda que funciona durante alternancias opuestas de la
tensin de entrada.
Tipos:
Con Transformador de Toma Central
Puente
Con Transformador de Toma Central
71
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 47 Seal de Entrada al Circuito Rectificador Doble Onda con Transformador de Toma Central
Vo
(Vm- 0,7V)
72
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 48 Seal de Salida del Circuito Rectificador Doble Onda con Transformador de Toma Central
Vm 0,7V
2
2(Vm 0,7V )
peligro
de
la
saturacin
del
ncleo
del
transformador.
Tipo Puente
73
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
La tensin alterna se aplica entre las uniones de un nodo y un ctodo de dos diodos,
obtenindose la salida en el punto de unin de dos ctodos (polo positivo) y de dos
nodos (polo negativo).
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada conducen dos diodos, cerrndose
el circuito de circulacin de la corriente por la resistencia de carga; durante el
semiciclo negativo conducirn los otros dos diodos, cerrndose el circuito tambin
por la resistencia de carga. As se obtiene en la salida nicamente semiciclos positivos
tal como ocurra en el circuito rectificador de doble onda anterior.
74
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
En este rectificador las frmulas y el tipo de aplicaciones son las mismas que en el
anterior, aunque debemos tener en cuenta que la tensin de salida ser 0,7 voltios
inferior pues al haber dos diodos conduciendo la cada de tensin ser ahora de
0,7+0,7=1,4. Sin embargo, la ventaja que presenta es que el transformador no necesita
toma intermedia y que la tensin inversa se reparte entre dos diodos en cada
semiciclo, no sobre uno slo como en el circuito anterior.
Valor Eficaz de la tensin de Salida RMS Vo
Vm 1,4V
2(Vm 1,4)V
75
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ff
1
2
Vm Sen 2 wtdt
T 0
Vrms
VoDC
1
T
Vm Senwtdt
Ff 1
76
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Debemos tambin tener para este tipo de rectificador un transformador con toma
central en el secundario.
El rectificador tipo puente soluciona estos problemas.
Las desventajas del rectificador tipo puente son las siguientes:
Necesidad de utilizar dos diodos por fase (el doble de diodos que el
rectificador con toma central) y necesidad que estos diodos posean una
resistencia directa pequea.
Las Ventajas son:
La tensin inversa que debe soportar cada diodo es la mitad que en el caso con
transformador con toma central.
El transformador no necesita toma central.
En conclusin se utiliza siempre un rectificador de onda Completa que tiene un ndice
de ondulacin ms interesante que el media onda.
El rectificador tipo puente es el que se utiliza con ms frecuencia.
La corriente rectificada en cada tipo tiene una componente alterna muy importante.
Debemos separar esta componente de la corriente, es decir filtrarla.
4.-Filtraje.
77
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 52
Circuito Rectificador de
Media Onda
En el semiciclo
positivo de la seal de
78
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 53 Seal de Salida de tensin (V O) y Corriente id Circuito Rectificador Media Onda con Filtro
Capacitivo.
79
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 55 Seal de Salida Circuito Rectificador Onda Completa con Filtro Capacitivo
80
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
A partir de esta seal, deducimos que la tensin de continua a la salida viene dada
como: Vdc Vm
Vr
, donde Vm es la tensin de pico de la seal rectificada. Se
2
observa de dicha tensin de continua es la tensin de pico menos el valor medio del
rizado, el cual en este caso sencillo coincide con Vr/2.
El condensador se descarga linealmente durante T/2, luego la carga perdida se puede
expresar como: I dc
T
y nos queda que la tensin de rizado y de continua vienen
2
I
Q I dc T
dc
C
2C
2 fC
Vdc Vm
I
Vr
Vm dc
2
4 fC
Vrms
Vdc
Vrms
1 Vr Vr
1
d Vr
0 2
3 2
2
2
4 3
Vr
2 3
81
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Vr
2 3 * Vdc
I dc
4 3 fCVdc
1
4 3 fCR L
La particularidad de este filtro es que lleva dos condensadores de filtro, unidos por
una resistencia que tambin podra ser una bobina.
D1
T1
R1
47ohm
1N4001GP
C1
470uF
C2
470uF
RL
330ohm
D2
1N4001GP
82
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
en los tubos de rayos catdicos en los que se necesita una alta tensin con una baja
corriente.
5- Doblador de Tensin
Un circuito multiplicador de tensin est formado por diversos rectificadores de
media onda y condensadores dispuestos especialmente para entregar una tensin
mltiplo de la recibida en su entrada.
En el caso de un doblador, la tensin en la salida ser, en principio, el doble de la
tensin mxima de la seal de entrada.
83
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Estos circuitos se emplean cuando se quiere seleccionar parte de una onda a unos
valores predeterminados. Su funcin se basa en el hecho de que un diodo no conduce
hasta que no esta polarizado directamente. Podemos distinguir dos tipos
Limitador Serie
Limitador Paralelo
o Limitador Positivo
o Limitador negativo
o Limitador Parcial o Polarizado de un nivel
o Limitador Parcial Doble o Polarizado de dos niveles
6.1.- Limitador Serie Positivo
En el la seal de salida se obtiene en serie con el diodo, son un caso particular de los
rectificadores de media onda.
84
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
85
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
86
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 64 Seales de Salida de los Circuito Limitador Paralelo (a) Positivo (b) Negativo
87
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
88
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ejemplo b
89
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Ejemplo c
90
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Ejemplo d
91
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
92
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
93
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ejemplo f
94
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Fig. 76 Seal de Salida de un Circuito Limitador Polarizado de Dos Niveles con diodos Zener
E M VZ
RS
95
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
La corriente en el zener no debe ser menor que Zmn (Corriente mnima para la cual la
tensin del diodo es todava igual a VZ).
En el caso de la salida abierta (S= L=0) la corriente mnima que atraviesa el zener es:
Im
E m VZ
Como m > Zmn
RS
Para el buen funcionamiento del regulador, la corriente de entrada que vara entre m
e M debe estar comprendida en el intervalo Zmn e Zmx del diodo zener.
Si los valores lmites Em y EM de la tensin de entrada se conocen, y tambin las
caractersticas del diodo zener, se puede calcular la resistencia RS.
Clculo de RS (valor mnimo y valor mximo).
96
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
VZ VZ min
I Z I Z min
Y la parte lineal de la curva puede como V Z = VZO + rd*Z donde VZ, Z es un punto
sobre la curva, esta ecuacin es vlida si Z - Zmn> 0; no existe regulacin si Zmn >Z.
Por otro parte, no se debe sobrepasar los lmites de Zmx y VZmx, en caso contrario se
quema el diodo, PZmx = VZMx * Zmx.
La resistencia RS deber ser calculada de tal manera que:
I Z min I Z I Z max
valores conocidos.
Considerando Dos Casos:
1ER Caso
RS no deber ser mayor que R SMx para lo cual Z = Zmn y VZ = VZmn y se supone el
caso desfavorable, es decir E = Em y RL = RLmn.
I L I LMax
VZMin
RL min
RS max
E m VZ min
E m VZ min
V
I Z min I L max
I Z min Z min
RL min
2do Caso
RS no deber ser menor que RSmn para Z = Zmx y VZ = VZmx y se supone el caso ms
desfavorable, es decir, E = EM y RL = RLmx.
APLICACIONES DEL DIODOS
97
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
En este caso
I L I L min
VZMax
R L max
RS min
E M VZ max
E VZ max
M
V
I Z max I L min
I Z max Z max
RL max
Rs min Rs max
.
2
Resolucin Grfica
Sabemos que E R S ( Z I L ) VZ e IL
VZ
; E RS I Z RS I L VZ luego
RL
E R S I Z VZ V Z
RS
RL
R
E RS I Z VZ 1 S despejando Z
RL
R
VZ 1 S
RL
E
IZ
RS
RS
98
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
VZ
Em
R
1 S
R L min
Em
, el punto de funcionamiento es el punto A en
RS
la figura 79.
2do Caso Para E = EM y RL = RLmx
Tomando la ecuacin de la recta de carga y haciendo Z = 0 tenemos:
VZ
EM
RS
1
R L max
EM
, el punto de funcionamiento es el punto B
RS
en la figura 79.
99
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ejemplo
A.- Se quiere construir un circuito regulador de tensin que entregue a la salida una
tensin de 5,1 V, sabiendo que la carga consume una I Lmx = 100 mA, siendo ILmn = 0
y que dispone de una alimentacin que vara entre 9 V y 10 V. Los diodos zener de
que se dispone son los que se muestran en la siguiente tabla escoger el que
corresponda para el diseo del circuito.
Solucin:
Si
se
elige Z1:
Si
se
abre
la
carga
por el zener iran 105 mA y como IZmx = 78 mA no podra funcionar, se quemara y se
daara no la resistira.
Si probamos con Z2:
100
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Veamos si es suficiente esa corriente, el peor de los casos es suponer que ILmx = 100
mA.
Si abrimos la carga los 150 mA van por el zener y como este soporta hasta 294 mA si
servira, el Z2 es el adecuado. Ahora elegiremos la resistencia (R).
Tenemos dos puntos importantes para analizarlos:
101
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
vi min v Z
9 5,1
26
I Z min I L max 50mA 100mA
vi max v Z
I Z max I L min
9 5,1
13,26
294mA 0mA
Cualquier valor entre estos dos valores valdra, tomamos por ejemplo: R = 22
Vemos que ocurre en los 2 casos extremos:
102
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ahora que sabemos en que zona trabaja el zener tenemos que calcular de qu
potencia elegimos esa resistencia.
P = (10-5,1)*22210-3 = 1,08 W
Ahora vamos a ver el rango de valores por el que mueve la resistencia de carga (RL):`
I L max 100mA R L
5,1V
51
100mA
103
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Punto A
Punto B
104
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Las dos rectas de carga son paralelas. Los dems puntos estn entre esas dos rectas
paralelas.
8.- Circuito Sujetador de Nivel (CLAMP CIRCUITS)
En ciertas aplicaciones se requiere que la seal, sin perder su forma de onda original,
se mantenga confinada sobre o bajo un voltaje especificado de umbral; para el
propsito se agrega a la seal un nivel continuo tal que impida que sus PICOS
excedan el umbral especificado. La funcin es normalmente realizada en base a
diodos.
105
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
107
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CAPTULO V
TEORA DE LOS
TRANSISTORES BJT
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
CAPTULO V
TEORA DEL TRANSISTOR BJT
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales que generalmente
acta como amplificador de corriente.
Existen cuatro modelos fabricados con diferente tecnologa, y con caractersticas y
propiedades fsicas bastantes diferentes, ellos son:
Este captulo se basar en los aspectos relacionados con los transistores bipolares
1.- Estructura De Un Transistor Bipolar
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas
de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo
n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarizacin las terminales que se muestran en la figura 82 las terminales se
indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. La
abreviatura BJT, de transistor bipolar de unin (del ingles, Bipolar Junction
Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El trmino bipolar
TEORA DE LOS TRANSISTORES
109
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Estos transistores por presentar dos uniones pueden tener en cada una de ellas dos
tipos de polarizacin directa e inversa. Dependiendo de cmo estn polarizadas las
TEORA DE LOS TRANSISTORES
110
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
114
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los
transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia
baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin
embargo, para las unidades de mayor potencia I CBO, as como IS, para el diodo (ambas
corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas,
el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy
rpidamente con la temperatura.
3.2-Configuracin Emisor Comn (E-COM)
Se le denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o
hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es
comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan
dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el comportamiento de la
configuracin de emisor comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor que
relacionar la corriente de entrada (IB) con la tensin de entrada (VBE) en funcin de
la tensin de salida (VCE). El conjunto de caractersticas de la salida relaciona la
corriente de salida (IC) con la tensin de salida (VCE) en funcin de la corriente de
entrada (IB).
115
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
116
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
117
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
corresponde con las curvas del diodo de unin con polarizacin directa.
En estas curvas se pueden identificar tres regiones de operacin del transistor las
cuales son:
a.- Regin Activa o Lineal: Est ubicada por encima de la tensin C-E en 0,7V,
donde las curvas caractersticas son casi constantes, es decir, I C aumenta ligeramente
a medida que VCE aumenta, en esta zona IC depende de IB. En esta regin el transistor
trabaja como amplificador.
118
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
b.- Regin de Saturacin: Esta ubicada por debajo de VCE = 0.7V, donde las curvas
se unen; en esta regin se tiene que IC aumenta rpidamente para pequeas
variaciones de VCE, Cuando VCE cae por debajo de VBE, se tendr que VCB es negativa
( VCB = VCE VBE) y polariza directamente a la unin C-B, entrando el transistor a
saturacin.
c.- Regin de Corte: Se ubica para una corriente IB = 0 para este caso la corriente de
colector IC es muy pequea, igual a la corriente de fuga ICEO.
5.- Relacin De Corrientes
Por definicin IE = IB + IC
IC = IE + ICBO
: Es una constante de proporcionalidad, es decir, una proporcin de la corriente de
emisor en el colector, Tambin conocida como GANANCIA DE CORRIENTE
BAJO LA CONFGIGURACIN DE BASE COMN. La cual siempre tiene un
valor < 1.
IE = f (IB)
Ie = IB + IE + ICBO
Si ICBO 0 IE = IB + IE
IE
IB
1
I C I E I CBO
IC f (I B )
Si ICBO 0
I C I E
Como I E
IB
1
IC
IE
IC
IB
1
DONDE
IC
IB 1
119
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Donde:
IB
VCC V BE
RB
120
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Como los valores del voltaje de VCC y VBE son fijos, la seleccin de un resistor de
polarizacin de base fija el valor de la corriente de la base IB.
Circuito De Salida.
En la figura se muestra el circuito de colector emisor, del cual se obtiene la siguiente
ecuacin:
VCC I C * RC VCE 0
121
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
El calculo de IC, VCE e IB representan el punto de trabajo (Q) del transistor en corriente
continua (DC).
Ejemplo.
Calcular los voltajes y corrientes de polarizacin en CD para el circuito mostrado
sabiendo que = 50
mayor o igual a
VCC
. Si IC se hace
RC
VCC
, el transistor est operando en la regin de saturacin. En este
RC
caso el valor de I C
VCC VCESAT
VCC V BE
, siendo VCESAT = 0V 0.3V y I B
.
RC
RB
122
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
RC =Resistencia de colector
RE =Resistencia de emisor
RB =Resistencia de base
IE = Corriente de emisor
IC = Corriente de colector
IB = Corriente de base
Circuito De Entrada:
Se tiene que VCC I B * RB VBE I E * RE 0
por definicin
I E I B IC
VCC I B * R B V BE ( 1) * R E * I B 0
Donde
IB
VCC V BE
e IC * IB .
R B ( 1) * RE
123
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Circuito De Salida:
Se
tiene
que
VCC I C * RC VCE I E * R E 0
VCE VCC I C ( RC
como
IC * I E
tenemos
RE
) al igual que en el caso anterior el punto de trabajo (Q)
Ejemplo.
Calcular los valores de Ic, IB y VCE sabiendo que = 50
TEORA DE LOS TRANSISTORES
124
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Resultados:
IB = 40,12A; IC = 2.01mA; VCE = 13.94V
COMPARACIN
Como se mencion anteriormente,
50
100
IB (A)
40.12
36.27
IC (mA)
2.01
3.62
VCE (V)
13.94
9.08
125
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
126
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Si RB >> R1
I1 I2
Entonces el voltaje en la unin de las resistencias, que es tambin el voltaje de la base
del transistor, se determina simplemente por un divisor de voltaje de R 1 y R2, y el
voltaje de alimentacin; por lo tanto obtendremos que:
VBB
R1 *Vcc
R1 R2
Y R B R1 // R2
127
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Como I E I B I C I B * I B (1 ) * I B
Entonces:
VBB VBE I B [ RB (1 ) RE ]
IB
VBB VBE
RB (1 ) RE
Para que las corrientes no dependan de , por lo general se considera que (1+)RE
>> RB, entonces: I B
VBB VBE
como Ic = IB y como (1+) entonces:
(1 ) RE
IC
(V BB V BE ) V BB V BE
.
R E
RE
128
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Circuito De Salida.
VCE VCC I C Rc E
CONDICION DE SATURACIN
VCESAT = 0 0.3V I CSAT
VCC VCSESAT
RC R E
I BSAT
I CSAT
CONDICIN DE CORTE
IB = 0, IC = 0 Y VCE = VCC
EJEMPLO
Hallar el punto de operacin del siguiente circuito sabiendo que VBE = 0,7V y
considerando un = 70 y 140.
129
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
RB
3.9 K * 39 K
3.55 K
3.9 K 39 K
V BB
3.9 K * 22V
2V
3.9 K 39 K
130
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
VBB VBE I B [ RB (1 ) RE ]
IB
VBB VBE
RB (1 ) RE
Para =70
IB
2V 0.7V
11 .81A
3.55 K 71 * 1.5 K
I C * I B 70 *11.81A 0.8268mA
Para = 140
IB
2V 0.7V
6.045A
3.55 K 141 * 1.5 K
Circuito de salida.
Para =70
70
VCE VCC I C Rc E ;
0.9859
71
1 .5 K
Para =140
140
0.9929
141
1 .5 K
70
140
IB (A)
11.81
6.045
IC (mA)
0.8268
0.846
VCE (V)
12.47
12.26
131
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
I I C I B I I E (1 ) * I B
VCC ( 1) * I B * ( RC R E ) I B * R B V BE 0
IB
VCC VBE
RB ( 1)( RC RE )
IC * IB
132
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Circuito de salida:
VCC I * RC VCE I E * R E 0
I IE
VCE VCC I E * ( RC R E )
133
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
VCE VCC I C RC E
2.
Ic
3.
VCC
VCC
RE si se considera que IC IE I c
RC RE
RC
134
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Debido que la operacin del circuito depende tanto de las caractersticas del
transistor, como de los elementos del circuito, la graficacin de ambas curvas (las
Ic(mA
caractersticas del transistor
VCCy la recta de carga de CD) sobre una grfica permite la
)
Con valores de (RC+RE) pequeos
RC de
Roperacin
determinacin del punto
(Q) del circuito. La recta de carga de CD
E
VCC
RC R E
intermedios
Con valores de (RC+RE)
VCC
TEORA
DE LOS TRANSISTORES
grandes
RC R E
Vc
135
VCE(V)
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
describe todos los valores posibles de voltaje y corriente en la seccin de colectoremisor del circuito.
Fig. 107 Recta de Carga en Continua sobre la caracterstica de Salida del Transistor
I CSAT
136
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
R B max
VON
I BSAT min
Fig. 108 El Transistor NPN como Interruptor (a) Circuito Apagado (b) Circuito Encendido
137
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
BIBLIOGRAFA
-
138
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ejercicios Propuestos
Ejercicio 1
En el circuito regulador de tensin de la figura se tienen: VCC= 6.3 V, Rs=12,
VZ=4.8V, rz=0. La corriente por el diodo Zener debe limitarse al rango: 5 mA Iz
100 mA.
a) Determinar el intervalo de corrientes de carga y resistencias de carga posibles
b) Calcular la potencia nominal requerida para el diodo.
Iz
IL
Ejercicio 2
Determinar los valores de RL de modo que el Zener trabaje en la regin de ruptura.
Suponer Izmn = 0.1 Izmx. Vz=10 V, Pzmx = 400 mW, rz = 0
Ejercicio 3
El diodo Zener de la figura regula una tensin fija entre sus terminales siempre que Iz
se mantenga entre 200 mA y 2 A. (rz = 0 )
a) Calcular el valor de Rs de modo que la tensin de salida Vo se mantenga en 18V
mientras la tensin de entrada Vcc pueda variar entre 22 V hasta 28V.
b) Cul ser la mxima potencia disipada por el diodo?
139
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ejercicio 4
El circuito regulador Zener mostrado utiliza un diodo de 9 V (rz = 0 ). La tensin
de entrada vara entre 16 V y 25 V y la corriente por la carga vara entre 100 mA y
800 mA.
a) Calcular el valor de Rs
b) Determinar el margen de potencia por el Zener
c) Cul ser la variacin pico a pico en la salida si rz =5 ?
Ejercicio 5
Ejercicio 6
Para el circuito de la figura considerando que el diodo puede representarse por un
modelo lineal con V = 0 V y Rd =25 , determinar:
a) la corriente media por la carga RL y por el diodo
140
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ejercicio 8
Para los circuitos mostrados (rectificador de onda completa con punto medio y
rectificador de onda completa tipo puente) los diodos se pueden representar por un
modelo lineal con V = 0 V y Rd= 25 . Determinar:
a) la corriente media por la carga RL y por el diodo
b) la tensin media sobre la carga y sobre el diodo
c) la corriente y tensin eficaz sobre la carga
141
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
d) el factor de rizado
e) la tensin inversa de pico que soporta el diodo
f) el rendimiento de rectificacin %
g) Comparar las caractersticas de cada circuito.
Ejercicio 8
Analizar en el siguiente circuito las variaciones de vo(t) y de la corriente por los
diodos al variar C. Considerar C= 1 F, C= 10 F, C= 100 F.
Cmo conviene que sea C? Qu inconveniente presenta hacer C muy grande?
142
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ejercicio 9
El circuito anterior se modifica agregando un regulador Zener. Analizar el
funcionamiento del circuito. Dibujar las tensiones Vi, vs y Vo.
Ejercicio 10
Determinar el rango de valores de Vcc que mantendr la tensin sobre la carga V o= 8
V sin exceder el valor mximo de potencia del diodo Zener. (rz = 0)
Vi = 12 V sen
wt,
143
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
Ejercicio 11
Se debe disear un regulador de tensin de modo de mantener una tensin de salida
de 20 V para una carga de 1 K. Se sabe que la tensin de entrada tendr una
variacin entre 30 V y 50 V. Determinar el valor de Rs y la corriente por el Zener.
Suponer rz=0 .
Ejercicio 12
Analizar el funcionamiento del circuito, dibujar vo(t). Podra usarse el circuito como
rectificador? Justificar. Calcular la tensin continua disponible.
vi
100V
-100V
Ejercicio 13
A un circuito rectificador de media onda se le aplican 10V eficaces y se lo carga con
RL. Suponiendo para el diodo un modelo lineal por tramos representado en directa
por V = 0 V y Rd= 20 , y en inversa con Is= 0.075 A constante:
a) Obtener la expresin del valor medio de la tensin sobre la carga en funcin
de RL.
b) Calcular para RL= 1 K, 50 K, 1 M. Comparar resultados.
144
FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
el
funcionamiento
del
siguiente
circuito
rectificador
de
salida
complementaria, considerando vi1= vi2 = 12 V sen wt (f=50 Hz). Dibujar las formas
de onda de vo1 y vo2. Cunto vale la tensin inversa de pico sobre cada diodo?
145