Pre informe Laboratorio No.

7 de Electrnica anloga Diego Alejandro Martnez Loaiza 1802533

PRE INFORME LABORATORIO NO. 7 ELECTRNICA ANLOGA

DISEO E IMPLEMENTACIN DE UN AMPLIFICADOR CON FET Y EN
FUENTE (SOURCE) COMN
DIEGO ALEJANDRO MARTNEZ LOAIZA
Correo: u1802533@unimilitar.edu.co
3.1 TRANSISTOR
El transistor, inventado en 1951, es el componente
electrnico estrella, pues inici una autntica revolucin
en la electrnica que ha superado cualquier previsin
inicial. Tambin se llama Transistor Bipolar o Transistor
Electrnico.
El Transistor es un componente electrnico formado
por materiales semiconductores, de uso muy habitual,
pues lo encontramos presente en cualquiera de los
aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas,
automviles, ordenadores, etc.
Vienen a sustituir a las antiguas vlvulas termoinicas
de hace unas dcadas. Gracias a ellos fue posible la
construccin de receptores de radio porttiles llamados
comnmente "transistores", televisores que se
encendan en un par de segundos, televisores en color,
etc. Antes de aparecer los transistores, los aparatos a
vlvulas tenan que trabajar con tensiones bastante
altas, tardaban ms de 30 segundos en empezar a
funcionar, y en ningn caso podan funcionar a pilas
debido al gran consumo que tenan.
Los transistores son unos elementos que han
facilitado, en gran medida, el diseo de circuitos
electrnicos de reducido tamao, gran versatilidad y
facilidad de control.
[1]

RESUMEN: En la sptima prctica de laboratorio

de electrnica anloga, se realizar un amplificador con
otro tipo de transistores (JFET) en source comn, se
revisarn sus caractersticas, ventajas, desventajas,
diferencia frente a la familia BJT, su amplificacin, etc.
PALABRAS CLAVE: Amplificador,
Anloga, Source Comn, Transistor JFET.

Electrnica

1 INTRODUCCIN
Este pre informe contiene el marco terico
necesario para conocer la polarizacin del transistor
JFET (K117), tanto con un voltaje DC como agregando
una corriente AC por generador y se mostrarn las
respectivas simulaciones.

2 OBJETIVO

Aprender a disear e implementar una etapa de

Amplificacin con Transistor FET, con
polarizacin de divisor de voltaje y en la
Configuracin de Fuente Comn.

3.2 TRANSISTOR FET

A los transistores de efecto de campo se les conoce
abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y
entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:

Transistor de Efecto de Campo de Unin:

JFET (Junction Field Effect Transistor)

Transistor de Efecto de Campo Metal - xido Semiconductor:

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor)
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos
radica en el hecho de que el transistor BJT es un
dispositivo controlado por corriente, mientras que los
transistores FET son dispositivos controlados por
tensin. En ambos casos, la corriente del circuito de
salida es controlada por un parmetro del circuito de
entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el
nivel de tensin aplicada.
En los transistores FET se crea un campo elctrico
que controla la anchura del camino de conduccin del
circuito de salida sin que exista contacto directo entre la
magnitud controlada (corriente) y la magnitud
controladora (tensin).

3 MARCO TERICO

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.
De forma anloga a como en los transistores
bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores
de efecto de campo se habla de transistores FETs de
canal n y de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de
transistores consiste en que mientras que los
transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente
intervienen los dos tipos de portadores (electrones y
huecos), los transistores FET son unipolares, en los que
el nivel de conduccin depender nicamente de un
nico tipo de portadores: de los electrones en los de
canal n y de los huecos en los de canal p.
Una de las caractersticas ms importantes de los
FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que
pueden varias desde uno hasta varios cientos de
megahmios, muy superiores a la que presentan los
transistores bipolares que presentan impedancias de
entrada del orden de unos pocos kilohmios. Esto
proporciona a los FET una posicin de ventaja a la hora
de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor
sensibilidad a los cambios en la seal aplicada, es decir,
la variacin de la corriente de salida es mayor en los
BJT que en los FET para la misma variacin de la
tensin aplicada. Por ello, tpicamente, las ganancias de
tensin en alterna que presentan los amplificadores con
BJT son mucho mayores que las correspondientes a los
FET. En general los FET son ms estables con la
temperatura y, normalmente, ms pequeos en
construccin que los BJT, lo que les hace
particularmente tiles en circuitos integrados (sobre todo
los MOSFET).
Una caracterstica importante de los FET es que se
pueden comportar como si se tratasen de resistencias o
condensadores, lo que posibilita la realizacin de
circuitos utilizando nica y exclusivamente transistores
FET. [2]

RDC=RD+RS

RAC=ZL+RS

ZL=RD//RL

Ganancia:
Av= -(gmZL)/(1+gmRS)
Ai=gmRDRG / (1+gmRS)(RD+RL)
Impedancias:
Zi= RG

Zo=RL//RD

Condiciones:
La ganancia de corriente es alta
La Impedancia de entrada es alta
La ganancia de voltaje es alta
HAY DESFASE entre la seal de entrada y
de salida.
Para el anlisis en AC si se considera una
GANANCIA mayor a 20 se debe tener un
BYPASS y as RS=0.

4 ECUACIONES
Para el arreglo, se utilizar un voltaje DC de 8V.
Para el valor de resistencias se siguieron las
siguientes frmulas y suposiciones:
IG = 0A
ID = IS
ID = IDSS (1-(VGS / VPP))2
IDSS = 14mA
Vp = - 1.5 V
VGS = VP/2
(14mA) / 4 = 3.5 mA
VGS = -0.75 V
IR1 = IR2
Rs= (5.75V) / (3.5mA) = 1.5K
R1 = (VSD VG) / Ix = (8V 5V) / 7mA = 1M
R2 = 5/(7mA) = 680K
Av = Gm * RD = 5
RD = 5/(9.3mA)= 390
5 SIMULACIONES

Figura 1. Representacin Transistor FET Tipo N

3.3 NORMAS DE POLARIZACIN Y DISEO
Para un diseo ptimo se debe considerar las
siguientes relaciones:
Corrientes, voltajes y resistencias de trabajo:
VDSq= (VDDXRAC) / (RDC+RAC)
IDq=VDD / (RDC+RAC)
IDq = VDSq / RAC

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Figura 4. Simulacin corrientes arreglo Proteus 8.

Figura 2. Arreglo polarizado con transistor JFET Tipo N
(K117) Proteus 8.

Figura 5. Arreglo Source Comn para amplificacin

Proteus 8.

Figura 3. Simulacin voltajes arreglo Proteus 8.

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.
Figura 6. Onda generada por osciloscopio entrada
contra salida del arreglo.

6 REFERENCIAS
[1] rea Tecnolgica. Transistor [Online]. Recuperado el 19 de
septiembre
del
2015
de
http://www.areatecnologia.com/TUTORIALES/EL
%20TRANSISTOR.htm.
[2] Delegacin ETSIAE UPM [Espaa]. Transistores JFET
[Online]. Recuperado el 19 de septiembre del 2015 de
http://delegacion.etsiae.upm.es/index.php/segundo/eauelectronica-y-automatica/152-eau-apu-apuntestransistores/file.