LEDS Y LDS EN COMUNICACIONES PTICAS

Para que un dispositivo emisor de luz pueda emplearse para transmitir informacin se
necesita que cumpla unas serie de condiciones. Las ms importantes son:

Los

que produzca un haz monocromtico

que la radiacin se pueda acoplar a la fibra ptica con facilidad,

que la potencia ptica se pueda modular por medios electrnicos

que la respuesta sea suficientemente rpida.

emisores

preferidos

en

Comunicaciones

pticas

guiadas

son

dispositivos

optoelectrnicos semiconductores que operan en el infrarrojo prximo, concretamente

diodos emisores de luz (LED) y diodos lser (LD).
En un bloque previo de apuntes se repasaron algunos aspectos de la teora de SCs unin
p-n, diagramas E-k, niveles y seudoniveles de Fermi y su relacin con los emisores. En
este bloque se van a dar por sabidos los conceptos mostrados all, aunque se repasan
ciertos detalles adicionales. Posteriormente se introduce el fundamento de la emisin en
uniones p-n y se aplica a LEDs y LDs. Para stos ltimos se necesita adems el
conocimiento previo del comportamiento de cavidades Fabry-Prot y de la emisin
estimulada, que tambin se han presentado en bloques anteriores.

Figura 1.

La emisin de un LED se produce en la zona depletiva, donde existe abundancia de electrones y

huecos producindose abundantes recombinaciones. En el resto del diodo no hay suficientes
pares para que la tasa de recombinacin sea significativa.

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EMISIN EN UNIONES p-n

Una unin p-n fuertemente dopada y polarizada en directa acumula abundantes electrones
y huecos en la zona depletiva, aumentando significativamente la tasa de recombinacin
radiativa. Un LED (Fig. 1) es un diodo que emite una parte significativa de la energa de
recombinacin e--h+ en forma de fotones (luz).

Gap directo e indirecto

No todos los materiales SC son adecuados para utilizarse como LEDs. Tan slo aquellos
que poseen gap directo en un diagrama E-k (materiales III-V, por ejemplo) presentan tasas
de recombinacin radiativa que compiten con las tasas no radiativas. La razn es que los
materiales de gap directo pueden recombinar sus pares e--h+ emitiendo simplemente un
fotn, mientras que los de gap indirecto deben absorber o emitir un fonn simultneamente
a la emisin del fotn. Recurdese que en una representacin E-k, los fotones son eventos
(casi) verticales gran intercambio de energa, poco momento mientras que los fonones
son (casi) horizontales gran intercambio de momento, poca energa. En la figura 2 se
representan ambos casos, utilizando una aproximacin parablica del mnimo de la banda
de conduccin y el mximo de la banda de valencia:

E = Ec +

h 2k 2
2mc

h 2k 2
E = Ev
2mv

Figura 2.

en la banda de conduccin y
{1}

en la banda de valencia

Los materiales de gap directo se pueden recombinar emitiendo un fotn. Los de gap indirecto
necesitan negociar simultneamente un fotn y un fonn, proceso altamente improbable. Por ello
no sirven como emisores (aunque s como detectores).

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siendo mc y mv las masas efectivas del electrn en BC y del hueco en BV respectivamente.

En la figura 2 se observan tambin las posiciones de los seudoniveles de Fermi de BV y
BC. En cada banda por separado, estos seudoniveles marcan la energa para la cual la
presencia de un electrn o un hueco son equiprobables. Las zonas coloreadas en BC y BV
marcan respectivamente el rango de energas en que predominan los e- en BC y los h+ en
BV. Esas regiones son precisamente las que producen mayor cantidad de recombinaciones,
determinando el mximo de emisin del material SC. Obsrvese tambin que, tal como
estn situados los seudoniveles, existe una inversin de poblacin entre la parte inferior
de BC y la superior de BV. Esta circunstancia ser aprovechada cuando planteemos el
diseo de diodos lser.

Anchura espectral y pico de emisin

Tal como se vi en el captulo de semiconductores, los electrones de BC tienden a
hundirse a la parte inferior de la banda, y los huecos de BV tienden a flotar a la parte
superior, siguiendo ambos la distribucin de Fermi-Dirac. Sin embargo, el mayor nmero de
portadores se sita en una zona ligeramente superior (BC) e inferior (BV), ya que la
densidad de estados es muy baja en los bordes de las bandas. As pues, el pico de
emisin de un SC est ligeramente por encima de su gap. Adems depende de la
temperatura, puesto que sta modifica la distribucin de portadores. Como aproximacin se
puede calcular la posicin del pico como:

Eg +

kT
2

{2}

En cuanto a la anchura espectral, est tambin relacionada con la temperatura (aumenta al

aumentar sta, ya que se ensanchan las distribuciones de portadores en las bandas).
Resulta casi independiente del material y de la posicin del pico de emisin, y se puede
aproximar como

1,8kT

{3}

En la figura 3 se representan los espectros de emisin de algunos materiales III-V.

Obsrvese que la posicin del pico vara con el material. La anchura espectral en frecuencia
es casi idntica en todos ellos. En la figura las anchuras crecen hacia la derecha porque se
estn representando en funcin de la longitud de onda:

1,8

kT 2

hc

{4}

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Figura 3. Espectros de emisin de algunos materiales III-V empleados en dispositivos optoelectrnicos

LA DOBLE HETEROESTRUCTURA
Hasta ahora hemos obviado un hecho fundamental, que supuso un obstculo notable en el
desarrollo de los LED y LD: la radiacin emitida en la unin p-n puede ser reabsorbida por
las zonas p y n del SC. Esto hace que el rendimiento cuntico externo del LED sea muy
bajo, ya que slo una pequea fraccin de la luz generada llega a salir al exterior.
La solucin ms inmediata es hacer que la unin p-n est muy prxima a una de las caras
de salida. En este principio se basaron originalmente los LEDs de emisin superficial, que se
estudiarn ms adelante. Otra solucin ms elegante consiste en variar la composicin de
las distintas zonas del SC para modificar el tamao del gap. Los diodos cuya composicin
es idntica en las zonas p y n (salvo dopados) se denominan diodos de homounin. Si la
composicin vara, se denominan heterouniones.
Casi todos los LEDs actuales emplean una doble heterounin, tambin llamada doble
heteroestructura (Fig. 4). En ellas, la composicin del material es diferente en la zona p, en
la unin p-n y en la zona n. Con una doble heteroestructura se pueden conseguir varias
ventajas simultneas:

Transparencia. Si se hace que el gap de la unin p-n sea menor que los gaps de las
zonas p y n, los fotones emitidos por la unin no podrn ser reabsorbidos por dichas
zonas. As pues, el material se vuelve transparente a la longitud de onda de emisin.
Esta propiedad se emplea en casi todos los LEDs actuales, y es obligatoria en el caso
de los LD.

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Confinamiento. Si se dispone la estructura de bandas de forma escalonada, se puede

conseguir confinar los portadores en la unin, incrementando la posibilidad de
recombinacin.

Guiado. Al escoger los materiales de la heteroestructura, se puede buscar adems que

el ndice de refraccin de la unin sea superior al de las zonas p y n. En tal caso, el
dispositivo se comporta pticamente como una guaonda. Esta propiedad se utiliza en
los LEDs de emisin lateral (edge-emitting LEDs o ELEDs) y en los LDs, donde el
guiado resulta imprescindible para crear la cavidad resonante.

Figura 4. Doble heteroestructura empleada en LEDs y LDs. Se consiguen simultneamente tres

efectos: evitar la reabsorcin de los fotones generados, confinar la recombinacin de
portadores, y guiar la luz hacia la salida.

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EL LED
El LED es un dispositivo sencillo de manipular y econmico, que se adapta bien a enlaces
de Comunicaciones pticas de poco alcance y moderado ancho de banda. Tienen
habitualmente un diagrama de radiacin lambertiano (coseno), es decir, bastante abierto,
por lo que se adaptan mejor a fibras pticas con apertura numrica alta, como las fibras
multimodo. Es comn utilizar LEDs asociados a fibras multimodo de ndice gradual en
redes de rea local.
Los LED emiten luz incoherente, a diferencia de los LD. Funcionan por emisin espontnea.
Desde el punto de vista elctrico, un LED es un diodo que se polariza en directa, y necesita
para su funcionamiento una fuente de corriente. La respuesta ptica del LED es
(razonablemente) lineal con la corriente que lo atraviesa, hasta llegar a saturacin.
Los LED de primera ventana (850 nm) suelen fabricarse de GaAs y AlGaAs. Los de segunda
y tercera ventana utilizan InGaAsP e InP.
Existe tres tipos bsicos de LED para sistemas de comunicaciones pticas por fibra: el LED
de emisin superficial (SLED), el de emisin por borde o lateral (ELED) y el diodo
superluminiscente (SLD) o superradiante. Sus caractersticas electropticas y dinmicas
son diferentes, por lo que resultan apropiados en distintas aplicaciones. As, en distancias
cortas (0-3 km), con tasas binarias bajas, se usan SLEDs y ELEDs. Un SLED tpico puede
funcionar eficientemente hasta 250 Mbps. Van invariablemente asociados a fibras pticas
multimodo, puesto que su diagrama de radiacin suele ser bastante abierto (lambertiano).
Para distancias mayores y/o tasas binarias ms altas, se prefieren los ELED. stos pueden
modularse a tasas superiores a 400 Mbps, y se asocian tanto a fibras monomodo como
multimodo. A distancias y tasas an mayores se usan los ELED y los SLD. Los SLD son
ELEDs diseados para operar en modo superluminiciscente, por amplificacin de emisin
espontnea (ASE), tal como se comenta posteriormente.

LEDs de emisin superficial

Los SLED son diodos que emiten por una de sus caras, p o n. Los ms conocidos son los de
tipo Burrus (Fig. 5), llamados as en honor de C.A. Burrus, que fue quien los desarroll.
Existe otra variedad llamada plana, que se diferencia bsicamente en la estructura,
Tanto en uno como en otro caso, el tamao de la regin activa de emisin se limita a una
zona circular de 2050 m, en el centro de la cara. Para mejorar la eficiencia, se adelgaza la
parte de la cara de emisin situada sobre la regin activa, ya sea por ataque qumico
(Burrus) o por construccin. Sobre el hueco practicado se suele fijar una fibra ptica con un
adhesivo de tipo epoxi, de modo que la fibra queda situada perpendicularmente a la zona

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Figura 5. LED de emisin superficial de tipo Burrus acoplado a una fibra.

activa. Adems de garantizar un acoplamiento ptimo de la luz, el adhesivo permite

emparejar los ndices de refraccin reduciendo la reflexin Fresnel de las caras.

LEDs de emisin lateral

Los LEDs de emission lateral o de borde (edge-emitting LEDs o ELED) surgieron como
desarrollo posterior ante la demanda de fuentes que pudiesen alcanzar mayor distancia, a
mayor longitud de onda y con mayor tasa binaria.
En los ELED, la regin activa es una tira estrecha que se crea bajo la superficie del sustrato.
ste se corta o se pule de manera que la tira alcanza los dos extremos del dispositivo. Se
emplea una doble heteroestructura con los mismos fines que en los SLED, y adems como
guiaonda, haciendo el ndice de la zona activa superior al de las dos zonas inmediatas.
Tambin se confina lateralmente. La faceta trasera se suele tallar o recubrir para hacerla

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Figura 6. LED de emisin lateral.

reflectante, mientras que la delantera, por donde se produce la salida del haz de luz, se
recubre de un material antirreflexivo. De este modo se optimiza la salida a un solo borde.
Los ELED son capaces de acoplar mayor porcentaje de potencia que los SLED a fibras con
baja apertura numrica. En algunas aplicaciones se utilizan asociados a fibras monomodo.
El rango espectral de la emisin es asimismo ms estrecho en los ELED. Como
contrapartida, los ELED son ms sensibles a los cambios de temperatura que los SLED.

LEDs superradiantes
Los LEDs superradiantes o superluminiscentes (SLD) son ELED que funcionan a un alto
rgimen de inyeccin de corriente. El fenmeno de la superluminiscencia (obtencin de
ms de un fotn en promedio por cada recombinacin espontnea) aparece cuando los
fotones producidos por emisin espontnea experimentan ganancia por emisin estimulada
debida a la alta concentracin de pares e--h+ existentes en cada momento. La salida de un

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SLD procede de esta amplificacin de la emisin espontnea (ASE) y como

consecuencia es parcialmente coherente.
Los SLD son dispositivos intermedios entre los LED convencionales y los lseres. Presentan
una anchura espectral menor que los primeros y mayor que los segundos. Su geometra se
aproxima a los LDs, pero carecen de un mecanismo eficiente de realimentacin ptica
necesario para conseguir alta coherencia (llevan una capa antirreflexiva para destruir la
cavidad Fabry-Perot).
Cuando se ataca un SLD con baja intensidad, su funcionamiento es semejante al de un
ELED. A medida que se incrementa el nivel de corriente, comienza a actuar el fenmeno de
la superluminiscencia, y la potencia ptica aumenta de forma no lineal a la vez que se
reduce la anchura espectral.
Las ventajas principales de los SLD son su mayor potencia acoplada, mayor ancho de
banda y menor anchura espectral. Por el contrario, la respuesta no lineal corriente-potencia
ptica supone una desventaja, adems de su alta sensibilidad a la temperatura, menor
fiabilidad y alto precio.