EA

Transistores
Prof. Cassius Grillo

Sumrio
1 Potncia no Transistor
2 Corrente de Fuga no Transistor
3 Correo da Relao entre as Correntes no Transistor
4 Influncia da Temperatura na Corrente de Coletor
5 Configuraes do Transistor

6 Utilizao das Curvas Caractersticas de Sada

7 Ponto de operao
8 Limitao da Dissipao de Potncia Sobre a Reta de Carga
9 Exerccios

1 POTNCIA NO TRANSISTOR
Potncia de dissipao mxima o valor mximo de potncia que pode ser fornecida
ao transistor sem que este sofra desvios significativos de suas caractersticas
eltricas ou danos por sobreaquecimento.

PC = V CE I C >> V BE I B = PB
PC >> PB Ptotal = PC + PB PC

Ptotal VCE I C
A resistncia trmica um parmetro que determina a oposio apresentada
por um material ao fluxo de calor. Dessa forma bons condutores trmicos so
aqueles materiais que exibem uma baixa resistncia trmica e nos quais o
calor pode ser transmitido mais rapidamente..

1 POTNCIA DO TRANSISTOR
O fluxo de calor entre o transistor e o meio ambiente depende da diferena
entre a temperatura interna do transistor e a temperatura do ambiente
externo.
Determinar a potncia de
dissipao mxima para o
transistor BC548 para operao
a uma temperatura ambiente de
50 C.
Devido influncia da temperatura na
transmisso de calor, a especificao
de potncia mxima de dissipao
feita para uma dada temperatura.

2 CORRENTE DE FUGA NO TRANSISTOR

qualquer cristal semicondutor do tipo p apresenta uma grande quantidade de
lacunas e apenas uma pequena quantidade de eltrons livres. Nesses materiais, as
lacunas so denominadas de portadores majoritrios e os eltrons de portadores
minoritrios.

2 CORRENTE DE FUGA NO TRANSISTOR

O movimento de portadores minoritrios atravs de uma juno pn s
importante quando esta fica submetida a uma polarizao inversa.

O potencial inversamente aplicado favorece a injeo dos portadores minoritrios

atravs da juno, dando origem a uma pequena corrente de fuga.

3 CORREO DA RELAO ENTRE AS

CORRENTES NO TRANSISTOR
o ganho de corrente do transistor em operao na regio ativa permite
obter a corrente de coletor diretamente da corrente de base, a partir da
expresso.

I C = I B

No entanto a equao anterior prev que a corrente de coletor se anula se a

corrente de base tambm for nula. Mas isso no ocorre pois com IB = 0, flui uma
pequena corrente ICEO entre coletor e emissor.

I C = I B + I CEO
Na regio ativa, IB >> ICEO IC IB

3 CORREO DA RELAO ENTRE AS

CORRENTES NO TRANSISTOR
Qual a ordem de grandeza da corrente de fuga no coletor de um transistor?
Ou alternativamente: Qual a relao entre a corrente de coletor com base em
aberto, ICEO, e aquela obtida com emissor em aberto, ICBO?

A resposta a essa questo envolve uma anlise mais detalhada que leva em conta
todas as componentes de corrente do transistor e que permite demonstrar que a
relao procurada da forma:

I CEO = ( + 1)I CBO

A corrente de fuga no coletor de um transistor aproximadamente (
+1) vezes
superior quela observada em um diodo polarizado inversamente.

4 INFLUNCIA DA TEMPERATURA NA
CORRENTE DE COLETOR
O aquecimento de um cristal semicondutor promove o rompimento de ligaes
covalentes, gerando portadores minoritrios no cristal. No caso do transistor, o
acrscimo de portadores minoritrios com a temperatura aumenta a corrente de
fuga no coletor.
O disparo trmico, tambm denominado de
avalanche trmica, um fenmeno que ocorre no
transistor devido corrente de fuga e que pode
lev-lo destruio por superaquecimento.

Exerccios
1. Qual a potncia dissipada em um transistor de silcio npn submetido s
condies eltricas: IB = 20 A, VBE = 0,6 V, IC = 2 mA e VCE = 10 V?
2. O que resistncia trmica?
3. Quais os fatores que influenciam a potncia dissipada em um transistor?
4. O que potncia de dissipao mxima de um transistor?
5. Determine a potncia de dissipao mxima de um transistor BC548
operando a uma temperatura ambiente de 100 C.
6. O que so portadores majoritrios e minoritrios em um cristal
semicondutor?
7. Sob que polarizao de uma juno pn se torna importante o movimento
de portadores minoritrios?
8. Defina os parmetros ICB0 e ICE0.
9. Por que a maioria de componentes semicondutores fabricada com
cristais de silcio?
10.O que disparo trmico e que conseqncia pode provocar em um
transistor?

Curva caracterstica do BC 548

5 CONFIGURAES DO TRANSISTOR
Existem trs possibilidades de configurar um transistor em um circuito.
Configurao emissor comum: o terminal do emissor comum s duas
malhas do circuito, como mostrado na Fig.1a.
Configurao base comum: o terminal da base do transistor comum s
duas malhas do circuito, como ilustrado na Fig.1b.
Configurao coletor comum: o terminal do coletor comum s duas
malhas do circuito, como na Fig.1c.

5 CURVA CARACTERSTICA DO
TRANSISTOR
Como o transistor um componente de trs terminais, cada par de terminais est
associado a uma corrente e uma tenso. Dessa forma, podem-se em princpio
utilizar os seis parmetros definidos a seguir para representar as propriedades do
transistor:
IB
=
corrente de base.
IC
=
corrente de coletor.
IE
=
corrente de emissor.
VCB
=
tenso coletor-base.
VCE
=
tenso coletor-emissor.
VBE
=
tenso base-emissor.

5 CURVA CARACTERSTICA DO
TRANSISTOR
O tipo de ligao mais utilizado em circuitos transistorizados a configurao emissor
comum, mostrada na figura abaixo. As curvas caractersticas dos transistores,
fornecidas pelos fabricantes, geralmente se referem a esse tipo de configurao.

Verifica-se que, na configurao emissor comum, apenas quatro parmetros so

suficientes para descrever o comportamento do transistor. Uma escolha possvel
corresponde aos parmetros, VBE, IB, VCE e IC. Uma vez conhecidos esses quatro
parmetros os dois restantes podem ser obtidos utilizando as leis de Kirchhoff.

5 CURVA CARACTERSTICA DO
TRANSISTOR
A influncia da corrente de base na
corrente de emissor torna maior a
importncia das curvas caractersticas de
sada na representao das propriedades
eltricas do transistor. Essas curvas
caractersticas so tambm denominadas
de curvas caractersticas do coletor.
Essas curvas caractersticas so tambm
denominadas de curvas caractersticas
do coletor.
Sabendo que para cada valor do
parmetro VCE a corrente IC dependente
do valor da corrente IB, cada curva
caracterstica de sada construda de
forma a representar graficamente a
relao entre IC e VCE para um
determinado valor de IB.

6 UTILIZAO DAS CURVAS CARACTERSTICAS

DE SADA
Com o uso das curvas caractersticas possvel determinar as condies de
operao de um transistor em um circuito. Isso feito utilizando-se o conceito de
reta de carga.
Para o caso de um transistor npn conectado ao circuito mostrado na figura
abaixo, aplicando-se a 2 a. Lei de Kirchhoff malha de coletor tem-se que

VCC = VCE + RC I C
ou alternativamente

VCE = VCC RC I C

(1)

(2 )

Para valores fixos dos parmetros VCC e RC, a Eq.(2) representa uma relao
linear entre a tenso coletor-emissor VCE e a corrente de coletor IC.

6 UTILIZAO DAS CURVAS CARACTERSTICAS

DE SADA
Esse segmento de reta, denominado de reta de carga, pode ser traado
conhecendo-se apenas dois de seus pontos. Estes so obtidos diretamente da
Eq.(2), observando-se que:
Interseo com o eixo horizontal IC = 0 VCE = VCC .
Interseo com o eixo vertical VCE = 0

6 UTILIZAO DAS CURVAS CARACTERSTICAS

DE SADA
Condio de corte
A condio de corte ocorre quando a corrente de base no transistor nula. A partir
da relao entre correntes j derivada anteriormente.
Desprezando-se a corrente de fuga no coletor, a condio IB=0 fornece IC=0 que
define o ponto de corte mostrado no grfico anterior.

I C = I B + ( + 1)I CBO

6 UTILIZAO DAS CURVAS CARACTERSTICAS

DE SADA
Condio de saturao
A condio de saturao ocorre quando a corrente de base suficientemente alta
de forma a anular a tenso coletor-emissor. Dessa forma, impondo VCE = 0 na Eq.(2)
resulta que corresponde ao ponto de saturao mostrado no grfico anterior.
Essa situao equivale existncia de um curto entre os terminais do coletor e do
emissor no circuito da figura abaixo, de forma que toda a tenso da fonte de
alimentao se transfere diretamente para o resistor de coletor.

7 Ponto de operao
Na condio normal de funcionamento, denominada de funcionamento na regio
ativa, a juno base-emissor fica polarizada diretamente.
100
IC
80

I B=I BQ

60
40
20
0
0

10 20

30 40V CE
50

O procedimento grfico pode ser descrito com base no circuito mostrado no

circuito, onde admite-se que a corrente de base esteja estabelecida em um valor IB
= IBQ. O grfico mostra as curvas caractersticas de sada que incluem aquela
referente ao valor IB = IBQ.

7 Ponto de Operao
Conhecidos os valores de VCC e RC no circuito abaixo, quais so os valores
resultantes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor?

7 PONTO DE OPERAO
da mesma forma que os valores de corrente e tenso para o circuito definem algum
ponto na curva caracterstica, a soluo deve tambm estar em algum ponto da reta
de carga. S existe portanto um ponto que pode existir simultaneamente na reta de
carga e na curva caracterstica correspondente a uma corrente de base IBQ. Esse
ponto, mostrado na abaixo, o ponto de operao ou ponto quiescente Q.

7 PONTO DE OPERAO
Determinado o ponto quiescente do circuito, obtm-se diretamente do grfico os
valores quiescentes da corrente de coletor e da tenso coletor-emissor,
representados pelos parmetros ICQ e VCEQ, respectivamente. A queda de tenso
sobre o resistor de coletor no ponto quiescente fica assim determinada pela
expresso

VRcQ = VCC VCEQ

O exemplo seguinte ilustra o clculo numrico do ponto quiescente de um circuito

transistorizado.

7 PONTO DE OPERAO
Exemplo1: O circuito mostrado na Fig.12 utiliza um transistor BC146. Para uma
corrente de base de 100A determinar os parmetros IC, VCE e VRc.
As curvas caractersticas do transistor BC146 esto representadas no
grfico a seguir, juntamente com a reta de carga do circuito. A interseo da reta
de carga com a curva correspondente a uma corrente de base de 100 A ocorre no
ponto quiescente Q. Como pode ser a observado, os valores de corrente e tenso
so,
I CQ = 22 mA , VCEQ = 3,4 V
A tenso no resistor de coletor obtida da Eq.(4), resultando em

V RcQ = 6 3,4 = 2,6 V

7 PONTO DE OPERAO
A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento de eltrons
livres e lacunas no interior da estrutura cristalina, dando origem s correntes nos
terminais do transistor. Utiliza-se como representao de circuito para essas
correntes aquela indicada na figura abaixo.

7 CURVA DE DISSIPAO MXIMA

Utilizando o valor da potncia de dissipao mxima do transistor, pode-se definir,
no diagrama das curvas caractersticas de sada, as faixas de valores de corrente de
coletor e de tenso coletor-emissor que assegurem a operao do transistor dentro
de seus limites de dissipao de potncia.
Como j discutido no fascculo anterior, a potncia de dissipao mxima do
transistor dada aproximadamente pela expresso

PC,mx = VCE I C
A relao dada pela equao acima pode tambm ser escrita na forma
P
I C = C,mx
VCE
A equao anterior estabelece a dependncia da corrente de coletor com a tenso
coletor-emissor para um dado valor da potncia de dissipao mxima.

7 CURVA DE DISSIPAO MXIMA

Por exemplo, considerando o caso do transistor BC547 com a especificao PC,mx =
500mW a 25C, tem-se

0,5 W
IC =
VCE
Utilizando o conjunto de valores de VCE listados na 2a. coluna da Tabela 1, obtm-se
os valores de IC da 3a. coluna daquela tabela.
Tabela 1Alguns valores de VCE e IC correspondentes dissipao mxima de 500
mW no transistor BC547.
Ponto

VCE

IC

5V

0,1A = 100 mA

10 V

0,05 A = 50 mA

20 V

0,025 A = 25 mA

40 V

0,0125 A = 12,5 mA

7 CURVA DE DISSIPAO MXIMA

Na figura abaixo temos representao grfica da equao anterior para o transistor
BC547. Representando-se os quatro pontos no diagrama IC VCE. A curva que passa
pelos quatro pontos a representao grfica da relao entre os parmetros IC e
VCE.

7 CURVA DE DISSIPAO MXIMA

A curva de dissipao mxima do transistor
define o limite entre duas regies, indicadas na
figura abaixo. A regio localizada acima da
curva de dissipao mxima representa a
regio de dissipao excessiva do transistor,
pois os valores de VCE e IC naquela regio
fornecem uma potncia de dissipao superior
potncia
de
dissipao
mxima
do
componente.

8 LIMITAO DA DISSIPAO DE
POTNCIA SOBRE A RETA DE CARGA
A reta de carga expressa todas as possibilidades de funcionamento de um transistor
para um determinado valor do resistor de coletor e da tenso de alimentao. Como
a curva de dissipao mxima estabelece o limite da regio de funcionamento
normal do transistor, faz-se necessrio que a reta de carga esteja sempre situada
abaixo daquela curva.

8 LIMITAO DA DISSIPAO DE
POTNCIA SOBRE A RETA DE CARGA
Temos o trecho de um circuito alimentando um transistor npn BC547 na
configurao emissor comum. Est traada a curva de dissipao mxima de 500
mW referente a uma temperatura de 25C. No mesmo grfico esto representadas
as retas de carga obtidas atribuindo-se para VCC os valores de 40 V e 30 V,
respectivamente, com RC fixado em 500 em ambos os casos.

8 LIMITAO DA DISSIPAO DE
POTNCIA SOBRE A RETA DE CARGA
Para evitar a possibilidade de dissipao excessiva de um
transistor, os parmetros de circuito devem ser escolhidos
de forma que a reta de carga correspondente esteja
situada totalmente abaixo da curva de dissipao mxima
do componente.

Exerccios
1. Cite as configuraes de um transistor em um circuito, caracterizando-as.
2. Para um transistor na configurao emissor comum, quais so os parmetros de
entrada e sada?
3. Para um transistor na configurao emissor comum, como so representadas as
curvas caractersticas de sada?
4. O que a reta de carga de um circuito transistorizado na configurao emissor
comum?
5. Qual a denominao dos pontos de interseo da reta de carga com os eixos
vertical e horizontal do diagrama IC VCE?
6. Para as condies estabelecidas no Exemplo 1, utilize o grfico da Figura a
seguir para determinar:
7. IC no ponto de saturao.
8. VCE no ponto de corte.
9. Para operao segura de um transistor, qual deve ser a disposio da reta de
carga com respeito curva de dissipao mxima do transistor?

FIM