Carrera: TECNICATURA UNIVERSITARIA EN MECATRNICA

Asignatura: ESTUDIO Y ENSAYO DE MATERIALES

Unidad n 2

ESTRUCTURAS CRISTALINAS
Estructura del tomo
Un tomo est compuesto por un ncleo rodeado por electrones (tienen carga negativa) que giran alrededor
del ncleo. El ncleo a su vez est formado por neutrones (que tienen carga neutra) y protones (poseen carga
positiva), por lo que la carga neta del ncleo es positiva.
Los electrones con carga negativa orbitan alrededor del ncleo y se mantienen girando alrededor de l por
causa de la fuerza de atraccin electroesttica.
Estos electrones giran alrededor del ncleo en diferentes rbitas. En aquellas rbitas que se encuentran mas
alejadas del ncleo, es decir en las capas exteriores, giran los llamados electrones de valencia. stos
electrones son los que participan en los enlazamientos entre tomos y en las reacciones qumicas.
El nmero de valencia de un elemento nos indica el nmero de electrones que un tomo de ese elemento
dispone en su ltima capa u rbita.

tomo en 2d

tomo en 3d

Enlaces Atmicos
Existen cuatro mecanismos importantes por medio de los cuales se enlazan los tomos en los materiales de
ingeniera. Ellos son:

ENLACE METLICO
ENLACE COVALENTE
ENLACE INICO
ENLACE POR FUERZAS DE VAN DER WAALS

Los tres primeros enlaces son relativamente fuertes y se los conoce como enlaces primarios. Estos enlaces
ocurren entre tomos adyacentes y resultan de la transferencia o comparticin de electrones que se
encuentran girando en las rbitas externas.

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Enlace METLICO
Los tomos de los materiales metlicos poseen pocos electrones en su ltima capa (por lo general 1, 2 o 3).
Estos tomos pierden fcilmente sus electrones (electrones de valencia), quedando entonces los tomos con
una carga neta positiva. Los tomos con carga positiva se ordenan ahora en el espacio formando la red
metlica. Los electrones de valencia desprendidos de los tomos forman una nube de electrones que puede
desplazarse a travs de toda la red. De este modo todo el conjunto de los tomos del metal, cargados
positivamente, del metal quedan unidos mediante la nube de electrones con carga negativa que los envuelve.
Es decir que la nube de electrones acta como un pegamento.
Debido a que los electrones que forman la nube no estn fijos es que los metales son buenos conductores
elctricos y trmicos. Esto permite explicar la alta conductividad elctrica y trmica.
La ductilidad de un material se refiere a la habilidad que tenga de estirarse o flexionarse permanentemente
sin romperse.
Los metales muestran buena ductilidad debido a que los enlaces metlicos son NO direccionales.

Enlace COVALENTE
Los materiales con enlaces covalentes se caracterizan por sen enlaces que se forman por medio de la
comparticin de los electrones de valencia de dos o ms tomos.
Cuando dos tomos se unen siempre cumplen con la llamada Regla del Octeto.
REGLA DEL OCTETO
Todos los tomos de los elementos del sistema peridico tienden a completar sus ltimos niveles de energa
con una cantidad de ocho electrones
Son los electrones de la ltima capa los que tienden a completarse hasta ser un total de ocho electrones y
para lograrlo compartirn sus electrones con otro tomo.
Se enlazan covalentemente tomos de materiales no metlicos (elementos situados a la derecha de la tabla
peridica: C, O, F, Cl, etc). Estos tomos tienen muchos electrones en su nivel ms externo (electrones de
valencia) y tienen tendencia a ganar electrones ms que a cederlos, para adquirir la estabilidad de la
estructura electrnica de gas noble y cumplir con la regla del octeto. Por tanto, los tomos no metlicos no
pueden cederse electrones entre s para formar iones de signo opuesto.
En este caso el enlace se forma al compartir un par de electrones entre los dos tomos, uno procedente de
cada tomo. El par de electrones compartido es comn a los dos tomos y los mantiene unidos, de manera

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que ambos adquieren la estructura electrnica de gas noble. Se forman as habitualmente molculas:
pequeos grupos de tomos unidos entre s por enlaces covalentes.
Por ejemplo, un tomo de SILICIO que tiene 4 electrones orbitando en su ltima capa, es decir que tiene
valencia igual a 4, obtiene 8 electrones en su ltima rbita al compartir sus electrones con otros 4 tomos de
SILICIO circundantes

Cada tomo de Si est enlazado con 4 tomos de Si vecinos por medio de 4 enlaces covalentes.
Los tomos en un enlace COVALENTE, tienen una RELACIN FIJA DIRECCIONAL entre s, esto quiere decir que
los tomos forman entre cada uno de ellos, ngulos especficos.

Los enlaces covalentes son muy fuertes.

Por esta razn los materiales enlazados de esta manera son muy resistentes y duros. Ejemplos de ello son el
Diamante (C ), el Carburo de Silicio (Si C).
Tambin tienen muy alto punto de fusin por lo que se puede pensar que tendrn utilidad en aquellas
aplicaciones que requieran resistir altas temperaturas, tales como altos hornos.
Tienen ductilidad muy limitada, debido a sus enlaces direccionales.
La conductividad elctrica de los materiales con enlaces covalentes no es alta debido a que sus electrones de
valencia estn encerrados en los enlaces entre los tomos y no estn disponibles fcilmente para la
conduccin.
Trabajando con algunos de estos materiales como el Si, se puede lograr una conductividad elctrica con el
agregado de pequeos niveles de otros elementos conocidos como dopantes.
Otro ejemplo de enlace covalente entre un tomo de Hidrgeno y otro de Cloro.

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Enlace IONICO
Este enlace se produce cuando tomos de elementos metlicos (especialmente los situados ms a la
izquierda en la tabla peridica -perodos 1, 2 y 3) se encuentran con tomos no metlicos (los elementos
situados a la derecha en la tabla peridica - especialmente los perodos 16 y 17).
En este caso los tomos del metal ceden electrones a los tomos del no metal. De esta manera, ambos
tomos tienen niveles de energa llenos o vacos, pero han adquirido una elctrica y se comportan como
iones. Los tomos que cedieron electrones quedaron con una carga elctrica positiva (+) y se llaman
CATIONES, mientras que los que recibieron estos electrones quedan con una carga elctrica negativa (-) y se
llaman ANIONES. Los iones de cargas opuestas se atraen entre s y se produce una fuerte unin dando lugar al
enlace IONICO.

ESTRUCTURAS CRISTALINAS
Para poder comprender las propiedades de los materiales, y por lo tanto poder seleccionar el material idneo
para una aplicacin especfica, se hace necesario comprender la estructura de los materiales. La comprensin
de los materiales se logra a travs de modelos. Los modelos no son ms que hiptesis o planteamientos
tericos que han sido demostrados y validados con experimentos y simulaciones, y que se aceptan como
verdaderos mientras no se pueda demostrar lo contrario. Los modelos que se utilizan para comprender los
fenmenos naturales han ido evolucionando y perfeccionndose con el tiempo, a medida que la tecnologa
ha permitido que los mtodos experimentales sean mas elaborados facilitando la recoleccin de mas y
mejores datos.
El modelo sobre la estructura de los materiales que se acepta como vlido en la actualidad consiste
bsicamente en lo siguiente:
a) Los materiales estn formados por tomos
b) Se considera que los tomos se comportan como esferas slidas
c) tomos de diferente naturaleza qumica se modelan como esferas de diferente tamao

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d) Los tomos se enlazan entre s para dar cohesin al material. Las caractersticas del enlace son diferentes
dependiendo del material (metales: enlace metlico; cermicos: enlace inico; polmeros: enlace covalente).
Tanto el enlace metlico como el inico tienen naturaleza electroesttica, lo cual significa que las fuerzas que
mantienen unidos a los tomos son generadas por cargas elctricas. Esto hace que el enlace que une a los
tomos se comporte de manera elstica, es decir, al intentar separar los tomos el enlace que los une pueda
estirarse como si se tratara de resortes.
e) La forma como los tomos se agrupan no es aleatoria en todos los materiales. Se tienen tres posibilidades:
1) Los tomos se unen unos a otros sin seguir un orden o patrn definidos. La posicin de cada tomo
en el material es aleatoria. A los materiales que tienen estas caractersticas se los llama MATERIALES
AMORFOS. Ejemplos de materiales amorfos: el vidrio, la cola y la mayora de los plsticos.
2) Los tomos se unen entre s siguiendo un patrn definido en todo el material, como si se tratara de
ladrillos colocados en una pared. El patrn de ordenamiento es repetitivo y regular, extendindose a todo el
material. A los materiales que tienen esta caracterstica se los llama MATERIALES CRISTALINOS.
Ejemplos de materiales cristalinos: los metales, la mayora de las cermicas y los semiconductores.
3) Algunos materiales pueden tener partes cristalinas (tomos ordenados siguiendo un patrn) y
partes amorfas (tomos colocados de manera aleatoria). Dependiendo del tamao de las zonas cristalinas,
estos materiales pueden clasificarse como AMORFOS o SEMICRISTALINOS.

La estructura cristalina no es ms que un concepto creado para describir la forma como estn organizados los
tomos en un material.
Muchas de las propiedades de los materiales se explican a partir de la estructura cristalina que posea el
material.
Las estructuras cristalinas se estudian por medio de la difraccin de rayos X. Los rayos X son un tipo de
radiacin similar a la de la luz visible, con la diferencia que su longitud de onda es menor. Esto permite a los
rayos X pasar fcilmente entre los tomos del material (la luz visible tiene una longitud de onda tal que no
cabe en esos espacios para la mayora de los materiales). Al utilizar rayos X, parte de la radiacin pasa entre
los tomos y otra se refleja en ellos. Esto genera ciertos patrones de sombras que indican la forma como los
tomos en encuentran ubicados en el material.
Suponga que es posible tomar una foto de los tomos colocados en un material en estado slido. La foto de
los tomos sera similar al esquema que se muestra a continuacin:

En el centro de cada tomo se ha colocado una cruz. Esas cruces representan el lugar geomtrico que define
las posiciones de cada uno de los tomos que forman el material. A esas posiciones se las llama puntos de
red. Los puntos de red pueden estar ocupados por tomos o pueden estar vacos.

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No es necesario dibujar todos los tomos del material para representar su estructura cristalina. Para el
ejemplo mostrado, es suficiente dibujar la posicin de cuatro tomos para hacerse una idea muy clara de
cmo estn colocados el resto de los tomos.
Cuatro puntos de red son suficientes para representar el ordenamiento de todos los tomos del material
ilustrado:

Al nmero ms pequeo de puntos de red que representan el ordenamiento de todos los tomos del
material se le llama celda unitaria. Para nuestro ejemplo, la celda unitaria est formada por cuatro puntos de
red contenidos en el plano. Pero, los materiales reales son tridimensionales, por lo que las celdas unitarias
que representan su estructura cristalina tambin son tridimensionales. Se considera que la estructura
cristalina de un material est formada por un conjunto de celdas unitarias apiladas entres s.
Existen catorce tipos diferentes de celdas unitarias agrupadas en siete sistemas cristalinos, pero para los
objetivos que se persiguen en este curso, bastar con estudiar el sistema cbico y el hexagonal.

SISTEMA CBICO
Tal como su nombre lo indica, la celda unitaria que define al sistema cbico es un cubo.
A la arista del cubo (longitud de sus lados) se lo llama parmetro de red y es una propiedad de la celda
unitaria.
a0: parmetro de red
Este parmetro se especifica siempre a temperatura ambiente, puesto que si se altera la temperatura, vara
tambin el parmetro de red.
El sistema cbico posee tres estructuras cristalinas:
1) Estructura cbica simple (CS)
La celda unitaria es un cubo de arista a0. Tiene un punto de red definido en cada uno de sus vrtices en dnde
se ubica una molcula.

2) Estructura cbica centrada en el cuerpo BCC (Body Center Cubic)

La celda unitaria es cubo de arista a0. Tiene un punto de red definido en cada uno de sus vrtices y un punto
de red definido en le centro geomtrico del cubo.

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Celdas unitarias BCC: a) de posiciones atmicas, b) de esferas rgidas y c) aislada.

3) Estructura cbica centrada en las caras FCC (Face Center Cubic)

La celda unitaria es un cubo de arista a0. Tiene un punto de red definido en cada uno de sus vrtices y un
punto de red definido en el centro geomtrico de cada una de sus caras.

Celdas unitarias FCC: a) de posiciones atmicas, b) de esferas rgidas y c) aislada.

SISTEMA HEXAGONAL
Estructura hexagonal compacta HCP (Hexagonal Close Packing)
La celda unitaria es un hexaedro de lado a0 y altura c.

Estructura cristalina HCP: a) esquema de la estructura cristalina, b) modelo de esfera dura y c) esquema de
celda unitaria aislada

Las celdas unitarias tienen propiedades. Algunas de sus propiedades ms relevantes son:

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a) Nmero de tomos por celda: Cada celda tiene asociada un nmero promedio de puntos de red.
En la celda unitaria CUBICA SIMPLE, cada punto de red en los vrtices es compartido por 8 celdas diferentes.
Esto equivale a plantear que solamente 1/8 del tomo pertenece a una celda. Si hay ocho puntos de red (uno
por vrtice), entonces el nmero de tomos por celda para la estructura C.S. es: 1/8 * 8 = 1.
Siguiendo el mismo razonamiento, se deduce que la estructura BCC tiene 2 tomos y la FCC tiene 4 tomos
por celda.
b) Factor de empaquetamiento atmico: Es la relacin entre el volumen ocupado por los
tomos de la celda unitaria y el volumen del cubo.
c) Relacin entre el radio atmico y la arista del cubo: Debido a la geometra de la ceda unitaria, existe una
relacin matemtica entre el radio de los tomos que la componen y el parmetro de red. Para los tomos de
la estructura BCC, los tomos se tocan entre s a lo largo de la diagonal principal del cubo, mientras que en la
FCC los tomos se tocan entre s a lo largo de la diagonal de cada una de sus caras.
d) Nmero de coordinacin: Es el nmero de tomos que estn en contacto con un tomo en particular del
material. El nmero de coordinacin puede interpretarse como el nmero de vecinos prximos que tiene
cada tomo del material.
e) Sitios intersticiales: Son los huecos que existen entre los tomos que forman la estructura cristalina y se
originan debido a que los tomos son esfricos. Los sitios intersticiales pueden estar vacos o pueden
contener tomos ms pequeos.
CS
N tomos por celda
Factor de empaquetamiento
Relacin entre el radio
atmico y la arista del cubo
Nmero de coordinacin
Ejemplos de materiales

BCC

FCC

HCP

52%

68%

74%

74%

2r=a0

4r/3 = a0

2r 2 = a0

2r=a0

12

12

Ni, Au; Ag,

V, Cr,
Mg, Zn, Be
Pt, Cu, Al, Mo,W, Ti()
Ti(), Zr
Fe()
Fe()

POLIMORFISMO O ALOTROPA
Muchos elementos y compuestos existen en ms de una forma cristalina en diferentes condiciones de
temperatura y presin. Este fenmeno se llama polimorfismo o alotropa. El trmino poliformismo se utiliza
para los compuestos mientras que el de alotropa lo reservamos para los elementos puros.
Muchos metales de importancia industrial como el hierro, titanio y cobalto sufren transformaciones
alotrpicas a temperaturas elevadas y a presin atmosfrica.

Formas cristalinas alotrpicas del hierro entre distintos rangos

de temperatura a presin atmosfrica

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El hierro se presenta en estructuras cristalina BCC y FCC en el rango de temperatura que va desde la
temperatura ambiente hasta la temperatura de fusin a 1 539C, que se muestra en la figura 3 . 24. El hierro
alfa (a) existe desde 273 hasta 912C y Uene una estructura cristalina BCC. El hierro gamma (g) existe
desde 912 hasta 1 394C y tiene una estructura cristalina FCC.
El hierro delta (d) existe desde 1 394 hasta 1 539C, que es la temperatura de fusin del hierro.
La estructura cristalina del hierro d es tambin BCC pero con una constante de red mayor que la del hierro
a.
DEFECTOS EN LAS ESTRUCTURAS CRISTALINAS
El arreglo de los tomos o iones en los materiales de ingeniera contiene imperfecciones o defectos. Estos
defectos tienen con frecuencia un profundo efecto sobre las propiedades de los materiales. Al material no se
lo considera defectuoso desde un punto de vista tecnolgico por la presencia de estas imperfecciones, por el
contrario, en muchas aplicaciones, la existencia de tales imperfecciones suponen en la realidad una utilidad.
Sin embargo, existen unas cuantas aplicaciones en donde se tratar de minimizar un tipo de defecto en
particular. Por ejemplo, los defectos conocidos como dislocaciones son tiles para aumentar la resistencia de
los metales y aleaciones, mientras que en el Silicio monocristalino, utilizado para la fabricacin de
componentes electrnicos, no es deseable la presencia de dichas dislocaciones.
Con frecuencia, se pueden crear defectos de manera intencional para producir un conjunto de propiedades
electrnicas, magnticas, pticas o mecnicas. Por ejemplo, el hiero puro es relativamente blando, aunque
cuando se le adiciona una pequea cantidad de carbono, se crean defectos en el arreglo cristalino del hierro y
se transforma en un acero al carbono que presenta una resistencia mecnica considerablemente alta.
Cuando se desea utilizar el cobre como conductor en microelectrnica, se utiliza la pureza mas alta
disponible. Niveles pequeos de impurezas ocasionaran un incremento considerable en la resistividad
elctrica del cobre.
Los lmites de granos, son las regiones entre distintos granos de un material policristalino, representa un tipo
de defecto.
En los superconductores cermicos, bajo ciertas condiciones, se puede conducir electricidad sin ninguna
resistencia elctrica. Pero se ha comprobado que la corriente elctrica fluye muy bien dentro de los granos de
un superconductor, pero al llegar a los lmites de grano, existe una considerable resistencia al flujo de
corriente de un grano a otro (a travs del lmite de grano).
Por otro lado, la presencia de lmites de grano ayuda a endurecer a los materiales metlicos.

CLASIFICACIN DE LOS DEFECTOS

DEFECTOS PUNTUALES
Se dan a nivel de las posiciones individuales de los tomos. Los principales defectos puntuales son los
siguientes:
a) VACANCIAS: son puntos de red vacos en la estructura del material. Estos lugares deberan
idealmente estar ocupados por tomos, sin embargo se encuentran vacos.
b) TOMOS SUSTITUCIONALES: En teora, un material puro est formado exclusivamente por el mismo
tipo de tomos. Los materiales reales nos son 100% puros sino que poseen impurezas, las cuales se
definen como tomos diferentes a los tomos del material original. Cuando uno de esos tomos
diferentes sustituye a un tomo original ocupando su punto de red, recibe el nombre de tomo
sustitucional.
c) TOMOS INTERSTICIALES: Son tomos que ocupan lugares que no estn definidos en la estructura
cristalina. En otras palabras, son tomos cuya posicin no est definida por un punto de red.

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Normalmente estos tomos se colocan en los intersticios que se forman entre los tomos originales,
por lo que se les llama tomos intersticiales.

DEFECTOS LINEALES
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera sera perfecto. Por lo general
se introducen en un cristal durante la solidificacin del material o cuando se lo deforma de manera
permanente. Aunque las dislocaciones estn presentes en todos los materiales, incluyendo las cermicas y los
polmeros, son particularmente tiles para explicar la deformacin y el endurecimiento en los materiales
metlicos. Se pueden identificar tres tipos de dislocaciones:
Dislocacin helicoidal
Dislocacin de arista
Dislocacin mixta

Dislocacin helicoidal

Puede ilustrarse cortando de manera parcial a travs de un cristal perfecto y despus torciendo el cristal en
un espaciado atmico.

Dislocacin de arista

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Una dislocacin de arista puede ilustrarse cortando de manera parcial a travs de un cristal perfecto,
separando el cristal, y llenando de manera parcial el corte con un medio plano adicional de tomos.
Al introducir la dislocacin, los tomos sobre la lnea de dislocacin se comprimen de manera estrecha,
mientras que los tomos debajo de la dislocacin se estiran.

Dislocacin mixta

Las dislocaciones mixtas tienen componentes de arista y helicoidales, con una regin de transicin entre ellas.

Movimiento de la dislocacin
Consideremos la dislocacin de arista mostrada en la figura (a). Cuando se aplica un esfuerzo cortante lo
suficientemente grande, que acte paralelamente a un cristal que contiene una dislocacin, sta puede
moverse a travs de un proceso conocido como deslizamiento. Los enlaces que atraviesan el plano del
deslizamiento entre los tomos en la columna a la derecha de la dislocacin se muestran como rotos. Los
tomos en la columna a la derecha de la dislocacin debajo del plano del deslizamiento se desplazan
ligeramente por lo que establecen enlaces con los tomos de la dislocacin de arista. De esta manera la
dislocacin se ha desplazado a la derecha (figura(b)). Si el proceso contina, la dislocacin se mueve a travs
del cristal hasta que se produce un escaln en el exterior del cristal.
El cristal se ha deformado de manera plstica (o permanente). Este es el proceso fundamental que ocurre
muchas veces a medida que se dobla un clip de papel con los dedos. La deformacin plstica de los metales
es principalmente el resultado de la propagacin de las dislocaciones.

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Este proceso de rompimiento y reformacin de enlaces de manera progresiva requiere mucho menos energa
que la que requerira para romper de manera instantnea todos los enlaces que atraviesan el plano de
deslizamiento.
El proceso de deslizamiento es importante para comprender el comportamiento mecnico de los metales.
El deslizamiento explica la ductilidad de los metales. Si no se presentaran dislocaciones, una barra de acero
sera quebradiza y el metal no podra moldearse por medio de los procesos metalrgicos conocidos, tales
como la forja, el estampado etc.
Ademas, las propiedades mecnicas de un metal o aleacin se controlan interfiriendo el movimiento de las
dislocaciones. La introduccin de un obstculo en el cristal previene que una dislocacin se deslice a menos
que que apliquen fuerzas mayores. Por tanto, la presencia de dislocaciones ayuda a endurecer los materiales
metlicos.
DEFECTOS SUPERFICIALES
Son imperfecciones de la estructura cristalina que como su nombre lo indica, se encuentran localizadas en la
superficie del material. Los principales defectos son la misma superficie y los llamados lmites o bordes de
grano.
La superficie del material es un defecto de la estructura cristalina porque se rompe la simetra con que los
tomos estn enlazados. Los tomos que se encuentran en la superficie tienen enlaces qumicos no
completos, lo cual los hace ms reactivos qumicamente que el resto de los tomos. Estos enlaces qumicos
incompletos son los causantes de que algunos materiales se oxiden con facilidad cuando se exponen al medio
ambiente.

Enlaces incompletos en la superficie del material

Lmites de grano
Todos los materiales cristalinos estn formados por granos (cristales). Una buena analoga para comprender
esto consiste en considerar a los granos como los ladrillos de una pared. Cada ladrillo representara a un
grano del material. As como al unir los ladrillos se forma la pared, al unir los granos se forma el material .
Un grano es una porcin del material dentro de la cual el arreglo de tomos es casi idntico, pero la
orientacin del arreglo de tomos o estructura cristalina, es distinta para cada grano vecino. En la figura se
muestran de manera esquemtica 3 granos. La estructura cristalina es idntica pero los granos estn
orientados de manera distinta.

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Un lmite de grano, la superficie que separa los granos individuales, es una zona angosta en la que los tomos
no estn espaciados de manera apropiada. Los tomos estn tan cercanos entre s en algunas localizaciones
en los lmites de los granos que ocasionan una regin de compresin y en otras reas estn tan alejados que
ocasionan una regin de traccin.
Los lmites de grano actan como barreras para impedir el deslizamiento de las dislocaciones.
Un mtodo para controlar las propiedades del material es por medio del control del tamao de grano. Al
reducir el tamao de grano, se incrementa el nmero de granos y por lo tanto aumenta la cantidad del rea
de los lmites de grano. Cualquier dislocacin solo se mueve una distancia corta antes de que se encuentre
con un lmite de grano y se incrementa entonces la resistencia del material metlico.

DEFECTOS DE VOLUMEN
Generalmente se trata de defectos de fabricacin cuando se cuela el material. Los mismos pueden ser:
a) Poros
b) Grietas
c) Inclusiones de impurezas dentro del material

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