Laboratorio de Detectores

l Laboratorio de Detectores est destinado al mantenimiento y

reparacin de Detectores Semiconductores de Estado Slido. Detectores de
Ge(HP) Germanio Hiperpuro para radiacin "gamma" y detectores de S(Li) Silicio
Litio para radiacin "X". Son tambin reparados los Cristatos para trabajar a
temperatura de nitrgeno lquido y la Electrnica Asociada (Preamplificadores
varios, Fet enfriado, etc.)

El Detector Coaxial de Germanio Intrnseco Tipo N

El Detector Semiplanar de Germanio
puede medir con alta resolucin fotones desde por debajo Intrnseco Tipo P ofrece el menor ruido y
de 1 keV hasta 10 MeV. Es menos sensible a los daos
consecuentemente la mejor resolucin a
por radiacin de neutrones que otros detectores por
moderada bajas energas que cuaquiera otra
operar con tensin negativa.
configuracin.

El Detector Coaxial de Germanio Intrnseco Tipo P

opera en el rango de energa de 40 keV a 10 MeV y es
aconsejable para una amplia variedad de aplicaciones,
incluyendo los sistemas portables. Tienen larga vida sin
requerir servicios y pueden almacenarse a temperatura
ambiente por perodos relativamente largos.

El Detector Planar de Germanio

Intrinseco Tipo P es el de ms simple
construccin y puede dar un amplio espectro
con alta eficiencia. Su mxima eficiencia a
bajas energas lo hace ideal para ser usado
en espectrometra de materiales
transurnicos y mezclas de radiacin gamma
con rayos X.

El Detector Coaxial de Germanio Intrnseco Tipo P

El Detector Planar de Silicio-Litio (Si-Li)
de Agujero Pasante es utilizado para mediciones de
es utilizado principalmente en espectrometra
bajas radiaciones, permitiendo este diseo el ms bajo
de Rayos X. Muestran alta eficiencia y
microfonismo lo que ayuda muchsimo a la resolucin del
resolucin para fotones con energas del
detector. Las caractersticas del Detector dependen de
orden de 30 keV.
las dimensiones del cristal y del agujero pasante.

DETECTORES SEMICONDUCTORES
Tal como se discuti en la seccin anterior, los materiales slidos
semiconductores (Germanio y Silcio) son alternativas a los
centelleadores para construir detectores de radiacin. Ambos, el
Ge y el Si, forman cristales slidos en los cuales los tomos de
valencia 4 forman cuatro enlaces covalentes con los tomos
vecinos. Todos los electrones de valencia, participan por tanto, en
los enlaces y la estructura de bandas muestra una banda llena de
valencia y una banda de conduccin vaca. La diferencia entre un
aislante y un semiconductor reside en el tamao del gap de
energa, el cual es del orden de 5 eV en un aislante y de 1 eV en
un semiconductor. A temperatura ambiente, un pequeo nmero
de electrones (en torno a 1 de cada 109) se encuentran
trmicamente excitados en la banda de conduccin, dejando una
vacante en la banda de valencia. Segn los electrones de tomos
cercanos llenan esa vacante (creando en el proceso una nueva
vacante), sta parece moverse a travs del cristal (pero por
supuesto los tomos cargados positivamente no se mueven).
Para controlar la conduccin elctrica de los semiconductores,
pequeas cantidades de materiales llamados dopantes son
aadidos. En el proceso de dopado, los tomos con valencia 3 o 5
son introducidos en la red cristalina. En el caso de los tomos de
valencia 5 (P,As,Sb), cuatro de los electrones forman enlaces
covalentes con los tomos vecinos de Si o Ge. El quinto se puede
mover libremente a traves de la red cristalina y foma un conjunto
de estados discretos "donores" justo bajo la banda de conduccin.
Debido a que existe un exceso de transportadores de carga
negativa, este material se llama semiconductor de tipo-n. Por otro
lado, se puede usar tomos de valencia 3, los cuales intentan
formar 4 enlaces covalentes, produciendo un exceso de vacantes.
Estos forman estados "aceptores" justo sobre la banda de valencia
y el material recibe el nombre de semiconductor tipo-p debido a
que los conductores dominantes de carga son las vacantes
cargadas positivamente.

Hay que recordar que la denominacin tipo-n o tipo-p hacen

referencia al signo de la carga de los conductores de corriente
elctrica, siendo los materiales elctricamente neutros.
Cuando se ponen en contacto un material de tipo-p con uno de
tipo-n, los electrones del semiconductor de tipo-n pueden
difundirse a travs de la unin en el semiconductor de tipo-p y
combinarse con las vacantes. En las proximidades de la unin p-n,
los conductores de carga son neutralizados, creando una regin
denominada zona de deplexin. La difusin de electrones de la
regin tipo-n deja atrs estados ionizados donores fijos, mientras
que en la regin tipo-p quedan estados aceptores fijos cargados
negativamente. Se crea por tanto un campo elctrico que
finalmente impide que la difusin contine.Se forma una unin p-n
tpica de un diodo.
Si alguna radiacin penetra en la zona de deplexin y crea un par
electrn-hueco, el resultado es muy simular al de una cmara de
ionizacin. De hecho, la zona de deplexin tiene un gran parecido
con un condensador plano-paralelo. Los electrones fluyen en una
direccin y las vacantes en la otra. El nmero final de electrones
recogidos pueden crear un pulso electrnico cuya amplitud es
proporcional a la energa de la radiacin.
En la prctica estos detectores operan con grandes voltajes
inversos (1000-3000V) que aumentan la magnitud del campo
elctrico en la regin de deplexin (haciendo ms eficiente la
recogida de la carga) y aumentando la regin de deplexin
(aumentando el volumen de sensibilidad del detector) forzando a
ms cargas que se desplacen de un tipo de material al otro.
A la hora de formar estos detectores se puede partir de un
semiconductor de tipo-p en el que se difunden tomos de Litio. La
capa de tipo-n creada al producir detectores como Ge(Li) o Si(Li)
es del orden de 1 mm de grosor, el cual es fcilmente penetrable
por rayos gamma de energa media (el rango de un fotn de 100
keV en Ge es de unos 4 mm y en Si es de unos 2 cm). Sin
embargo, para partculas cargadas el alcance es mucho menor
(para un electrn de 1 MeV, al alcance es de 1 mm en Si y Ge;
para una partcula alfa de 5 MeV, el alcance es de tan slo 0.02

mm en ambos) y una capa del grosor de 1 mm como puede tener

la capa-n, impedira a las partculas alcanzar la zona de deplexin.
Para partculas cargadas, la mejor eleccin es un detector de
barrera de superficie, en el que una capa tipo-p extremadamente
fina se deposita en una superficie de Si de tipo-n. Una fina capa de
oro es entonces evaporada en la superficie frontal para servir de
contacto elctrico. El grosor total que las partculas deben penetrar
para alcanzar la regin de deplexin es de unos 0.1 mm.
El tiempo necesario para recoger la carga de un detector de gran
volumen se encuentra en el rango de 10-100 ns, dependiendo de
la geometra del detector (plano o coaxial) y en el punto de
entrada de la radiacin respecto a los electrodos. Este tiempo es
mucho menor que el que se tiene con una cmara de ionizacin,
dado que aqu el recorrido que deben hacer las cargas creadas se
ve reducido en varios rdenes de magnitud.
Otra ventaja de estos detectores consiste en que como se
necesita menor energa para crear un par electrn-hueco (~3.6
eV/par en Si a 300K), se obtiene una excelente resolucin
energtica.
INTRODUCCION
1. DETECTORES DE ESTADO SOLIDO
Las energas de los electrones de un tomo aislado poseen, de acuerdo con los postulados de
la Mecnica Cuntica , valores discretos. Existe, en consecuencia, un nmero finito de niveles
de energa tales, que slo pueden ser ocupados por electrones cuyas energas sean iguales a
las de los niveles en cuestin (los que quedan definidos por cuatro nmeros cunticos).
Adems, por el principio de exclusin de Pauli, dichos niveles son diferentes entre s. En el
caso de los gases, los tomos estn tan alejados entre s que se los puede considerar
aislados y aplicarles, en consecuencia, los conceptos mencionados.
En los slidos cristalinos, por el contrario, la distancia entre tomos es muy pequea (del
orden de algunos angstroms), por lo que su interaccin es considerable: los niveles
energticos de los electrones de las capas internas prcticamente no son afectados pero, en
cambio los de las capas externas se desdoblan, pues son compartidos por varios tomos.
En la figura 1 se esquematizan los niveles de energa aludidos, para los casos de gases y
slidos cristalinos.

Figura 1 -Desdoblamiento de los niveles de energa

de los electrones de las capas externas
La separacin entre niveles depende de la distancia interatmica d y dado que en un cristal
son muchos los tomos que interactan, un dado nivel se desdobla en varios, dando origen a
lo que se denomina bandas de energa. En la figura 2 se esquematiza la formacin de las
bandas de energa, en funcin de la distancia interatmica d.

Figura 2 - Esquema de la formacin de las bandas de energa

en funcin de la distancia interatmica
Para un dado cristal, la distancia interatmica d es constante y las bandas se pueden
representar de la manera indicada en la figura 3.

Figura 3 - Banda de conduccin y banda de valencia

Entre las bandas permitidas (bp) existen las denominadas bandas prohibidas (bph) o sea,
niveles de energa que los electrones de los tomos del cristal no pueden ocupar.
1.1. Semiconductores
Los semiconductores ms importantes son el germanio y el silicio. Un semiconductor a 0K
tiene todas sus bandas llenas o vacas, por lo tanto se comporta como un aislador. A
temperatura ambiente es considerable el nmero de electrones que adquieren energa
suficiente como para pasar de la bv a la bc, por lo que el cristal tiene estas bandas
parcialmente llenas y, en consecuencia, es capaz de conducir la corriente elctrica.
1.2. Semiconductores intrnsecos
Los semiconductores intrnsecos son semiconductores que, desde el punto de vista
cristalogrfico, son absolutamente puros y sin ningn tipo de imperfeccin en su estructura
cristalina. Tambin se los denomina semiconductores homogneos. En un semiconductor
intrnseco la nica causa de su conductividad es la temperatura. Considrese por ejemplo un
cristal de Ge (ver figura 4)

Figura 4
El Ge es tetravalente, por lo que cada tomo comparte cuatro electrones con cuatro tomos
vecinos de la estructura cristalina; estos electrones estn fuertemente ligados al ncleo y sus
niveles estn dentro de la bv. A 0 K el cristal es un aislante, pues todos los electrones de
valencia llenan completamente la bv, y la bc est totalmente vaca.

A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia adquieren suficiente energa como

para pasar a la bc o sea, se transforman en electrones libres. La estructura cristalina se puede
representar, en consecuencia, tal como se indica en la figura 5.

Figura 5
La ausencia de un electrn en un enlace covalente se denomina hueco y se lo puede
asimilar a un portador libre de carga positiva, cuyo nivel energtico est en la bv.
Nota: al perder el tomo uno de sus electrones queda ionizado positivamente con una carga
+e y el electrn que pas a la bc deja un nivel vaco en la bv.
El hueco es fcilmente llenado por un electrn de valencia, pues sus niveles energticos estn
muy prximos, ya que ambos estn dentro de la bv; en consecuencia el hueco aparece en
otro lugar del cristal y como el tomo correspondiente queda ionizado positivamente, todo
ocurre como si dicho hueco fuese un portador libre de carga +e.
En resumen, a temperatura ambiente se tienen electrones libres y huecos libres que bajo la
accin de un campo elctrico dan lugar a una corriente elctrica.
2. DETECTORES SEMICONDUCTORES
El principio de funcionamiento de los detectores semiconductores puede asemejarse al de la
cmara de ionizacin, donde el medio ionizable, en vez de un gas, consiste en un
semiconductor (Ge o Si ) de alta resistividad. La alta resistividad se alcanza mediante la
formacin de zonas del material exentas de portadores libres (zonas de carga espacial), las
que se logran mediante mtodos que son caractersticos de los diversos semiconductores que
a continuacin se detallan.
Las ventajas de los detectores semiconductores son:

La alta densidad del medio ionizado; esto implica una considerable eficiencia de
deteccin por unidad de volumen efectivo del detector.

La energa necesaria para producir un par de portadores de carga en los semiconductores es

aproximadamente 10 veces menor que en los gases, y 100 veces menor que en un
centellador.

Por lo tanto, para una misma energa impartida, la cantidad de portadores de carga
producidos es mucho mayor en los semiconductores que en gases o centelladores, lo cual
se traduce en menores fluctuaciones estadsticas, por lo que se tiene una mejor resolucin.

La movilidad de los electrones y huecos es elevada y por otra parte, es reducido el volumen
efectivo del medio detector; ello se traduce en un tiempo de recoleccin de cargas muy
breve (del orden del nano segundo), en consecuencia es elevada la resolucin en tiempo.
Pueden obtenerse fcilmente detectores muy delgados de manera que absorban una fraccin
de la energa de las partculas incidentes, a fin de medir su ionizacin especfica (dE/dx).
A su vez, los inconvenientes tecnolgicos de los semiconductores son:
Su alta conductividad en comparacin con la de los gases, lo cual se traduce en ruido que
tiende a enmascarar la medicin de partculas ionizantes de muy baja energa.
Los defectos en su estructura cristalina ( es decir, las vacancias y dislocaciones) producen
recombinacin de los portadores y, por lo tanto, prdida de algunos de ellos, lo que resta
eficiencia de deteccin.
2.1. Detectores semiconductores hiperpuros
Si se pretendiera utilizar germanio o silicio del nivel de pureza que se emplea para la
construccin de componentes electrnicos en la construccin de detectores semiconductores,
sera imposible lograr zonas de carga espacial de espesor mayor que unos pocos milmetros.
En consecuencia se recurri a la compensacin con litio, que permiti alcanzar zonas de
carga espacial cuyo espesor puede llegar a 10 15 mm, con lo cual es posible construir
detectores que permiten realizar espectrometra de radiacin gamma de alta energa.
La principal desventaja de este tipo de detectores reside en que la distribucin de litio a
temperatura ambiente resulta sumamente inestable, por lo que estos detectores se deben
almacenar y operar a bajas temperaturas (normalmente la que corresponde a la de
evaporacin de nitrgeno lquido a presin atmosfrica , 77 K).
A partir del logro de semiconductores de muy alta grado de pureza (10-6 ppm; 1010 tomos
de impureza/cm3), se puede obtener germanio de resistividad especfica sumamente elevada,
que posibilita la obtencin de zonas de carga espacial de aproximadamente 10 mm de
espesor, con tensiones de polarizacin no demasiado elevadas.
As se pueden obtener detectores con volmenes activos de deteccin comparables a los
logrados mediante la difusin de litio en la red cristalina. Estos detectores reciben la
denominacin de hiperpuros, ya sea de germanio o silicio, y han comenzado a ser
ampliamente utilizados en espectrometra de radiacin fotnica de alta resolucin.
Para la obtencin de semiconductores de muy alto grado de pureza debe recurrirse a tcnicas
sofisticadas de purificacin. Aunque los costos son actualmente elevados la principal ventaja,

frente a los compensados con litio, reside en que si bien deben ser operados a bajas
temperaturas (a efectos de no permitir la elevacin de corriente a travs de los mismos) no se
requiere su almacenamiento en esas condiciones ya que no existe el peligro de la redifusin
del litio por efectos trmicos. No obstante el alto grado de pureza alcanzado, el semiconductor
obtenido an tiende a ser del tipo P debido a residuos de impurezas aceptoras y a la
existencia de centros aceptores por defectos de la red cristalina.
La configuracin bsica de un detector de germanio-hiperpuro (HPGe), dado que el sustrato
base es del tipo p de muy bajo nivel de dopaje, es del tipo n+-p- p+ (la designacin +
corresponde a alto grado de dopaje). La zona n+ est generalmente constituida por un
depsito de litio logrado por evaporacin y al cual se lo ha hecho migrar ligeramente por
efecto trmico; la zona de carga espacial queda constituida en la zona de juntura n+ ; p
polarizada en inversa y el contacto p+ , por un depsito metlico adecuado (ver figura 6).
Polarizando la zona p+ negativamente respecto de la zona n+ con valores suficientemente
altos de tensin, puede lograrse que la zona de carga espacial se extienda a todo lo largo de
la regin p y que los tiempos de coleccin sean suficientemente reducidos como para
minimizar la recombinacin de pares electrn-hueco que degradan la resolucin.

Figura 6
2.2. RESOLUCION DE UN DETECTOR
Una importante propiedad de un detector para su uso en espectrometra es la capacidad para
poder discriminar partculas ionizantes de energa muy prximas entre s. Supngase dos
detectores distintos, simultneamente expuestos a radiacin monoenergtica proveniente de
un cierto radionucledo. En la figura 7 se presentan las respectivas distribuciones de
amplitudes de impulsos (funcin respuesta de cada detector).

Figura 7
Aunque ambas distribuciones estn centradas en el mismo valor E, el ancho de ambas difiere
notablemente. Estos anchos reflejan la distinta magnitud de las fluctuaciones estadsticas de
las seales producidas en cada interaccin, suponiendo que por cada interaccin se aport la
misma energa al detector.
La capacidad de un detector para discriminar las energas de las partculas ionizantes
incidentes es tanto mayor cuanto menor sea el ancho de su funcin respuesta. Ello se
cuantifica con un parmetro denominado resolucin del detector, el cual est dado por el
ancho a mitad de altura de la funcin distribucin de amplitudes de las seales, para
partculas ionizantes monoenergticas, dividido por la energa del pico (figura 8):

Figura 8
La resolucin es un parmetro adimensional. Cuanto menor sea el valor de la resolucin de un
dado detector, mejor diferenciar energas de valores cercanos entre s.
2.3. Eficiencia geomtrica de deteccin
Si se supone una fuente radiactiva de pequeas dimensiones (un orden de magnitud ms
pequea que la distancia que la separa del detector) como un emisor isotrpico, la fraccin del
nmero total de partculas emitidas por la fuente que llegan al detector se define como
eficiencia geomtrica de la configuracin:

3. ESPECTRO DE ENERGIAS