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Franois ANCEAU
Prof CNAM mrite
Lip6/CIAN
CNAM, Des tubes aux transistors, F. Anceau, avril 2013
diapo 1
Un apparition progressive....
Les montages logiques sont apparus progressivement au cours du XXme
sicle
D'abord (fin du XIX), avec des montages purement mcaniques pour la
ralisation des machines mcanographiques et des calculatrices sans
vraiment dvelopper de concepts logiques.
Ensuite les relais lectromagntiques furent utiliss pour la ralisation des
centraux tlphoniques automatiques avec le dveloppement de la logique
de niveaux et de la logique de conduction.
Les tubes ont t ensuite utiliss (WWII) pour acclrer les oprations pour
les RADAR et les calculatrices lectroniques avec l'introduction de la
logique vnementielle
L'apparition des transistors industriels (1958) a permis le dveloppement
rapide de Mcanos logiques et l'mergence de l'informatique.
Les circuits intgrs (1965) ont permis la portabilit de ces appareils, ainsi
que leur complexification exponentielle jusqu'aux Mcanos informatiques
puis systmes (SOC)
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diapo 2
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diapo 3
diapo 4
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Audion 1906
Tube
crayon
1960
XFG1
Tube de puissance
194x 195x
12AU7
1950
diapo 5
isolant
(alumine)
anode / plaque
grille
filament
cathode
diapo 6
Page 3
anode
grille
cathode
diapo 7
nuage d'lectrons
Le chauffage de la
cathode vers 500
provoque l'extraction
de certains ce ses
lectrons.
Il se forme un nuage
d'lectrons autour
d'elle
cathode
(chauffe 500)
grille
(isole)
plaque
(isole)
diapo 8
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Fonctionnement en diode
Si l'anode est porte un
potentiel positif, par rapport la
cathode, cette anode attire les
lectrons du nuage.
courant
d'lectrons
grille
(isole)
plaque
(positive)
diapo 9
fonctionnement en triode
Si la grille est porte un
potentiel ngatif, chaque
brin cre un zone sans
lectron autour de lui, ce
qui freine le flux d'lectrons
courant
qui atteignent la plaque.
zones sans d'lectrons
La tension grille module le
courant d'lectrons entre la
cathode et la plaque.
lectron
cathode
(ngative)
rduit
grille
(lgrement
ngative)
plaque
(positive)
diapo 10
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Tube bloqu
courant
d'lectrons
bloqu
grille
cathode
(ngative) (trs ngative)
plaque
(positive)
diapo 11
Amplificateur tubes
Val
Vs
Vgc
Courant grille
150v
Vs
0v
100v
-10v
Seuil de
conduction
Avantages :
Problmes :
diapo 12
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Logique de niveaux
Il faut imprativement distinguer
entre :
Les niveaux d'entre (par
rapport la cathode):
- 0v avec un effet de diode
(courant grille) pour > 0v
- -15v avec un effet de seuil
(mou) pour < -15v
Les niveaux de sortie :
- 150v (alimentation)
- 100v (saturation)
Val (150v)
Vs
Ve
{100v, 150v}
{0v, -15v}
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Val
Val
EA
EB
Vs = K [max (EA, EB ) 5]
LL
Vs
Rg
Rg
L
La
Rk
Vpol
Vpol
Vpol
diapo 14
Page 7
Val
Val
E1
S
T11
Val
Vpol1
Vk
La
T2
En
Rg
T12
Rk
Vpol2
Vpol1
diapo 15
Couplage capacitif
Val
Val
Vs
Rg
Vpol
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diapo 17
Val
Vs
Cc
Val
Rg
Vs
Cc
Rg
Vpol<Vseuil
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Vs
Cc
Cc
Rg
Rg
Vpol
Vpol
diapo 19
Val
Drivateur
Vs
Cd
Capacit de
faible valeur
Rg
Vpol<Vseuil
diapo 20
Page 10
L'entre de conditionnement
doit pouvoir polariser le tube
une tension suffisamment
ngative pour empcher une
impulsion positive de le
dbloquer.
Cond
Vs
Imp
Cc
Rg
Vpol
diapo 21
Val
Val
Ra
Ra
Rpg
Rpg
Vs
Cpg
Cpg
EA
EB
Ce
Ce
Rg
Vpol
Rg
Vpol
diapo 22
Page 11
Val
Val
Ra
Ra
Rpg
Rpg
Vs
Cpg
Cpg
EA
EB
Ce
Ce
Rg
Vpol
Rg
Rk
EC
Vpol
diapo 23
Niveau
Impulsion
Bascules
d'tat
Sortie
(niveau)
Cond.
Drivateur
Bascule
de sortie
Ampli
de sortie
diapo 24
Page 12
Val
Tubes gaz
E
Dispositifs lents.
Diodes gaz
deux points
de fonctionnement
points
mmoire + affichage du
contenu.
Ia
"1"
Amorc
"0"
Non amorc
Vak
Vref
diapo 25
diapo 26
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diapo 27
diapo 28
Page 14
Les relais
Assez fiables mais :
Usure et collages des contacts
Lent
Bruyant
Rebondissements des contacts
Volume minimal important
(quelques cm3) mais plus petit
qu'un tube.
Les relais ont t largement utiliss
depuis le dbut des annes 1920
jusqu' la fin des annes 1960 en
tlphonie, mcanographie. Ils sont
toujours utiliss en automatisme
industriel.
diapo 29
entre
(niveau)
A ET B
A
B
A OU B
diapo 30
Page 15
Fonctions de conduction
Expressions mixtes :
Entres niveaux
d'excitation des bobines
Sortie
tat de conduction
du rseau de contacts
Niveaux
Conduction
C <= Fc( B, B )
C
C1
C1
C2
C2
diapo 31
V/C
F(V) / F(C)
Fonction de conduction
Niveaux
d'entre
Niveaux de sortie
{{V/C}, isol}
diapo 32
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V1
Vs
Fonction de conduction
Cn
Fonction de conduction
Fonction de conduction
complexe
12v
Suite du
rseau
0v
diapo 33
Montages complexes
Un relais est excit lorsque la
tension entre les bornes de sa
bobine est suffisante, quelquesoit son sens.
(valeur "flottante")
Il est donc possible d'alimenter
une bobine par deux rseaux de
conductions complexes
fournissant chacun une tension
(12v) ou 0v.
Le relais utilisant cette bobine
sera donc excit par le OUEX
de ces deux rseaux.
Fonction de conduction
A
C
Fonction de conduction
0v
0v
0v
12v
0v
12v
0v
12v
12v
12v
12v
0v
diapo 34
Page 17
diapo 35
diapo 36
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Matriaux semiconducteurs
Occupent la colonne centrale du tableau priodique
Possdent 4 lectrons sur leur couche priphrique
(valence 4)
Isolants l'tat pur
Lgre conductance croissant avec la temprature
diapo 37
Exemple : Silicium
Densit 2,33
Point de fusion 1410c
Cristallisation cubique
5 1022 atomes par cm3
Trs pur < 10-12
Constituant principal du sable
Isol en 1823 par
Jns Jacob Berzelius
diapo 38
Page 19
--
--
+
-
--
--
--
--
--
+
--
--
--
diapo 39
Semiconducteur dop N
Adjonction d'une trs faible
quantit d'un matriau de
valence 5, (10-7 10-4) appel
dopant N (ex phosphore)
Introduit:
des charges ngatives
mobiles (les lectrons)
des charges positives
fixes (les atomes de
dopant ioniss)
Le matriau devient
conducteur
- +
- -
+
-
lectron mobile
- -
- P
- +
- -
diapo 40
Page 20
Semiconducteur dop P
-
- -
- -
- -
- +
trou mobile
- -
- -
diapo 41
diapo 42
Page 21
Jonction
Coexistence de deux
zones N et P contiges
dans un mme cristal de
semiconducteur
Porteurs mobiles
Electrons libres
Trous libres
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
type N
type P
Jonction
diapo 43
Polarisation spontane
Polarisation spontane
Recombinaison
spontane (thermique)
des porteurs N et P au
niveau de la jonction.
Diminution du nombre de
charges mobiles de
chaque ct.
Polarisation spontane
de chaque zone:
apparition dune
diffrence de
potentiel spontane.
Recombinaison
thermique
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
type N
type P
Zone
dplte
diapo 44
Page 22
+
i
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
- - - - - - - - + + + + + + +
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
- - - - - - - - + + + + + + +
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
- - - - - - - - + + + + + + +
- - - - - - - - -+ + + + + + + +
--Extraction
d'lectrons
libres
recombinaisons
diapo 45
i=0
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Pas de courant !
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + +
+ + + + + + + +
zone dplte
diapo 46
Page 23
Effet de seuil
Caractristique d'une diode
(Fonction exponentielle)
Pratiquement assimile un
seuil dpendant du matriau
0,2v diode Schottky
seuil
diapo 47
Diode
Dispositif lectronique comportant
une jonction
A pointe (ex : dtecteur
galne) Le contact de la pointe
forme un dopage
jonction
dite de Schottky
A jonction
Largement utilis
Dtection (radio, radar....)
Logique
Redressement (alimentation,
puissance...)
Diodes spciales :
(optolectronique, capacits
variables, de protections,
dtecteurs nuclaires, clairage,
photo-voltaque, etc...)
Symbole
d'une diode
diapo 48
Page 24
Logique diode
Va
Principe :
Calcul d'un min / max entre
plusieurs tensions
Vs
Vs = min(Ei)+seuil
E1
E2
En
diapo 49
diapo 50
Page 25
r
ur
teu
cte
t
e
e
l
l
Em
Co
Base
Transistor bipolaire
Aussi appel BJT
(Bipolar Jonction
Transitor)
Constitu de deux
jonctions trs
rapproches
Emetteur / base
Base /
collecteur
diapo 51
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Emetteur
+
+
+
Base
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Collecteur
L'paisseur de la
base est infrieure
au micron.....
diapo 52
Page 26
ic
- Vce +
- Vbe+
ib
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - e
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Jonction
passante
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
Jonction
bloque
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Ic
Ib = 0,5mA
Vce=3v
Saturation
Ib = 0,3mA
Vbe
Ic
Vce=3v
Ib = 0,1mA
2N2222
Blocage
Ib = 0,0mA
Ib
Vce
Vsat
diapo 54
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C
B
E
B
E
Symbole tr. PNP
diapo 55
Cristal de silicium
Interface solide /
liquide
Creuset en silice
Graphite
Solnode de
chauffage
Silicium liquide
Rotation
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diapo 57
Dplacements
de la tranche
diapo 58
Page 29
diapo 59
Processus de
photogravure
Etalement de la
rsine
photosensible
Rsine photosensible
SiO2
Masquage et
insolation aux UV
Silicium dop P
(collecteur)
Vue de dessus
Image du masque
1mm env.
diapo 60
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Solvant
Rsine insole
SiO2
Silicium dop P
(collecteur)
Vue de dessus
Rsine restante
diapo 61
FH FNH4
Gravure du SiO2
avec du FH FNH4
La rsine est
ensuite enleve
totalement
La silice va servir
de masque pour
diffuser la base
Vue de dessus
diapo 62
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Diffusion thermique du
phosphore dans le
silicium (surdopage)
N+
Silicium dop N
(Base)
Silicium dop P
(collecteur)
Vue de dessus
Roxydation
diapo 63
dpt bore
Dpt de bore
L'paisseur de la
base doit tre une
fraction de m
SiO2 (protection)
P+
N+
Base
Emetteur
Base du transistor
Collecteur
Vue de dessus
diapo 64
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Finition
Connexion metteur
N+
P+
Connexion collecteur
(boitier)
Connexion base
Connexion metteur
diapo 65
Transistor fini
(ouvert !)
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diapo 67
Logique RTL
RTL (Resistors Transistors Logic)
Va
Rc
Vs
Rb
Rb
Rb
E1
E2
En
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Va
Va
Logique DTL
S
E1
E2
En
transistor
multi-metteurs
Emetteurs
Base
P+
N+
Collecteur
P
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Va
Logique TTL
Va
Va
TTL (Totem-Pole)
transistor
multi-metteurs
S
E1 E2
En
Totem-Pole
SN7400N
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Va transistor
multi-collecteurs
Logique I2L
Sn
Ri
S1
Niveaux logiques :
0,2v
0,8v
"1" isol
E1
Ep
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Logique ECL
Va 5,2v
Va
Va
Sorties directe et
complmente.
E1
En
SB
Ref.
1,15v
Ce montage ncessite
l'utilisation d'une tension de
rfrence de 1,15v situe entre
les niveaux 1 et 0.
Consommation importante,
indpendante du niveau
logique.
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Logique asynchrone
Avant l'arrive de la TTL.... (et
mme aprs....)
Chargement
des entres
Gnration de signaux
d'acquisition, en parallle des
organes, par des retards ou
des multivibrateurs.
(chane de retards)
Retard
ajustable
Validation
du rsultat
Opration
prcdente
Pb : Difficult d'estimation du
pire cas de dure de
fonctionnement de l'organe,
surtout en prenant en compte
son vieillissement et de celui
de la chane de retards !
Opration
suivante
Temps de
fonctionnement
diapo 73
Srie (54) 74
Introduite par Texas Instruments en
1964.
Base initialement sur la logique
TTL a ensuite volu avec la
technologie.
Tension d'alimentation : 5v
Niveaux logiques :
> 2,4v
"1"
< 0,8v
"0"
Mcano de plus d'une centaine de
boitiers permettant de raliser la
majorit des applications logiques.
Introduction de la logique
synchrone.
Devenue la base de la culture
logique.
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Logique synchrone
Deux "tres" logiques :
Les niveaux logiques
Les vnements (fronts d'horloge)
- Manipulables via les signaux dont ils sont les fronts
Idalement, utilisation d'un signal d'horloge unique,
porteur des vnements princeps du systme (rgle trs
souvent viole !)
diapo 75
Bascules synchrones
horloge
temps de prpositionnement
temps de maintient
entre
temps de basculement
sortie
Flip-flop
QB
CLK
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SN7474
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Temps
d'tablissement
H
B2
B1
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Mtastabilit
info
bascule
chargement
info
chargement
Q
QB
mtastabilit
t
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Mtastabilit (suite)
La mise en mtastabilit dpend de
la prcision de la concidence entre
la variation de l'entre et celle du
signal d'acquisition
La mtastabilit se propage dans le
systme car le retour un tat
logique produit une nouvelle
transition asynchrone
Il semble qu'il n'y ait aucun moyen
logique de supprimer le risque de
mtastabilit
Une faon de rduire ce risque
est d'augmenter l'nergie interne
des bascules dans l'tat
mtastable.
La mtastabilit est responsable
d'une partie des pannes
transitoires.
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Exemple: SN7474
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