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Fundamentos de Electrnica

Departamento de Tecnoloxa Electrnica

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
2 Curso de Grado en Ingeniera Elctrica

Tema 1: Fsica de dispositivos

Profesor:

Alfonso Lago Ferreiro

Fundamentos de Electrnica

Departamento de Tecnoloxa Electrnica

El diodo de unin:

Conceptos fundamentales.
Introduccin a la fsica del estado slido: semiconductores.
La unin P-N en equilibrio.
La unin P-N polarizada directamente.
La unin P-N polarizada inversamente.
Diodo ideal y diodo real.
Modelos del diodo.
Manejo de las hojas caractersticas.
Diodos especiales.

1.2

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Conceptos fundamentales:

Modelo atmico de Bohr:


El tomo se concibe como un pequeo sistema solar formado
por un ncleo central, cargado positivamente, alrededor del cual
giran, en rbitas elpticas o circulares diferentes, una serie de
partculas elementales (electrones) con masa m y carga
elctrica q
m = 9,1110-31 kg.
q = 1,610-19 coulomb.

Un tomo se dice neutro cuando la carga positiva del ncleo es


igual al nmero de electrones dispuestos alrededor del mismo
de forma similar a como estn dispuestos los planetas alrededor
del sol.
Los electrones se mueven en distintos orbitales (denominados
capas)

1.3

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Conceptos fundamentales:

Distribucin de las capas:


Nmeros cunticos

Nombre del nivel

Nmero de estados

ms

1/2

1S

1/2

2S

-1
0
+1

1/2
1/2
1/2

2P

1/2

3S

-1
0
+1

1/2
1/2
1/2

3P

-2
-1
0
+1
+2

1/2
1/2
1/2
1/2
1/2

Nombre de la capa
K

M
3D

10

1.4

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Conceptos fundamentales:

Ejemplo de tomo de cobre:


Orbitales estables (1):
El ncleo positivo atrae a los electrones de los
orbitales que se mantienen en sus rbitas
debido a la fuerza centrfuga creada por su
movimiento circular.
El orbital es estable cuando la fuerza
centrfuga y la fuerza de atraccin del ncleo
son iguales.
Cuanto ms lejana es la rbita del electrn,
menor es la atraccin del ncleo. El electrn se
mueve ms lentamente y la fuerza centrfuga es
menor.
1.5

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Conceptos fundamentales:
Parte interna del ncleo:
En electrnica, lo nico que importa es el orbital exterior denominado
orbital de valencia.
La parte interna del tomo se considera como el ncleo ms todos los
orbitales internos
Ejemplo cobre:

Electrn libre:
Puesto que la atraccin entre la parte interna y el electrn de valencia
es muy dbil, una energa externa puede fcilmente arrancar este
electrn del tomo de cobre.
Por eso al electrn de valencia se le denomina electrn libre.
1.6

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Conceptos fundamentales:
Material conductor:
Es aquel en el que la energa ms pequea puede hacer que los
electrones libres se muevan de un tomo al siguiente.
Poseen menos de 4 electrones de valencia

Principales conductores: plata, cobre y oro.

Material aislante:
Es aquel en el que se necesita una elevada energa para que los electrones
libres se muevan de un tomo al siguiente.
Poseen ms de 4 electrones de valencia.
Principales aislantes: diamante, vidrio.
No existen materiales aislantes perfectos. Presentan una resistencia
elctrica 2,5x1024 veces mayor que los conductores.

Material semiconductor:
Es aquel que presenta propiedades elctricas entre las de un conductor y
un aislante.
Poseen 4 electrones de valencia
1.7
Principales semiconductores: germanio, silicio.

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Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Cristal de silicio: Cuando los tomos de silicio se combinan para
formar un slido, lo hacen segn un patrn ordenado denominado
cristal.

Si

Si

Si

Si

Si

Si

0K
Si: silicio
Grupo IV de la
tabla peridica

Si

Si

Si

Enlace covalente: Puesto que los electrones compartidos son


atrados por fuerzas con sentido opuesto, se convierten en un
enlace entre los tomos denominado enlace covalente.

1.8

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Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores

Temperatura ambiente: Es la temperatura del aire circundante. Cuando la


temperatura se encuentra por encima del cero absoluto (-273C), la energa
trmica de dicho aire hace que los tomos vibren y estas vibraciones pueden
hacer que se desligue un electrn del orbital de valencia.

Si

Si

Si

Si

Si

0K

+
Si
Electrn

300K
Hueco

Si

Si

Si

Hueco: Vaco en el orbital de valencia. Se comporta como una


carga positiva

1.9

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Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor intrnseco: Es un semiconductor puro. Un cristal de
silicio, a temperatura ambiente, acta como un aislante porque tiene
pocos electrones libres y huecos.

Semiconductor intrnseco: Accin de un campo elctrico.


-

+
Si

Si

Si

+
Si

Si

Si

Si

Si

Si

+
1.10

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Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Conclusiones:
La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de
portadores de carga: HUECOS y ELECTRONES
La temperatura afecta fuertemente a las propiedades
elctricas de los semiconductores:
mayor temperatura ms portadores de carga menor resistencia

1.11

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Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Dopaje: Consiste en aadir tomos de impurezas a un cristal
intrnseco con el fin de incrementar su conductividad elctrica.
Semiconductor extrnseco: Semiconductor dopado
Tipos de semiconductores extrnsecos.
Semiconductor tipo n: El semiconductor se dopa con un exceso de
electrones libres mediante impurezas pentavalentes. La cantidad de
electrones libres (portadores mayoritarios) supera a la de huecos
(portadores minoritarios).
Semiconductor tipo p: El semiconductor se dopa con un exceso de
huecos mediante impurezas trivalentes. La cantidad de huecos (portadores
mayoritarios) supera a la de electrones libres (portadores minoritarios).

1.12

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Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor extrnseco: TIPO N
Sb: antimonio
Si

Si

Si

Si

Sb
Si

Si
+

Si

Si

Si

Impurezas del
grupo V de la
tabla peridica

Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
de Sb

A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados


1.13

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Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor extrnseco: TIPO N

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son


1.14
electrones libres

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Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor extrnseco: TIPO P
Al: aluminio
Si

Si

Si

Si

Al
Si

Si

Si

Si

Si

Impurezas del
grupo III de la
tabla peridica

Es necesaria muy
poca energa para
ionizar el tomo
de Al

A temperatura ambiente todos los tomos de impurezas se encuentran ionizados


1.15

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Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores


Semiconductor extrnseco: TIPO P

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo P son


Huecos. Actan como portadores de carga positiva.

1.16

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La unin P-N en equilibrio

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

Semiconductor tipo N

1.17

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La unin P-N en equilibrio


Zona de transicin
-

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

Semiconductor tipo N
+

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de


carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

1.18

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La unin P-N polarizada directamente

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a


circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.

1.19

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La unin P-N polarizada directamente


Zona de transicin

Concentracin de huecos

+
+

+
+

Concentracin de electrones

Distribucin de potencial

VD
1.20

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La unin P-N polarizada inversamente

+
+

+
+

La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay


circulacin de corriente.

1.21

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La unin P-N polarizada inversamente


Zona de transicin

+
+

+
+

Distribucin de potencial

VD
1.22

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La unin P-N
Conclusiones:
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica.
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente

DIODO SEMICONDUCTOR
1.23

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INCISO: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I


I
V

+
V

Corto
(R = 0)

Abierto
(R = )

I
V

I
V
V

Batera

Resistencia
(R)

+
-

+
V

Fuente
Corriente
1.24

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DIODO IDEAL
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
I
+

PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
El grfico V-I no es una
V lnea recta.

ANCDOTA
Un smil hidrulico podra ser una vlvula anti-retorno, permite pasar el agua
(corriente) en un nico sentido.
1.25

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DIODO REAL
nodo

Smbolo:

VKDTq
Ecuacin: I D I S e 1

200
175

ruptura

150

Tensin nodo-ctodo en V
600
400
200
0
20
40

125
100
75
50
25

IS = Corriente Saturacin
Inversa
K = Cte. Boltzman
VD = Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
ID = Corriente diodo

60
80
100
codo

0
0
0.5
1.0
1.5
Tensin nodo-ctodo en V

Grfica polarizacin directa

120
140

Grfica polarizacin inversa

Corriente diodo en mA

Corriente nodo en mA

ctodo

1.26

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DIODO REAL (distintas escalas)


Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo

i [mA]

i [mA]
30

Ge
Si

Si

Ge

V [Volt.]
-0.25

0.25

V [Volt.]
0

-4

0.5

i [A]

i [pA]

V [Volt.]

-0.5

Ge

V [Volt.]
0

-0.5

Si
-0.8

-10
1.27

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DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES


I

Solo tensin
de codo
Ge = 0.3V
Si = 0.6V

Ideal

I
Tensin de codo y
Resistencia directa.
V

Resistencia inversa

Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V

1.28

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DIODO: Cuando se usa cada aproximacin


1 aproximacin: Es adecuada para la mayor parte de las aplicaciones y en las
que se intenta localizar averas.
2 aproximacin: Es adecuada para aplicaciones en las que se requiere valores de
tensin y corriente de carga ms exactos.
3 aproximacin: Es adecuada para aplicaciones en las que se requiere mayor
exactitud cuando la resistencia interna del diodo es 1/100 veces mayor que la
resistencia Thevenin del circuito de carga.
DIODO: Deteccin de averas
Si la resistencia es extremadamente pequea tanto en directa como en inversa:
diodo cortocircuitado.
Si la resistencia es elevada en directa o en inversa: diodo en circuito abierto.

Si la resistencia es relativamente baja en inversa: diodo con fugas.


Si la relacin entre la resistencia en inversa y en directa es mayor que 1000: diodo
en buen estado.
1.29

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DIODO: LIMITACIONES
Corriente mxima
I

Tensin inversa
mxima

Lmite trmico,
seccin del conductor

Ruptura de la Unin
por avalancha

600 V/6000 A

200 V /60 A

1000 V /1 A
1.30

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DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes


Una hoja de caractersticas enumera informacin sobre los siguientes aspectos de un dispositivo
semiconductor:
- Parmetros y caractersticas de operacin ms importantes.
- Tipos de encapsulado y terminales del dispositivo
- Procedimiento para la realizacin de pruebas.
- Aplicaciones tpicas
VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

1000V
1A
1V
50 nA

Tensin inversa mxima


Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

VR =
IOMAX (AV)=
VF =
IR =

100V
150mA
1V
25 nA

Tensin inversa mxima


Corriente directa mxima
Cada de Tensin directa
Corriente inversa

1.31

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DIODO: Parmetros obtenidos de las hojas de caractersticas


200

175

Corriente directa mA

Clculo Resistencia Interna:


La hojas de caractersticas no la
especifican pero proporcionan
informacin suficiente para
calcularla.

150
125
100

RB =

75

0.875 V - 0.75 V
175 mA - 75 mA

= 1.25 W

50
25
0
0

0.5

1.0

Tensin directa en V

1.5
1.32

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DIODO: Parmetros obtenidos de las hojas caractersticas


200

175

Corriente directa mA

Resistencia DC

RF =

150
125

0.875 V
175 mA

= 5W

100

75

RF =

0.75 V
75 mA

50

= 10 W

25
0
0

0.5

1.0

1.5

La resistencia continua
disminuye al aumentar la
corriente.
1.33

Tensin directa en V

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COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS


Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos
no lineales.
Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!

Un circuito con diodos se puede resolver de diferentes formas:


1.
2.
3.
4.
5.

Usando la primera aproximacin (ideal).


Usando la segunda aproximacin.
Usando la tercera aproximacin.
Usando un simulador de circuitos.
Usando la curva caracterstica de un diodo:
1. Encontrar la corriente mxima usando la ley de Ohm.
2. La tensin de corte es la de la fuente de alimentacin.
3. Localizar estos dos puntos en la curva del diodo.
4. Conectar ambos puntos con una recta (recta de carga).
5. La interseccin es la solucin.
1.34

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RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO

Solucin Grfica

200

Corriente directa en mA

175
150

1.5 V

10 W

125

100

75

Imax

1.5 V
=
10 W

50

Vcorte = 1.5 V

25

0
0

0.5

1.0

Fuente de tensin en V

1.5

Q es el punto de trabajo
Q (0.75 V, 75 mA)
1.35

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DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)

Tensin
Zener
(VZ)

La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).
En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

Lmite mximo
Normalmente, lmite
de potencia mxima

Podemos aadir al modelo lineal


la resistencia Zener.
Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y referencias.

1.36

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APLICACIN DIODOS ZENER

Regulador de tensin con diodo zener

RS
Fuente de
alimentacin

VS

RL

VZ

Si el zener conduce:
VS - VZ
IS =
Este circuito regular cuando la tensin
del circuito equivalente Thevenin
sea mayor que la tensin zener.

VTH =

RL
RS + RL

VS

VZ
IL =

RS
IZ = IS - IL

RL
1.37

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CIRCUITO REGULADOR: DETECCIN DE AVERAS


+18V
A
Rs
270
C

VA(V)

VB(V)

VC(V)

Avera

18

10

10

Ninguna

18

18

18

Rs corto
Destruccin zener

18

14,2

14,2

Zener abierto

18

Rs abierta
Zener corto

No hay
alimentacin

RL
10V

1k

La medida de tensiones proporciona pistas que ayudan a aislar los problemas


1.38

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DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode)

Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN


polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)

1.39

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DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)

i
V
0

iopt

Los diodos basados en compuestos III-V, presentan


una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).
Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones

COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos

i
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso

I = f(T)

V
T1

T2>T1
1.40

Fundamentos de Electrnica
DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)

Departamento de Tecnoloxa Electrnica

Cuando incide luz en una unin PN, la


caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.
En este caso, el dispositivo puede usarse como
generador.

VCA

V
Zona
uso

iCC
Paneles de clulas
solares

1.41

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DIODOS ESPECIALES

Tiempo de recuperacin inversa

iS
+

UE

Alta frecuencia

Baja frecuencia
UE

iS

UE

iS

trr = tiempo de recuperacin inversa

A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el


diodo conduce corriente inversa.

1.42

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DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto
schottky.
La zona N debe estar poco dopada.
Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).
Corriente de fugas significativamente mayor.
Menores tensiones de ruptura.
Cadas directas mas bajas (tensin de codo 0.2 V).
Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente en


1938 por Walter H. Schottky
1.43

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APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexin de objeto

Detectores de barrera
1.44

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