PREVIO DE LABORATORIO N 5

1. Describa la operacin del JFET:

El transistor de efecto de campo (JFET) es un dispositivo de tres

terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan a
las del transistor BJT, la principal diferencia es su estructura interna pues,
a diferencia del BJT (tres capas, npn o pnp) el JFET es solo de dos capas,
es decir, de canal n o de canal p; otra diferencia es que el transistor
BJT es controlado por corriente de base mientras que el JFET es
controlado por voltaje inverso de gate surtidor.

El JFET es en resumen una fuente de corriente controlada por voltaje; al

aplicarle un potencial entre drenador y surtidor
se establece una
corriente de drenador que es controlada en nivel por una diferencia de
potencial aplicada entre la compuerta y el surtidor, ello genera cierto
grado de polarizacin inversa que incrementa o disminuye la regin de
agotamiento causando finalmente un ahorcamiento de la corriente de
drenador.

2. Cules son las caractersticas del drenaje de un JFET?

El circuito bsico de polarizacin de un

JFET es el visto en la figura, se puede
decir que drenador surtidor estn
polarizados en forma directa mientras
que gate surtidor estn polarizados
en forma inversa; por su naturaleza de
construccin el JFET (de la figura)
tiene dos regiones de agotamiento
(regin sin portadores libres, no
conduccin) en las uniones p n,
estas se dilataran o se contraern
dependiendo d4el potencial aplicado al gate; veamos:
Aqu vemos que se aplicado un potencial entre drenador y surtidor,
mientras que gate esta puesto a tierra;
esto conlleva a que circule una
corriente ID que establece diferentes
niveles de polarizacin inversa en la
unin p n pues como veremos si
simulamos al JFET como la siguiente
figura.

Vemos que en la parte de arriba con

respecto a la de abajo esta mas
inversamente polarizada la unin p n,
en
consecuencia
la
regin
de
agotamiento de arriba es ms ancha que
de abajo. Es posible esta aproximacin
pues, mientras 0<VDD<VP tenemos una
regin hmica en el JFET.

la

En consecuencia a esto si incrementamos

el
potencial en la compuerta (gate) en
tonces disminuiremos la diferencia de potencial y en consecuencia el
grado polarizacion inversa, pero si disminuimos por debajo de cero el
potencial en la compuerta entonces incrementariamos el grado de
polarizacin en las uniones p n, consecuentemente dismuiria la
corriente ID.
Si disminuimos VGS hasta ser igual a VP entonces tenemos
aproximadamente ID igual a cero.
Si incrementamos VDD (valor de tensin de la fuente) por encima de VP
manteniendo VGS igual a cero entonces tenemos IDSS o la corriente
mxima.

Veamos esto en la sigueinte grfica.

3. Cules son las caractersticas de transferencia?

Desafortunadamente no existe una relacin lineal entre las cantidades de
entrada y de salida de un JFET, ID y VGS estn relacionadas por la
ecuacin de Shockley.
V GS 2
I D =I DSS (1
)
VP
En esta ecuacin IDSS y VP son constantes dadas por el fabricante
mientras que VGS es la variable de control y el exponente cuadrtico
dar por resultado una relacin no lineal, veamos la grfica.

Para un desarrollo posterior de problemas es bueno tomar en cuenta el

mtodo grfico de solucin pues nos acortara bastante trabajo, para ello
hagamos las siguientes sugerencias.
Primero despejemos VGS
ID
V GS=V P (1
)
I DSS

Cuando
V GS=V P /2 I D =
Ahora cuando
I D=

I DSS
4

I DSS
V GS=0.293V P
2

4. Realice el anlisis DC del circuito del procedimiento

Veamos primero el circuito:

Ahora segn la hoja de datos del datasheft tenemos:

I DSS =5 mA y V P =6 v
Entonces vamos a hallar algunos puntos para trazar la grfica
correspondiente.
1 2
I D =0.005 1 =3.47 mA
6

( )

2 2
I D =0.005 1 =2.22 mA
6

( )

3 2
=1.25 mA
6

( )

I D =0.005 1

4 2
=555 A
6

( )

I D =0.005 1

5
=139 A
6

( )

I D =0.005 1

6
=0 A
6

( )

I D =0.005 1

ID en
funcin de
VGS

V
G
S
(
V
)

ID
(mA
IDSS=
) 5

VP=6

5. Simular el circuito

I DSS=6.2 mA y V P=5.8 v

VGS(V)

-VP/6

-2VP/6

-3VP/6

-6VP/6

-5VP/6

-VP

VDS(V)

ID(A)

ID(A)

ID(A)

ID(A)

ID(A)

ID(A)

ID(A)

5,04m

4,08m

3,12m

2,14m

9.49u

34,846m

9.49u

8,18m

6,23m

4,27m

2,48m

9.57u

35,037m

9.57u

9,35m

6,59m

4,3m

2,49m

9.62u

35,23m

9.62u

9,41m

6,62m

4,32m

2,74m

9,67u

35,42m

9,67u

9,46m

6,66m

4,34m

2,75m

9,73u

35,61m

9,73u

9,51m

6,69m

4,37m

2,77m

9,78u

35,8m

9,78u

9,56m

6,73m

4,39m

2,78m

9,89u

35,99m

9,89u

9,61m

6,76m

4,41m

2,80m

9,94u

36,18m

9,94u

9,66m

6,80m

4,43m

2,81m

9,94u

36,37m

9,94u

10

9,71m

6,83m

4,46m

2,83m

9,99u

36,56m

9,99u

11

9,76m

6,87m

4,48m

2,84m

0,01m

36,75m

0,01m

12

9,79m

6,90m

4,50m

2,85m

10,1u

36,94m

10,1u

13

6,94m

4,53m

2,87m

10,15u

37,13m

10,15u

14

6,98m

4,55m

2,88m

10,02u

37,33m

10,02u

Parte 3. Caractersticas de Transferencia

Esta parte del experimento determina las caractersticas de ID versus
VGS, frecuentemente usadas en el anlisis de redes de JFET. Idealmente,
las caractersticas de transferencia determinadas por la ecuacin de
Shockley, asumen que el efecto de VDS puede ser ignorado y las curvas
caractersticas graficadas en el paso 5.13 para un VGS dado se
consideran horizontales. Lo siguiente demostrar que la curva de
transferencia vara ligeramente con VDS, pero no hasta el punto en que
deba desarrollarse sin la ecuacin de Shockley.
Para esta parte del experimento todos los datos pueden obtenerse de la
Tabla 1. No hay trabajo experimental
5.15 Para VDS=3 V. anote los valores de ID para el rango de VGS usando
los datos de la Tabla 1
VDS

12

VGS

ID(mA)

ID(mA)

ID(mA)

ID(mA)

9,35

9,51

9,66

9,79

-Vp/6

6,59

6,69

6,8

6,9

-2Vp/6

4,3

4,37

4,43

4,5

-3Vp/6

2,49

2,77

2,81

2,85

-6Vp/6

0.00962

0,00978

0,00994

0,0101

-5Vp/6

35,23

35,8

36,37

36,94

-Vp

0.00962

0,00978

0,00994

0,0101