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Escuela de Fsica
Laboratorio de Fsica General III
Informe I: Dispositivos no hmicos
Resultados
Al armar el circuito con la sucesin de dispositivos, la interface Science Workshop
750 y el software PASCO permitieron obtener grficas que significan la base de la
construccin de datos y posteriores anlisis, en primera instancia se inici con el diodo de
silicio, luego el diodo de germanio y las dos cajas de resistencia, obteniendo gracias al
muestreo de la interface las distintas grficas de la figura 1 y constituye el caso I.
Figura 1. Grficas de corriente contra voltaje para diodo de silicio, germanio y resistencias, caso I.
En el supuesto de que los datos recopilados correspondieron a dos mesas de trabajo debido
a inconvenientes con el equipo de laboratorio, se obtuvieron los siguientes resultados, los cuales
constituyen el caso I, y se pueden analizar en la figura 2.
Figura 2. Grficas de corriente contra voltaje para diodo de silicio, germanio, caso II.
Para el caso II, se obtuvo la figura 4 que denota la relacin entre las variables de resistencia
en funcin de la corriente, el propsito de adjuntar ambos casos es la comparacin, similitudes y
posibles elementos de incertidumbre, que influyeron en la obtencin de datos y que pueden
repercutir en la formacin de anlisis y posteriores conclusiones.
Figura 4. Resistencia (Ohm) en funcin de la corriente (amperios), caso II.
Discusin de Resultados
En el caso del diodo de silicio, a travs de la figura 1, se tiene una grfica
exponencial si las variables son corriente en funcin del voltaje, con unidades de amperios y
voltios respectivamente, lo cual nos indica que conforme la corriente del circuito aumenta,
el voltaje aumenta exponencialmente, caso contrario de las resistencias, que al estar en la
misma figura se puede notar que los resistores si poseen un crecimiento lineal del voltaje a
travs de ellos, por lo cual siguen la Ley de Ohm, la cual estipula,
a una diferencia de potencial V, la corriente i es inversamente proporcional a la resistencia
R, V=iR aunque la afirmacin la Ohm inicialmente fue J=E, donde J es la densidad de
corriente, es la conductividad y E es el campo elctrico (1)
Lo que este postulado nos indica es que conforme un resistor recibe un aumento en
la corriente la magnitud de la resistencia disminuye, o visto de otra manera el voltaje es
electrones. La unin de estas dos secciones conforman los diodos, en donde los electrones
de exceso de la zona n rellenan los huecos de la zona p, cuando se aplica un campo
elctrico, se forma una barrera de potencial, en la divisin de ambas secciones, esta
barrera, conforma la alta resistencia inicial que denota las figuras 1,2,3 y 4, al aplicar un
determinado voltaje, conforme este valor aumenta, la barrera va decayendo, reduciendo el
tamao de la barrera de potencial o regin de agotamiento, por lo cual existen unos
electrones con mayor energa que otros, que tratarn de derribar la oposicin, cuando
alcanzan una mayor energa que la barrera, se incrementa el flujo de electrones de la zona
p hacia la zona n, por lo que los electrones menos energticos tambin fluirn, pues la
barrera ha disminuido considerablemente. (2)(3)
El comportamiento exponencial de los diodos se ajusta a la dinmica de los
electrones de conduccin ya que al inicio la resistencia es grande y el flujo o corriente es
mnima, mientras que despus de superar la barrera de potencial, la resistencia es mnima y
se ha maximizado el flujo de electrones. El hecho de que el valor de esta barrera sea
distinto se debe a que el silicio distribuye sus electrones de valencia en niveles de energa
mayores que el germanio, aunque esto depende de la naturaleza de las impurezas que
pueden ser Indio, Boro y Galio; para un diodo de silicio se tiene una barrera de potencial de
0,7 Voltios mientras que el diodo de germanio es de 0,3 Voltios. El crecimiento implica que
se aplique un campo del sector tipo p hacia el tipo n, y no en sentido contrario, es decir del
tipo n hacia el p, pues el valor de la barrera de potencial puede aumentar, generando
mayor resistencia a los electrones de conduccin. (2)(3)
Es evidente que los diodos no siguen una relacin de potencial, cuando se aumenta
la corriente que fluye en el circuito, debido a la naturaleza de los materiales
semiconductores como el silicio y el germanio, adems del comportamiento de los
portadores y la creacin de huecos o regiones libres en el interior de los diodos, por lo que
se puede afirmar que los diodos no cumplen la Ley de Ohm, ya que el valor de la resistencia
es variable para cualquier valor umbral de corriente que circule en el circuito, lo mismo se
deducira con otro valor de resistencia y otro diodo. Lo afirmado anteriormente se puede
notar en cualquiera de las cuatro figuras adjuntas en la seccin de Resultados. En el caso
especfico de las figuras 3 y 4, se tiene el comportamiento de los diodos y resistores para
una grfica de Resistencia en funcin de la corriente dada en Amperios, de lo cual se nota
que decrecen exponencialmente, al aumentar la corriente que circula en el circuito, que
conforme se hace mayor, la resistencia tiende a cero, es decir que se ha derribado la
barrera de potencial, si se hace una comparacin entre las grficas de corriente I contra V, y
R contra I, se tiene que en ambos casos los diodos varan en forma no lineal al aumentar la
corriente, mientras que los resistores si cumplen la ley de Ohm mediante un crecimiento
lineal, que como se analiz anteriormente en un grfico I contra V, la resistencia es el
Cuestionario
1- Cul es la diferencia en la curva caracterstica del diodo de silicio con el diodo de
germanio?
La principal diferencia que se puede apreciar en las grficas obtenidas es que la asntota en
el eje vertical para el diodo de silicio se da aproximadamente en 0.7V y para el diodo de
germanio se da en 0.3V.
Estos datos representan la barrera de potencial y el motivo es que en los diodos una vez
que se rompe la barrera de potencial, la corriente crece exponencialmente y dependiendo
el material del que est construido el diodo, la barrera ser diferente para cada caso.
2- Determine el valor del potencial de barrera para cada uno de los diodos, compare sus
resultados con los valores tericos.
El valor experimental para el diodo de silicio segn los datos obtenidos en la grfica 1 es de
0.69V y para el diodo de germanio es de 0.253V, es decir con errores de 1.42% y de 15.6%
respectivamente.
Para ambos casos, los resultados obtenidos se asemejan a los valores tericos para el
voltaje de los diodos de silicio y germanio
3- En el caso de la resistencia, cul es el significado fsico de la pendiente de la grfica?
Corresponde al valor terico?
Al ser una ecuacin lineal, tiene la forma
[1] y=mx+b
En la grfica se presenta la corriente en funcin del voltaje, esto en la ley de Ohm se
representa por la ecuacin:
[2] I=V/R
Comparando la ecuacin [2] con la ecuacin [1] se observa que 1/R es el valor representado
por la pendiente de la grfica.
El valor terico de la resistencia corresponde a la suma de los valores colocados en las dos
cajas de resistencia por estar en serie. El valor terico corresponde a 1/110 [ -1],
Conclusiones
Bibliografa
(1) Bauer, W y Westfall, G.D. Fsica para Ingeniera y Ciencias. Tomo II. 1 ed. McGraw Hill.
Mxico.
(2) Boylestad, R y Nashelsky, L. Electrnica: teora de circuitos. 5 ed. Pearson Prentice Hall.
Mxico.
(3) Ramrez, A. y Gutirrez, H. Manual de prcticas Laboratorio de Fsica General III. 2 ed.
Costa Rica.