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Ingelliero Industrial.
Profesor de Sistemas Electl'lnicos r de
Tecnologa.
ASESORES TCNICOS
Jos Carlos Toledano Casca
1998
o~
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Z
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Editorial Paraninfo
ITP An Intemational Thomson Publis~g
Magallanes, 25; 28015 Madrid ESPANA
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Prlogo
IX
1.1. Introduccin
1.2. Clasificacin de los transductores
1.3. Caractersticas de los transductores
1.3.1. Rango de medida
1.3.2. Sensibilidad
1.3.3. Resolucin
1.3.4. Sobrerrango
1.3.5. Error de Medida
1.3.6. Salida deseada
1.3.7. Respuesta en frecuencia
1.3.8. Respuesta temporal
1.3.9. Condiciones ambientales de trabajo
1.4. Tipos de transductores
1.5. Transductores de temperatura
1.5.1. Transductor por efecto termoelctrico.
Termopar
1.5.2. Transductor mediante resistencia metlica
1.5.3. Transductores mediante semiconductor
1.5.4. Transductor a cuarzo
1.5.5. Pirmetros de radiacin
1.5.6. Termmetro bimetlico
1.5.7. Termmetros por dilatacin de fluidos
1.6. Transductores de velocidad y desplazamiento
"
1.6.1. Transductores de velocidad angular
analgicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.6.2. Transductores de velocidad angular digitales
1.6.3. Transductores de velocidad lineal
1.6.4. Transductores de desplazamiento analgicos
1.6.5. Transductores de desplazamiento digitales
1.7. Transductores de fuerza o deformacin
1.7.1. Resistivos. Galgas extensomtricas
1.7.2. Piezoelctricos
1.7.3. Capacitivos
1.8. Transductores de aceleran
1.9. Transductores de corriente de efecto Hall
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2.5. l.
2.5.2.
2.5.3.
Ejemplos
Cuestiones
Rectificacin
en puente monofsico
Rectificacin
en puente trifsico
Rectificacin trifsica totalmente controlada
resueltos
de autoevaluacin
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6-+
Transistores POWER-MOSFET,
IGBT'S
y BJT'S .....
.......................
3.1. Introduccin
3.2. Transistores
MOSFET (Metal-xido-Semiconductor)
3.2.1. EslruclUra interna y funcionamiento
(MOSFET de pequCl'ia seal)
3.2.2. Zonas de funcionamiento
del MOSFET de
acumulacin
de canal "N" . . . . . . . . . . . . .
3.2.3. Estructura bsica de un MOSFET de potencia
3.2.-+. Caractersticas
de conmutacin
3.2.5. Lmites de funcionamiento.
rea de
operacin segura
3.2.6. Estabilidad de temperatura
3.2.7. Prdidas de potencia. Consideraciones
trm icas
.1.2.8. Funcionamiento
en paralelo de los MOSFET
3.3. Transistores
IGBT"S
3.3.1. EstruclUra de un IGI3T de canal N.
Funcionamiento
3.3.2. Caractersticas
de conmutacin
3A. Tcnicas de excitacin de los MOSFET e IGST"S
3.). Reduccin del pico de corriente inverso
.1.6. Aplicaciones
3.6.1. Regulador reductor DC-DC (Buck)
3.6.2: Convertidor
elevador DC-DC (Boost)
....
3.6.3. Regulador reductor-elevador
(Buck-Boost)
3.6.-+. Regulador Cck
3.6.5. Convertidor
trifsico con MOSFET
3.6.6. Convertidor
(Puente en "H") con carga
inductiva
3.7. Ellransistor
bipolar de potencia
(B.JT)
3.7.1. EstruclUra y caractersticas
3.7.2. Caractersticas
de conmutacin
3.7.3. Prdidas en conduccin
3.7.-+. rea de operacin segura
3.7.5. Circuitos de disparo
3.7.6. Circuitos de proteccin (SNUBBERS)
Ejcmplos n:sueltos
Cucstiones de autoevaluacin
c.c.
-+.1. Introduccin
-+.2. Principio de funcionamiento
del motor de C.C.
-+.2. l. Fuerza conlraelectromotriz.
Corriente dc
inducido. Par motor
-+.2.2. Conexin de los motores dc c.c.
-+.2.3. Modos de operacin del motor de c.c.
-+.2.4. Caractersticas
de velocidad y de par motor
-+.2.5. Variacin de la velocidad a par constante y
a potencia constante
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III
I I3
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Bibliografa
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ITP-PARANINFO
ITP-PARANlNFO
Los autores han procurado abordar los temas con cierta profundidad, tanto en el aspecto terico como en el prctico, buscando siempre aplicaciones que puedan resultar de inters tanto
a la hora de analizadas como a la hora de llevadas a la prctica.
Ser conveniente, por tanto, que el lector posea una cierta base
terica que le permita abordarlos con cierta garanta de xito.
La presente obra est distribuida en cinco grandes temas:
Tema 1: En l se clasifican los diferentes tipos de sensores
y transductores que ms se utilizan en la actualidad, as como
sus caractersticas, propiedades, principios de funcionamiento,
aplicaciones, etc. Tambin hace referencia al anlisis terico de
los circuitos acondicionadores a utilizar para los transductores
estudiados. Se incluye, adems, una sepe de ejemplos prcticos
que ponen de manifiesto todo lo anterior.
TemaIl: Trata sobre aquellos dispositivos que en principio se emplearon en la electrnica de potencia (diodo de potencia, tiristor y OTO): estructura, caractersticas, prdidas de
potencia, circuitos de control, etc. Incluye, adems, la rectificacin (controlada y no controlada) y ejemplos prcticos.
Tema IlI: Aborda el tema de los transistores de potencia
(MOSFET, IOBT y BJT): estructura, caractersticas, prdidas de
potencia, control, etc. Se completa con algunas de las aplicaciones ms importantes en las que este tipo de dispositivos juega un
papel fundamental.
Tema IV: Est destinado a la regulacin de velocidad de
los motores de corriente continua tanto en bucle abierto como
cerrado. Incluye adems una clasificacin de los diferentes tipos
de control que se pueden realizar, as como un prototipo de regulacin basado en un circuito integrado (SP 601).
Tema V: Est dedicado a la regulacin de velocidad de los
motores de corriente alterna trifsicos Uaula de ardilla) tanto en
bucle abierto como cerrado. En este caso se ha desarrollado un
nuevo prototipo de regulador basado en el circuito integrado
HEF 4752, que es el corazn del sistema, y sobre el cual se ha
basado el diseo y anlisis del mismo.
Finalmente, los autores esperan que esta obra sea del agrado
de los lectores y encuentren en l todo lo necesario para adentrarse y profundizar en este campo, al mjsmo tiempo que estn
abiertos a cualquier sugerencia o crtica que pueda mejorar esta
obra en el futuro.
Conocer el principiq de funcionamiento y las caractersticas fsicas por las que se rigen
los sensores y transductores de acuerdo con su naturaleza, tipologa y campos de aplicacin.
Conocer el principid de funcionamiento de los diferentes tipos de circuitos acondicionadores de seal y el tratamiento de las seales elctricas que procesan.
En varios casos proticos de anlisis de sistemas de medida que contengan todos los elementos de cadena de adquisicin y tratamiento de datos aplicados a entornos reales
donde intervengan variables de distinta naturaleza:
Calcular las magnitudes y parmetros bsicos del sistema, contrastndolos con los
valores reales medidos en dicho sistema, explicando y Justificando las posibles variaCIones.
Realizar las pruebas y ensayos de calibracin necesarios para lograr las especificaciones de precisin requeridas, utilizando los instrumentos adecuados.
Distinguir las distintas condiciones de error que pueden presentarse en el proceso de
medida y explicar la respuesta que el sistema ofrece ante cada una de ellas.
1.1. Introduccin
En ocasiones. en cualquier proceso de control y regulacin.
surge la necesidad de medir una magnitud fsica. qumica o
biolgica para posteriormente
poder procesarla y convertirla en
una seal elctrica (analgica
o digital) fcilmente
tratable.
Surge as la necesidad de disponer de elementos
sensores,
transductorcs y transmisores, los cuales se pueden definir
como:
TRANSDUCTOR:
TRANSMISOR:
representado
el diagrama
de blo-
La magnitud proporcionada
por el sensor ser. asimismo.
proporcional a la magnitud fsica que se mide, pero lo realmente importante es la seal elctrica que se obtiene en la salida del
transductor.
Magnitud
fsica
Seal elctrica
normalizada
Scnsor
Transmisor
Magnitud transductible:
- Resistencia
- Capacidad
- Deformacin
- Fuerza, etc.
Seal til:
- Elctrica
- Mecnica
transductor no
dar el nombre
al transductor
tipo elctrico.
Generalmente.
cuando se trabaja con un transduetor o sensor.
la seal proporcionada
por el mismo, bien analgiea (de eOlTiente o tensin) o digital. es muy dbil. Es necesario. por tanto.
intercalar entre elemento sensor ) el circuito dc medida una
etapa aeondicionadora
capa/: de generar una seal (anLllgica o
digital) perfectamente
definida.
Lno de los elementos ms importan es dentro de un circuito
Llcondicionador es. sin duda. el amplificador oper<Jcional en sus
diferentes contiguraciones.
Estos dispositivos manipulan seales elctricas para. en esencia. realil.ar alguna de las dos tareas
siguientes:
TrLltLImiento de la informacin.
Control de potencia.
La funcin de estos circuitos electrnicos es trLltar las seales
elctricas de modo que puedan exciur los correspondientes
aetuadores.
En aquellos casos en los que el sersor no proporcione una
seal elctrica senn necesarios
dispositivos
encargados
de
generar seales elctricas a partir de tas. Por ejemplo. cn el
caso de transductores
basados en la \ ariacin de resistencia a
unLl respuesta vm"Llble ser necesario un circuito (puente de
Wheatstone. divisor resistivo. etc.) que posea una alimentLlcin
elctrica pam poder obtener una seal de salida, pues la "Llriacin de resistencia cn s no genera seal alguna.
En otros ser necesaria la lineali/acin
de b respuesta (termistores). ILI compensacin
de pertur Llciones (galgas extensomtricas)
o una configuracin
que aumente la sensibilidad
mediante el empleo de \'arios transduct Jres.
ACTIVOS:
en su salida.
los
ANALGICOS:
La seal de salidLl es funcin proporcional a la magnitud fsicLl que se trata en todo el campo
de Llctuacin del dispositivo.
ITP-PARANINFO
1.3.2. Sensibilidad
Es la razn entre una variacin de la magnitud de salida y la
correspondiente variacin de la magnitud de entrada que la provoc, es decir, la pendiente de la caracterstica que relaciona la
salida elctrica con la magnitud fsica detectada. El clculo de la
sensibilidad del transductor de la figura 1.2 ser:
...
S enslbIlldad
SALIDA (mV)
10
=S=-=0,2mVlmm
50
10
transductores
5
25
Rango de medida
Sensibilidad
Resolucin
Sobrerrango
Estti as
Operativas
Error de medida
Caractersticas
de los
Transductores
ENTRADA (mm)
50
1.3.3. Resolucin
Es la mnima variacin detectable de la magnitud de entrada.
1.3.4. Sobrerrango
Se denomina tambin sobrecarga o medida mxima y es la
mxima magnitud de entrada que se puede aplicar al transductor, modificando las caractersticas del mismo pero sin causarle
daos permanentes (figura 1.3).
OFFSET
Linealidad
Histresis
Repetibilidad
Precisin
SALIDA
Posible alteracin
de las caracteristicas
Salida deseada
Din~icas
Respuesta
en frecuencia
{ Respuesta temporal
SU~'edad
Hu edad
Ambientales
Vi . aciones
Ru o
Int rferencias Electromagnticas
Te peratura
100%
----'--
125%
-MAGNITUD
FSICA
Sobrecarga
ITP-PARANINFO
Existen errores que no son atribuibles al transductor, denominados sistemticos, que son inherentes a la medida. Se pueden producir por vibraciones, defectos en la alimentacin, errores en la instalacin, errores de calibracin, etc.
Existe otro tipo de errores, los cuales dependen del comportamiento del transductor, tales como la no-lineaJidad, histresis,
repetibilidad, variacin de la medida con la temperatura, etc.
1.3.5.4. Repetibilidad
Cuando en un transductor
~c realiza una misma medida
mltiples \eces. en la Illi~ma direccin e iguales condiciones.
pucde ocurrir que la seiial de ~alida del mismo sea diferente
(figura 1.6).
Se define repetibilidad como la ran entre la m:lxima diferencia entre las lecturas de salida) el rango de medida. normalmente expresado en tanto por ciento.
Ill\IIlla diferencia
Repetibilidad
= ----------
100
rango de medida
SALIDA
ELCTRICA
no es una lnea
Repetibilidad
. MAGNITUD
FSICA
A
Respuesta
..
ideal
A
Respuesta
,
A
Mxima
real
desviacin
. MAGNITUD
FSICA
Rango de medida
1.3.5.3. Histresis
En muchas ocasiones, la caracterstica del transductor, obteniJa dando valorcs crecientes no coincide con la obtenida dando
\'alme~ decrecientes. tal y como se puede observar en la figura
1.5. denominndose
histresis a este hecho.
1.:1 histresis se puede cuantificar mediante la raLn entre la
Ill\ima diferencia
de seales medidas. en proceso crcciente y
decrccicntc.
para un mismo \'alor de la magnitud de entrada
entre cero)
fondll de cscala y el rango de medida. Se suele
e\11I"e~ar en tanto pm ciento.
mxima diferencia
rango de medida
SALIDA
ELCTRICA
Es aquclla caracterstica
mina la mxima frccuencia
capa de soportar.
Histresis
..
. MAGNITUD
FSICA
Rango de medida
/TP-PARANlNFO
tr = Tiempo de subida.
ts = Tiempo de asentamiento.
ta = Tiempo de adquisicin.
Usualmente estos tiempos son definidos respecto a determinados porcentajes del valor final. Es importante advertir que la
forma de especificar estos tiempos e incluso sus mismas definiciones pueden ser distintas para diferentes fabricantes.
EXCITACiN
J'----------r----------.-TIEMPO
RESPUESTA
(1)
Is
Unidades
Centesimal
(C)
O C - 100C
Grados
Centgrados
o Celsius
tc=(tF-32)'5/9
tc=tK-273,15
Fahrenheit
(F)
32F - 212F
Grados
Fahrenheit
tF=9/5te+32
tF=9/5'(~-273,
Absoluta
(K)
273.15 K373,15 K
Kelvin
Escala
---------------------TIEMPO
(1)
1.4. Ti os de transductores
En funcin de la magnitud fsica a medir y teniendo en cuenta su importancia, grado de utilizacin y aplicaciones de los mismos, se tratarn, principalmente, los siguientes transductores:
De temperatura.
De velocidad.
De posicin o despwzamiento.
De fuerza o deformacin.
De aceleracin.
De corriente (efecto Hall).
Relacin
entre escalas
15)+32
tK=te+273,15
tK=5/9(tF-32)+273,15
TIPOS DE TRANSOUCTORES
Principio
fisico
Tipo
Acoplamiento
termoelctrico
DE TEMPERATURA
Denominacin
Termopar
Sonda piromtrica
Resistencia metlica
Sonda termomtrica
Semiconductor
Termistor
Diodo
Transistor
Circuito integrado
Cuarzo
De cuarzo
Elctrico
ITP-PARANlNFO
pticos
Pirmetros
de radiacin
Dilatacin de slidos
Termmetro
bimetlico.
Dilatacin de fluidos
Termmetro de mercurio,
Termomanmetro
Bicromticos
Mecnicos
etc.
etc.
el rango aproximado
de temperatura.
de
Tipo de transductor
-270 a 1820
T1 = Tm
Resistencia Metlica
-260 a 1400
(Unin
medida)
-100 a 450
Transistor
-50 a 150
Circuito integrado
-50 a 150
Pirmetro
Termmetro
de radiacin
300 a 3000
bimetlico
-200 a 500
Metal A
Metal B
Dilatacin de vapor
O a 400
Tl = Tm
(Unin
Tabla 1.4.
<
medida)
Metal A
Cable de
compensacin
Tref=T2
Metal C
\
Metal C
Conexin fria
(Isotrmicai
Metal B
Generalmente el fabricante ofrece la sensibilidad del elemento tomando como referencia la temperatura de congelacin del
agua (O C). El procedimiento
para mantener la unin fra a O C
(tigura 1.11) se realiza mediante el bao de la misma en hielo.
lo cual resulta fcil de construir pero difcil de mantener.
Metal A
(Unin
medida)
\
Metal B
Metal C
Metal A
Bao de hielo
Tref = O C
P=lalm.
Metal C
Tl = Tm
de distinta
naturaleza se crea una direrencia de potencial denominada
potencial de contacto.
de forma que al circular una
corriente elctrica de uno a otro se produce una absorcin
o cesin de calor. en funcin del sentido de la corriente. de
manera que la temperatura alcanzada no corresponde a la
prevista segn efecto Joule.
Metal C
Conexin fra
(Isotrmica)
el cual
tes temperaturas
potencial.
de
Metal C
<---
-100 a 600
Dilatacin de gas
Aparato
medida
-55 a 600
Dilatacin de lquido
T2, denomi-
-100 a 250
Cuarzo
la temperatura
Tref=T2
Termopar
Termistor
conslante
de
que normalmente
se utiliza es la de compensaen sumar a la seal generada por el termopar
una tensin proporcional a la temperatura de la unin fra (Iigura 1.12), de tal forma que la suma de ambas sea la que proporcionase el termopar con la unin fra a O 0c.
La tcnica
Si dos metales de di ferente naturaleza se unen forman un circuito cerrado (figura 1.8). presentarn a su vez el efecto Peltier
y el efecto Thomson. Por esta razn, a lo largo del circuito existir una diferencia de potencial y. por tanto, existir una intensidad de corriente de naturaleza termoelctrica.
METAL A
cin, consistente
SENSOR
~~
METAL B
Amplificador
Vt=EIT1-T2)
V=E(Tl-T2)tE.T2
I COMPENSACiN I
o Vo=A.E.Tl
~
Vc=E.T2
ITP-PARANINFO
Hierro / Constantan
55
Cromo / Constantan
78
Cromo / Aluminio
- 70 a 1370
41
Platino-Radio
10% / Platino
.50 a 1760
10,5
Platino-Radio
13% / Platino
-SO a 1760
12
Platino-Radio
Platino-Radio
30% /
6%
O a 1820
l:
1.5.
+ ... +
a" t " )
donde al ' al' ... an son coeficientes que dependen del material con el que est construido el sensor.
Los materiales a emplear en la construccin del dispositivo
han de reunir una serie de caractersticas, entre las que se
encuentran:
Coeficiente de temperatura elevado.
Resistividad elevada.
En la figura 1.13 se observa la variacin de la f.e.m. en funcin de la temperatura para cada uno de los tipos de termopares.
t.e.m. (mV) 80
70
60
50
Platino, cobre y nquel son los materiales que poseen las anteriores caractersticas, cuya variacin relativa de resistencia con
la temperatura se indica en la figura 1.14.
40
30
20
10
Rt/Ro a (O 0e
200
400
600
6"
resistencia metlica
Su principio de funcionarnjento est basado en la variacin
que experimenta la resistividad de un conductor y, por tanto, la
resistencia en funcin de la te\Tlperatura ya que:
R=p'-
S
donde:
ITP-PARANINFO
200
400
600
800
+-----t
. .IR. el"""."
~
.~ c,Mte
~
Cobre
-----
--
l~
~
de
--~
1,56
0,00425
-200 a 120
6,38
0,0063 a 0,0066
-150 a 300
9,83
0,00385
PreciIi6n
oc
Ti 1.
El cobre presenta una variacin de resistencia con la temperatura prcticamente lineal, es barato y estable, pero tiene baja
Este montaje se emplea, por tanto. con resistencias relativamente baja~ de lo~ hilos de conexin y cuando el valor medido
no necesita gran exactitud.
El montaje ms utilizado es el de conexin mediante tres
hilos (figura 1.16). En l, la resistencia PT 100 est conectada al
puente a travs de tres hilos conductores.
y preci-
La resistencia
de platino con una resistencia
de 100 Q a
O C y 138.5
a 100C. denominada
PT I00, es la que se
~uele utilizar en la industria. En ella, a efectos prcticos, se
puede considerar
que la respuesta
es prcticamente
lineal.
Para realizar su funcin como sensor de temperatura,
necesita ser alimentada con una corriente de muy bajo valor ya que
si su disipacin trmica por efecto Joule es apreciable,
dar
lugar a un error en la medida debido al autocalentamiento.
La medida de temperatura
con este tipo de sensores, normalmente
se realiza mediante
puentes de Wheatstone,
en
montajes denominados
de dos, tres o cuatro hilos, siendo la
re~i~tencia dependiente
de la temperatura
una de sus ramas.
El montaje de dos hi los (figura 1.15) resulta ser el ms sencillo, pero presenta el inconveniente
de que la resistencia de
lo~ hilos de conexin de la PTIOO al puente (R" y Rh) vara
con la temperatura.
cometindose
un error en la medida. aunque e~to~ hilos ~ean de baja resistencia
R(PT100)
Aparato de medida
del puente se
\
R,' (R
-
+
1
R )
"
/'
J
-=-
RI''fI(X)
R"
R,
de los
~R(PT100l
R~
R,
de la PT 100 ser:
R~
~2
~2
R~
-=- V
Si se tienen en cuenta las resistencias
PT l 00, las ecuaciones quedan modificadas
de conexlon
de la forma:
de la
R3D
1
T
-=V
c::J
R(PT100)
T
R4D
. c::J
R(PT100)
ITP-PARANlNFO
donde:
Termistores.
Diodos.
Transistores.
Circuitos integrados.
1.5.3.1. Termistores
( T1 T1)
"=--
T2
108
R=R'e
I
ITP-PARANINFO
- 1')
(17'T;
10-2
100
100
200
TEMPERATURA
300
400
Medida de temperatura
Compensacin de temperatura
Regulacin de temperatura
Estabilizacin de tensin
Alarmas
El acondicionamiento
con~istir en alimentar la PTC con
una corriente de valor constante. de forma que las variacione~
de resi~tencia se COIl\ iertan en variaciones de tensin proporcionale~ a la mi~ma.
Proteccin
Retardo~, etc.
por materiales
positivo eleva-
Su relacin re~i~tencia-temperatura
se puede observar eI1 la
figura 1.19 en la que se pueden distinguir tres zonas perfectamente definidas:
o +v
de temperatura es ligeramente negativo. Dicha zona est por debajo del punto crlico de tran~formacin de la red clistalina.
el cambio de la red
cristalina del sistema tetragonal al cbico (se ha superado
el punto de Curie) y el coeficiente de temperatura es positivo.
ZOfla
R(OHM)
o
Figura 1.20. Linealizacin de PTe.
Estabilizacin
de los tellllisrores
PTC se encuentran:
de relajacin.
de corriente.
donde:
de los termistores
R{ es la resistencia
ta
de PTe.
absolu-
T.
A. B Y E son constantes
caractersticas
(A y E tienen
unidade~ de ohmios).
El margen de utilizacin de esta expresin ser: TI < T < T~.
en el cual. el coeficiente de temperatura para A < < B ser de la
forma:
IX
Expresado
-.--,------
dR
BEe"T
B I 02
(En
% K
1)
tic.
~T
T2
T1
de temperatura.
mediante semicondudor
Existen diodos de arseniuro de galio (GaAs) y silicio (Si)
que pueden ser utilizados en un rango de temperaturas
comprendido
entre I K Y 400K. Es posible encontrar
tambin
configuraciones
basadas en transistores.
En ellos la pendiente de la caracterstica
resistencia-temperatura
y la sensibilidad es diferente en funcin del tramo del rango de medida que se trate. Para su excitacin
es necesaria
una fuente
regulada
de corriente
constante
y el aparato de medida a
emplear ha de ser sensible y poseer una elevada impedancia
de entrada.
Entre los circuitos
integrados
se utilizan sensores
que
generan en su salida una tensin proporcional
a la temperatura del tipo LM35 cuya sensibilidad
es de IOmV/"C y LMI35
con sensibilidad
de IOmV/K y otros que se comportan como
una fuente de corriente proporcional
a la temperatura
del tipo
AD590 que posee una sensibilidad
de I..tA/"C. En general
poseen una respuesta prcticamente
lineal.
ITpPARANINFO
Se utilizan cuando se desea realizar la medida de la temperatura sin contacto material y sin ejercer ninguna influencia sobre
la temperatura del objeto bajo prueba.
+Vs
R=18K
w=or4
TERMOPllA
ITP-PARANlNFO
Lo~ plrometros
optlCOS de radiacin parcial manuales se
basan en la comparacin
visual entre la emisin producida por
el objeto bajo prueba y la emisin de una lmpara de filamento
incandescente,
pudiendo ser de corriente variable en la lmpara
(figura 1.23) o de corriente constante en la lmpara con variacin de brillo en la imagen del objeto (figura 1.24).
~
r
Lente
o
1I
Lmpara de
comparacin
Filtro
Ventanilla
de enfoque
1 2 3
c;J
Persiana
Prisma
/\
(
..
Lente
Ventanilla
de enfoque
Su funcionamiento
se basa en la dilatacin
por lquidos y gases al aumentar su temperatura.
11
experimentada
El termmetro de vidrio es, sin duda. el ms conocido. Consta de un depsito de vidrio que conti e un fluido (mercurio,
alcohol. pentano, tolueno, etc.) que al calentarse se dilata y sube
por el tubo capilar.
Lmpara
de enfoque
En los termomanmetros.
la variacin de temperatura en un
fluido. dentro de un recipiente herm'lico se traduce en una
variacin de presin. Si ~e mide la variacin de presin es posible obtener el valor de la temperatura.
Temperatura
baja
Temperatura
correcta
Temperatura
alta
de necesitar
la presencia
de un ope-
y desplazamiento
Como su nombre indica, los transductores de velocidad se
emplean para detectar la velocidad de un mvil. tanto lineal
ITP-PARANlNFO
Tacodnamo
Tacoakemador
Analgico
Angular
Transductores
Fotoelctricos
Inductivos
{ Etc.
Digital (Encoders)
de velocidad
Los transductores que aqu se tratarn se referirn nicamente a velocidad o desplazamiento de slidos, pues la medida de
velocidad de fluidos se realiza de forma diferente.
Taqumetro de hilo
Taqumetro electromagntico
Lineal
Atendiendo al tipo de movimiento del objeto sujeto a medida, una primera clasificacin se puede realizar en funcin de
ste:
Transductores de velocidad y desplazamiento lineal
Transductores de velocidad y desplazamiento angular
Aplicaciones de los primeros se encuentran en cilindros
neumticos o hidrulicos, prensas hidrulicas, etc., mientras que
los segundos se aplican en todo tipo de sistemas rotativos.
Conviene, por tanto, reCOrdar que para cada tipo de movimjento (lineal o angular), existen determinadas relaciones entre
desplazamiento (o ngulo girado), velocidad, aceleracin y
tiempo, pues dichas relaciones permitirn, en el transductor,
obtener una seal proporcional a la magnitud objeto de medida.
Las ms importantes se detallan en la tabla 1.7, donde:
de
dt
dt
dv
doo
lX=--
dt
dt
Transduetores
de desplazamento
Potenciomtrieos
Inductivos
Sineromquinas
Capaeitivos
Inerementales
Digitales (Eneoders)
Absolutos
angular analgicos
00=--
8=--
Analgicos
dx
V=--
Los tacogeneradores son aquellos transductores de velocidad angular analgicos cuyo principio de funcionamiento es
similar al de los generadores de energa elctrica.
Se basan, para su funcionamiento, en la ley de Faraday, la
cual establece que la fuerza electromotriz inducida en un circuito elctrico formado por un conductor cerrado (espira) es numricamente igual a la derivada respecto al tiempo, cambiada de
signo, del flujo magntico que lo atraviesa.
1.7.
E = ---
dP
dt
donde:
E es
([J
E=-N--
ITP-PARANINFO
dt
Si varias espiras formando un cuadro rectangular se encuentran en el interior de un campo magntico de tal forma que el
flujo que las atraviesa sea variable (bien por rotacin del cuadro
o del campo magntico), y siendo ex el ngulo formado por el
plano de la bobina con la normal al campo, el flujo que atraviesa el cuadro es de la fonna <1>
= A-B-cos ex, siendoA el rea limitada por l y B la induccin magntica (densidad de flujo
magntico ).
La derivada del flujo respecto al tiempo es, por tanto:
dP
--
dt
da.
-AB sena..-dt
N'A
no existir
ex
w'sell
dI
En funcin del tipo de seal suministrada
doro podrn ser:
por el tacogenera-
cuando a su salida
una seal de corriente continua.
Alternador tacomtrico o tacoalternador cuando a su
salida proporciona una seal de corriente altellla.
proporciona
Est constituida
por:
Un inductor fijo denominado estator que genera, mediante electroimanes o imanes permanentes. un campo magntico con un nmero par de polos.
Un inducido giratorio o rotar constituido por cuadros de
espiras cuyos extremos estn conectados
a un colector.
En estas espiras se inducir una fuerza electromotriz
debida a las variaciones
del flujo magntico durante la
rotacin. El colector es solidario al inducido y en l se
produce la cone.xin elctrica con el circuito exterior:
est compuesto
por un nmero par de segmentos aislados elctrica mente entre s (delgas) sobre los cuales frotan dos escobillas
fabricadas con un material derivado
del carbn. El nmero de del gas ser el doble de la cantidad de cuadros de espiras existentes.
./
./
Considerando
una tacodnamo con una nica espira y dos
delgas en el colector (figura 1.26). su funcionamiento
ser el
siguiente:
./
./
Al girar el inducido, la espira corta el campo magntico producido por el inductor. Cuando se encuentre en la posicin indicada en la figura 1.26, la variacin de flujo magntico con respecto al tiempo (dC/>/dl) ser mxima y tambin lo ser la
intensidad de corriente inducida.
Inductor
+
Figura 1.28. Tacodnamo de una sola espira en la posicin "c".
/'
/'
/'
/'
Sentido
de rotacin
Espira
(Inducido)
Escobilla
Corriente
inducido
Resistencia
de carga
. t
S
Colector
Inductor
Delga
Corriente
carga
...t
ITP-PARANlNFO
(tacoalternador)
Se trata de un dispositivo que genera a su salida una seal
alterna senoidal cuya frecuencia y amplitud son proporcionales
a la velocidad de rotacin de su ej~.
La variacin de flujo magntico a travs de las espiras se consigue, en este caso, mediante un imn giratorio.
Un alternador tacomtrico elemental (figura 1.31) est compuesto por:
salida
-o
Ql
>
V
espira
v
_1TI_a_x
-V
__
Eje sensor \
.
Vs
"_"_"
ITpPARANlNFO
u -
Carga
Estator
Rotar (Inductor)
V.
Id)
(al
I'J
(CI
(bl
lalV
"'
lb)
al ruido y ms
angular digilales
EMISOR
Son aqullos que generan a su salida una seal de tipo digital. Proporcionan.
por tanto. un nmero de impulsos por cada
vuelta del eje en rotacin. de tal fOnll<1 que cuanto mayor sea el
nmero de revoluciones a las que gira dicho eje. mayor ser la
frecuencia de dichos impulsos. Si se desease una seal analgica proporcional a la velocidad angular basta con utilizar un conversor frecuencia-tensin.
tecnologa~
son:
empleadas
en la fabricacin
de
lll<lS
RECEPTOR
1"
~a
da B
/..
:
Eje sensor
AlimenlaClon
y los
Disco
MOTOR
EMISOR
+ Vcc
La anchura de la~ franjas o de la~ ranuras, as como su separacin deben estar en relacin con la rapidez de respuesta del
fototransistor,
debindose
obtener impulsos claros en todo el
rango de velocidades a detectar.
Atimenlacion
',..1/
/
A6~pCT~~R ~a ,da
Los transductores
fotoelctricos constan. fundamentalmente,
de un emi~or de luz (cliodo led) y de un receptor (fototransistor),
pudiendo actuar por reflexin o por transparencia. En los primeros, el cmisor y receptor estn montados en un mismo frente,
uno al lado del otro y el haz de luz incidente se reflejar o ser
absorbido por las franjas alternas (en dos colores muy contrastados: blanco y negro) dispuestas sobre la superficie mvil (figura 1.33).
--.--
EJE
Alimentacin:
indllctivoS.
()
DISCO
A6~~T~~R
empleados
MOTOR
A6:~T~~R:Sa ida A
RECEPTOR
o o GND
1.6.3. Transduclores de
velocidad lineal
OUT
para la
de hilo
ITP-PARANINFO
IMN
PERMANENTE
v7
Jt
71
CURSOR
/ 7 77
METAL
7 7
7
:]erminales
para medir
77/
resistencia
--c=J--
Vstago de
unin al
objeto en
movimiento
F~
B
o
SALlD~-!
Eje sensor
(cursor)
De imn mvil en el que el objeto sujeto a medida se acopla mecnicamente al imn permanente .
De bobina mvil en el que el objeto se acopla mecnicamente a la bobina.
Figura 1.38. Transductor potenciomtrico bobinado.
1.6.4. Transdudores de
desplazamiento analgicos
1.6.4.1. Transdudores potenciomtricos
Se emplean para la deteccin de desplazamiento (o posicin),
tanto lineal como angular, siendo, en cada caso, diferente la geometra del dispositivo.
Estn constituidos por una resistencia fija sobre la cual se
desplaza (lineal o angularmente) un contacto elctrico o cursor.
ITP-PARANINFO
Pista de alta
resistencia entre
AyB
Potellcimetros
MAGNETO-RESISTENTES:
Utilizan
como sensor una magnetolTesistencia
y como elemento
mvil un imn (figura I AO). Tienen la ventaja de no existir contactos metlicos ni roces. Como inconveniente cabe
destacar su dependencia de la temperatura. La magnetorresistencia vara su valor hmico de unos 100 Q cuando la
induccin es nula a I ,5K Q cuando la induccin es de unos
6.000 Gauss.
o
angulares
existen
de 360
o.
Salida
MAGNETORRESISTENCIA
..
1---
S
Imn
Rn
Figura 1.42. Potencimetro angular.
Si se considera ahora el potencimetro
de la figura IA2. la
resistencia entre el cursar y cada uno de los extremos del potencimetro ser de la forma:
RCII
Considerando
el potencimetro
de la figura IAI, la resistencia entre el cursar y cada uno de los extremos del potencimetro ser de la forma:
R
-e
"
L
donde:
R ~-"'(L
CIJ
L
e)
I~
R
CA
R(fl
qJ"
Re\
R
donde:
"
Se han considerado
elementos con una variacin lineal de
resistencia en funcin de la posicin del cursar, pero es necesario indicar que existen potencimetros
cuya variacin no es
lineal (logartmica, exponencial, seno. coseno. etc.).
!
Los transductores
de dos tipos:
CB
O C
~
,
R"
Rn
,,
de desplazamient
inductivos
pueden
ser
De inductancia variable.
Transformadores diferenciales (LVDT).
ITP-PARANlNFO
magntico se desplaza, por estar unido mecnicamente al objeto del que se desea conocer su desplazamiento (figura 1.43).
Bobina
0000000\0000
6X
100000000001
1.6.4.3. Sincro-mquinas
Ncleo ferromagntico
secundario
Material no
ferro magntico
Ncleo
ferromagntico
Bobinado
primario
VS1
"O
VS
VS2
i 52
a
\~
/')'
\
ITP-PARANINFO
/./
R1
o'
,,
:
:
,
,
./
53
'o
51
R2
o'
donde:
e es
e es
rl
S2
S4
rl
R2
Sl
R4
Rl
R3
1.6.4.4. Capacitivos
Figura 1.48. Condensador cilndrico.
Basan su funcionamiento
en la variacin de la capacidad de
un condensador al actuar sobre l la magnitud fsica que se desea
medir.
Se emplean para medir pequeos desplazamientos,
tambin se pueden usar para cuantificar fuerzas.
aunque
La capacidad de un condensador
depende, nicamente del
dielctrico y de su geometra. En el caso de un condensador
plano (figura 1.-1-7). su capacidad viene expresada de la forma:
K;-
"d
<
donde:
e es
S
;.d
la capacidad
del condensador.
dielctrico.
S, es la capacidad especfica de induccin en el vaco.
e es la capacidad especfica de induccin.
S es la superficie de una de las armaduras.
d es la distancia de separacin de armaduras.
Ke es el coeficiente
Va
Vb
+0
21t;
__
1r
Inr2
tecnologas
son:
empleadas
Inductiva
por reluctancia
variable.
Inductiva
Magnetorresisti
en la fabricacin
de
va.
Fotoelctrica.
Los ms empleados
son los transductores
fotoelctricos
(pticos), seguidos de los illductivos, motivo por el que se desa-
lJ
(figura
Capacitiva.
rrollarn en profundidad
desplazamiento digitales
1.6.5. Transductores de
1.48), su capacidad
los primeros.
Los transductores
fotoelctricos constan, fundamentalmente.
de un emisor de luz (diodo led) y de un receptor (fototransistor).
pudiendo actuar por reflexin o por transparencia. En los primeros, el emisor y receptor estn montados en un mismo frente,
uno al lado del otro y el haz de luz incidente se reflejru' o ser
absorbido por las franjas alternas (en dos colores muy contrastados: blanco y negro) dispuestas sobre la superficie mvil.
Al incidir el haz de luz emitido sobre las franjas, se reflejar
en las blancas y hru' que el fototransistor se sature, Por el conU'ario, cuando el haz incida sobre las franjas oscuras, no existir
/TP-PARANINFO
Fototransistor
:.--
Alimentacin
-- --=t--
Eje sensor
"l
"
',
DISCO
Salida
JllJJlJlJlJUl[ljJJl.
n ~
P"'O
S.I;d.
1 "eI1,
U1
paso
~:'1'1 /,,/
El dispositivo ms simple posee nicamente un par emisorreceptor, proporcionando solamente informacin del desplazamiento y no de su sentido.
/"
..
.)/
..
""
__.. _. _f~>~_)'"
====::::/::
. .. _;>--~
AhmentaClon.
//
":
_Salida
aRrollO ~ndice
ADAPTADOR
"
/
.~_
.J',/. ~~y
Salida
~
-41
ADAPTAOOfI
0t1
,~,;,!Jl!Yj:K
=--- __
ORCUITO
~--l
-- e
~",
Alimentacin
Alimentacin
A~~;T~~R
~.-;:::.~
/~
E'
Jese!,~o~.
"
O;sco
____-1....
Salida
Entrada
ENCODER
Salida
Salida
INCREMENTAL
~-=~I'Z
Regleta
Cursor
INCREMENTAL
ITP-PARANlNFO
Receptor
h~1
REGLA
Emisor
Emisor
<
El circuito acondicionador
estar formado, principalmente.
por un contador digital encargado de almacenar el nmero de
impulsos producido por el codificador. En la tigura 1.53 se ha
empleado un encoder incremental de 16 impulsos/vuelta
y un
contador con 32 estados, por lo que transcurrida
la segunda
vuelta se repetirn los estados del contador.
ENCODER
Entrada
eontaJe
Salida
INCREMENTAl
(16Imp ..'vuellal
Salida'
eowd" c50
.'
"
CONTADOR
BINARIO
."
>.,
.....
_,
50
51
52
53
54
."
"
;<
._,
lfU~-'":- iL ~J"
:J, "JSJlJUlflIlJ1.flJiLLrS JSU1!L~ _~1'lJL
.~J.,~l_L
L
Folodlodos
Fototransistores
o
5'
Alimentacin
52
L
1 ____
53
54
: CirCUito
: adaptador
o
L1
[
2' "uelta
Eje
sensor
Pistas
C
B
I ENCODER
I INCREMENTAL
Salida
.f'-.....--~=.
JU
l/""
R
B
(16 imp./vueltai
CONTADOR
Entrada
contaJe
BINARIO
50
51
52
53
54
VA
-'L-I-.~~ ~I
---1
-t
Jl Ul fl!1F
-t
01234567023
Regleta codificada
22.5"
Salida
encoder
Receptor
LJJLJ' JLJLJLJl
rLn
LJLLJLrL~_
VB(\J\.j~_
Entrada
contaje
~~~~~~~~~~~~~~~~
~_.
11.25
ENCODER
:REMENT~
--------,IDOWN
L:
descendente
CIRCUITO DE DETECCiN
DE SENTIDO D~ GIRO Y
DETECCION
E,Ic,d,
UP
ascendente
DE FLANCOS
CONTADO~
DESCONTADOR
DIGITAL
: ~~
o Sn.1
o $n
2"
Si se trata de un codificador
lineal, su resolucin
depender, asimismo, del nmero de pistas (u) y de la longitud de
la regla (L):
"
L
R eso 1lIcton--
se ha mencionado,
')"
la posicin
se utilizan
cdigos
/TP-PARANINFO
Un cdigo es continuo si las combinaciones correspondientes a nmeros decimales (base diez) consecutivos son
adyacentes.
Se denominan combinaciones binarias adyacentes aqullas
que difieren nicamente en un bit.
o
\
Regleta codificada
Un cdigo continuo en el que la ltima combinacin es adyacente con la primera se denomina cclico.
El cdigo ms utilizado en codificacores absolutos es el
Gray, tambin denominado reflejado ya que la formacin del
cdigo de n bits se realiza a partir del de n-l, repitiendo simtricamente las combinaciones de ste y aadiendo por la izquierda un nuevo bit O para las 2n-1 primeras combinaciones y un 1
para las 2n-/ siguientes.
En la tabla 1.10 se representa la formacin de los cdigos
Gray de 2,3 y cuatro bits.
0000
0001
0011
0010
01 10
01.11
O 10 1
0100
1 100
1 1 01
1111
1 1 1O
1010
en cdigo
GRAY
0----
Gn-2
0-
)~-
G1
)D
GO
o_~)~BO
o Bn-1
OBn-2
oB1
-------
-- ---
1O1 1
100 1
1000
l:
1.10.
donde:
ITP-PARANlNFO
dR
R
L+L
La relacin entre la variacin de dimensin y su valor original. denominada deformacin lineal, se representa por E y es:
dL
C
--
Esfuerzo
Deformacin lineal
dL
L
d L
-'dp,
cip
(J
aR
-dL+
('L
-elA
JA
-'dp ,-dL
A
A
dR
dp
--.-,p
dL
dA
(1
p
Las galgas extensomtricas se basan en este fenmeno fsico. Generalmente son de tipo pelcula (figura 1.62) y constan de
una fina capa metal izada de una aleaccin conductora, depositada sobre una lmina de material plstico aislante, de forma que
sta se pueda adaptar fcilmente a una superficie. El material
conductor sufrir las deformaciones que afecten a la mencionada superficie, siendo posible medir esfuerzos a partir de la variacin de resistencia.
La galga ha de estar, por tanto, fijada al elemento sometido a
esfuerzo. Es por ello preciso seleccionar adecuadamente el
adhesivo a utilizar para cada aplicacin, ya que una seleccin
inadecuada puede dar lugar a medidas errneas.
r-
I
I
I
::~
-
I
::J
2'lJ"c'x'v
La sensibilidad de la galga se especifica mediante el denominado factor de galga el cual se define como la razn entre la
variacin relativa de resistencia y la deformacin.
p'A
--'dA
A~
!!...E.... dL'2'f.l.dL
fl'-
w
L
donde w es cualquiera de las dos dimensiones de la seccin
transversal.
dR
dA
A
Se observa que uno de los dos sumandos depende de la deformacin fsica del material. En cuanto al otro sumando (dp/p). se
trata del coeficiente piezorresistivo del material, el cual, generalmente, es despreciable. En determinados substratos cristalinos, sin embargo, es el trmino dominante.
dL
1,
!!..!i ~
l-l
!!...E...
Factor de galga
(K)
elR
dR
d!
I
Las variaciones de temperatura se han de tener muy en cuenta a la hora del empleo de galgas extensomtricas, ya que por
esta causa es posible obtener medidas incorrectas. La resistencia
de un material conductor sufre moditicaciones al ser deformado,
pero tambien variar si lo hace la temperatura del medio en el
que se encuentre. Ser necesario, p r tanto, emplear galgas
fabricadas con aleacciones quc compensen este efecto no deseado dentro del margen de temperaturas de trabajo.
En cuanto a la detcccin de las variaciones de resistencia. se
realiza normalmente mediante un puente de Wheatstone, siendo la galga una de sus ramas, obtenindose de esta forma una
tensin proporcional a la variacin de resistencia en la galga y.
por tanto, a la deformacin y el esfuerzo.
ITP-PARANINFO
1.7.1.1.
1.7.1.3.
Galgas multiaxia/es
Galgas metlicas
En general, las galgas metlicas poseen una resistencia elctrica entre 100 y 5.000 n y su factor de galga est comprendido
entre K=2 para las aleacciones descritas y K=4 para la aleaccin
platino-tungsteno.
1.7.1.2.
Galgas semiconducloras
ITP-PARANINFO
1.7.2. Piezoelctricos
Su funcionamiento est basado en la propiedad que presentan determinados materiales cristalinos, tales como el
cuarzo, denominada piezoelectricidad. Esta propiedad consiste en la capacidad que posee el cristal de producir carga elctrica bajo la accin de una fuerza aplicada en la direccin
correcta. Cuando la estructura cristalina se deforma por la
accin de la fuerza que acta sobre ella se produce la polarizacin de las caras sobre las que se ejerce el esfuerzo, quedando cada una de ellas con una carga elctrica de distinto
signo. Esta deformacin que provoca la asimetra en la distribucin de cargas en la red cristalina, provoca una diferencia
de potencial susceptible de medida si se colocan dos placas
conductoras en las zonas polarizadas elctricamente. Estas
placas quedarn cargadas elctricamente de forma que la tensin elctrica existente entre ellas ser proporcional a la
deformacin sufrida por el material y, por tanto, a la fuerza
aplicada.
La sensibilidad de un cristal al efecto piezoelctrico depende de su geometra y de la direccin en la que se aplique el
esfuerzo.
Se utilizan principalmente en la medida de fuerzas y deformaciones. En la figura 1.64 se observa el esquema bsico de
una clula de carga construida mediante un material piezoelctrico.
La carga electrosttica acumulada y, como consecuencia, la
diferencia de potencial tienden a disminuir con el tiempo, por
lo que son adecuados para medidas de tipo dinmico. Si la
fuerza a medir no vara (esttica) o sus variaciones son lentas,
este mtodo de medida resulta inadecuado. En la figura 1.65
se representa la respuesta de un cristal piezoelctrico ante un
escaln.
FUERZA
/- =
donde:
TENSiN
1// . (/
-dI' )
dI
I \
(/
(Kg)
dI
Fuerza
33
'-t
1.7.3. Capacitivos
Tal y como se puso de manifiesto en el apartado correspondicntc a mcdida de desplazamientos,
basan su funcionamiento
en la variacin de la capacidad de un condensador
al actuar
sobre l la magnitud fsica que se desea medir.
La capacidad del condensador depende del dielctrico empleado y de su geometra. La modificacin de cualquiera de los dos
(o ambos) dar lugar a una variacin de la capacidad que depender de la causa que ha originado dicha variacin. En la figura
1.66 se muestra una clula de carga construida para la medida de
fuer;:as.
FUERZA
CAPACIDAD
de
Una masa denominada lIlasa ssmica sometida a la acelcracin a medir. la cual. como consecuencia
de la inercia
que en ella se provoca por la variacin de velocidad.
produce una fueral o desplazamiento
relativos susceptibles
de medida.
Un elemento
transductor
de fuerza o desplazamicnto
encargado de generar la correspondiente
seal elctrica.
El dcsplazamiento
o el esfuerm medido. para una masa ssmica de valor constante. ser proporcional a la acclcracin.
Si la medida de la aceleracin se real iza a travs dc la fuerza.
se utilizarn transductores
piemelctricos
y piezorresistivos.
Si
el valor de la aceleracin se prctende (Ibtener a travs del desplazamiento
se utilizarn
transductores
potenciomtricos
c
inductivos.
ITP-PARANlNFO
1 Il 1+1'++++++++-1
I I II1
'-\
1+.
><
8<:--~x'
,.
x
I .""
Tensin
de Hall
VH
Ic
= E=v'B
K .
)
1
deleClllda
1
lIominal
VH = Ed = vBd
-B ~
Corriente a
medir
a+vcc
[>
avo
a-vcc
ITP-PARANINFO
l/O il/ver-
(+ y -), denominadas
bsicas
de un amplificador
operacional
-Vcc
oo.
Su impedancia de entrada debe ser infinita, para cualquiera de sus dos entradas, con el fin de que el amplificador no
cargue al circuito que proporciona la tensin a amplificar:
Z/ = Z' = Z = oo.
Su impedancia de salida ha de ser nula. para que la tensin
de salida no se vea inlluenciada por la carga que el circuito soporte: Z" = O.
Su ancho de banda debe abarcar desde la tensin continua
hasta las ms altas frecuencias utilizables. con el fin de no
introducir ninguna limitacin en frecuencia, es decir, ha de
ser infinito: L'1w = oo.
Los amplificadores operaciol/ales reales estn constituidos
por un circuito complejo con acoplamiento directo de transistores y resistencias en una misma pastilla de silicio, formando un
circuito integrado. Sus caractersticas
se aproximan bastante a
las ideales. de fOlll1a que para el anlisis de circuitos basados en
Aa. se podr utilizar el modelo ideal. En la tabla 1: 11 se observan algunas de las caractersticas
de un modelo comercial frente a las ideales.
A.O.ldeal
Av
Z,
Zo
&
2105
21M Q
1
I
2200 Q
::: 10 MHz
Tabla 1.11
en la figura I.n..
La realimentacin
negativa del conjunto se realiza a travs de
la resistencia R l' por lo que. en lo que se refiere a las tensiones
de entrada. se cumplir:
Evidentemente.
un amplificador operacional necesita alimentacin de tensin continua (figura 1.70). Normalmente
se realiI.a con dos fuentes de tensin (Yee y - Yee) que, aunque no han
de ser simtricas respecto al terminal comn o masa que es lo
ms habitual. tienen por objeto delimitar el campo de trabajo de
las tensiones en las entradas y salida del amplificador (mximos
valores de tensin posibles).
Tal y como se ha definido el amplificador ideal. para trabajar
en /.Ona lineal ser necesario que la tensin aplicada en ambas
entradas sea la misma (v +=v '). de forma que. al ser infinita la
ganancia. exista tensin de salida. Si existe diferencia de valor
en las tensiones de entrada. la tensin de salida ser el mximo
(+00) o el mnimo (-00) que el amplificador
pueda proporcionar
(+Ycc o - Ycc en realidad, respectivamente).
Si v +>v ' . entonces
Si v +<v ' . entonces
1'+ = \'
- O
- \'+=
l'
l'
i2
R1
i1
o
V1
}
O
R2
c:::J
c:::J .
Vi
- -
o +Vcc
[>
O -Vcc
V2
ITP-PARANlNFO
Por otra parte, puesto que en el A. O. su impedancia de entrada es Zi=oo, no se va a derivar ninguna corriente desde el nudo
B hacia la entrada inversora, con lo cual:
Al no derivarse corriente alguna por las entradas del operacional, ya que su impedancia de entrada es Zi=oo, se obtiene:
il = i2
..
vI
1 =1
v2-v,
=-=--
R2
VI
v2 =~'R2+
V=V'---
o+Vcc
I
~il
c:::J- -
Vl
Vl
ITP-PARANlNFO
R2
c:::J . c:::J
o Va
o-Vcc
Rl
V2'0
B
V2
o-Vcc
Rl
o -Vcc
[>
.,
v=O=v=v
I
B [>0 +Vcc
v;j ,
Vi
Vl
rl!-
R2
i2
2
(R---;+
2
v =--'V2
2
2
]
vI'
R+R2
vI
c:::J
R2
c:::J
J.
(1).
Analizando
el amplificador
diferencial
La figura 1.77 muestra un amplificador diferencial de elevada impedancia de entrada por hacer uso de las entradas no inversoras de amplificadores
operacionales.
1,75:
de la figura
R1
R1
1'1
I'/i
I'/i
RI
1'"
R2
R2
a+Vcc
"
i2
o+Vcc
[>
a-vcc
V2 o
o Va
a-vcc
\' I
(1
1)
;+I'/I' ;' R2
l'
-. c:::J
C>
V1 a
R2
c:::J i2
Analizando:
\'
\'/i
Ro
R
l'
1',
l'
--(I'
I
II
La ganancia slo depende de las resistencias R Y Rz Y el factor de rechazo del modo comn del grado de apareamiento
de
las dos R y las dos Rz'
Como inconveniente
se puede citar su baja impedancia
entrada que, adems. no es la misma para ambas entradas.
de
l'
1I
I
---'\'
R1,
---'-'(v
Ro
R2
R,
I,~_I'(I~)
como sumador.
RI
,\
,vo)
\'
1,
\'
(/
---
R1
R3
R1
V1 o
c:::J .
C>
R2
c:::J
O-Vcc
R2
c:::J
R2
de iz:
ambas expresiones
O+Vcc
o +Vcc
C>
O
o Va
o-Vcc
DR4
V2 o
Igualando
c:::J
\'
----
R,
c:::J
RI
El segundo
\'
la tensin en el punto C:
\'c
l'
l'
RI
El circuito de la figura 1.76 es, tambin, un amplificador diferencial que utiliza dos operacionales
que no precisan ser de
entrada diferencial.
l'
A
R,
R,
l'
Despejando
\'
R5
\'
(1
anteriores
se obtiene
en la expresin
,+
Ro
la expre-
RI +R2
RI'R21
R2
'(\'1
(1
\'')"
RI'R2
RI
l'
R2
'1')
Combinando
las ecuaciones
sin de la tensin de salida:
Sustituyendo
\'0 )
RI
Las impedancias
pectivamente.
de entrada
tambin
----
R,
'(1'
\'2)
I
ITP-PARANlNFO
o+Vcc
I
V1
VA
El circuito de la figura 1.78, recibe el nombre de amplificador de instrumentacin y prcticamente elimina los inconvenientes de los anteriores, aunque el rechazo del modo comn
sigue dependiendo del grado de apareamiento de las resistencias
del mismo valor.
R2
R1
i4
V1
R3
V2
n
~
B
0-
R2
oVB
Figura 1.80.
VI
VI
v2+ = v2-
VI
i4=is=i
V2
O-Vcc
vB- v2
1 =---
R2
B
B
--=--v
2
2
v -v
A
2 R 2 ) (v -v)
1+ __
R
I
2
I
R3
A e
i1
R3
B e __
i3
o Ve
e -Vcc
R3
c:::J . c:::J
J.
Figura 1.79.
El resto del circuito (figura 1.80) se encarga de proporcionar
una impedancia elevada para cada uno de los terminales de
entrada.
ITP-PARANINFO
C
\'..1
II
c:J
IC'(
Vl
- -
I1
o +Vcc
eI j"
e.
C>
V2
o-Vcc
-- I
Re
j'
\' dl
1
En efecto:
I {" 1'(1I
C
j'
I
R'C
--
dl
l'
En la prctica es preciso establecer algLII1sistema que permita introducir las condiciones iniciales, as como poner una resistencia de elevado valor en paralelo con el condensador para evitar la saturacin del A.O .. en ausencia de seal.
El caso ms tpico es aqul en el que, en el instante inicial
1=0. la tensin de salida v1=O. lo que se consigue mediante la uti
linlcin de un intelTuptor en paralelo con el condensador que se
abre en el instante de tiempo 1=0.
Otra forma de realizar un integrador
2R
2R
c::=:J
c::=:J
2R
c::=:J
c::=:J
..
V2
=C
- -
, iC
(11).
\' - l'
\'
.I
\'
---+---
2R
,1
2
\'1 + l'~
2R
2R
..
c::::J
O +Vcc
II
C>
Vl
O -Vcc
V2
1':2
---2R
..J.R
1'/1
le
o-Vcc
2R
Vl
C>
..
es la de la figura 1.82.
o +Vcc
B
V2
2 VA
dI'
C-I
dI
iR
dI'
R'C-I
dI
Pero:
l'
l'
/i
con lo que:
\'1 + \'2-
V2
e ~--2-'-R--
2R
ITPPARANlNFO
R2
-Vcc
t
vcc
[>
~oVa
Vi
0-
VR
-Vcc
-+-----'
-i-----
6_Vcc
~O~i;;'~efi'dt)
Va
+Vcc
Vi ,
o~
Se trata de un circuito capaz de detectar si la tensin de entrada se encuentra dentro de un intervalo (ventana) de valores. Para
su implementacin (figura 1.88) se requieren dos amplificadores operacionales, un diodo y una resistencia.
Vl
o -
G>
Vol
V
o-vc~
Vi.o
orO :
"'
Vo
A
V20--
Vi'
-Vcc
Si v < v
v () = v mx
Vi = V cc -
ITP-PARANINFO
-VCC:":: Vi:":: VI
V2
V2
Vy ~
cc} V _> V
2
= Vo
= -
Vcc
VI:":: vi:":: V2
v"
en que
$;
ViS _
= . Vcc
es necesario
que
\'
,ea
v" =+ Vcc
es necesario
que
Vs<VfI"
.l Va
En el momento
tomar el valor v"
~"'r--'--,+ Vcc
=- Vcc-
---l ..
ViS
v,,= -Vcc
ViS
. Vi
...
Vcc
es ahora:
=- Vcc
es necesario
valdr:
que
V ,\
?R1
-_V
R1
R~
((
En el momento
ser
con h;stres;s
El circuito es el representado
en la figura 1.96, donde se
onserva que se trata de un comrarador
simtrico al cual se le
aplica una tensin de referencia en la borna inversora (en lugar
de conectaria a masa).
v" =+ Vcc-
.lVa
+Vcc
ViS
ViS
. Vi
O+Vcc
VR
C>
__ .....-'--._.J
-V cc
O Va
no inversor asimtrico.
O-Vcc
Rl
Vi
La tensin de histresis
R2
c:::::J
ser:
\1
IN
en las bornas
del amplificador
\'
1.\
R,
operacional
VH
l'
transductores resistivos
l'
" R2
R ,R2
1\'"
A continuacin sc ha de suponer un valor de tensin de salida (+ V cc o - Vee) y determinar el valor de la tensin de entrada
para la cual el circuito cambia de estado.
ser:
Uno de los grupo~ ms numerosos de transductores son aqullos que proporcionan una resistencia variable en respuesta a una
magnitud fsica. A partir de las variaciones de resistencia se han
de obtener tensiones elctricas dentro de un determinado
margen til para scr tratada~ en rosteriores etapas de tratamiento de
la seal elctrica.
Cualquiera que sea el circuito de medida de resistencias nece
sitar alimentacin elctrica rara obtener una seal de salida. La
magnitud de dicha alimentacin. de la que derende directamen-
ITpPARANlNFO
V
0_'
_R
V - Vx
11R1./?
o.-Rp
v
~__
~2
R4~
Vs
12
'
/R3=RO{1+'1
OR' G
k~.!!.J.~ Rz
R4
Ro
ITP-PARANlNFO
En el caso de que &<k+l, la tensin de salida ser proporcional nicamente a los cambios de resistencia.
Si el puente se alimenta a corriente constante l, la tensin de
salida es entonces de la forma:
V _l.
ko
s2. (k + 1)
A continuacin se determinar
ampl ificadores operacionales.
Ejemplos Resueltos
[TI
Se desea controlar la temperatura ambiente de un invernadero, la cual puede variar entre O Y 50C. Para medir dicha
temperatura se utiliza una resistencia PT I00 montada sobre un
puente de Wheatstone
1.100.
<;:+Vcc
c:::J
c:::J
R~
Zl~
~4
R7
~._
'#RIPT1001
- -
VVl
G>.ovo
R9
c::J .
O-Vcc
.vee
A'c:::J
R3~
c:::J
o +Vcc
o +Vcc
R9
R5
R10
DR8
D>
V1
o Va
O -Vcc
Figura 1.101.
DATOS:
R2=R~=Rs=R7=R9=4K7
Q:
R6=Rx=220
KQ;
Vcc =12V: RPTI(X)(O C)=IOO Q; RPTI(X)(100 C)=138,5 Q;
Z, == LM336 (Vl.l=2.5V: 11.1lln=3oo J..lA; IZ01:,=IO mAJo
VI
SOLUCIN:
__
V
A_
R7 Rx
Rx
Ro = R." . R~ ~
R6
c::J
R5
ve
R.!,
donde Ro es la resistencia
Se determinarn
ahora, con el puente en equilibrio,
res lmites de la resistencia RI.
los valo-
'ZI/I/I/
+ 2 --
+ 2 ---
= 11,04 lilA
R2 + R."
de valores de RI se obtiene de la forma:
-Vcc
R8
es diferencial
R
VI
V()
~.(V\
Rs
'+6,8(V4
Ve)
V (1
RIO).~.(\,
"
V1
Figura 1.102.
= 1.34 mA
Vz
de corrien-
R2 + R,
'Zm",
V~
'RII/I/I/""
'Rlmm""
El intervalo
de la intensidad
c::J
VA o
R7
de la PT I00 a O 0C.
c::J
R2 Ro
R." = -= 100 Q
o +Vcc
es:
V)
RI(X)
o 0,00385
lineal, su
Q I(Q De)
100'Ro
/TP-PARANINFO
Rso = 100(1+0,0038550)
= 119,25 Q
VA - Ve = VZ1'
R4) = 9,778 mV
R4+ Rso
- ---
Si la tensin de salida Vo a 50C ha de ser de 10 V se conocen todos los datos para determinar el valor de Rlo'
Vo
(I+~).
R6 . (VA-Ve) ~ RIO
Rs
R9
Rs
VA-Ve R6
= (~
-1)
R9
= 97989,29Q
R7
. c::J
o+Vee
c::J
O+Vcc
+veeo-~
l:i::
~Ql
-Vcc
21 ~
11 I
lo ,. .
~',' '
C~v=l_~
,U2A
~
V2
VPT
]1
R6
.vee
V~
V-
ovo
c::J
+vec_
G-
-NM-
....02
'ZlIIlX
Pz
~l1Ill.\
= 10 mA
VZ1
-V
21
= 125 KQ
'
Zmx
Puesto que por la entrada no inversora del amplificador operacional a la que est conectada el diodo zener no se deriva
corriente alguna, se tomar un valor de resistencia prximo al
mximo, por ejemplo: R,=33 KQ.
Si la potencia disipada por el sensor no ha de sobrepasar
0,6mW, se ha de cumplir que:
'02.
RpTlOO$.
0,6 mW
U1B.
ee
PpTIOO=
'1
-7
'ZlIIlX
Ra
c::J . c::J
R4
'
= 4166 KQ
'ZlIIn
Ro' (I+ut)
--1
PT100
lVO(V)
R =
- V
21 ~
CC
/0
6 8 KQ
'
100
SOLUCIN:
El amplificador operacional U lA'junto con los componentes
asociados (QI' ZI' RI y Rz) constituyen una fuente de corriente
constante que alimenta al sensor (PT I00) con una intensidad
ITP-PARANINFO
0c.
+2).
V=" (1
R7
(2+2)=~.(V,+V)
2
2
2
AJ al pri-
:J v,,~
v,~( 1 +
o-Vcc
"o'
(1 + a 1I
Sustituyendo:
OVR
Al
(V2 + VI) = 2' ,VR
:\
V" =~.
Al
V"
=2 A2 lo'
+ A2 . lo'
(1 + ex I)
Ro'
Ro' ex
+2 . VII + A2 . lo
= 11/ . (t = - 15C
111
11"
lo)
12
11"(100 e) - 11)-15 0e
100 + 15
= 115
De las anteriores
Rol
11)
Z2
Al
11"=115'
12
(1+15) =
180
liS' 1 +115
[I]
eX[Jresiones se obtiene:
Vt:c
DR'
~i VC(
De la primera
igualdad:
Rl
O C
R2
V2
294.6
Vl
R3
KI
01.
~1
U1A
c:::::J.
VA
220V
01 .
8> - 8>V8
o+Vcc
c:::::J.
R5
c:::::J .
o . Vcc
U1B
RlO
c:::::J
1 ..
01
R8
R9
despejando
AJ:
c:::::J
SOLUCIN:
20.43
A
2
13..+ I
!!i'V"(1
R
R, y R~ ser:
---=!.
Para el correcto
rencial:
~)'-~'VI
Nl
funcionamiento
R
-~.(\,
\'
\
Se ha de cumplir.
R"
como
R(
ampl ificador
di fc-
\',1
R,
'
R7 y Rx ser:
VI
V,
t"'TI}
1:".T,
R
V \ ~.
Rl
del sensor:
(/~'. TI
1:".1',)
R
:.'~' (1',
T,)
RJ
ITP-PARANlNFO
R4
R3
VA = E -'
(tI - (2)
VA
12V
Rs
R9
tl-t2 (OC)
Vcc- VZ1
>
Iz"".",'"
____
48
VA~II1'('I-'i>
0,25
v/De
VA ~ 0,25 . (t
1- (2)
48e
VA~E.R4'('I-'2)
R
VA~I11'('I-'2)
R4
11I
-~-=25
3
! VB
VA
VR(RS+R9)-
R9
/1
R9
ITP-PARANtNFO
31,66KQ
R7
950Q
VR0---c:::J
r-------.,
Vcc'Rs
~ VA" (6
R )
9 ~VA(II0C)~2,75V
2C)~ I 55V
< Cromel
----
L..........
1~IAlOK
R5
R2
la
J__
J
R4
c:::J----C:)-
AD590
Alumel
R3
c:::J
:-0--:
I
c:::J
~.
ir0rl!-:; 'f--c:::::J
V
,
tm
V (R
LI
IZm.,
7 -
V
CC
+Vcc
Vn
V
>
111~ ~~
R7
c:::J
o Va
V1
R6
o -Vcc
DATOS: Termopar tipo K: S=40.8 ..V / 0e: Sensor de temperalUra AD590: K= I ..A/K: R6= I00 KQ: R7= IO KQ:
1= IOOnF:
Amplificadore"
operacionales:
OP04: VI{=IOV: Vcc=12 y.
SOLUCIN:
El termopar genera una ten"in proporcional
a la diferencia de temperatura
entre la unin de medida y la ambiente.
aplicndo"e
,,a a la borna no inversora del amplificador
operacional U I,\'
Si se cumplen
e"tas considcracionc".
I
, S
VI
S'(Tm
'"
7~,)
Puesto que "e desea una tensin que no dependa de la temperatura de la unin fla. la primera etapa amplificadora,
adems
de su funcin propia. ha de ser la encargada de eliminar dicha
dependencia
introduciendo,
mediante el sensor AD590, un
nuevo desequilibrio
igual y de signo contrario a la mencionada
dependencia de la temperatura ambiente.
Analizando
(figura
I,~
R-)
VI
R,
VI'
(U
N-)
S,\,
.+
\11
R"
I
1
Rl
R3
CJ
c:::J
il
-\
101/lV/
-1-0.81-1\'/
'S"
la cxpresin
e
e
2-1-5.\
,\ ,
R,=2-l-0 Ki2.
i3
sc ohtlene
un "i"tcma
dc tres
o +Vcc
R2
AD590
[?>
CJ ..
i2
V,+ o
o Vl
'N\'(*
TO'S'['
o-Vcc
S'(Tm
A,'\
1m
ic
Sustituyendo
en
Ill)
I ~
N
expresada
VR o
1'1
.+
N,
d'",
i...,
AJ'S"
RI
1, ---VI
V 1 ser:
El segundo operacional
inversor. por lo quc:
---
IJ l,
~)R
1.110):
VI'
Vii
11
la tensin
I;~)]
(* ~J]
111
de
De la primera)
la ltima:
en V I el valor de ic y de VI + se obtiene:
T)'(I,RJ.R,)
"
R
R~
N"K'T'R
R
11
Ii
"J
\/Ii
---
de la temperatura
Sustituyendo
() = -.-+-
RI
R2
RJ
36.61 KQ
To'S'AI
de la
ahora cn la primcra:
S'I\I'N]
K'NI'!?,
S( R
N,)
ITP-PARANINFO
[I]
Para medir la temperatura de un horno se utiliza un termopar tipo "K" (cromel-alumel) cuyo gradiente tensin-temperatura a 25C es S=40,44.tV/K. Para la compensacin de la unin
fra se utilizar un transistor (Q) de pequea seal (BC547B)
cuya tensin base emisor se ha ajustado a VF=0,6 V por medio
de Ry El coeficiente de temperatura de la unin base emisor es
cx=-2mVre. Se trata de disear el circuito acondicionador (figura 1.111) de forma que la velocidad de cambio de la tensin de
salida (Ss) sea de J mVrc y V0(0 C)=Ov.
R3
c::J i3
R2
Vs o
i2
R4
~c::J . c::J
VA o
+Vee o
R5
'1
c::J'
:1'
01
R3
'
, ta
tm
<
A'"m,'
110'1' -
Cramel!
! ~:
I
I
i
i
t~
I
I
VR
R4
~I
b
-
~~c::J .
i1
r----~---e:::J---o
,4
o +Vee
R1
o VR
o Ve
O -Vee
'
-! O .-
[;>?+vee
JI
U1
Sustituyendo el valor de V A Y V B:
o Va
R6
o -Vee
-+-
R2
RI
= -~
--~
R2
0,02022
SOLUCIN:
La d.d.p. generada por el termopar depender de la diferencia
de temperatura en el punto de medida y en la unin fra. Por este
motivo es necesario emplear tcnicas de compensacin para que
la tensin de salida dependa nicamente de la temperatura en el
punto de medida. Se emplea, en este caso, el transistor Q,.
Las tensiones proporcionadas por los transductores de temperatura son de la forma:
V~V+a'l
B
F
-T)~-S'(/
a
m -/) a
donde VF es la tensin a la que se ha calibrado la unin baseemisor que, en este caso, es de 0,6Y.
Analizando ahora la etapa amplificadora formada por VI
(figura 1.112):
ITP-PARANINFO
VF - VR)
v ~-S(T
A
V~R'
F
-+
R2
VR
R2
VF
R3
R3
VR
-~o =
R4
V ~ -S'I
o
11I
III/IIIC
R)
ZI
d,,,,
La ra;:ln cntrc R)
R 1 scr:
+Vcc
+Vcc
R~
.\
NI
C?
2U2X
DR5
~r2
( Galga de
compensaclon)
R~
R~
VII
= - V, = - 0.6 V : R, = -
VI<
V
R 2 = R 2 = 336
Rl
+Vcc
[?
o Va
~1
O
VI3
R8 RlO
Rl2
c=J
c=J
R6
o -Vcc
- -
336KQ
1
V2
Zl~l
Rll
c=J
Vec
R9
c=J
VA
KQ
Va
En la figura 1.113 sc mucstra d circuito acondicionador complcto. cn cl quc la tcnsin dc rclcncia sc obticnc a partir dc un
diodo /ener del tipo LM336 y cl corrcspondiclllc divisor resisti\0 con posibilidad
de ajuste. Sc incluyen. adems. condensadorcs cuya misiln cs la dc eliminar posibles ruidos e interferencias.
10V
1OOum m
.
o -Vcc
(Deformacin
unitaria)
R3
~
R5
t
Vr.c o
~:
;-------
,
101
,
A
1 ta
1
Alumcl:
IIll
'-.
Cromel
R4
G>
:
_
o tVcc
:~
Rl
Ul
R6
- -
SOLUCIN:
Pl
-- -
o Va
',
"e. /.
l'
1"--
l'
\'
-Vee
[("
L'
I\':
~
.'..:
(l.OO.j./
1',
Ro'(
1',
No' ( I
: ).
(1
[( . 'l
Ro' (1
[(. 1)
No' ( 1
'.1
l' ( 1
l' )
Puesto que ni U I \ ni U 'B cargan al puellle. ya que la intcnsidad de cOITicntc por \u\ bornas no ill\ersoras cs despreciable.
ste se podr analizar indepcndientemente del rcsto del circuito.
Teniendo en cuenta quc R,=R=R1J" la\ tensiones VI y V2 del
puente sern de la forma:
V/
V
VI
--/_I-'N~
V,
V/1
--'/"I
R,
1',
No No
R~
,.,
V/
NI' (
V/1
'No
'Ro'( 1
l' ). (
lo(
l')
1 1')
R" ( 1
11/1
.\' )
(l
2,.1'
"+'.
-'.' .1
V
/1
ITP-PARAN/NFO
V= __ II(V-V)
u
R9
R .(I+~).V
1Z
v=-~.v+
()
Ro+RI2
Rg
ITP-PARANINFO
-..
~
o
5
\J
>-
..
~
QJ
o
~
e
QJ
~
~
..
QJ
"'C
:.
tU
7. Diferencias fundamentales
operacional ideal y real.
entre un amplificador
/TP-PARANINFO
El diodo d!
el tiristol1 YJ e
lectifr'
Clasificar los diodos, tiristores y CTO:s utilizados en los equipos de potencia en funcin de sus caractersticas funcionales y reas de aplicacin.
. Describir el funcionamiento de dichos dispositivos electrnicos de potencia, sus CClractersticas elctricas y los parmetros ms importantes .
. Explicar los efectos que la frecuencia de trabajo y las condiciones de temperatura ejercen sobre estos dispositivos electrnicos de potencia y las soluciones que se adoptan en
los casos ms generales .
.
Conocer los sistemas de disparo y de corte utilizados para el control de estos elementos
electrnicos de potencia .
Clasificar por su funcin los distintos circuitos electrnicos que se emplean en aplicaciones de potencia (rectificado res, convertidores CAlCC), indicando las caractersticas
de cada uno de ellos.
2.1. Introduccin
La electrnica de potencia incorpora dispositivos capaces de
sopol1ar tensiones de trabajo del orden de KV. De esta forma se
consigue que los elementos electrnicos de potencia posean una
gran capacidad de maniobra con potencias del orden de MYA.
Tres son los dispositivos que forman la base de la electrnica
de potencia:
Diodo de potencia.
Tiristor.
G.T.O.
Entre las aplicaciones ms importantes de estos tipos de dispositivos, sin duda alguna, se encuentra la rectificacin monofsica y trifsica. tanto controlada como no controlada.
donde:
F/cm).
EBD: es el campo elctrico que produce la ruptura
(2 105 V/cm).
[J........ [J []
wd
... .
p+
10~lm
p+
n+
NO",10'~cmJ
o
8)
CATODO
".
'.-
.'
n-
P"-:
n+
. : : . : .n., :
..
bl
"
..-
",
D
.. .
n.
v'
N... 101~cm)
Dellende delllollajfl
de ruplUla BVIII)
250pm
: : '.
(Al
'j
(K)
b)
2.2.2.1. Criterio 1
Cuando toda la regin de carga espacial est restringida a la
zona n' (figura 2.2.a). En este caso Old;::;Oln cuando Y=BY BD' La
anchura de dicha regin ser:
ITpPARANINFO
W"
2 BVBO
EBO
- 10-5. BVBO
2.2.2.2. Criterio 2
La regin de carga espacial no se restringe a la capa n- sino
que pasa tambin a la zona n+ (figura 2.2.b).
FI ON)
=_I'/"=f'/'f
7~
"
/2
FlHMS)=T'
j'
/2
F",,=S'
/2
F'f"
donde:
"
E1"D'W(I-
w;;
- E
7.
}JD
= W
p+
ON
i(t)
RON'
I
n-
J!!L
dt
I
I
I
I
--l- -'
I
Irr
- t3 -r" t4trr. t5 _
.-
/F
F(RMS)
224
.x.
+/2
V)
}JD
V wd + Vj ~ Vj +
1-(A
=--
Este criterio se aplica para diodos '"p-i-n" (capa "p", insulator, capa "n").
=V/ON
BVBD
- E
V ON
COI/ti
-VR
,-
n+
ITP-PARANINFO
2.2.5.1. Diodos
2.2.4.2.
Transitorio ON -1 Off
{
"
rr
~ _.{
2
De aqu se obtiene:
rr
I
'1 + _.{
~~
rr
dI
rr
1,.,.
'4
rr
'1
=_.{
rr
'1
{
rr
Diodos Schottky
oA
.
rr
oK
se tiene:
~ 2'Q
n+
rr
'Q
15 ~ 14 .
\2.2.5.3.
1 rr
Si se hace que
diR
n'
de recuperacin rpida
--
dI
Los diodos de uso general poseen un tiempo inverso de recuperacin relativamente alto, tpicamente 25 /lsegundos. Se utilizan en aplicaciones de baja velocidad de conmutacin, en las
que el tiempo de recuperacin no es crtico; por ejemplo, en rectificadores y convel1idores para baja frecuencia de entrada
(hasta 1 KHz). Las especificaciones de coniente de estos diodos
van desde unos pocos hasta miles de amperios. En cuanto a las
de tensin van desde 50Y hasta 5KY aproximadamente.
2.2.5.2. Diodos
de uso general
diR
dI
ITpPARANINFO
sin de conduccin (Y ON)' en un diodo Schottky es, prcticamente, la mitad de la de un diodo de silicio convencional.
Al no existir portadores m~noritarios, los tiempos de conmutacin son mejores, ya que no hay que elimjnar exceso de acumulacin de portadores.
En lo que se refiere a sus especificaciones de corriente, varan
entre 1 y 300A, por lo que resultan ideales para fuentes de alimentacin de alta corriente y bajo voltaje.
2.3. El tiristor
Es el elemento que ms potencia es capaz de controlar, ya que
puede trabajar con intensidades de corriente de hasta 3.000 A Y
tensiones inversas de hasta 5.000 Y, pero su capacidad de respuesta est bastante limada.
Entre sus aplicaciones se pueden destacar la de rectificacin,
interrupcin de corriente elctrica, regulacin, etc.
~r
J3
CTOOO(K)
vAK
n+
1017
cm-3
J2
1013_5xl014em-3
J1
lO17em-3
T""
__
30-100
50- lOOO).lm
30-50
pm
11m
/'
cm"3
lO19
a)
NODO(AI
bl
Estado de conduccin
directo
IH
IBO
IL
/
ITP-PARANlNFO
de conduccin (ON)
Para realizar este estudio se utilizar el circuito equivalente
del tiristor mediante transistores (figura 2.8.b). Estos transistores
estn conectados de forma que se obtiene una realimentacin
positiva.
iG4>iG3>iG2>iGl
,VRWM
~ vAK
iA
p2
J3
(n-)
n2
Go
Diodo pln2
Jl
TDiodo
(n+ )
nl
I
ICl I
pl
182
Diodo p2n2
J2
iG
Ql(Bl)
plnl
al
'
.~
i~,~~
J.'.
Q2(B21
'\
IC2
~o
I IEl
IK.
K
"f
IE2
b)
.
l=C--
dr
Cuando esta cOITiente de carga es suficientemente elevada, provocar el cebado del tiristor.
La temperatura: La corriente de fugas de un transistor de
silicio aumenta con la temperatura (aproximadamente al
doble cada 10C). Si esta corriente alcanza un valor suficiente se produce el disparo del tilistor.
El efecto transistor: Se trata de la fonna clsica de gobernar un tiristor. En la puerta del tiristor (base del transistor
equivalente) se inyectan pOltadores suplementarios que
provocan el fenmeno de cebado.
d VAK
'H
ITP-PARANINFO
rn _
E~
'ro CJ
E _lL
2,5
'x ::2: 2
1,5
<D ro
_t
e <D
Q)
::o
o:: n.
Impulso de puerta
Q)
1
0,5
0"0
~-
0,5
1,5
TenSIn directa
2,5
!
3
mXima
3,5
en puerta
4,5
VFGM(V)
iA(t)
JiG(t)
t
A(t)
j2jJ-
diF"
o df
t~_~l~-_- __~!!:-~
o
vAK(t) :
i-tp~.
,
,,
'
--L
a)
de la corriente (di/dt)
Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una
parte central, prxima a la puerta. Si el circuito exterior impone,
durante esta fase, un crecimiento rpido de la intensidad, la densidad de corriente en esta zona de cebado puede alcanzar un
valor importante. Al mismo tiempo, el descenso de la cada de
tensin en el tiristor durante la conmutacin OFF~ON no se
produce de forma instantnea. Habr, por tanto, momentos en
los que se presenten, simultneamente, valores elevados de tensin y de corriente. La potencia instantnea puede alcanzar as
valores muy altos (figura 2.II.a), de fonna que la energa disipada podra dar lugar a un calentamiento considerable que, de
alcanzar el lmite trmico crtico, dara lugar a la destruccin del
elemento por dildt.
En la prctica, se coloca en serie con el tiristor una inductancia (Ls) que tiene por misin proteger al dispositivo de dicha
excesiva velocidad de crecimiento de la corriente. Adems, en
paralelo con Ls se coloca un diodo (Os) y una resistencia (Rs)
para evitar problemas en la transicin ON~OFF (figura 2.11.b).
Tensin
>- 2.3.8.
Caractersticas de puerta
Potencia disipada
ITP-PARANlNFO
a)
b)
Generalmente, en los circuitos de disparo de tiristores, se suelen utilizar dos tipos de aislamiento galvnico: mediante transformador de impulsos y mediante optoacopuJ.ores.
de la tensin (dv/dt)
Una velocidad excesiva de crecimiento de la tensin aplicada entre nodo y ctodo amenaza con provocar el cebado del
tiristor bloqueado, en ausencia de seal de puerta. Este fenmeno se debe a la capacidad interna del tiristor en la que la cOITiente de carga puede ser lo suficientemente grande (si la velocidad
de crecimiento de la tensin es elevada) como para lograr el
cebado del elemento.
Por una parte, la dv/dt admisible disminuye con la temperatura, mientras que por otra la dv/dt que sopOlta un tlistor depende de la tensin final de nodo. As, por ejemplo, un tiristor que
no admita ms que 50V/.ts, para una tensin final de 500V
admitir I00 V/.ts cuando la tensin final sea de 300V (figura
2.12.a).
Para mejorar la relacin dv/dt se puede colocar una resistencia en paralelo con la puerta, o bien, poner una resistencia Rs
que limitar la intensidad de pico (figura 2.12.b):
(v)
Vee
!e;(ON)
~--
Re;
Cebado
500
300
200
100
b)
a)
Transformador
de impulsos
G
,
VGG=15V
. .
D2.
~
D1
RG
Pulso de control
t
R1
c::::J
t~
t-
A veces, en determinadas aplicaciones, se necesita un elemento de gran potencia en el que la transicin a estado OFF se
pueda realizar controladamente, lo cual no es posible mediante
el tiristor convencional, pero s mediante los denominados tiristores de puerta turn-off (GTO), cuyo smbolo se especifica en la
figura 2.14 (a).
ITP-PARANINFO
CTODO
A
lA
(K)
PUERTA (G)
-o
I l'
I
,
J3
Analizando:
/
n+
p
_ :AK
'S/='C2-'e=a2"A-'e
n+
'C2
'el ='S2=
J2
=(I-a2)"A
~2
J1
p+
al
~,=-I - a,
O K
a)
NODO
(A)
a,
----
a,
a2
iA
vAK
Sin corriente
continua
de nodo
simtrico
Con corrien
te continua
de nodo
asimtrico
2.4.3. Caractersticas de
conmutacin
El estudio de este apartado se realizar sobre un posible circuito de disparo de puerta que incluye, adems, un sistema de
proteccin contra sobrecorrientes y sobretensiones del GTO,
similar al utilizado con los tiristores (figura 2.17).
-VGG-+1SV
IE2
182
-CGG+
Q2(~2)
le1
,IG2
OPTOACOPLADOR
.
oG
Q1(~1)
IG'
~T
-,OVGG
1
TCGG-
IK
-VGG=-15V
' K
ITpPARANINFO
iG
tw1
iG
C"
IGF>IGT
IGM
o,
~t
~~~
!'L-
o~--~---;---
iA
.L-~=::===~_ ~
~t
dV
o
vGK
dV
dt<(jt
~t
max
~
tw2
:'00-'
a)
2.5. Rectificacin
Un rectificador se trata de un subsistema electrnico cuya
misin es la de convertir la tensin alterna de entrada, cuyo valor
medio es nulo, en otra tensin unidireccional, de valor medio no
nulo.
Entre los diferentes rectificadores que se tratarn en este
apartado se encuentran:
e . dV
s dt
id
---;:
Ser necesario, por tanto, dimensionar el condensador Cs de
forma que cumpla la condicin:
'o
dVAK
dt
is
..
V<9
Ls
carga
Ls
JYY"'.
+ vL
01 ..03
I
vd
-Cd
.04*02 _ T
a)
mx
carga
b)
ITP-PARANINFO
En el supuesto de carga inductiva y suponiendo que la intensidad "id" fuese fuertemente discontinua; es decir, en un semiciclo sta debe pasar por cero aotes de que finalice el mismo, el
modelo equivalente del rectificador sera el mostrado en la figura 2.19 (b), donde "Ls" representa la impedancia de la red y el
diodo indica que slo puede circular intensidad de corriente "id"
en un sentido. Dicho esto, las hiptesis de simplificacin del
modelo a estudiar son las siguientes:
Condensador Cd de gran capacidad, lo cual implica que el
rizado a la salida ser prcticamente nulo: vd (t)= Vd'
Intensidad fuertemente discontinua.
En rgimen permanente el valor medio de id ser prcticamente igual al valor medio de iL: Id=IL.
Las diferentes formas de onda en el circuito sern las representadas en la figura 2.20.
el
Ls'ld=
Lsid(wt)
d(wt)
el>
vs
donde:
al
o,
wt
A=rea B
vd" Vd
.J2Vs
lfll
15
Is PF
b)
ISI
wt
8,
e)
wt
'P,
Para conseguir trabajar con factores de potencia elevados,
que es el objetivo a buscar, ser necesario trabajar con ngulos
de desfase (<PI) pequeos y, al mismo tiempo, poca distorsin de
red.
IVs(t)I={f'Vs'senwlj
M..
v2 Vs senwI-Vd
v s( 8 b) 1 - Vd
sen8b=
--Vs
Vd
12
'JV
d
8 b = are sen ----,,-
V,.{i
\:j
0,;81,;-
TI
En el intervalo O$wt$7t, teniendo en cuenta que "ict"es prcticamente nula hasta Wt=Sb y a partir de M=Sr, se cumplen las
ecuaclOnes:
L
'1""
s 'sen
wl-
, 2
v =-f2V
;d
~_a.
ci1
Ls
bVLL
o~o
LB
3i'
vd
Ls
l.
~~_'_+_~
~
Icarg,!
r---'~
.
I
Cd-
-Vd
__
2_~
Vd
En el circuito se puede observar que los diodos estn numerados en el mismo orden que van entrando en conduccin; es
decir, cada uno de ellos conduce durante 1200.De este modo, los
ITP-PARANINFO
Ad=
*VLLCOSJ/'cl(.)l)=...J2,VLL
n/6
Se obtiene entonces:
= _'
A/
f2
= _V_L.
rel3
re
~ I 35 V
LL'
LL
=---
)./
d(mn)
donde:
totalmente controlada
Este tipo de convertidores (figura 2.23) se utiliza en aplicaciones industriales de muy altas potencias (hasta 800KVA) en
las que se requiere de una operacin en dos cuadrantes (rectificador o inversor); por ejemplo, para el control de motores de
corriente continua en los que la tensin de alimentacin debe ser
controlable.
id
P
o
.. 1
ll
O
I
'\
I
(P O~ "-
6
vNn
I
I
I
I
I
I
I
I
: vd
I
I
I
I
vab I vae
a)
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
1600 I
:-=-=::
vbe
I
I
I
I
vba
I
I
I
I
vea
I
I
I
I
I
I
I
I
Ld
... 5
fV'Y"\
Ls
VLL
vd
fV'Y"\
Ls
0<;
5,6 ,1.6,1 .:.1,2 ,1.2,3 ,:.3,4 ,l. 4,5 ,:. 5,6.1.6,2 ,:.1,2
I
I
I
I
a
o
~3
fV'Y"\
I
I
I
I
fV'Y"\
Ls
....6
~4
.. 2
o
N
vebl vab
I
I
I
I
I
I
I
(circuito
abierto)
vd=Vd
lt
b)
vd
Vd
lt
e)
Vd
ll
ex =
I 80
V
(''''l/rol
V....
, (lIIx)
/TP-PARANlNFO
Entonces:
VGI1,2)
o
VGI3,4)
VGI5,G)
Aa
{l'
= [-{l'
VLLsen wt d(wt)
VLLeos wt]
al
V(sincronismo)
3 ..l V
= __
da
3.
3..[2
VGI1,2~
VG(3,4)
Vda=--VLL'COS
V{controll
-1
~n
o ___
wt)
(1- cos a)
_
TI
a~ 1,35'VLL'cos
TI
-1
L____
j-
-J------
LL .
Jl
..l. V
LL
TI
VsI
Vst(mx)
b)
VLL(l-eos
=[2.
VG(5,Gi
-IL
2.5.3.1.
Considerando Ls=O
En el intervalo 90 0<a:S;1800, la tensin Yda< O Y el circuito funciona en modo inversor, es decir, la potencia
fluye desde el lado de continua alIado de alterna ya que la
tensin Yda en este caso es negativa. Para que el sistema
trabaje en este modo es necesaria una fuente de energa en
el lado de continua (por ejemplo una dnamo) para que sea
posible dicho flujo de energa.
Pn
-v
V
da
Nn'
=v __ A
do
TI /
a_
2.5.3.2.
wt =o
Aa
a)
Considerando Ls=F O
wt
T1
vNn
al
bl
Vd=1,35VLL
001
eos a
wt
oot=3
b) O
lt
JlL..~
Por otra parte, Aa (figura 2.25) ser el rea limitada por las
curvas va" y Ve" en el intervalo O:S;wt:S;a.
Se ha de tener en cuenta que:
V
all
ITP-PARANINFO
ell
= V
ae
,(2.
VLL
sen wt
el
__ ld
iC~=i1
a+u
lt
Se obtiene as:
2wL
\'
.:::
}Jfj
\'
(1"
i)a
a'u
VIL'
sen wl d(wt) ~
a.
di
S
=
11
2wL,{,
cos(a+u)~cosa-
. ,
.....
"2- VLL
v,cd(WI)=L,.wdi"
4'
w L,.dia
De aqu se obtiene:
u
v LS dl~L
"
I2.
()
LS
di
vLS~L,._1IdI
'/1)
"
f ...[2.
11
a.
ll
s di
2w
L .{ ]
s d - a
{i. VII.
n'u
It
'fL"
wdi
(1 )-i
~wL.[i
aSada
(O)J~wL
.{
Sd
Finalmente, en la figura 2.27 se muestra el intervalo de operacin del sistema. Se observa que CULlI1do
se trabaja con valores muy pequeos de Id' la intensidad "id" puede lIeg31'a hacerse discontinua. El valor de IdB depende de la inductancia Ld y
es el lmite de intensidad por debajo del cual "i/ se hace discontinua.
()
da."
da.
fflLL
V _-'_'
da. n/3
A
3J2 V cos
n
LL
~-_.
Id 3Ls
~Oo
CJJ
1,35VLL cosa
id Discontinua
Se deduce que la inductancia Ls hace que la tensin de salida (Vd) disminuya y, por tanto, se puede asegurar que la tensin
de salida depende de la intensidad de coniente de salida (Id)'
1
id Continua
~Id
IdB
di
di
_II+_C=O
dI
= constante,
di
II
dI
dI
se obtiene:
dI
(c)=L
LS
di
,_11
dI
di
L ._c=2.L
s dI
di
._a
s dI
3 .-{2. VLL
(1 +cos a)
2n
o
ITP-PARANlNFO
Resolviendo por mtodos iterativos se obtiene Sr=2,56 radianes, cumplindose la condicin rcl2<Sr<re y verificndose la
condicin inicial de una intensidad fuertemente discontinua.
Resueltos
-----Ejemplos
...._....:'
[!]
id
id(O)dO=8,84A
eb
5%.
icarga
r(%)
LlV
d
--100<5
s-V
Ll V < __
Vd
Ivsl
d =
7,5 V
100
Cd
vd
Vd
_IL=id
a)
81
82\11:
VL>O
-{2vs
211:
9,
Vd
rot
3n
rot
r2
b)
LlVd=~(id-ld)dt=
d
t,
w-Ic
'[id(O)-ld]-dO
d
e,
-{l- Vs-sen 8b = Vd )
re
Sb ~ 2
iiO)
= -
Mediante mtodos iterativos y partiendo de Sb para determinar S) y de Sr para determinar S2' se obtiene:
O) = 1,41 rad = 80,78
{ O2= 2,49 rad = 142,66 o
0
(SI):
8/>2
ITP-PARANINFO
e/=
Resolviendo la integral:
Ll V = 17,25 <75
d
w.C'
Cd>
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
ITP-PARANINFO
.~
\' ~
(
uJJ ~rJY!JJ
.,. Clasificar los dispositivos electrnicos utilizados en los equipos de potencia en funcin de sus caractersticas funcionales y reas de aplicacin.
Describir el funcionamiento de los dispositivos electrnicos de potencia, sus caractersticas elctricas y los parmetros fundamentales que los caracterizan.
Explicar los efectos que la frecuencia de trabajo y las condiciones de temperatura
ejercen sobre los dispositivos electrnicos de potencia y las soluciones que se adoptan en los casos ms generales.
Conocer los sistemas de disparo y de corte utilizados para el funcionamiento
distintos elementos electrnicos de potencia .
de los
.,. Comparar y valorar este tipo de transistores con otros posibles elementos de potencia a utilizar en funcin de la aplicacin a realizar.
Clasificar por su funcin los distintos circuitos electrnicos que se emplean en aplicaciones de potencia, indicando el tipo de transformacin energtica que producen y
las caractersticas de cada uno de ellos.
En varios casos prcticos de anlisis funcional de circuitos y sistemas electrnicos de
potencia:
Identificar los componentes activos y pasivos del circuito relacionando los elementos reales con los mbolos que aparecen en los esquemas.
Conocer el princ pio de funcionamiento
transistores MOSF(ET, IGBT y BiT
y caractersticas fundamentales
de los
Calcular las magnitudes bsicas del circuito, contrastndolas con los valores reales obtenidos midiendo en el circuito, explicando y justificando dicha relacin.
Identificar la variacin en los parmetros caractersticos del circuito (forma de
onda, tensiones) realizando modificaciones en los componentes del mismo, explicando la relacin entre los efectos detectados y las causas que los producen.
Reconocer los parmetros fundamentales y necesarios de los transistores de potencia
mediante la utilizacin de los manuales de caractersticas tcnicas .
Describir con precisin y claridad, el funcionamiento de los circuitos convertidores e
inversores explicandp las caractersticas, tipo y formas de onda de las seales y el
tratamiento de las mismas a lo largo del circuito.
Alta impedancia de entrada (50-100 MQ) lo cual facilita el control de cargas de gran potencia con niveles de
tensin relativamente bajos (de lOa 15V).
3.1. Introduccin
Son dispositivos capaces de accionar cargas de distinta
ndole como puede ser el control electrnico de mquinas
elctricas (motores de CA, motores de CC, motores paso a
paso), convertidores (CA-CA, CC-CC, CA-CC, CC-CA), sistemas de alimentacin inintemlmpida (S.A.I.), sistemas de
iluminacin de alta frecuencia, con'eccin del factor de potencia, etc. Las excepcionales caractersticas de estos transistores, les sitan en una posicin muy ventajosa frente a los
GTO'S y a los tirislores, lo cual hace que se utilicen en aplicaciones relacionadas con la electrnica de potencia de hasta
800 KVA.
Entre las caractersliciJ.s ms relevantes de los MOSFET e
IGBT'S con respecto a los transitores bipolares (BJT) se pueden destacar las siguientes:
Resultan ms simples de excitar que los transistores
bipolares al no requerir corrientes de entrada tan elevadas, ya que se tratan de dispositivos controlados por tensin. mientras que los bipolares se controlan por
corriente (de base), lo cual implicara utilizar corrientes
de entrada muy elevadas para controlar semejantes
potencias de carga.
Alta velocidad de respuesta, lo que supone una gran
ventaja al trabajar en conmutacin tal y como lo hacen
en la mayora de las aplicaciones. Sus tiempos de conmutaciqn permanecen constantes con la temperatura,
hecho que no ocurre as con los bipolares. De ah que en
estos ltimos los tiempos de conmutacin sean mayores.
La tabla 3.1 muestra de forma orientativa los distintos
valores (mximos) de funcionamiento de los dispositivos de
potencia ms utilizados hoy en da.
Tenei6n
Intensidad
(A)
Margen d.
Frecuencia (HzI
TRSTOR
5000
fS;200Hz
G1'O
3000
200Hzs;fs;1 KHz
8JT
1000
1KHzs;fs;10KHz
MOSFET
1000
100KHzS;fS;1 MHz
lOIn'
11 KHzS;fS;75KHz
MCT
1KHzs;fs;20KHz
00
1:',
CANAL
o
o
iD
VALOR
OMHMICO
_
VGSVT=VOS
. VGS5
ZONA
VGS5>VGS(..
ACTIVA
etc
iD
VGS4
J I
VGS3
AlTUAl
CORTE
VGS2
VGSl
lINEAlIZAOA
VGS<VT
-VDS
BVoss
-%S
VT
ITP-PARANINFO
al
Puerta de
metal
Aislador
G
VGS.::;.VT=4V
S
N
Souree
P
N
8+8+ 8
Drain
8+ 8+
8+ 8+ 8+ 8+
-10 A VDS=20V
Substrato
++++++;++++++++
Canal N
S
b)
--------------
iD
Vr
-<
G
VGS=12V
I vosl> I Ves
iD
10
Si la VDSsiguiera aumentando, la corriente "iD" ya no crecera ms debido a que se ha estrechado el canal y se mantendr constante. El transistor se encuentra en la zona activa
(tambin llamada de saturacin por la saturacin del dispositivo). En esta zona la intensidad de corriente "iD" es independiente de VDS(figura 3.2.e) y se debe cumplir:
DA
VDS=OV
e)
,[
++++++++++++++
VGS=12V
lO
S
N
------------==l-e=~
-- 8--
iD
5mA VDS=2V
VDS __
=2K
V~]
-g",'(
Ves- Vr)
VGS=12V
S
d)
D
N
20mA VDS=8V
donde RDS(ON)=f(VGS)'
En esta regin, el transistor se comporta como una resistencia dependiente de VGS' de forma que si VGS aumenta la
resistencia Ros (O ) disminuye.
G
VGS=12V
e)
D
N
N
20,5mA VDS=30V
ITP-PARANINFO
V(;s>
Vr
{ VfJs>
Veis
Para
VI?
que
O
que
est
en zona
de saturacin
de canJI
2L
VGGl
siendo:
-1111-'-
--1
al
Si02
Limite capa
de deplexin
VGG2
$i02
Puerta conductora
(Gate)
VGG3
e)
Body-source
short
Si02
~o_~_e_~_~_l
__~_~_~ __~_~ __~_~ __~:-p(bodyl
~ 1
Parsito
BJT
l' J
iD
n
(regin driftl
-~---Capa
de inversin
con electrones libres
p(bodyl
Canal(Gatel
VGG3>VGG2>VGG1
Diodo
Integral
VDS>
dI
V LJEjwrtbi/o
(ON)
R(;'C~s
Cgd
Cgd
G
Cg'
- cP
r
Cgd
,D-I(VGSI
Cg,
RDS(ool
Cgdl
VGS=VOS
al
b)
vos
200V
e)
ITP-PARANlNFO
t2=RG(Cgd2+Cgs)
t2=RG(Cgdl
+Cgs)
VGS(th)
VGS(t)
VGS(lo)
- t
iG(t)
Ltd(Off)
!---------_--V'OS(t)
--J7~~
l ,
~
trvl
__
trv2
te
tfi
,Vd
- t
----~--
3.2.5. Lmites
de funcionamiento.
,
Area de operacin segura
En un transistor MOSFET existen tensiones que nunca deben
superarse:
VGG
tl =RG(Cgdl +C9S)
t2=RG(Cgd2+Cgs)
VGS(lo)
VGS(th)
:
: Carga de Cgs+Cgd
,
I
;-~~
I
-:
-+VDS(tl
,,
,
:
tfv2
+Vd
:
:
, VOS(on)
lo
OV
td(on)
"Carga de Cgd
:
f--
tfvl
tc---~
BV DSS: Mxima tensin permitida entre drenador y fuente. Este valor depende del grado de dopado de la regin
(n-), sin olvidar que un aumento de BY oss produce otro
aumento de resistencia Ros y, por tanto, una disminucin
de la corriente de drenador mxima permitida. Cuando el
transistor trabaja en conmutacin se debe tener sumo cuidado en no sobrepasar este valor debido a los picos de tensin que se producen, sobre todo si se trabaja con cargas
inductivas.
Tal y como se observa en la figura 3.8, el rea de operacin
segura (S.OA.R.) est limitada por tres factores:
iD (mx) (a 150C).
BV DSS : Tensin de ruptura Yos'
~mx:
Mxima temperatura de la unin.
En dicha regin se pueden apreciar los elevados valores de
corriente de pico as como los tiempos para los que la potencia
generada por un impulso puede ser tolerada de forma segura por
el dispositivo, sin peligro de destruccin .
log(iO)
iO(max)
ITP-PARANINFO
10.5 seg
10.4 seg
10-3 seg
OC
BVoss
10g(Vosl
donde:
10
10-'
(ON)
10-2
o.L,
103
__(1
(T)
----~RDS(Tc=25C)
+~)~
10-4
10-6
25"C
100
10-5
10-4
10-3
10-2
10-'
100
lO'
donde:
PON
+ P OFF + P
sw
Temperatura
ambiente
(Ta)
Potencia
perdida
Ta
De manera aproximada, las prdidas en bloqueo y en conmutacin se pueden estimar entre un 15 y un 20 % de las prdidas en conduccin, sobre todo cuando se trabaje en conmutacin
no as en choppeado.
Para una seal de disparo YGSde frecuencia "j" (vase figura 3.9), se tiene:
PON
= P DM'
PDM
"0l1lX
i,5'
T
D=
~DS
C -
i.
(Tj:")
P DM
RDs
Z{/(JC)
(ON)
iD'
VDS(ON)
(Tjlll,)
ITP-PARANlNFO
RlIcs
RlIsa
~(",axr"
RlIjc
RlIcs
iD (Tc=25C)
Grfica de la impedancia trmica en funcin del impulso
de disparo.
Variacin en tanto por ciento de iDI
(Ver figura 3.11).
RDS(ON)
3~
Por Unidad
21_
IMOSFET
100V
VGS=10V
I
~_.
-+
iDM
Resistencia
~~
..
r.e:::w
"0';0"
.--+-
"----
""'t.-
1
1-'
]'.
M;'SFj VGS-lOVI
100V
_......L
20
40
Corriente
60
nominal
_ ..
80
iD @ Te = 25C
100
%iDM
Orenador
Puerta o
. I
iD (Rcanal)
Puerta
O
Resistencia
regin OriW
L __
1
. l
v'.,
MOSFET
1400V
VGS=20V
I
O
--
I
r-----
simultneamente, consiguiendo as el control de grandes potencias (IMVA) con tensiones de puerta relativamente bajas (de 12
a 15V) y grandes frecuencias de conmutacin (hasta 75 Khz).
Surtidor
a)
O
(Fuente)
Surtidor
(Fuente)
b)
0(,
Se reduce la RDS(ON)'Por una parte al aumentar la temperatura la resistencia tambin aumenta y, por tanto, la
corriente dismjnuye y se restablece el equilibrio; por otra,
al estar conectados en paralelo, la resistencia se queda
reducida a la mitad y la corriente a controlar aumenta.
Se reduce la inductancia LDS (del orden de nH).
Aumenta la iD'
Mejora el comportamiento trmico.
Debido al encapsulado que presenta el drenador y la fuente,
se origina una "inductancia parsita" que, en ocasiones, genera sobrepicos de tensin que pueden limitar la velocidad de
conmutacin.
ITpPARANINFO
nos por los que circulan los huecos en la regin drain drift. Ello
se debe a que algunos huecos procedentes de la capa p+(drenadar) no se recombinan y van hacia la fuente, originndose as la
IBIPOLAR.
Si esta corriente es suficientemente grande, el tiristor
parsito puede dispararse y entrar en conduccin (cortocircuito
entre fuente y drenador). Existe, por tanto, una componente de
corriente que circula lateralmente a travs de la regin body que
origina una tensin lateral y que cae en la resistencia hmica de
esta capa. El valor de dicha corriente es aproximadamente igual
a: IBIPOLAR
= K- iD'
Si esta tensin es suficiente, se origina una inyeccin de electrones desde source a body que puede ser capaz de activar los
transistores parsitos npn y el pnp; se dice entonces que el transistor ha entrado en IATCHUP. Una vez que el transistor entra
en IATCHUP ya no se puede controlar la intensidad con el circuito de puerta y la nica forma de salir de esta situacin es cortando la corriente. Una forma de evitar este problema es haciendo lento el Turn-OFF, para lo cual ser necesario colocar la
adecuada resistencia de descarga en el circuito de puerta. La
condicin para evitar que el tiristor parsito entre en conduccin
consiste en cumplir la condicin:
Puerta
Si02
Regin
Body
l D
ON .
------,
Donde
RLATERAL
RLATERAL
J2
n-
Jl
n+
Capa Buffer
p+
Capa de inyeccin
..J~!
VGS4
iD.
VGS3
Drenador
VGS2
Puerta
II~
VGSl
VGS4>VGS3>
VGS2>
VGS 1
- VDS
VGS
VGS(lh)
BVDSS
El El El El
p+
Drenador
Puerta
Orenador
En la figura 3.15 se observan las caractersticas de conmutacin, tanto para el Turn-ON como para el Turn-OFF. Quiz
una de las diferencias fundamentales es que para asegurar el
Turn-OFF se aplica un nivel de tensin negativo en la puerta y
que por lo que respecta a la corriente "iD" sta tiene durante el
Turn-OFF dos intervalos distintos:
El intervalo til que corresponde
MOSFET.
al Turn-OFF
de un
ITP-PARANINFO
variacin de tensin (L1VDS)es mayor en ellGBT que en el MOSFET. Por lo que respecta al transitorio ON40FF existe un tramo
de iD (tfi2)que en el MOSFET no existe. En este tramo tenemos
una tensin elevada, por lo que a pesar de que iD ya no es muy
alta, las prdidas son considerables. El tramo de cada rpida de la
intensidad iD(tr,1) corresponde a IMOSFET
que decae rpidamente,
mientras que el otro tramo (tr,;>corresponde a IBIPOLAR' Este es el
motivo por el cual el tiempo de conmutacin del IGBT es casi tan
alto como el de un BIPOLAR(ON-OFF)
TURNO "ON"
VGS(t)
O+Vd
Rl
iDlt)
Entrada
R2
BDX53)
10K
R3
nlK
lf
10K
OP07
01
~m
I'!
RG
BDX54
~N4~~8
11
1
1 8>1'-' .
,-------
VGG+
lo
+Vcc=+12V
~'
RL
f
MOSFET
Cl TloonF
.J.'
VDS(t)
VDS(on)
TURNO "OFF"
VGS(t)
o
VGG-
iDlt)
I
I
I
tdloff)
I
I
I
Corriente
-f.--i-I
I
Corriente
I
I
',
VDSlt)
I
I
trv
I
I
.,
Itfi1
o +Vcc=+12V
MOSFET
BJT
I
I
.,
I
8
t--
I
I
I
+Vd
Entrada
O
RG
Ul
555
-c::J
lO
I~
I
+Vd
RL
MOSFET
.L
Cl
ITP-PARANlNFO
10nF
C2
100nF
o+Vd
o+Vl=+12V
2 ~_~~~:6
o
Entrada
~~
1,"".
3 ,
o
1
,
~..I..
1,40106
Al ,
R2
330n
RG'.
.~
..
~
I
I MOSFET
I :5
OV
iT
Entrada
~....
Al
Dl0K
R2
OSK
.
R4
r..
02400
A5
BC337
~
O:G
03
BC327
IGBI~-
c::J
_...:
01
BC547
12
BDXS3
1. 02
R3 024ll.
L--------------15~j
-Vl=-15V
f-----------------l
o +Vd
6N136
OV,
+Vl=+15V
el
-100nF
OI
1 ~I
1,6--L~J'
1O;__ ~1_1
1212
t~
av
O-
os..:l.-BDX54 7"
RL
,- ( -----
R3+R4+Rs
VI
VCI(mx)~
R3+R4+Rs
'(R3+R)~14V
.
--- ------- ~,
,,
,,
,,
,,
,,
,,
,
o
+Vd=24V
R2
~33K
RS ~2011
DI
lN400~
Rl
VIOA+I
c::J
KOl
Be547
VlOA+1 !
LJ~
V(OA-I~
o
OV
..
1
13V
Cl
I
D2 ..A...lOpF
lN4007
- ,.
VGlOA)
..A...DA+D~oOll
OA~
.
I
22nF
OA+
lK2
c::J
02
~Zl
Al BDSS3
33K
.Lc
R4
R3 loan
SALIDA
CARGA
.Lc
-
22nF
"DA~
~OOll
ITP-PARANlNFO
quea la tensin (positiva) VGSIya que sino ZI entrara en conduccin. DI impide que CI se descargue por RsEn el supuesto de que la carga fuese de tipo inductivo, pueden aparecer picos de tensin negativos en la puerta debido a la
conmutacin de los transistores MOSFET. En este caso ZI se
encargar de limitar dichos picos negativos para no sobrepasar
la mxima tensin negativa de puerta.
Una de las ventajas de este circuito es que no necesita aislamiento de la seal de puerta. Las redes "snubber" que se
colocan en paralelo con el elemento de potencia (C=22nF y
R= I00 Q) tienen el objetivo de evitar problemas de sobretensiones (dV/dt) debidas a las inductancias parsitas y a los
bajos tiempos de conmutacin.
Tambin se puede emplear, en lugar de un elemento ptico
(optoacoplador), un transformador de impulsos como aislamiento elctrico para los circuitos de excitacin (driver). En este
caso no es necesario utilizar una fuente de tensin aislada tal y
como suceda en los casos anteriores.
Los transformadores de impulsos poseen un bobinado primario y uno o dos secundarios. Cuando poseen dos secundarios
permiten obtener seales de disparo para excitar transistores
conectados en serie o paralelo. Estos transformadores, generalmente, deben tener una inductancia de fugas muy pequea y el
tiempo de subida del pulso de salida debe ser tambin pequeo.
Con un pulso relativamente largo y una baja frecuencia de conmutacin, el transformador se saturar y la seal de salida aparecer distorsionada.
Para aquellas aplicaciones de suministro de potencia DC,
donde la relacin de servicio "D" (duty cycle) est comprendida entre O y 0,5 se puede emplear el circuito de la figura 3.22.
El condensador C hace que a la salida del buffer se mantenga un nivel medio de tensin continua Ve que evite la saturacin
del transformador. Cuando la relacin de servicio supere el 50%,
el voltaje en la puerta no es suficiente para disparar el elemento
de potencia, tal y como se observa en la figura 3.23.
Un circuito, ms completo, con transformador de impulsos
que puede ser empleado es el representado en la figura 3.24,
cuyas formas de onda ms representativas se indican en la figura 3.25.
I- ~I-~
Zl
1"-
o,
I c>-I"J
I~
tvsec
LO
e
Vcontrol
VC2
Vcontrol
VA
VD
VB
1
t
1
e
,,
,,
~
I
I
r=
~ t
RG
.~(=
--r-----
1'
Vc
1 :a
I~ o
RG
c::J _I,j
.~
VA-VB
o +Vcc
C2
Vsec
-t
Voltaje de
salida Buffer
Vsec
_1r---I-
__l+=eeD
-
de corriente inverso
~t
Duty
cyele
Voltaje de
salida Buffer
---+
I-i--~
__ ---c=-~_-_---~~
I
~
Duty
( eyele
D
0.3
ITP-PARANINFO
0.5
~ t,
~I_~
vc_
Vsec
Tal y como se observa en la figura 3.26, variando la resistencia de puerta RG(ON)se modifica la pendiente de la intensidad de
corriente que circula por el diodo ya que de alguna manera se
hace que el transistor entre a conducir antes o despus, con lo
cual ambas pendientes sern iguales pero de signo contrario.
Cuando el transistor se pone al corte tambin es posible hacer
que la descarga del pico de corriente inversa dure lo menos posible colocando una resistencia RG(OFF)'
Si el diodo inverso de libre circulacin del elemento de
potencia es suficientemente rpido har que el transistor entre en
conduccin antes pero originar un pico de corriente mayor. Si
lo que se desea es prolongar la entrada en conduccin del transistor ser necesario aumentar la resistencia de carga RON' con
lo cual se disminuye tambin la pendiente del diodo ya que a
medida que uno entra en conduccin el otro lo va dejando (pendientes iguales pero opuestas).
./2
L-/1IL
V ti - V
11
(J
~t
diDf (R
11
trr
--
1, =L /1IL
Vd V,,= L
~/L=
(V[ V,)
----./
L
Vo
=-'/~
'L-
dir (RGOFF)
dt
GON
iL
dt
12
L'.IL
11
Vcantrol
IL
12
11
D1(ON)
O(aN)
I
I
I
I
I
I
Ts
3.6. Aplicaciones
A continuacin se tratarn algunas de las aplicaciones ms
representativas
de los transistores POWER-MOSFET
e
IGBT'S.
I
I
I
I
I
I
va=vc
12-10
11-10
vL
El regulador reductor es un circuito en el que el voltaje
medio de salida "Vo" es menor que el voltaje de entrada "Vd'"
de ah el nombre de '~.L~ductor".En la figura 3.27 aparece el circuito a estudiar, el cual utiliza un transistor TGBT.
id
iL
"lIII
Vd T
I Co~trol I
+
L
~rv-YY"\
L
VdVa
io
,+
c~T e
io
[------------------
------------------------
v.J..
D,
iO
IVoO
El funcionamiento del circuito se divide en dos partes; la primera tiene lugar cuando se conecta (conduce) el transistor Q,
donde la corriente de entrada circula a travs de la bobina, del
condensador y de la carga. La segunda tiene lugar cuando se
desactiva el transistor y se pone a conducir el diodo. En este caso
la cOITiente "iL" no puede cambiar instantneamente su sentido
de circulacin; ello hace que dicha corriente circule ahora a
travs de la propia bobina, del condensador y de la carga. Las
formas de onda correspondientes a los voltajes y a las corrientes
en regimen permanente aparecen en la figura 3.28.
Suponiendo que la corriente que circula por la bobina "iL"
aumenta linealmente desde 1, hasta 12 en el tiempo ti y recordando que la cada de tensin en una bobina vale vL=L(di/dt):
D'Ts;
/2=
(I-D)'T5
r1
V = V ti --D
Vd
T
(J
V,,'( l-D)
fs'L
ITP,PARANINFO
iL,id
+
____ rY"'V"""Y\
A
UL
TS'~/L
S'C
~ Vc=vc-vc(!=O)=cJ-4-dt=
~ V =
e
Vd
-'-
iL,id
~
f/-S'L'C
Vd
_1_
Vd
l~~ajll-+
I
I
---Control
ITP-PARANINFO
.L
Q(OFF)
Modo 2
~/L
~/L
tl=L'-ti
~/L
L -t
Vd
t2
~/L
L -V-V
()
Vdtl
L
(Vo
=--=----=
L
Vd)-t2
L
V =V
(t.1
)+-
Vo
Q-----{)
D1
vDS
Como su propio nombre indica, se trata de un regulador elevador (figura 3.29) en el cual el voltaje de salida es mayor que
el de entrada y que utiliza como elemento de potencia un transistor MOSFET.
;Lt~~
l. -
D1(ON)
rY"'V"""Y\
DC-DC (80051)
'd.
Modo 1
- SC-!.
vL
io
iC
~/L
V - V
1_
= _V_o_'
(_l-_D_)_
S ec Vd'f/
Q(ON)
Vo' (Vd- V)
.o
El voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del condensador "~Y e" valdr en este caso:
Ti2
D1(OFF)
D Ts;
Ts
=V '-=
d
t2
Vd
--
1- D
=---
Vo
=_= ti +
fs
L'~I
t =--_L
2
Vo-Vd
= ~
1 =
L
L'~1
L=
Vd
V'(V-V)
d
o
fsevo
L~/V
L ()
(Vo-V).Vd
V'D
d =_d_
fS'L
~ Vc=vc-vc(t=O)=cJ
t
I
Icdt=CJ
o
ti =
Ts-
lo' ti
lodt=---c-=
O
Vo - Vd
t2= ---
fs'
Vo
Vconlrol
t_ ~==~
=====.F'
11
12
Vo-Vd
'
F'~
vLl
Vd
I
~----
iL
D1(ON)
iL,id
0----0
12
11
'::
Q(OFF)
.-
+
Vd
-=-
C.,..
----~--_~
iC
io
Modo 1
iC
12-10 ,
Q(OFF)
o
lo
Vd
D1(ON)
0--0
iD
'L
VQ=VC
iL
iC
io
Modo 2
io
l=-=-=-=-=-=-=-=-=-===-=--=-=-=_IO
Vd
...
id...
-----.
D= __
d__
1- D
0_
Elevador
Reductor
Si D<O,5
.....iD
Vo- Vd
Si D>O,5
D1
Q
V D
V = __
o
Vconlrol
T
iC
S
io .
j'
1
S
= 1 + 1 =
1
L-!1/
Al igual que en los dos reguladores anteriores, el funcionamiento del circuito se puede dividir en dos modos. Durante el
=
L
L(V-V)'!1/
o
V
V 'V
d
.('L'(V-V)
s
()
V 'V
ti
!1 /
L'!1/
L
d
Vd'D
o
d
J."s'L
ITP-PARANlNFO
1'1
'1
'1
I led1=I
10'11
Vc=lodl=-
eo
o
D
Is
1=..tl=.bd.
v,,"''"'
I
I
vL
T'~'
I
I
I
I
I
I
+Vd
/1/LI
-LI'- -=
t
/Ll2- LII
Vd=LI'
t
lid
. t
v-v
d
-Vd
=-L
CI
/11L1
/1/LI
L '--I V _ V
~~-----
-------
IZ=
'--=
/1/
ILI
-v-
=LI
ti
CI
Igualando:
iL
12
V/
/11
11
Vd
d_1
= __
VCI=~-
LI
I-D
iD
12
11
iL 1
L1
iC
rv-v-Y"\
+
VLl
...
Cl
11
iL2
L2
rv-v-Y"\
VL2
Vd-
12-10
1voD
C2-
iC,ro.l+
-lo
Vo=VC
Modo 1
;01
1+
~
_
_
lo
iL1.,.
Ll
VLl
~I-
Vd -
L2
VL2
01
--
C2=
00 ~
io ...
iC2
ITP-PARANlNFO
= __
CI
,+
Modo 2
V
Figura 3.35. Regulador Cck.
,1
.. rv-v-Y"\~
iL2
Cl
=
o
D'V
I-D
v
0
Si se supone
un circuito
sin prdidas:
V dId=
-VoIo=V d1oD/(I-D), la corriente promedio de entrada "Id"
ser igual a: ]d=]OD/( I-D). El perodo de conmutacin Ts se
puede expresar por una parte como:
1
Ts -
'S ~
LI VCI . ~
ti + /2~ - -----=
Vd'(Vd-
I LI
Vi ( Vd - V C I
~I LI
Al circuito convertidor se le encomendar la tarea de producir tensiones alternas (monofsicas o trifsicas) de frecuencia
fija o variable, as como tensiones continuas en el supuesto que
as se desee.
~ - -----
Vc/)
fs'LI'VCI
l
~ VC
~ I
CI
~ V
JI
~
CI
-J
C
dt~
c,
20
~ Vel
V)
fs'CI
QC+
"DA+
V" .( I - D)
L2
as
iB ..
I
... DC+
iC
oc-
I~ :;;:DS.
I~
---v
I
\
DC
rOO
Motor
.1.
3-
/
./
OV
-----
.F
Vd . D
= - -----
l'
2Js
20
l'
o----J~
QA - :;;:DA-
~I
J Ic, d/=-C1 ~n~1
J --dt=--4
8 C
8 e2'f2'L
s
+Vd
~ I," (1 - D)
Id' Vd
L2
,.-
id_
~,j
~Q
=-I
___
QA+:..J
d'/2
Id dt~-CI
lo
C,Is'(Vd-
1,
8'C'f 2 s 2'L 2
Las formas de onda del regulador Cck son las que se muestran en la figura 3.37.
to
t1
t2
t3
t4
t5
t6
VGA+
vL 1
VGS+
+Vd
VGC+
-Va=Vd=VCl
12
11
Is
VGA-
vL2
VGS-
+VC1-Vo
1
VGC-
Ve
,
I
D1(ON)
VAn
iL1
,,ILl
iL2
VSn
2J3Vd
iL22
1/3Vd
iL21
-1/3Vd
-2j3Vd
iCl
,,
,,
,
VAS
+Vd
/o
iC2
",
Vd
ITP,PARAN/NFO
Conviene recordar:
.Pfi=3Py
Potencia aparente: S
Potencia activa: P
= f3. V . I
Potencia reactiva: Q
donde Ve 1 son los valores eficaces de las tensiones y corrientes de lnea y qJ es el desfase existente entre ambas.
Las formas de onda en el supuesto de una carga inductiva,
como puede ser un motor de c.a. conectado en estrella, son ahora
las mostradas en la figura 3.41. Si la carga fuese resistiva, los
diodos de recuperacin no conduciran, no siendo as en el caso
de una carga inductiva.
VAn
VAnl
(fundamental)
VAN A
+Vd
iA
iA 1 (fundamental)
~ t
Dispositivos
conduciendo:
DA+
+Vd
+Vd
<
--~j'.----
iC
RDS(OC+)
!C
b)
VCA
+Vd
VCn(iC)
VAB
o----:r ~
I~
o-JB
QA+
DA+
VBn(iB)
QA
VBC
e)
ITP-PARANlNFO
OV o
TI
o r
as+ ;
t':'~
~D"
J,
~DS
de otencia (8J1)
Este tipo de transistor bipolar se utiliza en aquellas aplicaciones de media y baja potencia, si bien en baja potencia compmte
mercado con los transistores MOSFET tratados anteriormente.
- I
io ,
iD(t)
lo
Irr
_ I
tri
VGS(QA+I'
VGS(I)
,...tvfl~
,,
tvf2
o .
VGS(th)
VDS(QA+)
En la figura 3.44 se muestra la estructura interna de un transistor bipolar NPN as como sus smbolos.
VGS(lo)
,,
,,
o SASE (S)
+Vd
le
- I
10,um
oC
SJT
5-20 /1m,
1016 cm-3
50-200/lm
n-
10'4 cm-3
250/lm
n+
1019 em-J
pnp SJT
lc
al
10'9 cm-3
OE
S o
nt
S o
~:pn
EMISOR(E)
b)
COLECTOR(C)
ITP-PARANlNFO
Sin embargo, la ruptura secundaria se produce cuando la tensin colector-emisor y la corriente de colector aumentan excesivamente, de tal forma que esta ltima se concentra en una
pequea rea de la unin de colector polarizada inversamente.
La concentracin de corriente forma un punto caliente (falta de
uniformidad en el reparto de corriente) y el dispositivo se destruye trmicamente. Este tipo de ruptura podr presentarse tanto
en el turn-on como en el turn-off.
p y VCE(sal)en
vBE(t)
O
VBE(off)1
Ruptura
/
Saturacin
profunda
vCE(t)'
IIB5>IB4.
FVJ~----~:-IO--I
:tM..
+Vd
etc.
VCE(sat)
-t
O
IB4
IB3
-t
I
I
I
secundaria
--_
VBE(on)
Cuasi saturacin
IB(on)
--l.--
I
I
I
I
iC(t)
iC
ot~
al
---
Ruptura
REGiN ACTIVA
primaria
iB(t)
IB2
IB(on)
IBl
IB=O
O
BV
/~
sus
vBE(t)
BV CEO BV cso
~-
VBE(off)
tf,
f3mx
log(IC)
= ICmx
ICmx
10
-vCE
ITP-PARANINFO
:~
iCtt_'_O __ --~_-~~_
,
,...-
trv2";
vCElsat)
+Vd
I
j
b)
I
I
-t
o E
te polarizada en inversa (descarga de CCB)' Asimismo se denominar ''t-v2''altiempo necesario para acumular exceso de portadores en la regin n' para pasar de cuasi saturacin a saturacin
profunda (iB aumenta y ~ disminuye). En la tigura 3.48 (b) se
puede observar que, una vez que la unin B-C quede polarizada
directamente existe exceso de portadores en la regin n- y la tensin VCEcae fuertemente.
n+
Re
VBE(sat)
+
VBC(sat)
IC
n-
Vd
+
VCE
VBE
n+
08
__
I=::J ~
n+
'REGiN
Re
oC
ACTIVA"
Oistribucin
al exceso de
Carga almacenada
electrones
"CUASI
b)
Oistribucin
exceso de
electrones
~~,
"
Distribucin
Base virtual
'''SATURACINPROFUN
el exceso de
...__
SATURACIN"
..OA
/'
02
....!.......'\\\\'\,\'~
-~"\ .
electrones
01
- . ,..""
~
';r
'
,p,ofunda
Limite
saturacin
Base virtual
Se trata de la regin (figura 3.50) que encierra todos los puntos de trabajo (ic' vCE)del transistor en los que ste no COlTepeligro de destruccin. Dicha rea est limitada por los siguientes
parmetros:
CM: Intensidad mxima de colector.
T: Temperatura en el silicio: 7j
ON
=/V
VCE(wr)=
P" = vCE' ic
RTH:Resistencia trmica entre el silicio y el entorno .
Tamb:Temperatura ambiente.
T .. - T b
T
- P
R +T ~P
. - Imax
{1m
= P"
jmx
"mx
TH
(1mb
"max -
TH
Ruptura secundaria.
BVCEO: Voltaje mximo de mantenimiento.
ICM
Ruptura secundaria
log(vCE)
CE(wr)
VBE(,l'lIr)- VBC(SlU)+ Vd+/C'(Re+Rc)
ITP-PARANINFO
lo
DI
OB
Rl
o +VBB
Vcontrol
lB
11
R2
A3
Rl
Vref
a)
R4
Vcontrol
VBE~
,
~
,
,,
,,
,
-------.
Oe(en)
AB
css+
DI.
Vref
UC3707
~-
_con
_
Cd
~o
~oo
o
./
OB+
+Vd
= .--
10('';
CBB-
-VBS
ts
'"~
o
i/"
b)
+v ss -v CEsal
S(ON)
.-v
(Q.)
SE (ON)
En el caso contrario (Vcontro'<Vref), el transistor Q estar cortado ya que QB- est ahora conduciendo.
><
..
.,
Por tanto:
ITP-PARANINFO
lo
lo = ies + ie ; les = --o
01
Ili
I 012
Por su parte:
Vcs ~ VCE
_1_
csodI ~ _o __
s o
2 . s . Ifi
V es ()I
V cs(to)<O,
lo 'I
V ~ V ~ __ r0_'
d
CS
2. e
s
lo'
es ~ --
I;
2 Vd
+Vd
,1
R,C,
~V d'e
lo Vd
+Vd
Rs
-r-c:::J
L ~
iC.+1
OV
---t:::
Ds
...
DI
1
~
Cd
Cs
ies
rt
lo
oc
e,
RLs
~iiC
a)
~Q
I
ov
a)
1=0
iC
lo
DI
Cd
In 10<-'-"'- ~ Rs<
O"
Rses
es'ln 10
EG
iCS=~O-iC:
.t
'lo
VCE=VCs
'I
,
i~~
i
'
___:_tfi_Jo:=
b)
Figura 3.54. a) Snubber "TURNON" b) Transitorio OFF-)ON.
b)
Figura 3.53. a) Snubber "TURNOFF" b) Transitorio ON-)OFF.
Vd
-R
t:,.
die
VCE= Ls ._-~
dI
Ls
lo
Iri
Durante el estado "ON" del transistor Q, la corriente lo circula por Ls' Cuando el transistor entra en corte (OFF), la energa
almacenada en la inductancia I(Lsl02)12] se disipar en la resistencia RLS a travs de DLS con una constante de tiempo igual a
LSIRLS'
Vd
1,.,.
Por otra paJ1e, si Rs es suficientemente elevada, puede ocun-ir que durante el tiempo en el que Q est conduciendo, el con-
Ls'ln la
RLS>---Ioff
ITP-PARANlNFO
COy --.------
--~--
V", tfj!
2
fj. V~E"'<iX
0,1
0=
100 K'lo'lf,
----~~
V}
Vd
Lo
L5
lo
Dov,
Aov
Lo
Vd;
vCE
1=0
a)
En este circuito de proteccin (figura 3.55), mientras el transistor Q est conduciendo, el voltaje en bornas del condensador
COy ser aproximadamente igual a Vd' mientras que la cOITiente a travs de la inductancia La ser igual a lo' En el momento
en que el transistor pase a OFF (t=O) ste se comportar como
un circuito abierto y la energa almacenada en la bobina disminuir a la vez que se carga el condensador COy ya que
VCE>Vcov (Dov "ON") hasta hacerse nula.
Cov"
iLo)\!/t
Carga
{LoCov}
Descarga{RovCov)
O,lVd
vCE
b)
1=0
Lo
+Vd
lo
DI
Cd
lo
OV
). VCOy
K .V
= -!!.......Q.
d
l/i
!TP-PARANINFO
Mediante optoacoplador.
Mediante fibra ptica.
Mediante transformador.
Se sabe que:
Ejem~los Resueltos
[!] En el
Dl
*~
1 ~:'G
lOV
OV
Vee-VesC10)
R =
e
C .dVosl
gdl
dI
IOV-5V
=--------=50
0,]]03I-lF]0.000V/lls
Ql
J I
lOA
Vd = 100 V RG
VGG
dVnsl
m I=
Vd-Ves(lo)
------
= -------------
.
Vd-VCS(lo)
tfd -
tr, I
dt
d~
a)
Cgd
Cgd2=1nF
;s
9,5 ns
r--------
Durante el intervalo tlv2' la capacidad que influye en la conduccin es ahora Cgd2=l nF. Sustituyendo en la ecuacin del circuito de puerta:
Cgdl =0,1 nF
~ VDS
dVns
dt
VGS=VDS(lo)
b)
11,2
Ves(lo)
1.000 V/lls
Re,Cgd2
Figura 3.57.
SOLUCIN:
1112
~,
01 d Vos
l.
d,
VGS
Vec-
'N
Ves(lo) - Vos(ON)
-
',,-
Id::'1
04n/
ov
VGS(lol~5V
Ves(lJ
VGSlthl
Vee(ON)
.
- Reicgd=
Vee(ON)
- Re ie(mx)
Vee(ON)-Vcs(lO)
1 c (max) = ---------------------
1A
Re
VDSltI
+Vd=100V
1[!;jJ El regulador
VDS~VGSllol
Conduce
con Cgd2
VDS(ON}
------------------~------OV
rtv2
In
td(on)
tfvl
Figura 3.58.
lo=10A
reductor-elevador de la figura 3.32 tiene aplicado un voltaje de entrada Yd= 15Y. El ciclo de trabajo 0=0,4 y
la frecuencia de conmutacin es de 20 KHz. La inductancia
L= 150 I-lHY la capacidad C=220 I-lELa corriente promedio de
carga es 10=I,2 A. Determinar:
ITpPARANlNFO
d) Voltaje de la componente
condensador Cl' L\VCI'
SOLUCIN:
a) El voltaje promedio de salida Vo-
tJ. Vel
VD
V = -
_,_1
I (1-
d
= ----
= - IOV
ondulatoria
D)
=
I,el
82,5 mV
1- D
e) Corriente de la componente ondulatoria
b) La componente ondulatoria
pico ~V C"
c) La corriente ondulatoria
VI
pico a pico de
Lz,Mz'
Voltaje de la componente
condensador Cz, L\V cz'
ondulatoria
tJ./=--=2A
.f. L
Ip'
10D
1 =--=08A
d
1- D
'
Puesto que Id es el promedio de duracin DT s' la corriente
pico a pico del transistor ser:
1 =~+~=3A
" D 2
= - D
VCI
= - VoD D=1
Mz
11' = Id + -2-+
ILZ +-2-
a) La corriente
en la carga.
b) La corriente
c) La corriente
d) La corriente
= -4V
1 -D
b) Corriente promedio de entrada, Id'
1
d
ITP-PARANINFO
D1
= __
1- D
Vd
..
01
033A
'
= 2,205 A
01
o=
VA
SOLUCIN:
Ip
Figura 3.59.
SOLUCIN:
'3 = 'l
RDT s
__
l.
+---l!..
R
R( \- D)Ts
L
i2
11
Vd
-=-
l
+"'
'
va
DR
.
Vd
DT5
.. -
12
(/2-'1)-(
11='1+----
0.T5
9,99 A
Modo2
Figura 3.60.
Va
DR
Modo1
Onm -
1(t)
11
21t)
1
11
....
12
13
--
---+-
15
Figura 3.61.
a) La corriente de la componente
(al) en la carga.
ondulatoria
pico a pico
RI
Vd ( J
R
+-.
+Vd
R3 0,13
'2.
lo
di2
Vcontrol
O =Ri2 +L-
o
11
lB
dt
R2
Vref
RI
L
Figura 3.62.
O+
12
ITP-PARANlNFO
SOLUCIN:
Cuando el transistor "QB" se encuentra en estado OFF, tambin lo est "Q" y la intensidad de corriente 11=0. El valor de la
resistencia Rz ser:
R
BE(uOr<lXe)
1
IB(ON)~_c-~ 1 A
ITP-PARANlNFO
B(ON)
fJE(ON)
Rz
1B(OFF)
lB (ON)
IQ
P ~_c_;
<
1-
Pmn
1 7A
,
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
3. Regiones de funcionamiento de un MOSFET. Condiciones que se deben cumplir para que el transistor
est trabajando en cada una de ellas.
.:.
ITP-PARANlNFO
4.1. Introduccin
Los motores de corriente continua (c.c.), adems de ser ms
caros que los motores asncronos de corriente alterna (c.a.), presentan el inconveniente de que slo pueden ser alimentados con
tensin continua, por lo cual habr que convertir previamente la
corriente alterna de la red en corriente continua. En contrapartida, su simplicidad, su elevado par de arranque y su facilidad
para controlar la velocidad entre mrgenes muy amplios les
coloca en una posicin competitiva para su uso en una gran
variedad de aplicaciones industriales. Los mtodos de control de
velocidad, por lo general son ms simples y menos costosos que
los utilizados en c.a.
Tanto los motores de c.c. excitados en serie como los de excitacin independiente se utilizan normalmente con reguladores
de velocidad variable, aunque tradicionalmente los motores en
serie se han utilizado para aplicaciones de traccin. Debido a los
elementos de potencia a utilizar (TlRISTOR, MOSFET, IGBT,
etc.), los motores de c.c. no son adecuados para aplicaciones de
muy alta velocidad y requieren ms mantenimiento que los
motores de c.a., aunque la tendencia futura mira hacia los reguladores de c.a., a los de reluctancia magntica y a los de imn
permanente (sin escobillas), los reguladores de c.c. todava se
utilizan en infinidad de aplicaciones.
Los rectificado res controlados proporcionan un voltaje de
salida de c.c. variable a partir de un voltaje fijo de c.a., en tanto
que los convertidores pueden entregar un voltaje de c.c. variable a partir de un voltaje fijo de c.c. Debido a su capacidad para
suministrar voltaje variable, tanto unos como otros causaron una
gran revolucin en los sofisticados equipos de control industrial
y en los reguladores de velocidad variable, con niveles de potencia que van hasta miles de voltio-amperios.
F = Fuerza
[N]
B = In duccin
L=Longitud
[T]
[m]
F= In tensid
ad [A]
_I
N
I
-L-------J
Estator
a \_
Rotar
--7
60
E = <p'n N_-
ITP-PARANlNFO
donde:
c) Excitacin serie.
d) Excitacin compuesta o Compound.
li
Como quiera que N, P Ya son constantes para un determinado motor, la ecuacin anterior se puede expresar de la forma:
Vb
E=K'w<l>
a)
V-E-2'V
donde:
l
Vb
E
2Ve
R
=
=
=
=
=
Por otra parte, el par motor que desarrollan los conductores del inducido al ser recorridos por una corriente elctrica
(par electromagntico),
depender segn la ley de Laplace
del valor de dicha corriente y del flujo desarrollado por el
campo inductor. La expresin que relaciona el par electromagntico (M) con estas variables teniendo en cuenta que N,
P Y a son constantes, es:
M = _N__P_. <1>. f= K2' <1>. f ; donde
2'n'a
E
= --
K'<I>
K2 = cte.
V, - 2 Ve - R ' f
= ------
ITP-PARANINFO
K'<I>
Por tanto, resumiendo, se puede decir que el par motor es proporcional a la corriente del inducido y al flujo del campo magntico inductor y que la velocidad de giro depende adems de las
dos variables anteriores de la tensin en bomes del motor.
TERCER CUADRANTE:
Como motor hacia atrs,
V b' E, e I son todos negativos. En este cuadrante tambin el par motor y la velocidad son negativos. Para conservar negativo el par y el flujo de energa de la fuente
al motor, la fuerza contraelectromotriz E debe satisfacer
la condicin: Vb > E
I I l.
CUARTO CUADRANTE:
Durante el frenado hacia
atrs o indirecto, el motor gira en direccin inversa, V b
Y E permanecen negativos. Para que el par motor sea
positivo y la energa fluya del motor a la fuente, la
corriente del inducido debe ser positiva. La fC.e.m.
inducida debe satisfacer la condicin: Vb < E
I I l.
M (Par motor)
n (Velocidad)
Vb
---------------..
Vb
Motor
IVbl > E
Generador (Frenado)
IVbl < IEI
independiente.
li (Corr. inducido)
(excitacin en derivacin).
y de par motor
En la figura 4.4 se muestra la caracterstica velocidad (n) corriente de inducido (1) para un motor de c.c. con excitacin
en derivacin. En este caso, si se supone despreciable la reaccin de inducido (curva 1), el valor del flujo (<1 slo depende de
la corriente de excitacin para un determinado valor de la tensin de entrada (Vb)' lo cual hace que la curva caracterstica sea
prcticamente recta.
Por el contrario si la reaccin de inducido es apreciable, el
valor del flujo disminuir al aumentar la corriente del inducido
haciendo que la curva sea ms horizontal o incluso que llegue a
tener una inclinacin opuesta (curvas 2 y 3). Los valores de "no"
e "liO" corresponden a la velocidad y a la corriente de inducido
del motor trabajando en vaCo.
Por otra parte, la potencia elctrica (Pe) y la potencia mecnica (Pm) desarrollado en el eje sern:
Pe=E'I=K]'n'<jJ'I
P",=Mw=K2<jJIw,
siendo
w=[rad]
seg
A esta forma de trabajo se le conoce como "a par constante" (potencia variable) y con ella se puede variar la velocidad
desde cero hasta la velocidad nominal del motor .
n (Velocidad)
00
M, Pab
Pab
------,
LL_
----------
. li (Corr. inducido)
lio
(excitacin en derivacin).
I
-~-------
Finalmente, se muestra tambin la curva caracterstica parcorriente de inducido de un motor con excitacin en derivacin
(figura 4.5). En ella se puede comprobar como, considerando
despreciable la reaccin de inducido y <1> el flujo constante
(Vb=cte.), el par es proporcional a la corriente de inducido
(curva 1). Por el contrario, si la reaccin de inducido tiene un
valor apreciable, el flujo disminuir al aumentar la corriente de
inducido (curva 2).
. r
Vb=cte.
------------------------~--
I
I
lex
I
I
I
I
I
M=cte.
. n
ITP-PARANINFO
De acuerdo con su accin de control, los sistemas de regulacin industriales pueden ser de diferentes tipos:
Control
Control
Control
Control
Control
Control
..
nn
Vis)
- ev =X(s)
- 8(s)'
Rl
= E'
G(s)
(X(s) - 8(s)'
Y(s)] G(s)
= X(s)
Rl
-evo
c:::J
oU
Operando:
G(s)
F(s) = Y(s) =
1 + G(s) . 8(s)
X(s)
Esta ecuacin representa la funcin de transferencia del sistema expresada en el dominio de Laplace.
En nuestro caso el regulador R(s) recibe como entrada la
seal de error (E) entre la tensin de consigna X(s) y la salida
real (eJ mediante un comparador-restador y genera la "accin
de control" (U) como entrada al "actuador", que en este caso
ser el circuito generador de impulsos de disparo (Cl. SP 60 1)
Yel puente inversor, para as atacar al sistema a controlar (motor
de c.c.). La velocidad real de giro del motor se convierte,
mediante una dnamo taco~trica y un "acondicionador", en
una seal (e) proporcional a la velocidad de giro del motor.
ITP-PARANINFO
R2
o~c:::J. c:::J
Y(S)
(P).
R2
R1
. (e - e ) = --'
v
R2
E = R(s)'
R,
RI
R(s) = - -=,= K
"-------'l
r----..
----
__
-----
to
to
Kp.E
Vcc
..
c:::J--- ..
c:::J
E o
II
i1
ev
0-
i . ]
+Vcc
R2
II
-0-
i2
~o+vcc
R1
-oU
-Vcc
...
dU.
i=-.!-
d!'
j
.
j
En el dominio de Laplace:
e
R
-ev
R
U=-i'R--ZJi'd!
I(S)
e(s)
e,.(s)
R,
R2
=-----
es
Por tanto:
i (s) = -
u (s)
1
Por tanto:
U(s)
R(s)=--=
[=[+[=-+--
---=
Res
---
R+- -
C-s
---U(s)=---I+Res
e(s)
e)s)
R,
R2
es
1" ,'S
III
C-s
i(s) = - ----.
I+Res
e(s)
e (s)
I
U(s) =-- -'-' - =-'
[e(s) - e (s)]
R,
R,
R,
v
La funcin de transferencia del circuito proporcional-integral, en el dominio de Laplace ser, por tanto:
ITpPARANINFO
R(s)
=.
e(s)
1 + '.s
U(s)
- ev(s)
R1
-ev
(I+R.e.s)
---es
R (I+R'C-S)
---Res
=_
R(s) = - K, (
I
(I+,;'
--- S)
=-K
R1
''s
1 _1_)
+
'.' 1
..
: to
,i
I
I
,ai
y derivada (PD)
La accin derivada es proporcional a la derivada del error
actuante, por lo que, en cierto modo, se anticipa a los errores. Se
utiliza cuando se desea mejorar el rgimen transitorio (hacer
ms rpido el sistema).
R1
(11).
~
R2
R1
-c::::J
C>r
ITP-PARANlNFO
+v"
-11
I
6 -Vcc
e=-i'Ri-ffi'dl
U =iR
o U
I
e(s)=-R'i(s)---'i(s)=C-s
Ves)
I+R'C-s
(1 + t, . s) . (1
-------
'i(s)
C-s
R(s)-
R . ;(s)
"
La funcin de transferencia del circuito proporcional y derivada, en el dominio de Laplace ser, por tanto:
al
+ ',,'
s)
'.' s
----
R(s) = U(s) = _
e (s)
1+ , .'
al
Ganancia.
Tiempo de integracin.
Tiempo de derivacin.
Por esta razn se suele emplear en procesos lentos, por ejemplo en regulacin de temperatura.
En la figura 4.19 se observa la respuesta a una seal escaln.
"1
e-e.
,i
+ ,d
,ai
de
-RC-dt
y derivador (PID)
Tal y como se ha expuesto anteriormente, el regulador derivador como tal no tiene sentido y slo se utiliza como complemento del proporcional-integral (P/).
Por otra parte, el regulador PI puede hacer nulo el error de
regulacin, pero una vez transcurrido un cierto tiempo. Tambin
se sabe que el regulador proporcional tiene un tiempo de respuesta nulo, pero el error de regulacin no lo es.
.. ..
,ai
---------
o--c::::J-
Cl
Vb
-c::::J--.-C:J--1 ----c:::J,
?+Vcc
~---~-OU
.L~-
EO~~
C2
-o
dI
ITP-PARAN/NFO
M,.es=Bw
dw
M=}'-+M
dI
donde:
+M
,.es
E = K e . w (Para
<1> = cte.)
M = K,'i
<1> =cte.)
(Para
"
dI
B . w + ML
,.
(s) = O
M(s)
= (B,. +s'})'w(s)+M
ML(s)
L(S)
--~
E(s) = K . w(s)
M(s)=K,'/(s)
K,'/(s)
=},s'
R_ _B_R
w(s) =
X(s)
s2.,
"
a
ML(s)
o
+s(,
m
K~ +B(s) 'R(s)'A(s)
+, )+I +-------1I
ni
R.'B
,.
,.
w(s)
S2.,.,
K '/(s)-ML(s)
w(s) = -'-'
---}s+B,.
= _K_/_
K/'/(s)
ML(s)
-----
}s+B,.
_V_(_s_)
b _-_E_(s_) M L (s)
+ B(s)' R(s)'
A(s)
R.'B
, ,.
donde 'ra=L!R es la constante de tiempo del circuito de la armadura del motor y 'rm=J/Br es la constante de tiempo mecnica del
motor.
K,
Vb(s)+ K/'Ke
R.+sL.
/
(R+sL)(Js+B,.)+
.M L (s)
K,'Ke
ITP-PARANlNFO
de C.C.
w(s) = ----------.
(R+s'L)'(J's+B)
(1
}s+B,.
Operando:
_
2
+, )+I+_
+s(,
a
Aplicando el principio de superposicin; es decir, una entrada est activa mientras que la otra se mantiene a cero:
+ I
B_,.
M L(S)
Hoy en da, en la mayor parte de las aplicaciones industriales, se trabaja con sistemas de regulacin en lazo cerrado. Un
sistema de control en lazo cerrado tiene las ventajas de una precisin mejorada, una respuesta dinmica rpida, as como una
Un servosistema de regulacin de una magnitud fsica determinada (velocidad de giro en este caso) consta siempre de:
En esta ocasin como transductor de velocidad se ha utilizado por comodidad una dnamo tacomtrica, la cual proporciona
en su salida una tensin aproximada de 40 mV/vuelta. Ser
necesario por tanto colocar a su salida un circuito acondicionador B(s) que traduzca la velocidad de giro del motor en una tensin de velocidad (e) dentro del mismo rango de variacin que
la tensin de consigna y de signo contrario.
En la figura 4.23 se muestra el diagrama de bloques del sistema regulador de velocidad de c.c. que posteriormente se proceder a estudiar, detallando cada uno de sus bloques.
La tensin de referencia consignada por el potencimetro
p se introduce en una etapa de temporizacin lineal que
tiene por objeto la eliminacin de los cambios bruscos. Dicha
tensin (V N)' conjuntamente con la seal de velocidad (eJ se
aplica a un regulador proporcional-integral (regulador de
velocidad) para posteriormente pasar a hacer lo mismo con la
realimentacin de intensidad (e ) y finalmente comparar la
seal de control (Vcol1trol) con una seal triangular (Vtr). Como
consecuencia de dicha comparacin se genera la seal modulada PWM que a su vez atacar al circuito generador de
impulsos de disparo; de esta forma cuando la tensin de consigna toma valores positivos el motor girar en un sentido y
para valores negativos el motor girar en sentido contrario.
KAl
.o o
220 V
o
KA2
o o
o o
KB
KA3
RECTlFICADOR
:b
+Vd
O
CROWBAR
l.
A
CONVERTIDOR
~
~
DC-DC
OV
+V cc
---- O
M/P
FUENTE DE
ALIMENTACiN
+Vcc=+15V
oOV
o -Vcc=-15V
+Vre!
o
P1
[r
ETAPA DE
TEMP LINEAL
REGULADOR DE
VELOCIDAD
PI.
.lo.
GENERADOR DE
IMPULSOS
(SP 601)
J.
FAULT
REGULADOR DE
INTENSIDAD
PI.
..
Vhall
PWM
COMPARADOR
e,
o
-Vre!
Vcontrol
GENERADOR
DE ONDA
TRIANGULAR
Vtri
ACONDICIONADOR
DE VELOCIDAD
ACONDICIONADOR
DE INTENSIDAD
ITP-PARANlNFO
Cl
C3
10nF
lOnF
C4
1 LF
1-
R2 lK
Tl082
-15V
Rl1
R10
22K
5K6
El segundo operacional (UIS) acta como seguidor de tensin, con lo cual la seal de entrada del tercer operacional (U2)
valdr:
5V
C1=1nF
I
R1
-2V
.L
~~OV'If"
P2
6
100K
100K
R3
[:=J
100K
V1
+1SV
OV
-15V
VC2
_1
5V
3V
VA
OV
-2V
-jl---.
Est compuesto por una bscula de Schmitt (no inversorasimtrica) y por un integrador Miller.
3V
VN
.:
+ 15V
VsB
r-------r-~
Vss
-
Si, por el contrario, la tensin de consigna toma valores negativos (VreF-2V), la salida del primer operacional (VI) se saturar al valor positivo (+ l5V), por lo que ser ahora D2 el que
ITP-PARANINFO
15V
Vs
V>VA
R3
donde
R2+a2'P2
Es el representado en la figura 4.29 y tiene por misin generar una seal cuadrada de frecuencia constante y cuya duracin
de pulso sea proporcional a una tensin de control, es decir,
modulada en anchura de pulsos (PWM).
Vss
=_
R3
V CC
R2+a2'P2
R2
R'
VsO
~I
lOOK
R7
lc::::J~
VA
10K
R5
Vcontrol
c::J
GY
U'B
+15V
lK
L-oPWM
R6
10K
01
'--c::J~BC547B
VB
--
'N4'48"'0'
'OK
Vs
.
Vss
Vtri(mx)
R2 + a2' P 2
4'R3'(RI
+a'P)
el
VsB
VA
+1SV
VB
_1
+1SV
-lSV
r"
Vs
Tl
T2
.,
-1SV
Vlri(mx)
Vss
.W]
I
+lSV
Vs8
Ts
I
I
U Le
ITP,PARANINFO
Dicha situacin se da siempre que conduzca uno de los transistores inferiores de cada rama, y en el caso de que la carga
sea de carcter inductivo (motor) cuando el transistor superior
es bloqueado ya que a continuacin pasa a conducir el diodo
de inversa (antiparalelo) del transistor inferior de dicha rama.
Por tal motivo estos diodos (DI y D2) debern ser diodos rpidos, capaces de soportar tensiones inversas superiores a la
tensin de alimentacin del inversor (+Vd).
Asimismo, se ha de recordar que cuando uno de los transistores superiores de una rama est activado ms de 400 Ils, aproximadamente, se genera automticamente un pulso de refresco
de la tensin bootstrap (durante unos 2 Ils) que activa el transistor inferior a la vez que bloquea el superior. Ello hace que no
haya limitacin en cuanto al ciclo de trabajo se refiere.
ENABLE
0,
r--------------_
I~---
o,.
REFRESH
o
VG(OA+,OB-)
t
I
VAN
VHall
Va=Vb
15
VDO
Vbias
ves
VD'
Phose
TRIPU
DIU
21
22
[HABLE
GIU
UPjOOWN
G2U
U2
rmu
,.
,.
17
12
Rl0
12
Rt 1 12
R12 12
DIl
GIL
SELECT
G2L
Vout
VSS
ITP-PARANINFO
CU
TRIPl
"
MOTOR
(Carga)
io=i1
R9
10
SP 601
TRIP
__.t
PWM
C.C.
e c.
MOTOR
(Carga)
= 2'1
I
011
5
+----'--
Vs
ll=~'~
V,ri(m.:c)
OV
D =~
Ts
2'V
OV
io(lo>O)
conrro/
+~
_2__..2._1_, +...!.-
Ts
Ts
T S
Cuando
Q: y Q (ON)
ioilo<O)
ITP-PARANlNFO
)-I]=V'[
V(,()/ltrol
tri(mx)
VCO/ltro/]=K'V
V
co/ltrol
"
tri(mx)
V1ri(tt1(U)
El signo de la tensin de salida depende de la relacin de servicio de la forma:
Si D < 0,5
Vo < O
Si D>0,5
Vo>O
d i2
V =L--+Ri
dt
"
-E
io(t) = i(t)
D-T s -R),
= ' + i/t)
donde v/t) e i/t) son las perturbaciones de "vo" e ''i'' respectivamente. De esta forma, se puede expresar:
v (t)
r
'3
d iL(t)
V (t)=i(l)'R+L--+E
"
,
"dt
V
= '[ =
'2' e
v (1)
=_,,_=
v -E
,
"
R .I
"
K V co/l"ol-E)
R
= j(O)
i (t)
I
=/
+
I
-'I'R
L
---'
q=1
Vd-=-
Li
A'1~1'1B
l__
'i'
r-
6
Ri
Q~
__
. ~
~.
tf(O)
q=o
i2
QA+
qB+
(VI-E)
'
L
QB+
=,.
11
(Ri)
1- -'
VI-E
+ -'
-'
RD-Ts
D'Ts
-E)'--
L,
"
L,
Asumiendo que las perturbaciones de la corriente de inducido i/t) dependen principalmente de la inductancia L y en menor
medida de la resistencia del inducido R (R roL), se puede
decir que:
QA-
_____
QB-
---.3
QB-
V =L-+Ri
+E
,1
ITpPARANlNFO
.t
'---+(V
I
tJ./ =
t .P"(O)
di (t)
v (t) ~L-'dt
Vd
'dt
"
tJ.I.=
-,
qA+
En la figura 4.35 se muestran los dos modos de funcionamiento del puente as como la forma de onda de la intensidad de
corriente por la carga.
1_ e
n'
Linealizando la expresin exponencial de i(t) (se toman slo
los dos primeros trminos del desarrollo):
di (t)
(t) + L . -''dt
D-T'R)
Jet)
"
V,,+ E.
donde:
V =E+R.'
L,
di (t)
R [1 + i (t) ] + L -'r
di
(I'D)'TS'R,
VTD
" s
L.,
'<o
100K
leY
R5
0-15'1
R3
~ev
47K
R7
~S?-Q'
V~;
Ii..082
-1
SI
cJ S?vl
100K
-_1
..
Pl
100K
ICI-
1
.
0---11
c=
:-Ve,'
u
ai
100nF"
11
11
-1
C=47nr
~ou
.8~"K IO~~If~~K
;': I
--.
1 -Kp(e-e
Ves)
1+1:'
e(s) - e ,(s)
1:'
S
1
1II
donde:
1:;=(R7+0:,'P,)'C
1:=R"C
(11
)
,)
de giro)
V-R/.
h
ser necesario
cada momento
correspondienvelocidad:
K,'cI>
La regulacin de intensidad (figura 4.38) adopta bsicamente la misma configuracin que el de velocidad, teniendo como
seal de referencia la salida "U" del anterior. y como seal de
comparacin la tomada del valor real de la intensidad que suministra la etapa de potencia "ej'.
u a
Rl
R3
IOK
1r
Pl
25K
c:::J . c:::J Q .
11
1
-e o
cd- .''""'~ ~
R4
R6
c:::J
100K
"r
~V
R5
~c
4K7
R7
Yconl'ol
'7K
+0:
.p )'C:
I
R)
1:-RC:
tll
= ----
0:, . P,
R
I
ITP-PARANINFO
U-ej
~I
~~~~--~~~-,
. t
P2 100K
R3 10K
80-
~
eo
R2
10K
-Kp(U-e)
I~~mo
_~6K ~6K
Figura 4.40. Circuito acondicionador de velocidad.
---~~~~~~--~-
. t
mV
Kdllama .
Para ajustar la tensin de salida, se coloca el divisor de tensin formado por P1 y R) de tal forma que:
- el' =
Ka'
VdlOl1IO
Idet=li
ITP-PARANINFO
= 40 ~~~
Vuelta
(n. r.p.m.)
V
11
=4V~=4V_i1
1/011/
110111
v I = V H . (1
R3)
ITP-PARANINFO
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
l. El motor de corriente continua: principio de funcionamiento y parmetros ms importantes (fuerza contraelectromotriz, par motor, etc.).
.:.
.:.
8. Cul es el objetivo fundamental del circuito de temporizacin lineal a utilizar en un regulador de velocidad para motores de corriente continua?
.:.
ITpPARANlNFO
Conocer y valorar los d(f"erentes mtodos de variacin de velocidad del motor trifasico
de jaula de ardilla.
Enumerar las distintas secciones que componen la estructura del sistema de regulacin (entradas, salidas, mando, regulacin, fuerza, proteccin), indicando la jitncin,
relacin y caractersticas de cada una de ellas.
Describir las caractersticas de jitncionamiento del sistema, diferenciando los distintos modos de jitncionamiento y sus caractersticas especficas.
Calcular las magnitudes y parmetros bsicos del sistema, contrastndolos con los
valores reales medidos en dicho sistema, explicando y justificando las variaciones o
desviaciones que se encuentren.
Efectuar la sintona de los parmetros de regulacin del equipo, realizando las pruebas y medidas necesarias en los puntos notables del sistema, utilizando los instrumentos adecuados.
5.1. Introduccin
contrasta con la complejidad de los sistemas de control que funcionan en condiciones variables de velocidad y de carga.
donde:
1, es
En los conductores del devanado del rotor, este campo giratorio inducir unas fuerzas electromotrices que, al estar en cortocircuito, darn origen a unas corrientes que circularn por los
conductores del rotor. Dichas corrientes, en presencia del campo
magntico, harn que sobre los conductores acten unas fuerzas
el! xl V) que producen un par que de acuerdo con la ley de Lenz
hace que el rotor tienda a seguir el campo del estator. En la figura 5.1 (a) se muestra, en un instante dado, el sentido de la induccin (lf> en el entrehierro producida por el devanado del estator.
ITP-PARANlNFO
(Par)
GENERADOR
MOTOR
~~
0.8
al
b)
n1 (Veloe. siner.)
2n.-!--_
0,6
-,
0,-4
S (Deslizamiento)
-~
Deslizamiento
- 11
S~-]11]
Bajo condiciones de arranque directo, el deslizamiento relativo es la unidad, de forma que tanto la frecuencia en el rotar
como la reactancia son elevadas, lo cual implica una elevada
corriente en el motor con un factor de potencia (cos <p)bajo, de
modo que el par de arranque tambin ser bajo.
U1 (A)
V1 (B]
W1 (C)
r--\:--X--
l--A---~~\..J
W2
U2
V2
"12
A
donde "f2 " es la frecuencia de las corrientes que circulan por los
conductores del rotar.
Como la impedancia del motor es baja, un pequeo aumento
del deslizamiento, provoca un gran aumento de la corriente del
rotor. Generalmente el deslizamiento a plena carga suele estar
comprendido entre un 2 y un 8%, aproximadamente.
ITP-PARANlNFO
Ul
: W2
l_~
CONEXION
Vl
Wl
U2
V2:
5:~
~~j
EXTRELLA
R1
~ 11
Para invertir el sentido de giro del motor bastar con intercambiar dos fases de la red entre s, con lo cual se invielte tambin el sentido del campo giratorio.
X1
rYYY'\
R'2
r----I
X'2
~ ~YY-Y'
l--.J1'2
IFe,
V1
c:=J
RFe
R'2 1~S [)
donde:
A(U) o
Oz
VLL
B (V)
Vs
Vl
C(W)O
11
IL
es la reactancia de cOI1ocircuito.
de la forma:
'L Y
VI =~,VI'
{3
ITP,PARANINFO
donde:
ESTATOR
I ENTREHIERRO
ROTOR
Ptil
PC1
PFe1
PCu2
Pmec
= -V3 .
SI =
-V3.
VL . I . sen <J'I
V I
Js
1
= VLL"
y VI
= P . Pc
a
1/11
P
A (U) 0-
IL
..
B (V)
C(W)
. --
. l'
I-S
2
2
---.~11
~z~VS=V'
o~~~----------C:::J-~
I
_____
0-
.R' 2
I-S
z(/>
VLL
3 . R'
1/1;
. R'? . --
3 . l' l
P CII2
I-S
= 3 . 1',2
L/2
En cuanto al rendimiento
cien, ser:
Puesto que el estator est construido con material ferromagntico, existirn tambin prdidas en el hierro. Al ser las
frecuencias de las corrientes en el rotor muy pequeas debido
a que los deslizamientos suelen ser tambin pequeos, se considera que el estator es el nico causante de las prdidas en el
hierro, las cuales son:
PFe",
PFel
'"
VI
mi
= 3 R'
. l'
/TPPARANlNFO
2R,
1 5
5
'~--+3'1'
2R,
=3/'
R'?
P CII,
._0 =--'
5
5
'TI'
> = ~~-
11
= P,/ll
P,lil
til
:::::l>
60
60 P lil
---
>
2 . TI
11
2 . TI
11
60
P=P
mi
M=----2'TI
.1-5
C"2
._1_-_5
cu,
>
11
CL/2
-PFe
Si no existen prdidas en el rotor, esta potencia se transformara directamente en potencia mecnica. En la realidad, al
fluir la corriente por el devanado del rotor, aparecen en l unas
prdidas por "efecto Joule"que son las prdidas en el cobre
del rotor:
P
=3'/'
CII,
IFe
P =P+P
P cu,
'11
--'(1-5)
60
P Cu
60
se obtIene:
5
M.
Pa
P {/
60
Tomando como referencia el circuito equivalente aproximado (figura 5.4) se puede obtener la variacin del par interno en
funcin de los parmetros del motor:
11
=
I
60fP)
11 -11
11
11=60'-'(1-5)
5=-11
de donde se deduce que variando el deslizamiento (S), la frecuencia (fl) o el nmero de pares de polos (p) se consigue variar
la velocidad del motor.
R' 2
3_V-
M,=
[
2 .n .
2 (R
60
o
I
+~) +
2
Si se tiene en cuenta
= E2
_2_ _2_
S
se puede expresar de la forma:
. COS qJ2'
3
M,=-E2/2cos
el par interno
<jJ2
wl
Mtil
eo=-No'--=-N
- d<p
dI
E ( rms )
N2
'wo"<P
/. cosw
max
.
<Pmax
.f2.
2nN
12
.
<Pmax
{2
12 j'
-n'v"-'
.
2
A..
''1'
2
MN
(Par normalizado)
Vl N (Tensin
estatrica
nomInal)
mx
Sustituyendo:
. s (Deshzamiento)
M=~n-{ifNA..2
wl
I
./ 2 'COSIn
'+'mx
=KA..mx ./ 2 'COSIn
"""'2
\fJ
"t'2
= n'y!2'
NI
11 . <Pmx
VI
-=cte
fl
ITP-PARANlNFO
dos de alta escala de integracin tales como los "microcontroladores". En este caso se ha optado por la primera opcin,
la cual se adapta mejor a los objetivos que se pretenden con
esta obra. En cualquier caso, una gran parte del regulador
sera anloga tanto si se utiliza un circuito integrado especfico como un microcontroJador.
En la figura 5.10 se muestran los cuatro modos de funcionamiento del motor asncrono.
V1 = cte
11
-=
= cte.
= <1>
max
=cte.
El control de motores de c.a. mediante la tcnica de conmutacin por modulacin de anchura de impulsos proporciona la
ventaja de un par suave a baja velocidad y, adems, poder controlar la velocidad de cero al doble de su velocidad nominal con
solamente unas pequeas prdidas de su rendimiento.
En la figura 5.11 se muestra una portadora de 15 impulsos
(a), las tres seales de tensin entre fase y N(OV) que coincidirn
con las tres seales de disparo (V GA+, VG, VGC+) de los transistores superiores del puente trifsico (b, c, d), as como la tensin entre dos fases Vu v=V A-S (e).
Portadora
al
n (Velocidad)
VA(QA+I
VBIQB+I
VCIQC+I
ITpPARANINFO
d)
O O DOD O O O O O
n n
'''0
el
O O O O O O O O O O O O O D.l.-
'''h
bl
n (11)
O O O O O O DOD O O O O O
,
+Vd
VAB=VA-VB
el
'"IlILDJlJlJill.llJLlllU::l!n1JlrUUUlfUuUlflJ.L100t/"
Portadora
de conmutacin)
Portadora
con los dos
OCM2
OCM1
VDD
frentes
modulados
RCT
8=0
81
82
83
84
85
86
j
4a 6,4
675 a 1070
5,7 a 8,9
675 a 1070
8,1 a 17,9
675 a 1070
11,2a 17,9
675 a 1070
16,3 a 25,5
42
675 a 1070
22,3 a 35,7
30
675 a 1070
32,5 a 51
21
675 a 1070
44,6 a 70
15
675 a 1070
>70
15
HEF4752
OAM1
OAM2.
OAS1
10
OAS2
11
OBM2
En la tabla 5.2 se indica cada uno de los mencionados terminales del circuito integrado, indicando el nmero de pin, denominacin y funcin.
Seales de
excitacin del
inversor
21
Entradas
de datos
Entradas
de reloj
Salidas
de control
8
9
10
11
22
21
20
19
3
2
1
27
24
25
7
5
13
15
16
12
17
4
6
23
26
18
OAMl
OAM2
OASl
OAS2
OBMl
OBM2
OBSl
OBS2
OCMl
OCM2
OCSl
OCS2
L
I
K
CW
X
y
Z
FCT
VCT
RCT
OCT
ASYN
VAV
CSP
CL
Fase principalA
Fase principalA
Conmutacin fase A
Conmutacin fase A
Fase principal B
Fase principal B
Conmutacin fase B
Conmutacin fase B
Fase principal C
Fase principalC
Conmutacin fase C
Conmutacin fase C
Dato
Dato
Dato
Dato
Dato
Dato
Dato
Relojfrecuencia
Relojtensin
Relojreferencia
Relojretardo salida
Sincronizacinfase A
Tensin media
Impulsos muestra
de corriente
HEF4
ITP-PARANlNFO
5.7.1.1.
Existen seis salidas excitadoras principales que estn dispuestas por pares complementarios. Las salidas estn codificadas como sigue:
Primera letra: O (salida).
Segunda letra: A, B o C (indicacin de fase).
Tercera letra: M (principal).
Nmero: 1para la salida del elemento superior del puente.
2 para la salida del elemento inferior del puente.
Por ejemplo, OAM2 es la forma de onda excitadora para el
elemento inferior de la fase A.
A cada salida principal est asociada una salida auxiliar utilizada para disparar puentes inversores con 12 tiristores. Estas
salidas se identifican con S como tercera letra del cdigo de patillas, de forma que OAS2 ser la salida de disparo para la conmutacin asociada a la OAM2.
durante el funcionamiento
conectadas a OY.
Entradas de reloj
5.7.1.3.
Entrada de datos
ver
5.7.1.2.
Fer
ez=
N2 ~~
V1,f1
100Hz
50Hz
,
,
,
,
-----------,,'
.....
O,15V'N
BAJA
A.B,C
ALTA
A,C,B
, ...
'
....
.-.l
------------~
Tensin
Frecuencia
Tensin
I
I
I
I
I
I
I
I
mxima
V
1N
.~
0),
ITP-PARANINFO
f out
j~'O,624'
Vd
_
hecuenciade
conmulac'on
del Inversor
1,IKHl)
1,25
fVCT
(N);
120
'slmax)
j~er
fver
0.75
Islmm}
0.5
Is'"' ,,,llout
0.25
-0,5
frecuenCia
Tal y como se observa en la figura 5.15, para d< 0,5 la modulacin resulta senoidal, mientras que por encima de 0,5 (d>0,5)
la forma de onda de la tensin de salida se aproxima a una onda
cuadrada. Se recomienda no sobrepasar un ndice de 2.
10
30
20
40
al MARGEN
50
50
DE VARIACION
050
80
70
de salid
90
lOullHzl
HZ
frecuencia de
conmutacin
del
f,lKHZ)
...Y.l
Vd
(Tensin media
normalizada
l.
2,5
1,5
No lineal
0,5
Is = mi fout
.Is = SO.30
= 1,5 KHz
frecuenClil
desahdd
10
20
30
bl MARGEN
O.S
1M
DE VARIACION
110
0-100
90
100
loullHll
'-lZ
j~CT;
40506010
dB
Quasi cuadrada
-20
}
1,
m!;-
-40
()u/
60
nO de armnico
1
3" 5
1113
1719
23 25
al
dB
PWM de 15 impulsos
O
-20
-40
-60
nO de armnico
1357111315171921-2325
b)
dB
PWM de 21 impulsos
O
-20
040
-60
nO de armnico
1357
1113
el
171921~2325
; Portadora suprimida
ITP-PARANINFO
Da
Entrada
"KM
Frecuencia.
conmutacin
"f." (KHz)
Anchura del
Impulso.
dIIparo (ma)
BAJA
2IfOCT
ALTA
4/foCT
Ser la seal de control (V control) obtenida a la salida del regulador de velocidad proporcional-integral la que controle la fre.Vd
KAI
220V
KA2
KB
KA3
CROWBAR
+Vcc=
5.7.1.4.2. Simulacin de
la tensin media
de salida VAV
La seal "VAV" es una tensin
digital cuya forma de onda simula
el valor medio esperado de la tensin entre fases en la salida del
inversor. Sin embargo, excluye el
efecto del retraso intercalado fijado
por las entradas "OCT" y "K" Y
adems no depende del estado de
la entrada "L". La frecuencia de
ITP-PARANINFO
FILTRO
~
+ 12V
+Vl=+12V
FUENTE DE
ALIMENTACiN
+V2=+12V
+V3=+12V
+V4=+12V
+VS:;;+5V
P1
r ~ 100 --
V Olx
2'r'
ti V
=
d
V .
Olax- 18 6 V
100
'
V2
p)
1840
Olax=-.l!..L
= 52 56 Q
'
V.nx
C=--2IRti Vd
311
=3.100J..lF
2'50'52,56'18,6
Generalmente, en los modernos equipos de regulacin utilizados hoy en da en la industria, la tensin de alimentacin del
rectificador (previo al inversor) se toma a partir de una red
monofsica de 220V, o bien trifsica de 220, 380 o 460V.
"bo:=[}J
FUSIBLE
KA1
PUENTE RECTIFICADOR
25 A
r----------------~
R1 150 Q (70W)
I
I
I
L 1,5 mH
I
I
,,
.tF
+Vd
o_:-~
I
I
'KA2
C1=C2=C3=1.000
220 V
,220 V
_______________
eI
1M
KA3
Vsus
I
I
C1
C2
C3
R5
I
I
I
I
I
R4
I
I
---------------~----------------------~
15K
R2
270Q
(35W)
VI
01
BTV58
P1
1K
OV
ITP-PARANINFO
=
descarga
5 . 't = 5 . R . e
2
descarga =
5 .e
266 Q
rectificador + filtro.
En la prctica se podr R2=270
El valor medio de la tensin de salida Vd se obtiene de la
forma:
n (35W).
306
110-4.5.2.50
Vd
IIOA'/dc'2j
'" 1,4 mH
Este tipo de filtro posee la ventaja adicional de que los diodos del puente conducen continuamente, lo cual reduce sus
necesidades de corriente directa de pico. En la prctica se
pondr L= 1,5mH, con lo cual se asegura dicha conduccin.
Con el fin de que los condensadores C" C2 y C) no se carguen instantneamente en el momento de activarse el contactor
KA (se activa a travs del circuito de marcha-paro), se coloca en
serie una resistencia R1 encargada de limitar la corriente que circula por los diodos en los instantes iniciales.
carga (80%)
=4't=4Re
=
I
R -
t
carga (80%)
4. e
166Q
= __
I
wrga(80%)
I
2
-e,v
d
_ 2
~ 70 W
t car'~1(80%)
Puesto que la potencia que disipa la resistencia en el momento de la carga (puesta en marcha) es considerable, en la prctica
se colocar una resistencia de 150 n y 70W.
Por el contrario, cuando se desconecta el sistema de la red
(KA desactivado), los condensadores del filtro comienzan a descargarse. Para facilitar dicha descarga se coloca, al igual que
suceda en la carga, una resistencia R2 que entre en funcionamiento una vez que se pare el sistema (figura 5.19).
Suponiendo ahora un tiempo de descarga de cuatro segundos:
ITP-PARANlNFO
OV
Figura 5.21. Resistencia de frenado (crowbar).
V
= ---'
R4+ Rs
Rs
RS
4~15Kr.
Vd- VBUS
BUS
BUS DE CONTINUA
+Vd
+V4=+12 V
R4
1M
R3
lK5
VBUS
(90W)
C2
C3
R5
15K
Cl
Pl
lK
OV
A continuacin se realizar el anlisis del circuito comparador fijando una tensin de referencia "U1"de 2,5Y (LM335). Su
caracteJstica de transferencia ser la indicada en la figura 5.23.
/z.c
0,25
L..- ...
Vs
-=:)1
OB+/"l
OC~+
DB+
DA+
J ~
+Vd
DC+
, iC
O
OA~) ~
OB~/
:.;I;: DA
~----
:~
t~
QO )
DB
DC
(rt
... "
\(j:VW
M~Q"
3-
L-OV
ITP-PARANlNFO
I/="3'
VA
VAN-
3' (V8A
V8N-
3' (VAN-
- VCN)
1/="3'
V8
VCN)
Vc" =
V8N)
VAlJ==
(j'TI)
-6- 'sen [(j'
4'V
~.cos
} 1,3,5... }
"6TI)]
tl
:.~d.COS
VAc=j_Hs
~.~d,COS(
(j~T[)
.sen[j.(
j~T[) 'sen[j.(
w t- ;)]
7_~TI_)]
w.t __
De las tres ecuaciones anteriores se deduce que, en los voltajes lnea a lnea, los armnicos mltiplos de tres (j=3,9,15 ...) son
cero. El voltaje (rms) lnea a lnea "V LL" se puede determinar a
partir de:
tO.
12
tl
13
14
.5
2r3
2.
J
2
T[
2 d(wt)
d
LLj
(_jT[_)
=_4_._V_d_.COS
j'T['-f2
Para j= I se obtiene:
VBn
2/3Vd
1/3Vd
-1/3Vd
-2/3Vd
VAB
=V
A"
=V
8"
c"
VI L'2
=_-_=_v_"V
v
3
,
\
,
~0471'V
d'
+Vd
Vd
donde:
<Pj=tag
ITP-PARANINFO
-1
w,
( j. -R-
L)
VAN
VBN
VAB=VAN-VBN
Figura 5.26. Formas de onda (PWM)en diferentes puntos del puente inversor.
VAN
(mx)=
1M'
Por tanto, el voltaje eficaz (rms) de la componente fundamental, con un desfase de 120 o entre fases, para IM< 1, ser de
la forma:
VLLI (rms)
{J .[VAN(mx)1
{I
=~'I
M'
Vd~ O,612'IM'
Vd
2'{I
VAN
la recuperacin del
diodo inverso
VCN
-+------..
Conducen:
QA-,OB-,OC-
'--';~;-------------+------.l.t
Condu~n:
uA-(B+.OC+
de un motor trifsico.
ITpPARANlNFO
~
QI
-c:I
+Vd
VDS
+Vd
VDS
I
E
OA+
DA+
~t
iD
O" = 4 C
1" = 25A
:aj
iA
A
~
a)
~
QI
-c:I
DA-
av
VDS
VDS
VDSsat
VDSsat
:
av
Perodo "t1"
Perodo "tO"
iD
i.
DA+
iD
iD
~
+Vd
+Vd
IRG=1211
OA+
OA+
DA+
DA+
DA-
DA-
di
av
av
Perodo "t2"
Perodo "t3"
VDS (QA+)
"t
ITP-PARANlNFO
+Vd
VDS (QA-)
iA
lit
to
OA+
I,{
"1"
~
DA+
VGS (QA+)
1 ~
t2
"1"
OA+ ,OA+ I
t3
OA+
I
I
Vth
~ t
el
c:
:52
{2'P'/I/
{21840.1.2
187{3
/ \(lllX)------1.2
VLU(rm.,)-{3
3311
100
V,F Vlllx
- --2-=
100
311 -
-2--=
306 V
. ~I
V
2
.~d
ANlllax, M
-J3
VLLI(.)~~VAN
/111_\
-vL
{3
'IM'V/~0,612'IM'V/~
2 --f2
(
.' ~ __
nldX!
CIRCUITO
~.p
1,\
187V
11/11
9,64A
1.2 - 3.06 A
(11I('(/io)
El MOSFET a utilizar se elige tomando como base sus caractersticas ms imponantes tanto de tensin como de corriente.
En este caso se ha optado por ellRF 350, pero podra haber sido
perfectamente otro elemento de caractersticas superiores.
EXCITADOR
IRr3S0
OB'
1
OV,
0'2
(U)
-l.
'DOO
ll~n50
-K:
(,)
(w)
IRFl50
oc-
OB-
..
Figura 5.31. Aislamiento de la seal de control. Circuito excitador.
ITP-PARANlNFO
La red integradora formada por R7 y C3 se encarga de producir un nuevo retardo en el encendido del LEO OJ, o lo que es lo
mismo un "uno lgico" en la entrada "L" (E ABLE) del Cl.
HEF 4752. Una vez que est el motor en marcha, si se pulsa de
nuevo el pulsador M, debido a que Q2 se encuenU'a saturado, a
la salida de UJA habr un "cero lgico" y el biestable R-S no
sufrir variacin alguna.
donde <:X.:zP
es2 la parte til del potencimetro P2.
El bloque "U 1" est formado por dos biestables R-S (cambio
por nivel) construidos a partir de puel1as NAND con histresis,
h !)
~
12V
280l!
Kal
01
{BC547B)
l .u :
liD
-~
R4;
R3
33K
-8
__ J_U14093
U~~~_3.
~~U3A
U3B
----1.o
D
-..... U1A
--r
RI
6K8
L_
-----
R9
UIC"::J~'O'
1; _
~_tt!~
01
1~~O+0=(J
A13
--,
CI
47"'
e7
100nF
4K7
6K8
R15
lOOK
R2o-~+12V
ITP-PARANlNFO
Kb
- o-
04
(se
5478)
100 nF
U2 40106
Rwt1
06
R17
10K
-X (HEF 4752)
--------,
+12V
280n \
RI6
_J
150 nF
12V
c=J-
6K8
C4
e2
:6.
05,
6K8
02
lN4007
15K
.. ----------------------
~ 1
lineal: referenCia de
velocidad
L(ENABLE)
I
I
-----l-
referencia "Y re/' que puede variar entre IOY, segn el motor
gire en un sentido u otro (figura 5.33).
I
I
I
-------+--
~ 1
I
I
VN
~ 1
Vx
-1
cw
10
11
13 14
12
10nf
121/
VN
-121/
-121/
CW
(H[C4752)
I
I
U6 4093 I
I
I
L
I
15
L (H[C4752)
ITP-PARANlNFO
VX
Pl
R1
100K
E=VN
dt
C4'(Rg+
RJO)
10K
R2
siendo: V X
V2- Vy
Cl.3P3+Rg
'Rg y
CJ.3P3
-ev '
741
a)
R2
R1
V'CT[Vcontrol)
b)
REGULADOR
v,
0-
PI
O
O
REGULADOR
DE
DE
INTENSIDAD
VELOCIDAD
'v
V'CT[Vcontrol)
10K
.-.
Vcontrol
PI
';
ACONDICIONADOR
DE INTENSIDAD
CIRCUITO DE PROTECCiN
DE SOBRECORRIENTES rol
ACONDICIONADOR
DE VELOCIDAD
ENCODER
(1,1
Por otra parte, si se desea realizar una regulacin de velocidad y de intensidad simultneamente, ser necesario incorporar
un bloque acondicionador de seal as como el regulador de
intensidad (PI), tal y como se muestra en la figura 5.36.
ITP-PARANlNFO
de "IR"
En los sistemas de accionamiento por variacin de frecuencia, el motor arranca con una frecuencia baja y es llevado a la
velocidad de funcionamiento deseada con un progresivo aumento de la frecuencia y una tensin proporcional a ella. De esta
El valor de la tensin aplicada para una determinada frecuencia de entrada (fl) vendr determinada por la frecuencia de reloj
VCT, de tal forma que, si se reduce la frecuencia de ste, aumentar la tensin aplicada, mientras que un aumento de la misma
tendr el efecto contrario.
f;;(B
P4
~UK
c--C:? .
R6
2='\-,,,F
jv >
P
V <
P
Iv) = VA <O =
IvN 1= VA >0 =
DI Conduce
O No conduce
I
Pendiente
controlada
Pendiente controlada
Vl
la
En este caso, la tensin nominal entregada al motor depender de V P), mientras que si DI conduce depender de la suma
de ambas (V P)+VA)' De aqu se deduce que para pequeos
valores de V (pequeas velocidades de giro), VVCT=f(VN);
mientras que para valores superiores a V PI la salida depende
solamente de VP).
Por ltimo, se debe evitar que VPI> VP3' pues ello supondra que para determinados valores de V'N la salida (V VCT)
fuese negativa, con lo cual el sistema no funcionara.
de impulsos PWM
---~~~~~~---
R7
33"
VA
Iv NI,
;"
c:::J
'"'lO
~ I\"
fout
por P1
por P2
fout
por P3
fout
Este reloj determina la frecuencia del estatal' (fl), controlando, por tanto, la velocidad del motor. Para la obtencin de dicha
frecuencia (fFCT)se ha optado por un oscilador controlado por
tensin "U)" cuya frecuencia de oscilacin viene dada por la
siguiente expresin:
/TPPARANINFO
+12V
'6
U2
Rl
OCM2
2B
+VCc
OCMl
26
VAV
fRCT
RCT
"
4046
Cl
CW
24
220pF
Pl
OCT
10K
Ul
22
OBMl
21
OBM2
+Vcc
HEF
OAMl
4752VP
+12V
CSP
'B
OAM2
16
FCT
vFCT
"
"
"
fFCT
U3
330pF
"
4046
16
VCT
17
fVCT
16
C3
15
VVCT
.f~-CT(mn)
[VFCT= O] = R2'(Cz+32pF)
fFCT(mx) [VFCT=
Vcd
= a;.'P2.(+32PF)
+frC1(1111n)
0,624 Vd
0,624 310 V
fm, (1M= 1)=fjy . --= 50 Hz ---VN
200 V
El valor nominal de la frecuencia fvCT(N) ser:
.f~crCN) = 6720J;"aC1M=I)
f -f 0111-
I -
.f~CT
-f
- .f~CT(l11n) l Hz
3.360 ~. olll(mn)
- (mn)-
3.360
::::
En la prctica ser necesario ajustar el valor del potencimetro P2 con el fin de que cuando la seal VFCTsea mxima, la frecuencia de salida mxima del inversor fout(mx)"'" 100 Hz; es
decir el doble de la frecuencia nominal del motor.
ITP-PARANINFO
= 44 Hz
= 295.680 Hz
~ 0,5 'fvcr(N)
~ 147.840 Hz
fRcr
!s(mx)~ 280
En el caso de que fRCT=280KHz, se obtiene fs(mx)=
1KHz.
Suponiendo que se trabaja a la frecuencia de salida con el
100 % de modulacin (fout =44 Hz):
mf='
margen de frecuencias de salida (fout) y la componente fundamental de salida ser ms senoidal (V 1)' Sin embargo, el valor
eficaz (rms) de la tensin de salida disminuir.
Por su parte la frecuencia de oscilacin"fRcT(U2) vale en este
caso:
Principio de funcionamiento
Para detectar el nmero de vueltas a las que est girando el
motor se utilizar un sistema de deteccin opto-electrnico y de
transmisin por "fibra ptica" mediante el cual no existe ningn
tipo de conexin entre el fotodetector y el eje del motor (figura
5.42). La deteccin del nmero de vueltas, se produce mediante
un "haz fotnico" que al ser cortado o refractado (franja blanca
en el eje), llega al receptor que la capta y la transforma para que
pueda ser interpretada y traducida a revoluciones por minuto.
MARCA
I1
VQA-
Tretraso
11
I
I
D_i
------,
~~
11
1D_i__ ~..
V2 (fgiro)
9 -+ 12V
Partiendo de la tabla 5.4 se calcularn cada uno de estos tiempos, para valores de fRCT=foCT=280KHz,de tal forma que:
cp
+5V
. t
Figura 5.42.
En el supuesto de un motor que gira a una velocidad n=I.2oo
r.p.m.(20 r.p.s.), el lector de fibra ptica leer una frecuencia de
giro (fgiro) de 20 Hz, puesto que en un segundo ha ledo 20
impulsos. Ni que decir tiene que si la velocidad aumenta la frecuencia de giro tambin aumentar. En este caso para una frecuencia de giro de 20Hz le corresponder una frecuencia de alimentacin del motor (fl), suponiendo un deslizamiento del 2%
con dos pares de polos (p=2), de valor:
ni
n
=--=
1224 rp.m.
1- S
n 'p
1=_1
1
-=
40,SHz.
60
:,rRi
"
U2
4047
"
OAMl
13
OBM 1
o-----~L-
11
Ul
1o
40174
OBM2
OCM2
9
02
OAM2
"
d5
14
00.0410--
OA1
7
15
--o
OA2
--~~___-o 081
082
04
-.?~OCl
06
- -
-o
oe2
12
ITP-PARANINFO
ENCOGER
U24040
U14046
fgiro
J'~
14
f2
= 50 m
fglro
I
TA = _.
Te = T - TA = 42 m
T=8m
R4
T C2 O R21-J..
C3T
-
_.L_
C4
601
ni = -- 1 = 3000 r.p.m.
Visualizador
= ni . (l-S) = 2940
f..
= -60 = 49 Hz
/, = --------CTR22,u2P2(R21+1)-ln
390
U5
74C926
.5
fgiro
u,
U2
R3
33K
4046
~O~O
RA.
lOK
e .
CJ
IOnF"~
I:p.m.
. g/m
R13 220
~1.uF"
ITP-PARANINFO
EJco
R3
T = --
11
t..r = 6,28 cm
-J
POR 128
l___
I
L = 2 .
=}
1,92 Hz ~.f~-:;.10,97 Hz
.
Si
n = 1.200 /p.m. =;f.'m = 20 H~ =; 12= 2.560 H~ =;11= j~ = 2, 13 H~
"
n
C5
+12V
Al igual que suceda en la regulacin de C.C.,para poder realizar la regulacin en lazo cerrado se necesita disponer de una
tensin de referencia "-ev" proporcional a la velocidad de giro
del motor. Dado que el margen de variacin de la velocidad del
motor est comprendido entre cero y el doble de su velocidad
nominal, el margen de la tensin de velocidad deber estar comprendida entre cero y Iay aproximadamente, coincidiendo con
el margen de variacin del circuito de referencia de velocidad
(Y N)' Adems, dicha tensin (-ev) ha de tener signo contrario a
Y N (negativa), que en este caso siempre ser positiva.
Se trata pues, de convertir la frecuencia "f2", que es proporcional a la frecuencia de giro (f2=128fgiro), mediante un convertidor frecuencia tensin (U 1) , en la tensin de referencia deseada. De esta forma se obtiene a la salida una tensin (-ev)'
proporcional a la velocidad del motor (figura 5.46).
Para disminuir el nivel de ruido, as como para conseguir la
polaridad adecuada y facilitar el ajuste de la seal, se colocar
un filtro activo (U2) y un amplificador de ganancia variable
(U3S)' El valor de la constante "Kv" del convertidor se puede
obtener a partir de la expresin:
=
V 1-
12
Kv
10nF
R8220K
R12
P2
C2
U1
Ji'
LM 331
Cl
12
o---J
-12V
1/2 TL 082
470pF
ITP-PARANlNFO
deleclllda
lnomin,,1
10nF
R2 10K
P1 500 K
HA 03052
R1
+12V
10K
VHall
-12V
R3
Seal
Vcont,ol
Seal de
-'
1/1$
VAN(QA+)
wl
VBN(QB+)
wl
VAB=VAN-VBN
ITP-PARANINFO
(ue%\\ot\e%
.,
l\e t\u\oe~a\uat\ot\
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
.:.
asncrono de induccin.
3. En qu consiste la variacin de velocidad por
modulacin de anchura de impulsos (PWM)?
.:.
.:.
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