Universidad Tecnolgica Nacional Facultad Regional Crdoba

Electrnica de Potencia

Bongiovanni P., Cosiansi F., Sans M., Vassia G.

T.P.N1: Tiempo de recuperacin en inversa del diodo

Con la implementacin del circuito bsico siguiente, realizamos las mediciones
de tiempo de recuperacin en inversa (trr) de tres diodos (1N5408, MUR160,
1N4148). Donde le inyectamos una seal de tipo cuadrada, con una frecuencia
fija de 100 Hz y amplitudes variables, para observar como se comporta el
dispositivo y extraer conclusiones.
XSC1
G
T
A

D1
2
1

V1

R1
100

Procedimiento
Como se mencion anteriormente, consiste en la implementacin del circuito
para los diodos: 1N5408, MUR160, 1N4148.
Donde inyectamos una seal del tipo cuadrada con una frecuencia fija de 100
Hz y con las siguientes amplitudes:

Tensin de alimentacin +5V / -0V.

Tensin de alimentacin +5V / -2V.
Tensin de alimentacin +10V / -0V.
Tensin de alimentacin +10V / -2V.

Como el tiempo de recuperacin en inversa se mide entre el momento en que

la corriente (previamente polarizada a IF) pasa por cero, en el flanco
descendente, y el momento en que la corriente inversa alcanza un valor menor
al 10% de la corriente pico inversa mxima. Entonces medimos con un
osciloscopio digital la forma de onda en R1, centrndonos en el flanco
descendente.
De manera que calculamos el 10% del pico mximo de la tensin inversa en
R1:
V = V p . 10%
R1

Colocamos los cursores en tensin en el valor obtenido, cambiamos los

cursores a tiempo y medimos el tiempo transcurrido desde que la tensin
pasa por cero hasta VR1.
Entonces:

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Tensin de alimentacin +5V / -0V:

Diodo 1N5408:
V = V . 10%
R1 p
V

R1

= ( 144mV )10% = 14,4mV

Medimos :
t = 7,32 seg

Diodo MUR160:
V

R1

= ( 480mV )10% = 48mV

Medimos :
t = 340nseg

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Diodo 1N4148:
Como observamos en la figura fue
imposible medir un t.

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Tensin de alimentacin +5V / -2V:

Diodo 1N5408:
V = V . 10%
R1 p
V

R1

= ( 720mV )10% = 72mV

Medimos :
t = 3, 64 seg
Diodo MUR160:
V

R1

= ( 688mV )10% = 68,8mV

Medimos :
t = 240,3nseg

Diodo 1N4148:
Como observamos en la figura fue
imposible medir un t.

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Tensin de alimentacin +10V / -0V:

Diodo 1N5408:
V = V . 10%
R1 p
V

R1

= ( 430V )10% = 43mV

Medimos :
t = 25 seg

Diodo MUR160:
V

R1

= ( 240mV )10% = 24mV

Medimos :
t = 440nseg

Diodo 1N4148:

Como observamos en la figura fue

imposible medir un t.

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Bongiovanni P., Cosiansi F., Sans M., Vassia G.

Tensin de alimentacin +10V / -2V:

Diodo 1N5408:
V = V . 10%
R1 p
V

R1

= ( 1, 48V ) 25% = 148mV

Medimos :
t = 13,52 seg

Diodo MUR160:
V

R1

= ( 1, 64V )10% = 164mV

Medimos :
t = 196nseg

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Diodo 1N4148:
Como observamos en la figura fue
imposible medir un t.

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Clculo de Qrr

Se asume que trr = ta, ya que tb es muy pequeo comparado a ta, por lo tanto se
puede calcular Qrr, obteniendo el rea del triangul formada por trr y Irr.

1
Qrr = I rr trr
2
De esta forma obtenemos los siguientes valores de Qrr en funcin de trr:

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DIODO /
TEN
SI
N

Vi =+5 / - 0V

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Vi =+5 / - 2V

Vi =+10 / - 0V

Vi =+10 / - 2V

1N5408

trr =7,32s
Irr = -1,44mA
Qrr = 5,27nC

trr = 3,64ns
Irr = -7,2mA
Qrr = 13,1nC

trr = 25s
Irr = -4,3mA
Qrr = 54,75nC

trr = 13,52s
Irr = -14,8mA
Qrr = 100nC

MUR160

trr = 340ns
Irr = -4,8mA
Qrr = 816pC

trr = 240,3ns
Irr = -6,88mA
Qrr = 826,63pC

trr = 440ns
Irr = -2,4mA
Qrr = 528pC

trr = 196ns
Irr = -16,4mA
Qrr =1,6nC

1N4148

trr = --Irr = --Qrr = ---

trr = --Irr = --Qrr = ---

trr = --Irr = --Qrr = ---

trr = --Irr = --Qrr = ---

Conclusiones
Teniendo en cuanta las hojas de datos de los diodos:
De las grficas obtenidas y los valores de la tabla, deducimos que los
siguientes factores influyen en el Tiempo de recuperacin en inversa del diodo
(trr):

IF: Cuanto mayor sea, mayor ser trr. Esto se deba a que las cargas
almacenadas sern mayores.
VR: Cuanto mayor sea, menor ser trr. En este caso si la tensin inversa
es mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores
almacenados.
d(IF)/d(t): Cuanto menor sea esta pendiente, menor ser trr. No obstante
el aumento de esta pendiente aumentar el valor de la carga
almacenada Qrr. Esto producir mayores prdidas.
T: Cuanto mayor sea la temperatura, aumentar tanto trr como Qrr.

Por otro lado, comparando las hojas de datos de los diodos:

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1N5408

MUR160

Notamos que el diodo MUR160 respecto al diodo 1N5408, tiene mucho menor
trr y convendra su uso debido a que las prestaciones de corriente y tensin son
bastante parecidas.

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1N4148

Con respecto a este, result ser un diodo muy rpido en t rr, lo cual verifica que
es un muy buen diodo para requerimientos de alta velocidad.

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APNDICE A:

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Conceptos y definiciones para tener en cuenta o repasar:

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Si un diodo est polarizado en directa mediante una fuente de alimentacin de

valor VF y una resistencia R, y de una forma brusca se cambia el valor y el
sentido de una fuente de tensin a (-VR), el diodo evoluciona hacia inversa.
Dicha evolucin viene representada por un tiempo caracterstico denominado
tiempo de almacenamiento, que depende tanto del valor de la vida media de
los portadores minoritarios en las dos regiones de la unin, como de los niveles
de tensin VF y VR. La situacin provoca un movimiento de carga, en concreto,
hace que la carga de las zonas neutras empiece a menguar. El tiempo
necesario para eliminar la carga es finito, esto hace que la respuesta del diodo
en trminos de tensin no sea instantnea. Ts est generado por el
almacenamiento de carga en la regin de agotamiento de la unin y tf es
debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo semiconductor.

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