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Pre informe 4
Diseo de circuito auto polarizado
transistor BJT
04 de junio de 2014
FACULTAD DE INGENIERA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA
Introduccin
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Diseo.
Para comenzar con el diseo se debe de tener en cuenta los datos del
transistor a utilizar en el laboratorio que ser el transistor 2N2222A, del cual se
adjunta su hoja de caractersticas a continuacin en la Fig.1
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Ic2 = 75[mA] ;
Ic3 = 50[mA]
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(1)
Pcmax = Vce * Ic
(2)
(3)
De la malla de Ib se tiene:
Vbb = VRb + Vbe
(4)
De (3) se tiene:
VRc = 1.625 [v], pero VRc = Rc * Ic entonces:
Rc = 16.25 [], pero se utilizara una Rc = 22 [], por ser la que se encuentra
en paol.
La potencia disipada por la resistencia est dada por (5):
PRc = Rc * (Ic)^2
(5)
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(6)
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De (4) se tiene:
VRb = 1.4 [v], pero VRb = Rb * Ib entonces:
Rb = 1400 [], para este valor se ocupara un potencimetro de manera de
ajustar el valor que se desea.
De (6) se calcula la potencia disipada por la resistencia:
PRb = 0.00035 [w]
Se recomienda verificar en paol los valores dados en este pre informe ya que
los valores expuestos son totalmente tericos.