UT62256

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.100UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
O
W
WW .100Y
.TW
Y.C
WW .100Y.C M.TW
WW .100Rev.
M
.TW
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
M
W.1 Y.COGENERAL
OM
WW 00Y.CO .TW
W.1FEATURES
DESCRIPTION
W
C
W
.
W
W
W
W
.T
00
W
.T
00Y
W.1 Y.COM W
W.1 Y.COM W
OM
W
W.1 Access
W
C
.
W
W
W
35/70ns
(max.)
UT62256
is a 262,144-bit
W
.T
W
M.T
.100low power
100 The
00Y timeM:.T
M
.
O
1
W
.
O
W
C
.
power
CMOS
static random
W Low Y
C
Ymemory
.CO consumption:
WW access
.TW
WW .100Y.organized
.TW
1080bits. ItOM
WW Operating
.
.TW
00
: 60/40
mA (typical.)
as
32,768
words
by
is
M
1
W
M
.
W
.C
O
W
W
.CO .TW
(typical)
normal
using highWperformance,
W
00Y highM.TW
Y.C: 3mA.T
WW .100Yfabricated
1
0
WW Standby
.
0
M
1
2uA
reliability
technology. WW
.CO .TW
OM(typical) L-version WW
W.
.CO CMOS
Y
C
W
.
0
Y
W
W
W
0
0
Y
W
T
.
0
W
.T
(typical)
LL-version
00 1uAM
W.1 Y.COM W
W.1 Y.COM W
O supply
W
W.1 5VYpower
W
C
.
W
Single
The
UT62256
is
designed
for
high-speed
and
W
W
0
W
.T
W
M.T
.100 well
Mapplication.
.10low
O
W
M.T are TTL compatible
.100 and outputs
O
W
AllW
inputs
power
It
is
particularly
C
.
O
W
.C
Y
.C
WW .memory
WW .1suited
.TWback-up nonvolatile
100
00Y for battery
WW
M.T
Fully static
.TW
00Yoperation
M
O
1
W
M
.
O
W
Three
outputs
.CO .TW
WW .100Y.C M.TW
WW state
0Y.C M.TW
Y
WW application.
0
0
WData
1
0
.
1
.
retention
voltage
OM : 2V (min.)
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
Package 1: 0
28-pin
600 mil
The
operates from a single
0
W
M
.1 5V
.TPDIP
.1 UT62256
OM
W
.CO .TW
OM
WW are
W. 28-pin
C
.
Y
W
330
mil
SOP
power
supply
and
all
inputs
and
outputs
C
W
.
0
Y
W
W
W
0
0
Y
W
.T
0
W
.T
100 8x13.4mm
W.1 Y.COM W
fully
OM
W.1TTL compatible
OM STSOP
W
W.28-pin
C
.
W
C
W
.
Y
W
W
W
.T
W
M.T
.100
.TW
100
00Y
M
.
O
1
W
M
.
O
W
C
O DIAGRAM
W
.C
FUNCTIONAL
PIN CONFIGURATION
WW .100Y.
.TW
WW
.TW
00Y
0Y.C M
WW .10BLOCK
M
.TW
1
M
.
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
A4
Vcc
28
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW A14 00Y.C1 O .TW
C
.
W
W
W
Y
W
27
A3
W
A12
M
.1
WE
.T
00
WA7.1 Y.23COM 26W
WW 00Y.CO .T
W.1 Y.COM W
W
W
W
A13
A14
W
W .
.100 4 OM.T25
W.1 Y.COM
M.T
.100
A8
A6
W
VCC
O
W
W
C
.
A13
W
C
W
.
W
.
00
W A5 .100Y
ROW WW
0Y ARRAYM.TW
A9
5
0MEMORY
M.24T
W.1 Y.COM
.1ROW
O
W
A12
. WW512
O
W
C
S 512
COLUMNS
DECODER
.
23
6
W A11
W
W
Y.C
WWA4 .100Y
W
A7
.100
M22.T
OM
W
M.T VSS
.100
7
O
A3 W
C
OE
.
O
W
W
C
.
Y
W
C
.
W
.
0
Y
W
A6
W
0
WA2
WW .100Y
21 .T
A10
M
.108 0
W.1 Y.CO
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
20
9
A5
A1
Y
W
W
.TWCE
WW .100Y.C M.TW
.100
.10100
O
W
19M
O
W
I/O8
A0
A8
O
W
W
C
.
Y.C
W
W
0
Y
W
0
0
W
T
.
18
1
0
WW. ..10.0Y.C M.TW
11.1
.
I/O1
M I/O7
W
O
WW 00Y.C
W
C17O
.
W
C
12
W
.
Y
W
W
I/O6
I/O2
W
0
Y
W
T
I/O1 ..
.
0
W COLUMN.1I/O00
I/O
.T
W.1 Y
W.1 Y.16COM I/O5 W
... . CONTROL ..
13
I/O3
OM
W
W
W
C
.
W
W
.
W 14 .100 15 MI/O4
.T
WCOLUMNDECODER
.100
.TW
I/O8
00Y
Vss
1
W
M
.
O
W
O
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
W
O
W
PDIP/SOP
CE
LOGIC
W
W
Y.C
WW .100
WW 00Y.CO .TW
0
W
T
.
0
W
WE CONTROL
M
.1
W
.1
OM OE
A10 A9 A11 W
A2 W
A1 A0
WW 00Y.CO 28.TW A10 WW
C
1
.
W
Y
W
OE
W
.1
.T
00
2
W.1 Y.COM2726 W CE
WW
W.1 Y.COMA11
W
3
W
W
A9
W
I/O8
W
.T
00
W
.T
00
W.
4
A8
W.1 Y.CO25M W I/O7
PIN DESCRIPTION
W
W.1 Y.COM
W
W
W
W5
W
24
A13
W
M.T I/O6
.100
W
M.T 6
.100
O
23
W
WE
O
I/O5
W
C
.
W
C
W
Y 22
WW
SYMBOL
DESCRIPTION
0
W
T
.
0
I/O4
WW .100Y. Vcc M.TW7
1
M
.
A0 - A14
Address InputsWW
8
WW 00Y.C21O .TVss
UT62256
W
.CA14O .TW
Y
W
0
W
1
0
M
.
9
20
A12
I/O3
1
I/O1 - I/O8
Data Inputs/Outputs
M
.
O
W
O
W
I/O2
10 W
WW .100Y.19C
WW .100Y.A7C M.T
Chip Enable Input
CE
18
11
A6
I/O1
W
O
W
17
WW
Write Enable Input
A0
WW .100YA5.C M12.TW
WE
13
16
O
A4
A1
W
C
Output Enable Input
W
OE
WW .100A3Y.
14 .T
15
A2
M
O
W
VCC
Power Supply
C
.
W
Y
W
VSS
Ground
.100
W
WW
STSOP
____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025
.

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.100UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
OM MAXIMUM RATINGS*
WW 00Y.CO .TW
W.1ABSOLUTE
W
C
.
W
W
W
W
.T
00
W
M
.1
.T
00Y
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
W
RATING W.1 UNIT OM
.100 SYMBOL
100
M.T
.PARAMETER
OM
W
O
W
C
.
W
C
W -0.5 to +7.0
. Voltage.Twith
Y
WW .100YV.C M.TW
W
0
Y
W
T
Respect
to
V
V
.
SS
TERM
0
0
WW Terminal
1
0
M
.
O
W
OM
W.1 Y.CTemperature
CO
W
WW 00TY
Y.C
0 to +70 WW
W
0
A.
W
0
W
T
.
1
0
WW Operating
T
M.T
.
.
1
0
M
.
O
1
W
M
.
O
W
C

O
Storage
Temperature
T Y.C
-65 to +150
W
WW .100Y.
.TW
WW .100STG
.TW1
0Y.C M.TW
WWPower
M
0Dissipation
M
O
1
W
P
W
.
O
W D Y.C
.C
W
W
.CO .TW
WW mA
00Y
0
YCurrent
WW .1IOUT
TW
.
1
0
0
WW
M.T
.
DC Output
50
0
M
O
1
W
M
.
O
W
C
.
O
W
W
Y.C
WW .100Y
WW 0Temperature
W 10 sec0
WW Tsolder
.T260
0Y.C M.T(under
WSoldering
M.T
100
M
.
O
1
W
.
O
W
.C
W
*Stresses
than
those listedW
under Absolute
Ratings
cause
permanent damage
.CO
WWto the.1device.
WWgreater
.TW
00Y
0Y.Cmay M
Y
WMaximum
TW
.
0
0
W
T
M
.
1
0
.
O
1
W
M functional operation of W
. rating onlyOand
This is a W
stress
theW
device or anyC
other
in the .C
O conditions above those indicated
W
0Y
WW
W is not implied.
0Yto. the absolute
Yof.Cthis specification
W Exposure
TWmaximum rating
.
10for
0
0
WW sections
T
operational
conditions
M.T
.
.
1
0
M
.
O
1
W
M
.
O
W
C
W
extended
affect
.COdevice .reliability.
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
WWperiod.1may
TW
M
00Y
O
W
M
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
W
Y.C
WW .100Y.C M.TW
0
WWTABLE
T
.
TRUTH
0
O
W
O
W
OM
W.1
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O CE
WW 00Y.CO .TW
W
SUPPLY CURRENT
MODE
.CO .TW
WWI/O OPERATION
WE
OE
Y
W
W
0
W
0
WW .100Y.C M
T
M
.1
.
1
OM
Standby W
H
X
X WW. High - Z
ISB, ISB1 WW
.CO .TW
O
C
.
Y
C
W
.
0
Y
W
W
W
0
0
Y
W
T
W Disable
Output
L .T
H
H
ICC
.10 - Z OM.
W.1 Y.COM
.100
WHigh
OM
W
W
C
.
W
C
W
.
Y
W
W
ReadW
L .TWL
HW
DOUT
ICC
.T
M.T
.100
100
00Y
M
.
O
1
W
M
.
O
W
C
.
O
W
Write
X
L
Y
WW 00Y.C L .TW
.
WW DIN .100Y.C M.TW ICC W
.100
Note: H = VIH,W
L=VIL, X = .Don't
care.
OM
1
W
M
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
OM
W
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
C
=
5V10%,
TA
=
0
to
70)
(V
DC ELECTRICAL
CHARACTERISTICS
W
.
0
Y
W
CCW
W
0
WW .100Y
M.T
.100
W.1 Y.CO
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
W
W
Y.C TEST.T
W
00Y TYP.M.TMAX.
WW SYMBOL
.100
PARAMETER
UNIT
.1MIN.
O
W
M CONDITION
.100
O
W
O
W
W
C
.
Y.C
W
0
Input High Voltage
VCC
V W
0
WW .12.2
.T+0.5
1
00Y - M
WW .V1IH00Y.C M.TW
.
O
WW 00Y.C
Input Low Voltage WWVIL
- O
0.8W
V
.C
WW - 0.5
C
.
Y
W
W
0
Y
W
T
.
0
0
W
.T
W.1 Y
Input Leakage Current WILI.10 VSS V
W.-11 Y-.COM 1 W A
OMIN VCC
W
W
C
.
W
W
W
W ILO.100VYSS VI/O
TWCC
.100
.V
Output Leakage
- .1100 1.T
A
M
W
M
O
W
W
CO
Current
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
0Y.=V
IH or OE
WW .10CE
.TW= VIH
W
M
O
W
W
.CO = VIL.TW
WW .100
WW .100Y.C M.TW
WW .10or0YWE
Output High Voltage
VOHW IOH= - 1mA
2.4W - Y.CO
V
OM
WW
W
C
W
.
W
W
W
0
Y
W
T
.
WVOL I.OL
.1
.T
00
Output Low Voltage
- W.1-0
0.4
OM V
OM
WW
W 1 = 4mA
C
.
W
C
W
.
Y
W
W
W
Y
T
Operating Power
ICC
Cycle
time=Min,
- 35 W 60
W
.T
.100 100OM.mA
W.
.100
W40
OM= VIL ,. - 70
W
W
C
Supply Current
.
70
mA
W
C
II/O = 0mA
,
W
.
Y
W
W
CE
W
W
.T
W
00Y
.100 10 OMmA
W
M.T normal - WW
.1=V
1
Standby Power
ISB
O
W
C
.
CE
C
IH .
W
Y
WW
W
W
0
Y
W
T
.
0
0
W
T
.
1
Supply Current
.10CC-0.2VOM
- W
0.3
5 .COM
mA
ISB1
W.
WV
CE
.C
Y
W
W
0
Y
W
.TW
0
0
W
T
.
1
0
M
.
1
-L/-LL
3
mA
ISB
M
. IH
O
=V
W
CE W
O
.C
W
W
W
00Y A
0Y.C M.T-L
0-0.2V
- W 2 W.1100
ISB1 WCE V.CC
1
O
W
W1W 50
WW .100Y.C M.-LL
TW
A
O
W
C
W
WW .100Y.
M.T
O
W
WW .100Y.C
W
WW
____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
0Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.10UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
(TA=25,Wf=1.0MHz)
OM
WW 00Y.CO .TW
W.1CAPACITANCE
C
.
W
W
W
W
.T
00
W
.T
00Y
W.1 Y.COM W
W.1 Y.COM W
OM
W
W.1PARAMETER
W
C
.
W
W
SYMBOL
MIN.
MAX
W
.T
W
.100 UNIT OM.T
.TW
100
00Y
M
.
1
W
M
.
O
W
.C
WInput Capacitance
CIN Y.C
8W
pF
-W
W
.CO .TW
0Y
W
.TW
0
0
Y
W
T
.
1
0
0
WW Input/Output
M
.
1
0
M
.
O
1
W
M
.
Capacitance
C
10
pF
I/O
O W
WWcharacterization,
.CO .Tare
WW .100Y.C M.TW
Wguaranteed by
0Y.C but
Wdevice
TW
.
not
production tested.
0
WW Note.:1These
1
00Y parameters
M
.
OM
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
.T
W.1 Y.COM W
.100 CONDITIONS
ACWTEST
W.1 Y.COM W
OM
W
W
C
.
W
W
W
.T
W
M.T
.100
.TW
100
00Y
M
.
O
1
W
M
.
O
W
C
.
O
W
W
WW .100Y
Levels TW
3.0V
WW .100Y.C 0V to
.TW
0Y.C
WWInput.1Pulse
M.T
.
0
M
O
W
M
O
W
Input
Fall
5ns
O Times
W Rise and
W
WW .100Y.C M.TW
W
0Y.C1.5V M.TW
Y.C Timing
W
0
0
WW
T
.
1
0
Input and
Output
Reference
Levels
.
1
WW 00Y.CO .TW
W. LoadY.COM W
.CL O
WW 00YC
W
W
W
Output
=
100pF,
I
/I
=
-1mA/4mA
W
T
OH
OL
.
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
0
W
.T
1
0
W
M
.T
00
.1CC
OM , TA = 0 to 70)WW.
AC ELECTRICAL
W(V
= 5V10%
.CO .TW
OM
W.1 Y.CCHARACTERISTICS
C
.
Y
W
W
0
Y
W
W
W
0
W
W
M.T
.100
W.1 Y.COM W
M.T
.100
O
W
O
W
W
C
.
W
C
(1) READW
W
Y
W
.T
W
Y.
W
W CYCLE
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
PARAMETER
SYMBOL
UT62256-35
UT62256-70
UNIT
.
O
W
W
C
.
WW MIN..100Y
.TW MAX. W W.100Y OM.TW
WW .100Y.C M.TW
MAX. MMIN.
O
W
.C
O
W
W
W
.TW
Read Cycle
00Y
WW35 .100Y-.C M
70
ns
.TW 1
WWTime.100Y.C M.TW tRC
M
.
O
W
O
W
O
WTime
Address Access
- .TW 70
ns
WW .100Y.C M.T
0Y.C M
WW- .1035
WW .100Y.C M.TW tAA
O
Chip Enable Access
tACE
- W 35 .CO 70
ns WW
W TimeY.CO
Y.C
W
W
0
Y
W
W
.
W
0
0
W
T
.
0
0
W Access
Output Enable
- W.125
-M
35
ns
W.1 Y.COM
M.T tOE
.10Time
O
O
W
W
C
.
Y 10 .TWY.CZ
W
Chip Enable W
to W
Output in00Low
tCLZ*
10W
ns W
M
.100
.TW
M
.1-00
1
W
M
.
O
W
.CO
O
W
W
C
.
Y
W
Output Enable toW
Output in Low
Z
C
t
5
5
ns
OLZ*
W
.
0
Y
W
0
W
0Y
W
.TW
.100 - OM.T35
W.1 Y.CO
.in10High
Chip Disable to Output
ZCOM tCHZ*
W
25
ns
W
W
C
.
W
W
W 25.100Y TW ns W
0Y. Z Mt.OHZ*
TW
.100
Output Disable W
to Output.1in0High
M.35
O
W
O
W
O
W
W
C
.
Y.C
WW
.C
0
Y
W
W
W
0
0
Y
W
T
Output Hold fromW
Address
Change
.
t
5
5
ns
OH
1
0
0
T
.
.
0
M
.1
WW 00Y.C
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
W
.1
.T
00
(2) WRITE CYCLE
W.1 Y.COM W
WW 00Y
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
00
W
PARAMETER
UT62256-35
.1UT62256-70
W.1 Y
M.T
.100 SYMBOL
OM UNIT
W
O
W
W
C
.
W
C
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
W
Y
W
W
00
W
WW .100Y.
M.T
.100
W.1
M.T 35
O
W
O
W
W
Write Cycle Time
C
t
70
ns
.
WC
W
W
W
W
Y.C
WW .100Y
.100
M.T
W
Address Valid to End ofW
Write W.100 tAWOM.T 30
- WW
60
ns
O
W
C
Y.C
W
.TW
WW .100Yt.CW
Chip Enable to End of Write
.TW
30
-W
60
100 - OMns
.
W.1
M
W
O
W
W
C
.
W
C
W
.
Y
W
W
Address Set-up Time
t
0
0
ns
W
W
.T
00
W
.T
00YAS
W.
W.1 -Y.COM
OM 25
W
W.1 tWP
Write Pulse Width
50
ns
W
C
W
.
W
W
W
Y
W
00
W
M.T
W
Write Recovery Time
.10t0WR OM.T0
0 W.1 - .COns
W
W
C
W
.
Y
WW
W
W
0
Y
W
T
.
0
0
T
Data to Write Time Overlap W
.
t
20
30
ns
1
0DW
OM
W.
OM
W.1
Data Hold from End of Write Time
0 .TW W0W .1-00Y.Cns M.TW
WW .t1DH00Y.C M
O
Output Active from End of Write WW tOW*
5 WW - 0Y.C
nsO
Y.C 5 .TW W
0
0
W
1
0
.
.1
Write to Output in High Z
15
- WW
25
ns
O-M
WtWHZ*
.C
W
Y
W
*These parameters are guaranteed by device
characterization,
but
not
production
tested.
0
WW
T
.
0
1
OM
W.
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C
W
WW
_____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
0Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.10UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
00
M.T
W.1 Y.COM W
OWAVEFORMS
WW 00Y.CO .TW
W.1TIMING
W
C
.
W
W
W
Y
W
.T
W
.T
.100
100
W.1 Y.COM W
OM
W
OM 1 (Address Controlled)
W
W.READ
C
.
W
C
W
.
CYCLE
(1,2,4)
Y
W
W
W
.T
W
M.T
.100
.TW
100
00Y
M
.
O
1
W
M
.
O
W
C
O
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
M
O
W
O
W tRC
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
Address
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
W
.100
W.1 Y.COM W
M.T
.100
OM
W
O
W
W
C
t
.
W
AA
C
W
Y
W
.T
W
00
W
WW .100Y.
M.T
.100
W.1 Y.COM W
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
tOH W
tOH
WW .100Y
WW .100Y.C M
M.T
.100
.T
M.T
O
W
O
W
C
.
O
W
W
W
Y
W
WW .100Y.C Data
TW
.Valid
WW .100Y.C M.TW
M.T
.100
M
DOUT
O
W
O
W
C
O
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
M
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
O OE Controlled) (1,3,5,6)
W 2 ( Y.C
READ CYCLE
and
WW .100Y.C M.TW
W
WW .100Y.C M.TW
0
WW .10CE
T
.
O
W
O
W
OM
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
t
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
Address
WW 00Y.CO .T
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
00
W
W.1 Y.COM
M.T
.100 t
W.1 Y.COM W
O
W
W
W
C
.
W
.
W
00
W
WW .100Y
M.T
.100
W.1 Y.COM
M.T
CE
O
W
O
W
W
C
.
W
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
OM
W
O
W
t
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
C
W
.
0
Y
W
W
0
W
WW .100Y
M.T
.100
W.1 Y.CO
M.T
OE
O
W
O
W
W
C
.
W
W
Y
W
W
WW .100t Y.C M.TW
.100
M.T
.100
O
W
t
O
W
O
W
W
C
Y.C
W
0
W
0
WW t.100Y.
T
.
1
Wt W t .100Y.C M.TW
.
M
O
WW 00Y.C
W
Wt W 00Y.CO .THigh-Z
C
W
.
W
W
D
High-z
W
Y
W
W
.1
.T
1
00
WW 00Y
W.1 Y.COM W Data valid WW. 0Y.COM W
W
W
W
.T
W
.10
W.1 Y
M.T
.100
OM
W
O
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
W
00
W
WW .100Y.
Notes :
M.T
.100
W.1
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
1. WE is HIGH for read cycle.
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
.100
M
W
O
W
O
W
W=VIL. Y.C
2. Device is continuously selectedW
CE
W
WW .100Y.C M.TW
W
.1
.TW otherwise tAA
00with CE transition;
1
M
.
3. Address must be valid prior to or coincident
is the W
limiting parameter.
O
O
WW
W
C
.
W
C
W
.
Y
W
W
W
Y
W
.T
00
W
4. OE is LOW.
W.
M.T
.100
W.1 Y.COM W
O
W
W
W
C
.
W
W
5. tCLZ, tOLZ, tCHZ and tOHZ are specified
5pF. Transition
is measured 500mV
W from.1steady
00 state. M.T
W with.1C0L 0= tY
.TW
W
Mthan
tCLZ, tOHZ is less than tOLZ.
6. At any given temperature and voltage condition,
CHZ is less
O
W
O
W
W
C
W
Y.C
WW
W
0
W
T
.
0
WW .100Y.
T
.
1
OM
W.
OM
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
WW .100Y.C
WW .100Y.C M.TW
W
O
W
WW
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C
W
WW
RC

AA

ACE

OE

CHZ

CLZ

OHZ

OLZ

OH

OUT

_____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
0Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.10UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
CYCLE
W.1 Y.COM W
(1,2,3,5)
OM 1 ( WE Controlled)
WW 00Y.CO .TW
W.1WRITE
W
C
.
W
W
W
W
.T
00
W
M
.1
.T
00Y
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
W
.t1WC00
W.1 Y.COM W
M.T
.100
OM
W
O
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
WW Address
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
Y
W
Y.
W
W
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.100
tAW
100
M
.
O
W
O
W
C
O
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW CE.100Y.C M.TW
M
O
W
O
O
W
WW 00Y.C
WW .100Y.C M.TW
.TW
WW .100Y.C M.TW
tCWW
1
M
.
W
tWR
tO
WW 00Y.CO .TW
W
AS
.CO .T
WtWP
C
W
.
Y
W
W
W
0
Y
W
0
W
M
.1
.T
100
W.1 Y.COM W
WE W.
OM
WW 00Y.CO .TW
W
C
.
W
W
W
Y
W
.T
W
.100
W.1 Y.COM W
M.T
.100
OM tOW
W
tWHZ
High-Z
O
W
W
C
.
W
C
W
.
Y
W
.T
W
.T
WW .100Y
.100
.TW
100
M
.
OM
W
M
O
W
C
(4)
.
O
W
W
(4)
C
.
Y
W
DOUTW
.C
W
.TW
W
.TW
100
00Y
W
M
.
.TW
1
00Y
M
.
O
1
W
M
.
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW tDW.100Y.C tDH M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
WData Valid O
DIN
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
.T
00
W.1 Y.COM
W.1 Y.COM W
WRITE CYCLE W
2 (.1
OM (1,2,5)
W
CE Controlled)
W
C
.
W
W
W
.T
W
M.T
.100
.TW
100
00Y
M
.
O
1
W
M
.
O
W
C
.
O
W
WW .100Y
.
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW tWC
OM
W
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
OM
W
Address
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
C
W
.
0
Y
W
0
W
WW .100Y
.TW
M.T
.100
W.1 Y.CO
MtAW
O
W
O
W
W
C
.
W
W
Y
W
W
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
.100
O
W
CE
O
W
O
W
W
C
.
Y.C
W
W
.C
0
Y
W
W
W
0
0
Y
W
T
.
1
0
0
W
T
.
t
0
M
.1
tCW.
WW 00Y.C
W.1 Y.COM
WW t0WR0Y.CO .TW
W
W
W
W
W
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y
W.1 Y.COMtWP W
W
W
W
W
.T
W
.100
WE
W.1 Y
M.T
.100
OM
W
O
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
W
00
Y.
W
WW tWHZ
M.T
.100
W.1
M.T
.100
O
W
O
W
W
C
.
W
WW .100Y
High-Z
.TW
WW .100Y.C M.TW
.100
M
DOUT
W
O
W
O
W
W
(4)
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
.1
O
W
O
WW
W
C
.
W
C
t
t
W
.
DW
DH
Y
W
W
W
W
.T
00
W
.
.T
00Y
W.1 Y.COM W
WW
W.1 Y.COM W
W
DIN
W
W
W
.T
W
.100
W
Data Valid
M.T
.100
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
WW
W
0
W
T
.
0
WW .100Y.
T
.
1
OM
W.
OM
W
WW .100Y.C M.TW
Notes :
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
1. WE or CE must be HIGH during all address
W
Y.C
WW .100Y.C
0
WW transitions.
T
.
0
.1 a low WEO.M
W
2. A write occurs during the overlap of a low CEWand
W
W
Y.C
WW
0
W
T
.
0
1
3. During a WE controlled with write cycle with OE. LOW, tWP must
OMbe greater than tWHZ+tDW to allow the drivers
W
to turn off and data to be placed on the bus.
WW .100Y.C M.TW
4. During this period, I/O pins are in the output state,W
and input signals
.CO must not be applied.
W
Y
0
W
5. If the CE LOW transition occurs simultaneously
with or after WE LOW transition, the
0
W.1
W
outputs remain in a high impedance
state.
W
AS

6. tOW and

tWHZ are specified with CL = 5pF.

Transition is measured 500mV from steady state.

_____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
0Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.10UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM(TA W
= 0 to 70)
RETENTION
CHARACTERISTICS
OM
WW 00Y.CO .TW
W.1DATA
W
C
.
W
W
W
W
.T
00
W
.T
00Y
W.1 Y.COM W
W.1 Y.COM W
OM
W
W.1 YPARAMETER
W
C
.
W
W
SYMBOL
TEST
MIN. TYP..1MAX.
00 UNITM.T
W
.T
W
.TW
100CONDITION
00
M
.
O
1
W
M
.
O
W
O Retention
W Vcc for Data
C -0.2V TW
VDR W CE Y
2.0
V.CC
0Y.CV M.TW
WW - .15.5
0
0
W
.
0
WW .100Y.C M.TW
1
O
W
OM
W.
Data Retention
IDR
Vcc=3V
-L
O Current
W
0Y.CA M.TW
WW1 .50
0
WW .100Y.C M.TW
1
WW .100Y.C M.TW
O
WW20*00Y.ACO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
0.5
20
W
.1 A OM

.T
00
CEW
.1 VCC-0.2VOM - LL C
WW5* 00Y
W.1 Y.COM W
C
W
.
W
W
A.
Y
W
W
0
W
T
.
1
0
0
W
T
M.T
.
.
1
0
M
.
O
1
W
M
.
O
W
C
Chip
Disable
to
Data
t
See
Data
Retention
0
ns
CDR
.
O
W
W
WW .100Y
WW 00Time
0Y.C M.TW
Y.C
W
WRetention
M.T
.TW
Waveforms
10(below)
.
O
1
W
M
.
O
W
.C
O
W
WW Time
.TW
Recovery
-W ns
WtR
00Y
Y.C
WW .100Y.C M.TWtRC*
1
0
W
T
M
.
.
0
O
1
W
M
W.Cycle Time
tRC* =W
WW 00Y.CO .TW
Read
.CO .TW
WW .100Y.C M.TW
Y
W
0
W
1
0
M
.
* Those parameters
O
W
O
W
OMfor temperature below 40
W.1 are limited
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
OWAVEFORM
DATA W
RETENTION
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
Y
W
0
W
.1Mode OM
W.1 Y.COM W
M.T
.10
W
O
Data Retention
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
VCC W
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
Y
W
WW .100Y.
.TW
4.5V
WW .100Y.C4.5V M.TW
M.T
.100
M
O
W
O
W
C
.
O
W
.C
WW .100Y
V WW
2V
.TW
.TW
00Y
WW .100Y.C M.TW
M
1
M
.
O
W
O
W
W
tO
WW .100Y.C M.T
WW .100Y.C M.Tt W
CE
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO
W.1 Y.COM WCE V -0.2V
W
W
W
VSS
W
.T
00
W
W.1 Y.COM
M.T
.100
W.1 Y.COM W
O
W
W
W
C
.
W
W
.T
WW .100Y
.100
.TW
100
M
.
O
W
M
O
W
O
W
WW .100Y.C
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
W
O
W
O
W
WW .100Y.C
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
W
O
W
O
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
W
O
W
O
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
W
O
W
O
W
WW .100
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
00
W
.
.T
00
W.1 Y.COM W
WW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
W
.100
W
M.T
.100
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
WW
W
0
W
T
.
0
WW .100Y.
T
.
1
OM
W.
OM
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
WW .100Y.C
WW .100Y.C M.TW
W
O
W
WW
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C
W
WW
DR

CDR

CC

_____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
0Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.10UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
OM OUTLINE DIMENSION
WW 00Y.CO .TW
W.1PACKAGE
W
C
.
W
W
W
Y
W
.T
00
W
100
W.1 Y.COM W
M.T
OM
W.1Dimension
Omil
W
W.28
C
.
W
C
pinY600
PDIP
Package
Outline
W
.
Y
W
W
W
.T
W
M.T
.100
.TW
100
00
M
.
O
1
W
M
.
O
W
C
O
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
M
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
W
.100
W.1 Y.COM W
M.T
.100
OM
W
O
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
00
W
WW .100Y.
M.T
.100
W.1 Y.COM W
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
M.T
.100
M.T
O
W
O
W
C
.
O
W
W
W
Y
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.100
O
W
O
W
C
O
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
M
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .T
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
00
W
W.1 Y.COM
M.T
.100
W.1 Y.COM W
O
W
W
W
C
.
W
.
W
00
W
WW .100Y
M.T
.100
W.1 Y.COM
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
OM
W
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
C
W
.
0
Y
W
W
0
W
WW .100Y
M.T
.100
W.1 Y.CO
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
Y
W
W
W
WW .100Y.C
.100
UNIT
M.T
.100
O
W
M.T
MM(REF)
O
W
W
W
SYMBOL CO INCH(BASE)
C
.
Y.C
W
W
0
Y
W
W
0
0
W
T
.
1
0
0Y.
WW .10A1
T
.
. (MIN)
0.010
0.254 (MIN)
W.1 Y.COM W
OM
WW 00Y.C
W
W
C
.
W
W
W
0
Y
W
T
A2
0.1500.005
3.8100.127.10
.
W
00
W.1 Y
M.T
OM
W
W
W.1B Y.CO
C
.
0.020 (MAX)
0.508(MAX)
W
W
Y
W
W
W
.T
W
TW
.100
.(MAX)
100
00
M
.
1
W
B1
0.055
1.397(MAX)
M
.
O
W
O
W
.C
W
WW .100Y
.TW
(MAX) .100Y
WW c.100Y.C0.012M(MAX)
.TW 0.304W
M
O
O (MAX) 36.322 (MAX)
WW 00
WD
WW 00Y.C
1.430
W
W
W
W
T
.
WW E .100Y.C0.6 (TYP)
T
W.1
M.
15.24 (TYP) W.1
OM
O
W
W
C
.
W
C
W
.
W
W
0Y
W
WWE1 .100Y0.52 (MAX)
.1
M.T
M.T 13.208 (MAX)WW.10
O
O
WW
W
C
.
C
e
0.100
(TYP)
2.540(TYP)
W
.
Y
W
W
W
Y
W
.T
00
W eB .1000.625
.T 15.87 (MAX)
W.
(MAX)
W.1 Y.COM W
OM
W
W
W
C
.
W
W
W
0
W
0Y
WL
M.T
W
M.T 4.572(MAX) WW.10
.100.180(MAX)
O
O
W
C
.
C
SW
0.06Y(MAX)
1.524
(MAX)W
W
.
Y
WW
W
0
T
.
0
0
W
T
.
1
0
M
.
Q1
OM 2.032(MAX)
W.10.08(MAX)
WW 00Y.CO .TW
W
o Y.C
o
W
W
0
W
T
. 15 (MAX)
150 (MAX)

M
.1
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO
W
W
W
.T
00
W.1
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
M.T
.100
O
W
C
W
WW .100Y.
M.T
O
W
WW .100Y.C
W
WW
C

_____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
0Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.10UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.TSOP Package Outline
00
330
mil
OM
W.1 Dimension
OM
WW 00Y.CO .TW
W.128 pin
C
.
W
C
W
.
Y
W
W
W
W
.T
00
W
M
.1
.T
00Y
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
W
.100
W.1 Y.COM W
M.T
.100
OM
W
O
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
W
WW .100Y.
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
O
W
C
.
O
W
W
C
W
Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.100
M
O
W
O
W
C
O
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
M
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
00
W
W.1 Y.COM W
M.T
.100
W.1 Y.COM W
O
W
W
W
C
.
W
.T
W
.T
WW .100Y
.100
.TW
100
M
.
OM
W
M
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
W
.TW
W
.TW
100
00Y
WW .100Y.C M.TW
M
.
1
M
.
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .T
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
00
W
W.1 Y.COM
M.T
.100
W.1 Y.COM W
O
W
W
W
C
.
W
.
W
00
W
WW .100Y
M.T
.100
W.1 Y.COM
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
OM
W
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
UNIT
C
W
.
0
Y
W
W
0
W MM(REF)
INCH(BASE)
WW .1SYMBOL
00Y
M.T
.100
W.1 Y.CO
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
Y
W
A.C
0.120
3.048 (MAX)
WW .100Y
.100
.TW(MAX) W
M.T
.100
O
W
O
W
A1 COM0.002(MIN)
0.05(MIN)
W
W
C
.
Y.C
W
W
0
Y
W
W
0
0
W
T
.
1
0
0Y.
WW .10A2
T
.
M
.1
0.0980.005
2.4890.127
M.
WW 00Y.C
W b Y.CO0.0016
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
(TYP)
0.406(TYP)
W
W
00
W.1 Y
M.T(TYP)
W.1 Y.COM W
W
W.1 c Y.CO
0.010
0.254(TYP)
W
W
W
W (MAX).100
.T
W
TW
.100
.(MAX)
00
M
D
0.728
18.491
1
W
M
.
O
W
O
W
.C
W
WW .100Y
(MAX)
.TW
00Y
WW E.100Y.C0.340M(MAX)
.TW 8.636W
1
M
.
O
WW 00
W
B
E1
WW 00Y.C
11.8110.305
CO
W
W
W
W
T
.
WW e .100Y.0.4650.012
T
.
W.1
M
0.050
(TYP)
1.270(TYP) W.1
OM
O
W
W
C
.
W
C
W
.
W
W
0Y
W
WW L .100Y0.05 (MAX)
.1
M.T
C
M.T 1.270 (MAX)WW.10
O
O
WW
W
C
.
C
W
.
L1
0.203
Y
W
W
0.0670.008
1.702
W
W
.T
W
.T
100
00Y (MAX)
W.
OM
S W.1 0.047
1.194 (MAX) WW.
OM
W
C
.
C
W
.
Y
W
W
W
W
.T
0Y
Wy
E
.100
W
M.T 0.076(MAX)
.100.003(MAX)
OM
W
O
W
C
o
o
o
o
.
W
C
W
.
Y
WW
W
W
10
10
0
Y
0
0
W
T
.
0
0
W
T
.
1
0
OM
W.
OM
W.1
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
WW .100Y.C
WW .100Y.C M.TW
W
O
W
WW
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C
W
WW
_____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
0Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.10UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
W
O
WW 00Y.CO .TW
W
.CO Dimension
W
C
W
.
Y
W
W
W
0
Y
W
T
28
pin
8mmx13.4mm
STSOP
Package
Outline
.
0
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
00
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
W
.100
W.1 Y.COM W
M.T
.100
OM
W
O
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
W
WW .100Y.
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
O
W
C
.
O
W
W
C
W
Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.100
M
O
W
O
W
C
O
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
M
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .TW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
00
W
W.1 Y.COM W
M.T
.100
W.1 Y.COM W
O
W
W
W
C
.
W
.T
W
.T
WW .100Y
.100
.TW
100
M
.
OM
W
M
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
W
.TW
W
.TW
100
00Y
WW .100Y.C M.TW
M
.
1
M
.
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y.CO .T
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
00
W
W.1 Y.COM
M.T
.100
W.1 Y.COM W
O
W
W
W
C
.
W
.
W
00
W
WW .100Y
M.T
.100
W.1 Y.COM
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
OM
W
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
C
W
.
0
Y
W
W
0
W
WW .100Y
M.T
.100
W.1 Y.CO
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
Y
W
W
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
.100
O
W
O
W
O
W
W
C
Y.C
W
0
W
0
WW .100Y.
T
.
1
WW .100Y.C M.TW
.
M
O
WW 00Y.C
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
.1
.T
00
UNIT
OM
W.1 Y.CMM(REF)
INCH(BASE)
WW 00Y
W.1 Y.COM W
SYMBOL
W
W
W
W
W
.T
W
.100 1.20
A
0.047 W
(MAX)
(MAX)
W.1 Y
M.T
.100
OM
O
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
W
00
W
0.0040.002
WW .100Y.
M.T
.100 0.100.05
W.1
M.T A1
O
W
O
W
W
C
.
W
0.0390.002
WW .100Y1.000.05
.TW
WW .100Y.C M.TWA2
.100
M
W
O
W
b
0.006
(TYP)
0.15(TYP)
O
W
W
W
0Y.C M.TW
WW
WW .100Y.C M.TW
.1
100.254(TYP)
c
0.010
(TYP)
.
O
W
O
WW
W
C
.
W
C
W
.
Y
W
W
Db
Note
W
0
0.4650.004
W
.T
011.800.10
W
.
.T
00Y 2
OM
W.1 8.000.10
E dimension is not including end
flash
WW
W.1 Y.COM E W 0.3150.004
C
.
W
W
Y
W
W
W
.T
00
W is .100
the total of both sides end flash
W
M.eT
0.022 (TYP) W.10.55(TYP)
OM
O
W
C
.
W
C
W
.
Y
WW
not above 0.3mm.
W 0.5280.008
0
W
T
.
0
WW .100Y
T
D
.
13.400.20
1
2
OM
W.
OM
W
Y.C
0
WW 0.500.10
.TW
0
WW .12 00Y.C LM.TW 0.0200.004
1
M
.
O
W
2
OL1
W
0.03150.004 W 0.800.10
.C
00Y
WW .100Y.C y M.TW0.08(MAX)W 0.003(MAX)
1
.
O
W 5
WW
WW .100Y.C M.TW 0o5o W 0o5o
O
W
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C
W
WW
_____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025
.

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
0Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.10UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
OM INFORMATION
WW 00Y.CO .TW
W.1ORDERING
W
C
.
W
W
W
W
.T
00
W
.T
00Y
W.1 Y.COM W
W.1 Y.COM W
OMNO.
W
W.1 Y.PART
W
C
W
ACCESS
TIME
STANDBY
CURRENT
PACKAGE
W
W
.T
W
M.T
.100
.TW
100
00
M
.
O
1
W
M
.
O
W
(ns)
C
W
.C (A)
W
.CO .TW
WW .100Y.
.TW
W
.TW
00Y
WW .UT62256PC-70
M
1
00Y
70
5
mA
28PIN
PDIP
M
.
O
1
W
M
O
W
.C
O
W
W
WW PDIP
70
28PIN
W
00Y
Y.C
WW .100Y.C100 M
TW
A
.
1
0
WW UT62256PC-70L
T
M.T
.
.
0
O
1
W
M
.
O
W
C
W
UT62256PC-70LL
70 W
28PIN
.C50 A .TW
.CO .TW
WWPDIP.100Y.
.TW
W
00Y 5 mA
WW UT62256SC-35
M
1
00Y
M
.
O
1
W
M
.
35
28PIN
SOP
O
W
.C
O
W
W
.C
WW
W
00Y
Y.C
WW .100Y100
TW
.
1
0
WWUT62256SC-35L
T
35
28PIN
SOP
M.T
.
A
.
0

M
O
1
W
M
.
O
W
C
.
O
W
W
W
.C
Y
W
.C
WSOP
UT62256SC-35LL
28PIN
.TW
WW
M.T
.100
.TW 35 W W.100Y50 A
00Y
M
O
1
W
M
.
O
.C
W
UT62256SC-70
5 mA
28PIN SOP
WW 00Y.CO .TW 70
.TW
00Y
WW .100Y.C M.TW 28PINW
1
WUT62256SC-70L
M
.
70
SOP
O
1
100
A
W
M
.
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW 70
0Y.C
WW .1050
TW 28PIN SOP
.
UT62256SC-70LL
A
W
M
O
W
O
W
OM
W.1
UT62256LS-35L
W 28PIN STSOP
YA.C
WW .100Y.C M.TW

0
WW 100
T
.
0
WW .100Y.C M.TW35
M
.1
UT62256LS-35LL
35
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 5000AY.CO .TW28PIN STSOP
C
.
W
W
W
Y
W
1
0
W
M
.1 A
UT62256LS-70L
100
M.T 70
.10
OM 28PIN STSOPWW.
W
.CO .TW
O
W
C
.
Y
W
C
W
.
0
Y
W
W
W
0
0
Y
W
T
. 28PIN STSOP W.1
UT62256LS-70LL
50 0A
W
M
.T70
00
W.1 Y.COM W
.CO .TW
W
W.1 Y.COM W
Y
W
0
W
W
0
W
.T
W
.100
W.1 Y.COM W
M.T
.100
OM
W
O
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
00
W
WW .100Y.
M.T
.100
W.1 Y.COM
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.100
M
O
W
O
W
C
.
O
W
WW .100Y
.
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
OM
W
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
W
WW .100Y
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
OM
W
O
W
C
.
O
W
W
C
.
Y
W
C
W
.
0
Y
W
W
0
W
WW .100Y
M.T
.100
W.1 Y.CO
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
W
Y
W
W
WW .100Y.C M.TW
.100
M.T
.100
O
W
O
W
O
W
W
C
Y.C
W
0
W
0
WW .100Y.
T
.
1
WW .100Y.C M.TW
.
M
O
WW 00Y.C
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
WW 00Y
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
W
.100
W.1 Y
M.T
.100
OM
W
O
W
W
C
.
W
C
W
Y
W
W
00
W
WW .100Y.
M.T
.100
W.1
M.T
O
W
O
W
W
C
.
W
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
.100
M
W
O
W
O
W
W
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
.1
O
W
O
WW
W
C
.
W
C
W
.
Y
W
W
W
W
.T
00
W
.
.T
00Y
W.1 Y.COM W
WW
W.1 Y.COM W
W
W
W
W
.T
W
.100
W
M.T
.100
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
WW
W
0
W
T
.
0
WW .100Y.
T
.
1
OM
W.
OM
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
W
O
W
WW .100Y.C
WW .100Y.C M.TW
W
O
W
WW
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C M.TW
O
W
WW .100Y.C
W
WW
_____________________________________________________________________________________________
UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025

10

WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW 00Y.CO .TW
WW 00Y.CO .TW
W
W
W
T
.1
W.1 Y.COM W
M.
OM
W
O
W
C
.
W
C
W
Y
W
.T
W
Y.
W
.100
M.T
.100
OM
W
M.T
.100
O
W
C
.
O
W
W
C
W
0Y
W
WW .100Y.
.TW
WW .100Y.C M.TW
M.T
.10UT62256
M
O
W
O
W
UTRON
C
.
W
.CO .TW
WW .100Y
.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y
M
O
W
32K
X
8
BIT
LOW
POWER
CMOS
SRAM
M
Rev.
1.5
O
W
O
W
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
WW .100Y.C M.TW
O
WW 00Y.CO .TW
W
WW 00Y.CO .TW
C
.
W
W
W
Y
W
W
M
.1
.T
00
W.1 Y.COM W
OM HISTORY
WW 00Y.CO .TW
W.1REVISION
W
C
.
W
W
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M
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C
.
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M
.
1
M
O
W
O
MAY. 10,2001
REV. 1.4
1. The pin configurations
name of TSOP-1 is revised as
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O
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WW .100Y.C M.TW
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OM
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UTRON TECHNOLOGY INC.
P80025

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