TRANSISTO

RES
BIPOLARES
NPN Y PNP
INTEGRANTES: JAVIERA CORNEJO
GALVES
VALENTINA LAGOS GUTIRREZ

NIBALDO MUOZ MUOZ

PROFESOR: CARLOS HUBE
ASIGNATURA: ELECTRNICA
FECHA: 29-03-2015

Introduccin
Los adelantos de la tecnologa cada vez son ms, asi tambin ocurre en la
electrnica, base principal de los productos tecnolgicos, que hoy en dia son
esenciales como los es para la comunicacin y entretencin. Para mejorar el
funcionamiento de estos aparatos. Para esto se crearon los transistores los cuales
tienen como funcin amplificar las seales elctricas y como interruptor en los
circuitos elctricos.
Gracias a que la potencia de salida puede ser ms grande que la potencia de
control un transistor puede amplificar una seal.
El transistor ha revolucionado el campo de los electrnicos y pavimentado el
camino para radios, calculadoras y computadoras ms baratos y pequeos.
Dentro de los transistores existen dos NPN Y PNP los que sern analizados en el
siguiente trabajo

Historia
El Transistor es un dispositivo semiconductor que puede amplificar seales
electrnicas, se denominan como transistor de unin bipolar o BJT (Bipolar
Junction Transistor) pero la mayora de las personas relacionada con la industria
electrnica todava emplean solo la palabra transistor sobreentendiendo que se
refiere a transistor de unin bipolar.
Un da 23 de diciembre de 1947, Walter H. Brattain y John Bardeen (imagen 1)
crearon y demostraron la funcin amplificadora del primer transistor en los
laboratorios Bell Telephone Laboratorios. El primer transistor se llam transistor
de unin y fue el presero del transistor de unin inventado por Schockley.

Imagen 1
Imagen 2
Walter H. Brattain

John Bardeen

Formacin de un transistor de unin bipolar

Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin.
Fsicamente, el transistor est consitutdo por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los
denominados NPN y PNP:

Tipos de Transistor de Unin Bipolar

NPN

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la

fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea

corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.

Partes de un transistor NPN Y PNP

Emisor: se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,

comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

Base: intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector: extensin mucho mayor.

Curvas caractersticas ideales del transistor bipolar

Caractersticas en Base Comn del transistor PNP

Caractersticas en Emisor Comn del transistor PNP

C.-

Caractersticas en Base Comn del transistor NPN

Conclusin

La importancia de los dispositivos semiconductores es que son utilizados para

amplificar e interrumpir seales elctricas o potencia elctrica. Pero solo si la
potencia de salida puede ser ms grande que la potencia de control un transistor
puede amplificar una seal.
Al investigar comprobamos que estos transistores son la piedra angular de los
dispositivos electrnicos modernos y parte esencial de los sistemas electrnicos.
Estos transistores han sido parte de la revolucin en el campo de los electrnicos
y pavimentos del camino para radios y otros artefactos electrnicos.
El funcionamiento del transistor depende de la cantidad de corriente que pase por
su base. Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus
otros terminales; se dice entonces que el transistor est en corte, es como si se
tratara de un interruptor abierto. El transistor est en saturacin cuando la
corriente en la base es muy alta; en ese caso se permite la circulacin de corriente
entre el colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor
cerrado.
Y para finalizar se analiza el conocimientos de la mayora de los consumidores
sobre estos transistores, a pesar que son esenciales para el funcionamientos de
sus artefactos no tienes mayores conocimientos de su existencia,